TW201339091A - 大區域壓印微影術 - Google Patents

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Se-Hyun Ahn
Mahadevan Ganapathisubramanian
Michael N Miller
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    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

本發明提供用以使用壓印微影技術圖案化分配在撓性基材或平坦基材上之可聚合材料之方法及系統。本發明亦提出模板複製方法及系統，其中來自一母模之圖案係轉移至撓性基材上以形成撓性薄膜模板。接著使用該等撓性薄膜模板以圖案化大區域平坦基材。在該壓印模板與基材之間的接觸可藉在該模板與該基材之間的相對移動產生及擴展。

Description

大區域壓印微影術 相關申請案之交互參照
本申請案依據35 U.S.C.§119(e)(1)主張在2012年2月22日申請之美國暫時申請案第61/601,632號的優先權，且該暫時申請案在此加入作為參考。
本發明係有關於大區域壓印微影術。
背景資訊
奈米製造包括製造具有等於或小於100奈米等級之特徵之非常小結構。奈米製造已具有一廣大衝擊之一應用係在積體電路之加工中。該半導體加工工業繼續為更大之產率同時增加形成在一基材上之每單位面積之電路努力，因此奈米製造變得越來越重要。奈米製造提供較大之加工控制同時容許不斷減少形成之結構之最小特徵尺寸。奈米製造已使用之其他發展領域包括生物科技、光學技術、機械系統等。
目前使用之示範奈米製造技術一般稱為壓印微影術。壓印微影術在包括，例如，製造多層積體元件之多種應用中是有用的，該等多層積體元件係例如CMOS邏輯， 微處理器，NAND快閃記憶體，NOR快閃記憶體，DRAM記憶體，或如MRAM、3D交叉點記憶體、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM等其他記憶體元件。壓印微影術亦在一硬碟用薄膜頭元件中製造多層是有用的。壓印微影術亦可用於製造硬碟機用圖案化媒體，如顯示器用極化器之光學元件，光子晶體結構，光伏打元件用之光捕捉結構及過濾器，電池電極用之奈米結構，用於強化光子及光伏打元件之量子點結構，生物醫學元件，感測器，及製造控制之奈米顆粒。控制之奈米顆粒可用以製造結晶半導體材料，或作為以聚合物為主之藥載體等用途。係在許多刊物中詳細說明示範壓印微影程序，例如美國專利公報第2004/0065976號，美國專利公報第2004/0065252號，及美國專利第6,936,194號，且所有前述專利公報及專利均在此加入作為參考。
一在各前述美國專利公報及專利中揭露之壓印 微影技術包括在一可成形(可聚合)層中形成一凸紋圖案且將一對應於該凸紋圖案之圖案轉移至一下方基材中。該基材可與一移動檯耦合以獲得一所需定位以便進行圖案化程序。該圖案化程序使用一與該基材分開之模板及一施加在該模板與該基材之間之可成形液體。該成形成液體固化以形成一剛性層，且該剛性層具有一與接觸該可成形液體之該模板表面之形狀一致的圖案。在固化後，該模板與該剛性層分離使得該模板與該基材分離。接著對該基材與該固化層進行另外之程序以將一凸紋影像轉移至該基材中，且 該凸紋影像對應於在該固化層中之圖案。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種壓印微影系統，用以壓印定位在一撓性薄膜基材與一平坦基材之間之可聚合材料，該系統包含：(a)第一與第二分開捲繞滾子，係組配成固定該撓性薄膜基材之相對端且維持該撓性薄膜基材之一部份捲繞在該等滾子中之一滾子或另一滾子上；(b)一或多數滾子驅動總成，係與該等第一與第二捲繞滾子耦合，該等驅動總成係組配成施加旋轉力至該等第一與第二捲繞滾子使得該撓性薄膜基材可在一所欲張力下在該等第一與第二捲繞滾子之間以一第一方向及一第二相反方向移動；(c)第一與第二分開壓印/分離滾子，係設置成靠近第一與第二捲繞滾子，該等第一與第二分開壓印/分離滾子具有平行旋轉軸且更組配成當一撓性薄膜基材在該等第一與第二分開壓印/分離滾子之間移動時接合且支持該撓性薄膜基材之背側表面；(d)移動致動器，係與該等第一與第二壓印/分離滾子之各端耦合，各移動致動器係組配成提供獨立移動使得被支持在該等第一與第二壓印/分離滾子之間的該撓性薄膜基材之部份可進行Z、Y-傾斜、X-傾斜及歪斜移動；(e)一移動平台，具有一組配成固定該平坦基材之第一卡盤，該移動平台更組配成當該撓性薄膜基材在該等第一與第二壓印/分離滾子之間移動時，將該平坦基材移動成與該撓性薄膜基材重疊；(f)一流體分配系統，係定位成靠近該等壓印/分離滾子及該移動平台，該流體分配系統 係組配成將可聚合材料分配在該平坦基材上；及(g)一能源，係定位在該等壓印/分離滾子之間且鄰近該撓性薄膜基材之背側面，該能源係組配成提供硬化能量以固化定位在該撓性薄膜基材與該平坦基材之間的可聚合材料。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種圖案化 一撓性薄膜基材之方法，該方法包含以下步驟：(a)提供一壓印微影模板，且該壓印微影模板上具有一圖案化表面；(b)在該模板之圖案化表面上沈積一可聚合材料；(c)將該模板定位成靠近一撓性薄膜基材；(d)以由一第一位置至一第二位置之一第一方向同時移動該撓性薄膜基材及該模板，藉此使該撓性薄膜基材與該模板接觸使得該可聚合材料填充一界定在該模板與該基材之間之容積；(d)硬化該可聚合材料以在該撓性薄膜基材上形成一圖案層；及(e)分離該模板及在該撓性薄膜基材上形成之圖案層。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種圖案化 一平坦基材之方法，該方法包含以下步驟：(a)提供一撓性壓印微影模板，且該撓性壓印微影模板上具有一圖案化表面；(b)提供一平坦基材；(b)在該基材上沈積一可聚合材料；(c)將該基材定位成靠近一撓性模板；(d)以由一第一位置至一第二位置之一第一方向同時移動該撓性模板及該平坦基材，藉此使該撓性模板與該平坦基材接觸使得該可聚合材料填充一界定在該撓性模板與該平坦基材之間之容積；(d)硬化該可聚合材料以在該平坦基材上形成一圖案層；及(e)分離該撓性模板及在該平坦基材上形成之圖案 層。
10‧‧‧壓印系統
12‧‧‧基材；薄膜片
14,14a,14b,14c‧‧‧滾子
16,17,19‧‧‧通路
18,18a,18b‧‧‧模板
22‧‧‧圖案化表面
30,30a,30b‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
32a,32b‧‧‧分配單元
34‧‧‧可成形材料；壓印材料
38‧‧‧能源
38a,38b‧‧‧紫外線硬化單元
40‧‧‧能量
42‧‧‧路徑
46‧‧‧圖案層
50‧‧‧特徵；突起
52‧‧‧特徵；凹部
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
80‧‧‧模板
80a‧‧‧複製模板
82‧‧‧圖案化區域
84‧‧‧突起；特徵
86‧‧‧凹部；特徵
88‧‧‧母模
88a‧‧‧母模板
90,90a,90b‧‧‧滾子
94‧‧‧支持卡盤
100a-100c‧‧‧微影系統
112‧‧‧基材
132‧‧‧分配器
180‧‧‧撓性薄膜片基材
180a,180b‧‧‧撓性薄膜片
182‧‧‧模板
188‧‧‧母模板
190,192‧‧‧滾子
194,196‧‧‧滾子
195,197‧‧‧滑輪
200‧‧‧系統
201,203‧‧‧驅動桿
202‧‧‧框架
204,206‧‧‧保護薄膜滾子
205,207‧‧‧樞轉臂
208‧‧‧保護薄膜片
208,209‧‧‧滑輪
212,213,214,215‧‧‧致動器；音圈
224,226‧‧‧靜電放電元件
238‧‧‧紫外線光源
240,280‧‧‧馬達
242,246‧‧‧滑輪
244,274‧‧‧皮帶
248,278‧‧‧框架
250,260‧‧‧馬達
252,256‧‧‧滑輪
254,264‧‧‧皮帶
258,268‧‧‧框架
259,269‧‧‧柱
262,266‧‧‧滑輪
272,276‧‧‧滑輪
282,288‧‧‧板；板安裝件
284,286‧‧‧板安裝件
300‧‧‧系統
302,304‧‧‧軌道
306‧‧‧平台
310,360‧‧‧移動平台
312‧‧‧唇部
320‧‧‧平台
330‧‧‧卡盤
350‧‧‧支持構件
352‧‧‧分配系統
A‧‧‧擴展部份
B‧‧‧分離部份
Ax,A1,A2,A3,A4,A5‧‧‧軸
d‧‧‧應變
L1,L2‧‧‧長度
t1,t2,t3‧‧‧厚度
W‧‧‧寬度
參照在添附圖式中所示之實施例提供本發明之實施例之說明，因此可更詳細地了解本發明。但是，應注意的是添附圖式只顯示本發明之典型實施例，且因此不應被視為限制範圍，因為本發明可有其他同等有效之實施例。
圖1顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖，其中該模板與在該第一滾子上方之撓性基材接觸。
圖2顯示圖1之微影系統之簡化側視圖，其中該模板與該撓性基材接觸且該界面之一部份係曝露在紫外線下。
圖3顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖4顯示用於在一壓印微影程序時由一薄膜片分離模板之一方法之簡化側視圖。
圖5顯示用於在一壓印微影程序時由一薄膜片分離模板之一方法之簡化側視圖。
圖6顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖7顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖8顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖9顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖10顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖11顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖12顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化側視圖。
圖13與14顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化俯視及仰視立體圖。
圖15顯示依據本發明之一微影系統之一示範實施例之簡化立體圖。
較佳實施例之詳細說明
請參閱圖式，許多研究或商業機構已教示在連續或捲材型基材上圖案化。例如，用於光學元件之微模製是最廣泛使用之應用中之一種。最近，在連續或捲材型基材上奈米壓印已被視為一潛在應用，其中微米及/或次微米尺寸之微細特徵可由一模板轉移至該基材上。示範技術係在美國專利第8,817,515號中進一步說明，且該美國專利全部在此加入作為參考。
在此，撓性基材可以是連續捲材型薄塑膠基材或獨立圓形、正方形、矩形或類似形狀之基材。例子係由PET、PEN等構成之具有或沒有薄塗層在頂面之10至1000微米厚 連續薄膜的聚合物薄膜。塗層材料可為金屬、氧化物、介電體等。為了適用在商業上，在撓性基材上壓印通常必須滿足某些規格，且因此，某些壓印序不適用於壓印撓性基材。例如，熱奈米壓印程序(例如，熱壓凸)通常使用厚塗布(旋塗、刀緣塗布等)及/或沈積材料以達成由一模板轉移特徵至一基材上。這程序通常不適用於在薄膜上奈米壓印，因為有關於對微細特徵轉移之加工極限、提供薄壓印層之能力、產生圖案轉移所需之剩餘層之能力、及減少平面內膜薄膜扭曲以達成準確圖案覆蓋之問題。更困難程序問題中之一問題包括在沒有特徵扭曲及/或微細特徵斷裂之情形下微細特徵轉移(例如，在大約100nm以下)。
在此所述的是用於在撓性基材上微細特徵轉移 之壓印方法。通常，壓印方法可包括使用控制液滴分配進行紫外線奈米壓印。在一實施例中，可使用一實質平坦模板。這種模板可由一由玻璃材料、Si、熔融矽石等構成之圓形或正方形/矩形基材構成。這種模板之高無缺陷表面品質及高精確幾何規格可藉使用工業規定之半導體基材製造程序達成。在該壓印程序中，該模板平坦度係刻意調整以形成一所欲面外彎曲以增加壓印速度及/或產率。通常，流體填充可以一小點型接觸且以徑向擴展，或以線接觸且以該撓性基材移動之方向擴展的方式開始。該模板可沿與一移動撓性基材實質相同之方向移動。在另一實施例中，可使用一帶狀模板。這連續模板可包括以一母模複製之多數圖案化段。
請參閱圖1，其中顯示的是依據本發明之使用一 模板18在一撓性基材12上形成一凸紋圖案之一示範壓印系統10。基材12之材料組成可包括，但不限於，聚合物薄膜、玻璃、矽、氮化矽、KevlarTM強化聚合物薄膜、鋁、及/或其他類似材料及這些材料之組合。例如，在聚合物薄膜上沈積玻璃，或在該聚合物薄膜上沈積如Al、Ag之金屬。基材12之厚度可依據設計考量決定。例如，基材12可以是一具有大約10μm至1000μm之厚度之撓性片。在一實施例中，基材12可具有足夠孔隙度。孔隙度量值(例如，孔洞尺寸)可適當化使得被捕捉在一模板與基材12之間之氣體分子可在壓印時如在此進一步詳細說明地散逸。該孔尺寸必須適當化以容許氣體、He、N2、O2或其他氣體可流過，但是壓印流體或濕氣無法進入該基材。
基材12可與一或多數滾子14耦合或藉一或多數 滾子14支持。例如，如圖1所示，薄膜片12係藉滾子14a與14b支持。應注意的是依據設計考慮可在第一滾子與最後滾子之間使用任一數目之滾子14。如進一步說明地，依據該基材正在移動之方向，該等滾子有助於開始在該基材上壓印一圖案層及由該模板分離下一圖案層。該等滾子在此亦可被稱為“壓印/分離滾子”。
滾子14可促進基材12之至少一部份之移動。例 如，圖1之滾子14a與14b可各環繞一軸旋轉以便基材12以由滾子14a至滾子14b之方向沿通路16、17、18移動。該移動可在存在壓印流體之情形下開始一在該模板18與撓性基材 之間之接觸。接著，該模板與撓性基材之配合移動之動作擴大該界面之流體填充部份。圖2顯示該模板與基材界面，其中該基材之初期流體填充部份係藉紫外線曝光交聯。在該固定區域之圖案化後，滾子14可促進基材12之移動以使基材12之第一部份由模板18偏移。為簡化說明，滾子14未詳細說明(例如，直徑、材料組成)，因為供微影程序內使用之滾子在所屬技術領域中是習知的。
在圖1與2中，該模板係顯示為平移地移動。作為 另一種方案，模板可以是固定的且該等滾子單元可在旋轉之同時移動。
各滾子14可具有一軸Ax。例如，在圖1中之滾子 14a與14b分別具有一軸A1與A2。滾子14之軸Ax可定位成在系統10內互相相對地實質平行且固定在互相距離一距離d處。在兩滾子之間的距離可類似於該壓印域之長度或該距離可實質小於該壓印域。通常，該距離係決定成可提供足夠流體填充及紫外線曝光之加工時間。如果該流體填充花費比該紫外線曝光多之時間，則必須分配更多部份之滾子空間以達成流體填充之目的。滾子14a與14b可定位成相對於該模板18實質平行且水平。或者，滾子14之軸Ax可定位成實質平行但在不同高度使得基材12可定位成相對於模板18呈一角度。該角度之度數可依據設計考慮決定。
模板18可包括一圖案化表面。在一實施例中，模 板18可包括一由該模板18向該基材12延伸之台面，該台面上具有一圖案化表面。
一圖案化表面可藉多數特徵(即，分開之凹部及/ 或突起)界定，但是本發明之實施例不限於該等構形。該圖案化表面可界定形成一欲在薄膜片12上形成之圖案之基礎的任一初始圖案。圖案可為3D特徵，例如階狀或自由形式之形狀。該圖案化表面應具有低粗度使得壓印層產生均一壓印剩餘層厚度。或者，該圖案化表面可以是具有中至低度奈米地形粗度之實質平滑及/或平坦。
模板18及/或模可由包括，但不限於，熔融矽石、 石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽玻璃、氟碳聚合物，金屬，硬化藍寶石等之材料形成。在一實施例中，模板18之至少一部份可由多孔材料形成。孔隙度量值(例如，孔洞尺寸)可適當化使得在模板18與基材12之間之氣體分子可使用例如揭露在美國專利公報第2010/0104852與2010/0109201號中之技術在壓印時實質地散逸，且這兩美國專利公報均在此加入作為參考。模板18可為在一材料之較厚基材上之另一材料之薄膜。該薄膜厚度可為1至100微米且該一材料之較厚基材可為100微米至10mm。其中一實施例可為在一聚合物支持材料之頂部的薄SiO2層。多數圖案形成在該薄SiO2層上。PECVD沈積之氧化物多孔層可以是該薄SiO2層。
模板18可由玻璃及/或一玻璃型材料形成。由玻 璃形成之模板18可使用目前之壓印工具藉複製製造，這可降低模板18之製造成本。或者該模板可直接由電子束工具製成。
請參閱圖1與2，長度L1、寬度W、及模板18之厚度t3可依據設計考慮決定。該模板之寬度未顯示在圖中。通常該模板之寬度稍小於該撓性基材之寬度。該模板長度對該模板寬度之比率，L1/W可為0.1至50。在某些應用領域中，該比率可增加至100。模板厚度方向及材料可選擇成配合該模板在界面表面之彎曲產生應變與該撓性基材之彎曲產生應變。在此，模板界面表面是在存該壓印流體之情形下該撓性基材接觸之表面。在一實施例中，模板18可具有一在大約0.1至0.8mm之間的厚度t3。
模板18可與一卡盤(未圖示)耦合。該卡盤可構形成，但不限於，真空、銷型、溝槽型、靜電、電磁、及/或其他類似卡盤型。示範卡盤係在美國專利第6,873,087號中進一步說明，且該美國專利因此在此加入作為參考。又，該卡盤可與一壓印頭耦合使得該卡盤及/或該壓印頭可組配成便於模板18移動。模板18之裝載及卸載可使用現有半導體裝載機自動化。
圖3顯示使用兩壓印模組之一系統組態。該組配可提供比單一壓印模組情形更高之產量。模板18a與18b可分別與壓印頭30a與30b耦合。一側之分配單元32a、壓印頭30a及紫外線硬化單元38a之所有控制順序可利用32b、30b及38b同樣地應用於另一側。但是，為了由兩模組產生一致之壓印，將必須調整該等分配單元、紫外線硬化單元等之操作條件。
請參閱圖1與2，系統10可更包含流體分配系統 32。流體分配系統32可用以在基材12上沈積可成形材料34(例如，可聚合材料)。可成形材料34可使用例如滴落分配、旋塗、浸塗、化學蒸氣沈積(CVD)、物理蒸氣沈積(PVD)、撓性沈積、厚膜沈積等技術定位在基材12上。例如，可成形材料34可使用例如揭露在美國專利公報第2005/0270312號及美國專利公報第2005/0106321號中之技術定位在基材12上，且該等美國專利公報因此都在此加入作為參考。
可成形材料34可沈積在撓性薄膜基材12上作為 多數分開液滴。例如，可成形材料34可沈積成液滴且各液滴具有一在大約1至200皮升之間的單位體積。可成形材料34之液滴可依據一滴落圖案設置在基材12上。該滴落圖案可依據設計考慮決定及/或決定成可提供例如在美國專利公報第2005/0270312中揭露之特定特性。該控制液滴式方法可減少材料成本、蒸發補償等。
可成形或可聚合材料34可包含一如美國專利第 7,157,036號及美國專利第8,076,386號中揭露之單體混合物，且該等美國專利因此都在加入作為參考。此外，為在壓印後促進濕潤及/或黏著，基材12可以在美國專利第7,691,313號揭露之一組成物處理，且該美國專利因此在此加入作為參考。
請參閱圖1與2，系統10可更包含一能源38，且該 能源38耦合成沿路徑42導引能量40。壓印頭30及/或滾子14可組配成將模板18及基材12之一部份定位成與路徑42重 疊。路徑42具有一長度L2，且該長度L2係依光硬化強度及材料硬化敏感性來決定。通常，L2對該模板長度之比率可為0.01至0.5。系統10可藉與滾子14、壓印頭30、流體分配系統32及/或能源38連通之處理器54調節，且可依儲存在記憶體56中之電腦可讀取程式操作。
請參閱圖1與2，壓印頭30可改變在模板18與基材 12之間的距離以在模板18與基材12之間界定一藉可成形或可聚合材料34填充之所欲容積。例如，壓印頭30可施加一力至模板18使得模板18之圖案化表面22接觸可成形材料34。在以可成形材料34填充該所欲容積後，能源38產生能量40，例如，紫外線輻射，使可成形材料34固化及/或交聯，與基材12及圖案化表面22之形狀一致，且在撓性薄膜基材12上界定圖案層46。圖案層46可包含一剩餘層及多數特徵，例如突起及凹部。
請參閱圖1與2，模板18可週期地或同時地與移動 基材12一起移動以實施一連續壓印操作。抗蝕劑填充、紫外線硬化、及模板18由基材12分離可在模板18以與基材12相同之速度移動時發生。在該模板與撓性基材之間的移動控制可藉機械設備被動地控制或藉交互連接之控制器主動地控制。用以維持該模板與撓性基材之移動的機械設備可以是以連桿為主之機構，滾子對滾子接觸機構，或其他機構。
當該模板及該撓性基材開始在第一滾子14a上方 以流體在內之方式接觸時，分配流體液滴填充由兩表面形 成之間隙。如果需要，一氣體吹洗噴嘴之陣列可定位在該模板及撓性基材界面區域前方。在滾子14a上方滾動之該彎曲撓性基材將與該模板形成一線型接觸。因為流體液滴之間之任何氣體將透過該模板及/或該撓性基材之表面由模板-基材界面排出或散出，故流體液滴將被吸收。在圖1中，該氣體排出方向將是左方，即，與該模板-基材移動方向相反。
壓印頭30使模板18與可成形材料34接觸一段時 間直到該模板-基材到達紫外線硬化位置為止。紫外線硬化系統可以是一以LED為主之紫外線源或一附接在習知Hg-Xe紫外線源上之線型紫外線探針等。由該紫外線源至該模板背面之距離可小於數mm。為增加該紫外線均一性，一薄擴散片(未圖示)可定位在該紫外線源與該模板之間。當該紫外線硬化之工作距離小於數mm，例如5mm時，可維持高到足以完成紫外線硬化該壓印材料之強度小於1秒、或0.5秒，或甚至0.1秒。
請參閱圖1與2，當模板18在滾子14b上方移動同 時基材12以箭號19之方向彎曲遠離模板18時，可發生在模板18與基材12之間的分離。當該模板之彎曲剛性明顯大於該撓性基材之彎曲剛性時，大部份彎曲發生在該撓性基材上。因此，基材12及模板18由於彎曲產生不同應變，且因此，當該應變未抵消時，壓印特徵會受到圖案變形及/或毀損之損害。
用以減少應變習知方法包括藉控制背壓/真空來 抵消來自一模板及基材之應變。示範方法係在美國專利公報第2011/0260361號中進一步說明，且該美國專利公報因此全部在此加入作為參考。但是，對連續撓性基材而言，背壓控制可能並不實際，因為分離會發生在一旋轉滾子上。
請參閱圖4，如果基材12之材料比模板18之材料 軟許多，則特徵50與52之大部份應變(d)是由於基材12之彎曲造成。通常，應變大小可小於1微米，但是，即使這大小亦會導致微細特徵毀損。為補償分離時在模板18與基材12之間之界面的應力誤差，分離之基材12之部份可刻意地縮短。
在一實施例中，基材12之多數部份可分類成擴展 部份(即，其上方具有可成形材料34擴展且固化的基材12之部份)及分離部份(其中模板18與在基材12上之固化圖案層分離的基材12之部份)。一擴展部份在圖5中標示為區段A且一分離部份標示為區段B。與分離部份B比較，一較高張力可施加在擴展部份A上。張力差之大小可依基材12之材料及/或滾子14b及14c之半徑而定。
在一例子中，與在分離部份B中之張力比較，在 擴展部份A中之張力大小明顯較高。但是，過大之張力會造成在軸向上基材12之翹曲。因此，該施加之張力之大小是有限的。
在另一例子中，與滾子14a比較，滾子14b與14c 可包括一大半徑，且滾子14a與14b再提供壓印及分離功能且增加之滾子14c提供進一步支持。一大半徑可減少相對應 變，且這可減少在基材12中之較高張力與較低張力之間的差。在一實施例中，在滾子14a與14b之間的距離可固定且滾子14a之半徑可明顯小於滾子14b之半徑，如圖5所示。例如，在滾子14a與14b之間的距離可為大約100mm且滾子14a之半徑為大約20mm並且滾子14b及/或14c之半徑為大約40mm。
此外，滾子14可由較軟材料(例如，200微米厚PET) 形成。藉以較軟材料支持基材12，較小之張力可更有效地補償該應變。滾子14之材料剛性可比基材12之材料剛性軟數倍。例如，滾子14可具有一由矽、橡膠等形成之支持材料。又，滾子14之厚度(例如，1mm)可明顯大於基材12之厚度(例如，200微米)。
此外，可使用多數感測器來監測在模板18與基材 12之初始對準及/或在模板18與基材12分離時之對準。藉監測在分離時之對準，可調整基材12之分離部份之張力。例如，如果應變配合誤差顯示圖案層46被拉伸，則可降低基材12之分離部份之張力。
應變配合可藉監測圖案層46及/或基材12及/或模 板18之對準記號來提供。例如，在一實施例中，第一組感測器可沿滾子14a之軸A1定位且第二組感測器可定位成稍微偏離滾子14b(即，該分離滾子)之軸A2。
各種對準誤差測量方法及系統可與系統10一起 使用。當基材12以對準記號預圖案化時，可藉重疊多數記號與模板18之對準記號來收集對準誤差信號。可採用光學 成像方法，如盒中盒(box in box)或波紋圖案來測量。
如果基材12未以對準記號預圖案化時，仍可測量在基材12之分離部份之應變補償情況。例如，當基材12彎曲時，圖案層之特徵50與52會移動遠離其初始位置，使得模板18及圖案層46之圖案會產生與應變配合情形不同光學信號。這可使用顯微成像、雷射/LED感測等來感測。
圖6-8顯示依據本發明之使用連續模板80(即，帶式模板)之微影系統100a至100c之示範實施例。連續模板80可用以在一薄膜型基材12(顯示在圖6中)或一大平坦基材12a(顯示在圖7中)上壓印。
連續模板80可包括一圖案化區域82。圖案化區域82可包括多數特徵(即，突起84及凹部86)。圖案層46之突起50及凹部52可以一類似於先前說明之方式形成。在一實施例中，模板80可包括構形成可在壓印時收納可成形材料34之階狀邊界(例如，台面)。
連續模板80可與滾子90a與90b耦合。滾子90a與90b可以一順時針及/或逆時針方式環繞一軸Ax移動。例如，滾子90a可環繞軸A4移動且滾子90b可環繞軸A5移動。此外，滾子90a與90b可環繞一x軸及一y軸移動。
可使用各種方法來形成模板80。在一實施例中，模板80之圖案化區域82可藉由一母模88複製形成。如果該模板80之長度比該母模作用區域之長度長數倍，則圖案化區域82之特徵84與86可使用母模88藉重覆壓印產生。例如，圖案化區域82之特徵可使用一類似於對圖1與2詳細說 明之方法的壓印方法產生。如果該母模包含模板80之長度之全部壓印區域，則藉移動該母模全部滾壓該模板80使得全部圖案可轉移至該複製模板成為一無縫合之單一區域，可完成模板複製。
應變配合情況可藉使用如對圖4與5詳細說明之類似張力控制方法來提供，其中模板80之流體擴展區段可在較高張力下且模板80之分離區段可在一較低張力下。
請參閱圖8，在另一實施例中，模板80使用一支持卡盤94形成。支持卡盤94可有助於在形成圖案化區域82時固持模板80之壓印部份。使用之示範支持卡盤94及方法係進一步揭露在美國專利第8,817,515號中，且該美國專利因此在此全部加入作為參考。在又一實施例中，模板80可透過分開之工具形成或在壓印基材12之相同工具中製造。
當該母模板係由一類似於壓印基材之大尺寸規格的大尺寸規格製成時，複製模板80a可由大母模板88a製成，其中該固化壓印層係附接在該複製側，如圖9所示。壓印材料34之流體分配可在如圖所示之母模板88a上，或該複製薄膜表面(未圖示)上完成。複製模板80a可在該複製壓印後進行後處理，例如表面處理、金屬沈積、清潔及其他處理。接著可使用複製模板80a來壓印基材。例如，如圖10所示，一撓性基材可裝載在相同台或平台而不是母模板88a上且其中壓印材料34之流體分配可如圖所示地在該基材上，或在複製模板80a本身(未圖示)上完成，且壓印可如先前在此所述地實施。依此方式，模板複製及壓印可在相同工具 台上實施。
在模板80上之圖案化區域82可在沒有一蝕刻程序之情形下在微影系統100a至100c內形成及使用。或者，圖案化區域82可使用包括，但不限於，蝕刻(例如，VUV蝕刻)、蒸氣處理、化學蒸氣沈積等之處理；例如，如在工業中習知及在美國專利公報第2011/0183521號中揭露之蝕刻技術進一步加工，且該美國專利公報因此在此全部加入作為參考。
在製造模板80時可提供一清潔及/或移除裝置。例如，如果模板80損壞及/或圖案化區域82未適當形成或加工，則可使用一串列清潔程序來減少該系統之停機時間。此外，由於不需要另外之模板80裝載及卸載程序，整體工具環境可維持實質清潔。
請參閱圖6，通常，基材12可包含一連續壓印。在一實施例中，為提供這連續壓印，模板80可形成為在圖案化區域82中沒有開放空間。滾子90a與90b亦可以一順時針及/或逆時針方式移動。該移動可在有或沒有在區域之間之間隙之情形下產生一完全圖案化之圖案化區域82且可取代或附加於沒有開放空間之模板80。
模板80之圓周長度(即，帶長度)可被平衡以對應被壓印在基材12上之區域長度。例如，圓周長度可實質配合壓印之數目乘該區域之尺寸。但是，使圓周長度實質精確至所欲長度會是困難的。因此，在複製母模88至模板80之前調整圓周長度可有助於平衡。此外，可加工模板80之 表面以包括多數對準記號。這些對準記號可具有100nm以下或以下之特徵。例如，對準記號可由微米尺寸之線及/或其他圖案構成。
一旦模板80安裝在滾子90a與90b上，即可相對於 母模88之區域尺寸測量模板80之長度。例如，如果該區域尺寸是長度100mm，且如果五個壓印在模板80上形成一組等距圖案，則可調整模板80之長度至大約500mm+/-e，其中e是誤差預算。在沒有負載/張力之情形下模板80之長度亦可合理地配合一所欲長度。模板80之長度之最後調整可藉調整模板80中之張力來提供。例如，在滾子90a與90b之間的距離可改變模板80中之張力。在另一例子中，可只調整模板80之壓印部份。
在一實施例中，如果該帶係由一片長撓性基材構 成，則模板80會包括一縫合區域。由於表面粗度，可防止該縫合區域接觸流體及/或基材12。在一實施例中，該縫合區域超出被視為一在區域之間之可接受間距。因此，可使用一個以上之模板80。例如，一第一模板80可具有一第一數目之區域(例如，一半)，且一第二模板80可具有剩餘數目之區域。
可成形材料34可施加在模板18及/或基材12上。 在一實施例中，一第一材料可施加在模板18上且一第二材料可施加在基材12上。該第一材料及該第二材料可類似或不同且形成可成形材料34之基礎。
包括低黏性材料(例如，可成形材料34)之具有控 制液滴分配的奈米壓印可產生具有一非常薄壓印層之多數壓印。特徵84與86經常與一剩餘層連接作為一基底。對蝕刻程序及光學性質都將會非常需要薄且均一之剩餘層。控制液滴分配可補償由於流體蒸發、圖案密度變化、材料收縮等產生之誤差。在薄膜型基材12上壓印亦可藉實施控制液滴分配得到好處。藉產生一薄且均一之剩餘層，亦可實施串列蝕刻。
模板80可定位成鄰近基材12使得可成形材料34 在模板18與基材12之間的一間隙內擴展。可使用另外之滾子(未圖示)來保持基材-流體-模板組態使得可成形材料34可擴展且填充該間隙。該等另外之滾子可實質類似於滾子90a與90b。在一實施例中，該等另外之滾子90可由軟塑膠或聚合物層形成使得該等另外之滾子可對基材-流體-模板堆疊物產生均勻一致之壓力。
對準及放大控制可串列地調整。例如，可決定在 可成形材料34之擴展區域之對準誤差，且藉調整模板80之張力控制補償該誤差。在一實施例中，可使用壓電致動器來改變在滾子90a與90b之間的距離，調整張力控制。當在滾子90a與90b之間的距離改變時，模板80之長度可改變，接著使放大區域以模板80之方向(即，帶移動之方向)改變。
用於固化可成形材料34(例如，紫外線硬化)之能 量可由模板80之方向及/或基材12之方向提供。在一實施例中，基材12可以一不透明材料塗覆。因此，用於固化可成形材料34之能量可由模板80之方向提供。
在分離模板80與基材12時，模板80與基材12可彎 曲互相遠離。如果在該模板滾子與該基材滾子之間該等滾子直徑相等且如果該模板之材料性質亦類似於該撓性基材之材料性質，與在此所述之其他壓印方法比較，應變產生扭曲可較少。
在其他實施例中，藉由一母模板複製圖案，可在 一撓性薄膜基材上形成一或多數複製模板。請參閱圖11，撓性薄膜片基材180係任一端固定於捲繞滾子194與196上且通過壓印/分離滾子190與192下方並藉壓印/分離滾子190與192支持。滾子194與196之旋轉可同步使得撓性薄膜片基材180使在中間之滾子190與192，依據滾子194與196之旋轉方向，向前或向後方向移動。含有圖案特徵之母模板188係以與撓性薄膜片基材180相同之方式移動。分配器132可如圖所示地將可聚合材料34直接分配在母模板188上，或者，可聚合材料可分配在撓性薄膜片基材180本身(未圖示)上。 當撓性薄膜片基材180與母模板188接觸時，可聚合材料34可如前所述地固化以便在撓性薄膜片基材180上產生對應圖案化特徵以形成複製模板182。在由母模板188分離複製模板182時，與該母模側模板比較，該薄膜側複製模板182存在較強之黏著力。當薄膜複製模板182捲繞在滾子196上，一層保護薄膜可設置在該模板表面上以如進一步所述地防止該微細圖案化表面接觸該撓性薄膜之比較硬之背側表面。由此可知，這模板複製程序可用以將一撓性薄膜基材之全長轉變成多數複製模板。
請參閱圖12，可使用含有複製模板182之撓性薄 膜片180b以便透過壓印微影方法轉移圖案至基材112上。基材112可為，例如，一平坦玻璃型基材。在壓印程序之前，可選擇性地處理複製模板182之表面以強化釋放步驟。在一例子中，可使用形成在撓性薄膜片180b上之各複製模板182以將一區域壓印在基材112上且接著將含有下一複製模板182之撓性薄膜片180b之一新部份滾動至該壓印位置，可印刷在基材112上之一新位置上或在取代基材112之另一基材上。一旦使用在撓性薄膜片180b上之最後複製模板182，使得撓性薄膜片180b及複製模板182之大部份捲繞在滾子196上，則該壓印方向可反轉，且此時撓性薄膜片180b之移動係由滾子192向滾子190(且基材之移動對應地反轉)以重覆另一完整之壓印循環。或者，撓性薄膜片180b可重新捲繞在滾子194上且可以相同初始方向進行一新壓印循環。在其他方法中，可使用相同模板182在撓性薄膜片180b上以類似方式圖案化多數基材。一旦製成一預定數目之區域，具有使用過之模板182之使用過之撓性薄膜片180b被滾出且具有新模板182之一新撓性薄膜片180b被載入該壓印位置。
當圖案化比較大區域時，在平坦基材及/或該撓 性薄膜基材中之平面凹凸，不論是局部化或由於在兩基材(即，一基材係相對於另一基材在面外)之間的平面錯置均會不利地影響壓印流體(可聚合材料)擴展及填充均一性。這又會導致特徵不均一性及/或在後續固化圖案層中之缺陷。為了補償，移動致動器可與滾子190與192之末端耦合以便對 各滾子端提供獨立之上下移動。請參閱圖11至12，致動器212與214係固定在框架202上且與滾子190與192之末端分別耦合，以提供該移動。類似致動器係設置在各滾子190與192之另一端上(未圖示)。這組態容許支持在滾子190與192之間的薄膜基材可以四個不同自由度(Z、Y-傾斜、X-傾斜及歪斜移動)移動以便在重要之流體擴展及填充與固化步驟時使兩基材互相更佳地一致。一控制器(未圖示)提供獨立信號至各致動器以控制移動之方向及大小或各致動器之力以產生該基材之配合一致性。適用於本發明之致動器包括簡單之電動馬達，例如音圈致動器，及可將上下(Z軸)移動傳至該等滾子端之其他適當致動器或馬達。
在壓印微影術中亦重要的是儘可自由地維持該 形成之模板不受到顆粒污染。污染顆粒截留在該模板上之會造成在各壓印在該平坦基材表面上之壓印圖案中的缺陷及該模板本身之形成之特徵的破壞。後者之情形導致重覆之缺陷且會需要更換整個模板。類似地，即使在模板形成前，應類似地保護該撓性薄膜基材亦是有利的。請參閱圖11，所示之保護薄膜片208覆蓋在捲繞在捲繞滾子194上之撓性基材180之一部份上，且該保護薄膜片208之一部份由捲繞滾子194延伸且固定在定位成鄰近捲繞滾子194之保護薄膜滾子204上。保護薄膜片208係比撓性薄膜片基材180軟(較低模數)，且可由包括但不限於軟塑膠形成，例如丙烯酸樹脂、LDPE、PET、PVC等。保護薄膜片208可為單層或雙層，且可更包括一低黏性黏著薄膜，並且該低黏性黏著薄 膜具有一背膜或一靜電黏附膜。當撓性基材180由滾子194解捲時，保護薄膜滾子204以與滾子194相反之方向旋轉以由撓性基材180剝離或收回保護薄膜208。相對於捲繞滾子196提供一類似配置，且保護薄膜滾子206類似地定位成鄰近捲繞滾子196。當此時含有形成之模板(或區域)182之撓性基材180捲繞在捲繞滾子196上時，保護薄膜片向形成之模板(或區域)182進給且當它捲繞在捲繞滾子196上時覆蓋在形成之模板(或區域)182上。為進一步防止顆粒污染，在靠近相對撓性基材180積層或分層之位置，鄰近保護薄膜滾子194與196地分別設置例如電離器之靜電放電元件224與226。元件224與226移除在局部大氣中之靜電電荷，因此減少會吸引會造成顆粒污染之帶電微粒的電荷交互作用。
圖13與14顯示具有壓印/分離滾子及捲繞滾子之上述滾子系統之另一實施例。系統200包括固定矩形支持框架202，且音圈致動器212、213、214與215安裝在該框架之各角落且向下延伸。壓印/分離滾子190與192係在各相對端可旋轉地分別連接音圈212、213與214、215之可移動臂。音圈212至215係可操作地連接一控制系統(未圖示)，且該控制系統可獨立地控制各獨立音圈移動之方向(上/下)及大小(距離)，因此提供該等第一與第二壓印/分離滾子190與192之各端之獨立移動。該獨立移動，接著，容許被支持在該等第一與第二壓印/分離滾子之間之一撓性薄膜基材之部份可進行如前所述之Z、Y-傾斜、X-傾斜及歪斜移動。所示之壓印/分離滾子190與192係組配成可被動旋轉，但是它們 亦可類似地組配成可主動旋轉以協助推進該撓性薄膜基材。紫外線光源238係定位成鄰近(且可固定於)支持框架202。如圖所示，該紫外線光源係組配成沿一通路提供紫外線能量，且該通路延伸一實質等於壓印/分離滾子之長度之長度且被導向背側。
捲繞滾子194與196係定位在該框架202、音圈212 至215及壓印/分離滾子190與192總成之兩側，且各滾子194、196類似地被一在各滾子之各端之分開可移動框架座(未圖示)支持且可在該分開可移動框架座上旋轉。捲繞滾子194與196更在其遠端端接滑輪195與197，各滑輪195與197可如進一步詳述地與皮帶254與264分別接合。鄰近捲繞滾子194與196的分別是保護薄膜滾子204與206，且該等保護薄膜滾子204與206係類似地安裝在分開可移動框架座(未圖示)上。各保護薄膜滾子204與206可進一步向與遠離捲繞滾子194與196分別樞轉，以在保護薄膜捲繞在該等滾子上及/或由該等滾子解捲時配合該等滾子之工作直徑的變化。如圖所示，保護薄膜滾子204與206係在其遠端與樞轉臂205與207之末端分別耦合，且各樞轉臂205與207之相對端係與驅動桿201與203連接且可環繞該等驅動桿201與203樞轉，並且該等驅動桿201與203又分別端接滑輪208與209。滑輪208與209可如進一詳述地與皮帶244與274分別接合。樞轉臂(未圖示)係類似地設置以耦合保護薄膜滾子204與206之近端與該可移動框架座(未圖示)，使得當保護薄膜滾子204與206向或遠離該捲繞滾子194與196分別樞轉時， 保護薄膜滾子204與206之軸仍平行於該等相鄰捲繞滾子194與196之軸。
用以驅動(即，旋轉)捲繞滾子194與196之皮帶驅 動總成包括分別驅動皮帶254與264之馬達250與260。如圖所示，皮帶254係與滑輪252可操作地連接，被馬達250驅動，且連接固定在框架258上之滑輪256。框架258係與柱259可移動地耦合，即，框架258可以垂直(z)方向相對柱259上或下移動。類似地，皮帶264係與滑輪262可操作地連接，被馬達260驅動，且連接固定在框架268上之滑輪266，且框架268與柱269可移動地耦合使得它亦可以垂直(z)方向相對柱269上或下移動。柱259與269本身係確實地固定在板安裝件284與286上，且該等板安裝件284與286係固定在一固定支持構件(未圖示)上。如前所述，在捲繞滾子194與196之遠端之滑輪195與197接合驅動皮帶254與264使得在操作時馬達250與260透過驅動皮帶254與264控制捲繞方向、力、及施加於捲繞滾子194與196之張力。此外，捲繞滾子194與196可透過柱259與269之向上移動而與驅動皮帶254與264分離。該移動產生滑輪256與266之一對應向上移動，且該向上移動使皮帶254與264與滑輪195與197分離。依此方式，可輕易地移除及更換該捲繞滾子總成。
設置類似皮帶驅動總成，以維持在保護薄膜滾子 204與206上之張力。馬達240與280分別驅動皮帶244與274。皮帶244係與滑輪242可操作地連接，被馬達240驅動，且連接固定在框架248上之滑輪246。框架248係與板安裝件 282可移動地耦合因此可以水平(x)方向移動。皮帶274係與滑輪272可操作地連接，被馬達270驅動，且連接固定在框架278上之滑輪276。框架278係與板安裝件288可移動地耦合因此它亦可以水平(x)方向相對移動。板282與288係固定在一固定支持構件(未圖示)上。如前所述，本身透過樞轉臂205與207與保護薄膜滾子204與206連接之滑輪208與209可分別接合驅動皮帶244與274。在操作時，馬達240與270透過樞轉臂205與207驅動皮帶244與274，且控制捲繞方向及施加於保護薄膜滾子204與206之張力。這控制在各保護薄膜滾子與相關捲繞滾子之間的距離，且控制施加於該保護薄膜本身之張力。此外，類似於上述捲繞滾子總成，保護薄膜滾子204與206可類似地透過框架248與278遠離滾子204與206之水平移動與該等皮帶244與274分離。即，該移動使滑輪246與276移動遠離滑輪208與209且使皮帶244與274與滑輪208與209分離。依此方式，與該捲繞滾子總成之移除及更換一起或分開地，可類似地輕易移除及更換該保護薄膜滾子總成。
請參閱圖15，滾子系統200可再加入系統300中， 且該系統300可用以產生撓性薄膜模板及/或使用該等撓性薄膜模板產生包括大面積基材之壓印平坦基材。系統300包括平台306，且滾子系統200設置在一相對平台306之固定位置。平台306更包括軌道302與304，且該等軌道302與304提供移動平台310與360以x方向移動使得固定在移動平台310或360上之基材可與一以前述方式固定在滾子系統200上之 撓性薄膜基材(或模板)一起移動。移動平台310更具有可在y方向上沿移動平台320之唇部312移動之較小平台320。平台320更具有卡盤330。卡盤330可用以固定，例如，一工業上常用之矽晶圓，或類似尺寸之其他平坦基材。相反地，移動平台360可組配成具有一夾持系統，且該夾持系統收納較大區域平坦基材，例如可用於製備玻璃面板顯示器之玻璃基材。該等基材可具有一最多等於系統200之壓印/分離及/或捲繞滾子之長度的寬度。支持構件350包括分配系統352，且該分配系統352可在移動平台310或360通過分配系統352下方時將可聚合材料以一所欲圖案傳送至定位在移動平台310或360上之基材上。在某些組態中，分配系統352係組配成亦可以y方向移動。分配系統352可組配成如前所述地分配可聚合材料之液滴。或者，該分配系統可組配成使用如一孔模塗布裝置將可聚合材料沈積在一薄膜中。在該後者方法中，一低黏度抗蝕劑或一具有高溶劑含量之抗蝕劑對於得到一薄剩餘層是較佳的，且乾燥及/或加熱以移除該溶劑可在塗布後進行。
在各種實施例中，系統300可用以如前所述地藉 圖案化設置在滾子系統200上之撓性薄膜基材產生一或多數複製模板。在一實施例中，可提供一形成在例如矽中之平坦母模板且將該母模板固定在卡盤330上並且用以在一步驟中且以重覆之方式沿一撓性薄膜基材之寬度及長度將多數區域圖案化。即，在各壓印後，該撓性薄膜基材可重新定位且含有該模板之平台320可以y方向前進並且該壓印 程序重覆以壓印與前一圖案相鄰之另一圖案。一旦以這方式將該撓性基材之全寬圖案化，該撓性基材即可前進且壓印下一系列之圖案。或者，可壓印在x方向之相鄰圖案，接著將在y方向之模板移動至下一位置，然後在x方向上重覆壓印。依此方式，可在該撓性基材上產生多數重覆圖案之一大區域模板。
連續地或分別地，該撓性模板可接著被用來圖案化大尺寸之平坦基材，例如供顯示面板使用之玻璃基材。移動平台360可配備有各種夾持系統以配合所欲基材尺寸。
雖然已對於壓印平坦、玻璃型基材說明了上述方法及系統，但是所述及所示之撓性薄膜型模板亦可用以壓印在一類似撓性薄膜基材上。此外，雖然已對於壓印供後續壓印平坦、玻璃型基材使用之撓性薄膜模板說明了上述方法及系統，但是該等方法及系統可用以產生一最後圖案化撓性薄膜產品，例如一含有光柵之撓性薄膜。
由於這說明，所屬技術領域中具有通常知識者將可了解各種特性之其他修改例及其他實施例。因此，這說明應被解釋為只是用以說明。應了解的是在此所示及所述之形態應被視為實施之例子。在所示及所述之元件及材料可替換，部件及程序可互換，且某些特徵可獨立地使用，且在利用這說明後所屬技術領域中具有通常知識者將了解全部上述情形。在不偏離以下申請專利範圍中所述之精神與範疇的情形下可改變在此所述之元件。
10‧‧‧壓印系統
12‧‧‧基材；薄膜片
14a,14b‧‧‧滾子
16,17,19‧‧‧通路
18‧‧‧模板
22‧‧‧圖案化表面
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可成形材料；壓印材料
38‧‧‧能源
40‧‧‧能量
42‧‧‧路徑
46‧‧‧圖案層
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
A1,A2‧‧‧軸
d‧‧‧應變
L1,L2‧‧‧長度

Claims (21)

  1. 一種壓印微影系統，用以壓印定位在一撓性薄膜基材與一平坦基材之間之可聚合材料，該系統包含：(a)第一與第二分開捲繞滾子，係組配成固定該撓性薄膜基材之相對端且維持該撓性薄膜基材之一部份捲繞在該等滾子中之一滾子或另一滾子上；(b)一或多數滾子驅動總成，係與該等第一與第二捲繞滾子耦合，該等驅動總成係組配成施加旋轉力至該等第一與第二捲繞滾子使得該撓性薄膜基材可在一所欲張力下在該等第一與第二捲繞滾子之間以一第一方向及一第二相反方向移動；(c)第一與第二分開壓印/分離滾子，係設置成靠近第一與第二捲繞滾子，該等第一與第二分開壓印/分離滾子具有平行旋轉軸且更組配成當一撓性薄膜基材在該等第一與第二分開壓印/分離滾子之間移動時接合且支持該撓性薄膜基材之背側表面；(d)移動致動器，係與該等第一與第二壓印/分離滾子之各端耦合，各移動致動器係組配成提供獨立移動使得被支持在該等第一與第二壓印/分離滾子之間的該撓性薄膜基材之部份可進行Z、Y-傾斜、X-傾斜及歪斜移動；(e)一移動平台，具有一組配成固定該平坦基材之第一卡盤，該移動平台更組配成當該撓性薄膜基材在該等 第一與第二壓印/分離滾子之間移動時，將該平坦基材移動成與該撓性薄膜基材重疊；(f)一流體分配系統，係定位成靠近該等壓印/分離滾子及該移動平台，該流體分配系統係組配成將可聚合材料分配在該平坦基材上；及(g)一能源，係定位在該等壓印/分離滾子之間且鄰近該撓性薄膜基材之背側面，該能源係組配成提供硬化能量以固化定位在該撓性薄膜基材與該平坦基材之間的可聚合材料。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該流體分配系統係更組配成分配該可聚合材料為多數液滴。
  3. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該流體分配系統係組配成分配該可聚合材料為一薄膜。
  4. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含定位成分別鄰近該等第一與第二捲繞滾子之第一與第二保護薄膜滾子，且各保護薄膜滾子係組配成當該撓性薄膜基材捲繞在該捲繞滾子上時覆蓋一保護薄膜在該撓性薄膜基材之前表面上及當該撓性薄膜基材由該捲繞滾子解捲時由該撓性薄膜基材之前表面收回該保護薄膜。
  5. 如申請專利範圍第4項之系統，更包含定位成分別靠近該等第一與第二保護薄膜滾子之第一與第二靜電放電裝置，且各靜電放電裝置更組配成當該保護薄膜覆蓋在該撓性薄膜基材之前表面上或由該撓性薄膜基材之前表面收回時由該撓性薄膜基材之前表面移除靜電電荷。
  6. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該移動平台更組配成使該平坦基材平行於(X方向)及垂直於(Y方向)該撓性薄膜移動之方向移動。
  7. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含一第二卡盤，且該第二卡盤係組配成固定一第二平坦基材。
  8. 一種圖案化一撓性薄膜基材之方法，該方法包含以下步驟：(a)提供一壓印微影模板，且該壓印微影模板上具有一圖案化表面；(b)在該模板之圖案化表面上沈積一可聚合材料；(c)將該模板定位成靠近一撓性薄膜基材；(d)以由一第一位置至一第二位置之一第一方向同時移動該撓性薄膜基材及該模板，藉此使該撓性薄膜基材與該模板接觸使得該可聚合材料填充一界定在該模板與該基材之間之容積；(d)硬化該可聚合材料以在該撓性薄膜基材上形成一圖案層；及(e)分離該模板及在該撓性薄膜基材上形成之圖案層。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該撓性薄膜基材係在該撓性薄膜基材由該第一位置移動至該第二位置時藉第一與第二分開壓印/分離滾子支持。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該撓性薄膜基材之兩端係捲繞在第一與第二捲繞滾子上且其中該撓性薄 膜基材之移動係透過捲繞或解捲該等第一與第二捲繞滾子產生。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該分離步驟更包含以該第一方向繼續同時移動該撓性薄膜基材及模板使得具有該形成之圖案層的該撓性薄膜基材由該模板剝離。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該分離步驟更包含以一與該第一方向相反之第二方向移動該撓性薄膜基材及模板使得具有該形成之圖案層的該撓性薄膜基材由該模板剝離。
  13. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該撓性薄膜基材之寬度係比該模板之寬度大且在該分離步驟後更包含使該模板相對於該第一方向垂直地移動一等於該模板之寬度之距離及重覆步驟(b)至(e)以在該撓性薄膜基材上形成鄰近該初始形成之圖案層之另一圖案層的步驟。
  14. 如申請專利範圍第8項之方法，更包含在使該撓性薄膜基材與該壓印模板接觸之前，由該撓性薄膜基材移除靜電電荷。
  15. 如申請專利範圍第8項之方法，更包含在分離該第一底部側表面與該模板後在該形成之圖案層上覆蓋一保護薄膜。
  16. 一種圖案化一平坦基材之方法，該方法包含以下步驟：(a)提供一撓性壓印微影模板，且該撓性壓印微影模板上具有一圖案化表面； (b)提供一平坦基材；(b)在該基材上沈積一可聚合材料；(c)將該基材定位成靠近一撓性模板；(d)以由一第一位置至一第二位置之一第一方向同時移動該撓性模板及該平坦基材，藉此使該撓性模板與該平坦基材接觸使得該可聚合材料填充一界定在該撓性模板與該平坦基材之間之容積；(d)硬化該可聚合材料以在該平坦基材上形成一圖案層；及(e)分離該撓性模板及在該平坦基材上形成之圖案層。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該撓性模板係在該撓性模板由該第一位置移動至該第二位置時藉第一與第二分開壓印/分離滾子支持。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該撓性模板之兩端係捲繞在第一與第二捲繞滾子上且其中該撓性模板之移動係透過捲繞或解捲該等第一與第二捲繞滾子產生。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該分離步驟更包含以該第一方向繼續同時移動該撓性模板及平坦模板使得該撓性模板由在該平坦基材上形成之圖案層剝離。
  20. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該分離步驟更包含以一與該第一方向相反之第二方向移動該撓性模板及平坦基材使得該撓性模板由在該平坦基材上形成之圖案層剝離。
  21. 如申請專利範圍第18項之方法，更包含在使該撓性模板與該平坦基材接觸之前，由該撓性模板移除靜電電荷。
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