JP6130404B2 - 大面積インプリント・リソグラフィ - Google Patents
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 299
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 188
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 49
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 47
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 31
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 30
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 20
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 15
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 9
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000271 Kevlar® Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003937 drug carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004761 kevlar Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001053 micromoulding Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
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- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
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- B29C59/04—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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（関連出願に対する相互参照）
本出願は、アメリカ合衆国特許法第１１９条（ｅ）（１）の規定に従って、２０１２年２月２２日出願の米国仮特許出願第６１／６０１，６３２号に基づく優先権を主張するものであり、この出願は引用により本明細書に組み入れられる。
本出願は、アメリカ合衆国特許法第１１９条（ｅ）（１）の規定に従って、２０１２年２月２２日出願の米国仮特許出願第６１／６０１，６３２号に基づく優先権を主張するものであり、この出願は引用により本明細書に組み入れられる。
ナノファブリケーションは、およそ１００ナノメートル又はそれよりも小さい構造部（ｆｅａｔｕｒｅ）を有する非常に小さい構造体の製造を含む。ナノファブリケーションがかなり大きな影響を及ぼしてきた１つの適用は、集積回路の加工である。半導体加工産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させるとともに、より高い製造歩留りを追及し続けており、従って、ナノファブリケーションはますます重要になっている。ナノファブリケーションは、形成される構造体の最小構造部寸法の継続的な低減を可能にしながら、より優れたプロセス制御を提供する。ナノファブリケーションが採用されてきた他の開発分野として、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどが挙げられる。
今日使用されている例示的なナノファブリケーション技術は、一般に、インプリント・リソグラフィと呼ばれる。インプリント・リソグラフィは、例えば、ＣＭＯＳ論理回路、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリなどの集積デバイス、又は、ＭＲＡＭ、３Ｄ交点メモリ、Ｒｅ−ＲＡＭ、Ｆｅ−ＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭなどの他のメモリ・デバイスの層を製造することを含む様々な用途において有用である。インプリント・リソグラフィは、ハードディスクの薄膜ヘッドデバイス内の層を製造するのにも有用である。また、インプリント・リソグラフィは、ハードディスク・ドライブのためのパターン形成媒体、ディスプレイ用偏光子、光結晶構造体、光捕捉構造体及び光起電デバイス用フィルタなどの光学素子、バッテリ電極用ナノ構造体、強化された光及び光起電デバイス用量子ドット構造体、バイオ医療デバイス、センサの製造、並びに制御されたナノ粒子の製造にも使用することができる。制御されたナノ粒子は、幾つかある使用の中でも、結晶半導体材料を製造するために又はポリマー・ベースの薬物担体として使用することができる。例示的なインプリント・リソグラフィ工程は、例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３などの多数の刊行物に詳細に記載されており、これらの全てを引用により本明細書に組み入れる。
前述の米国特許出願公開及び米国特許の各々に開示されているインプリント・リソグラフィ技術は、（重合可能な）成形可能層内にレリーフ・パターンを形成すること、及びそのレリーフ・パターンに対応するパターンを下にある基板に転写することを含む。基板は、所望の位置決めを達成してパターン形成プロセスを容易にするために、移動ステージに結合することができる。このパターン形成プロセスは、基板から離間したテンプレートと、テンプレートと基板との間に与えられる成形可能液体を使用する。成形可能液体は固化され、成形可能液体に接触するテンプレートの表面の形状に適合するパターンを有する剛性層を形成する。固化後、テンプレートと基板が離間されるように、テンプレートが剛性層から分離される。次いで、基板及び固化層に、固化層内のパターンに対応するレリーフ像を基板内に転写するための付加的な工程が施される
本発明は、例えば、電話、タブレット、モニター、テレビ等に組み込まれる平面パネルディスプレイに使用されるガラス又はプラスチック基板などの大面積平面基板を含む、可撓性フィルム基板及び／又は平面基板をパターン形成するためのインプリント・リソグラフィ・システム及び方法を提供する。種々の態様において、２つの基板が同時に平行移動する際に、可撓性フィルム基板と平面基板との間に配置された重合性材料をインプリントするためのインプリント・リソグラフィ・システム及び方法が提供される。こうしたシステム及び方法は、平坦なプレート状のインプリント・テンプレートを用いて可撓性フィルム基板をパターン形成する（例えば、プレート・ツー・ロール・インプリント）際にも、可撓性テンプレートを用いて大面積平面基板をパターン形成する（例えば、ロール・ツー・プレート・インプリント）際にも有用である。いずれの状況においても、結果として得られるパターン形成基板は、最終製品を形成すること若しくは最終製品に組み込むこと、又はさらに別のパターン形成のためにそれ自体をインプリント・テンプレートとして利用することができる。一態様において、本システムは、可撓性フィルム基板の両端部を固定するように構成された第１及び第２の離間した巻取りローラを含み、当該ローラは、また可撓性フィルム基板の一部分をローラの一方又は他方の周りに巻き付けた状態に保持するように構成される。１つ又はそれ以上のローラ駆動アセンブリが第１及び第２の巻取りローラに結合され、この駆動アセンブリは、回転力を第１及び第２の巻取りローラに与えて可撓性フィルム基板を所望の張力下で第１の方向及び第２の対向する方向に第１の巻取りローラ及び第２の巻取りローラの間を平行移動させることができるように構成される。また、第１及び第２のインプリント／分離ローラが設けられ、第１及び第２の巻取りローラに近接して配置されている。インプリント／分離ローラは、平行回転軸を有し、可撓性フィルム基板の裏面に係合し、これを支持するようにさらに構成され配置されている。可撓性フィルムが巻取りローラに巻き付けられる／巻き戻されると、可撓性フィルムは、２つのインプリント／分離ローラの間を平行移動する。第１及び第２のインプリント／分離ローラの各端部に結合された移動アクチュエータも設けられる。移動アクチュエータの各々は、第１及び第２のインプリント／分離ローラの間に支持される可撓性フィルム基板の当該部分にＺ、Ｙ傾斜、Ｘ傾斜及び斜行運動（ｓｋｅｗｉｎｇ ｍｏｔｉｏｎ）させることができるようインプリント／分離ローラの各端部に独立した動きをもたらすように構成されている。こうした移動は、例えば、重合性材料の拡散、充填及び硬化の際に２つの基板間のより良好な適合を可能にする。平面基板を固定するように構成された第１のチャックを有する移動ステージがさらに設けられる。この移動ステージは、可撓性フィルム基板が第１及び第２のインプリント／分離ローラの間を平行移動される際に可撓性フィルム基板と重ね合わせた状態に平面基板を平行移動させるようにさらに構成されている。特定の態様において、移動ステージは、平面基板をＸ方向及びＹ方向の両方に（即ち、Ｘ方向は可撓性フィルムが平行移動する方向に平行であり、Ｙ方向はその方向に直交するものである場合、インプリント／分離ローラ間に配置された可撓性基板の平面に平行な面において）平行移動させるように構成されている。こうした態様において、所望のパターンを有する小さい平面基板（即ち、平面テンプレート）を用いて、ステップ・アンド・リピート方式で大面積可撓性フィルム基板をパターン形成することができる。さらに別の態様において、例えば大面積基板などの第２の平面基板を固定することができる第２のチャック又は第２のチャックを含む移動ステージが設けられる。この基板は、パターン形成された可撓性フィルム基板（即ち、可撓性フィルム・テンプレート）を用いてパターン形成することができる。流体分配システムが提供され、移動ステージ（単数又は複数）に近接して配置される。流体分配システムは、重合性材料を平面基板上に分配するように構成されている。例えば、複数の液滴として又は材料の薄膜として、材料を分配することができる。エネルギー源（例えば、ＵＶ光源）が、インプリント／分離ローラの間に可撓性フィルム基板の裏面に隣接して配置される。エネルギー源は硬化エネルギーを与え、２つの基板がインプリント／分離ローラ間を移動する際に、可撓性フィルム基板と平面基板との間に配置された重合性材料を固化させる。
さらに別の態様において、システム及び関連した方法も、第１及び第２の巻取りローラそれぞれに隣接して配置された第１及び第２の保護フィルム・ローラを含む。保護フィルム・ローラの各々は、可撓性フィルム基板を保護するための保護フィルムを保持するように構成されている。保護フィルム・ローラは、可撓性フィルム基板が巻取りローラに巻き付けられ際に可撓性フィルム基板の前面（活性側）上に保護フィルムを重ね合わせるように動作し、同様に、可撓性フィルム基板が巻取りローラから巻き戻される際に、可撓性フィルム基板の前面から保護フィルムを引き離すように動作する。さらに別の態様において、静電放電デバイス（例）が第１及び第２の保護フィルム・ローラに近接して配置される。これらの静電放電デバイスは、保護フィルムが可撓性フィルム基板の前面に重ね合わせられたとき又はそこから引き離されたとき、可撓性フィルム基板の前面から静電荷を除去するようにさらに構成され、これは基板を粒子汚染から保護するのに役立つ。
本発明のさらに別の態様において、可撓性フィルム基板及び／又は平面基板をパターン形成するインプリント・リソグラフィ法が提供される。１つのこうした態様において、可撓性フィルム基板をパターン形成するために、パターン形成面を上に有する平面インプリント・リソグラフィ・テンプレート（例えば、ガラス、溶融シリカ、シリコン等から形成される）が提供される。重合性材料が、テンプレートのパターン形成面上に堆積され、このテンプレートは、可撓性フィルム基板に近接して配置される。次に、可撓性フィルム基板及びテンプレートを、同時に第１の位置から第２の位置まで第１の方向に平行移動させることによって接触させ、平行移動が行われる際に、重合性材料が、テンプレートと基板との間に定められる容積を充填する。次に、重合性材料を固化してテンプレートから分離し、可撓性フィルム基板上にパターン形成層を形成する。特定の態様において、可撓性フィルム基板が第１の位置から第２の位置まで平行移動させるとき、及び／又は可撓性フィルム基板を別個の巻取りローラに巻き付ける／巻き戻すことによって平行移動させるとき、可撓性フィルム基板を、第１及び第２の離間したインプリント／分離ローラにより支持することができる。他の態様において、テンプレートからの可撓性フィルム基板の分離は、可撓性フィルム基板及びテンプレートを、さらに別のインプリント／分離ローラを超えて第１の方向に同時に平行移動させ続け、形成されたパターン形成層を有する可撓性フィルム基板をテンプレートから剥離させ、又は代替的に方向を逆にして、可撓性フィルム基板及びテンプレートを、逆向きに第１のインプリント／分離ローラを再び超えて平行移動させて、形成されたパターン形成層をテンプレートから剥離することによって達成することができる。テンプレートの幅が可撓性フィルム基板の幅より小さい状況においては、この方向の逆転は、テンプレートのＹ方向の平行移動を行い、続いて第２のインプリント・ステップにより、以前に形成されたパターンに隣接してパターンを形成し、可撓性フィルム基板がステップ・アンド・リピート方式でパターン形成されるようにすることによって、さらに達成することができる。さらに別の態様において、可撓性フィルム基板とテンプレートが接触する際、前述のように、可撓性フィルム基板に、Ｚ、Ｙ傾斜、Ｘ傾斜及び斜行運動させて、可撓性フィルム基板をテンプレートの平面凹凸に適合させることができる。さらに別の態様において、可撓性フィルム基板をテンプレートから分離した後、形成されたパターン層の上に保護フィルムを重ね合わせ、及び／又は、最初に可撓性フィルム基板に保護フィルムを設け、この保護フィルムをパターン形成の前に除去する。さらに他の態様において、粒子汚染を最小化するか又は回避するために、テンプレートに接触する前及び／又は保護フィルムを可撓性フィルム基板の上に重ね合わせる前に、可撓性フィルム基板から静電荷が除去される。さらに別の態様において、前述された方法を用いて、可撓性フィルム・テンプレート（即ち、上に形成されたパターン形成面を有する可撓性フィルム基板）を用いて平面基板をパターン形成することができる。こうした態様において、平面インプリント・リソグラフィ用テンプレートは、平面基板（例えば、ガラス又はプラスチック・パネル）に置き換えられ、パターン形成されていない可撓性フィルム基板は、可撓性薄膜テンプレートに置き換えられる。
本発明をより詳細に理解できるように、添付図面に示される実施形態を参照して、本発明の実施形態の説明を提供する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示すものであり、従って、その範囲を限定するものとみなすべきではなく、本発明は、他の等しく効果的な実施形態を許容できることに留意されたい。
図面を参照すると、連続的又はウェブ形式の基板へのパターン形成が、多くの研究又は営利団体によって実証されている。例えば、光学素子のための微細成形は、最も広く利用される用途の１つである。最近、連続的又はウェブ形式の基板へのナノインプリントは、ミクロン及び／又はサブミクロン・サイズの微細構造部をテンプレートから基板に転写することが可能な用途と考えられている。例示的な技術が、その全体が引用により本明細書に組み入れられる特許文献４にさらに説明されている。
本明細書において、可撓性基板は、連続的ウェブ型式の薄いプラスチック基板、又は個別の円形、正方形、矩形若しくは類似形状の基板とすることができる。例としては、上に薄いコーティングを有する又は有しないＰＥＴ、ＰＥＮなどから作成された１０−１０００ミクロン厚の連続フィルムのポリマー・フィルムが挙げられる。コーティング材料は、金属、酸化物、誘電体等とすることができる。商業的に実現可能であるために、可撓性基板へのナノインプリントは、一般に、特定の仕様を満たす必要があり、従って、幾つかのインプリント工程は、可撓性基板のインプリントには実行可能でない場合がある。例えば、熱ナノインプリント工程（例えば、熱エンボス加工）は、通常、厚くコーティングされた（例えば、スピン・コーティング、ナイフエッジ・コーティング等）及び／又は堆積された材料を用いて、テンプレートから基板への構造部の転写を達成する。このプロセスは、一般に、微細構造部の転写、薄いインプリント層を提供する能力、パターン転写のために必要な残留層をもたらす能力、及び正確なパターンの重ね合わせを達成するために面内のフィルム変形を最小にする能力と関連してプロセスの制限に関する幾つかの問題があるので、フィルムのナノインプリントには適さない。より困難なプロセスの問題の１つには、微細構造部の変形及び／又は微細構造部の破損を伴わない微細構造部の転写（例えば、約１００ｎｍ以下）が含まれる。
本明細書では、可撓性基板への微細構造部の転写のためのインプリント・スキームを説明する。一般に、インプリント・スキームは、ドロップ・オン・デマンド型分配を用いるＵＶナノインプリントを含むことができる。一実施形態において、概ね平坦なテンプレートを使用することができる。このタイプのテンプレートは、ガラス材料、Ｓｉ、溶融シリカ等などで作成された円形又は正方形／矩形基板で作成することができる。このタイプのテンプレートで欠陥のない表面品質及び高精度の幾何学的仕様は、業界で確立された半導体基板製造プロセスを用いて達成することができる。インプリント工程中、テンプレートの平坦度を意図的に調節して所望の面外屈曲を形成し、インプリント速度及び／又は歩留りを改善することができる。典型的には、流体充填は小さい点接触で開始し、半径方向に広げること、又は線接触で開始し、可撓性基板の移動方向に広げることができる。テンプレートは、移動する可撓性基板と概ね同じ方向に沿って移動することができる。別の実施形態において、ベルト形状のテンプレートを使用することができる。この連続テンプレートは、マスター金型で複製される複数のパターン形成部分を含む。
図１を参照すると、図には、本発明による、可撓性基板１２上にレリーフ・パターンを形成するためにテンプレート１８を用いる例示的なインプリント・システム１０が示されている。基板１２の材料組成物は、これらに限定されるものではないが、ポリマー・フィルム、ガラス、シリコン、窒化シリコン、Ｋｅｖｌａｒ（商標）強化ポリマー・フィルム、アルミニウム、及び／又は他の類似の材料、及びこれらの材料の組合せを含むことができる。例えば、ポリマー・フィルム上のガラス堆積、又は、ポリマー・フィルム上に堆積されたＡｌ、Ａｇ等の金属を含むことができる。基板１２の厚さは、設計事項に基づくことができる。例えば、基板１２は、約１０μｍ−１０００μｍの厚さを有する可撓性シートとすることができる。一実施形態において、基板１２は、十分な多孔性を有することができる。多孔性の程度（例えば、通気孔サイズ）は、本明細書でさらに詳しく説明されるように、インプリント中にテンプレートと基板１２との間に捕捉される気体分子を概ね消散させることができるように最適化することができる。通気孔のサイズは、Ｈｅ、Ｎ2、Ｏ2又は他の気体は貫流できるが、流体又は湿気は基板内に入ることができないように最適化する必要がある。
基板１２は、１つ又はそれ以上のローラ１４に結合すること、又はローラ１４により支持することができる。例えば、図１に示すように、フィルム・シート１２は、ローラ１４ａ及び１４ｂにより支持される。第１のローラと最後のローラとの間に、設計事項に応じて任意の数のローラ１４を用いてもよいことに留意されたい。さらに説明するように、こうしたローラは、基板上のパターン形成層のインプリントを開始するのに役立つと同時に、基板が平行移動する方向に応じて、後のパターン形成層をテンプレートから分離するのにも役立つ。こうしたローラは、本明細書ではさらに「インプリント／分離ローラ」と呼ぶこともある。
ローラ１４は、基板１２の少なくとも一部分の移動を容易にすることができる。例えば、図１のローラ１４ａ及び１４ｂはそれぞれ、軸の周りで回転して、経路１６、１７、１９に沿ってローラ１４ａからローラ１４ｂへの方向への基板１２の移動を容易にすることができる。こうした移動は、インプリント流体の存在下で、テンプレート１８と可撓性基板との間の接触を開始させることができる。続いて、テンプレート及び可撓性基板の一致した平行移動の動きが、界面の流体充填部分を拡張させる。図２は、基板の初期流体充填部分がＵＶ照射によって架橋されるテンプレートと基板の界面を示す。固定領域へのパターン形成後、ローラ１４は、基板１２の移動を容易にして、基板１２の第１の部分をテンプレート１８からオフセットさせる。リソグラフィ・プロセス内で使用されるローラは、当技術分野では周知であるので、説明を簡単にするために、ローラ１４は詳細に（例えば、直径、材料組成）説明しない。
図１及び図２において、テンプレートは、平行移動するように示されている。代替的なスキームとして、テンプレートを静止させ、ローラ・ユニットが回転と同時に移動するようにしてもよい。
各ローラ１４は、軸Ａxを有する。例えば、図１のローラ１４ａ及び１４ｂは、それぞれ軸Ａ1及びＡ2を有する。ローラ１４の軸Ａxは、システム１０内で互いに概ね平行に配置し、互いから距離ｄのところに設置する。２つのローラの間の距離は、インプリント・フィールド（ｆｉｅｌｄ）の長さと同じにすることができ、又は代替的に、距離は、インプリント・フィールドよりかなり小さくすることができる。一般に、距離は、流体充填及びＵＶ照射の十分なプロセス継続時間が与えられるように決定される。ＵＶ照射に比べて流体充填により長い時間がかかる場合、流体充填のために、ローラ間隔のより多くの部分を割り当てる必要がある。ローラ１４ａ及び１４ｂは、テンプレート１８に対して概ね平行及び水平に配置する。代替的に、基板１２をテンプレート１８に対して傾斜して配置できるように、ローラ１４の軸Ａxを概ね平行に、しかし異なる高さに配置する。角度は、設計事項に基づいて決定する。
テンプレート１８は、パターン形成面を含む。一実施形態において、テンプレート１８は、当該テンプレート１８から基板１２に向かって延びるメサを含み、このメサは、その上にパターン形成面を有する。メサは、金型又はインプリント金型と呼ぶこともできる。代替的に、テンプレート１８は、メサなしに形成する場合もある。
パターン形成面は、複数の構造部（即ち、離間して配置された凹部及び／又は突起部）により定めることができるが、本発明の実施形態は、そうした構成に限定されるものではない。パターン形成面は、薄膜シート１２上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のオリジナルのパターンを定めることができる。パターンは、階段状又は自由形状などの３Ｄ構造部とすることができる。パターン形成面は、インプリント層が一様なインプリント残留層の厚みをもたらすように細かい粗さを有する必要がある。代替的に、パターン形成面は、実質的に平滑及び／又は平坦であってもよく、中程度から低程度のナノ・トポグラフィ粗さを有する。
テンプレート１８及び／又は金型は、これらに限定されるものではないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、硬化されたサファイア及び／又は同類のものを含む材料から形成することができる。一実施形態において、テンプレート１８の少なくとも一部分を多孔性材料から形成することができる。両方とも引用により本明細書に組み入れられる特許文献５及び特許文献６に記載される技術などを用いて、インプリント中にテンプレート１８と基板１２との間の気体分子を実質的に消散することができるように、多孔性の程度（例えば、通気孔サイズ）を最適化することができる。テンプレート１８は、別の材料の厚い基板上の１つの材料の薄膜とすることができる。薄膜の厚さは、１−１００ミクロンとすることができ、別の材料の厚い基板は、１００ミクロン乃至１０ｍｍとすることができる。実施形態の１つは、ポリマー支持材料の上の薄いＳｉＯ2層とすることができる。パターンは、薄いＳｉＯ2層上に形成される。ＰＥＣＶＤ堆積された酸化物多孔性層は、薄いＳｉＯ2層とすることができる。
テンプレート１８は、ガラス及び／又はガラス型材料で形成することができる。ガラスで形成されたテンプレート１８は、現在のインプリント・ツールを複製により用いて製造することができ、それによりテンプレート１８の製造コストを下げることができる。代替的に、テンプレートは、ｅ−ビーム・ツールから直接作成することができる。
図１及び図２を参照すると、テンプレート１８の長さＬ1、幅Ｗ、及び厚さｔ3は、設計事項に基づくことができる。テンプレートの幅は、図示されていない。典型的には、テンプレートの幅は、可撓性基板の幅より僅かに小さい。テンプレートの長さ対テンプレートの幅の比Ｌ1／Ｗは、０．１乃至５０とすることができる。幾つかの応用分野においては、比を１００まで大きくすることができる。テンプレートの厚さ及び材料は、界面における屈曲誘起歪みが可撓性基板のものと一致するように選択する。ここで、テンプレートの界面は、インプリント流体の存在下で可撓性基板が接触する表面である。一実施形態において、テンプレート１８は、約０．１−０．８ｍｍの間の厚さｔ3を有する。
テンプレート１８は、チャック（図示せず）に結合することができる。チャックは、これらに限定されるものではないが、真空型、ピン型、溝型、静電型、電磁型及び／又は他の類似のチャック型として構成することができる。例示的なチャックが、引用により本明細書に組み入れられる特許文献７にさらに記載されている。さらに、チャックをインプリント・ヘッドに結合して、チャック及び／又はインプリント・ヘッドを、テンプレート１８の移動を容易にするように構成することができる。テンプレート１８の装填及び取出しは、既存の半導体ローダを用いて自動化することができる。
図３は、２つのインプリント・モジュールが使用されるシステム構成を示す。この構成は、単一のインプリント・モジュールの場合と比べて高い処理能力を提供することができる。テンプレート１８ａ及び１８ｂは、それぞれインプリント・ヘッド３０ａ及び３０ｂに結合することができる。分配ユニット３２ａ、インプリント・ヘッド３０ａ、及びＵＶ硬化ユニット３８ａに対する一方の側の全ての制御シーケンスは、３２ｂ、３０ｂ及び３８ｂを有する他方の側と同一に実装する。しかしながら、両方のモジュールから均一なインプリントを生成するために、分配ユニット、ＵＶ硬化ユニット、及びその他の動作条件を調節する必要となる。
図１及び図２を参照すると、システム１０は、流体分配システム３２をさらに含む。この流体分配システム３２は、基板１２上に成形可能材料３４（例えば、重合性材料）を堆積させるために使用する。成形可能材料３４は、液滴供給（ｄｒｏｐ ｄｉｓｐｅｎｓｅ）、スピン・コーティング、浸漬コーティング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、フレキシブル堆積、厚膜堆積などの技術を用いて基板１２上に配置することができる。例えば、成形可能材料３４は、どちらも引用により本明細書に組み入れられる特許文献８及び特許文献９に記載される技術等を用いて基板１２上に配置することができる。
成形可能材料３４は、可撓性フィルム基板の上に、離間した複数の液滴として堆積させることができる。例えば、成形可能材料３４は、各液滴が約１−２００ピコリットルの単位容積を有する堆積された液滴とすることができる。成形可能材料３４の液滴を、滴下パターンに従って基板１２の上に堆積させることができる。液滴パターンは、設計事項に基づくものとするか、及び／又は、特許文献８に記載されるもののように特別な特性を提供するように定める。こうしたドロップ・オン・デマンド手法は、材料コスト、蒸発補償等を減らすことができる。
成形可能材料つまり重合性材料３４は、どちらも引用により本明細書に組み入れられる特許文献１０及び特許文献１１に記載のモノマー材料を含む。さらに、インプリント後の濡れ及び／又は接着を容易にするために、引用により本明細書に組み入れられる特許文献１２に記載の組成物で基板１２を処理することができる。
図１及び図２を参照すると、システム１０は、経路４２に沿ってエネルギー４０を導くように結合されたエネルギー源３８をさらに含むことができる。インプリント・ヘッド３０及び／又はローラ１４は、テンプレート１８と基板１２の一部分が、経路４２と重ね合わせて配置するように構成することができる。経路４２は、光硬化強度及び材料硬化感受性の関数として決定される長さＬ2を有する。典型的には、Ｌ2とテンプレートの長さとの比は、０．０１乃至０．５とする。システム１０は、ローラ１４、インプリント・ヘッド３０、流体分配システム３２、及び／又はエネルギー源３８と通信するプロセッサ５４により調整することができ、メモリ５６内に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作する。
図１及び図２を参照すると、インプリント・ヘッド３０は、テンプレート１８と基板１２との間の距離を変化させて、これらの間に成形可能材料又は重合性材料３４で充填される所望の容積を定める。例えば、インプリント・ヘッド３０がテンプレート１８に力を加え、テンプレート１８のパターン形成面２２が成形可能材料３４に接触させることができる。成形可能材料３４で所望の容積を充填した後、エネルギー源３８は、例えば、紫外線放射のようなエネルギー４０を生成し、成形可能材料３４を固化及び／又は架橋させて、基板１２及びパターン形成面２２の形状に適合させ、パターン形成層４６を、可撓性フィルム基板１２の第１の部分１５上に定める。このパターン形成層４６は、残留層と、例えば突起部及び凹部などの複数の構造部とを含む。
図１及び図２を参照すると、テンプレート１８は、周期的に又は同時に、移動する基板１２と平行移動し、連続的なインプリント動作を行う。レジスト充填、ＵＶ硬化、及び基板１２からのテンプレート１８の分離は、テンプレート１８が可撓性基板１２と同じ速度で平行移動するときに行う。テンプレートと可撓性基板との間の移動制御は、機械的設定を用いて受動的に、又は交差接続されたコントローラによって能動的に制御する。テンプレート及び可撓性基板の移動を保持するための機械的設定は、連結ベースの機構、接点機構におけるローラ対ローラなどとすることができる。
テンプレート及び可撓性基板が、第１のローラ１４ａ上で流体内接触を開始すると、分配された流体液滴が、２つの表面によって形成された間隙を満たす。必要に応じて、テンプレートと可撓性基板の界面領域の前に、気体パージ・ノズルのアレイを配置する。ローラ１４ａの上を進む湾曲した可撓性基板は、テンプレートと線型接触を形成する。流体液滴の間のあらゆる気体は、テンプレートと基板の界面から排出されるか、又はテンプレート及び／又は可撓性基板の表面を通して消散されるので、流体液滴は併合される。図１において、気体排出方向は、左方向、即ちテンプレート−基板平行移動方向とは反対である。
インプリント・ヘッド３０は、テンプレート−基板がＵＶ硬化位置に達するまでの時間、テンプレート１８を成形可能材料３４と接触させる。ＵＶ硬化システムは、ＬＥＤベースのＵＶ源のアレイ、又は従来のＨｇ−Ｘｅ ＵＶ源等に取り付けられた線型ＵＶプローブとすることができる。ＵＶ源からテンプレート裏面までの距離は、数ｍｍ未満とする。ＵＶ均一性を高めるために、薄い拡散シート（図示せず）をＵＶ源とテンプレートとの間に配置することができる。ＵＶ硬化の作動距離が、５ｍｍなどの数ｍｍより短いとき、インプリント材料のＵＶ硬化を１秒、又は０．５秒、又は０．１秒以内に完了させるように、強度を十分に高く維持することができる。
図１及び図２を参照すると、テンプレート１８がローラ１４ｂの上を平行移動すると同時に基板１２がテンプレート１８から離れるように矢印１９の方向に曲がる際に、テンプレート１８と基板１２との間に分離が生じることがある。テンプレートの曲げ剛性が可撓性基板の曲げ剛性より著しく大きいとき、曲げの大部分は可撓性基板に発生する。従って、可撓性基板１２とテンプレート１８は、曲げに起因する異なる歪みを生成し、そのため、歪みが均衡しないとき、インプリントされた構造部がパターン変形及び／又は損傷を受けることがある。
歪みを減らすための従来技術の方法は、背圧／真空を制御することによって、テンプレート及び基板からの２つの歪みを均衡させることを含む。例示的な方法は、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる特許文献１３にさらに説明される。しかしながら、連続的な可撓性基板の場合は、回転するローラ上で分離が発生し得るので、背圧制御は実際的ではない場合がある。
図４を参照すると、基板１２の物質性がテンプレート１８の物質性よりもはるかに柔らかい場合、構造部５０及び５２に対する歪み（ｄ）の大部分が、基板１２の屈曲に起因することがある。典型的には、歪みの大きさは１ミクロン未満であるが、これでさえも微細構造部の損傷をもたらすことがある。分離中のテンプレート１８と基板１２との間の界面における歪み誤差を補償するために、分離される基板１２の一部分を意図的に短くする。
一実施形態において、基板１２の一部分は、拡散部分（即ち、基板上で拡散し固化する成形可能材料３４を有する基板１２の一部分）と分離部分（即ち、テンプレート１８が基板１２上の固化したパターン層から分離される基板１２の一部分）とに分類することができる。拡散部分は、図５において区画Ａと表記され、分離部分は、区画Ｂと表記される。分離部分Ｂと比べて、高い張力を拡散部分Ａに加えることができる。張力差の大きさは、基板の物質性及び／又はローラ１４ｂ及び１４ｃの半径の関数とする。
一例において、拡散部分Ａにおける張力の大きさは、分離部分Ｂにおける張力と比べて著しく大きい。しかしながら、拡散部分Ａの過剰な張力は、軸方向における基板１２の座屈を引き起こすことがある。従って、このような印加張力の大きさを制限してもよい。
別の例において、ローラ１４ｂ及び１４ｃはローラ１４ａと比べて大きい半径を含むことができ、この場合もローラ１４ａ及び１４ｂがインプリント及び分離機能を果たし、付加されたローラ１４ｃはさらに別の支持をもたらす。大きい半径は、相対歪みを減らすことができ、これが、基板１２内の高い張力と低い張力との間の差を減らすことができる。一実施形態において、図５に示すように、ローラ１４ａとローラ１４ｂとの間の距離を固定することができ、１４ａの半径をローラ１４ｂの半径より著しく小さくすることができる。例えば、ローラ１４ａとローラ１４ｂとの間の距離を約１００ｍｍ、ローラ１４ａの半径を約２０ｍｍ、並びに、ローラ１４ｂ及び／又は１４ｃの半径を約４０ｍｍとすることができる。
さらに、ローラ１４をより柔らかい材料（例えば、２００ミクロン厚のＰＥＴ）で形成することができる。基板１２をより柔らかい材料で支持することにより、減少した張力が歪みをより効果的に補償することができる。ローラ１４の材料剛性を材料１２のものより数倍柔らかくすることができる。例えば、ローラ１４は、シリコン、ゴムなどで形成された支持材料を備えさせることができる。また、ローラの厚さ（例えば、１ｍｍ）は、基板１２の厚さ（例えば、２００ミクロン）より著しく大きくすることができる。
さらに、センサを用いて、テンプレート１８と基板１２との間の初期位置合わせ及び／又はテンプレート１８と基板１２の分離中の位置合わせを監視することができる。分離中の位置合わせを監視することにより、基板１２の分離部分の張力を調整することができる。例えば、歪み整合エラーが、パターン形成層４６が引き伸ばされていることを示す場合、基板１２の分離部分の張力を低下させることができる。
歪み整合は、パターン形成層４６及び／又は基板１２及び／又はテンプレート１８の位置合わせマークを監視することによってもたらす。例えば、一実施形態において、ローラ１４ａの軸Ａ1に沿って第１の組のセンサを配置することができ、ローラ１４ｂ（即ち、分離ローラ）の軸Ａ2から僅かにオフセットして第２の組のセンサを配置することができる。
種々の位置合わせエラー測定方法及びシステムをシステム１０と共に使用することができる。基板１２が位置合わせマークにより予備パターン形成される場合、マークをテンプレート１８の位置合わせマークと重ね合わせることによって、位置合わせエラー信号を収集することができる。測定のために、ボックス・イン・ボックス又はモアレ・パターンのような光学イメージング法を適合させることができる。
基板１２が位置合わせマークにより予備パターン形成されていない場合、それでもなお、基板１２の分離部分における歪み補償状態を測定することができる。例えば、基板１２が曲ると、パターン形成層の構造部５０及び５２がオリジナルの位置から離れるように移動することがあり、その結果、テンプレート１８及びパターン形成層４６のパターンが、歪み整合の場合と比べて、異なる光信号を生成し得る。これは、顕微鏡イメージング、レーザ／ＬＥＤ検出などを用いて検出することができる。
図６−図８は、本発明による連続的テンプレート８０（即ち、ベルト型テンプレート）を用いるリソグラフィ・システム１００ａ−１００ｃの例示的な実施形態を示す。連続的テンプレート８０は、フィルム型基板１２（図６に示される）又は大平面基板１２ａ（図７に示される）上にインプリントするために使用することができる。
連続的テンプレート８０は、パターン形成領域８２を含む。パターン形成領域８２は、構造部（即ち、突起部８４及び凹部８６）を含む。パターン形成層４６の突起部５０及び凹部５２は、前述と同じ方法で形成することができる。一実施形態において、テンプレート８０は、インプリント中に成形可能材料３４を含むように構成された階段状境界（例えば、メサ）を含むことができる。
テンプレート８０は、ローラ９０ａ及び９０ｂに結合することができる。ローラ９０ａ及び９０ｂは、軸Ａｘの周りを、時計回り及び／又は反時計回りに移動可能である。例えば、ローラ９０ａは軸Ａ4の周りを移動可能であり、ローラ９０ｂは軸Ａ5の周りを移動可能である。さらに、ローラ９０ａ及び９０ｂは、ｘ軸及びｙ軸の周りを移動可能である。
種々の方法を用いてテンプレート８０を形成することができる。一実施形態において、テンプレート８０のパターン形成領域８２は、マスター金型８８からの複製によって形成することができる。テンプレート８０の長さが、マスター金型の有効領域の長さより何倍も長い場合、マスター金型８８を用いたインプリントを繰り返すことによって、パターン形成領域８２の構造部８４及び８６を生成することができる。例えば、パターン形成領域８２の構造部は、図１及び図２に関して詳述された方法に類似したインプリント・スキームを用いて生成することができる。マスター金型がテンプレート８０の長さのインプリント領域全体を含む場合、テンプレートの複製は、テンプレート８０を回転させながらマスター金型を平行移動することによって行うことができ、その結果、パターン全体を縫い目のない単一のフィールドとしてレプリカ・テンプレートに転写することができる。
歪み整合状態は、テンプレート８０の流体拡散部分が高張力下にあり、テンプレート８０の分離部分が低張力下にあることができる図４及び図５に関して詳述されたのと類似の張力制御スキームを用いることによってもたらすことができる。
図８を参照すると、別の実施形態において、テンプレート８０は、支持チャック９４を用いて形成している。支持チャック９４は、パターン形成領域８２の形成中に、テンプレート８０のインプリント部分を保持するのに助けることができる。例示的な支持チャック及び使用方法は、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる特許文献４にさらに説明されている。さらに別の実施形態において、テンプレート８０は、別個のツールによって形成することができ、又は、基板１２がインプリントされるのと同じツール内で製作することができる。
マスター・テンプレートが、インプリント基板のものに類似した大きいサイズのフォーマットで作成されるとき、レプリカ・テンプレート８０ａは、大きいマスター・テンプレート８８ａから作成することができ、その際、固化したインプリント層が、図９に示すようにレプリカ側に取り付けられる。インプリント材料の流体分配は、示されるようにマスター・テンプレート８８ａ上、又はレプリカ・フィルム表面（図示せず）上で行うことができる。レプリカ・テンプレート８０ａは、複製インプリント後に、例えば、表面処理、金属堆積、クリーニング等の後処理を行うことができる。次に、レプリカ・テンプレート８０ａを用いて基板をインプリントすることができる。例えば、図１０に示すように、マスター・テンプレート８８ａの代わりに、可撓性基板を同じステージ又はプラットフォームの上に取り付けることができ、その場合、インプリント材料３４の流体分配は、図示されているように基板上、又はレプリカ・テンプレート８０ａ自体（図示せず）上で行うことができ、インプリントは、本明細書において前述のように行うことができる。このように、テンプレート複製及びインプリントを同じツール・プラットフォーム上で行うことができる。
テンプレート８０のパターン形成領域８２を形成し、エッチング工程を用いないリソグラフィ・システム１００ａ−１００ｃ内で使用するように配置することができる。代替的に、パターン形成領域８２は、例えば、当業界において周知であり、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる特許文献１４に記載されるようなエッチング技術などの、エッチング（例えば、ＶＵＶエッチング）、気相処理、化学気相堆積などを含むがこれらに限定されない処理を用いて、さらに処理することができる。
テンプレート８０の製造中、クリーニング及び／又は除去装置を設けることができる。例えば、テンプレート８０が損傷され、及び／又は、パターン形成領域８２が適切に形成若しくは処理されなかった場合、インライン・クリーニング工程を用いてシステムの休止時間を最小にすることができる。さらに、テンプレート８０の付加的な搭載／取り外し工程が不要になるので、ツール環境全体を実質的に清浄に維持することができる。
図６を参照すると、一般に、基板１２は連続的インプリントを含むことができる。これをもたらすために、一実施形態において、テンプレート８０は、パターン形成領域８２内に開き空間を有しないように形成することができる。ローラ９０ａ及び９０ｂもまた、時計回り及び／又は反時計回りに移動可能である。そのような移動は、フィールド間に間隙を有する又は有しないテンプレート８０の完全にパターン形成されたパターン形成領域８２を生成することができ、空き空間を有しないテンプレート８０の代わりとするころ又はそれに加えることができる。
テンプレート８０の円周長（即ち、ベルトの長さ）は、基板１２上にインプリントされるフィールドの長さに対応するように均衡させることができる。例えば、円周長は、インプリントの数にフィールド・サイズを乗算した数に概ね合致する。円周長を、概ね正確に所望の長さにすることは困難である。従って、マスター・テンプレート８８のテンプレート８０への複製前の円周長の調節は、均衡の助けとなる。さらに、テンプレート８０の表面を、位置合わせマークを含むように処理することができる。これらの位置合わせマークは、１００ｎｍを上回るか又は下回る構造部を有することができる。例えば、位置合わせマークは、ミクロンサイズの線及び／又は他のパターンで作成することができる。
ひとたびテンプレート８０がローラ９０ａ及び９０ｂに取り付けられると、その長さをマスター金型８８のフィールド・サイズに対して測定することができる。例えば、フィールド・サイズの長さが１００ｍｍである場合、そして５つのインプリントがテンプレート８０上の等間隔に離間したパターンの群を形成する場合、ｅがエラー・バジェットである場合、テンプレート８０の長さを約５００ｍｍ＋／-ｅに調節することができる。負荷／張力がない状態のテンプレート８０の長さも、所望の長さに適度に合致させることができる。テンプレート８０の長さの最終調節は、テンプレート８０における張力を調節することによってもたらすことができる。例えば、ローラ９０ａとローラ９０ｂとの間の距離を調節してテンプレート８０内の張力を変えることができる。別の例においては、テンプレート８０のインプリント部分のみを調節することができる。
一実施形態において、テンプレート８０は、ベルトが１つの長い可撓性基板の部分から作成される場合に、縫い合わせられた領域を含む。表面粗さのために、縫い合わせ領域を流体３４及び／又は基板１２と接触しないようにすることができる。一実施形態において、縫い合わせ領域が、フィールド間の許容可能な間隔と考えられるものを超えることがある。従って、１つより多くのテンプレート８０を使用することができる。例えば、第１のテンプレート８０は第１の数のフィールド（例えば半分）を有することができ、第２のテンプレート８０は残りの数のフィールドを有することができる。
成形可能材料３４をテンプレート１８及び／又は基板１２に塗布することができる。一実施形態において、第１の材料をテンプレート１８に塗布することができ、第２の材料を基板１２に塗布することができる。第１の材料と第２の材料は同じでも異なっていてもよく、成形可能材料３４の主成分を形成する。
低粘度材料（例えば、成形可能材料３４）を含むドロップ・オン・デマンド分配を用いるナノインプリントは、非常に薄いインプリント層を有するインプリントをもたらすことができる。構造部８４及び８６は、通常、基部としての残留層と結合される。薄く一様な残留層は、エッチング・プロセス及び光学特性の両方にとって非常に望ましい。ドロップ・オン・デマンド分配は、流体の蒸発、パターン密度の変動、材料収縮などによる誤差を補償することができる。フィルム型基板１２上へのインプリントは、またドロップ・オン・デマンド分配を実施することによる利益も得ることができる。薄く一様な残留層を生成することにより、インライン・エッチングを同様に実施することができる。
テンプレート８０は、テンプレート１８と基板１２の間の間隙に成形可能材料が広がるように、基板１２に近接して配置することができる。付加的なローラ（図示せず）を用いて、成形可能材料３４が間隙に広がって満たすことができるように、基板−流体−テンプレート構成を維持することができる。付加的なローラは、ローラ９０ａ及び９０ｂに概ね類似していてもよい。一実施形態において、付加的なローラ９０の表面は、柔らかいプラスチック又はポリマー層で形成することができ、その結果、付加的なローラが、テンプレート−流体−基板の積層体に均一な適合圧力を生成する。
位置合わせ及び倍率補正をインラインで調節することができる。例えば、成形可能材料３４の拡散領域における位置合わせエラーを判断することができ、そうしたエラーは、テンプレート８０の張力制御を調節することによって補償することができる。一実施形態において、圧電アクチュエータを用いてローラ９０ａと９０ｂとの間の距離を変えて、張力制御を調節することができる。ローラ９０ａと９０ｂとの間の距離が変えられると、テンプレート８０の長さを変えることができ、これにより、テンプレート８０の方向（即ち、ベルト進行の方向）のフィールド拡大の変更が行われる。
成形可能材料３４の固化（例えば、ＵＶ硬化）のためのエネルギーは、テンプレート８０の方向及び／又は基板１２の方向から供給することができる。一実施形態において、基板１２を不透明材料でコーティングすることができる。その場合、成形可能材料３４の固化のためのエネルギーは、テンプレート８０の方向から供給することができる。
テンプレート８０と基板１２の分離中、テンプレート８０及び基板１２の両方を、互いから離れるように曲げることができる。テンプレート・ローラと基板ローラとの間でローラの直径が同一である場合、さらに、テンプレートの物質特性が可撓性基板のものと類似する場合、歪み誘起変形は、本明細書で説明される他のインプリント・スキームに比べて少なくなる。
さらに別に実施形態において、マスター・テンプレートからパターンを複製することによって、可撓性フィルム基板の上に１つ又はそれ以上のレプリカ・テンプレートを形成することができる。図１１を参照すると、可撓性フィルム・シート基板１８０は、いずれかの端部において巻取りローラ１９４及び１９６に固定され、インプリント／分離ローラ１９０及び１９２の下で送られ、これらにより支持される。ローラ１９４及び１９６の回転を同期させ、ローラ１９４及び１９６の回転方向に応じて、可撓性フィルム・シート基板１８０が、ローラ１９０と１９２との間で順方向又は逆方向に平行移動するようにすることができる。パターン構造部を含むマスター・テンプレート１８８は、可撓性フィルム・シート基板１８０と同じ方向に平行移動する。分配器１３２は、示されるように、重合性材料３４をマスター・テンプレート１８８の上に直接分配することができ、又は代替的に、重合性材料を可撓性フィルム・シート基板１８０自体（図示せず）の上に分配することができる。可撓性フィルム・シート基板１８０とマスター基板１８８が接触すると、前述のように、重合性材料３４を硬化させて、可撓性フィルム・シート基板１８０上に対応するパターン形成された構造部を生成してレプリカ・テンプレート１８２を形成することができる。マスター・テンプレート１８８からのレプリカ・テンプレート１８２の分離中、マスター側テンプレート１８０と比べて。強い付着力がフィルム側レプリカ・テンプレート１８２に存在する。フィルム・レプリカ・テンプレート１８２がローラ１９６の周りに巻き付けられる際、さらに説明するように、微細構造部のパターン形成面が可撓性フィルムの比較的堅い裏面に接触するのを防止するために、テンプレート表面上に保護膜の層を設けることができる。理解できるように、このテンプレート複製プロセスは、可撓性フィルム基板の全長を複数のレプリカ・テンプレートに変換するのに用いることができる。
図１２を参照すると、レプリカ・テンプレート１８２を有する可撓性フィルム・シート１８０ｂを用いて、インプリント・リソグラフィ法によりパターンを基板１１２の上に転写することができる。基板１１２は、例えば、平坦なガラス型基板とすることができる。インプリント工程の前に、複製されるテンプレート１８２の表面を随意的に処理して、剥離ステップを助長することができる。一例において、可撓性フィルム・シート１８０ｂ上に形成された各レプリカ・テンプレート１８２を用いて基板１１２上に１つのフィールドをインプリントし、次いで、次のレプリカ・テンプレート１８２を含む可撓性フィルム・シート１８０ｂの新しい部分をインプリント位置に進めることができ、これにより、基板１１２上の新しい位置に、又は代替的に基板１１２に取って代わる別の基板の上にプリントすることができる。ひとたび、可撓性フィルム・シート１８０ｂ上の最後のテンプレート１８２が使用されると、可撓性フィルム・シート１８０ｂ及びテンプレート１８２の大部分がローラ１９６の周りに巻き付けられ、インプリント方向を逆にすることができ、可撓性フィルム・シート１８０ｂの平行移動は、今やローラ１９２からローラ１９０に向かい（対応して基板の移動が反転する）、インプリントの別の全サイクルを繰り返す。代替的に、可撓性フィルム・シート１８０ｂをローラ１９４の上に巻き戻すことができ、インプリントの新しいサイクルを同じオリジナルの方向に進めることができる。さらに別の手法において、類似の方法で、同じテンプレート１８２を用いて、可撓性フィルム・シート１８０ｂ上に、複数の基板フィールドをパターン形成することができる。ひとたび所定数のフィールドが作成されると、使用済みテンプレート１８２を有する使用済み可撓性フィルム・シート１８０ｂが広げられ、新しいテンプレート１８２を有する新しい可撓性フィルム・シート１８０ｂがインプリント位置に装着される。
比較的大きいフィールドをパターン形成するとき、平面基板及び／又は可撓性フィルム基板における平面の凹凸が、局所的であっても又は２つの基板間の平面不整合（即ち、一方が他方に対して面外にある）によるものであっても、インプリント流体（重合性材料）の拡散及び充填の均一性に悪影響を及ぼすことがある。このことが次に、構造部の不均一性、及び／又は後に硬化されるパターン形成層内の欠陥をもたらすことがある。これを補償するために、移動アクチュエータをローラ１９０及び１９２の端部に結合して、各ローラ端部に独立した上下移動をもたらすことができる。図１１−図１２を参照すると、アクチュエータ２１２及び２１４がフレーム２０２に固定されており、それぞれローラ１９０及び１９２の端部に結合され、そのような動きをもたらす。類似のアクチュエータが、各ローラ１９０及び１９２の他の端部（図示せず）にも備えられている。この構成は、ローラ１９０と１９２との間で支持されるフィルム基板が、重要な流体拡散及び充填、並びに硬化ステップ中に２つの基板を互いにより良好に整合するように、４つの別個の自由度（Ｚ、Ｙ傾斜、Ｘ傾斜、及び斜行運動）で移動することを可能にする。コントローラ（図示せず）が各アクチュエータに独立した信号を与え、各々の移動又は力の方向及び大きさをトリガして基板の調整された整合性をもたらす。本発明で使用するのに適したアクチュエータは、音声コイル・アクチュエータなどの簡単な電気モータ、並びに、ローラ端部に上下（Ｚ軸）の平行移動を与えることができる他の適切な周知のアクチュエータ又はモータを含む。
インプリント・リソグラフィにおいて、形成されたテンプレートを可能な限り粒子汚染がない状態に維持することが、さらに重要である。テンプレート上の汚染粒子のトラップは、各インプリントにおいて平面基板表面上のインプリント・パターン内に欠陥を生じさせるとともに、テンプレート自体の形成された構造部の損傷を引き起す可能性もある。後者のシナリオは、欠陥の繰り返しをもたらすので、テンプレート全体の置換を必要とする。同様に、テンプレートの形成前でも、可撓性フィルム基板を同様に保護すべきことは有利である。図１１を参照すると、保護フィルム・シート２０８が、巻取りローラ１９４から延び、巻取りローラ１９４に隣接して配置された保護フィルム・ローラ２０４に固定された保護フィルム・シート２０８の一部分と共に巻取りローラ１９４の周りに巻き付けられた可撓性基板１８０の部分の上に重ね合わせられた状態で示されている。保護フィルム２０８は、可撓性フィルム基板１８０より柔らかく（即ち、弾性率がより低く）、これらに限定されるものではないが、アクリル、ＬＤＰＥ、ＰＥＴ、ＰＶＣ等のような柔らかいプラスチック・フィルムを含む材料で形成することができる。保護フィルム２０８は単層又は二重層とすることができ、裏打ちフィルム又は静電クリング・フィルム（ｃｌｉｎｇ ｆｉｌｍ）を有する低粘着性接着フィルムをさらに含むことができる。可撓性基板１８０がローラ１９４から巻き戻される際に、保護フィルム・ローラ２０４はローラ１９４とは反対方向に回転し、可撓性基板１８０から保護フィルム２０８を剥がすか又は引き離す。類似の構成が、巻取りローラ１９６に与えられ、保護フィルム・ローラ２０６が同様に巻取りローラ１９６に隣接して配置されている。ここで、形成されたテンプレート（又はフィールド）１８２を含む可撓性基板１８０が巻取りローラ１９６の周りに巻き付けられると、保護フィルム・シートが、形成されたテンプレート（又はフィールド）１８２に向かって繰り出され、この形成されたテンプレート（又はフィールド）１８２が巻取りローラ１９６の周りに巻き付けられる際にその上に重ね合わされる。粒子汚染からさらに保護するために、例えば電離化装置などの静電放電デバイス２２２及び２２４が、それぞれ保護フィルム・ローラ１９４及び１９６に隣接した可撓性基板１８０からの保護フィルム２０８の積層又は剥離の位置の近くに設けられている。デバイス２２２及び２２４は、局所雰囲気において静電荷を除去し、従って、そうしなければ荷電粒子を引き付け、粒子汚染を引き起し得る電荷の相互作用を減らす。
図１３及び図１４は、インプリント／分離ローラ及び巻取りローラを有する上述したローラ・システムのさらに別の実施形態を示す。システム２００は、固定された矩形支持フレーム２０２を含み、音声コイル・アクチュエータ２１２、２１３、２１４及び２１５が、フレームの各コーナー部に取り付けられて下向きに延びている。インプリント／分離ローラ１９０及び１９２は、それぞれ、音声コイル２１２、２１３及び２１４、２１５の移動可能アームの対向する端部の各々に回転可能に結合されている。音声コイル２１２−２１５は、制御システム（図示せず）に動作可能に結合され、この制御システムは、それぞれの音声コイルの移動の方向（上／下）及び大きさ（距離）を独立に制御することができ、それにより第１及び第２のインプリント／分離ローラ１９０及び１９２の各端部の独立した移動をもたらす。そうした独立した移動は、次に、前述のように、第１のインプリント／分離ローラと第２のインプリント／分離ローラとの間に支持される可撓性フィルム基板の一部分に、Ｚ、Ｙ傾斜、Ｘ傾斜及び斜行運動させることを可能にする。図示されているように、インプリント／分離ローラ１９０及び１９２は、受動回転するように構成されているが、代替的にそれらは、可撓性フィルム基板の前進を助けるように能動回転するように構成することもできる。ＵＶ光源２３８は、支持フレーム２０２に隣接して配置されている（及び、これに固定することができる）。図示されているように、ＵＶ光源は、インプリント／分離ローラの長さに概ね等しい長さを裏面に向かって延びる経路に沿ってＵＶエネルギーを供給するように構成されている。
巻取りローラ１９４及び１９６は、フレーム２０２の両側に配置され、音声コイル２１２−２１５及びインプリント／分離ローラ１９０、１９２アセンブリは、各ローラ１９４、１９６と共に、各ローラの両端部にある別個の可動フレーム・スタンド（図示せず）により同様に支持されており、その上で回転可能である。巻取りローラ１９４及び１９６はさらに、プーリー１９５及び１９７内のその遠位端で終端し、さらに説明するように、このプーリーの各々は、それぞれベルト２５４及び２６４と連結可能である。巻取りローラ１９４及び１９６に隣接するのは、それぞれ保護フィルム・ローラ２０４及び２０６であり、これらも同様に別個の可動フレーム・スタンド（図示せず）上に取り付けられている。各々の保護フィルム・ローラ２０４及び２０６はさらに、保護フィルムがローラの周りに巻き付けられる及び／又は巻き戻されるときにローラの作動半径の変化に適合するように、それぞれ巻取りローラ１９４及び１９６に向かうように、且つこれらから離れるようにピボット運動可能である。図示されているように、保護フィルム・ローラ２０４及び２０６は、その遠位端において、それぞれピボット・アーム２０５及び２０７の端部に結合され、ピボット・アーム２０５及び２０７の各々の対向する端部は、それぞれ駆動ロッド２０１及び２０３に結合され、これらの周りでピボット運動可能であり、プーリー２０８及び２０９で終端する。さらに説明するように、プーリー２０８及び２０９は、それぞれベルト２４４及び２７４と連結可能である。同様に、保護フィルム・ローラ２０４及び２０６の近位端を可動フレーム・スタンド（図示せず）に結合するために、ピボット・アーム（図示せず）が与えられ、その結果、保護フィルム・ローラ２０４及び２０６がそれぞれ巻取りローラ１９４及び１９６に向けて又はこれらから遠ざかるようにピボット運動するとき、保護フィルム・ローラ２０４及び２０６の軸は、隣接する巻取りローラ１９４及び１９６の軸と平行なままである。
巻取りローラ１９４及び１９６を駆動する（即ち、回転させる）ためのベルト駆動アセンブリは、それぞれベルト２５４及び２６４を駆動するモータ２５０及び２６０を含む。図示されているように、ベルト２５４は、モータ２５０によって駆動されるプーリー２５２と、フレーム２５８に固定されるプーリー２５６とに動作可能に接続されている。フレーム２５８は、柱２５９に平行移動可能に結合されている。つまり、フレーム２５８は、柱２５９に対して垂直（ｚ）方向に上下に平行移動することができる。同様に、ベルト２６４は、モータ２６０によって駆動されるプーリー２６２と、フレーム２６８に固定されるプーリー２６６とに動作可能に連結され、フレーム２６８は柱２６９に平行移動可能に結合され、それにより、フレーム２６８もまた、柱２５９に対して垂直（ｚ）方向に上下に平行移動することができる。柱２５９及び２６９自体は、静止支持部（図示せず）に固定されたプレート取付け具２８４及び２８６にしっかりと固定されている。前述のように、巻取りローラ１９４及び１９６の遠位端におけるプーリー１９５及び１９７が、駆動ベルト２５４及び２６４に係合して、作動中、モータ２５０及び２６０が、ベルト２５４及び２６４を介して、巻取り方向、力、並びに、巻取りローラ１９４及び１９６に加えられる張力を制御する。さらに、柱２５９及び２６９の上方移動により、巻取りローラ１９４及び１９６を駆動ベルト２５４及び２６４から分離することができる。そうした移動がプーリー２５６及び２６６の対応する上方移動をもたらし、これによりベルト２５４及び２６４がプーリー１９５及び１９７から分離される。このように、巻取りローラ・アセンブリを容易に取り外し、交換することができる。
類似のベルト駆動アセンブリが、保護フィルム・ローラ２０４及び２０６の張力を維持するために提供される。モータ２４０及び２８０が、それぞれベルト２４４及び２７４を駆動する。ベルト２４４は、モータ２４０によって駆動されるプーリー２４２と、フレーム２４８に固定されるプーリー２４６とに動作可能に連結されている。フレーム２４８は、水平（ｘ）方向に移動できるように、プレート取付け具２８２に平行移動可能に結合されている。ベルト２７４は、モータ２７０によって駆動されるプーリー２７２と、フレーム２７８に固定されるプーリー２７６とに動作可能に連結されている。フレーム２７８は、同じく水平（ｘ）方向に相対的に移動できるように、プレート取付け具２８８に同様に平行移動可能に結合されている。プレート２８２及び２８８は、静止支持部（図示せず）に固定されている。前述のように、プーリー２０８及び２０９は、それ自体がピボット・アーム２０５及び２０７を介して保護フィルム・ローラ２０４及び２０６に結合され、それぞれ駆動ベルト２４４及び２７４と接続可能である。作動中、モータ２４０及び２７０がベルト２４４及び２７４を駆動し、ピボット・アーム２０５及び２０７を通じて、ピボット運動、並びに保護フィルム・ローラ２０４及び２０６に加えられる張力を制御する。これが、各保護フィルム・ローラと関連した巻取りローラとの間の距離を制御すると共に、保護フィルム自体に加えられる張力を制御する。さらに、上述の巻取りローラ・アセンブリと同様に、ローラ２０４及び２０６から遠ざかるフレーム２４８及び２７８の水平移動により、保護フィルム・ローラ２０４及び２０６を駆動ベルト２４４及び２７４から同様に分離することができる。つまり、そうした移動により、プーリー２４６及び２７６がプーリー２０８及び２０９から離れるように動き、ベルト２４４及び２７４がプーリー２０８及び２０９から分離される。このように、巻取りローラ・アセンブリの取り外し及び交換と同時に又はそれとは別個に、保護フィルム・ローラ・アセンブリを同様に容易に取り外し、交換することができる。
次に図１５を参照すると、ローラ・システム２００を、さらに、可撓性フィルム・テンプレートを生成することも、及び／又は、そうした可撓性フィルム・テンプレートを使用する大面積基板を含む平面基板をインプリントすることもできるシステム３００に組み込むことができる。システム３００はステージ３０６を含み、ローラ・システム２００は、ステージ３０６に関連する固定位置に設けられている。ステージ３０６は、移動ステージ３１０及び３６０のｘ方向への平行移動に対応する軌道３０２及び３０４をさらに含むので、いずれかの移動ステージ３１０又は３６０に固定された基板を、前述の方法でローラ・システム２００に固定された可撓性フィルム基板（又はテンプレート）と共に平行移動させることができる。移動ステージ３１０にはさらに、移動ステージ３２０のリップ部３１２に沿ってｙ方向に平行移動可能な小さいステージ３２０が設けられている。ステージ３２０には、さらにチャック３３０が設けられている。チャック３３０は、例えば、当業界では通例のシリコン・ウェハ又は類似のサイズの他の平面基板を固定するように適合することができる。対照的に、移動ステージ３６０は、ガラス・パネル・ディスプレイを作製するのに有用なガラス基板などの大面積平面基板に対応するチャック・システムを有するように構成することができる。そうした基板は、システム２００のインプリント／分離及び／又は巻取りローラの長さまでの幅を有することができる。支持部３５０は、移動ステージ３１０又は３６０が分配システム３５２の下を通るとき、移動ステージ３１０又は３６０のいずれかの上に配置された基板の上に所望のパターンで重合性材料を供給することができる流体分配システム３５２を含む。特定の構成において、分配システム３５２は、ｙ方向にも移動できるように構成されている。分配システム３５２は、前述のように、重合性材料の液滴を分配するように構成することができる。代替的に、分配システムは、例えば、スロット・ダイ・コーティング・デバイスを用いて重合性材料を薄膜状に堆積させるように構成することができる。こうした後者の手法においては、薄い残留層を達成するため、かつ、コーティング後に溶媒を除去するために乾燥及び／又は加熱を行うことができるように、低粘度レジスト又は溶媒含有量が高いレジストが好ましい。
種々の実施形態において、システム３００を用いて、前述のようにローラ・システム２００上に設けられた可撓性フィルム基板をパターン形成することによって、１つ又はそれ以上のレプリカ・テンプレートを作成することができる。１つのそうした実施形態において、例えば、シリコン内に形成された平坦なマスター・テンプレートを準備し、チャック３３０に固定し、可撓性フィルム基板の幅及び長さの両方に沿って複数のフィールドを、ステップ・アンド・リピート方式でパターン形成するのに使用することができる。つまり、各インプリントの後に、可撓性フィルム基板を再配置し、テンプレートを含むステージ３２０をｙ方向に進め、前のパターンに隣接する付加的なパターンをインプリントするようにインプリント工程を繰り返すことができる。ひとたび可撓性基板の幅全体がこのようにパターン形成されると、可撓性基板を前進させ、次の一連のパターンをインプリントすることができる。代替的に，ｘ方向に隣接するパターンをインプリントした後に、テンプレートをｙ方向に次の位置まで平行移動させ、次いでｘ方向へのインプリントを繰り返すことができる。そのようにして、繰り返しパターンの大面積テンプレートを可撓性基板上に生成することができる。
その後に又は別個に、そうした可撓性テンプレートを用いて、例えば、ディスプレイ・パネルで使用するガラス基板を含む大寸法の平面基板をパターン形成することができる。移動ステージ３００には、所望の基板サイズに対応する種々のチャック・システムを装備する。
上記の方法及びシステムは、平坦なガラス型基板のインプリントに関して説明したが、説明され、図示されているような可撓性フィルム型テンプレートを用いて類似の可撓性フィルム基板上に同様にインプリントすることができる。さらに、上記の方法及びシステムは、その後の平坦なガラス型基板のインプリントで使用する可撓性フィルム・テンプレートのインプリントに関して説明したが、これらの方法及びシステムは、格子を含む可撓性フィルムなどの最終的なパターン形成可撓性フィルム製品を生成するために用いることもできる。
本説明を考慮すれば、当業者には、種々の態様のさらに別の修正及び代替的な実施形態が明らかになるであろう。従って、本説明は、例証にすぎないものと解釈されるべきである。本明細書で示され説明される形態は、実施形態の例として受け取るべきであることを理解されたい。本明細書で示され説明されるものに対して要素及び材料を置き換えること、部分及びプロセスを逆にすること、特定の特徴を独立に利用することが可能であり、これら全てのことは、本説明の利益を得た後に、当業者には明白となる。添付の特許請求の範囲において説明されるような趣旨及び範囲から逸脱することなく、本明細書で説明される要素に変更を加えることができる。
１０：インプリント・システム
１２、１１２、１８０：基板
１２ａ：大平面基板
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、９０、９０ａ、９０ｂ：ローラ
１５：第１の部分
１６、１７、１９、４２：経路
１８、１８ａ、１８ｂ：テンプレート
２２：パターン形成面
３０、３０ａ、３０ｂ：インプリント・ヘッド
３２、３５２：流体分配システム
３２ａ、３２ｂ：分配ユニット
３４：成形可能材料
３８：エネルギー源
３８ａ、３８ｂ：ＵＶ硬化ユニット
４６：パターン形成層
５０、８４：構造部（突起部）
５２、８６：構造部（凹部）
５４：プロセッサ
５６：メモリ
８０：連続的テンプレート
８０ａ、１８８：レプリカ・テンプレート
８２：パターン形成領域
８８、８８ａ：マスター金型
９４：支持チャック
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ：リソグラフィ・システム
１８０ｂ：可撓性フィルム・シート
１８８：マスター・テンプレート
１９０、１９２：インプリント／分離ローラ
１９４、１９６：巻取りローラ
１９５、１９７、２０８、２０９、２４２、２４６、２５２、２５６、２６６、２７２、２７６：プーリー
２００：ローラ・システム
２０１、２０３：駆動ロッド
２０２、２４８、２５８、２６８、２７８：フレーム
２０４、２０６：保護フィルム・ローラ
２０５：２０７：ピボット・アーム
２０８：保護フィルム
２１２、２１３、２１４、２１５：音声コイル
２２２、２２４：静電放電デバイス
２３８：ＵＶ光源
２４０、２５０、２６０、２７０、２８０：モータ
２４４、２５４、２６４、２７４：ベルト
２５９、２６９：柱
２８２、２８４、２８６、２８８：プレート取付け具
３００：システム
３０２、３０４：軌道
３０６：ステージ
３１０、３２０、３６０：移動ステージ
３３０：チャック
１２、１１２、１８０：基板
１２ａ：大平面基板
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、９０、９０ａ、９０ｂ：ローラ
１５：第１の部分
１６、１７、１９、４２：経路
１８、１８ａ、１８ｂ：テンプレート
２２：パターン形成面
３０、３０ａ、３０ｂ：インプリント・ヘッド
３２、３５２：流体分配システム
３２ａ、３２ｂ：分配ユニット
３４：成形可能材料
３８：エネルギー源
３８ａ、３８ｂ：ＵＶ硬化ユニット
４６：パターン形成層
５０、８４：構造部（突起部）
５２、８６：構造部（凹部）
５４：プロセッサ
５６：メモリ
８０：連続的テンプレート
８０ａ、１８８：レプリカ・テンプレート
８２：パターン形成領域
８８、８８ａ：マスター金型
９４：支持チャック
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ：リソグラフィ・システム
１８０ｂ：可撓性フィルム・シート
１８８：マスター・テンプレート
１９０、１９２：インプリント／分離ローラ
１９４、１９６：巻取りローラ
１９５、１９７、２０８、２０９、２４２、２４６、２５２、２５６、２６６、２７２、２７６：プーリー
２００：ローラ・システム
２０１、２０３：駆動ロッド
２０２、２４８、２５８、２６８、２７８：フレーム
２０４、２０６：保護フィルム・ローラ
２０５：２０７：ピボット・アーム
２０８：保護フィルム
２１２、２１３、２１４、２１５：音声コイル
２２２、２２４：静電放電デバイス
２３８：ＵＶ光源
２４０、２５０、２６０、２７０、２８０：モータ
２４４、２５４、２６４、２７４：ベルト
２５９、２６９：柱
２８２、２８４、２８６、２８８：プレート取付け具
３００：システム
３０２、３０４：軌道
３０６：ステージ
３１０、３２０、３６０：移動ステージ
３３０：チャック
Claims (14)
- 可撓性フィルム基板と平面基板との間に配置された重合性材料をインプリントするためのインプリント・リソグラフィ・システムであって、前記システムは、
（ａ）前記可撓性フィルム基板の両端部を固定し、かつ、前記可撓性フィルム基板の一部分を一方又は他方の周りに巻き付けた状態に保持するように構成されたそれぞれＹ方向に延びた第１及び第２の離間した巻取りローラと、
（ｂ）前記第１及び第２の巻取りローラに結合され、回転力を前記第１及び第２の巻取りローラに与えて前記可撓性フィルム基板を所望の張力下で前記Ｙ方向に直角なＸ方向の順方向及び逆方向に前記第１及び第２の巻取りローラの間を平行移動させることができるように構成された、１つ又はそれ以上のローラ駆動アセンブリと、
（ｃ）前記第１及び第２の巻取りローラに近接して配置され、平行回転軸を有し、かつ前記可撓性フィルム基板がその間を平行移動されるときに前記可撓性フィルム基板の裏面を支持するようにさらに構成された、それぞれ前記Ｙ方向に延びた第１及び第２の離間したインプリント／分離ローラと、
（ｄ）前記第１及び第２のインプリント／分離ローラの各端部に結合され、前記第１及び第２のインプリント／分離ローラの間に支持された前記可撓性フィルム基板を傾斜させて運動させることができるよう、前記各端部に独立した前記Ｘ方向及びＹ方向に直角なＺ方向の移動をもたらすように構成された移動アクチュエータと、
（ｅ）前記平面基板を固定するように構成された第１のチャックを有し、前記可撓性フィルム基板が前記第１及び第２のインプリント／分離ローラの間を平行移動される際に前記可撓性フィルム基板と重ね合わせられた状態に前記平面基板を平行移動させるようにさらに構成された移動ステージと、
（ｆ）前記インプリント／分離ローラ及び前記移動ステージに近接して配置され、重合性材料を前記平面基板と前記可撓性フィルム基板の間に分配するように構成された流体分配システムと、
（ｇ）前記インプリント／分離ローラの間に前記可撓性フィルム基板の裏面に隣接して配置され、前記可撓性フィルム基板と前記平面基板との間に配置された前記重合性材料を固化するための硬化エネルギーを供給するように構成されたエネルギー源と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記流体分配システムは、前記重合性材料を複数の液滴として分配するようにさらに構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
- 前記流体分配システムは、前記重合性材料を薄膜として分配するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
- 前記第１及び第２の巻取りローラそれぞれに隣接して配置された第１及び第２の保護フィルム・ローラをさらに含み、前記保護フィルム・ローラの各々は、前記可撓性フィルム基板が前記巻取りローラの上に巻き付けられるときに前記可撓性フィルム基板の前面に保護フィルムを重ね合わせ、かつ、前記可撓性フィルム基板が前記巻取りローラから巻き戻されるときに前記可撓性フィルム基板の前記前面から前記保護フィルムを引き離すように構成されていることを特徴とする、前記請求項１〜３のいずれか１項に記載のシステム。
- 前記第１及び第２の保護フィルム・ローラそれぞれの近傍に配置された第１及び第２の静電放電デバイスをさらに含み、前記静電放電デバイスの各々は、前記保護フィルムが前記可撓性フィルム基板の前記前面の上に重ね合わせられたとき又はそこから引き離されたときに、前記可撓性フィルム基板の前記前面から静電荷を除去するようにさらに構成されていることを特徴とする、前記請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
- 前記移動ステージは、前記平面基板を前記可撓性フィルムが平行移動する方向に対して平行に及び直角に平行移動させるようにさらに構成されていることを特徴とする、前記請求項１〜５のいずれか１項に記載のシステム。
- 前記インプリントされた可撓性フィルム基板を用いてパターン形成される第２の平面基板を固定するように構成された第２のチャックをさらに含むことを特徴とする、前記請求項１〜６のいずれか１項に記載のシステム。
- 可撓性フィルム基板をパターン形成する方法であって、前記方法は、
（ａ）パターン形成面を上に有するインプリント・リソグラフィ用テンプレートを準備するステップと、
（ｂ）前記テンプレートのパターン形成面の上に重合性材料を堆積させるステップと、
（ｃ）前記可撓性フィルム基板に近接して前記テンプレートを配置するステップと、
（ｄ）前記可撓性フィルム基板を支持する第１及び第２のインプリント／分離ローラ及び前記テンプレートを支持する支持装置を駆動する駆動アセンブリによって、前記可撓性フィルム基板及び前記テンプレートを、第１の位置から第２の位置まで第１の方向に同時に平行移動させることによって前記可撓性フィルム基板を前記テンプレートと接触させ、前記重合性材料が前記テンプレートと前記可撓性フィルム基板との間に定められる容積を満たすようにするステップと、
（ｅ）前記第１及び第２のインプリント／分離ローラの各端部に前記第１の方向と垂直な第２の方向の移動を独立にもたらすように、当該各端部にもうけられた移動アクチュエータを備えるとともにこれらの移動アクチュエータを独立に駆動して、前記可撓性フィルム基板を傾斜させて運動させるステップと、
（ｆ）前記重合性材料を固化して前記可撓性フィルム基板上にパターン形成層を形成するステップと、
（ｇ）前記可撓性フィルム基板上の前記形成されたパターン形成層から前記テンプレートを分離するステップと、
を含む、方法。 - 前記可撓性フィルム基板のいずれかの端部も第１及び第２の巻取りローラの周りに巻き付けられ、前記第１及び第２の巻取りローラの巻き付け又は巻き戻しによって前記可撓性フィルム基板の平行移動が行われることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
- 前記分離するステップは、前記可撓性フィルム基板及び前記テンプレートを前記第１の方向に同時に平行移動させ続け、前記形成されたパターン形成層を有する前記可撓性フィルム基板が前記テンプレートから剥離されるようにするステップをさらに含む、請求項８または９のいずれか１項に記載の方法。
- 前記分離するステップは、前記可撓性フィルム基板及び前記テンプレートを、前記第１の方向とは反対の第２の方向に同時に平行移動させて、前記形成されたパターン形成層を有する前記可撓性フィルム基板が前記テンプレートから剥離されるようにするステップをさらに含む、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
- 前記可撓性フィルム基板を前記テンプレートと接触させる前に、前記可撓性フィルム基板から静電荷を除去するステップをさらに含む、請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
- 前記可撓性フィルム基板を前記テンプレートから分離した後、前記形成されたパターン形成層の上に保護フィルムを重ね合わせるステップをさらに含む、請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
- 前記可撓性フィルム基板の前記幅は前記テンプレートの前記幅より大きく、前記分離するステップの後、前記テンプレートを、前記第１の方向に対して直角に、前記テンプレートの前記幅に等しい距離だけ移動させるステップと、ステップ（ｂ）−（ｇ）を繰り返して、前記最初に形成されたパターン形成層に隣接する前記可撓性フィルム基板上に付加的なパターン層を形成するステップとをさらに含む、請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261601632P | 2012-02-22 | 2012-02-22 | |
| US61/601,632 | 2012-02-22 | ||
| PCT/US2013/027396 WO2013126750A1 (en) | 2012-02-22 | 2013-02-22 | Large area imprint lithography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015513797A JP2015513797A (ja) | 2015-05-14 |
| JP6130404B2 true JP6130404B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=47833433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014558885A Active JP6130404B2 (ja) | 2012-02-22 | 2013-02-22 | 大面積インプリント・リソグラフィ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9616614B2 (ja) |
| EP (1) | EP2823356B1 (ja) |
| JP (1) | JP6130404B2 (ja) |
| KR (1) | KR101690532B1 (ja) |
| CN (2) | CN109407463B (ja) |
| SG (1) | SG11201405089WA (ja) |
| TW (1) | TWI574912B (ja) |
| WO (1) | WO2013126750A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5828626B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2015-12-09 | キヤノン株式会社 | インプリント方法 |
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2013
- 2013-02-21 US US13/773,217 patent/US9616614B2/en active Active
- 2013-02-22 SG SG11201405089WA patent/SG11201405089WA/en unknown
- 2013-02-22 CN CN201811066954.7A patent/CN109407463B/zh active Active
- 2013-02-22 WO PCT/US2013/027396 patent/WO2013126750A1/en active Application Filing
- 2013-02-22 CN CN201380015762.2A patent/CN104303104B/zh active Active
- 2013-02-22 JP JP2014558885A patent/JP6130404B2/ja active Active
- 2013-02-22 KR KR1020147025445A patent/KR101690532B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-22 TW TW102106268A patent/TWI574912B/zh active
- 2013-02-22 EP EP13708037.0A patent/EP2823356B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109407463B (zh) | 2022-06-14 |
| KR101690532B1 (ko) | 2016-12-28 |
| CN104303104A (zh) | 2015-01-21 |
| JP2015513797A (ja) | 2015-05-14 |
| CN109407463A (zh) | 2019-03-01 |
| TWI574912B (zh) | 2017-03-21 |
| WO2013126750A1 (en) | 2013-08-29 |
| SG11201405089WA (en) | 2014-09-26 |
| TW201339091A (zh) | 2013-10-01 |
| US20130214452A1 (en) | 2013-08-22 |
| CN104303104B (zh) | 2019-02-01 |
| US9616614B2 (en) | 2017-04-11 |
| EP2823356B1 (en) | 2018-05-23 |
| KR20140135979A (ko) | 2014-11-27 |
| EP2823356A1 (en) | 2015-01-14 |
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| A977 | Report on retrieval |
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