TW201338076A - 基板搬送方法及基板搬送裝置 - Google Patents

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TW201338076A
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gas
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Masayuki Yamamoto
Takuto Murayama
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Nitto Denko Corp
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Abstract

將晶圓經由雙面黏接帶貼合於支持板而作為工件，該晶圓係將排列配置成平面狀的複數個晶片以樹脂模製成型，該雙面黏接帶在單側具備具有加熱剝離性之黏著層。對該工件進行所希望的處理後，為了以支持板分離裝置分離該支持板，在第1平台上加熱工件。將晶圓的前面的外周部分以吸附頭吸附保持而搬送，其外周部分係從雙面黏接帶分離後的晶圓的樹脂為軟化狀態的部分。在該搬送過程中，按照晶圓背面的位移而調整吸附頭內的氣壓。

Description

基板搬送方法及基板搬送裝置
本發明係關於一種搬送半導體晶圓或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)等的基板之基板搬送方法及基板搬送裝置，特別是關於一種利用切割處理而從基板分割的晶片之中只將良品以樹脂模製而重新成型為圓形或四角形後，搬送以預定步驟所加熱過的該成型基板之技術。
近幾年，伴隨高密度安裝的要求，半導體晶圓(以下適當稱為「晶圓」)的厚度有被背面研磨處理到幾十μm的傾向。因此，在從背面研磨處理到結束切割處理之前，形成於表面上的電路或凸塊會破損。其結果，生產效率降低。
因此，在對電路形成完的晶圓進行背面研磨處理之前進行切割處理，只挑選良品的電路形成完的裸晶片。只將此等良品的晶片以樹脂模製而重新形成為基板形狀。具體而言，如下實施。
如圖1(a)所示，以輥R加壓黏接片3而貼附於載體用的基板2(例如鋁或不銹鋼)。使良品的裸晶片 1a之電極面向下，如圖1(b)所示，在基板2上的黏接片3上排列固定成二維陣列狀。如圖1(c)所示，從裸晶片1a上將樹脂1b模製而重新成型為晶圓形狀。如圖1(d)所示，使黏接片3的接著力降低而從基板2分離該成型晶圓1。此時，黏接片3殘留於基板2側。其後，如圖1(e)所示，在從樹脂1b露出的電極面側貼附保護片P，從相反側進行背面研磨。背面研磨後剝離保護帶P，如圖1(f)所示，將已薄型化的成形晶圓1經由支撐用的黏接帶DC而接著支撐於環狀框架f上，向分割裸晶片的切割步驟搬送(參閱日本國特開2001-308116號公報)。
此外，將如上述的成形晶圓以非接觸一面控溫一面搬送已被提案及實施，該成形晶圓係只將已成型的良品的裸晶片模製而重新成型過(參閱日本國特表2011-1511449號公報)。
此外，伴隨近幾年晶圓的薄型化，為了補強降低的剛性，以雙面黏接帶貼合同形狀的支持板。該支持板在安裝步驟中被剝離。係利用具有藉由加熱進行發泡膨脹而使接著力降低或消滅的加熱剝離性的雙面黏接帶、或者具有紫外線硬化型的感壓性黏著層的雙面黏接帶作為其剝離方法。此等雙面黏接帶剝離的方法係在安裝步驟前加熱附有該支持板的晶圓而進行(參閱日本國特開2005-116679號公報)。
伴隨近幾年的高密度安裝的要求，成型晶圓的形狀有大型化的傾向。因此，在搬送路徑上使其浮起而以非接觸搬送時，增大的自重超過未硬化狀態的樹脂的硬度，所以有使基板產生翹曲的問題。
此外，即使是受過硬化處理的樹脂，若在後 續步驟中被施以加熱處理也會軟化。因此，軟化狀態的樹脂也和未硬化狀態的樹脂同樣，若以非接觸狀態搬送成型晶圓，則會產生翹曲。
此外，樹脂為未硬化或軟化狀態的情況，不 僅成型晶圓會翹曲，而且晶圓外周的樹脂會因自重而稍微向背面側下垂。此種樹脂的下垂會使晶圓的厚度成為不均勻，所以會使在後續步驟的切割處理中無法沿著所希望的劃線而精度佳地切斷晶圓這種進一步的問題產生。
此外，若將空氣噴吹到軟化狀態的樹脂上， 則有時其面會波動而產生凹凸。
此外，成型晶圓除了習知的圓形之外，也會 被成型為四角形。若以習知的非接觸方法搬送該成型晶圓，則容易繞該成型晶圓的垂直軸旋轉且維持預定的前進路徑搬送變得困難。因此，也會產生成型晶圓的角部會接觸到沿著搬送路徑兩側緣而設置的防止落下用的側壁而破損的問題。
再者，以非接觸狀態長距離搬送成型晶圓的 情況，有時樹脂的溫度會過於降低。即，有會在產生翹曲的狀態下樹脂就硬化的問題。
本發明係有鑑於此種情況而完成者，其主要目的在於提供一種不使基板破損，而一面有效率地冷卻一面搬送基板之基板搬送方法及基板搬送裝置。
本發明為了達成此種目的而採取如下的構造。
即，一種基板搬送方法，係搬送基板之基板搬送方法，前述方法包含以下過程：前述基板係將排列配置成平面狀的複數個晶片以樹脂模製成型之基板，搬送過程，其係在搬出位置將樹脂在加熱狀態的基板以箱形的吸附頭吸附保持而搬送到搬入位置；在前述搬送過程中，以吸附頭吸附基板的外周部分，前述基板的外周部分係偏離晶片從樹脂露出的面側的該露出面，切換供應經加熱的氣體給由前述基板所密閉的吸附頭內與吸引來自該吸附頭內的氣體，一面加壓或減壓而調整該吸附頭內的氣壓，一面將基板維持於平坦而搬送到預定的搬入位置。
藉由上述方法，由於處於不論是玻璃轉移點以上或玻璃轉移點以下都容易撓曲的軟化狀態，所以容易產生樹脂在外周因自重而下垂。然而，由於基板的外周部分被吸附頭吸附保持，所以可抑制該下垂。此外，由於利用吸附頭保持基板而搬送，所以可在維持該基板姿勢的狀態下，沿著預定的搬送路徑而確實地搬送到目的位置。因此，可避免在搬送過程中基板接觸到其他的構造物等而破損。
再者，吸附頭與非接觸狀態的基板之內側部分有因加熱的影響而向下彎曲的傾向。然而，藉由將由 基板所密閉的吸附頭內減壓，基板被保持於平坦狀態。相反地，隨著急劇的冷卻作用而樹脂硬化之類的情況，因樹脂與晶片的收縮率不同而基板的內側部分有時會向上翹曲。然而，藉由以經加熱的氣體加壓由基板所密閉的吸附頭內，可避免樹脂的急劇硬化。其結果，基板被保持於平坦狀態。因此，即使是在搬出時樹脂在加熱狀態的基板，也可以將該基板一面保持於平坦的狀態一面搬送到目的位置。
再者，上述方法如下實施較佳。例如，吸附頭內的加壓係供應設定於搬出位置的設定溫度與搬入位置的設定溫度之間的溫度之氣體，在前述樹脂降低到預定的溫度時，交接給搬送位置。
藉由此方法，在將在搬出位置處於最高溫度的樹脂搬送到搬入位置之前，使其控制在兩位置的設定溫度的範圍內。換言之，樹脂不被急劇地冷卻而被慢慢地冷卻。因此，可避免因樹脂與晶片的收縮率不同而產生的基板的翹曲及伴隨該翹曲的基板的破損。
此外，加壓或減壓調整係在搬送過程中，以檢測器檢測基板面的位移，按照該檢測結果調整供應給吸附頭內之氣體供應量或吸引來自吸附頭內的氣體吸引量的至少任一者。再者，最好在基板的搬送過程中，檢測吸附頭內的溫度，按照該檢測結果調整供應給吸附頭內之氣體的溫度。
藉由此方法，由於按照基板面的位移調整吸附頭內的氣壓或溫度的至少任一者，所以可適時地修正基板的翹曲。
此外，本發明為了達成此種目的而採取如下的構造：一種基板搬送裝置，係搬送基板之基板搬送裝置，前述裝置包含以下構造：前述基板係將排列配置成平面狀的複數個晶片以樹脂模製成型之基板，搬送機構，其係具備箱形的吸附頭，該箱形的吸附頭係吸附保持基板的外周部分，該基板的外周部分係偏離晶片從前述露出的面側的該露出面；氣體壓縮機，其係供應氣體給由前述基板所密閉的吸附頭內或從吸附頭內吸引該氣體；加熱器，其係加熱從前述氣體壓縮機供應的氣體；檢測器，其係檢測以前述吸附頭吸附保持的基板背面的位移；及控制部，其係在以前述吸附頭吸附基板而搬送的過程中，利用檢測器檢測基板背面的位移，按照該檢測結果切換操作氣體壓縮機於吸附頭內的加壓或減壓，調整氣體供應量或吸引量的至少任一者。
藉由此構造，以吸附頭吸附保持基板的外周部分，並且控制供應給該吸附頭內的氣體的溫度及氣壓。即，一利用檢測器檢測出內側部分翹曲導致的位移，就供應經加熱的氣體給吸附頭內而成為加壓狀態或從吸附頭內吸引該氣體而成為減壓狀態，利用樹脂隨著加熱而容易變形的的特性，使基板回到平坦的狀態。因此，可恰當地實施上述方法。
再者，在上述構造中，最好具備溫度感測器，其係檢測由基板所密閉的吸附頭內的溫度；前述控制部係比較由溫度感測器所測定之實測值與預先決定的溫度之基準值，按照求得的偏差操作加熱器，供應經溫度調整過的氣體給吸附頭內。
藉由此構造，容易一面調整樹脂溫度，一面將基板保持於平坦的狀態。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧支持板
3‧‧‧雙面黏接帶
4‧‧‧晶圓供應/回收部
5‧‧‧第1機械手臂
6‧‧‧第1基板搬送機構
7‧‧‧冷卻機構
8‧‧‧第2機械手臂
9‧‧‧第2基板搬送機構
10‧‧‧預備加熱平台
11‧‧‧第3基板搬送裝置
12‧‧‧支持板分離機構
13‧‧‧帶剝離機構
14‧‧‧帶回收部
15‧‧‧標記部
16‧‧‧晶圓交接部
17‧‧‧第4機械手臂
18‧‧‧第4基板搬送裝置
21‧‧‧第1平台
22‧‧‧第2平台
23‧‧‧晶圓搬送機構
30‧‧‧吸附頭
31‧‧‧水平可動台
32、67‧‧‧支架
33、59‧‧‧臂
34‧‧‧升降台
35、56、65‧‧‧導軌
36、62、69、74、24a‧‧‧馬達
38‧‧‧基台
39‧‧‧縱軌
41‧‧‧吸附槽
42‧‧‧第1氣體壓縮機
43‧‧‧釋放閥
44‧‧‧外部流路
45‧‧‧第2氣體壓縮機
46、63‧‧‧加熱器
47、25a、25b‧‧‧溫度感測器
48‧‧‧凸緣
49‧‧‧位移感測器
51‧‧‧套管
55‧‧‧縱壁
57、66、50a‧‧‧可動台
58‧‧‧可動框
60‧‧‧吸附板
61、70‧‧‧螺旋軸
68‧‧‧剝離輥
71‧‧‧吸引孔
72‧‧‧旋轉軸
73‧‧‧滑輪
75‧‧‧吸盤平台
76‧‧‧雷射裝置
77‧‧‧吸附墊
78‧‧‧驅動滑輪
79‧‧‧環形帶
80‧‧‧控制部
81‧‧‧記憶部
1a‧‧‧裸晶片
1b‧‧‧樹脂
3a‧‧‧帶基材
3b、3c‧‧‧黏接層
5a、8a、17a‧‧‧工件保持部
27a、27b‧‧‧銷
28a‧‧‧氣缸
C1、C2‧‧‧片匣
W‧‧‧工件
圖1(a)~(f)為顯示習知例的成型晶圓製造步驟之圖。
圖2為顯示實施例裝置之全體構造的俯視圖。
圖3為在成型晶圓上貼合支持板而成的工件的側視圖。
圖4為成型晶圓的剖面圖。
圖5為顯示第3基板搬送裝置概略的全體立體圖。
圖6為第3基板搬送裝置的俯視圖。
圖7為第3基板搬送裝置的縱剖面圖。
圖8為第3基板搬送裝置的俯視圖。
圖9為第3基板搬送裝置的方塊圖。
圖10為支持板分離機構的側視圖。
圖11為顯示第1平台周圍構造的俯視圖。
圖12為顯示第1平台周圍構造的俯視圖。
圖13為剝離輥的立體圖。
圖14-圖16為顯示支持板分離動作的說明圖。
圖17為顯示雙面黏接帶剝離動作的說明圖。
圖18為顯示吸附頭內的氣壓調整的流程圖。
圖19-圖20為顯示晶圓搬送機構動作的說明圖。
圖21-圖22為顯示晶圓形狀調整的示意圖。
以下，參閱圖面說明本發明之實施例。
如圖3所示，本發明之基板搬送裝置係將和支持板2同心狀地經由雙面黏接帶3而貼合的背面研磨前的晶圓1，備置於從該支持板2分離的支持板分離裝置。支持板2係由例如不銹鋼、玻璃基板或矽基板構成。再者，支持板2和晶圓1同等尺寸或更大。
此處，晶圓1係如下成型。檢查電路形成於晶圓表面後經切割處理的圖4所示裸晶片1a，只挑選良品的裸晶片1a。使此等裸晶片1a之電極面向下而在貼附於載體用的支持板2的雙面黏接帶3上排列固定成二維陣列狀。再從裸晶片1a上以樹脂1b模製，使晶圓成型。
回到圖3，雙面黏接帶3在帶基材3a的兩面具備黏著層3b與黏著層3c。
黏著層3b為藉由加熱發泡膨脹而喪失接著力的加熱剝離性的黏著層。黏著層3c為藉由照射紫外線硬化而接著力降低的紫外線硬化型或非紫外線硬化型的感壓性黏著層3c。即，在黏著層3b上貼附支持板2。在黏著層3c上貼附晶圓1。
圖2為顯示關於本發明之支持板分離裝置的俯視圖，圖5為顯示第3基板搬送裝置概略的全體立體圖，圖6為第3基板搬送裝置的俯視圖及圖7為第3基板搬送裝置的部分縱剖側視圖。
此支持板分離裝置具備晶圓供應/回收部 4、第1基板搬送機構6、冷卻機構7、第2基板搬送機構9、預備加熱平台10、第3基板搬送裝置11、支持板分離機構12、帶剝離機構13、帶回收部14、標記部15、晶圓交接部16及第4基板搬送裝置18等。
在晶圓供應/回收部4裝填收納有工件W的 片匣C1及收納有晶圓1或支持板2的片匣C2。
第1基板搬送機構6具備第1機械手臂5。 第2基板搬送機構9具備第2機械手臂8。
支持板分離機構12係從晶圓1分離支持板 2。
帶剝離機構13係從分離了支持板2的晶圓1 剝離去除雙面黏接帶3。
帶回收部14係回收經剝離去除的雙面黏接 帶3。
標記部15係在晶圓1上附加標記。
第4基板搬送裝置18具備第4機械手臂17。
以下，就各機構具體地進行說明。
晶圓供應/回收部4上在供應側並排載置2台片匣C1及在回收側並排載置2台片匣C2。在晶圓1上貼合支持板2而成的工件W被以該支持板2為下而其複數片被多層地以水平姿勢插入收納於片匣C1內。被分離支持板2而使裸晶片1a之電路面向上的複數片晶圓1被多層地以水平姿勢插入收納於片匣C2的一方。分離後的複數片支持板2被多層地以水平姿勢插入收納於片匣C2的另一方。
配備於第1基板搬送機構6的第1機械手臂 5構成為可上下反轉及水平進退移動，並且全體可旋轉及升降。在此第1機械手臂5的前端具備有馬蹄形的真空吸附式的工件保持部5a。再者，在工件保持部5a上配備有對準機構。例如，在工件保持部5a前端側的兩處向上形成有保持部。此外，在工件保持部5a基端側的角部配備有2支可動銷。藉由使該可動銷移動，與保持部協作夾住工件W而進行該工件W的對準及保持。
冷卻機構7係由吸附墊與冷卻單元所構成。 吸附墊係吸附處在加熱狀態的支持板2的中央使其旋轉。冷卻單元係配備於吸附墊的上方，將空氣噴吹到旋轉的支持板2上。
配備於第2基板搬送機構9的第2機械手臂8構成為可水平地進退移動，並且全體可旋轉及升降。在此第2機械手臂8的前端具備呈馬蹄形的真空吸附式的工件保持部8a。
預備加熱平台10為比工件W更大型且在表面形成有微小寬度(例如1mm以下)的吸附槽的吸盤平台。此外，預備加熱平台10係以隔熱材料形成。在該預備加熱平台10的內部具備加熱器及溫度感測器。該溫度感測器係檢測表面的工件W的溫度。溫度感測器的檢測信號被傳送到控制部80。再者，預備加熱平台10具備可在表面進出升降的複數支支撐銷。支撐銷的前端以絕緣物構成或以絕緣物覆蓋。
如圖4至圖7所示，第3基板搬送裝置11配 備有第1平台21、第2平台22及晶圓搬送機構23。再者，第3基板搬送裝置11相當於本發明之基板搬送裝置。
第1平台21為比工件W更大型且在表面形 成有微小寬度(例如1mm以下)的吸附槽的吸盤平台。第1平台21係以隔熱材料形成。該第1平台21在內部具備加熱器24a及溫度感測器25a(參閱圖9)。再者，溫度感測器25a係檢測平台表面的工件W的溫度並將檢測信號傳送到控制部80。
此外，第1平台21經由流路而與外部的真空 裝置連通連接。再者，第1平台21裝備有複數支支撐用的銷27a。
複數支銷27a係隔開等間隔而配備於第1平台21的預定圓周上。即，此等銷27a設於可動台50a上。藉由連結於該可動台50a的氣缸28a的動作，銷27a構成為可從第1平台21的保持面進出升降。再者，銷27a的前端以絕緣物構成或以絕緣物覆蓋。
再者，第2平台22具有和第1平台21大致相同的構造。因此，關於同一構造，只是在同一號碼上附加字母的「b」。
晶圓搬送機構23具備可水平及升降的吸附頭30。即，晶圓搬送機構23具備水平可動台31、支架32、臂33、升降台34及吸附頭30。
水平可動台31被可沿著水平配備的一對導軌35而左右滑動地支撐著。而且，水平可動台31係由被馬達36正反驅動的螺旋軸所螺旋推進驅動。
支架32直立設置於水平可動台31上。如圖 6及圖7所示，箱形的基台38連結在該支架32的中央部分。
升降台34藉由與馬達40連結而驅動的螺旋 軸經由設於基台38上的縱軌39而可滑動升降地被支撐著。吸附頭30被裝備於從該升降台34延伸的臂33的前端。
吸附頭30呈比晶圓1的直徑更大徑的箱 型。即，吸附頭30於晶圓1的表面側吸附保持晶圓1的外周部分，該外周部分係從偏離晶片露出部分的位置到晶圓1的外緣。因此，吸附頭30在側壁的下端形成有環狀的吸附槽41。如圖9所示，吸附槽41係經由形成於側壁內的流路及連接於該流路另一端的外部流路而連通連接於第1氣體壓縮機42。此外，在側壁上形成有連通於吸附頭30內部的個別流路。在該流路上設有釋放閥43。
此外，吸附頭30係經由連接於形成於頂部中 央的流路的外部流路44而連通連接於第2氣體壓縮機45。第2氣體壓縮機45構成為利用控制部80可切換成正壓或負壓驅動。再者，在外部流路44上連接有電磁閥。該電磁閥可調整通過流路內的氣體的流量。
再者，在吸附頭30內埋設有加熱器46。該 加熱器46係加熱供應給吸附頭30與晶圓1的密閉空間的氣體。吸附頭30具備溫度感測器47。該溫度感測器47係測定利用加熱器46供應給吸附頭30內的氣體的溫度。
此外，從吸附頭30的側壁向下安裝有凸緣 48。在該凸緣48的前端裝備有位移感測器49。該位移感測器49在本實施例中係利用雷射感測器。位移感測器49係從被吸附保持於吸附頭30的晶圓1的背面側檢測晶圓1的位移。即，該位移感測器49係檢測晶圓1的下垂或翹曲。再者，位移感測器49相當於本發明之檢測器。
如圖10所示，支持板分離機構12具備縱壁 55、可動台57、可動框58及吸附板60等。
可動台57構成為可沿著縱向配置於縱壁55 背部的導軌56而升降。此外，可動台57係藉由利用馬達62正反轉驅動螺旋軸61而螺旋推進升降。
可動框58被可調節高度地支撐於可動台57 上。
吸附板60被安裝於從可動框58向前方延伸 的臂59之前端部。此外，吸附板60的下面構成為真空吸附面。在該吸附板內部裝有加熱器63。
如圖11至圖13所示，帶剝離機構13具備可 動台66及剝離輥68。
可動台66構成為可沿著導軌65而前後滑動 移動。此外，可動台66構成為利用以馬達69正反轉驅動的螺旋軸70使其前後水平地獨立螺旋推進移動。
剝離輥68被安裝於從可動台66向下延伸的 支架67上。
此外，剝離輥68構成為可自轉。即，環形帶 79張掛於安裝於中空旋轉軸72的滑輪73與安裝於馬達 74之驅動軸的驅動滑輪78上。此外，如圖13所示，剝離輥68在表面上設有吸引孔71。此外，剝離輥68連通連接於配備於外部的吸引裝置。再者，剝離輥68以彈性體覆蓋著。
吸引孔71形成於對應於雙面黏接帶3之剝離 開始端的部分與剝離結束端的位置上。剝離開始端側的吸引孔71形成為沿著帶外周的圓弧的複數個長孔。剝離結束端側的吸引孔71形成有1個長孔。再者，吸引孔71的形狀及個數可按照雙面黏接帶3的大小或形狀而適當地變更。
如圖12所示，帶回收部14係在剝離輥68 的下方被配備作為回收箱。
回到圖2，標記部15具備吸盤平台75及雷 射裝置76。
吸盤平台75係吸附保持晶圓1。雷射裝置76 係對為吸盤平台75所吸附保持的晶圓1施以二維碼或三維立體碼等的標記。
晶圓交接部16具備吸附保持晶圓1及支持板 2背面的吸附墊77。吸附墊77構成為在從標記部15側到第4機械手臂17的交接位置上滑動移動，並且升降。
配備於第4基板搬送裝置18的第4機械手臂17構成為可水平地進退移動，並且全體可旋轉及升降。在此第4機械手臂17的前端具備呈馬蹄形的真空吸附式的工件保持部17a。
其次，就具備晶圓搬送裝置的上述支持板分離裝置的一連串動作，一面參閱圖9~22一面進行說明。
首先，操作圖9所示的操作部而進行各種設定。例如，設定預備加熱平台10的加熱器的加熱溫度、支持板分離機構12的加熱器63的加熱溫度、第1平台21、第2平台22及埋設於吸附頭30內的各加熱器的加熱溫度和時間等的各條件。
預備加熱平台10的加熱溫度例如如下求出。將晶圓1與支持板2貼合於雙面黏接帶3時，以貼附構件的加壓力延伸雙面黏接帶3及樹脂1b的至少任一者。換言之，貼合完畢時，恢復力被積存於樹脂1b及/或雙面黏接帶3。因此，包含晶圓1與支持板2成為一體的工件W因此恢復力的作用而稍微翹曲的者在內。於是，修正工件W的翹曲。即，設定成使樹脂1b及雙面黏接帶3的至少任一者適度軟化的溫度，以便工件W成為平坦。此溫度或時間因使用的樹脂1b及雙面黏接帶3的特性而不同，所以利用實驗或模擬等預先決定。
支持板分離機構12的加熱溫度係按照具有加熱剝離性的黏著層3b的雙面黏接帶3而設定。即，設定成利用加熱發泡膨脹而減低或消滅黏著力的溫度。
第1平台21、第2平台22及吸附頭30的加熱溫度在本實施例中係設定成例如依第1平台21、吸附頭30及第2平台22的順序而降低。再者，加熱溫度的設定並不受該順序限定，可根據使用的樹脂的特性、晶圓1的形狀或重量等而適當地變更。
首先，第1平台21的加熱溫度被設定成和支持板分離機構12協作而使雙面黏接帶3的黏著層3b發泡膨脹的溫度。
第2平台22的加熱溫度被設定成晶圓1成為室溫程度。
吸附頭30的加熱溫度及時間被設定得比第2平台22更嚴格。即，被設定成滿足以下條件的溫度及時間：和在第1平台21軟化的樹脂1b接觸而直接冷卻時，軟化的樹脂1b不因自重而在晶圓1的端緣側下垂或變形等條件。此條件因使用的樹脂1b而不同，所以利用實驗或模擬等預先決定。例如，為樹脂1b的玻璃轉移點附近、包含玻璃轉移點的預定範圍等。
此等各設定條件被記憶於配備在控制部80的記憶部81中。
各條件的設定完畢，就使裝置動作。首先，使第1基板搬送機構6的第1機械手臂5向片匣C1移動。將第1機械手臂5前端的工件保持部5a插入被收容於片匣C1內的工件W彼此的間隙。工件保持部5a將工件W從背面吸附保持而搬出。即，保持支持板2而搬出。在此搬出過程中也進行對準。其後，進行上下反轉，使晶圓1的樹脂1b面向下而轉移到預備加熱平台10。
此時，預備加熱平台10係從保持面推出銷而接收工件W，其後下降。工件W在平台上被吸附保持，被加熱到預定溫度。預備加熱處理期間，利用溫度感測器檢測工件W的溫度。工件W到達預定溫度，就用銷使 工件W上升。在此時點，樹脂1b或雙面黏接帶3稍微軟化，釋放作用於此等樹脂1b或雙面黏接帶3的恢復力。因此，工件W的稍微翹曲被解除而成為平坦。
從表面側利用第2機械手臂8吸附保持預備 加熱平台10上的工件W，將該工件W搬送到第1平台21。即，第2機械手臂8吸附保持著支持板2。
如圖14所示，被搬入第1平台21上的工件 W的中央區域係被突出於平台上的銷27a所支撐。其後，銷27a下降。因此，工件W係使樹脂1b面向下而在第1平台21上被吸附保持。此時，第1平台21已被加熱器63預先加熱到預定溫度。
其次，如圖15所示，支持板分離機構12的 吸附板60下直降到接觸於工件W的上面。工件W被內裝於吸附板60的加熱器63及第1平台21的加熱器24a的協作加熱。因此，雙面黏接帶3上的加熱剝離性的黏著層3b利用吸附板60的加熱與第1平台21的加熱而發泡膨脹喪失接著力。
預定時間的加熱處理完畢，就如圖16所示， 在吸附保持著支持板2的狀態下使吸附板60上升。此時，使喪失了接著力的黏著層3b離開支持板2的下面，只使支持板2上升。
在支持板分離處理結束的第1平台21上保持 著殘留有雙面黏接帶3的晶圓1，該雙面黏接帶3係發泡而喪失了接著力的同時在其表面上產生了凹凸的黏著層3b露出。。在此狀態下，如圖17所示，剝離輥68從待命位置移動到剝離開始位置。
此時，使剝離輥68在剝離開始端停止，同時 使剝離輥68自轉並將吸引孔71調整位置成朝下，以便吸引雙面黏接帶3的剝離開始端。
在剝離開始位置的剝離輥68的位置調整等 完畢，就使氣缸動作而使第1平台21上升，藉此將雙面黏接帶3適度地壓在剝離輥68上。同時，一面從剝離輥68吸引雙面黏接帶3，一面使剝離輥68向剝離結束端移動，一面將雙面黏接帶3捲繞在剝離輥68上而剝離。
剝離輥68超過剝離結束端到達待命位置，就 將吸引裝置切換成正壓。即，從吸引孔71吹出空氣而使捲繞於剝離輥68上的雙面黏接帶3回收於帶回收部14的回收箱。
其次，按照圖18的流程圖說明晶圓1的搬送 步驟。如圖18所示，晶圓搬送機構23的吸附頭30移動到第1平台21的上方。到達預定位置的吸附頭30下降到預定高度。如圖19所示，吸附頭30的下端抵接於從晶圓1的晶片露出面的外側到晶圓1的外緣為止的外周部分。在此狀態下，解除第1平台21的吸附保持，並且開始吸附頭30對晶圓1的吸附(步驟S1)。
吸附頭30吸附保持晶圓1，就如圖20所示， 上升而向第2平台22搬送晶圓1(步驟S2)。
在此晶圓1的搬送過程中，利用位移感測器 49開始測定晶圓1的背面中央部分(步驟S3)。
位移感測器49的測定信號被傳送到控制部 80。控制部80從檢測信號求出高度的實測值，比較該實 測值與預先決定的基準值(步驟S4)。即，實測值小於基準值時，如圖21所示，判斷為在晶圓1向下產生了翹曲。此情況，進入步驟S5A。相反地，實測值大於基準值時，如圖22所示，判斷為在晶圓1向上產生了翹曲。此情況，進入步驟S5B。
在步驟S5A中，控制部80使第2氣體壓縮 機45動作成負壓。即，第2氣體壓縮機45僅預定量吸引吸附頭30內的氣體。此吸引量係依據基於晶圓1的實測高度而求出的吸附頭30的體積與滿足基準值的體積之偏差來調整。此外，此調整期間，利用位移感測器49測定晶圓1的背面高度，調整氣體的吸引量，以便到達基準值。
在步驟S5B中，控制部80使第2氣體壓縮 機45動作成正壓。即，第2氣體壓縮機45供應預定量的氣體給吸附頭30內。吸附頭30內的氣壓升高到預定以上，氣體就從釋放閥43排出，避免晶圓1的破損。再者，氣體的供應量係依據基於晶圓1的實測高度而求出的吸附頭30的體積與滿足基準值的體積之偏差來調整。此外，此調整期間，利用位移感測器49測定晶圓1的背面高度，調整氣體的吸引量，以便到達基準值。再者，所供應的氣體被埋設於吸附頭30內的加熱器46保持於預定的溫度。
吸附頭30到達第2平台22上就下降到預定 高度，晶圓1的背面抵接於第2平台22上。在此時點，使已被加熱到預定溫度的第2平台22的吸引動作，並且解除吸附頭30的吸附(步驟S6)。
在從吸附頭30將晶圓1交接給第2平台22 的時點，吸附頭30已被加熱到比第1平台21低的溫度，所以在搬送過程中晶圓1的溫度被降低到目標溫度。此時，晶圓1被保持於平坦。因此，因樹脂1b與裸晶片1a的膨脹係數不同而產生的翹曲被消除。此外，樹脂1b外形的變形或在外周部分的下垂被吸附頭30接觸造成的吸附保持所限制，維持平坦的狀態。
控制部80利用溫度感測器25b監控晶圓1 的溫度。晶圓1的溫度到達室溫，吸附頭30就從第2平台22搬出晶圓1。首先，解除第2平台22對晶圓1的吸附，使銷27b上升。將與第2平台22隔開距離的晶圓1的背面利用第2基板搬送機構9的第2機械手臂8吸附保持而搬出。其後，銷27b下降到第2平台22內。
晶圓1被第2機械手臂8載置於標記部15 的吸盤平台75，基於缺口等被對位。其後，在晶圓1的裸晶片1a露出面的預定外周部分利用雷射附加標記。
標記處理完畢，晶圓1再次被第2機械手臂 8吸附保持。第2機械手臂8將晶圓1載置於晶圓交接部16。晶圓1在被吸附墊77吸附保持背面的狀態下，被移動到交接給第4機械手臂17的位置。
第4機械手臂17吸附保持晶圓1的背面，使 裸晶片1a的露出面向上而收納於片匣C2。
利用晶圓搬送機構23搬送晶圓1期間，支持 板2通過別的路徑而被回收於片匣C1。
被以支持板分離機構12分離且正被吸附保持於吸附板60的支持板2將會被為第2機械手臂8從背面吸附保持。第2機械手臂8將晶圓1交接給冷卻機構7的吸附墊。吸附墊吸附保持支持板2的背面而旋轉。與吸附墊的旋轉同一步調，冷卻單元將空氣噴吹到支持板2的表面上。支持板2到達目標溫度的室溫，就停止空氣供應及吸附墊的旋轉。
第1機械手臂5保持支持板2的表面，進行上下反轉後，收納於片匣C1的預定空著的空間內。
以上，一輪的動作結束，以後反覆相同的動作。
藉由上述實施例裝置，以第1平台21分離支持板2時，晶圓1的樹脂1b被高溫加熱而在軟化的狀態。然而，被加熱到比第1平台21的加熱溫度低的溫度的吸附頭30的環狀下端接觸於樹脂1b。藉由此吸附頭30的吸附保持，被下降到在晶圓1的外周不產生因樹脂1b自重造成的下垂或變形的溫度。
此外，晶圓1的中央部分的位移為位移感測器49所測定，被適時地修正，所以將晶圓1保持於平坦的狀態。
由於用吸附頭30將晶圓1保持成不因樹脂1b的軟化而產生翹曲或下垂等，所以被冷卻到樹脂1b的硬度超過自重而不產生樹脂1b的變形等。因此，晶圓1在維持平坦的狀態下被搬送。此外，由於在晶圓1的外周未產生下垂，所以均勻地保持厚度，可在其後續步 驟的切割處理中將晶圓1保持於水平。因此，可沿著所希望的劃線精度佳地切割晶圓1。
此外，可利用吸附頭30將晶圓1在加熱到預 定溫度以上的狀態下搬送到預定位置。因此，不會如以非接觸搬送晶圓的習知裝置一般，即使長距離搬送樹脂1b在加熱狀態的晶圓1，亦不會讓在產生了翹曲的狀態下的晶圓過度冷卻而使該翹曲狀態固定。
再者，晶圓1達到12英寸以上，就難以用習 知方法控制空氣的流量而使晶圓1浮起，使其沿著規定路徑精度佳地搬送。因此，會使晶圓1接觸於防止落下用的側壁等而使其破損。
對此，在上述實施例裝置中，利用超過晶圓 1直徑的吸附頭30覆蓋晶圓1的外周而搬送。因此，可不使晶圓1的邊緣接觸於其他的構件而沿著規定的搬送路徑確實地搬送。換言之，不會在搬送時使晶圓1破損。
再者，本發明也可以用如下的形態實施： 在上述實施例裝置中，處理對象為大致圓形的晶圓1，但是並不受該形狀限定。也可以是例如長方形或正方形等四角形的成型基板。四角形的情況，控制以非接觸的搬送比圓形更困難。因此，若角部接觸於防止落下用的側壁就容易破損。然而，在本實施例裝置中，藉由將平台形狀及吸附頭30的形狀變更為超過基板形狀的大小及形狀，可解除該問題。或者，使第1平台21、第2平台22、晶圓搬送機構23的吸附頭30成為四角形即可。
在上述實施例裝置中，也可以構成如下：以 溫度感測器47測定被吸附保持於吸附頭30的晶圓1的溫度，在到達預定溫度的時點，將晶圓1交接給第2平台22。
在上述實施例裝置中，也可以構成如下：在 流路的中途調整氣體的溫度，以取代埋設於吸附頭30內的加熱器46。例如，在外部流路44上安裝溫度調整用的套管。構成為可從2個槽切換溫水或冷卻水而供應給套管51。
在上述實施例裝置中，也可以設定成：步驟 S4中的晶圓1翹曲測定用的基準值係例如考慮晶圓1的厚度誤差而具有預定的無感帶。
本發明可不脫離其思想或本質而用其他的具體形態實施，因此作為顯示發明的範圍者，應參照所附加的申請專利範圍而非以上的說明。

Claims (6)

  1. 一種基板搬送方法，係搬送基板之基板搬送方法，前述方法包含以下過程：前述基板係將排列配置成平面狀的複數個晶片以樹脂模製成型之基板，搬送過程，其係在搬出位置將樹脂在加熱狀態的基板以箱形的吸附頭吸附保持而搬送到搬入位置；在前述搬送過程中，以吸附頭吸附保持基板的外周部分，前述基板的外周部分係偏離晶片從樹脂露出的面側的該露出面，切換供應經加熱的氣體給由前述基板所密閉的吸附頭內與吸引來自該吸附頭內的氣體，一面加壓或減壓而調整該吸附頭內的氣壓，一面將基板維持於平坦而搬送到預定的搬入位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板搬送方法，其中前述吸附頭內的加壓係供應設定於搬出位置的設定溫度與搬入位置的設定溫度之間的溫度之氣體，在前述樹脂降低到預定的溫度時，交接給搬送位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板搬送方法，其中前述加壓或減壓調整係在搬送過程中，以檢測器檢測基板面的位移，按照該檢測結果調整供應給吸附頭內之氣體供應量或吸引來自吸附頭內的氣體吸引量的至少任一者。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板搬送方法，其中在前述基板的搬送過程中，檢測吸附頭內的溫度，按照該檢測結果調整供應給吸附頭內之氣體的溫度。
  5. 一種基板搬送裝置，係搬送基板之基板搬送裝置，前述裝置包含以下構造：前述基板係將排列配置成平面狀的複數個晶片以樹脂模製成型之基板，搬送機構，其係具備箱形的吸附頭，該箱形的吸附頭係吸附保持基板的外周部分，該基板的外周部分係偏離晶片從前述露出的面側的該露出面；氣體壓縮機，其係供應氣體給由前述基板所密閉的吸附頭內或從吸附頭內吸引該氣體；加熱器，其係加熱從前述氣體壓縮機供應的氣體；檢測器，其係檢測以前述吸附頭吸附保持的基板背面的位移；及控制部，其係在以前述吸附頭吸附基板而搬送的過程中，利用檢測器檢測基板背面的位移，按照該檢測結果切換操作氣體壓縮機於吸附頭內的加壓或減壓，調整氣體供應量或吸引量的至少任一者。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板搬送裝置，其中前述裝置進一步包含以下構造：溫度感測器，其係檢測由前述基板所密閉的吸附頭內的溫度； 前述控制部係比較由前述溫度感測器所測定之實測值與預先決定的溫度之基準值，按照求得的偏差操作加熱器，供應經溫度調整過的氣體給吸附頭內。
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