TW201334251A - 用於有機電子裝置之基板 - Google Patents

用於有機電子裝置之基板 Download PDF

Info

Publication number
TW201334251A
TW201334251A TW101138045A TW101138045A TW201334251A TW 201334251 A TW201334251 A TW 201334251A TW 101138045 A TW101138045 A TW 101138045A TW 101138045 A TW101138045 A TW 101138045A TW 201334251 A TW201334251 A TW 201334251A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
light scattering
substrate
electrode layer
Prior art date
Application number
TW101138045A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI593152B (zh
Inventor
Yeon-Keun Lee
Yong-Sik Ahn
Jung-Doo Kim
Min-Choon Park
Ji-Hee Kim
Original Assignee
Lg Chemical Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Chemical Ltd filed Critical Lg Chemical Ltd
Publication of TW201334251A publication Critical patent/TW201334251A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI593152B publication Critical patent/TWI593152B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

本發明係有關於一種用於有機電子裝置之基板、一種有機電子裝置、一該基板及該裝置的製備方法、及一種發光設備。本發明之該有機電子裝置之基板，例如，可被用於生產一有機電子裝置，其使外來物，例如溼氣或氧氣不會進入，且增進耐久度及極佳的光萃取效率。若該有機電子包括一封裝結構，則該基板可穩定地被該封裝結構附著，且一該有機電子裝置之外連接部分之硬表面可被維護至一適當的程度。

Description

用於有機電子裝置之基板
本發明係關於一種用於有機電子裝置之基板、有機電子裝置、該基板及該裝置的製備方法、及發光設備。
本發明係主張分別於2011年10月17日及於2012年10月8日所提出之韓國專利申請第2011-0105957號及第2012-0111540號之優先權，且其所揭示之內容均併入本發明以供參考。
有機電子裝置(OED)係指裝置含有至少一能導電之有機材料層。有機電子裝置的類型包括有機發光裝置(OLED)、有機太陽能電池、有機光導體(OPC)、以及有機電晶體。
典型的有機電子裝置為一有機發光裝置，通常係依順序包含基層、第一電極層及第二電極層。
在已為知悉的底部發光裝置中，第一電極層可以透明電極層構成，第二電極層可以反射電極層構成。而在已為知悉的頂部發光裝置中，第一電極層可以反射電極層構成，第二電極層可以透明電極層構成。
由電極層注入的電子和電洞在有機層中的發 光層再結合以產生光子。採行底部發光的裝置時，光子可朝向基層發出，而採行頂部發光的裝置時，光係可朝向第二電極層發出。在有機發光裝置的結構中，一般作為透明電極層的ITO(氧化銦錫)、有機層、及一般為玻璃的基層，其折射率分別約為2.0、1.8、及1.5。由於其折射率關係，例如：在底部發光裝置中，發光層產生的光子可能會在介於有機層及第一電極層或基層中的介面由內全反射而被捕捉，因此只能發出極小部分的光子。
在有機發光裝置中，另外一個被考慮的重要問題是耐久度，因為有機層或是電極層非常容易因外在成份氧化，像是溼氣或氧氣，所以環境因素的防護對於保持耐久度是至關重要的事。
對於此問題，如美國專利號第6,226,890號及6,808,828號，與日本早期公開公報第2000-145627號及2001-252505號，建議之結構其可阻擋外來成份的介入。
本案提供一種用於有機電子裝置之基板(OED)、一種有機電子裝置(OED)、一種製備該基板或該有機電子裝置的方法、及一種發光裝置。
101‧‧‧基層
102‧‧‧電極層
103‧‧‧光散射層
1032‧‧‧散射區
1032‧‧‧基質材料
401‧‧‧有機層
402‧‧‧第二電極層
403、501‧‧‧封裝結構
404‧‧‧附著劑
502‧‧‧上方基板
圖1至圖3係該基板之實施態樣示意圖
圖4及圖5係該光散射層之實施態樣示意圖。
圖6及圖7係該有機電子裝置之實施態樣示意圖。
圖8係顯示製備該基板之過程之實施態樣流程圖。
圖9及圖10係顯示在實施例2中去除該光散射層與該平坦化層之狀態之影像。
圖11及12係該有機發光裝置之影像，其顯示在實施例中評估的耐久度。
圖13係該有機發光裝置之影像，其顯示在比較例中評估的耐久度。
一個用於有機電子裝置之示範性基板包括一基層；光散射層和電極層。如上所述，光散射層和電極層可以依序組裝在基層上，因此光散射層介於基層和電極層中間。圖1及圖2為基板之示範性態樣之結構，其中組裝在基層(101)上的依序為光散射層(103)及電極層(102)。其中電極層的形成區塊要比光散射層要寬。形成區塊一詞在此可指由上方觀察基板，以此認定之光散射層或電極層的區塊。光散射層可以有不同的組成，只要在製作時使形成的電極層的區塊較光散射層寬即可。在一實施態樣中，光散射層(103)除了基層(101)之邊界外，可僅形成於如圖1所示的區域，或可部分形成在基板的邊界，如圖2所示。
圖3係顯示從上方觀察圖1中之示範態樣基板之結構圖。如同圖3所示，電極層的形成區塊(A)較光散射層的形成區塊(B)為寬，區塊的認定是由上方觀察基板。其 電極層的形成區塊(A)與光散射層的形成區塊(B)之區塊比(A/B)，舉例說明，比值約大於等於1.04、大於等於1.06、大於等於1.08、大於等於1.1、或大於等於1.15。至於(A/B)比值的上限並沒有特定的限制，且可分別約為小於等於2.0、小於等於1.5、小於等於1.4、小於等於1.3或小於等於1.25。藉上述所描述之結構，光散射層在此有機電子裝置生產時不會暴露於外在環境。
在圖3所示之實施態樣中，由上方觀察，電極層可被形成至包含：超過整個光散射層的邊界之區域上。此實例如同圖2所示，在基層上構成有複數個光散射層時，電極層可被形成至包含：超過至少一光散射層的邊界之區域上，舉例來說，至少一光散射層上因而形成有有機層，其後會描述。在一實施態樣中，若有機層亦形成在圖2所示結構之位於左右邊界上之光散射層上，為了使電極層能被形成至超過位於左右邊界上之光散射層之整個邊界之區域，圖2之結構可改變，藉由延伸至左及右邊界而改變。在上述的結構中，其中光散射層被封裝的結構可以藉由與其下方無形成光散射層的電極層連結而形成，將會由其後描述。
對於基層，可採用合適的材料而沒有特別的限制。在一實施態樣裡，當應用於底部發光的裝置時，可使用透明的基層，舉例像是符合可見光之光穿透率為50%或以上的材料。透明的基層範例可包含玻璃基層或是透明的聚合物基層。玻璃基層的範例可包含：鈉鈣玻璃、含鋇/鍶 的玻璃、鉛玻璃、鋁矽矽璃、硼矽玻璃、鋇硼矽玻璃、或石英玻璃之基層。聚合物材質的基層包含像是聚碳酸酯(PC)、丙烯酸類樹脂、聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(醚硫醚)(PES)或聚碸(PS)，但不限於此。如果必要，基層可以是用以驅動TFT的TFT基板。
如以本案基板應用於頂部發光的裝置，基層不必需要為透明基層。如必要，可在基層表面形成如鋁製成之反射層。
在製作有機電子裝置中，電極層可為一般用來注入電洞或電子之電極層。
電洞注入電極層之形成，例如，可採用相對高功函數的材料，並且如必要，使用透明的材料。在一實施態樣中，電洞注入電極層可包括一金屬、一合金、一功函數至少約4.0 eV的電導化合物、或是在此所陳述之至少兩種以上的混合物。此類材料之範例可包含：金屬，例如金、碘化銅；氧化物，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、摻雜有鋁或氧化銦的氧化鋁、氧化鎂銦、氧化鎢鎳、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)或氧化銦(In2O3)；金屬氮化物，如鎵氮化物；金屬硒化物，如硒化鋅；和金屬硫化物，例如硫化鋅。除此之外，透明的電洞注入電極層可使用以堆疊金屬薄膜及高折射率的透明材料的方式組成，金屬薄膜像是金、銀或銅，高折射率的透明材料像是硫化鋅(ZnS)、二氧化鈦(TiO2)或氧化銦錫(ITO)。
電洞注入電極層可以使用任一方法製作，像是 摻雜、濺鍍、化學摻雜或是電化學法。除此之外，如果必要的話，電極層可以透過已知的製程技術來製作圖案，像是光學顯影或遮罩。
透明的電子注入電極層可以用像是有較小功函數的透明材料來形成，例如上述形成電洞注入電極層所用的材料也可以作為合適的材料，但是不在此限。電子注入電極層也可以藉由像是沉積或濺鍍法來製作，並且如果必要的話可適當地進行圖案化。
本案使用的「光散射層」可指一層，其係能對入射光作散射、反射或衍射，只要光散射層能展現上述功能，對於它的實際態樣並沒有特別的限制。
在一實施態樣中，光散射層可以是包含基質材料及散射區之一層。圖4為一光散射層的實施態樣，其中為散射顆粒組成的散射區(1031)並還包括基質材料(1032)，該光散射層係位於基層(101)上。在此「散射區」一詞可指，例如，一具有與周圍材料不同折射率的區域，像是基質材料或一平坦化層，其後會再描述，並且有一個適當的尺寸，因此能對入射光作散射、反射或衍射。舉例來說，散射區可以是有一具有上述折射率及尺寸的顆粒，或為一中空區域。在一實施態樣中，散射區可由具有與周圍材料不同的折射率的顆粒構成，其具有較高或較低的折射率。散射顆粒與周圍材料間之折射率差值，例如與基質材料並/或平坦化層間，其中的差值約大於等於0.3。在一實施態樣中，散射顆粒的折射率約1.0到3.5或1.0到3.0。在此「折射率」 一詞係指由波長550nm的光所量測的折射率。散射顆粒的折射率，舉例來說，可以是介於1.0到1.6或1.0到1.3的範圍。在另一個實施態樣中，散射顆粒的折射率的範圍約2.0到3.5或約2.2到3.0。散射顆粒的例子可包括：一顆粒尺寸平均至少為50 nm、至少為100 nm、至少為500nm或至少1000 nm之顆粒。散射顆粒的平均顆粒尺寸可以是，例如，小於等於10000nm。散射區域也可以是充填空氣的中空區域並且尺寸如上所述。
散射顆粒或區域可以是球狀、橢圓形、或多面體形、或者可以是不規則形，而散射顆粒的形狀沒有特定的限制。散射顆粒的例子可包括：例如其中包括如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸樹脂或其衍生物、有機矽樹脂或其衍生物、線型酚醛樹脂或其衍生物之有機材料；或如二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯之無機材料之顆粒。散射顆粒的組成可包括任一或至少任兩種上述的材料。在一實施態樣中，例如中空二氧化矽或具有核/殼結構的中空顆粒，可用來作散射顆粒。
該光散射層可更包括一基質材料以維持散射區域，例如散射顆粒。形成該基質材料，例如，可採用與鄰近材料(像是基層)近似或較高折射率的材料。在一實施態樣中，可被用作基質材料的有：聚醯亞胺、具有蔥環的卡多樹脂(cardo resin)、氨基甲酸乙酯、環氧化合物、以聚酯或丙烯酸酯為基礎的熱固化性或光固化性的單體、低聚物或聚合物的有機材料；無機材料，如氧化矽、氮化矽、氮 氧化矽或聚矽氧烷；或有機-無機混合材料。
基質材料可包括聚矽氧烷、聚(醯胺酸)或聚醯亞胺。在上述中，製作聚矽氧烷可藉由，例如，由縮合矽烷化合物或矽氧烷低聚物之聚縮合，來形成以矽-氧鍵(Si-O)為基礎的基質材料。藉著調整基質材料形成的縮合條件，可以形成專一基於矽氧烷鍵(Si-O)的聚矽氧烷，或者可以包括部分留有如烷基的有機基團、或如烷氧基的可縮合的官能團。
在一實施態樣中，採用的聚(醯胺酸)或聚醯亞胺對於波長633nm的光的折射率約為大於或等於1.5、約大於或等於1.6、約或大於或等於1.65、或大於或等於1.7。製備此高折射率的聚(醯胺酸)或聚醯亞胺，例如，還可以使用含氟、硫或磷原子之外的鹵元素的單體進行製備。在一實施態樣中，可以使用可以增加顆粒的分散穩定度的聚(醯胺酸)，其係因為其上的官能基(sites)可以連結至顆粒上，像是羧酸基。對於聚(醯胺酸)，可以採用包括如下式1的重覆單元的化合物。
在式1裡，n為正數。
重覆單元可以選擇性的以至少一個取代基取代修飾。取代基的例子可包括除了氟、苯基、芐基、萘基之鹵素原子，或含鹵素原子、硫原子、磷原子之官能基，例如硫代苯基。
聚(醯胺酸)可以是一以式1重複單元構成的均聚物、或一包括除了式1重複單元外的另一單元的嵌段或無規共聚物。在共聚物情況下，例如，只要不會對目標折射率，熱阻和光穿透率有負面影響，可以適當地選擇其它單元的類型和比例。
式2的重複單元如下，可作為式1重複單元的一實施態樣。
在式2中，n為一正數。
在一實施態樣中，聚(醯胺酸)的重量平均分子量，以聚苯乙烯為標準品並以膠體滲透層析儀(Gel Permeation Chromatography,GPC)作測量，約為10,000到100,000或約為10,000到50,000。具如式1重複單元的聚(醯胺酸)，其可見光的光穿透率至少有80%、至少85%、或至少90%，並且有優良的熱阻。
舉例來說，光散射層可以是一有凹凸(concavo-convex)結構的層。圖5為具在基層(101)上之具有凹凸結構之光散射層(103)之一實施態樣。可以經由適當地控制光散射層的凹凸結構以使入射光散射。製備具有凹凸結構的光散射層，例如，可藉由固化熱固性或光固性材料並以模具塑形，其可在固化過程中傳遞目標凹凸結構；或藉由一材料層形成光散射層，然後再藉由蝕刻製程形成凹凸結構等。可做為替代方法的是，藉由在一形成光散射層之黏合劑中結合具有合適寸和形狀的顆粒，以形成光散射層。在此例中，雖然可以無限制地使用具有散射功能的顆粒，然而該顆粒不必須具有散射功能。
形成光散射層可以藉由，例如，以溼塗法塗上材料；以加熱、激光或凝膠法固化材料；或以沉積法，像是化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)；或藉由奈米印刷或微壓印。
如果必要，該光散射層可以更包括一高折射率的顆粒。「高折射率顆粒」一詞，在此是指，例如，一顆粒具有至少1.5、至少2.0、至少2.5、至少2.6、至少2.7之折射率係數。可選擇的高折射率係數顆粒的折射率係數上限，例如，在適合的數值範圍裡以滿足光散射層的目標折射率係數。該高折射率顆粒具有，例如，小於散射顆粒之顆粒尺寸。該高折射率顆粒具有，例如，平均顆粒尺寸為約1 nm到100 nm、10 nm到90 nm、10 nm到80 nm、10 nm到70 nm、10 nm到60 nm、10 nm到50 nm、或10 nm到45 nm。高散 射率顆粒的例子包括氧化鋁，矽鋁酸鹽，鈦氧化物或鋯氧化物。在一實施態樣中，可採行金紅石鈦氧化物作為該高折射率顆粒，其具有至少2.5的折射率。金紅石鈦氧化物有較其它顆粒較高的折射率係數，並且以此高折射率，以相對較小的比率即可達到對目標折射率進行控制。
本案基板可更包括一平坦化層，其在光散射層的上方部分之上。平坦化層可形成相當於光散射層的形成區塊。除非另外定義，此處用語「B具有相當於A的形成區塊」係指該情況，其A的形成區塊與B的形成區塊大致相同，區塊的認定是由上方觀察基板。上述用詞「大致相同」可包括，例如，一種情況，其兩塊區域的形成區塊有很小的差異，此差異來自於製程誤差或類似的誤差。在一實施態樣中，該情況，其「A」的形成區塊(AA)與具有相當於「A」形成區塊之「B」的形成區塊(BA)，比值(AA/BA)為在0.5到1.5的數值範圍內、0.7到1.3、0.85到1.15或大致為1，可以包含於上述情況。當有一附加的平坦化層，光散射層與平坦化層位在基層與電極層之間，電極層的形成區塊可較寬於光散射層與平坦化層的形成區塊，並且電極層可形成於基層之未形成有光散射層與平坦化層之表面。儘管如此，在平坦化層不是強制性的，並且可以省略，例如，如果在光散射層本身形成已是平坦的情況。
平坦化層可以提供，例如，一表面，其上電極層可形成於光散射層上，並且透過與光散射層的作用，可得到較好的光萃取效率。平坦化層應具有，例如，一相當 於鄰近電極層的折射係數。平坦化層的折射係數可以是，例如，等於或大於1.7、從1.8到3.5或從2.2到3.0。當平坦化層形成於具有上述凹凸結構的光散射層之上時，可形成與光散射層不同的折射係數之平坦化層。
形成平坦化層，例如，可藉由混合上述高折射率顆粒與基質材料。在一實施態樣中，在描述光散射層的部分裡的基質材料，皆可被用作為此所說的基質材料。
在另外的實施態樣中，形成平坦化層可使用一種材料，其中金屬的醇鹽或醯化物，如鋯、鈦或鈰的化合物，係與具有如羧基基團或羥基基團之極性基團之黏合劑結合。醇鹽或醯等化合物可與黏合劑之極性基團行縮合反應，並且藉由引入金屬至黏合劑的骨架裡可獲得高折射係數。醇鹽或醯化物的化合物例子可包括鈦的醇鹽，如四正丁氧基鈦、四異丙氧基鈦、四-n-丙氧基鈦或四乙氧基鈦；鈦醯化物，如硬脂酸鈦、鈦螯合物；鋯的醇鹽如四正丁氧基鋯、四正丙氧基鋯、四異丙氧基鋯、四乙氧基鋯；鋯醯化物，如三丁硬脂酸鋯和鋯螯合物。形成平坦化層可藉由凝膠塗佈法，其係提供塗佈溶液施加在一個適當的溫度下燒結，其塗佈溶液的製備可藉由，混合如鈦的醇鹽或鋯醇鹽的金屬醇鹽與一種如醇或水的溶劑。
本案關於一種有機電子裝置(OED)。一說明用的有機電子裝置包含一基板，其包括一基層、一光散射層和一電極層。在一實施態樣中，具有上述結構之上述基板可被用來作為該基板。在一實施態樣中，有機電子裝置可 包括一基層、形成於該基層上的光散射層、形成於該光散射層的第一電極層、形成於第一電極層之上的有機層、和形成於有機層上的第二電極層。在上述中，第一電極層的形成區塊比光散射層形成區塊要大，且該電極層也形成於該基層之未形成有光散射層之表面。在上述中，上述的說明可一樣地套用在關於基層、第一電極層與光散射層，並且如果必要，之前所述的平坦化層可介於光散射層及一第一電極層間。
在一實施態樣中，有機層可包括至少一發光層。在一實施態樣中，當第一電極層為透明且第二電極層為一反射電極層，可得到一底部發光裝置，其中於有機層中的發光層產生的光，穿透光散射層並向基層發射。
有機電子裝置中的光散射層，例如，可具有一形成區塊係相當於或大於發光層中的發光區塊。在一實施態樣中，該光散射層形成區塊之長度(B)與該發光層的發光區塊之長度(C)之差值，即一長度差(B-C)，可為在約10μm到約2mm的數值範圍內。在上述裡，光散射層形成區塊之長度(B)為由上方觀察光散射層時所判定區域之任一方向的長，並且在此例中，發光區塊的長度(C)係指與光散射層形成面中相同的方向作測量，其中區塊認定是由上方觀察發光區塊。光散射層也形成於相當於發光區塊的位置。「光散射層形成於相當於發光區塊的位置」一詞在此處係指，例如，由上方或下方觀察有機電子裝置，發光區塊及光散射層大致重疊的情況。
在一實施態樣中，該有機電子裝置可為一種有機發光裝置(OLED)。此有機發光裝置的例子中，該有機電子裝置，例如，可具有一種其中包含至少一發光層的有機層，被夾於一電洞注入電極層及一電子注入電極層的結構。在一實施態樣中，若一基板中的電極層為電洞注入電極層，則第二電極層可為電子注入電極層，或是若一基板中的電極層為電子注入電極層，則第二電極層可為電洞注入電極層。
介於電子和電洞注入電極層間的有機層可包括至少一發光層。該有機層可包含一複數層，例如，至少兩層發光層。當包括至少兩層發光層的時候，發光層可具有一結構，其中發光層係藉由具有電荷產生的特性或電荷產生層(a charge generating layer,CGL)之中介電極層分離。
形成該發光層，例如，可藉由使用在此領域已知悉之各種螢光或磷光有機材料。對於發光層材料的例子包括：Alq型材料，像是三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(Alq3)、4-MAlq3或Gaq3；C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、spiro-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)；環戊二烯衍生物，像是PPCP(1,2,3,4,5-五苯基-1,3-環戊二烯)、DPVBi(4,4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)-1,1'-聯苯)；二苯乙烯基苯或其衍生物或DCJTB(4-(二氰基亞甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃)、DPP、AAAP、NPAMLI；或磷光材料，像是Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2銥(乙醯 丙酮)、(C6)2銥(乙醯丙酮)、bt2銥(乙醯丙酮)、dp2銥(乙醯丙酮)、bzq2銥(乙醯丙酮)、bo2銥(乙醯丙酮)、F2銥(bpy)、F2銥(乙醯丙酮)、op2銥(乙醯丙酮)、ppy2銥(乙醯丙酮)、tpy2銥(乙醯丙酮)、F銥ppy(fac-三[2(4,5'-二氟苯基)吡啶-C2',N]銥(III))、或Btp2銥(乙醯丙酮)(雙(2-(2'-苯並[4,5-a〕噻吩基)吡啶-N,C3')銥(乙醯丙酮))，但不限於此。發光層可具有一主體-摻雜(Doping)的系統，其包括作為主體之前述材料，和作為摻雜劑之二萘嵌苯、二苯乙烯基聯苯、DPT、喹吖啶酮、紅熒烯、BTX、ABTX、DCJTB等。
形成發光層係可使用一種具有吸電子有機化合物或供電子有機化合物之發光特性之適當型式，其化合物會在下方描述。
有機層的組成可為各式結構，其只要包含發光層，可更包括在此領域中已知的其它各種功能層。可包含在有機層裡的層的例子，可包括一電子注入層、一電洞攔阻層、一電子傳輸層、一電洞傳輸層、以及一電洞注入層。
形成電子注入層或電子傳輸層，舉例來說，可使用吸電子的有機化合物。任一已知的化合物可沒有特別限制地被用作吸電子的有機化合物。這些化合物的例子可包含多環化合物或其衍生物，如對三聯苯、四聯苯；多環烴化合物或其衍生物，如富馬酸二甲酯、四苯、芘、蔻、屈、蒽、二苯基蒽、並四苯或菲；雜環化合物或其衍生物，如菲咯啉、紅菲咯啉、菲啶，吖啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪。此外，螢光素、苝、酞、萘、紫環酮、銀光苝、紫環苝、 二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、惡二唑、醛連氮、二苯並、聯苯乙烯、吡嗪、環戊二烯、羥基喹啉、氨基喹啉、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚次甲基、部花青、喹吖啶酮、紅熒烯、或它們的衍生物；金屬螯合配位化合物，被揭露於日本早期公開第1988-295695號、第1996-22557號、1996-81472號、1993-009470號、以及1993-017764號，例如，金屬螯合喹啉酮化合物，如三(8-羥基喹啉)鋁、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙[苯並(f)-8-羥基喹啉]鋅、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣，以上其都具有至少一個8-羥基喹啉或其衍生物作配位基的金屬複合物；惡二唑化合物，揭露於日本早期公開第1993-202011號、第1995-179394號、第1995-278124、或第1995-228579號；除草劑化合物，揭露於日本早期公開第1995-157473號；二苯乙烯衍生物，揭露於日本早期公開第1994-203963號；苯乙烯衍生物，揭露於日本早期公開第1994-132080號或於日本早期公開第1994-88072；二烯烴衍生物，揭露於日本早期公開第1994-100857號或於日本早期公開公報第1994-207170號；螢光增亮劑，像是苯並噁唑化合物、苯並噻唑化合物、或苯並咪唑化合物；二苯乙烯基苯化合物，例如1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-乙基苯 乙烯基)苯、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯、或1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2,5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-雙(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(4-聯苯基)乙烯基]吡嗪、2,5-雙[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二亞甲基己二胺化合物或其衍生物，如1,4-亞苯基、4,4'-亞苯基、2,5-二甲苯二亞甲基己二胺、2,6-萘二亞甲基己二胺、1,4-二亞苯基二亞甲基己二胺、1,4-對-三元共縮聚苯基二亞甲基、9,10-蒽基二亞甲基、4,4'-(2,2-二-叔-丁基苯基)聯苯、4,4'-(2,2-二苯基乙烯基)聯苯；矽烷胺衍生物，揭露於日本早期公開第1994-49079或第1994-293778號；在日本早期公開第1994-279322或日本早期公開第1994-279323號揭示的多官能苯乙烯基化合物；在日本早期公開第1994-107648號或日本早期公開第1994-092947號中揭示的惡二唑衍生物；在日本早期公開第1994-206865號中揭示的蒽化合物；在日本早期公開第1994-145146號揭示的8-羥基喹啉衍生物；在日本早期公開第1992-96990號中揭示的四苯基丁二烯化合物；在日本早期公開第1991-296595號中揭示的有機三官能基化合物；香豆素衍生物，揭示在日本早期公開第1990-191694號；在日本早期公開第1990-196885號揭示的苝衍生物；公開在日本早期公開第1990-255789號中揭示的萘衍生物；酞衍生物，揭示在日本早期公開第1990-289676號或日本早期公開第1990-88689號；或在日本 早期公開第1990-250292號中揭示的苯乙烯基胺衍生物，可以被用作於低折射率層中之吸電子的有機化合物。另外，在上述中，形成電子注入層，例如，可用氟化鋰或氟化銫。
電洞阻擋層是阻擋從電洞注入電極層注入之電洞穿過發光層進入電子注入電子層之一層，因此，增加了裝置的壽命，並且如果必要可使用已知的材料使電洞阻擋層形成於發光層與電子注入電極層間適合的部分。
電洞注入層或電洞傳輸層，例如，可包括一供電子的有機化合物。供電子的有機化合物的代表性的例子包括芳基胺化合物，如N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基苯基、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二氨基聯苯、2,2-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N',N'-四-對-甲苯基-4,4'-二氨基聯苯、雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(4-甲氧基苯基)-4,4'-二氨基聯苯、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基二苯醚、4,4'-雙(二苯基氨基)對四聯苯、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4'-N,N-二苯基氨基苯乙烯苯、N-苯基咔唑、1,1-雙(4-二-對-三氨基)環己烷、1,1-雙(4-二-對-三氨基)-4-苯基環己烷、雙(4-二甲氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(p-甲苯基)胺、4-(二-對-甲苯基氨基)-4'-[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基聯苯N-苯基咔唑、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯、4,4”-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對三聯苯、4,4'-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4'-雙[N-(3-苊基)-N-苯基 氨基]聯苯、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4'-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯苯苯基氨基]聯苯、4,4”-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-對-三聯苯、4,4'-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4'-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4'-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4'-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4'-雙[N-(1-暈基)-N-苯基氨基]聯苯、2,6-雙(二-對-甲苯基氨基)萘、2,6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4”-雙[N，N-二(2-萘基)氨基]三聯苯、4,4'-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}聯苯、4,4'-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯苯、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)氨基]芴、4,4”-雙(N,N-二-對甲苯基氨基)三聯苯和雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但是本發明不限於此。
形成電洞注入層或電洞傳輸層可藉由在一聚合物中散佈一有機材料，或使用從有機材料衍生的聚合物。並且，可使用所謂的π共軛聚合物，如聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物；電洞傳輸的非共軛聚合物，如聚(N-乙烯基咔唑)、或者聚矽烷的σ-共軛聚合物。
形成電洞傳輸層可使用金屬酞菁如銅酞菁；非金屬酞菁；碳膜或導電性聚合物如聚苯胺；或藉由作為氧化劑的芳基胺化合物與Lewis酸反應。
根據一實施態樣，該有機發光裝置可具有一多層結構，其依序如下：(1)電洞注入電極層/有機發光層/電子注入電極層；(2)電洞注入電極層/電洞注入層/有機發光層/電子注入電極層；(3)電洞注入電極層/有機發光層/電子注入 層/電子注入電極層；(4)電洞注入電極層/電洞注入層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層；(5)電洞注入電極層/有機半導體層/有機發光層/電子注入電極層；(6)電洞注入電極層/有機半導體層/電子障壁層/有機發光層/電子注入電極層；(7)電洞注入電極層/有機半導體層/有機發光層/附著改善層/電子注入電極層；(8)電洞注入電極層/電洞注入層/電洞傳輸層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層；(9)電洞注入電極層/絕緣層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；(10)電洞注入電極層/無機半導層/絕緣層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；(11)電洞注入電極層/有機半導體層/絕緣層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；(12)電洞注入電極層/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；(13)電洞注入電極層/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層；包含至少兩層發光層的有機層之結構，其介於電洞注入電極層及電子注入電極層，此結構以具有產生電荷的特性之中介電極層或一電荷產生層(CGL)分開，但本案不在此限。
用作形成電洞或電子注入電極層及有機層(例如發光層、電子注入層或傳輸層、電洞注入層或傳輸層)的各式材料，以及在此領域形成相同物的方法，並且該有機電子裝置可以根據上述相同的方式製造。
該有機電子裝置可更包括一封裝結構。該封裝結構可作為一保護用的結構，防止像是溼氣或氧氣的外來 物介入有機電子裝置之有機層。該封裝結構，例如，可以是一密封容器，例如玻璃容器或金屬容器或一覆蓋有機層全表面的膜。
圖6為一實施態樣之圖樣，其中一有機層(401)形成於該基板上，該基板依序包括一基層(101)、一光散射層(103)、及一第一電極層(102)，並且一第二電極層(402)以一封裝結構保護(403)，其具有一密封容器結構，像是一玻璃容器或一金屬容器。如同圖6所示，該封裝結構(403)，例如，可以藉一附著劑(404)連結於基板上。該封裝結構，例如，可以連結於該電極層，其下方未形成在基板中之光散射層。在一實施態樣中，如圖6所示，該封裝結構(403)可藉由一附著劑(404)連結於基板的邊緣部分。以此方式，藉由封裝結構的保護效果可以最大化。
該封裝結構，例如，可以是一覆蓋於有機層及/或第二電極層的整側的膜。圖7所示為以膜的型式覆蓋於有機層(401)及第二電極層(402)的整側之該封裝結構(501)的實施態樣示意圖。在一實施態樣中，如圖7所示，膜型式的封裝結構(501)可覆蓋有機層(401)及第二電極層(402)的整個表面，並且可使基板與上方的第二基板(502)連結，其中基板包含基層(101)、光散射層(103)、和電極層(102)。在上述中，第二基板的範例，例如，可以包括一玻璃基板、一金屬基板、一聚合物膜、或一障蔽層。形成膜型式的封裝結構，例如，藉由塗布及固化可被熱或紫外光(UV)照射而固化之一液相材料，像是一環氧樹脂；或藉由使用一附著 片層疊該基板和該上方基板；及類似方式，其使用環氧樹脂等之材料製備之膜的形式。
封裝結構如果必要，可包括一吸濕劑或一吸氣劑，像是一金屬氧化物，如氧化鈣或氧化鈹；金屬鹵化物，像是氯化鈣、或五氧化二磷。該吸濕劑或該吸氣劑，例如，可以是被包含在膜形式的封裝結構裡面，或在具容器結構的封裝結構中的特定位置。此外，封裝結構可更包括一障蔽膜或一導電膜。
如圖6或圖7所示，該封裝結構，例如，可連結於一第一電極層的上方部分，其下方未形成光散射層或光散射層及平坦化層。因此，可達成使光散射層、或光散射層及平坦化層不會暴露於外在環境之密封結構。該密封結構，例如，可意指一種狀態，其光散射層、或光散射層及平坦化層的全部側邊被該基層、電極層及/或封裝結構圍繞；或被形成之包含該基層、該電極層及/或該封裝結構之一密封結構圍繞；由此使其不會暴露於外在環境。該密閉結構，只要它形成以致於光散射層、或光散射層及平坦化層不會暴露於外在環境，可以僅形成於基層、電極層及/或封裝結構、或可包括隨著基層、電極層和封裝結構之其它元件。在一實施態樣中，圖6或圖7其它其他元件可以在基層(101)和電極(102)接觸之部分、或是第一電極(102)或及封裝結構(403,501)的接觸之部分、或是其它位置。其它元件的例子可包含蒸汽通透低的有機材料、無機材料或有機-無機混合材料、或一絕緣層或一輔助電極。
本應用關於一種製備用於一有機電子裝置之基板的方法、或用於製備一有機電子裝置的方法。該說明用的方法可包括：藉著處理光散射層、或光散射層及平坦化層，以去除至少一部分基層上之光散射層、或光散射層及平坦化層。在基板上形成的光散射層、或光散射層及平坦化層，如上所述經過處理，例如，可經圖案化而成為僅對應於發光區塊的位置。
在一實施態樣中，如圖8所示，在基層(101)的整側形成光散射層(103)後，至少一部分的已形成之光散射層可被移除。除此之外，當該平坦化層延著光散射層形成，平坦化層可延著光散射層被移除。在基層上形成光散射層及/或平坦化層之該方法係沒有特別限制，並且任何一般常用的方法皆可被應用到各光散射層及或平坦化層的實施態樣。在一實施態樣中，光散射層及/或平坦化層可以經由上述塗佈法、沉積法(像是化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD))、或奈米印刷或微壓印法而形成。
移除在基層上之至少一部分的光散射層、或光散射層並平坦化層之方法，係沒有特別限制，並且可依形成之光散射層或形成之光散射層及平坦化層之類型以使用一合適的方法。
在一實施態樣中，移除該層可藉由應用溼或乾式蝕刻，其中光散射層並/或平坦化層係以蝕刻溶液處理，其可溶解像這類的層。
在另一實施態樣中，該光散射層及/或該平坦 化層可經由雷射處理移除。在一實施態樣中，在基層上形成該光散射層及/或平坦化層之後，移除的過程可藉由照射一雷射來執行。如果該基層為透明，可照射該雷射，例如，從形成的光散射層及/或平坦化層的側邊，或從基層的一邊。
只要具有一合適的輸出以移除該光散射層及/或該平坦化層，任何型式的雷射都可使用。
在一實施態樣中，一光纖二極體雷射、或紅寶石(Cr3+：Al2O3)、YAG(Nd+3+：Y3Al5O12)、磷酸玻璃、矽玻璃或YLF(Nd3+；LiYF4)可被使用作為雷射。照射此一雷射，例如，可以是一點雷射或一行束雷射。只要其被控制以達到合適的處理，該雷射的照射條件沒有特別限制。在一實施態樣中，具有一紫外光(UV)到紅外光(IR)的波長之該雷射可照射以約1瓦至約10瓦的輸出，但是不在此限。
該光散射層及/或該平坦化層也可藉水刀法去除。該水刀法係藉由噴出在特定壓力的水以移除物體的方法。在一實施態樣中，移除該光散射層及/或該平坦化層可藉由噴水，其壓力大約為500 atm至2000 atm或是約為800 atm至1300 atm。一磨料劑可更被包括於該壓力水以達到有效移除之噴灑。作為該磨料，在考量被移除的物料，可以一合適的比例使用一已知悉之合適材料。
當應用該水刀法時，噴灑半徑或速度係無特別限制，並且可依移除的部分或移除的圖案而選擇。在一實施態樣中，水刀處理的期間，噴灑寬度可被控制以達約1 mm 至約10 mm或約2 mm至約5 mm。以此方式，可以達成精確的移除該光散射層及/或該平坦化層。此外，經由水刀法之噴灑(蝕刻)速度，例如，可以是約300 mm/min至約2000 mm/min、或約500 mm/min至約1200 mm/min，因而確保合適的處理效率及達成有效移除。
該光散射層及/或該平坦化層之一處理型式係無特別限制，並且可依目地而變化。在一實施態樣中，可進行該處理過程以致於至少一部分之光散射層被移除，因此導致留下的該光散射層及/或平坦層之位置對應於該發光層之一發光區塊，並且其形成區塊相似或大於該發光層或藉發光層形成之發光區塊。此外，如果必要，該光散射層可處理不同的圖案。此外，可移除該光散射層、或該光散射層及該平坦化層之一堆疊結構中，對應於塗佈有附著劑以與該封裝結構連結的區域、或對應於該裝置之連接部分的位置。
該方法可進一步包括：在移除該光散射層或該光散射層及該平坦化層之堆疊結構後，形成一電極層。在此實施態樣中，可形成該電極層以形成一封閉結構，其能使與基層處理之該光散射層及/或該平坦化層密閉。形成該電極層之方法係無特別限制，並且可使用任一方法，像是已知悉之沉積法、濺鍍法、化學沉積、或電化學法。
製備一有機電子裝置之該方法可包括在形成如上之該電極層之後，形成該有機層，其包含一發光層和該第二電極層，並且更一步包括形成一封裝結構。例如， 可藉已知的方法形成該有機層、該第二電極層及該封裝結構。
本案係關於該上述之有機電子裝置之用徒，像是一有機發光裝置。該有機發光裝置，例如，可有效的應用於液晶顯示裝置的背光(LCD)、發光設備、各式不同的感應器、用於印表機或影印機之光源、車輛儀表的光源、訊號燈、導航燈、顯示裝置、以及面發光裝置之光源、顯示器、裝飾或各式燈光。在一特別例子中，本案關於一發光設備，其包括該有機發光裝置。當該有機發光裝置係可被應用到該發光設備或其它應用時，製造該裝置或部分裝置之方法係無特別限制，並只要該有機裝置被採用，此領域中的任一材料或方法皆可被接受。
效果
本案之用於一有機電子裝置之該基板，例如，可被用於製造一有機電子裝置，其使外來物，例如溼氣或氧氣不會進入，且增進耐久度及極佳的光提取效率。若該有機電子包括一封裝結構，則該基板可穩定地附著至該封裝結構，且可維持該有機電子裝置之外連接部分之表面硬度至一適當的程度。
在下文中，本案應用之實施態樣將藉由根據本發明之實施例及非根據本發明之比較例而加以詳述，然而，本案應用之範圍係無限制在下方實施例。
[實施例] [實施例1]
製備用於形成一光散射層之一塗佈溶液，其藉由混合具有平均粒徑接近200 nm之散射顆粒(鈦氧化物顆粒)與包含作縮合矽烷之四甲氧基矽烷之溶膠-凝膠塗佈溶液，且充分地散佈。塗佈該製備好之塗佈溶液至一玻璃基層之整個表面。然後，使用浸潤有丙酮之布移除一部分的該光散射層，以致於留下的該光散射層之位置對應於發光區塊，其考慮到後來形成的有機層之發光層之位置；並且其後藉溶膠-凝膠反應形成該光散射層。之後，在該光散射層塗佈一高折射係數塗佈溶液，其製備是藉由混合具有折射係數為約2.5及平均粒徑為約10 nm之高折射係數鈦氧化物顆粒、與同樣包含四甲氧基矽烷的溶膠-凝膠塗佈溶液；並藉著使用浸潤有丙酮之布移除其一部分，以致留下的層之位置可對應於發光區塊及形成區塊可對應於該光散射之形成區塊，其考慮到之後形成之有機層的發光層之位置。其後，執行層之溶膠-凝膠反應以便形成具有約1.8的折射率之平坦化層。在移除之後，藉由一般濺鍍法在玻璃基層之整個表面形成包含銦鍚氧化物之一電洞注入電極層；並且其後使用一般材料及方法形成一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層、一電子注入層及一電子注入電極層。之後，製備一玻璃容器製備如圖6所示之具封裝結構之該有機發光裝置。
[實施例2]
如在實施例1中以相同的方式製備該有機發光裝置，除了執行一水刀法以去除該光散射層及平坦化層。 執行該水刀法係藉由噴灑達1000 atm之壓力水，以在噴嘴移動一次下，形成一約3 mm之蝕刻寬度。更具體地說明，如圖9所示，執行圖案化使得先在一方向上移除該光散射層及該平坦化層；並且之後，如圖10所示，在另一垂直於上述方向之方向移除該光散射層及該平坦化層，以形成該留下的光散射層及平坦化層，其在該基板的中心，具有垂直長度約5公分及水平長度約5公分之矩形的形狀。之後，該電極層、該有機層並電極層係以與實施例1相同的方式形成，並且藉由連結一玻璃容器製備該有機電子裝置。在上述中，形成有機層之該發光層之該發光區塊，以在該基板的中心具有垂直長度約4公分及水平長度約4公分的矩形。
[比較例1]
以如實施例1之相同方式製備該有機發光裝置，除了沒有移除在玻璃基層之全表面上的該光散射層及該平坦化層；在那狀態下形成ITO電極層；並依序形成該有機層、該第二電極層、及該封裝結構以製造該有機發光裝置。
[測試例]：發光狀態之測量
在觀察實施例與比較例之有機發光裝置之起始發光狀態後，每一裝置係置於攝氏85度500小時下，其後再測量發光狀態以判定耐久度。圖11和12之影像分別顯示實施例1及實施例2在該起始發光狀態(圖11(a)及12(a))以及在攝氏85度500小時後之發光狀態(圖11(b)及12(b))；並且圖13之說明用影像，其顯示比較例1的起始發光狀態 (圖13(a))及在攝氏85度500小時後之發光狀態(圖13(b))。從該些影像中，比較例1之情況，在500小時後觀察到許多壞點，因此確認係亮度的均勻性急劇地降低。
101‧‧‧基層
102‧‧‧電極層
103‧‧‧光散射層

Claims (20)

  1. 一種用於有機電子裝置之基板，依序包括：一基層；一光散射層；以及一電極層；其中，該電極層的形成區塊大於該光散射層的形成區塊，且該電極層亦形成於該基層之未形成有該光散射層之表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該電極層之形成區塊(A)與該光散射層形成區塊(B)的比值(A/B)為大於或等於1.04。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該電極層係形成超過該光散射層的全部邊界。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該基層為透明。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該電極層為一可注入電洞或可注入電子的電極層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該光散射層包括一基質材料及一光散射顆粒，其具有與該基質材料不同的折射率。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板，其中該基質材料包括聚矽氧烷、聚(醯胺酸)或聚醯亞胺。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之基板，其中該光散射顆粒的折射率在1.0到3.5的範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該光散射層具有一凹凸(concavo-convex)結構。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之基板，更包括：一平坦化層，其係在該光散射層與該電極層之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之基板，其中該平坦化層的折射率為等於或大於1.7。
  12. 一種有機電子裝置包括：一基層；一光散射層，其形成於該基層之上；一電極層，其形成於該光散射層之上；一有機層，其形成於該第一電極層上，並且包括一發光層；以及一第二電極層，其形成於該有機層之上；其中該第一電極層的形成區塊大於該光散射層的形成區塊，並且該電極層係形成於該基層之未形成該光散射層之表面。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機電子裝置，其中該光散射層形成區塊之長度(B)與該發光層的發光區塊之長度(C)之差值，即長度差(B-C)，係為在10μm至2mm的數值範圍內。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機電子裝置，更包括：一封裝結構，其保護該有機層及該第二電極層，並 附著於下方未形成該光散射層之該第一電極層之上方表面。
  15. 其如申請專利範圍第14項所述之有機電子裝置，其中該封裝結構為一玻璃容器或一金屬容器。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之有機電子裝置，其中該封裝結構為一層膜，其係覆蓋有機層和第二電極層之全部表面。
  17. 一種製備一有機電子裝置之基板的方法，包括：藉由處理形成於一基層上的一光散射層，以去除至少一部分之該光散射層。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該光散射層的處理係藉由執行溼式蝕刻、乾式蝕刻、雷射處理、或水刀。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，更包括：在一區域形成一電極層，該區域包含已去除該光散射層的區域。
  20. 一發光裝置，其包括申請專利範圍第12項所述之該有機電子裝置。
TW101138045A 2011-10-17 2012-10-16 用於有機電子裝置之基板 TWI593152B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110105957 2011-10-17
KR1020120111540A KR101353434B1 (ko) 2011-10-17 2012-10-08 유기전자소자용 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201334251A true TW201334251A (zh) 2013-08-16
TWI593152B TWI593152B (zh) 2017-07-21

Family

ID=48440809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101138045A TWI593152B (zh) 2011-10-17 2012-10-16 用於有機電子裝置之基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9461275B2 (zh)
EP (1) EP2770551B1 (zh)
JP (1) JP5709194B2 (zh)
KR (2) KR101353434B1 (zh)
CN (1) CN104303327B (zh)
TW (1) TWI593152B (zh)
WO (1) WO2013058505A2 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104508854B (zh) * 2012-07-31 2017-12-01 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
CN103928489A (zh) * 2013-08-02 2014-07-16 厦门天马微电子有限公司 有机发光二极管显示面板及其形成方法
WO2015022922A1 (ja) * 2013-08-14 2015-02-19 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 発光素子、及び発光素子の製造方法
JPWO2015141397A1 (ja) * 2014-03-17 2017-04-06 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR101582175B1 (ko) * 2015-03-17 2016-01-05 에이피시스템 주식회사 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管
JP6487125B1 (ja) * 2017-06-27 2019-03-20 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルディスプレイおよびその製造方法、ならびにフレキシブルディスプレイ用支持基板
US10448481B2 (en) * 2017-08-15 2019-10-15 Davorin Babic Electrically conductive infrared emitter and back reflector in a solid state source apparatus and method of use thereof
CN109148728B (zh) * 2018-08-31 2019-10-29 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2879080B2 (ja) 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2997021B2 (ja) 1990-08-10 2000-01-11 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891783B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891784B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JP3228301B2 (ja) 1992-09-07 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3163589B2 (ja) 1992-09-21 2001-05-08 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JP3287421B2 (ja) 1992-10-19 2002-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06230364A (ja) * 1993-02-02 1994-08-19 Toppan Printing Co Ltd 反射型液晶表示装置用カラーフィルター
JP3211994B2 (ja) 1993-03-26 2001-09-25 出光興産株式会社 ４官能スチリル化合物およびその製造法
JP3214674B2 (ja) 1993-03-26 2001-10-02 出光興産株式会社 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JP3300827B2 (ja) 1993-12-21 2002-07-08 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3539995B2 (ja) 1993-12-21 2004-07-07 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3496080B2 (ja) 1993-12-24 2004-02-09 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
US6064355A (en) 1994-05-24 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for playback with a virtual reality system
EP0700917B1 (en) 1994-09-12 2002-05-08 Motorola, Inc. Light emitting devices comprising organometallic complexes
JPH11329742A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置
US6139283A (en) 1998-11-10 2000-10-31 Visteon Global Technologies, Inc. Variable capacity swash plate type compressor
JP2001252505A (ja) 2000-03-14 2001-09-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 脱水装置におけるマットフォーメーションプレートとドラム型フィルターとの間隔調整機構
US6661029B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
JP2003057413A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光散乱基板用感光性樹脂組成物、及びそれを用いて製造された光散乱基板とその製造方法
US6808828B2 (en) 2001-08-23 2004-10-26 Tohoku Pioneer Corporation Organic electroluminescent display panel
DE10212639A1 (de) 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
JP2004022438A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 表示装置
US6825983B2 (en) * 2002-08-06 2004-11-30 Eastman Kodak Company Optical element containing an interference fringe filter
US7133032B2 (en) * 2003-04-24 2006-11-07 Eastman Kodak Company OLED display and touch screen
US20040217702A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Garner Sean M. Light extraction designs for organic light emitting diodes
JP2005108678A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Optrex Corp 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US7268485B2 (en) * 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
EP1548856A3 (en) * 2003-12-26 2012-08-08 Nitto Denko Corporation Electroluminescence device, planar light source and display using the same
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
KR100679372B1 (ko) * 2005-02-25 2007-02-05 엘에스전선 주식회사 매립된 회절격자를 가진 레이저 다이오드 및 그 제조방법
US7276848B2 (en) * 2005-03-29 2007-10-02 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7245065B2 (en) * 2005-03-31 2007-07-17 Eastman Kodak Company Reducing angular dependency in microcavity color OLEDs
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US7851995B2 (en) * 2006-05-05 2010-12-14 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
JP2007311046A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
BRPI0712338A8 (pt) * 2006-06-07 2016-09-27 Koninklijke Philips Electronics Nv Dispositivo de iluminação, e, método para fabricar um dispositivo de iluminação
US8174187B2 (en) * 2007-01-15 2012-05-08 Global Oled Technology Llc Light-emitting device having improved light output
KR20080075359A (ko) * 2007-02-12 2008-08-18 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디스플레이
US20080237611A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved contrast
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
US7902748B2 (en) 2007-05-31 2011-03-08 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
JP2009004275A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Panasonic Electric Works Co Ltd 面発光体及び面発光体の製造方法
KR20100063729A (ko) * 2007-08-27 2010-06-11 파나소닉 전공 주식회사 유기 이엘 소자
RU2480967C2 (ru) * 2008-02-27 2013-04-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Скрытые органические оптоэлектронные устройства со светорассеивающим слоем
US8502440B2 (en) * 2008-04-22 2013-08-06 Zeon Corporation Organic electroluminescent light source
KR101029299B1 (ko) * 2008-12-30 2011-04-18 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
EP2384086B1 (en) * 2009-01-26 2018-04-11 Asahi Glass Company, Limited Substrate for electronic device and electronic device using same
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
KR101318374B1 (ko) * 2009-12-03 2013-10-16 한국전자통신연구원 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP5441663B2 (ja) 2009-12-16 2014-03-12 株式会社ソノコム 多層構造メタルマスク
KR20110071530A (ko) * 2009-12-21 2011-06-29 삼성모바일디스플레이주식회사 표시장치용 편광 필름 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치
WO2011126097A1 (ja) * 2010-04-08 2011-10-13 旭硝子株式会社 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法
KR101883128B1 (ko) * 2011-06-21 2018-07-27 카티바, 인크. Oled 마이크로 공동 및 버퍼 층을 위한 물질과 그 생산 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2770551A2 (en) 2014-08-27
JP2014532276A (ja) 2014-12-04
TWI593152B (zh) 2017-07-21
WO2013058505A3 (ko) 2013-06-20
WO2013058505A2 (ko) 2013-04-25
CN104303327B (zh) 2018-03-16
KR101427536B1 (ko) 2014-08-07
KR101353434B1 (ko) 2014-01-21
KR20130041729A (ko) 2013-04-25
US20140225098A1 (en) 2014-08-14
EP2770551A4 (en) 2015-08-19
CN104303327A (zh) 2015-01-21
US9461275B2 (en) 2016-10-04
EP2770551B1 (en) 2018-05-02
KR20130115184A (ko) 2013-10-21
JP5709194B2 (ja) 2015-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI593152B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TWI611610B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TWI523292B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TWI535088B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TWI551446B (zh) 用於有機電子裝置之基板
CN104335381B (zh) 用于有机电子器件的基板
JP6186652B2 (ja) 有機電子素子用基板
TW201424075A (zh) 用於有機電子裝置之基板
JP6241797B2 (ja) 有機電子素子用基板
KR20130135142A (ko) 유기전자장치
KR101589344B1 (ko) 유기전자소자용 기판