TW201324652A

TW201324652A - 晶粒接合器及接合方法

Info

Publication number: TW201324652A
Application number: TW101128231A
Authority: TW
Inventors: Nobuhisa Nakajima; Fukashi Tanaka; Hiroshi Maki
Original assignee: Hitachi High Tech Instr Co Ltd
Priority date: 2011-09-19
Filing date: 2012-08-06
Publication date: 2013-06-16
Also published as: KR20130030718A; TWI518824B; US20130071956A1; US8727202B2; KR101384494B1; CN103000562B; JP2013065732A; JP5813432B2; CN103000562A

Abstract

提供在晶粒未有破裂時，可以判斷彎曲之產生的高信賴性之晶粒接合器。本發明係藉由吸附器將晶粒予以吸附；使黏著有晶粒的切割帶上推；使上述吸附器所吸附而被上述上推的上述晶粒由上述切割帶予以剝離；將剝離後的上述晶粒接合於基板的晶粒接合器或接合方法之中，依據上述上推時之上述吸附器與上述晶粒間之間隙產生的空氣洩漏流量之減少比起正常之剝離小特定量，而判斷晶粒之彎曲。

Description

晶粒接合器及接合方法

本發明關於晶粒接合器及接合方法，特別是關於信賴性高的晶粒接合器及接合方法。

將晶粒(半導體晶片)(以下簡單稱為晶粒)搭載於配線基板或引線框架等之基板而進行封裝組裝工程之一部分，係具有由半導體晶圓(以下簡單稱為晶圓)將晶粒分割的工程，及將分割之晶粒搭載於基板上的晶粒接合工程。

於接合工程之中具有將由晶圓分割的晶粒予以剝離的剝離工程。於剝離工程，係將彼等晶粒由拾取裝置所保持的切割帶1個個予以剝離，使用稱為吸附器(Colette)的吸附治具而搬送至基板上。

實施剝離工程的習知技術，有例如專利文獻1及專利文獻2記載的技術。於專利文獻1揭示，將設於晶粒之4隅部的第1上推銷群，及前端較第1上推銷為低，設於晶粒之中央部或周邊部的第2上推銷群，裝配於銷保持器，藉由上升銷保持器而進行剝離的技術。

又，於專利文獻2揭示，設置越往晶粒之中心部越增高上推高度的3個區塊，在最外側之外側區塊之4隅部設置一體形成而朝晶粒之隅部方向突出的上推，使3個區塊依序上推的技術。

於該習知技術，進行晶粒之拾取時，係監視對吸附器之空氣洩漏流量而判斷晶粒是否有破裂。

〔先行技術文獻〕〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕特開2002-184836號公報

〔專利文獻2〕特開2007-42996號公報

近年來，為了半導體裝置之高密度裝配之進展，而進行封裝之薄型化。特別是於記憶卡之配線基板上將複數片晶粒以3維方式進行裝配的積層封裝變為實用化。該積層封裝之組裝時，為防止封裝厚度之增加，而要求晶粒之厚度薄至20μm以下。

晶粒變薄時，相較於切割帶之黏著力，晶粒之剛性變為極低，晶粒破裂之機率比起習知有可能變高，因此對晶粒破裂與否進行監視，不論是專利文獻1之第1、第2高度之不同的多段上推銷方式，或是專利文獻2之具有上推的多段區塊方式，則變為更重要。

但是，於習知技術，在晶粒未破裂時，無法針對是否產生彎曲進行判斷，特別是彎曲量變大而成為問題製品時亦無法進行檢測。

因此，本發明之目的在於提供晶粒未破裂時，亦可判斷是否產生彎曲之信賴性高的晶粒接合器。

本發明為達成上記之目的而至少具有以下之特徵。

本發明，係藉由吸附器將晶粒予以吸附；使黏著有晶粒的切割帶上推；使上述吸附器所吸附而被上述上推的上述晶粒由上述切割帶予以剝離而裝配於基板；將剝離後的上述晶粒接合於基板的晶粒接合器或接合方法之中，依據上述上推時之上述吸附器與上述晶粒間之間隙產生的空氣洩漏流量之減少比起正常之剝離小特定量，而進行晶粒之彎曲之判斷的第1判斷，此為第1特徵。

又，本發明中，上述第1判斷係藉由微分值來觀察上述空氣洩漏流量之減少而為第2特徵。

另外，本發明中，係依據上述空氣洩漏流量成為一定或大致一定而判斷晶粒之破裂，亦即進行第2判斷而為第3特徵。

又，本發明中，上述第1判斷手段，係依據於特定時間內上述空氣洩漏流量成為第1特定以下，或者上述空氣洩漏流量之減少成為第2特定以下，而將上述彎曲判斷為上述正常之剝離，此為第4特徵。

另外，本發明中，上述上推，係使上述晶粒之周邊部之中之特定部之切割帶上推而形成剝離起點，在上述剝離起點之形成時進行上述彎曲之判斷，而為第5特徵。

又，本發明中，係藉由設於上述晶粒之4隅部部分之中至少1個隅部部分的上述特定部，來形成上述剝離起點而為第6特徵。

依據本發明，可以提供在拾取晶粒時晶粒未破裂時，可以判斷彎曲之產生的高信賴性之晶粒接合器及接合方法。

以下參照圖面說明本發明之實施形態。

圖1係表示本發明之實施形態之晶粒接合器10由上部看到的概念圖。晶粒接合器大致具有晶圓供給部1，工件供給.搬送部2，晶粒接合部3。

工件供給.搬送部2，係具有堆疊載入器21，框架送料機22，及卸貨機23。藉由堆疊載入器21使被供給至框架送料機22的工件(引線框架等之基板或已經載置於基板上的晶粒)，經由框架送料機22上之2處之處理位置而被搬送至卸貨機23。

晶粒接合部3，係具有預形成部31與接合頭部32。預形成部31，係對藉由框架送料機22被搬送來的工件進行晶粒接著劑之塗布。接合頭部32，係由拾取裝置12將晶粒予以拾取並使其上昇，使晶粒平行移動而移動至框架送料機22上之接合點。接合頭部32，係使晶粒下降而接合於已塗布有晶粒接著劑的工件上。

晶圓供給部1，係具有晶舟升降器11與拾取裝置 12。晶舟升降器11，係具有填充有晶圓環的晶舟(未圖示)，依序將晶圓環供給至拾取裝置12。

於上記實施形態，接合頭部32之接合頭35為拾取晶粒之形態者，但亦可設置和接合頭35不同的拾取專用之拾取頭，藉由拾取頭將已拾取的晶粒載置於特定位置，藉由接合頭進行已載置的晶粒之拾取形態之實施形態。

接著，使用圖2及圖3說明拾取裝置12之構成。圖2，係表示拾取裝置12之外觀斜視圖。圖3，係表示拾取裝置12之主要部分之概略斷面圖。如圖2，圖3所示，拾取裝置12，係具有：將晶圓環14予以保持的擴展環15；被保持於晶圓環14，用於使黏著有複數個晶粒(晶片)4的切割帶16定位於水平的支持環17；及配置於支持環17內側，使晶粒4朝上方上推之上推單元50。上推單元50，係藉由未圖示的驅動機構朝上下方向移動，而於水平方向使拾取裝置12移動。

拾取裝置12，係於晶粒4之上推時，使保持晶圓環14的擴展環15下降。結果，保持於晶圓環14的切割帶16被擴展使晶粒4之間隔擴大，藉由上推單元50由晶粒下方使晶粒4上推，而提升晶粒4之拾取性。又，伴隨著薄型化接著劑亦由液狀變為薄膜狀，晶圓與切割帶16之間被黏貼著稱為晶粒黏接薄膜(die attach film)18的薄膜狀之黏著材料。於具有晶粒黏接薄膜18的晶圓，進行切割時係對晶圓與晶粒黏接薄膜18進行。因此，於剝離工程將晶圓與晶粒黏接薄膜18由切割帶16剝離。

圖4，係表示本發明之實施形態之上推單元50，及接合頭單元(未圖示)之中之吸附器部40之構成圖。圖5，係表示上推單元之上推區塊部及剝離起點形成銷存在部分由上部看到的圖。

如圖4所示，吸附器部40，係具有吸附器42，將吸附器42保持的吸附器保持器41，個別被設置而吸附晶粒4之吸引孔41v，42v。

另外，上推單元50，大致上具有上推區塊部，剝離起點形成銷部，驅動上推區塊部與剝離起點形成銷部的驅動部，將彼等保持半球形本體58。上推區塊部，係具有區塊本體59，直接連結於區塊本體59的內側區塊54，及隔著1/2切換彈簧52b而設於內側區塊之周圍，具有較晶粒4之外形小的外形之外側區塊52。

剝離起點形成銷部，係如圖5所示，係具有分別設於外側區塊52之4個隅部之外側，亦即晶粒之4隅部的4個剝離起點形成銷51，將剝離起點形成銷予以保持，上下移動可能的銷上下連結器55，及以56a為支點而旋轉使銷上下連結器55上下移動的銷驅動連結器56。

驅動部，係具有藉由馬達而上下移動的驅動軸57，伴隨驅動軸57之上下而上下移動的作動體53。當作動體53下降時，左右之銷驅動連結器56會旋轉，銷上下連結器55會上昇，而將剝離起點形成銷51上推。作動體53上昇時，區塊本體亦上昇，而推壓外側、內側區塊。又，銷上下連結器55與銷驅動連結器56，依據上述之說明，係構成將作動體53之下降動作變換為剝離起點形成銷51之上推(上昇)之動作的反轉部。

於半球形本體58之上部係具有，具備將晶粒4吸附保持的複數個吸附孔58a的半球形頭58b。於圖5僅於區塊部之周圍圖示一列，但是為了穩定保持非拾取對象之晶粒4d而設置複數列。又，如圖5所示，對內側區塊54與外側區塊52之間隙54v，以及外側區塊52與半球形頭58b之間隙52v進行吸引而將切割帶16保持於區塊部側。

又，以上說明之上推單元50，係使剝離起點形成銷51上昇後下降，但未必一定要下降。例如上昇之後如後述說明，在剝離起點形成後維持於該位置，之後使外側區塊，內側區塊上昇亦可。

接著，使用圖6說明上述構成之上推單元50進行的拾取動作。圖6係表示拾取動作之中半球形頭58b附近部與吸附器部40之動作。

首先，圖6A係表示吸附器部40下降，而著陸於上推單元50之半球形頭58b之狀態。此時，剝離起點形成銷51、外側區塊52、內側區塊54係形成和半球形頭58b之表面同一平面。切割帶16及晶粒4係以安定姿勢載置於上述平面上。吸附器42，於著陸後係藉由半球形頭58b之吸附孔58a及區塊間之間隙52v、54v將晶粒4吸附。

圖6B係表示僅使外側區塊52之4隅部的剝離起點形成銷51上升數十μm~數百μm之狀態。剝離起點形成銷51之上昇，係藉由作動體53之下降，以56a為支點使銷上下連結器56旋轉，藉由該旋轉使銷上下連結器55上昇而進行。剝離起點形成銷51上昇後，於剝離起點形成銷51之周邊形成由於切割帶16之隆起的上推部分，於切割帶16與晶粒黏接薄膜18之間出現微小空間，亦即剝離起點51a。藉由該空間而具有將切割帶16維持於半球形頭58b之固定效果，亦即施加於晶粒4之應力可以大幅減低，接續之步驟之剝離動作可以確實進行。剝離起點形成銷51只要如上述說明能形成微小區間即可，上推銷例如為直徑700μm以下，前端可為圓形之形狀或平坦形狀。又，吸附器42之鍔42t，係配合晶粒之變形而產生些許變形以防止空氣之流入。

圖6C係表示作動體53上昇，剝離起點形成銷51之位置回復原來位置，外側區塊52及內側區塊54同時上昇之狀態。外側區塊52及內側區塊54之上昇，係藉由作動體53由銷驅動連結器56分離而更進一步上昇來進行。當作動體53由銷驅動連結器56分離後，剝離起點形成銷51會回復原來位置，將有助於之後之剝離動作。又，剝離起點形成銷51之位置不回復原來位置，而維持於該狀態亦可。

圖6D係表示更進一步使作動體53上昇，藉由1/2切換彈簧52b之作用僅使內側區塊54上昇之狀態。於該狀態下，切割帶16與晶粒4之接觸面積係成為藉由吸附器之上昇而可以剝離的面積，藉由吸附器42之上昇將晶粒4予以剝離。

如上述說明，依據實施形態，於相當於晶粒4之四隅的位置設置剝離起點形成銷51，於剝離處理之初使剝離起點形成銷51上昇，而形成成為剝離之起點的空間，如此則，可以減少施加於晶粒4之應力，之後藉由外側區塊52及內側區塊54之剝離處理可以確實進行。

結果，能提供可以減少拾取失誤，高信賴性的晶粒接合器或拾取方法。

於以上說明的圖6A乃至圖6D之晶粒之剝離處理，藉由剝離起點形成銷51雖可以確實進行晶粒之剝離處理，但是基於晶粒之薄型化，圖6B、圖6C及圖6D之上推動作時晶粒4破裂，彎曲成為容許以上而導致晶粒無法剝離之情況存在。

圖7係表示本實施形態之上推動作時，判斷晶粒之正常剝離，破裂及彎曲的原理說明圖。本實施形態之上推動作，係藉由剝離起點形成銷51、外側區塊52及內側區塊54之上昇及內側區塊54之上昇之3段階而進行。圖7之上圖係表示藉由剝離起點形成銷51時空氣洩漏流量之變化。圖7之下圖，係表示剝離起點形成銷51之上昇時間，對後述晶粒之狀態進行1次判斷、2次判斷之時間範圍。

又，空氣洩漏流量值不同時，於外側區塊52及內側區塊54之上昇，以及內側區塊54之上昇時亦描繪同樣之變化曲線，可以和剝離起點形成銷51時同樣進行判斷。

於圖7之上圖，係如圖6A所示，使吸附器42著陸於晶粒上，之後開始吸附，則吸附器42密接於晶粒而使空氣洩漏流量L穩定於小流量。之後，如圖6B所示，使剝離起點形成銷51上昇，起初係藉由吸附器42之鍔42t之變形來抑制空氣洩漏量L，之後進入晶粒4之端部之變形，於吸附器42與晶粒4之間出現間隙，至剝離起點形成時間td為止而漸漸增加空氣洩漏流量L。

之後，藉由切割帶之黏著力使空氣洩漏流量L減少。此時，若晶粒4無破裂、無彎曲或彎曲小的正常剝離被進行時，空氣洩漏量L係如虛線所示，漸漸減少而呈收斂。

另外，於空氣洩漏流量L減少之過程，破裂產生時，如一點虛線所示，空氣洩漏量L，由破裂產生時點起並未顯著變化而成為一定或大致一定。即使產生機率小但於剝離起點形成前產生破裂時，由該時點起空氣洩漏量L會成為一定或大致一定。

另外，於晶粒4產生彎曲時，如實線所示，對應於該彎曲量而使空氣洩漏流量L之減少緩和，該減少成為特定以下時，回復正常的空氣洩漏流量L。

由以上之現象解析可知，當空氣洩漏流量L由上昇反轉為減少時，具有特定以上之減少曲線或斜度而呈減少時，判斷為正常之剝離或破裂之可能性存在，具有特定以下之減少曲線或傾斜而呈減少時，判斷為彎曲之產生。產生彎曲之情況下在彎曲量回復特定範圍為止進行監視，回復或者彎曲量之減少成為特定以下之範圍則視為回復正常之狀態，判斷為正常之剝離。前者之監視時間變長，拾取處理時間亦變長，但可以確實補足回復正常之晶粒4為其優點。反之，後者有可能落掉回復正常之晶粒4，但優點為拾取處理時間變短。該判斷稱為一次判斷。進行一次判斷之期間，於圖7係設為由剝離起點形成銷之上昇開始時間起至剝離起點形成後之特定時間後。

接著，於一次判斷期間終了後，於圖7所示2次判斷期間內，進行空氣洩漏量L是否成為一定或大致一定、亦即是否產生破裂之2次判斷。未產生破裂時判斷為正常剝離被進行。又，即使於剝離起點形成銷51之上昇中產生破裂時，亦可於二次判斷開始後判斷為破裂。

針對進行一次、2次判斷之資料進行處理的方法，有使用空氣洩漏流量L之微分值，或者和微分值之意義近似，但需要稍長之時間進行監視的斜度值，或一定時間後之減少量或流量值等。要言之只要能把握上述現象之資料處理即可。

以下以微分值為例予以說明。其中，微分值以△BL(=△L/△t)表示，附加字j表示實測值，附加字k表示容許值，附加字1表示一次判斷容許值，附加字2表示二次判斷容許值，判斷係如下進行。

一次判斷

△BLj≧△BLk1：正常剝離或破裂

△BLj<△BLk1：彎曲

二次判斷

△BLj≧△BLk2：正常剝離

△BLj<△BLk2：破裂

又，習知係針對空氣洩漏流量之臨限值藉由計時器管理而進行破裂之判斷，計時器等待部分將導致處理時間變長。依據本實施形態，可以更快速判斷破裂、彎曲。可以快速判斷，因此處理時間變短，作業效率可以提升。

圖8係表示拾取處理流程圖。圖9係依據圖7所示原理使晶粒上推時之正常剝離，破裂，彎曲之判斷處理流程圖，係圖8使用的副程式。

首先，使切割帶16吸附於半球形頭58b(步驟1)。接著，使吸附器42著陸於晶粒4上，將晶粒4吸附(步驟2)。之後，使剝離起點形成銷51上昇，形成剝離起點(步驟3)。和剝離起點之形成處理並行而於步驟4進行正常剝離，破裂，彎曲判斷之判斷處理(步驟4)。於圖9所示判斷處理，首先，係進行圖7說明的一次判斷處理(步驟S1)。依據一次判斷處理結果而判斷為彎曲時(步驟S2)，判斷該彎曲是否在容許範圍(步驟S3)。在容許範圍內則視為可以正常剝離而設定正常旗標(步驟S6)。不在容許範圍則設定異常旗標(步驟S7)。

於步驟S2，判斷為正常剝離或破裂時，進行二次判斷處理(步驟S4)。依據二次判斷處理結果而判斷為正常剝離(步驟S5)時，設定正常旗標(步驟S6)，回至主程式。判斷為破裂則設定異常旗標(步驟S7)，回至主程式。

回至主程式後，依據正常旗標、異常旗標而判斷是否可繼續進行處理(步驟5)。異常旗標時則停止裝置(步驟17)。正常時使外側區塊52及內側區塊54同時上昇((步驟6)，和剝離起點形成時之步驟4、5及17處理同樣進行步驟7，8及17。

於步驟8判斷為正常時，接著使內側區塊54上昇(步驟9)，和剝離起點之形成時之步驟4、5及17處理同樣進行步驟10，11及17。

於步驟11判斷為正常時，使吸附器42上昇而進行晶粒4之拾取(步驟12)。之後，解除切割帶之吸附(步驟13)，使外側區塊及內側區塊回復原點高度(步驟14)。使上推單元50移動至次一晶粒之上推位置(步驟15)。最後判斷特定數之晶粒處理否(步驟16)，使處理終了。

依據以上說明之本實施形態，可以提供晶粒拾取時晶粒未破裂時，可以判斷彎曲之產生的高信賴性的晶粒接合器及接合方法。

又，依據以上說明的本實施形態，彎曲產生時亦可以判斷回復正常狀態之晶粒，可以提供高良品率的晶粒接合器及接合方法。

另外，依據以上說明的本實施形態，可於更早之時點進行破裂、彎曲之判斷，可以更快速移至次一動作，可縮短該結果之處理時間，可以提供能提升作業效率的晶粒接合器及接合方法。

於以上之實施形態，係藉由剝離起點形成銷形成剝離起點之後，使外側區塊及內側區塊上昇，但亦可應用於如專利文獻1之藉由複數個銷進行剝離之形態。

說明以上之本發明之實施形態，但是業者可依據上述之說明實施各種代替例，修正或變形，本發明亦包含在不脫離該趣旨範圍內進行的上述各種代替例、修正或變形。

1‧‧‧晶圓供給部

2‧‧‧工件供給.搬送部

3‧‧‧晶粒接合部

4‧‧‧晶粒(半導體晶片)

10‧‧‧晶粒接合器

11‧‧‧晶舟升降器

12‧‧‧拾取裝置

14‧‧‧晶圓環

16‧‧‧切割帶

18‧‧‧晶粒黏接薄膜

32‧‧‧接合頭部

40‧‧‧吸附器部

41‧‧‧吸附器保持器

41v‧‧‧吸附器保持器之吸附孔

42‧‧‧吸附器

42v‧‧‧吸附器之吸附孔

42t‧‧‧吸附器之鍔

50‧‧‧上推單元

51‧‧‧剝離起點形成銷

51a‧‧‧剝離起點

52‧‧‧外側區塊

52b‧‧‧1/2切換彈簧

52v‧‧‧外側區塊與半球形頭之間隙

53‧‧‧作動體

54‧‧‧內側區塊

54v‧‧‧內側區塊與外側區塊之間隙

58‧‧‧半球形本體

58a‧‧‧半球形頭之吸附孔

58b‧‧‧半球形頭

59‧‧‧區塊本體

L‧‧‧空氣洩漏流量

〔圖1〕本發明之一實施形態之晶粒接合器由上看到的概念圖。

〔圖2〕本發明之一實施形態之拾取裝置之外觀斜視圖。

〔圖3〕本發明之一實施形態之拾取裝置之主要部分之概略斷面圖。

〔圖4〕本發明之第1實施形態之上推單元與接合頭單元之中之吸附器部之構成圖。

〔圖5〕上推單元之上推區塊部及剝離起點形成銷之存在部分由上部看到的圖。

〔圖6〕上推單元之拾取動作之圖。

〔圖7〕本實施形態之上推動作時針對晶粒之正常剝離、破裂及彎曲進行判斷的原理說明圖。

〔圖8〕本實施形態之拾取處理流程之圖。

〔圖9〕依據圖7之原理，而判斷晶粒上推時之正常剝離、破裂、彎曲的處理流程圖。

L‧‧‧空氣洩漏流量

Claims

一種晶粒接合器，係具有：吸附器(Colette)，用於進行晶粒之吸附；上推單元，用於使黏著有上述晶粒的切割帶(dicing tape)上推；拾取頭，用於使上述吸附器所吸附而被上述上推的上述晶粒由上述切割帶予以剝離並進行拾取；接合頭，用於將拾取的上述晶粒接合於基板；及第1判斷手段，依據上述上推時之上述吸附器與上述晶粒間之間隙引起的空氣洩漏流量之減少比起正常之剝離小特定量，而對晶粒之彎曲進行判斷。
如申請專利範圍第1項之晶粒接合器，其中上述第1判斷手段係藉由微分值來觀察上述空氣洩漏流量之減少。
如申請專利範圍第1項之晶粒接合器，其中具有第2判斷手段，用於依據上述空氣洩漏流量成為一定或大致一定而進行晶粒之破裂之判斷。
如申請專利範圍第1項之晶粒接合器，其中上述第1判斷手段，係依據於特定時間內上述空氣洩漏流量成為第1特定以下，或者上述空氣洩漏流量之減少成為第2特定以下，而將上述彎曲判斷為上述正常之剝離。
如申請專利範圍第1或3項之晶粒接合器，其中上述上推單元，係具有剝離起點形成手段，用於使上述晶粒周邊部之中之特定部之切割帶上推而形成剝離起點；於上述剝離起點之形成時係進行上述第1判斷手段。
如申請專利範圍第5項之晶粒接合器，其中上述剝離起點形成手段，係具有形成上述剝離起點的銷，上述特定部係設於上述晶粒之4隅部部分之中至少1個隅部部分。
如申請專利範圍第6項之晶粒接合器，其中上述上推單元，係具有於上述周邊部之內側以平面使上述切割帶上推的內側區塊；及包圍上述內側區塊的外側區塊，藉由上述內側區塊與上述外側區塊，或上述內側區塊進行上述上推時，係進行上述第1判斷手段。
如申請專利範圍第1項之晶粒接合器，其中上述接合頭係兼作為上述拾取頭。
一種接合方法，係具有：藉由吸附器將晶粒予以吸附的吸附步驟；使黏著有上述晶粒的切割帶上推的上推步驟；使上述吸附器所吸附而被上述上推的上述晶粒由上述切割帶予以剝離的剝離步驟；將剝離後的上述晶粒接合於基板的接合步驟；及依據上述上推時之上述吸附器與上述晶粒間之間隙引起的空氣洩漏流量之減少比起正常之剝離小特定量，而對晶粒之彎曲進行判斷的第1判斷步驟。
如申請專利範圍第9項之接合方法，其中上述第1判斷步驟，係藉由微分值觀察上述空氣洩漏流量之減少。
如申請專利範圍第9項之接合方法，其中具有第2判斷步驟，用於依據上述空氣洩漏流量成為一定或大致一定而進行晶粒之破裂之判斷。
如申請專利範圍第9項之接合方法，其中上述第1判斷步驟，係依據於特定時間內上述空氣洩漏流量成為第1特定以下，或者上述空氣洩漏流量之減少成為第2特定以下，而將上述彎曲判斷為上述正常之剝離。
如申請專利範圍第9或11項之接合方法，其中上述上推，係使上述晶粒周邊部之中之特定部之切割帶上推而形成剝離起點；於上述剝離起點之形成時係進行上述第1判斷步驟。
如申請專利範圍第11項之接合方法，其中藉由設於上述晶粒之4隅部部分之中至少1個隅部部分的上述特定部，來形成上述剝離起點。