KR101156475B1 - 얇은 다이 탈착 및 취출용 제어 및 모니터링 시스템 - Google Patents

얇은 다이 탈착 및 취출용 제어 및 모니터링 시스템 Download PDF

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치 밍 총
만 와이 찬
쿼크 와이 웡
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Abstract

접착 테이프로부터 다이의 탈착 중에, 접착 테이프와 접촉하고 있는 다이의 제 1 측면의 내부 및 외부 부분은 지지면으로 지지된다. 콜렛은 제 1 측면에 대향하는 다이의 제 2 측면의 내부 및 외부 부분에 접촉한다. 지지부는 다이의 외부 부분으로부터 후퇴되어 다이의 제 2 측면의 외부 부분이 콜렛으로부터 이격하여 굽혀지고 지지면은 단지 다이의 내부 부분을 지지하게 된다. 콜렛으로부터의 진공 흡인력이 인가되어 다이의 외부 부분을 콜렛을 향해 끌어당기고, 다이의 외부 부분이 콜렛에 접촉하는 것을 나타내는 임계 압력이 도달할 때까지 진공 흡인 압력이 모니터링된다. 그 후에, 콜릿은 진공 흡인력으로 다이를 유지하는 동안 상승되어 접착 테이프로부터 다이를 완전히 분리한다.

Description

얇은 다이 탈착 및 취출용 제어 및 모니터링 시스템{CONTROL AND MONITORING SYSTEM FOR THIN DIE DETACHMENT AND PICK-UP}
본 발명은 반도체 조립 및 패키징 중의 반도체 칩 또는 반도체 다이의 취급에 관한 것으로서, 특히 반도체 다이의 탈착 및 취출 중에 반도체 다이가 장착되는 접착 테이프로부터 반도체 다이의 제어된 층간 박리(delamination)를 제공하기 위한 피드백 제어 시스템에 관한 것이다.
통상적으로, 복수의 반도체 다이스(dice)를 포함하는 웨이퍼는 싱귤레이션(singulation) 중에 접착 테이프 상에 장착되고, 여기서 각각의 개별 다이는 접착 테이프에 부착되어 있는 동안 분리된다. 따라서, 접착 테이프로부터 다이의 탈착 및 취출은 전자 패키지를 조립하기 위한 다이 본딩(bonding) 및 플립 칩 본딩 프로세스에 있어서 중요한 작업이다.
다이의 두께가 4 mil(약 100 미크론) 미만으로 감소될 때 다이를 손상시키지 않고 접착 테이프로부터 다이를 탈착하는 것이 과제 작업이다. 50 내지 100 미크론의 두께를 갖는 다이스는 때때로 대량 생산을 위해 사용되어 왔다. 30 내지 50 미크론 두께의 다이스의 대량 생산은 현재 준비 중에 있다. 전자 패키징 디자인에서의 연구 및 개발의 실험이 15 내지 30 미크론 두께의 다이스에 대해 진행 중이다. 따라서, 접착 테이프로부터 매우 얇은 다이스를 신뢰적으로 탈착할 수 있는 장치가 전자 조립 설비의 분야에서 중요한 기계가 되고 있다.
통상적으로, 다이 본딩 프로세스에서, 다이는 다이가 리드 프레임, 인쇄 배선 보드(PWB) 기판 또는 다이 적층 용례에서 다른 다이의 표면과 같은 기판에 전달되기 전에 배출 및 취출 도구에 의해 접착 테이프로부터 탈착되어 취출된다. 다이 취출 프로세스에서, 접착 테이프 상의 지정된 다이는 접착 테이프가 진공 흡인력에 의해 아래로 유지되는 동안 이면으로부터 다이를 해제하는 푸시 핀을 갖는 배출 도구와 정렬된다. 콜렛(collet) 또는 취출 도구는 이어서 푸시업 핀이 적절한 레벨로 상승할 때 다이가 접착 테이프로부터 상승되는 동안 부분적으로 탈착된 다이의 상부면 바로 위에 위치된다. 콜렛은 탈착 프로세스 중에 다이를 유지하기 위해 진공 발생기를 사용하는 진공 흡인력을 제공할 뿐만 아니라, 접착 테이프로부터 탈착된 다이를 본딩 표면으로 전달한다.
다이가 장착되어 있는 접착 테이프로부터 다이의 탈착을 용이하게 하기 위한 다양한 형태의 다이 탈착 및 취출 도구가 존재한다. 통상의 도구는 접착 테이프로부터 소형 다이를 탈착하기 위한 전통적인 디자인인 니들형 배출 핀 디자인을 포함한다. 도 1은 니들형 배출기 핀(102)을 갖는 통상의 다이 탈착 및 취출 도구(100)의 도면이다. 도구(100)의 다이 탈착부는 배출기 척(104), 배출기 핀(102) 및 배출기 캡(106)을 포함하는 배출기를 갖는다. 도구(100)의 취출부는 배출기 캡(106)의 상부 플랫폼 표면(107)과 접촉하는 접착 테이프(112) 상에 위치된 다이(110) 위에 위치된 콜렛(108)을 갖는다. 배출기 척(104)의 수직 이동은 전동 메커니즘에 의해 구동된다. 배출기 핀(102)은 배출기 척(104)의 상부에 위치되고, 배출기 척(104)과 함께 이동 가능하다. 2×2 mm2과 같은 치수의 소형 다이스에 대해, 탈착될 다이(110)의 중심에 위치된 단일의 배출기 핀(102)이 다이(110)를 탈착시키기에 충분하다. 다수의 배출기 핀(102)이 대형 다이스에 대해 바람직하고, 배출기 핀(102)은 배출기 핀(102)에 의한 압착 효과를 감소시키기 위해 다이(110) 상에 균일한 상향 압박력을 성취하도록 균등하게 분배된다. 배출기 척(104) 및 배출기 핀/핀들(102)은 배출기 캡(106) 내에 위치된다. 진공 채널(114)이 콜렛(108)으로부터 이격하는 방향으로 접착 테이프(112)를 견인하도록 다이(110)의 층간 박리를 지원하기 위해 접착 테이프(112)에 진공 흡인력을 제공하기 위해 배출기 캡(106)에 의해 둘러싸인다.
다이의 두께가 100 미크론 미만으로 감소될 때, 다이는 덜 강성이 된다. 다이를 탈착하기 위해, 박리 에너지가 다이와 접착 테이프 사이의 임계 계면 접착 강도를 극복하기 위해 접착 테이프 상의 진공 흡인력 및 배출기 핀의 상향 압박 운동을 거쳐 탈착되고 있는 다이에 인가된다. 다이의 변형은 또한 다이의 굽힘 및 배출기 핀에 의한 압착 효과에 기인하여 발생할 수 있다. 인가된 박리 에너지가 임계 계면 접착 강도에 도달할 때, 다이는 접착 테이프로부터 탈착될 수 있다. 그러나, 다이는 다이의 변형의 프로세스가 다이의 임계 강도에 도달할 때 균열하거나 파괴될 수 있다. 다이의 임계 강도는 다이의 재료, 웨이퍼 얇아짐, 다이의 표면 상의 패턴 및 다이의 톱 절단과 같은 다이의 다양한 특징에 의존한다. 배출기 핀 또는 핀들을 사용하는 통상의 다이 취출에 있어서, 압착 효과 및 굽힘 변형은 배출기 핀의 수, 배열 및 기하학적 형상에 의해 영향을 받는다. 더욱이, 대형 다이에 대해, 다이의 주연부에 위치된 배출기 핀은 다이의 중심으로의 탈착의 전파를 억제한다. 따라서, 배출기 핀을 사용하는 통상의 취출 도구는 접착 테이프로부터 얇은 다이를 탈착시키기에 적합하지 않을 수 있다.
도 2는 다이(12)가 장착되는 접착 테이프(18)로부터 얇은 다이(12)를 탈착하기 위해 구성된 다이 탈착 및 취출 도구(10)를 도시한다. 다이(12)는 배출기 캡(16) 내에 위치된 복수의 수직 가동 지지 플레이트(14)에 의해 지지된다. 각각의 플레이트(14)는 4변형 형상 접촉면을 갖고, 다른 유사한 플레이트(14)에 인접하여 배열된다. 플레이트(14)는 중심 가동 지지 플레이트 및 중심 가동 지지 플레이트의 대향 측면들 상의 외부 가동 지지 플레이트를 포함하고, 이들 지지 플레이트들은 함께 접착 테이프(18) 상에 다이(12)를 지지하기 위한 연속적인 편평한 4변형 형상 접촉면을 형성한다. 각각의 플레이트(14)는 다이(12)를 향해 그리고 다이(12)로부터 이격하여 다른 가동 지지 플레이트에 대해 이동 가능하다. 도구(10)는 지지를 제공하고 다이(12) 상에 압박하는 날카로운 돌출부로부터 압착 효과를 감소시키기 때문에 얇은 다이스를 위한 유용한 취출 디바이스이다.
다이(12)의 초기 탈착 중에, 다이(12)에 제공된 최대 지지는 접착 테이프(18)로부터 탈착되는 동안 다이(12)로의 실질적인 변형을 회피한다. 본드헤드(bondhead)에 연결되는 콜렛(20)은 다이(12) 위에 위치된다. 콜렛(20)은 다이(12)에 접촉하고 콜렛으로부터 진공 흡인력에 의해 콜렛을 향해 다이(12)를 견인한다. 따라서, 콜렛(20)은 탈착되는 동안 진공 흡인력에 의해 다이(12)를 적소에 유지한다. 다이(12)가 탈착된 후에, 콜렛(20)은 접착 테이프(18)로부터 다이를 분리하기 위해 완전히 상승되고, 탈착된 다이(12)를 접착 테이프로부터 이격하여 운반한다.
최적 다이 탈착 프로세스를 성취하기 위해 그리고 다이(12)를 균열시키는 것을 방지하기 위해, 박리 에너지가 다이(12)의 임계 강도를 초과하지 않을 수 있도록 가동 지지 플레이트(14)의 돌출 운동에 의해 다이(12)에 의해 경험된 박리 에너지를 평가하는 제어 시스템을 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 이는 특히 강성이적고 따라서 더 용이하게 균열되는 얇은 다이스를 취급하기 위해 도움이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 접착 테이프로부터 얇은 반도체 칩의 탈착을 위한 실시간 모니터링 및 제어 시스템을 제공하는 것을 추구하는 것이다.
따라서, 본 발명은 다이가 장착되는 접착 테이프로부터 다이를 탈착하는 방법으로서, 접착 테이프와 접촉하고 있는 다이의 제 1 측면의 내부 및 외부 부분을 지지면으로 지지하는 단계, 제 1 측면에 대향하는 다이의 제 2 측면의 내부 및 외부 부분을 콜렛과 접촉하는 단계, 다이의 제 2 측면의 외부 부분이 콜렛으로부터 이격하여 굽혀지고 지지면은 단지 다이의 내부 부분만을 지지하도록 다이의 외부 부분으로부터 지지부를 후퇴시키는 단계, 콜렛을 향해 다이의 외부 부분을 끌어당기도록 콜렛으로부터 진공 흡인력을 인가하고 다이의 외부 부분이 콜렛에 접촉하는 것을 나타내는 임계 압력이 도달할 때까지 진공 흡인 압력을 모니터링하는 단계, 및 그 후에 콜렛이 진공 흡인력에 의해 다이를 유지하는 동안 콜렛을 상승시켜 접착 테이프로부터 다이를 완전히 분리하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 바람직한 실시예를 도시하는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 이하에 더 상세히 설명하는 것이 적합할 것이다. 도면 및 관련 설명의 특징은 청구범위에 의해 규정된 바와 같은 발명의 넓은 등가물의 보편성을 대신하는 것으로서 이해되어서는 안된다.
본 발명은 첨부 도면과 함께 고려될 때 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명을 참조하여 즉시 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 니들형 배출기 핀을 갖는 통상의 다이 탈착 및 취출 도구의 도면.
도 2는 얇은 다이를 탈착하기 위해 구성된 다이 탈착 및 취출 도구를 도시하는 도면.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구를 사용하는 다이에 대한 취출 시퀀스를 도시하는 도면.
도 4a 내지 도 4d는 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구를 사용하는 다이 탈착 프로세스의 사전 박리 단계를 도시하는 도면.
도 5a 내지 도 5d는 다이가 여전히 완전히 탈착되지 않은 동안 사전 박리 단계 후의 후속의 다이 탈착 단계를 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구에 연결된 피드백 시스템을 도시하는 개략도.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 피드백 시스템을 구비하는 콜렛 내의 진공 흡인 구멍 및 진공 채널의 예시적인 배열을 도시하는 개략도.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 피드백 시스템의 작동 시퀀스를 도시하는 흐름도.
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 이하에 설명될 것이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구(10)를 사용하는 다이(12)에 대한 취출 시퀀스를 도시한다. 다이(12)는 배출기 캡(16)의 중심에 정렬되어 있고, 콜렛(20)은 다이(12)의 표면에 접촉하도록 이동되어 있다. 진공 흡인력이 배출기 캡(16) 및 콜렛(20) 내에 인가되어 다이(12)를 지지하는 접착 테이프(18)를 유지한다. 모든 가동 지지 플레이트(14)가 도 3a에 도시된 바와 같이 사전 박리 레벨(H)로 이동되고, 여기서 초기 다이 탈착이 다이(12)의 에지에서 발생한다. 가동 지지 플레이트(14)는 서로 인접하여 배열된 중심 플레이트의 대향 측면들에 위치되어 다이(12)의 내부 및 외부 부분을 지지하기 위한 연속면을 형성하는 중심 플레이트(C) 및 적어도 한 쌍의 외부 플레이트(L2R2)를 포함한다. 각각의 쌍의 외부 플레이트(L1R1, L2R2)는 다이(12)가 다이 탈착 중에 지지되는 사전 박리 레벨(H)을 향해 증분하는 서브 간격만큼 다이(12)를 향해 또는 다이(12)로부터 떨어져 독립적으로 이동 가능하다.
모든 가동 지지 플레이트(14)가 사전 박리 레벨로 이동된 후에, 지지부는 중심 플레이트(C)에 대해 외부 플레이트의 각각의 쌍을 플레이트의 최외측 쌍으로부터 중심 플레이트를 향해 한 쌍을 동시에 순차적으로 하강시킴으로써 다이(12)의 외부 부분으로부터 점진적으로 후퇴된다. 이는 도 3b 및 도 3c에 도시되어 있고, 여기서 대향 단부들에 위치된 최외측 플레이트(R1, L1)가 배출기 캡(16)의 표면 아래의 레벨(L)로 하강 이동한다. 다음에, 플레이트(R1, L1)에 인접한 한 쌍의 최외측 플레이트(R2, L2)의 순차적인 하강은 도 3c에 도시된 바와 같이 모든 플레이트(14)가 접착 테이프(18)로부터 이격하여 하강 이동할 때까지 계속된다. 마지막으로, 다이(12)는 접착 테이프(18)의 대부분이 다이(12)로부터 분리될 때 접착 테이프(18)로부터 탈착된다.
도 4a 내지 도 4d는 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구(10)를 사용하는 다이 탈착 프로세스의 사전 박리 단계를 도시한다. 모든 가동 지지 플레이트(14)가 배출기 캡(16)에 대해 사전 박리 레벨(H)로 이동되고 진공 흡인력이 도 4b에 도시된 바와 같이 콜렛(20) 및 배출기 캡(16)의 모두에 인가된다. 다이(12)는 배출기 캡(16) 상에 위치되고, 그 내부 및 외부 부분은 접착 테이프(18)와 접촉하고 있는 다이(12)의 제 1 측면 상에서 가동 지지 플레이트(14)에 의해 지지된다. 콜렛(20)은 진공 흡인력에 의해 콜렛(20)을 향해 다이(12)를 견인하면서 제 1 측면에 대향하는 다이(12)의 제 2 측면의 내부 및 외부 부분을 지지하고 접촉한다.
Δa의 외팔보 간극이 도 4a에 도시된 바와 같이 지지되어 있지 않은 다이(12)의 제 1 측면을 따라 연장된다. 외팔보 간극(Δa)은 다이(12)의 에지와 조합된 가동 지지 플레이트(14)의 대응 에지 사이의 거리에 대응하고, 여기서 거리(Δa)는 0.3 mm 내지 0.8 mm의 범위이다. 정확한 거리(Δa)가 다이(12)의 임계 강도 및 두께에 기초하여 계산될 수 있다.
다이(12)에 인가된 박리 에너지가 다이(12)와 접착 테이프(18) 사이의 임계 계면 접착 강도보다 높고 다이(12)의 변형이 다이(12)의 임계 강도보다 작을 때, 다이(12)는 접착 테이프(18)로부터 탈착될 수 있다. 다이(12)의 층간 박리는 다이(12)의 제 2 표면이 도 4b에서와 같이 콜렛(20)으로부터의 진공 흡인력에 의해 콜렛(20)과 접촉하여 유지될 수 있게 한다. 다른 한편으로, 다이(12)에 인가된 박리 에너지가 임계 계면 접착 강도보다 작고 다이(12)의 변형이 다이(12)의 임계 강도보다 높을 때, 다이(12)는 도 4c에 도시된 바와 같이 균열될 수 있다. 이는 사전 박리 레벨(H)이 너무 높은 것을 나타낸다. 따라서, 다이(12)의 균열을 회피하기 위해, 모든 가동 지지 플레이트(14)를 낮은 사전 박리 레벨(H)로 이동시키는 것이 중요하다.
다이(12)에 인가된 박리 에너지를 증가시키기 위해, 거리(Δa)가 증가될 수 있다. Δa에 대해 적합한 값을 얻기 위한 디자인 최적화는 박리 에너지와 거리(Δa)의 관계에 기초하고, 이에 의해 박리 에너지는 Δa의 값의 증가에 따라 증가한다. 거리(Δa), 다이의 두께 및 다이의 임계 계면 접착 강도가 모두 관련된다. 따라서, Δa의 값이 최적화되고 또한 높은 사전 박리 레벨이 요구될 때, 모든 가동 지지 플레이트(14)가 각각의 서브 간격까지 이동할 때 다이 탈착이 존재하는지 여부를 검출하기 위해 다이는 사전 박리 레벨(H)을 H보다 작은 서브 간격으로 분할함으로써 탈착될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 콜렛(20)에 능동 피드백 시스템을 통합함으로써, 다이(12)가 각각의 서브 간격에 및/또는 사전 박리 레벨(H)에 탈착되어 있는지 여부를 지시할 수 있는 임계 압력이 도달했는지 여부를 점검하는 것을 가능하게 한다. 진공 채널(30)은 콜렛(20)의 표면 상에 다이(12)의 에지 부근에 위치되어 다이(12)가 접착 테이프(18)로부터 탈착되었는지 여부를 검출한다. 다이(12)가 굽혀져서 접착 테이프(18)로부터 탈착되지 않을 때 콜렛(20)에서의 진공 또는 공기 유동은 다이(12)가 탈착되고 굽혀지지 않을 때와 비교하여 상이하다. 따라서, 진공 유동을 모니터링하는 것은 다이(12)의 상태를 나타낼 수 있다.
도 4d는 다이(12)에 인가된 박리 에너지가 임계 계면 접착 강도보다 작고 다이(12)의 변형이 임계 다이 강도보다 작을 때의 다이(12)의 굽힘을 도시한다. 이는 접착 테이프(18)가 시간 의존성 거동을 나타내는 재료로 제조되기 때문일 수 있다. 따라서, 다이(18) 상에 인가된 박리 에너지가 다이(12)의 임계 계면 접착 강도를 극복할 수 있기 전에 소정의 지연 시간이 요구될 수 있다. 이 단계에서, 다이(12)가 탈착되었는지 그렇지 않으면 임계 다이 강도가 초과될 수 있는지 여부를 검출하는 것이 필수적이고, 이는 다이(12)에 응력을 가해 균열시킬 수도 있다. 다이 취출 지연 시간은 다이 상에 인가된 박리 에너지가 임계 계면 접착 강도보다 작을 때 다이를 조기에 취출하는 것을 회피하기 위해 바람직한 실시예의 피드백 시스템에 의해 자동으로 포함된다.
바람직한 실시예의 피드백 시스템의 작동 원리가 이제 설명된다. 다이(12)의 중심 영역이 가동 지지 플레이트(14)의 연속적인 상부면에 의해 지지되기 때문에, 진공 또는 흡인 유동의 차이는 다이(12)의 에지가 굽혀지고 콜렛(20) 내의 진공 흡인 구멍(22)으로부터 이격되는지 여부에 기인한다. 따라서, 이는 다이(12)가 접착 테이프(18)로부터 탈착되었는지 여부에 대응한다. 굽힘의 결과로서 검출된 진공 또는 흡인 유동과 다이의 굽힘 정도 사이에는 기하학적 관계가 있다. 신뢰적인 기하학적 관계를 갖게 하기 위해, 다이의 굽힘 강성은 충분히 낮게 유지되어야 한다. 다이의 굽힘 강성은 다이의 두께에 비례하고 본 발명의 바람직한 실시예에서, 다이(12)의 두께의 상한은 바람직하게는 75 미크론(3 mil) 이하이다. 고려해야 할 다른 파라미터는 이하에 설명되는 콜렛(20) 내의 진공 흡인 구멍(22)의 배열이다.
도 5a 내지 도 5d는 다이(12)가 여전히 완전히 탈착되어 있지 않은 동안 사전 박리 단계 후의 후속의 다이 탈착 단계를 도시한다. 바람직한 실시예의 피드백 시스템을 사용하는 다이 탈착 프로세스 중의 진공 또는 유동 검출은 최외측 쌍으로부터 중심 플레이트(C)로 가동 지지 플레이트(14)의 순차적인 하강 중에 더 인가될 수 있다.
도 5a는 다이(12)의 대부분이 사전 박리 단계에서 탈착되어 있지 않은 것을 도시한다. 도 5b는 제 1 쌍의 최외측 가동 지지 플레이트(L1, R1)가 다른 지지 플레이트의 표면 아래로 레벨(L)로 하강 이동하고 Δa로부터 Δa+x로의 외팔보 길이의 증가를 발생시키는 것을 도시하고, 여기서 x는 플레이트(14)의 폭이다. 이는 제 1 측면에 대향하는 다이(12)의 제 2 측면의 외부 부분이 콜렛(20)으로부터 이격하여 굽혀지게 하고 가동 지지 플레이트(14)가 단지 다이(12)의 내부 부분을 지지한다. 그 결과, 다이(12)는 사전 박리 단계에서 접착 테이프(18)로부터 탈착되어 있지 않기 때문에 다이(12)가 균열될 수 있다. 다이(12)가 도 5c에 도시된 바와 같이 사전 박리 단계 중에 탈착되면, 접착 테이프(18)로부터 이격하여 플레이트(L1, R1)를 하강 이동시키는 것은 다이(12)를 균열시키지 않을 것이다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예의 피드백 시스템을 사용하여 다른 지지 플레이트의 표면 아래의 레벨로 임의의 다른 지지 플레이트(14)를 하강 이동하기 전에 다이(12)의 미지지 영역이 접착 테이프(18)로부터 탈착되어 있는지의 여부를 검출하는 것이 필수적이다.
가동 지지 플레이트(14)의 폭(x)에 대한 최적화된 값은 다이(12)를 균열하지 않고 다이를 탈착하기 위해 유용하다. 폭(x)은 다이의 두께에 따라 변하고, 최적화는 바람직한 실시예의 진공 또는 유동 센서(28)를 사용하여 성취될 수 있다. 도 5d는 단부 가동 플레이트(L1, R1)의 쌍이 하강 이동할 때 탈착되는 다이(12)의 미지지 영역을 도시한다. 다이(12)가 플레이트(L1, R1)의 하향 이동 중에 탈착되지 않으면, 가동 지지 플레이트(14)의 폭(x)이 최적화될 때 다이(12)가 균열하지 않을 수 있는 것을 보장할 수 있다. 따라서, 피드백 시스템은, 다른 플레이트(14)를 하향 이동하기 전에 진공 또는 유동 검출 센서가 이전의 단계에서 임의의 다이 탈착이 존재하였는지 여부를 검출할 수 있도록 구성된다. 이 피드백 시스템은 가동 지지 플레이트(14)의 순차적인 쌍이 레벨(L)로 하강될 때 다이가 균열하는 것을 방지한다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구(10)에 연결된 피드백 시스템을 도시하는 개략도이다. 피드백 시스템은 진공 발생기(26) 또는 인라인 진공 소스 및 유동 검출 센서(28)를 포함하는 진공 또는 유동 검출 디바이스를 포함한다. 진공 발생기(26)는 콜렛(20) 내에 진공 흡인력 또는 공기 유동을 발생시킨다. 콜렛(20)은 콜렛(20)의 표면으로부터 이격하여 연장하는 콜렛 샤프트(21)를 갖고, 콜렛 샤프트(21) 내에 위치된 진공 채널(30)이 존재한다. 진공 또는 유동 센서(28)는 진공 채널(30) 및 콜렛 연결 파이프(32)에 연결되고, 따라서 다이 탈착 프로세스에서 콜렛(20)으로부터 진공 채널(30)을 통해 통과하는 공기 유동의 경로 내에 통합된다. 또한, 콜렛(20)은 진공 채널(30)로 이어지는 콜렛(20)의 표면 상에 위치된 진공 흡인 구멍(22)을 포함한다. 콜렛(20)의 상기 표면은 다이(12)와 접촉한다. 진공 흡인 구멍(22) 및 진공 채널(30)의 배열은 본 발명의 바람직한 실시예의 원하는 피드백 시스템에 의해 결정될 수 있다.
진공 채널(30) 내의 진공 또는 공기 유동을 검출함으로써, 다이(12)의 지지되지 않은 영역이 사전 박리 단계에서 또는 가동 지지 플레이트(14)의 단부 쌍의 각각의 순차적인 하강시에 탈착되어 있는지 여부를 검출할 수 있다. 다이(12)가 접착 테이프(18)로부터 탈착될 때, 다이(12)는 그가 접촉하고 있는 콜렛(20)의 표면에 합치되고, 진공 압력은 높다. 다이(12)가 접착 테이프(18)에 부착 유지될 때, 다이(12)는 굽혀질 것이고 진공 압력은 낮아질 것이다. 따라서, 피드백 시스템은 접착 테이프(18)로부터 다이를 탈착시키기 위한 폐루프 피드백 제어를 제공한다. 진공 또는 공기 유동이 특정 임계 레벨에 형성되면, 이는 다이가 탈착된 것을 의미한다. 다이가 아직 탈착되지 않았으면, 더 많은 시간이 다이 탈착의 프로세스를 위해 요구된다. 따라서, 이 능동 피드백 시스템은 중심 플레이트(C)에 대해 다음의 인접한 쌍의 외부 플레이트를 하강시키기 전에 임계 압력이 도달하는 것을 보장할 것이다. 이 방식으로, 피드백 시스템은 얇은 다이를 취출하기 위해 소요된 시간을 최적화한다. 예를 들어, 적은 점착성 접착 테이프(18)는 더 짧은 취출 시간을 요구할 것이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 피드백 시스템을 구비하는 콜렛(20) 내의 진공 흡인 구멍(22) 및 진공 채널(30)의 예시적인 배열을 도시하는 개략도이다. 다이의 탈착은 다이의 에지로부터 시작되고, 거리(Δa 및 x)의 제약을 받게 된다. 콜렛(20) 내의 진공 흡인 구멍(22) 또는 진공 채널(30)의 수 및 배열은 또한 다이의 탈착에 영향을 준다. 콜렛의 표면 상의 진공 흡인 구멍 또는 채널의 일 배열이 도 7a에 도시된 콜렛(20)의 단면 측면도 및 도 7b의 콜렛(20)의 저면도에 도시되어 있다. 진공 흡인 구멍(22) 및 진공 채널(30)은 그 에지 부근에서 콜렛(20)의 외부 부분에 제공되어 진공 흡인 구멍(22)이 바람직하게는 다이(12)의 4개의 에지 또는 외부 부분 부근에 위치되게 된다. 이 방식으로, 다이(12)의 외부 부분과 콜렛(20)의 대응 외부 부분 사이의 접촉을 모니터링하는 것이 가능하다. 진공 채널의 폭(Δb)에 대응할 수 있는 진공 흡인 구멍(22)의 직경은 바람직하게는 0.3 mm 내지 1 mm의 범위이다. 진공 흡인 구멍(22) 또는 진공 채널(30)의 중심으로부터 다이(12)의 에지까지의 거리(Δc)는 바람직하게는 0.6 mm 내지 2 mm의 범위이다. 콜렛(20) 내의 상호 연결 진공 채널(30)의 평면도가 또한 도 7c에 도시된다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 피드백 시스템의 작동 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 피드백 작업은 도 2의 다이 탈착 및 취출 도구(10) 내로 통합된 진공 또는 유동 센서(28)를 사용하여 얇은 다이(12)를 탈착하기 위한 능동 시퀀스를 포함한다. 다이(12)가 단계 a에서 배출기 캡(16)의 표면 상에 정렬된 후에, 진공 흡인력이 콜렛(20) 및 배출기 캡(16)의 모두에 인가된다(단계 b 및 c). 다이(12)를 탈착하는 작업은 모든 가동 지지 플레이트(14)를 사전 박리 레벨(H)로 또는 H를 향한 증분 서브 간격으로 이동하는 것(단계 d)을 수반할 수 있다.
플레이트(14)가 사전 박리 레벨(H) 또는 각각의 증분 서브 간격에 있을 때, 접착 테이프(18)로부터 다이(12)를 탈착하기 위해 임계 압력이 도달했는지 여부를 검출하기 전에, 다이(12) 상에 작용하는 박리 에너지를 위한 진공 또는 유동 검출 지연을 허용하는 지연 시간을 제공한(단계 e) 후에 진공 또는 유동 센서 검출이 수행된다(단계 f). 진공 센서(28)가 다이 상에 진공 흡인력을 검출하면, 다이는 사전 박리 레벨에서 탈착된다(단계 f 및 g). 더 많은 플레이트(14)가 다음 서브 간격 레벨로 하강될 수 있고(단계 d) 또는 진공 지연 시간이 증가되어 다이(12)를 탈착하기 위해 다이와 접착 테이프(18) 사이의 임계 계면 접착 강도를 극복하기 위해 다이 상에 인가된 박리 에너지가 충분히 작용하게 한다. 검출 프로세스는 다이 균열을 회피하면서 중심 플레이트(C)로 종료하는 모든 플레이트(14)가 하강될 때까지 반복된다. 다이(12)는 이어서 접착 테이프(18)로부터 완전히 탈착되고 콜렛(20)에 의해 취출된다(단계 l).
한 쌍의 단부 플레이트(14)의 서브 간격 또는 하향 이동으로의 모든 플레이트(14)의 각각의 상향 이동에 대해, 진공 또는 유동 센서(28)가 활성화되어 다이(12)가 접착 테이프(18)로부터 탈착되었는지 여부를 검출한다. 다이(12)가 탈착되고 진공 흡인 구멍(22)을 폐쇄할 때, 다이(12)의 외부 부분은 콜렛(20)의 표면 상에 견인된다. 이 단계에서, 진공 흡인력 또는 공기 유동은 특정 임계 레벨을 넘어 형성된다. 더 많은 시간이 다이(12)를 탈착하기 위해 요구될 때, 다이(12)가 탈착되었는지 여부를 검출하기 위해 진공 또는 유동 센서를 활성화하기 전에 지연이 제공된다. 따라서, 단계 e 및 f와 단계 i 및 j가 반복될 것이다. 이 능동 피드백 시스템은 얇은 다이를 취출하기 위한 시간을 최적화할 것이다. 예를 들어, 적은 점착성 접착 테이프에 대해, 적은 시간이 다이를 취출하기 위해 요구된다.
본 발명의 바람직한 실시예의 능동 피드백 시스템을 구비하는 순차적 가동 지지 플레이트 요소를 사용하는 다이 탈착 및 취출 도구는 다이 탈착 및 취출 중에 다이 균열의 감소된 발생률을 갖고 얇은 다이스의 탈착을 허용한다. 얇은 다이 상에 인가된 응력을 모니터링하고 제어하여 다이의 탈착 중의 수율이 다이를 균열시키지 않고 증가할 수 있게 하는 실시간 모니터링 시스템이 제공된다. 이는 모든 가동 지지 플레이트가 아래로 이동할 때까지 사전 박리 단계 및 단부 플레이트의 쌍의 순차적인 하강 이동 단계에서 다이의 신속한 탈착을 성취하기 위해 가동 지지 플레이트(x)의 거리(Δa) 및 폭을 최적화함으로써 성취된다. 피드백 시스템은 또한 임계 계면 접착 강도를 극복하기 위해 다이(12) 상에 박리 에너지가 작용하는 것을 허용하기 위한 다이를 취출하기 위한 자동 지연 기간을 포함한다.
바람직한 실시예의 능동 피드백 시스템은 다이 탈착 프로세스를 평가하고 모니터링하여, 특히 다이가 얇고 따라서 덜 강성일 때, 인가된 박리 에너지가 다이를 균열시키는 위험을 감소시키도록 다이의 임계 강도를 초과하지 않는 것을 보장한다. 더욱이, 다이 탈착 도구 내의 피드백 시스템의 통합은 능동 피드백 제어를 통한 자동 다이 탈착을 위한 최적 시간을 성취한다.
본 명세서에 설명된 발명은 구체적으로 설명된 것들 이외의 변형, 수정 및/또는 추가에 민감하고, 본 발명은 상기 설명의 사상 및 범주 내에 있는 모든 이러한 변형, 수정 및/또는 추가를 포함하는 것이 이해되어야 한다.
10: 다이 탈착 및 취출 도구 12: 다이
14: 플레이트 16: 배출기 캡
18: 접착 테이프 20: 콜렛
21: 콜렛 샤프트 22: 진공 흡인 구멍
26: 진공 발생기 30: 진공 채널
C: 중심 플레이트 R1, L1, R2, L2: 플레이트

Claims (12)

  1. 다이가 장착되는 접착 테이프로부터 다이를 탈착하기 위한 방법으로서,
    상기 접착 테이프와 접촉하고 있는 상기 다이의 제 1 측면의 내부 및 외부 부분을 지지면으로 지지하는 단계;
    상기 제 1 측면에 대향하는 상기 다이의 제 2 측면의 내부 및 외부 부분을 콜렛과 접촉시키는 단계;
    상기 다이의 상기 제 2 측면의 상기 외부 부분이 상기 콜렛으로부터 떨어져 굽혀지고 상기 지지면은 단지 상기 다이의 상기 내부 부분만을 지지하도록, 상기 다이의 상기 외부 부분으로부터 지지부를 후퇴시키는 단계;
    상기 콜렛을 향해 상기 다이의 상기 외부 부분을 끌어당기도록 상기 콜렛으로부터 진공 흡인력을 인가하고, 상기 다이의 상기 외부 부분이 상기 콜렛에 접촉하는 것을 나타내는 임계 압력에 도달될 때까지 진공 흡인 압력을 모니터링하는 단계; 및 그 후에
    상기 콜렛이 진공 흡인력에 의해 상기 다이를 유지하는 동안 상기 콜렛을 상승시켜 상기 접착 테이프로부터 상기 다이를 완전히 분리하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다이의 상기 제 1 측면으로부터 상기 접착 테이프에 진공 흡인력을 인가하여 상기 콜렛으로부터 멀어지는 방향으로 상기 접착 테이프를 견인하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 지지면은 중심 플레이트 및 상기 중심 플레이트의 대향 측면들 상에 위치된 적어도 한 쌍의 외부 플레이트들을 포함하고, 상기 플레이트들은 상기 다이를 지지하기 위해 연속면을 형성하도록 서로 인접하여 배열되는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 지지면은 적어도 2쌍의 외부 플레이트들을 포함하고, 상기 다이의 상기 외부 부분으로부터 지지부를 후퇴시키는 상기 단계는 상기 중심 플레이트에 대한 외부 플레이트들의 각각의 쌍을 플레이트들의 최외측 쌍으로부터 상기 중심 플레이트를 향해 한 쌍을 동시에 순차적으로 하강시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 중심 플레이트에 대해 다음의 인접한 쌍의 외부 플레이트들을 하강시키기 전에 상기 임계 압력이 도달되는 것을 보장하기 위한 폐루프 피드백 제어를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 접착 테이프와 접촉하고 있는 상기 다이의 상기 제 1 측면의 상기 내부 및 외부 부분을 상기 지지면으로 지지하는 단계는 각각의 쌍의 외부 플레이트들을 사전 박리 레벨로 상기 다이를 향해 또는 상기 다이로부터 떨어져 독립적으로 이동 가능한 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 접착 테이프로부터 상기 다이의 탈착을 위한 시간을 허용하도록 상기 임계 압력이 도달되었는지 여부를 검출하기 전에 지연 시간을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 폐루프 피드백 제어는 진공 검출 디바이스를 포함하는 진공 발생기를 사용하여 제공되는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 지지면은 초기에, 지지되어 있지 않은 상기 다이의 상기 제 1 측면을 따라 연장하는 외팔보 간극을 제외하고는, 상기 다이의 상기 제 1 측면 전체를 지지하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 외팔보 간극은 0.3 mm 내지 0.8 mm의 범위인 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 다이는 75 미크론 이하의 두께를 갖는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 진공 흡인 구멍들이 상기 다이의 상기 외부 부분과 상기 콜렛의 상기 외부 부분 사이의 접촉을 모니터링하기 위해 상기 콜렛의 상기 외부 부분 상에 제공되는 방법.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315809B (zh) * 2010-07-08 2016-11-16 德昌电机(深圳)有限公司 风扇电机装置、空气流动性调节设备及风量控制方法
CH706280B1 (de) 2012-03-30 2016-03-15 Esec Ag Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie.
CH707236B1 (de) * 2012-11-23 2016-10-31 Besi Switzerland Ag Verfahren zum Ablösen von Halbleiterchips von einer Folie.
TW201436062A (zh) * 2013-03-15 2014-09-16 Mpi Corp 晶粒選取方法以及用以實施該方法的晶粒選取設備
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
JP6349496B2 (ja) 2014-02-24 2018-07-04 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP5717910B1 (ja) * 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
SG10201403372SA (en) 2014-06-18 2016-01-28 Mfg Integration Technology Ltd System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector
KR101683398B1 (ko) * 2015-10-02 2016-12-07 주식회사 프로텍 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법
KR102493462B1 (ko) 2016-02-11 2023-01-30 삼성전자 주식회사 반도체 칩 적층을 위한 장치
JP2017224671A (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 株式会社ディスコ 剥離装置
JP6692777B2 (ja) * 2017-07-25 2020-05-13 株式会社東芝 移載装置および判定方法
TWI745710B (zh) 2018-07-06 2021-11-11 日商新川股份有限公司 半導體晶粒的拾取系統
TWI716925B (zh) 2018-07-06 2021-01-21 日商新川股份有限公司 半導體晶粒的拾取系統
US11600516B2 (en) * 2020-05-13 2023-03-07 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Die ejector height adjustment
US11889742B2 (en) * 2020-11-04 2024-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of manufacturing display device and method of manufacturing display device
JPWO2022123645A1 (ko) 2020-12-08 2022-06-16
US11764098B2 (en) * 2021-04-16 2023-09-19 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Detaching a die from an adhesive tape by air ejection
JP2023064405A (ja) * 2021-10-26 2023-05-11 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20230083400A (ko) * 2021-12-02 2023-06-12 세메스 주식회사 반도체 소자 픽업 장치 및 이의 동작 제어 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165310A (en) * 1998-09-29 2000-12-26 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for removing parts from an adhesive film
JP2001118862A (ja) * 1999-11-09 2001-04-27 Nec Machinery Corp ペレットピックアップ装置
KR20030035763A (ko) * 2001-10-23 2003-05-09 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 칩의 박리 방법 및 장치
US6709543B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor chip pickup device and pickup method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US7182118B2 (en) * 2003-06-02 2007-02-27 Asm Assembly Automation Ltd. Pick and place assembly for transporting a film of material
US7240422B2 (en) * 2004-05-11 2007-07-10 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus for semiconductor chip detachment
US7643130B2 (en) * 2005-11-04 2010-01-05 Nuflare Technology, Inc. Position measuring apparatus and positional deviation measuring method
US20090301579A1 (en) * 2008-06-10 2009-12-10 Gnb Corporation Vacuum pressure systems with vacuum chamber full-range, closed-loop pressure control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165310A (en) * 1998-09-29 2000-12-26 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for removing parts from an adhesive film
JP2001118862A (ja) * 1999-11-09 2001-04-27 Nec Machinery Corp ペレットピックアップ装置
US6709543B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor chip pickup device and pickup method
KR20030035763A (ko) * 2001-10-23 2003-05-09 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 칩의 박리 방법 및 장치

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