TW201250022A - Deposition apparatus and deposition material supply method - Google Patents

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201250022 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種成膜裝置以及成膜材料供給方 法’係藉由加熱成膜材料來產生該成膜材料蒸氣，並利 用搬運氣體來將該蒸氣供給於被處理基板以進行成膜。 【先前技術】 有機EL(Electro Luminescence)成膜裝置係具備 有：收容玻璃基板之處理室；以及蒸氣產生部，係將有 機成膜材料加熱至高溫例如250〇C等蒸發開始溫度以上 來產生該有機成膜材料蒸氣。由蒸氣產生部所產生之有 機成膜材料蒸氣係通過搬送流路而和搬運氣體一同搬 送至處理室。於處理室設有吹送機構，來將通過搬送流 路而被搬送之有機成膜材料蒸氣朝向收容於處理室之 玻璃基板做吹送。此外，於搬送流路之中途具備有用以 開關該搬送流路之開關閥。藉由將開關閥加以開關來進 行對於玻璃基板供給蒸氣而造成之成膜之開始以及結 束之控制。 先前技術文獻 專利文獻1曰本特開2008 — 38225號公報 【發明内容】 另一方面，為了控制有機成膜材料之成臈量、成膜 速率，有必要進行有機成膜材料之精密溫度控制。里體 而言，須以±o.rc之精度來控制有機成膜材料之溫度。 但是，一旦蒸氣產生部内之有機成膜材料到達蒸=溫 201250022 度，有機成膜材料蒸氣濃度會慢 氣產生部内部之壓力上升會造成;度!升伴=機; 控制變得困難。而上== 便於進行精密溫度控制、亦即膜 其具體方法並未::=成膜裝置之適當化操作，然 種成述情事所得者，其目的在於提供一 =二成方法，當加熱成膜材料之 閥之開關動作:二產，量等來控制開關 盘溫产上# -f邊f產生部内部之M力上升 密溫i控制。率地加熱成膜材料，且可進行精 本發明之成膜褒置，係具備有 =:氣㈣，係藉由加熱成膜材料來產= 成胺㈣搬达流路，係將該蒸氣產生部所產生之 :膜搬運氣體搬送至該處理室；排氣流 产筮、：5亥瘵氣產生部所產生之成膜材料蒸氣加以排 :該搬=閥以途，開 及弟2開關閥，係設置於該排氣流 途/用以開關該排氣流路；另外具備有：溫度檢 二機構’係檢測該蒸氣產生部之溫度；蒸氣量檢測機 構，係檢測自該蒸氣產生部賴送之成膜㈣蒸氣量； U及控制機構’當加熱成膜材料之情況，係依據該溫度 檢測機構所檢測之溫度的高低來控制該第2開關間之開 201250022 關動作，當將成獏材料搬送至該處理室之 該蒸氣量檢測機構所檢測之蒸氣量來控制‘第’：： 2開關閥之開關動作。 # 1以及第 本發明之成縣置中，該蒸氣產生部 =高於既定溫度之溫度來域；該㈣機構係 當該温度檢測機構所檢測之溫度未達該既定 況，將該第1以及第2開關間控 二二‘月 …，當使得該蒸氣產生部升』 檢測機構所_之溫度在職定溫度以上之時 ς 2開關閥控制成為開放狀態之機構。 ^弟 本㈣之成職置，該岐溫度域騎 溫度以下之溫度。 …、發 ，既ΐ發!之成膜裝置，該成膜材料為有機成膜材料， 該既疋溫度為250°C以下。 =發明之成膜裝置係具備有加熱機構，係以該第i =閥下游側之該搬送流路之溫度成為該第旧關間之 :度以上、且該第！開關閥之溫度成為該第i開關^上 路:C路之溫度以上的方式來加熱該搬送流 吟Μ及第1開關閥。 本發明之成膜裝置係具備有： 1分別加熱該第丨開關閥上游側之該搬送流路、該第 游柄!!間、以及該第1卿闕1^側之該搬送流路的上 別檢閥加熱機構、以及下游侧加熱機構；分 、Α第1開關閥上游側之該搬送流路、該第}開關

S 201250022 閥、以及該第1 p， 游側溫度檢測機^閥下游側之該搬送流路之溫度的上 檢測機構·，以及r、閥温度檢測機構、以及下游侧溫度 之溫度成為該第’以該第1開關閥下游側之該搬送流路 之溫度成為：第i =關閥之溫度以上、且該帛1開關閥 上的方式來控制/關閥上游側之該搬送流路之溫度以 游側加熱機構之^游側加熱機構、閥加熱機構以及下 〈勒作的機構。 成膜凌置係具備有吹送機構，將通過該搬 < n it 1 &=之成膜材料蒸氣朝向收容於該處理室 基板來吹送；該吹送機構係具備有：滞留室， 留；付nt搬送流路而碰狀成膜材料蒸氣被滞 開口 ’係吹送滯留於該滞留室之蒸氣；以及擒門， 係將該開口以可開關之方式加以封閉。 本發明之成膜材料供給方法，係使用成膜裝置進行 成膜材料之加熱；該成膜裝置係具備有：處理室，係收 谷被處理基板；蒸氣產生部，係藉由加熱成膜材料來產 生該成膜材料蒸氣；搬送流路，係將該蒸氣產生部所產 生之成膜材料蒸氣連同搬運氣體搬送至該處理室；排氣 流路，係將該蒸氣產生部所產生之成膜材料蒸氣加以排 氣；第1開關閥，係設置於該搬送流路之申途，用以開 關該搬送流路；以及，第2開關閥，係設置於該 路之中途，用以開關該排氣流路； 肌 其中係檢測該蒸氣產生部之溫度，當所檢測之溫度 201250022 未達既定溫度之情況，乃借 為關閉狀態來加埶成膜材料=第1以及第2開關閥成 溫度以上之情況Γ乃使;^〖所檢測之溫度為該既定 料;並檢測從該蒸氣====

:::::檢測之蒸氣量來控制該第1以及P 行成ΐ:::力成:材:供給方法，係使用成膜裝置來進 收谷被處理基板；複數蒸氣產处里至3 料來產生該成膜材料蒸氣；^ I、成膜材 基翁连斗卹痛方4丄、是數搬达^路’係將該複數 至該處理室；複數二蒸氣連同搬運氣體搬送 .,^ ^ ^ 机路’係將該複數蒸氣產生部所 ^生之成歸料蒸氣加叫氣；複 置f各搬送流路之中途，μ開關該搬送=以i 複數第2開賴，储置於各排氣流路 1 關該排氣流路； τ疋用以開 择去Ϊ中!!檢測第1蒸氣產生部之溫度，當所檢測之溫 度未達既定溫度之情況，乃使得該第丨 、 第1以及第2開關閥成為關閉狀態來加熱成膜材:之！！ ，測之溫度為該既定溫度以上之情況，乃使兮“ t產生部之該第2開關閥成為開放狀態來加熱^材 並檢測從該第1蒸氣產生部所搬送之成膜 量，依據所制之·量來控制該第1蒸氣產生 201250022 第1以及第2開關閥之開關動作； 並檢測第2該蒸氣產生部之溫度，當所檢測之溫度 為未達既定溫度之情況，乃使得該第2蒸氣產生部之該 第1以及第2開關閥成為關閉狀態來加熱成膜材料；當 所檢測之溫度為§玄既定溫度以上之情況，乃使得該第2 蒸氣產生部之該第2開關閥成為開放狀態來加熱成膜材 料； ' 並檢測從該第2蒸氣產生部所搬送之成膜材料蒸氣 量，依據所檢測之蒸氣量，使得該第丨蒸氣產生部之該 第1開關閥成為關閉狀態，且控制該第2蒸氣產生部之 該第1以及第2開關閥之開關動作。 於本發明中，溫度檢測部係檢測蒸氣產生部之溫 度，控制機構係依據蒸氣產生部之溫度來控制第2開關 閥=開關動作。當第2開關處於開放狀g之情況，可 將洛氣產生部所產生之成膜材料蒸氣排出至蒸氣產生 外疋以可抑制蒸氣產生部内部之壓力上升以及溫度 上升，可於蒸氣量穩定之狀態下開始成膜。當第2開關 閥成為關閉狀態之情況，成膜材料可於蒸氣產生部被高 效率地加熱。 於本發明中，成膜材料係被加熱至超過在蒸氣產生 部之既定溫度的溫度。當蒸氣產生部之溫度未達既定溫 度，情況’第1以及第2開關閥被㈣在關閉狀態。當 蒸，產生部未達既定溫度之情況，成膜材料之蒸發所致 蒸氣產生部内之壓力上升以及溫度上升相對地不會成 9 201250022 =題，故即使第1以及第2開關閥成為_狀態也可 精被地控制溫度。此外，可藉由_第丨以及第2開關 閥來高效率地加熱成膜材料。 當蒸氣產生部之溫度成為既定溫度以上之产況，第 2開關，開放狀態。當第2開關閥成為開放月狀態之 情=由於可排出蒸氣產生部所產生之成崎料基氣直 = : = :量，抑制蒸氣產生_之 下。中’既定溫度為成膜材料之蒸發溫度以 '由依據既定溫度來開關第2開關，可有 蒸發所致蒸氣產生部内部之壓力上 為麵賴㈣，既定溫度 值。從而，拉w有機成膜材料之蒸發溫度之下限 ..^ 9依據既定溫度來開關第2開關閥，可有 力蒸發所致蒸氣產生部内部之壓 溫度:ί發:!中開:^路下游側溫度為第1開關閥之 上。^% _ 3閥之溫度為搬送流路上游側溫度以 關閥。m成崎料凝集於搬送流路以及第1開 mip;本發明中’第1開關閥上游側之搬送流路、第1 由t及第1開關閥下游側之搬送流路之溫度係藉 則/皿度才欢測機構、閥溫度檢測機構、以及下游側 201250022 之、、θ产成為關開關閥之溫度以上、第1開關閥 = 開關閥上游侧之搬送流路之溫度以i的 則加熱機構、閥力，機構以及下游側I 熱機構之動作。從而，可 荇側加 搬送流路以及第1開^更確貫地防止成膜材料凝集於 係被:=::=====材， 通，，路而被搬:之“材：： 從而二：：留室’、滯留室之開口可藉由擋門來開關。 離，可射Γ熱絲㈣之際’開_成為開放狀 I、了稭由將開Π以擋門來 膜材料蒸氣吹送至處理室内。肖止於成膜處理别成 迅逹，可將產生成膜材料蒸氣之蒸氣產生部 S地切換’可於成職理不至中斷之前提下更換成膜 升盘明一邊抑制蒸氣產生部内部之塵力上 精密二::n熱成膜材料，且可進行 制。+於被處理基板之錢來進行精密之膜厚控 【實施方式】 述之以下’針對本發明基於顯示其實施形態之圖式來詳 201250022 (實施形態1) 圖1係示意顯示本實施形態1之成膜裝置構成之説 明圖。本發明之實施形態1之成膜裝置，具備有：處理 室5 ’係收容玻璃基板G，對玻璃基板(被處理基板)g 進行成膜處理；以及控制部8，用以控制成膜裝置之各 構成部動作。處理室5係以玻璃基板G之搬送方向為長 邊方向而呈現中空大致長方體形狀，由鋁、不鏽鋼等所 構成。於處理室5之長邊方向一端側之面（圖1中左端 面）係形成有用以將玻璃基板 G搬入處理室5内之未圖 不之搬入口，於長邊方向另一端側之面（圖1中右端面） 則形成有用以將玻璃基板G搬出處理室5外之未圖示之 搬出口。此外，於收容室之適宜部位係形成有排氣孔， 配置，處理室5外部之真空泵經由排氣管而連接於排氣 藉由驅動真线，處理室5之内部被減壓至既定壓 4例如)〇4pa〜1〇-2pa。此外，真空果之動作係藉由控制 ^ A ^又到控制。此外，為了達成大氣開放亦可將供給 氣體(例如氮氣)之沖洗氣體供給管（未圖示）連 處理室5。 、 你入於處理室5内部之底部設置有用以將玻璃基板〇從 搬送至搬出口之搬送裝置。搬送裝置係具備有： 可被理冑5之底部沿著長邊方向設置；移動構件， 動；所引導而往搬送方向亦即前述長邊方向移 美板G撐台’係設置於移動構件之上端部，將玻璃 基板〇_對於底部呈大致平行的以來加以支撑。於

S 12 201250022 支撐台内部設有保持玻璃基板G之靜電夾、 用以將玻璃 f板G溫度保持一定之加熱器、冷媒管等。此外，支撐 台係構成為可藉由線性馬達來移動。此外，線性馬達之 動作可藉由控制部8所控制。 理至5之上部在搬送方向大致中央部設 人送機構4 ’可對破璃基板〇以真空蒸鍍法來進行成 ，。吹送機構4可將後賴由搬送流路21而被搬送之 機成膜材料(成膜材料)之蒸氣朝向被收容在處理室5 =玻璃基板G進行吹送。吹送機構4 備有滞留室 配置於處理室5外部之蒸氣產生部1係經由搬送流 21而與其連接’可將自蒸氣產生部1通過搬送流路 ^ 、/搬&之有機成膜材料蒸氣加以暫時地滯留。滯留 一英」系如中空大致長方體，於滞留室41下面設有可 2外二於'帀留室41之有機成臈材料蒸氣的開口 42。 加人送機構4係具備有將開口 42以可開關之方式 放位晋：之擋門43<>擋門43係以可在開放開口 42之開 所構成干閉位置之間往返移動的方式 部之動作係由控制部8:::動部而被媒動。擋門驅動 置於部=具備有例如不鏽鋼製之容器以及配 纽：二熱機機:：熱機構係具有可將構成有 分，可藉收容之容器形狀部 成膜封料。㈣ 201250022 、Γ乙烯咔唑等含低分子色素之聚合物、π共軛 二來進行nr之加熱係以例如埋設於容器之電 , 此I ’將收納於加熱機構内之有機成膜 ==加熱來產生有機成膜材料蒸氣。此外，容器係 =^運氣體供給管91，以對玻璃基板G供給惰性 ㈣/雕Ar等稀有氣體等所構成之搬運氣體h伴隨從 機点^供^管Μ對容器所供給之搬運氣體，使得有 料錢從蒸氣產生部1經由搬送流路21來供 機構4°於搬運氣體供給管91之中途係設有用 *二丨，運軋體供給量之搬運氣體供給用調整閥92,藉 300^^8而被控制成為例如搬送流路Μ之内壓成為 "送机路21係將蒸氣產生部】與吹送機構之間加 =拋ίΐ將洛氣產生部1所產生之有機成膜材料蒸氣連 5氣體朝處理室5搬送。搬送流路21係例如不鐵 鋼製，流路直徑為例如44.5mm2以上。 此外’成膜裝置係具備有調整置（第1開關 1 T對叹置於搬送流路21中途之搬送流路進 行開關。調整閥裝置31為例如電磁閥，調整閥裝置31 之開關動作係藉由控制部8而受到控制。在調整間裝置 31方面可使用例如於曰本特開2〇1〇 2⑹η號公報(特 願2009-064546號)所記载之高溫耐熱闕。該高溫耐執闕 在高溫之漏祕性優異，適合於高溫氣體之通流控制。 再者’成縣置係具備有··第1上游側溫度檢測部 201250022 (上游側溫度檢測機槎 游側之搬送流路部分a ’、w以=測調整閥裝置31上 溫度檢測機構)62a，田之/Ja度’第1閥溫度檢測部（閥 ^下游側溫度檢裝置31之溫度; 檢測調整閥裝置31下#/貞酿度檢測機構)63a’用以 度；材料、、田产檢別却/持側之搬送流路部分21b之溫 產生部Sir;:， 側溫度檢測部61a、第】間溫度檢列^度f 1上游 伽浪疮认、又核而4 62a、第！下游 部63a以及材料溫度檢測部料係使用例如 於：！ 熱電偶、熱敏電阻器等所構成，將顯示所 w/、’出之各部溫度的訊號分別輸出至控制部8。此外， 2 1上游側溫度檢測部61a、第i閥溫度檢測部62a以 及第1下游側溫度檢測部63a只要可檢測各部之溫产， =測方式無制限定，亦可使關如紅外線溫^應 益叙非接觸式溫度感應器、溫度感應器1C等。 此外，成膜裝置係具備有：第1上游側加熱部（上 游側加熱機構)71a，用以加熱調整閥裝置31上游側之 、送机路部分21a;第1閥加熱部（閥加熱機構)72a，用 以加熱調整閥裝置31 ;以及第1下游側加熱部（下游側 =熱機構)73a，用以加熱調整閥裝置31下游側之搬送 ^路部分2lb。第1上游侧加熱部71a、第丨閥加熱部 721以及第1下游側加熱部73a係使用例如電熱線、加 熱器等發熱電阻元件所構成，第丨上游側加熱部71a、 第1閥加熱部72a以及第1下游側加熱部73a係經由未 15 201250022 圖示之電源而連接於控制部8， 制部8來進行控制。此外，第 σ熱部之動作係由控 1閥加熱部72a以及第i下游 ^側加熱部71a、第 下游側加熱部73 口 各部，其方式並無特別限定，亦 二要可加熱 燒式等。 了為感應加熱方式、燃 此外’於搬达>4 21上游側之搬送流路部分^ 設有用以檢猶機成崎料絲量的^絲量檢測部 (条氣置檢測機構)23。於下游側之搬送流路部分別亦 即吹送機構4與調整閥襄置3 i之間亦可設置第2蒸氣 量檢測部24。第1以及第2蒸氣量檢測部幻、％為水 晶振動元件(QCM : Quarts Crystal Micr〇balance)等膜厚 計、電谷式壓力計（Capacitance Manometer)、 FT-IR(Fourier Transform Infrared Spectro photometer)等 可監測蒸氣量之機構。第1蒸氣量檢測部（蒸氣量檢測 機構)23係用以檢測蒸氣產生部之蒸氣量而控制調整閥 裝置31之開關所使用者。此外，第2蒸氣量檢測部（蒸 氣直/則機構)24係用以於成膜時測定成膜量、成膜速 率所使用者。第2蒸氣量檢測部（蒸氣量檢測機構)24亦 能以檢測成膜時之蒸氣量或是可進而進行回饋控制之 方式來構成。 於搬送流路21上游側之搬送流路部分21a係以於 途中分岐之方式連接著排氣流路2 2。成膜裝置係具備有 開關排氣流路22之排氣閥裝置（第2開關閥)32。排氣閥 裝置32係和調整閥裝置31為同樣構成，排氣閥裝置32 201250022 =開關動作仏藉由控制部8來受顺制。在排氣闕裝置 32方面可使用高溫耐熱閥。 此外，成獏裝置係和搬送流路21同樣，具有：第2 上游，屋度檢測部61b，用以檢測排氣闕裝置 32上游側 =排氣机路部分22a之溫度；第2閥溫度檢測部62b， 乂檢測排氣閥裝置32之溫度；以及第2下游側溫度 631)’用以⑻崎氣閥裝置32下游侧之排氣流路 心22b之溫度。帛2上游側溫度檢測部61b、第2閥 :度檢測。p 62b、第2下游側溫度檢測部㈣以及材料 /皿度”[5 64係使用例如測溫電阻體、熱電偶、熱敏 電!等所構成’將顯示所檢測出之各部溫度的訊號分 別輸出至控制部8。 、再者，成膜裝置係具備有：第2上游側加熱部 71b， 以加熱排氣閥裝置32上游側之排氣流路部分22a;第 2間加熱部72b，用以加熱排氣間裝置32 ;以及，第2 下游側加熱部73b，用以加熱排氣闕裝置32 了游側之排 氣流路部分22b。各加熱部之詳細係和設置於搬送流路 之各加熱部同樣。 控制部8係例如具備有咖㈣㈣p職 之微電腦’於cpu係通過匯流排而連接記憶部徜 存有控制部8之動作所需要之電腦程式、於成膜處理程 序所需要之各種資訊）、輸出入部（可輸出、輸入用以押 制成臈裝置之各構成部動作的訊號)等。前述各種資^ 係包括有例如於加熱有機顏材料之際所進行之用二 17 201250022 ，，置31開關動作所必要之既定溫度。既定 '皿度係：疋於有機成膜材料之蒸發溫度以下之溫度。更 了體而:既疋溫度係例如蒸發開始溫度以下之250°C =下之孤度此外，前述各種資訊係包含例如有機成膜 料之加熱目標溫度。加熱目標溫度為高於既定溫度之 溫度’為可得到所希望蒸發量之溫度。 控制。卩8在加熱有機成膜材料之情況下，會依照於 材料溫度_部64所檢測之溫度高低來控制排氣闕裝 置32之開關動作。具體而言’控制部8在於材料溫度 &利。[5 64所檢測之溫度未達前述既定溫度之情況，會 將5周整閥裝置31以及排氣閥裝置32控制在關閉狀態， 在材料溫度檢測部64所檢測之溫度成為前述既定溫度 之情況，將排氣閥裝置32控制在開放狀態。另外，控 ，部8在有機成赌料蒸氣量成為安定之時，乃關閉排 氣閥裝置32而開放調整閥裝置31。 八控制部8係以調整閥裝置31下游側之搬送流路部 分21b之溫度成為調整閥裝置31之溫度以上、調整閥 ，置Μ之溫度麵難酿置^上游側之搬送流路部 分21a之溫度以上的方式來加熱搬送流路21以及調整 、1裂置31。具體而言，係以調整閥裝置下游側之搬 送流路21之溫度成為調整置31之溫度以上、調整 閥農置31之溫度成為調整閥裝置31上游側之搬送流路 21之溫度以上的方式來控制第1上游側加熱部71a、第 1閥加熱部72a以及第丨下游側加熱部73a之動作。若

S 18 201250022 進:控制’則於蒸氣產生部1所產生之有機 攻膜材#4❹在搬送流路21之中途凝集。哥機 此it事於排氣流路22也同樣，控制Α 間裝置32下游侧之排氣流路部分22b===排氣 :;=:溫度以上、排氣閥裝置32之==:: 1農置32上游側之搬送流路部分22a之溫卢以μΑΑ 式來加熱排氣流路22以及排氣閥裝置32。a的方 之控= ⑻熱以及搬送 及擂=1^系關閉調整間裝置31、排氣間裝置U以 SU)，加熱有機成膜材料(步驟S12)。具 —5，控制部8係對調整閥裝置31以及# 給予控制訊號’來封閉 及拉門|£動部 m 一 d 閉5周整閥裝置3卜排氣閥裝置32 备門43。此外，控制部8係藉由對蒸氣產生 訊號來使得加熱機構動作’而開始有機成膜材 L 了其-人，控制部8係以材料溫度檢測部64來 a、…氣產生# 1之溫度’來判定蒸氣產生部^之溫度 疋否接近於既定溫度、亦即蒸氣產生部1之溫度是否較 既^度到達更低一定量之溫度(步驟su)。該一定量 之設定方式係藉由後述步驟S14之處理，蒸氣產生部i 之溫度在到達既定溫度之前，搬送流路21、排氣流路 ^三調整閥裝置31、以及排氣閥裝置32之溫度到達和 洛氣產生部1同等或是更高之溫度。 於步驟S13之處理’當判定蒸氣產生部1之溫度尚 19 201250022 未接近既定溫度之情況(步驟S13: N0)，控制部8會再 度實行步驟S13之處理。亦即’控制部8會待機直到蒸 氣產生部1之溫度接近於既定溫度。當判定蒸氣產生部 1之溫度接近於既定溫度之情況（步驟S13 : YES)，控制 部8將叫出後述副程式，進行搬送流路21以及排氣流 路22等之溫度控制（步驟S14)。於步驟S14，在蒸氣產 生部1到達既定溫度之前，以搬送流路21、排氣流路 22、調整閥裝置31、以及排氣閥裝置32被加熱至個別 的設定溫度之方式進行溫度控制。此外，上述之溫度關 係只要在蒸氣產生部1之溫度到達既定溫度之前達成即 可，無需連同蒸氣產生部1之升溫來上升溫度。溫度控 制之詳細將於後述。然後，控制部8會以材料溫度檢測 部64檢測蒸氣產生部i之溫度，判定蒸氣產生部1之 溫度是否成為既定溫度以上（步驟S15)。 當判定蒸氣產生部1之溫度未達既定溫度之情況 (步驟S15 . NO)，控制部8會讓處理回到步驟S14。當 判定蒸氣產生部1之溫度成為既定溫度以上之情況(步 驟S15:YES)，控制部8會開放排氣閥裝置32(步驟S16> 其次，控制部8會將搬運氣體供給用調整閥92設 疋為開放狀態，將搬運氣體供給於蒸氣產生部1 (步驟 S17)。此外，搬運氣體之供給時機為一例，亦可於開放 排氣閥裝置32後立即供給搬運氣體、亦可不供給搬運 氣體。不過，在到達接近於目標加熱溫度之溫度時，供 給和成膜時為同程度流量之搬運氣體為佳。此外，控制

S 20 201250022 部8係以蒸氣產生部i之溫度和目標加熱溫度成為一致 之方式對蒸氣產生部丨之溫度進行ΡΠ)控制（步驟 S18)。其次，控制部8和步驟si4同樣地叫出後述副程 式，進行搬送流路21以及排氣流路22等之溫度控制（步 驟S19) °此外，控制部8係使用第1蒸氣量檢測部23 來檢測有機成膜材料蒸氣量，以蒸氣量和既定量成為一 致之方式進行控制（步驟S2〇)。然後，控制部8使用第1 ，氣量檢測部23來檢測有機成膜材料蒸氣量，判定第1 ?备氣量檢測部23所檢測之蒸氣量是否為既定量、是否 ，到穩定(步驟S21)。為了判斷是否穩定，可利用第1 洛氣量檢測部（蒸氣量檢測機構)23以既定時間 測蒸氣量，騎分別之蒸氣量值是韓於—定範圍^ 也可持續監測，於既定時間顯示落於-定範圍内之值的 情況判^為穩定。其結果，當判定蒸氣量不穩定之情況 (步=S21 : NO) ’控制部8會讓處理回到步驟⑽。當 判定蒸氣量達穩定之情況(步驟S21 : YES)，控制部田 乃關閉排氣閥裝置32(步驟S22)，開放調整閥裝'置/ 驟 S23)。 其次，控制部8係和步驟S18〜20同樣，以？〆 i;1二目標加熱溫度成為-致之方式二 之，皿度進订PID控制（步驟S24)，再者叫 田1程式’進行搬送流路21以及排氣流路22 a (步驟S25)，控财機成騎料蒸氣量(” S2:度f ，步驟S26中之蒸氣量控制以基於第2蒸氣量檢測部 21 201250022 24所監測得到之蒸氣量來進行為所希望者。 基於接近練GH摘制 氣量能更正確地控制對基板G所供給之有 ' 蒸氣量之故。藉由以上之控制，對基板G供 ^料 材料而開始成膜處理。於成膜處理之間，蒸氣產生立膜 係以成為加熱目標溫度之方式藉由公知之Ριώ 來控制。另-方面，狀以第i 氣量檢測部23工^ 第2蒸氣量檢測部24所監測而得之蒗_吾β π丄―疋 定量。當少於既定量之情況，增加Α;氣體;搬:= 之流量，增加對吹送機構4所供給之有機_材料 量。當蒸氣量大幅少於既定量之情況，亦可加熱蒸氣產 生部1來增加有機材料蒸氣量。此外，可變化搬^氣體 之流量與蒸氣產生部1之加熱溫度這兩者，亦可藉由控 制基板G之溫度、或是改變基板G之移動速度來實質 地控制對基板G所供給之有機成膜材料蒸氣量。將實際 蒸氣量與既定量之偏差程度來和臨界值做比較，當偏^ 程度小於該值之時，藉由搬運氣體之流量來控^蒸氣 量。當偏差程度大之時，改變加熱溫度、亦即將加^目 標溫度變更為更高溫度來進行流量控制為所希望者。 其次，控制部8判定是否結束成膜處理(步驟S27)。 當判定不結束成膜處理之情況(步驟S27 : NO)，控制部 8會讓處理回到步驟S24。當判定結束成膜處理之情況 (步驟S27 : YES)，控制部8會關閉擋門43以及調整閥 裝置31(步驟S28)而開放排氣閥裝置32(步驟S29)。然

S 22 201250022 後，控制部8會停止有機成膜材料之加熱（步驟S3〇)。 其次，控制部8即便在搬送流路21以及排氣流路22之 溫度下降之過程中，也會叫出後述副程式，進行搬送流 路21以及排氣流路22之溫度控制（步驟S31)。於步驟 S31，蒸氣產生部1亦可在至少未達既定溫度之前以搬 送流路21、排氣流路22、調整閥裝置31、以及排氣閥 裝置32被加熱至既定溫度的方式進行溫度控制。若蒸 氣產生部1未達既定溫度，上述之溫度控制未必需要。 然後，控制部8判定蒸氣產生部丨之溫度是否成為未達 既定溫度(步驟S32)。亦即，判定有機成膜材料蒸氣之 產生疋否已停止、或是蒸氣量是否成為充分小。當判定 瘵氣產生部1之溫度成為既定溫度以上之情況（步驟 S32 : NO)，控制部8會讓處理回到步驟S3卜接續進行 搬送流路21以及排氣流路22之溫度控制。當判定蒸氣 產生部1之溫度未達既定溫度之情況（步驟S32 : YES)， 控制部8會停止搬送流路21、排氣流路22、調整閥裝 置31、以及排氣閥裝置32之加熱控制（步驟S33)，停止 搬運氣體之供給，封閉排氣閥裝置32(步驟S34)。 、身其次，控制部8判定是否再度進行處理(步驟§35)。 菖岁】疋不再度進行成膜處理之情況(步驟S35 : NO)，控 制部8會再次實行步驟S35之判定處理。當判定再度進 行成膜處理之情況(步驟S35 : YES)，控制部8會讓處 理回到步驟S12。 上述之結束控制、亦即於步驟S28〜步驟S34之處 23 201250022 :溫=二”蒸氣量變得相當少(成為既 m又 為止，使得蒸氣產生部1盥排氣产路22下 = = 氣流路22·= " v具肢而&，以排氣閥裝置32下游侧 上刀細之溫度為排氣閥裝置32之溫度以 t=;2 f溫度為排氣閱裝置32上雜 此之&之’凰度以上的方式來控制。若不保持如 22 i# Φ$低溫度，有機成膜材料會凝集於排氣流路 H中。此肖，只要前述之溫度關係能維持直到至少來 …、氣產生。Ρ 1之洛氣量變得充分少之溫度(既定溫度） 即了，於更低之溫度則不限於此。 同樣地，於本實施形態，係以至少搬送流路21上 游側之溫度成為蒸氣產生部丨之溫度以上的方式進行控 制。 其次，針對搬送流路21以及排氣流路22之溫度控 制做說明《於供給有機成膜材料之際，必須在加熱蒸氣 ^生。卩1而使得蒸氣產生部丨到達既定溫度之前，搬送 仙·路21、排氣流路22、調整閥裝置31、以及排氣閥裝 置32已被加熱至既定溫度。之後，一邊維持在比蒸氣 ，生部1之溫度來得高之溫度、一邊對搬送流路2卜排 氣流路22、調整閥裝置31、以及排氣閥裝置32進行升 二。此乃只要於蒸氣產生部丨到達既定溫度之前將搬送 仙路21、排氣流路22、調整閥裝置31、以及排氣閥裝 置32加熱至既定溫度即可，無需於蒸氣產生部丨之升

S 24 201250022 來t升溫度。只要於既定溫度以上之溫度領域 (包含成膜處理開始前、細處理中或是賴停 =搬送流路21、排氣流路22、調·裝置31、以) :=r度保持在和蒸氣產生部1同等或是 圖4侧雜送如21叹觀職置 係於材料溫度檢測部64檢之 =驟5D。賴，控制部8於第1以 61a，61b 21 f M - ，度(步驟-)。其次，控制部 = =__a'62b檢測調整閥裝置^: 軋閥裝置32之溫度（步驟S53)，於以排 溫度檢測部63a、63b檢測搬送流路21以及 下游側溫度（步驟S54)。 虱机路22 下之蒸氣產生部1之溫度（既定溫度以 度)疋否碰送流路21以及排氣流路2 >皿度來得高溫(步驟S55)。當 ，側 =搬送流路21上游侧溫度以及排氣流 度來得高溫之情況(步驟S55:YES)，控制部 上游侧加熱部71a、71b將搬送流路21以及 -4 22之-者或是兩者上游側予以加熱(步驟: 亦即，當判定蒸氣產生部1之溫度較搬送流路21上游 25 201250022 侧溫度來得高溫之情況，乃加熱搬送流路21上游側， 當判定蒸氣產生部1之溫度較排氣流路22上游側溫度 來得尚溫之情況，乃加熱排氣流路22上游側。當判定 蒸氣產生部1之溫度為搬送流路21以及排氣流路22上 游側溫度以下之情況(步驟S55 : N〇)，控制部8會維持 上述產生部1、搬送流路21以及排氣流路22之溫度關 係（步驟S57)。藉由步驟S55〜57之處理，搬送流路"2ι 以及排氣流路22上游側溫度會成為蒸氣產生部i之溫 度以上，而維持在此狀態下。 肌 結束了步驟S56或是步驟S57之處理的控制部8係 判疋搬送流路21以及排氣流路22上游側溫度是否分別 較調整閥裝置31以及排氣閥裝置32之溫度來得高溫 (步驟S58)。亦即，判定搬送流路21上游側溫度是否較 調整閥裝置31之溫度來得高溫，並判定排氣流路22上 游侧溫度是否較排氣閥裝置32之溫度來得高溫。當判 疋搬送流路21以及排氣流路22之其中一者之上游側溫 度較調整閥裝置31以及排氣閥裝置32之溫度來得高2 之情況(步驟S58 : YES)，控制部8會以第i閥加熱部 72a來加熱調整閥裝置31以及排氣閥裴置32之一者戋 是兩者(步驟S59)。亦即，當搬送流路21上游側溫产較 調整閥裝f 31之溫度來得高溫之情況，乃加熱調^ 裝置31，當排氣流路22上游侧溫度較排氣閥裝置32 之溫度來得高溫之情況，乃加熱排氣閥裝置32。當判定 搬送流路21以及排氣流路22之上游側溫度為調^閥裝

S 26 201250022 置31以及排氣閥裝置32之溫度以下之情況（步驟 控制部8會維持調整閥裝置3卜排氣縣 . ，流路21以及排氣流路22之溫度關係(步驟 、 藉由步驟S58〜60之處理，調整閥裝置31以及排氣)二 之溫度會成為搬送流_以及排氣流路 游側彳皿度以上，而維持在此狀態。 上 判定的控、係 (較 (步驟S61)。亦即，判定調整閥裝置3!之溫卢是^溫 送流路21下游側溫縣得高溫、以 ·^否較椒 ==氣流路22下游側溫度來=。置^ 凋整閥裝置幻以及排 . 田匈定 路21以及排氣流路22下游側^之來其Λ一者較椒· 驟如旧S)，乃以第=第*2度來：溫之情況(步 73b來加熱搬送流路2〗 ，σ…部73a、 者之下游側（步驟S62)，去下游路22之—者或是兩 之溫度以上之時，乃結束:理:：:度上二調整閥裝置 之:= 氣流路22下游側來二排乳閥袭置32之溫度較排 路-游側。當 為搬送鱗2丨《及減鱗22H^明裝置32 (步驟-叫㈣部^之情況 27 201250022 闊裝置32、搬达流路21以及排氣流路22之溫度關係（步 驟S63)，結束處理。藉由步驟S61~63之處理，搬送流 路21以及排氣流路22下游側溫度成為調整閥裝置w 以及排氣置32之溫度以上而維持此狀態。 藉由上述處理，於開始成膜時或成膜途令，基於各 檢測部分別檢測出之溫度來騎PID _等，而控制成 將蒸氣產生部1保持在目標加熱溫度、將搬送流路21 以及排氣流路22之溫度保持在既定關係。此外，為了 做更進一步之精密控制，亦可基於藉由蒸氣量檢測部所 感測之值來進行蒸氣量成為既定值之回饋控制。 當結束成膜之時，係進行和開始成膜時或成膜途中 之情況為相反之控制。 亦即，首先’關閉擋門43以及調整閥裝置31，使 付排氣閥裝置32成為開放狀態β然後，降低蒸氣產生 部1、上游側搬送流路部分21a以及排氣流路部分22b 以及以及下游側搬送流路部分21b以及排氣流路部分 22b之溫度。此時，係一邊保持著上游側搬送流路部分 21b以及排氣流路部分22b之溫度和蒸氣產生部1之溫 度為同一溫度或是更高溫度、上游側搬送流路部分21b 以及排氣流路部分22b之溫度和下游側搬送流路部分 21b以及排氣流路部分22b之溫度為同一或是更低溫度 這種關係一邊降低溫度至少直到既定溫度為止。可藉由 此種降溫控制來防止有機成膜材料於搬送流路21以及 排氣流路22途中發生凝聚、沉積，可防止下一次成膜 28 201250022 處理時經凝聚之有機材料剝落等而污染基板。 以此種方式所構成之實施形態i之成膜裝置以及成 膜材料供給方法’相有機成騎㈣始蒸發之前、亦 即洛氣產生部1之溫度到達既定溫度為止，關閉調整閥 裝置31以及排氣閥裳f 32來加熱有機成膜材料，當有 機成膜材料之洛發開始頻繁之時乃開放排氣閥裝置 32，當有誠膜材料蒸氣量成為—定而穩定之時，關閉 排氣閥裝置32來開放調整閥裝置3卜從而，可一邊抑 制蒸氣產生部1内部之壓力上升與溫度上升、—邊高效 率地加減崎料，且可進行前溫度㈣。此外，料 = 控:進行基於成膜材料對被處理如 笨發、® ^既心皿度方面由於設定於有機成膜材料之 溫度上升/、、 純產生部内部之壓力上升以及 送流路21上游;=’上而調整繼 〒调/皿度以上。從而’可防止 枓凝聚於搬送流路21以及調整闊裝置31。成膜材 ，外’搬故路21以及調㈣裝置η 係糟由第1上游側溫度檢測部6ia、 =皿度 62a、以及第1下、、後/日卜田& 皿度檢測部 >、田产靜檢測部63項檢測，各部之 第1上游側加熱部71a、第1間加熱部72a 29 201250022 以及第1下游側加熱部73a所加熱。從而，可更確實地 防止有機成膜材料凝聚於搬送流路21以及調整閱衰置 31。關於排氣流路22也可達成同樣效果。 此外’即便於加熱有機成膜材料之際，調整間裝置 31處於開放狀態，由於開口 42被擋門43所阻夷，而可 防止於成膜處理前有機成膜材料蒸氣吹出到^理室5 内。關於排氣流路22也可達成同樣效果。 (實施形態2) 實施形態2之成膜裝置係以可將成膜結束時滞留於 吹送機構内之有機成膜材料蒸氣迅速地加以排氣之方 式所構成’㈣在將排氣祕以及排_裝置設置於搬 送流路上游側以及下游側雙方這點上不同，故以下主要 就上述相異點來説明。 圖5係示意顯示本實施形態2之錢裝置構成之説 明圖。於第1實施形態中，第1排 閥裝置32係設置於相對於搬送流二二 而實施形態2之二 閥裝置下游側、吹送機構4上游側具 排氣流 =5=非？裝置…在排氣間裝置33方面和其他 閥裝置同樣可使用高溫财熱閥 有沖洗氣體供給管51，可供給用以處理室= 氣開放之沖洗氣體例如氣氣，而從：室= 給源對處理f 5供給沖洗氣體=之核亂體供 設有使得該沖洗氣體供給管51開關^氣體供給管51 開關之沖洗氣體用開關 201250022 閥52。 控制部8係於成膜結束時關閉調整閥裝置31，而開 放第1以及第2排氣閥裝置32、33。 藉由此種構成，可將成膜結束時等滞留於吹送機構 内之有機成膜材料蒸氣迅速地加以排氣。 (實施形態2之變形例） 變形例之調整閥裝置31係記載於日本特開 2010-216577號公報(特願2009-064546號)之高溫耐熱 閥，僅成膜停止時之控制内容有別於上述實施形態。變 形例2之控制部8係以於成膜停止時不進行調整閥裝置 31下游側、亦即搬送流路部分21b之溫度控制之方式來 構成。亦即，控制部8在成膜停止時針對搬送流路部分 21b之溫度控制並不實行實施形態1之步驟S61〜S63之 處理。換言之，只需將調整閥裝置31與搬送流路21上 游側搬送流路部分21a與蒸氣產生部1之溫度關係控制 在既定關係即可。此乃由於即便於高溫領域，調整閥裝 置31並無洩漏，只要調整閥裝置31處於關閉狀態，即 不會有瘵氣流入下游側之搬送流路部分21b之故。 其次’針對成膜停止時各閥之開關控制順序做説 明。首先’控㈣8在結束賴而進人大氣開放動作之 際,’調整閥裝置31於錢結束後立即成為關閉狀態。 然後大致同時使得排氣狀置33成為開放狀態，對殘 j於，送機構4内之錢進行減、減。之後，使得 /洗乳體用開關閥52成為開放狀態，藉以從處理室5 201250022 外部將大氣開放用沖洗氣體導入處理室5内。 依據變形例之成膜裝置’於成膜結束時可使得處理 室5以更短時間來進行大氣開放。一旦基板G大型化， 處理室5之容積也會增加。例如一旦成為用以處理 73Cmx92cm之基板G的成臈裝置，則處理室5之容積 會超過1萬升。在進行定期維修之時等情況必須將處理 至5做大氣開放，但由於容積大故於大氣開放上需要花 費數小時程度而為相當長的時間。但是，在調整閥襞置 31方面若使用前述高溫耐熱閥，由於在高溫(到達約5〇〇 ，程度）之漏洩特性良好，即便於高溫狀態也能以良好 密封性處於關閉狀態。亦即，可從成膜溫度附近之高溫 狀態開始大氣開放操作，而可減少下降時間。與上述實 施形態不同，可藉由調整閥裝置31來將調整閥裝置31 下游側之搬送流路部分21b與上游側之搬送流路部分 21a加以完全分離，而可分別進行溫度控制。依據如此 構成了縮短大氣開放所需時間，可大幅減少下降時 間。亦即，可縮短大氣開放所需時間。 以上，針對以高溫耐熱閥做為調整閥裝置31來適 用=本成雜置之情況下，賴停止時之控制、效果做 了”羊細圮載，惟即便於升溫時只要直到開始成膜之時搬 送流路21與調整閥裝置31成為既定溫度關係即可。亦 P /使超過生成蒸氣之既定溫度，無需處於實施形態 1所不之既定搬送流路21與調整間裝i 31所呈現之溫 X關係/、要於成膜開始時調整閥裝置31下游側之搬

S 32 201250022 送流路部分21b之溫度為調整閥農置μ之溫度以上、 調整閥裝置31之溫度為調整閥褒置31上游::搬送流 路部分21a之溫度以上即可。亦即可對調整閥裝置31 下游側之搬送流路21b獨立進行溫度控制。如前述般， 由於高溫财熱閥在rfj溫之漏、/¾特性優異，而可對上游側 搬送流路21a與下游側搬送流路21b獨立進行溫度控 制。 (實施形態3) 圖ό係本實施形態3之6層連續型成膜裝置之概略 立體圖，圖7係本實施形態3之成膜單元之截面圖，圖 8係本實施形態3之蒸氣產生部之截面圖。參見以下所 附圖式’針對本發明之實施形態3之成膜裝置作詳細説 明。此外，實施形態3之6層連續型成膜裝置係將實施 形態1之成膜裝置之各構成部、尤其是本實施形態較佳 調整閥裝置300構成加以具體化者，控制部之處理内容 係和實施形態1同樣。從而，以下主要針對各 物理性構成做説明。此外，於以下之説明以及所_ 式’針對具有同-構成以及機能之構成要素係賦予同一 符號而省略重複説明。 此外，説明係按照以下順序進行。 1.利用調整閥裝置之成膜裝置之全體構成 2·成膜裝置之成臈單元之内部構成 3. 成膜單兀之調整閥裝置之内部構成 4. 閥體以及閥座面之構造、形狀、表面處理 33 201250022 5.漏 >戈狀態之驗證 〔成膜裝置〕 昭 -首先，針對本發明之實施形態2之成膜 顯不其概略構成之圖ό來説明。 、、 乡· 成獏裝置係具有矩形狀之處理室<；ηΛ ^ 之内部係利用未圖示之排氣裂置所排氣、:理室500 希望之真空狀態。於處理室之内彳維持在所 個成膜單元Η)。讀接賴單元1(^=列配置著6 板训。成料元㈣财矩雜^ =設有隔壁 :、連結管、和蒸氣產生部i。。戍,配== 整閥裝置300以及吹送機構4〇〇。 ° 蒸氣產生部_係由SUS等金屬所形成。石英等 =有機成膜材料反應’故蒸氣產生部100亦可為經 ^專所塗佈之金屬所形成。此外，蒸氣產生部卿為 =化材枓之蒸鍍源之-例’無需為單元型驗源，亦可 為一般的坩堝。 '於蒸氣產生部1〇〇之内部係收納有不同種類之有機 成獏材料。材料加熱部130係將蒸氣產生部1〇〇加熱至 所希望之溫度、亦即加熱至加熱目標溫度，使得有機成 臈材料氣化。此外，所謂氣化不光是液體變為氣體之現 象，也包括固體不經由液體狀態而直接變為氣體之現象 (亦即昇華）。 ^有機成膜材料蒸氣(經氣化之有機分子)係通過連結 S 200而被搬運至吹送機構400,從設置於吹送機構400

S 34 201250022 上部之狹縫狀開口 420吹出。被吹出之有機 氣係附著於基板G，藉此基板G受到成膜。料蒸 用以防止從鄰接開口 420所吹出之有機成獏材料蒗 存而成膜。此外’於本實施形態，如圖6所示般 於在處理室500之天花板位置進行滑動之面朝下之其' G進行成膜，惟基板亦可配置成為面朝上。土板 〔成膜單元〕 其次，參見顯示圖6之V—V截面之圖7以及圖8 來針對成膜單元1〇之内部構造做説明。此外，圖所 示之其他5個成膜單元1〇係和圖6之v — v截面之成 膜單元10為同一構造故省略其説明。 蒸氣產生部1〇〇係具有材料投入器11〇與外部盒體 120。材料投入器11〇係具有收納有機成膜材料之材料 容器110a以及搬運氣體之導入流路u〇b。外部盒體 係形成為瓶狀，以中空内部可裝卸材料投入器11〇之方 式裝設著。一旦材料投入器110裝設於外部盒體12〇， 則蒸氣產生部1〇〇之内部空間被區劃。蒸氣產生部1〇〇 之内部空間係和形成於連結管2〇〇内部之搬送流路 2〇〇a相連通，搬送流路200a係藉由調整閥裝置3〇〇之 開關機構所開關。調整閥裝置3 〇 〇係藉由自設置於處理 室500外部之空氣供給源6〇〇所供給之加壓空氣來開關 搬送流路200a。關於調整閥裝置3〇〇之内部構造將於後 述。 材料投入器110之端部係連接於未圖示之氣體供給 35 201250022 給之氯氣體導入流路跡氣 發而生成之基h 容器U〇a之有機成膜材料經蒸 運氣體不限^送之搬運氣體的功能。此外，搬 體。 、飞礼體’亦可為氛氣體、氪氣體等惰性氣 此外，於蒸氣產生部100之外部+體12〇 t + 熱器等材料純Η 设有加 之適宜邱你/ 外’於蒸氣產生部100内部 料溫卢二:二置有用以檢測蒸氣產生部100之溫度的材 度之訊號輸64係賴示檢測溫 裔攸送機構上部之狹縫狀開σ 420吹出 亂體。於久送機構400具備有滯留室410，蒸氣產生部 由連結管勘之搬送流路職而連接其上，將從 Μ產生部1通過搬送流路2術而搬送之有機成 料蒸氣加以暫時滯留。滯留室41〇係例如中空大致長方 體，於滯留室410上面設有將滞留於滯留室41〇之有 性膜材料蒸氣加以吹送之開口·。此外，吹送機構_ 係具備有以可開關開口 420之方式封閉之擋門43〇。栲 門430係以可在開放開口 420之開放位置以及關_口田 42之關閉位置之間往返移動的方式構成，藉由擔門驅動 部以及控制部來動作這點係和實施形態丨同樣。 有機成膜材料蒸氣係從蒸氣產生部1〇〇通過連結管 200之搬送流路200a而搬送至吹送機構4〇〇，暫時滞留 於滯留室410後’通過狭縫狀開口 420附著於美板^上

S 36 201250022 〔有機膜構造〕 圖9係藉由本實施形態3之成膜裝置所形成之有機 EL元件之示意圖。本實施形態之成膜裝置係如圖6所 示般，基板G係於第1〜6號之吹送機構400上方以一定

速度行進。行進中，如圖9所示般，於基板g之ITO 上依序形成第1層之電洞注入層、第2層之電洞輸送 層、第3層之藍發光層、第4層之綠發光層、第5層之 紅發光層、第6層之電子輸送層。以此方式，本實施形 態之成膜裝置可連續形成第1層〜第6層之有機層。當 中’第3層〜第5層之藍發光層、綠發光層、紅發光層 係藉由電洞與電子之再結合而發光之發光層。此外，有 機層上0金屬層（電子注入層以及陰極)係藉由濺鍍而成 膜。 藉此’有機層以陽極以及陰極夾成三明治之構造的 有機EL元件會形成於玻璃基板G上。一旦於有機EL 元件之陽極以及陰極施加電壓，則電洞從陽極注入有機 層’電子從陰極注入有機層。所注入之電洞以及電子在 有機層做再結合，此時產生發光。 〔搬送流路之經路〕 圖10係本實施形態3之蒸氣產生部1〇〇以及搬送 々IL路之截面圖。接著，參見顯示圖7之VIII-VIII截面 的圖10來針對搬送流路200a之經路來簡單説明。如前 述般’連結管200係經由調整閥裝置300而將有機成膜 材料洛氣搬送至吹送機構400侧。具體而言，由於調整 37 201250022 閥裝置〃3GG之闕體在成膜巾開放，故於各蒸氣產生部 100所氣化之有機成膜材料蒸氣係一邊藉由搬運氣體所 搬送、一邊從搬送流路之去路2〇〇al通向歸路施2而 被搬送至吹送機構伽。另—方面，調整難置之 閥體在未成膜時為關閉，故搬送流路之去路2術！與歸 路200a2 X到阻塞’使得有機成臈材料蒸氣之搬送被停 止。 此外，於連結管200埋設有分別加熱搬送流路之去 路20〇al以及歸路2〇〇a2之第〗上游側加熱部71&以及 第1下游侧加熱部73a。此外，於連結管2〇〇設有分別 檢測搬送流路之去路2〇〇al以及歸路2〇〇a2之溫度的第 1上游側溫度檢卿61a以及第丨τ游側溫度檢測部 63a第1上游側溫度檢測部61a以及第丨下游側溫度 檢測部63a係將顯示檢測溫度之訊號分別輸出至控制 部。 〔調整閥裝置〕 若使用該調整閥裝置來構成本成膜裝置，則即便在 較有機成膜材料之蒸發溫度來得高之高溫度區域也能 正確進行有機成膜材料蒸氣之供給控制。 圖11係本實施形態3之調整閥裝置300之戴面圖。 其次，一邊參見顯示調整閥裝置3〇〇之截面的圖u，一 邊針對調整閥裝置300之内部構成以及動作詳述之。調 整閥裝置300係具有圓筒狀閥箱3〇5。閥箱3〇5係分為 如方構件3〇5a、中央罩蓋(b〇nnet)3〇5b、後方構件3〇5c

S 38 201250022 14 3部分。閥箱3〇5呈中空，於其大致中央内設有閥體 31 〇 〇 於前方構件305a以及罩蓋305b埋設有用以加熱調 整閥裝置300之第1閥加熱部72a(例如加熱器）。此外， 於前方構件3〇5a埋設有用以檢測調整閥裝置3〇〇之溫 度的第1閥溫度檢測部62a。第1閥溫度檢測部62a = 將顯示檢測溫度之訊號輸出至控制部。 閥體310係分離為閥體頭部31〇a與閥體體部 310b。閥體頭部310a與閥體體部31〇b係藉由闊轴嫌 而連結著。具體而言，閥軸31Ge為棒狀構件，貫通於 =體體部3·之長邊方向中央而嵌人在閥體頭部3i〇a 中央所設之凹部31〇al。閥體體部31%之突出部 係插入在閥箱305之罩蓋305b所設之環狀凹部MW。 =閥箱305之前方構件3〇5a係形成有搬送流路施之 去路200al以及歸路2〇〇a2。 閥 八05 口丨4 j 1之狀萌下 體體部310b可於其長邊方向滑動之空間，於該^ 介設有财熱性緩衝構件315。做為緩衝構件315之: =出金屬製墊片。緩衝構件315可㈣送流路側之』 二，、閥轴310c側之大氣予以阻絕，並/ 之滑動所致突出部3_與罩蓋；〇5b之:械= (閥體體部以及閥體頭部之分離構造） 於閥體頭部31()a之凹部3l〇al係以插入有閱輪 39 201250022 3l〇c之狀態設有遊隙31〇a2。本實施形態之閥體310， 由於閱體體部310b與閥體頭部310a為分離狀態，故藉 由控制間體體部31〇b與閥軸310c之空隙（間隙）來校正 開關動作時閥體31〇之中心位置的偏移。除此之外，藉 由於閱體頭部310a之凹部31〇al設置遊隙310a2,可調 整，體頭部310a之軸之些微偏移。藉此，藉由將閥體 頭4 3l〇a以不偏倚的方式抵接於閥座面2〇〇&3，可提高 間體項部3l〇a與閥座面2〇〇a3之密合性、可防止漏洩。 其結果’依據本實施形態之分離型閥體310，即便調整 遢裝置300於南溫狀態下使用或是於低溫狀態下使用造 成金屬產生熱膨張而產生影響，由於藉由閥體31〇之分 離構造而如上述般可吸收該影響，是以相較於一體蜇閛 體，可有效防止開關時之閥體部分的漏洩。 於閥箱305之後方構件3〇5c設有閥體驅動部32〇。 閥體驅動部32G係具有内設於閥箱3Q5之動力傳遞構件 32〇a、第1波紋管320b以及第2波紋管32〇c。動力傳 遞構件320a為大致τ字狀，被螺固於闊車由3i〇c端部。 第1波紋管320b之一端係熔接於動力傳遞構件 32〇a另螭係熔接於後方構件305c。藉此，於閥箱 3〇5之後部側（相對於動力傳遞構件3施在闕體31〇之 相反側位置)形成由動力傳遞構件3施與第丨波紋管 320b與後方構件3〇5c所隔絶而成之第工空間❿。 第2 ;皮紋官32〇c之—端係溶接於動力傳遞構件 咖’另1物接於後方構件她。藉此，於闕箱 201250022 3仍之刖部側(相對於動力傳遞構件32如在閥體侧位置) 开由動力傳遞構件32〇a與第丨波紋管32〇b與第2波 、、文s *320c與後方構件3〇5c所隔絶而成之第2空間ls。 第I配官320d係和由第i波紋管32〇b所隔離之第 1空間US相連通。帛1配管320d係連結於空氣供給源 6〇〇之供給官。第丨配管3施係將從空氣供給源 600所輸出之加壓空氣供給於第i空間Use ^第2配管32如係和由第1波紋管320b與第2波紋 =320c與所隔絶之第2空間u相連通。第2配管32如 係連結於空氣供給源6〇〇之供給管Ar2。第2配管 係將《空氣供給源_所輸出之加壓空氣供給於第2空 間Ls。 依據相關構成，對應於從第1配管320d對第1空 間Us所供給之加壓空氣與從第2配管320e對第2空二 LS所供給之加壓域之比率，從動力傳遞構件3版經 由閥轴31〇c而對閥體頭部遍傳遞動力。藉此，闕體 頭部31Ga於其長邊方向前進或是後退而對形成於闕箱 305之搬送流路之去路2〇〇al以及歸路2⑻a2進行開 關。開關方向係由供給於第！空間Us之加壓空氣與供 給於第2空間Ls之加壓空氣之比率所決定。 一 ” 例如，當供給於第i空間Us之加壓空氣相對於供 給於第2空間Ls之加壓空氣的比率變高之情況，動力 傳遞構件320a朝抵壓閥體31〇之方向滑動，閥體頭部 31〇a經由閥轴31以而被推向前方方向，藉此，閥體頭 201250022 部310a會阻塞搬送流路之去路2〇〇al，閥體3i〇從而關 閉。 另一方面，當供給於第1空間US2加壓空氣相對 於供給於第2空間Ls之加壓空氣的比率變低之情況， 動力傳遞構件3 2 0a係朝拉引閥體310之方向滑^/，閥 體頭部310a經由閥軸310c而被拉向後方方向，藉此， 閥體頭部31〇a從搬送流路之去路2〇〇al隔離，閥^31〇 從而被打開。 第3波紋管325之一端係熔接於閥體頭部31加，另 一端係熔接於閥體體部31〇b。藉此，閥軸側之大氣空間 與搬送流路側之真空空間受到阻絕。此外，可藉由^ 3 波紋管325來支撐閥體體部31%與閥體頭部313如之間 ，對閥體體部31Gb與閥軸31〇e之間的空隙進行管理。 藉此，閥體開關動作時以閥體體部31〇b與閥軸3i〇c不 致接觸產生摩擦的方式受到控制。此外，於罩蓋3〇5b 設有沖洗埠330來沖洗罩蓋職與閥體驅動部—之 間的密閉空間内。 為了確保閥箱305之前方構件3〇5a與罩蓋3〇5b之 ，面、以及罩蓋305b與後方構件3〇5c之接面的密閉性 係介設有密金屬製塾片335。藉此，調整閥裝置3〇〇 可成為適合於真空環境下使用之構造。 〔閥體以及閥座面之表面處理〕 本實施形態之相關調整閥裝置擔，除了如上述般 將閥體310設定為分離構造，並以於WC程度之高溫

S 42 201250022 體以及閥座之材質、形狀以及表面加工之最 ㈣ (閥體以及閥座之材質以及表面處理） 具體而言，本發明者在閱座φ 200a3以及 :材質方面係採用耐熱性優異之沃斯田鐵 0 而，本發明者係對閥體310之表面利用斯鱗鋼= 伽mte，註冊商標)精加工或是F2 寺 工而成之軌硬度麵ν μ者。齡购m 鋼:以鉛合金系之底層溶接所得者，F2塗層= ^有碟之材料來塗佈不鏽鋼之處理。例如不^ 以斯泰利特底層，則閥體頭部3l〇a之唯氏麻痒紅 細v以上，若施以”塗層，則閥體頭部 硬度成為700HV程度。從而，基於硬度高低，相較於 斯泰利特底層，以F2塗層為較佳。 閥座側（閥座面200a3)係例如對不鏞鋼進行抛光加 工。於拋光加工，藉由將金屬表面以輥來壓潰產生塑性 變形，來使得表層硬化並將表面精加工成為鏡面。於本 實施形態，發明者係以閥座面2〇〇a3之維氏硬度成為大 約200以上400HV以下之方式進行表面加工。 如以上般，發明者藉由閥體頭部31〇a2F2塗層、 使得維氏硬度成為500HV以上、並將閥座面2〇〇a/之 維氏硬度利用片材拋光加工而調整為大約2〇〇以上 400HV以下，來於閥體頭部31〇a與閥座面2〇〇a3之間 。又置硬度差，且對閥體頭部31 〇a以及閥座面2〇〇a3施 43 201250022 以互異之表面硬化處理。藉此，可實現閥體310之平順 開關動作’可防止擦損、燒結。 另一方面’若閥座面200a3過硬則形成閥座面 200a3之材質之結晶構造會崩落，耐蝕性下降’構成閥 座之材質剝離而飛入搬送流路中’從而混入搬送流路中 之成膜材料成為污染原因，故閥座面2〇〇a3之維氏硬度 係設定為400HV以下（較佳為大約200以上400HV以 下）。 (閥體以及閥座之形狀） 閥體頭部31〇a和閥座面2〇〇a3抵接之部分呈錐面 形狀，相對於閥體頭部31〇a先端面之垂直線，錐面開 度Θ為40°〜80。。之所以將錐面開度θ限定為4〇。〜8〇〇 乃基於提升片材(sheet)性。藉此，閥體310可更為平順 地開關’可防止擦損、燒結。 此外，閥體頭部31〇a和閥座面200a3之抵接部分 亦可為圓弧狀。此情況，具有所希望之曲率半徑較佳。 藉此，閥體310可更平順地開關，可防止擦損、燒結。 再者，於閥體310之組裝完成時，藉由進行閥座與 閥體之同軸度、調芯（滑動對位），可消除閥體31〇與閥 座面+200a3之中心軸偏移成為最適化最終狀態。如此 般，藉由進行特殊之表面硬化處理，防止擦損、燒結， :使用同士金屬之閥體以及閥座，而建構出可穩定維。持 刼作性、畨封性以及耐熱性之調整閥裝置3〇〇。 〔漏、/¾狀態之驗證〕

S 44 201250022 圖12係顯示使用本實施形態3之調整閥裝置3〇〇 來檢測漏洩量之結果的圖表。 本發明者使用上述構成之調整閥裝置3〇〇針對閥體 310之漏洩狀態進行了驗證。實驗係針對將閥箱扣$設 定為500°C之高溫狀態以及將閥箱3〇5設定為室溫之狀 態這兩者來進行。閥體頭部31〇a之抵接部分的錐面開 度Θ設定為6(TC。閥體頭部310a係於SUS316不鏽鋼 施以F2塗層之表面處理，閥座面2〇〇a3係對sus3i6 不鏽鋼施以拋光加工。閥體頭部31〇a之維氏硬度為 700HV，閥座（閥座面2〇〇a3)之經片材拋光加工的維氏 硬度為400HV。 當閥箱305内（本體)之溫度為500t：之情況，如圖 12所示般’當使得操作壓力（MPa)、亦即從第1配管32〇d 所供給之加壓空氣抵壓於動力傳遞構件32〇a之際的壓 力成為可變時，檢查後所有的操作壓力（〇 2〇〜〇 6〇: Mps) 下之漏)¾量為10 11 (Paxm3 /sec)以下之級數。尤其，當 操作壓力為0.25〜0.55(MPa)之情況，漏茂量之檢測結果 為最小檢測感度以下。此表示因幾乎未發生漏洩故無法 檢測漏洩量。 另一方面，當閥箱内之溫度為室溫之情況，於操作 壓力（0.5〇〜0.6〇 : MPs)之漏茂量為l(T9(Paxm3 /sec)以下 之級數。由以上可知，即便閥箱内之溫度為室溫之情 況，當操作壓力為0.50-0.60(MPa)之情況，漏洩量可達 成l(T9(Paxm3/sec)以下之級數，於500°C程度之高溫狀 45 201250022 心下了進一步減少漏洩量。經相較於以往之調整閥妒 置300之漏茂量為HT3〜1(r4(PaXm3/sec)程度，本實施形 態之調整閥裝置300，藉由謀求閥體31〇以及閥座之材 質、形狀以及表面加工之最適化，可於幾乎不產生漏洩 之狀態下反覆進行閥體31〇之開關動作。 尤其，有機成膜之情況，通過搬送流路2〇〇a之有 機蒸鍍材料係於高溫、減壓環境下被使用。針對有機蒸 鍍材料於高溫下使狀理由做説明。如圖7所示般，^ 蒸氣產生部1〇〇所蒸發之有機成膜材料係藉由搬運氣體 Ar通過搬送流路2〇〇a而搬送至基板G。搬送中，考慮 附著係數，為了避免成膜材料附著於搬送流路此之 内壁’必須將搬送流路2〇〇a設定為3〇〇t：以上之高溫狀 態此外，有機蒸鍍材料於減壓下使用之理由乃因 將搬送流路2術之内部設定為減録態，可在幾^不 存在污染之狀態下將有機成膜材料蒸氣搬送至基板g 攸以上可知，當本實施形態2之成膜裝置之調整^ 裝置使用於有機膜之成膜裝置的情況下，閥體31 之附近，處於高溫、減壓狀態。但是，如上述般，由力 以上所説明之_31G之關機構幾乎不會發 故即使搬送流路側位於真空環境下也 ==側。此結果，可防止通過搬送= 有機成Μ材料之惡化，可實現良好的有機成膜。 尤其，本實施形態2之成膜裝置之調整間裝置

S 46 201250022 300,即便於500°C程度之高溫狀態下仍可保持非常 密閉性。此外’㈣侧以及閥座㈣以金屬來形成，且 採用閥體之分離構造’藉此，可實現以高精度防止 之閥機構。 以上’參見所附圖式針對本發明之較佳實施形筚做 了説明，惟本發明當然秘定於關。#界人士當^可 於申請專利範圍所記載之料内想到各種變更例或是 修正例，該等當然也屬於本發明之技術範圍。 例如，本發明之調整閥裝置不光是使用於在有機 EL裝置所設置之搬送流路之開關，也可使用於半導體 製造裝置、FPD裝置等需要閥開關機構之製造裝置。尤 其，本發明之調整閥裝置即使於5〇〇。(：程度之高溫狀態 也能使用，即使於1(rl〜1〇2Pa程度之真空狀態也能使 用。 此外，本發明之有機EL裝置之成膜材料可使用粉 末狀（固體)之有機成膜材料。亦可使用於成膜材料主要 使用液體之有機金屬而使得氣化後之成膜材料於受到 加熱之被處理體上分解以於被處理體上成長薄膜之 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition :有 機金屬氣相成長法）。 (實施形態4) 圖13係示意顯示本實施形態4之成膜裝置構成之 説明圖。實施形態4之成膜裝置，基本上和實施形態1 為同樣構成，而在具備複數成膜材料供給系統這點不 47 201250022 同。具體而言，實施形態4之成膜裝置係具備有：收容 玻璃基板G之處理室5 ;第1至第3蒸氣產生部 1011，1012，1013，係藉由加熱成膜材料來產生該成膜材 料蒸氣；第1至第3搬送流路1021,1022,1023，係將於 第1至第3蒸氣產生部1011、1012、1013所產生之成 膜材料蒸氣連同搬運氣體搬送至處理室5 ;第1至第3 排氣流路1031，1032，1033，係將於第1至第3蒸氣產生 部1011、1012、1013所產生之成膜材料蒸氣加以排氣 者；第1至第3調整閥裝置1041,1042,1043，係設置於 第1至第3搬送流路1021、1022、1023之中途，用以 開關第1至第3搬送流路1021、1022、1023 ;第1至第 3排氣閥裝置1051，1052，1053，係設置於第1至第3排 氣流路1031、1032、1033之中途，用以開關第1至第3 排氣流路1031、1032、1033 ;以及吹送機構4，係將從 第1至第3蒸氣產生部ion、1〇12、1〇13任一者所供 給之成膜材料蒸氣對玻璃基板G以真空蒸鍍法來進行 成膜。第1至第3調整閥裝置1〇41，1〇42，1〇43、第1至 第3排氣閥裝置1〇51，1〇52,1053之構成係和實施形態3 所説明之閥裝置同樣。 此外’於第1至第3搬送流路1021、1022、1023， 係和實施形態1同樣設有第丨上游側加熱部、第丨閥加 熱部、第1下游侧加熱部、第丨上游側溫度檢測部、第 1閥溫度檢測部、第1下游側溫度檢測部，各部之動作 係藉由控制部受到控制。同樣地，於第〗至第3排氣流

S 48 201250022 路1031、1032、1033係設有第2上游側加熱部、第2 閥加熱部、第2下游側加熱部、第2上游側溫度檢測部、 第2閥溫度檢測部、第2下游侧溫度檢測部，各部之動 作係藉由控制部而受到控制。 再者’於蒸氣產生部與第1至第3調整閥褒置 1041，1042，1043之間設有第1蒸氣量檢測部’於吹送機 構4與第1至第3調整閥裝置1041，1〇42，1〇43之間也設 有第2蒸氣量檢測部。各蒸氣量檢測部之檢測結果係輸 入至控制部。 此外’於第1至第3蒸氣產生部l〇ii，i〇12,1013連 接有對玻璃基板.G供給由惰性氣體例如Ar等稀有氣體 等所構成之搬運氣體的第1至第3搬運氣體供給管 1〇61，1〇62，1063 ’於第1至第3搬運氣體供給管 1〇61，1〇62,1063之中途設有第1至第3調整閥 1071,1072,1073。 針對使用以上述方式所構成之成膜裝置的成膜材 料供給方法、尤其是伴隨成膜材料之交換的第1至第3 蒸氣產生部1011、1012、1〇13之切換動作來說明。舉 其一例係於第1蒸氣產生部丨〇11於動作中之狀態下， 為了更換第1蒸氣產生部1011之成膜材料，而將供給 成膜材料蒸氣之裝置從第1蒸氣產生部1011切換為第2 蒸氣產生部1012之處理來説明。其他第1至第3蒸氣 產生部1011、1012、1013之切換方法也可同樣地進行。 為了使得第1蒸氣產生部1011動作，只要關閉第1至 49 201250022 第3調整閥裝置1〇41，1042，1043、第1至第3排氣閥裝 置1051，1052，1053、以及擂門，於第1蒸氣產生部1〇11 實行和實施形態1之步驟S12〜步驟S26為同樣之處理 即可。具體而言，控制部在檢測第1蒸氣產生部1011 之溫度而發現所檢測之溫度未達既定溫度之情況，乃至 少使得第1調整閥裝置1041成為關閉狀態而加熱成膜 材料，當所檢測之溫度為前述既定溫度以上之情況，乃 使付第1排乳閥裝置1051成為開放狀態來加熱成膜材 料，當檢測從第1蒸氣產生部所搬送之成膜材料蒸氣量 發現所檢測之蒸氣量處於穩定情況，乃關閉第丨排氣閥 裝置1051而開放第1調整閥嚴置1 1。之後，控制部 係對第1蒸氣產生部1011之溫度進行PID控制，而將 一疋之成膜材料蒸氣供給於處理室5。 此處，當自第1蒸氣產生部1〇11對第2蒸氣產生 部1012之切換指示給予到控制部之情況，控制部係於 第2瘵氣產生部1〇12實行和步驟S12〜步驟S2i為同樣 之處理。具體而言，控制部係檢測第2蒸氣產生部1〇12 =溫f，當所檢測之溫度為未達既定溫度之情況，乃至 少使得第2調㈣裝置1G42成為關狀態來加熱成膜 材料/田所檢測之溫度成為前述既定溫度以上之情況， =使传第2排氣閥裝置1()52成為開放狀態來加熱成膜 f檢測從第2蒸氣產生部1G12所搬送之成膜材 氣量。然後’當狀從第2蒸氣產生部 1012所供 成膜材料蒸氣量為穩定之情況，控制部乃關閉第2

S 50 201250022 排氣閥裝置1052而開放第2調整閥裝置1042。此外， 控制部係關閉第1調整閥裝置1041而開放第1排氣閥 裝置1051。關閉第2排氣閥裝置1052並開放第2調整 閥裝置1042之時機與關閉第1調整閥裝置1〇41並開放 第1排氣閥裝置1051之時機先後可適宜設定。此外， 封閉第1調整閥裝置1041之時機、開放第1排氣閥裝 置1051之時機、封閉第2排氣閥裝置1052之時機、開 放第2調整閥裝置1042之時機也可任意設定。 以下’針對第1蒸氣產生部1011側實行和步驟S3〇〜 步驟S34為同樣之處理，停止第1蒸氣產生部1〇11側 之加熱控制，封閉第1排氣閥裝置1051。 依據實施形態4之成膜裝置以及成膜材料供給方 法，可將產生成膜材料蒸氣之第1至第3蒸氣產生部 1011、1012、1013迅速地切換，可在不至中斷成膜處理 的情況下更換成膜材料。 此外，由於在第1至第3調整閥裝置1〇41、1〇42、 1043以及第1至第3排氣閥裝置1〇51、1052、1053方 面採用於實施形態3所説明之構成，故即使於高溫加熱 下切換第1至第3蒸氣產生部ion、丨〇12、1013之動 作之際’不會有來自第1至第3調整閥裝置1〇41、1〇42、 1043之蒸氣漏洩’可將一定量之成膜材料蒸氣供給於處 理室5。 此外，於上述實施形態4係以蒸氣產生部為3個之 例做了制，惟蒸氣產生部之數量無f限定為3個。 51 201250022 【圖式簡單說明】 明圖圖^示4顯示本實施職1之成膜裝置構成之說 處理順序之機成騎料之加熱以及搬送之控制部 處機成騎狀加如及㈣之控制部 之控===及調整閥裝置等之溫度控制 明圖圖5係示意顯示本實施形態2之成縣置構成之説 圖6係本貫施形態3之6層連續型成膜裝置之概略 立體圖。 圖7係本實施形態3之成膜單元之戴面圖。 圖8係本實施形態3之蒸氣產生部之截面圖。 圖9係藉由本實施形態3之成獏裝置所形成之有機 EL元件之示意圖。 圖10係本實施形態3之蒸氧產生部以及搬送流路 之截面圖β 圖11係本實施形態3之s周整閥裝置之截面圖。 圖12係顯示使用本實施形態3之調整閥裝置來檢 測漏洩量之結果之圖。 圖丨3係示意顯示本實施形態4之成膜裝置構成之 說明圖。

S 52 201250022 【主要元件符號說明】 1蒸氣產生部 4 吹送機構 5 處理室 8 控制部(控制機構） 21 搬送流路 22 排氣流路 23第1蒸氣量檢測部 24 第2蒸氣量檢測部 31 調整閥裝置 32 排氣閥裝置 41 滯留室 42 開口 43 擋門 61a 第1上游側溫度檢測部（上游側溫度檢測機構) 62a 第1閥溫度檢測部（閥溫度檢測機構） 63a 第1下游側溫度檢測部（下游側溫度檢測機構) 61b 第2上游側溫度檢測部 62b 第2閥溫度檢測部 63b 第2下游側溫度檢測部 64 材料溫度檢測部（溫度檢測機構） 71a第1上游側加熱部（上游側加熱機構） 72a第1閥加熱部（閥加熱機構） 73a 第1下游側加熱部（下游側加熱機構） 53 201250022 71b 第2上游側加熱部 72b 第2閥加熱部 73b 第2下游側加熱部 91 搬運氣體供給管 92 搬運氣體供給用調整閥 G玻璃基板(被處理基板）

S 54

Claims (1)

1. 201250022 七 申请專利範圍： • 一種成膜裝置，係具備有：處理室，係收容被處理 基板’？泰氣產生部，係藉由加熱成膜材料來產生該 成膜材料蒸氣；搬送流路，係將該蒸氣產生部所產 生之成膜材料蒸氣連同搬運氣體搬送至該處理 至’，排氣流路’係將該蒸氣產生部所產生之成膜材 料洛氣加以排氣；第1開關閥，係設置於該搬送流 路之中途，用以開關該搬送流路；以及，第2開關 閥’係設置於該排氣流路之中途，用以開關該排氣 流路； 另外具備有： 酿度檢> 則機構，係檢測該蒸氣產生部之溫度； 、、，洛氣量檢測機構，係檢測自該蒸氣產生部所搬 送之成膜材料蒸氣量；以及 2. ^卫钱構，當加熱成膜材料之情況，係依據該 溫度檢測機構所檢歡溫度的高低來控制該第2 開，閥之開_作；#將成騎祕送至該處理室 2况’係依據該蒸氣量檢測機構所檢測之蒸氣量 來控制該第1以及第2開_之開關動作。 如申請專利範ϋ第丨項之成辭 生^將成騎料以高於既定溫度之溫度來加:產 该控制機構係具備有： …、 ί ·度檢測機構所檢測之溫度未達該既定 ^皿又胃況’將該第1以及第2開關閥控制成為關 55 201250022 閉狀態之機構；以及 當使得該蒸氣產生部升溫之情況，於該溫度檢 測機構所檢測之溫度在該既定溫度以上之時，將該 第2開關閥控制成為開放狀態之機構。 3. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置，其中該既定溫 度為成膜材料之蒸發溫度以下。 4. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置，其中該成膜材 料為有機成膜材料，該既定溫度為250C以下。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置， 係具備有加熱機構，係以該第1開關閥下游側之該 搬送流路之溫度成為該第1開關閥之溫度以上、且 該第1開關閥之溫度成為該第1開關閥上游側之該 搬送流路之溫度以上的方式來加熱該搬送流路以 及第1開關閥。 6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置， 係具備有： 分別加熱該第1開關閥上游側之該搬送流 路、該第1開關閥、以及該第1開關閥下游側之該 搬送流路的上游側加熱機構、閥加熱機構、以及下 游側加熱機構； 分別檢測該第1開關閥上游側之該搬送流 路、該第1開關閥、以及該第1開關閥下游側之該 搬送流路之溫度的上游側溫度檢測機構、閥溫度檢 測機構、以及下游側溫度檢測機構；以及 S 56 201250022 A 第1開關閥下游側之該搬送流路之溫度 溫之溫度以上、且該第1開關闕之 7. 1開關閥上游側之該搬送流路之溫 ::亡的方式來控制該上游側加熱機構、闕加熱機 1下游側加熱機構之動作的機構。 乾圍第1至6項中任-項之成膜裝置’ 二/、人送機構，將通過該搬送流路而被搬送之 f膜材料蒸氣朝向收容於該處理室之被處理基板 來吹送； 該吹送機構係具備有： 冰留室，係使得通過該搬送流路而被搬送之成 膜材料蒸氣被滯留； 開口，係吹送滯留於該滯留室之蒸氣；以及 擔門，係將該開口以可開關之方式加以封閉。 8. 一種成膜材料供給方法，係使用成膜裝 置來進行成 膜材料之加熱；該成膜裝置係具備有：處理室，係 收谷被處理基板；蒸氣產生部，係藉由加熱成膜材 料來產生該成膜材料蒸氣；搬送流路，係將該蒸氣 產生部所產生之成臈材料蒸氣連同搬運氣體搬送 至該處理室；排氣流路，係將該蒸氣產生部所產生 之成膜材料蒸氣加以排氣；第丨開關閥，係設置於 該搬送流路之中途’用以開關該搬送流路；以及， 第2開關閥，係設置於該排氣流路之中途，用以開 關該排氣流路； 57 201250022 其中係檢測該蒸氣產生部之溫度，當所檢測之 溫度未達既定溫度之情況，乃使得該第1以及第2 開關閥成為關閉狀態來加熱成膜材料；當所檢測之 溫度為該既定溫度以上之情況，乃使得該第2開關 閥成為開放狀態來加熱成膜材料； 並檢測從該蒸氣產生部所搬送之成膜材料蒸 氣量，依據所檢測之蒸氣量來控制該第1以及第2 開關閥之開關動作。 9. 一種成膜材料供給方法，係使用成膜裝置來進行成 膜材料之加熱；該成膜裝置係具備有：處理室，係 收容被處理基板；複數蒸氣產生部，係藉由加熱成 膜材料來產生該成膜材料蒸氣；複數搬送流路，係 將該複數蒸氣產生部所產生之成膜材料蒸氣連同 搬運氣體搬送至該處理室；複數排氣流路，係將該 複數蒸氣產生部所產生之成膜材料蒸氣加以排 氣；複數第1開關閥，係設置於各搬送流路之中 途，用以開關該搬送流路；以及，複數第2開關閥， 係設置於各排氣流路之中途，用以開關該排氣流 路； 其中係檢測第1該蒸氣產生部之溫度，當所檢 測之溫度未達既定溫度之情況，乃使得該第1蒸氣 產生部之該第1以及第2開關閥成為關閉狀態來加 熱成膜材料；當所檢測之溫度為該既定溫度以上之 情況，乃使得該第1蒸氣產生部之該第2開關閥成 & 58 201250022 為開放狀態來加熱成膜材料； 並檢測從該第1蒸氣產生部所搬送之成膜材 料蒸氣量，依據所檢測之蒸氣量來控制該第1蒸氣 產生部之該第1以及第2開關閥之開關動作； 並檢測第2該蒸氣產生部之溫度，當所檢測之 溫度為未達既定溫度之情況，乃使得該第2蒸氣產 生部之該第1以及第2開關閥成為關閉狀態來加熱 成膜材料；當所檢測之溫度為該既定溫度以上之情 況，乃使得該第2蒸氣產生部之該第2開關閥成為 開放狀態來加熱成膜材料； 並檢測從該第2蒸氣產生部所搬送之成膜材 料蒸氣量，依據所檢測之蒸氣量，使得該第1蒸氣 產生部之該第1開關閥成為關閉狀態，且控制該第 2蒸氣產生部之該第1以及第2開關閥之開關動作。 59