WO2021054135A1 - 気化供給装置 - Google Patents

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WO2021054135A1
WO2021054135A1 PCT/JP2020/033395 JP2020033395W WO2021054135A1 WO 2021054135 A1 WO2021054135 A1 WO 2021054135A1 JP 2020033395 W JP2020033395 W JP 2020033395W WO 2021054135 A1 WO2021054135 A1 WO 2021054135A1
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vaporization
heater
unit
preheating
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貴紀 中谷
敦志 日高
徳田 伊知郎
景介 中辻
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株式会社フジキン
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Definitions

  • the present invention relates to a vaporization supply device used in a semiconductor manufacturing apparatus, a chemical plant, a pharmaceutical industry facility, etc., and particularly provides a preheating section for preheating a liquid raw material and a vaporizing section for vaporizing a liquid raw material heated by the preheating section. Regarding the equipped vaporization supply device.
  • a vaporization supply apparatus for supplying a raw material gas to a process chamber has been used (see, for example, Patent Documents 1 to 3). ..
  • a liquid raw material such as TEOS (Tetraethyl orthosilicate) or HCDS (Hexachlorodisilane) is stored in a liquid storage tank, and a pressurized inert gas is supplied to the liquid storage tank to supply the liquid raw material at a constant pressure.
  • a pressurized inert gas is supplied to the liquid storage tank to supply the liquid raw material at a constant pressure.
  • the supplied liquid raw material is vaporized by a heater arranged around the vaporization chamber, and the vaporized gas is controlled to a predetermined flow rate by a flow rate control device and supplied to the semiconductor manufacturing device.
  • the vaporization supply device is configured to be able to heat the liquid raw material to a relatively high temperature, for example, a temperature of 200 ° C. or higher.
  • the vaporization supply device in order to prevent condensation (reliquefaction) of the vaporized raw material, it is required to supply gas to the process chamber through a flow path heated to a high temperature. Furthermore, in order to prevent the temperature of the vaporizer from dropping due to the liquid raw material supplied to the vaporizer and to efficiently vaporize the organometallic material, the liquid raw material may be preheated before being supplied to the vaporizer. is there. Therefore, in the vaporization supply device, a heater for heating the fluid heating unit (vaporizer or the like) provided with the flow path or the fluid accommodating unit to a high temperature is arranged at a necessary place.
  • a vaporization supply device provided with a preheating unit that preheats a liquid raw material
  • the vaporization supply devices described in Patent Document 4 and Patent Document 5 are known.
  • the vaporization supply device includes a preheating unit that preheats the raw material liquid, a vaporizer that vaporizes the raw material liquid heated by the preheating unit, and a high temperature pressure type flow rate control that controls the flow rate of the vaporized gas. It is equipped with a device.
  • the preheating unit provided for preheating the liquid raw material is maintained at a temperature equal to or lower than the boiling point of the liquid raw material, and the vaporization unit is maintained at a temperature equal to or higher than the boiling point of the liquid raw material, for example. Be maintained.
  • the boiling point of the fluid fluctuates depending on the pressure of the fluid, even if the temperature of the preheating part becomes higher than the boiling point at the normal pressure (atmospheric pressure) of the liquid raw material, the liquid does not vaporize depending on the pressure of the liquid raw material. State may be maintained.
  • the vaporized portion may be set to a temperature below the boiling point.
  • the set temperature of the vaporization unit is usually set higher than the set temperature of the preheating unit.
  • the pressure type flow rate control device that controls the flow rate of the vaporized liquid raw material is maintained at a temperature higher than the boiling point of the liquid raw material, typically higher than the temperature of the vaporized portion.
  • the vaporization supply device provided with the preheating section and the vaporizing section, since the preheating section, the vaporizing section, and the pressure type flow rate control device are arranged in series, there is a problem that the installation area is inevitably widened. .. Therefore, it may not be possible to install the vaporization supply device in the vicinity of the process chamber.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and a main object of the present invention is to provide a vaporization supply device capable of narrowing the installation area.
  • the vaporization supply device is arranged in a preheating section for preheating the liquid raw material and a preheating section above the preheating section, and is delivered from the preheating section.
  • a vaporization unit that heats and vaporizes the liquid raw material
  • a flow rate control device that is arranged above the vaporization unit and controls the flow rate of gas sent from the vaporization unit, a preheating unit, and the vaporization unit.
  • a heater for heating the flow rate control device.
  • the heater includes a first heater for heating the preheating unit, a second heater for heating the vaporization unit, and a third heater for heating the flow rate control device, and the preheating unit.
  • the vaporization unit and the flow rate control device are configured to be heated independently.
  • the first heater comprises a first side heater that heats the side surface of the preheating portion
  • the second heater comprises a second side heater that heats the side surface of the vaporization portion.
  • the three heaters include a third side heater that heats the side surface of the portion of the flow control device through which the gas flows.
  • the second heater further comprises a second bottom surface heat that heats the bottom surface of the vaporized portion, and the third heater heats the bottom surface of a gas-flowing portion of the flow control device. Further equipped with a heater.
  • heat insulating members are provided between the second bottom surface heater and the preheating portion and between the third bottom surface heater and the vaporizing portion, respectively.
  • the preheating part and the vaporizing part communicate with each other via a liquid filling on-off valve and a three-way valve, and the liquid filling on-off valve and the three-way valve are the preheating part and the vaporizing part. Placed on top of.
  • the preheating unit, the vaporization unit, and the flow rate control device are stacked in the vertical direction to form a three-stage structure, the preheating unit, the vaporization unit, and the flow rate control device are used.
  • the installation area can be reduced as compared with the conventional vaporization supply device in which the two are arranged in series. As a result, the vaporization supply device can be reliably and satisfactorily installed even in the vicinity of the process chamber where the installation space is small.
  • FIG. 1 to 4 show a vaporization supply device 1 according to an embodiment of the present invention, and the vaporization supply device 1 is arranged on a preheating unit 2 for preheating the liquid raw material L and an upper portion of the preheating unit 2.
  • a vaporization unit 3 that heats and vaporizes the preheated liquid raw material L sent from the preheating unit 2, and a flow rate that is arranged above the vaporization unit 3 and controls the flow rate of the gas G sent from the vaporization unit 3.
  • a control device 4 and a heater 5 for heating the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4 to different temperatures are provided, and the liquid raw material L is preheated by the preheating unit 2 and preheated.
  • the liquid raw material L is vaporized by the vaporization unit 3 to generate a gas G to be used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like, and the generated gas G is controlled by the flow rate control device 4.
  • the heater 5 has a first heater 6 that heats the preheating unit 2 from the side surface, a second heater 7 that heats the vaporization unit 3 from the side surface and the bottom surface, and a second heater 7 that heats the flow rate control device 4 from the side surface and the bottom surface. It is provided with 3 heaters 8 and is configured to independently heat the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4.
  • the preheating unit 2 is configured by connecting a first preheating block 2A made of stainless steel and a second preheating block 2B also made of stainless steel.
  • the first preheating block 2A is formed in a horizontally long thick flat plate-shaped rectangular parallelepiped, and inside the first preheating block 2A, a linear flow path 2a from one end to the other end and a linear flow path 2a are formed.
  • a rectangular parallelepiped liquid storage chamber 2b is formed in the middle of the flow path 2a to store the liquid raw material L.
  • the first preheating block 2A is formed by joining two members divided into left and right at the central portion by welding W, and one end (right end in FIG. 4) of the first preheating block 2A is formed. An inflow port for the liquid raw material L is formed.
  • the liquid raw material L pumped from the liquid storage tank (not shown) at a predetermined pressure is stored in the liquid storage chamber 2b, and the first preheating block 2A is stored before being supplied to the vaporization unit 3. Preheat using the heater 6.
  • a heating accelerator (not shown) may be arranged in the liquid storage chamber 2b of the first preheating block 2A in order to increase the surface area.
  • the second preheating block 2B is formed in a vertically long rectangular parallelepiped, and an L-shaped flow path 2a communicating with the flow path 2a of the first preheating block 2A is formed inside the second preheating block 2B. Has been done.
  • the second preheating block 2B is connected to the other end of the first preheating block 2A by a bolt (not shown) or the like, and is a flow path between the first preheating block 2A and the second preheating block 2B.
  • a gasket 9 with a through hole is interposed in the 2a communication portion. Further, an outlet for the liquid raw material L is formed on the upper surface of the second preheating block 2B.
  • the first preheating block 2A and the second preheating block 2B forming the preheating portion 2 are arranged in the upper part of the base frame 10 in a connected state, and the lower surface of the first preheating block 2A and the base.
  • a plate-shaped heat insulating member 11 is interposed between the upper surface of the frame 10 and the lower surface of the second preheating block 2B and the upper surface of the base frame 10.
  • the heat insulating member 11 may be sandwiched and fixed between the preheating unit 2 (first preheating block 2A and second preheating block 2B) and the base frame 10, or may be fixed by using a jig or the like. You may.
  • a panel material made of resin for example, PEEK (PolyEtherEtherKetone) is used as the heat insulating member 11.
  • the thickness of the heat insulating member 11 may be appropriately selected according to the required heat insulating property, but may be, for example, about 5 mm to 10 mm.
  • the heat insulating member 11 is not limited to the one made of PEEK described above, and may be formed of any material as long as it can block heat, and the material or the like is appropriately selected according to the temperature. You may. As the heat insulating member 11, a known vacuum heat insulating panel can also be used.
  • first preheating block 2A and the second preheating block 2B forming the preheating unit 2 are formed separately, but in other embodiments, the first preheating block 2B is formed separately.
  • the 2A and the second preheating block 2B may be integrally formed.
  • the vaporization unit 3 includes a stainless steel vaporization block 3A, and a liquid filling on-off valve 12, a stainless steel flow path block 13, and a purging three-way valve are provided in the second preheating block 2B of the preheating unit 2. It is connected via 14.
  • the vaporization block 3A is formed in a horizontally long thick flat plate-shaped rectangular parallelepiped, and a rectangular parallelepiped vaporization chamber 3a is formed inside the vaporization block 3A.
  • the vaporization block 3A is formed by joining two members divided into upper and lower parts at the central portion by welding W, and a purge is performed on the upper surface of one end portion (left end portion in FIG. 4) of the vaporization block 3A.
  • the inflow port 3b of the liquid raw material L communicating with the three-way valve 14 and communicating with the vaporization chamber 3a, and the outflow port 3c of the gas G communicating with the flow control device 4 and communicating with the vaporization chamber 3a. are formed respectively.
  • the length of the vaporization block 3A (the length in the left-right direction in FIG. 4) is set shorter than the length of the first preheating block 2A, and the width of the vaporization block 3A (the length in the front-rear direction in FIG. 4) is set. , The width of the first preheating block 2A is set to be the same.
  • the vaporization block 3A forming the vaporization unit 3 is arranged above the first preheating block 2A of the preheating unit 2, and is located between the upper surface of the first preheating block 2A and the lower surface of the vaporization block 3A. Is provided with a plate-shaped heat insulating member 11'and a second bottom surface heater 7B of the second heater 7 described later.
  • the first preheating block is in contact with the upper surface of the first preheating block 2A
  • the second bottom surface heater 7B is in contact with the upper surface of the heat insulating member 11'and the lower surface of the vaporization block 3A. It is interposed between 2A and the vaporization block 3A.
  • the heat insulating member 11'and the second bottom surface heater 7B may be sandwiched and fixed between the first preheating block 2A and the vaporization block 3A, or may be fixed by using a jig or the like.
  • a panel material made of PEEK is used as the heat insulating member 11'.
  • the thickness of the heat insulating member 11' is set to be the same as that of the heat insulating member 11 interposed between the first preheating block 2A and the base frame 10.
  • the vaporization unit 3 is provided with a liquid detection unit (not shown) for detecting that a liquid raw material L exceeding a predetermined amount has been supplied into the vaporization chamber 3a, and when the liquid detection unit detects a liquid, the liquid is filled. By closing the on-off valve 12, the excessive supply of the liquid raw material LL to the vaporization unit 3 may be prevented.
  • a liquid detection unit as described in Patent Document 4 (International Publication No. 2016/174832), a thermometer (platinum resistance temperature detector, thermocouple, thermistor, etc.) arranged in the vaporization chamber 3a, A liquid level gauge, a load cell, or the like can be used.
  • the liquid filling on-off valve 12 controls the supply amount of the liquid raw material L to the vaporization unit 3 according to the pressure in the vaporization chamber 3a of the vaporization block 3A, and the liquid filling on-off valve 12 is air pressure.
  • An air-driven valve that controls the opening and closing of the valve body is used.
  • the liquid filling on-off valve 12 is fixed to the upper surface of the second preheating block 2B by a fixing bolt 15 so that its inlet is connected to the outlet of the liquid raw material L of the second preheating block 2B in a communication manner.
  • a gasket with a hole (not shown) is interposed between the inlet of the on-off valve 12 for liquid filling and the outlet of the second preheating block 2B, and the gasket with a hole is a fixing bolt.
  • a seal between the flow paths is formed by the fastening force of 15.
  • the flow path block 13 connects the outlet of the liquid filling on-off valve 12 and the inlet of the purging three-way valve 14 in a communicating manner, and the flow path 13a of the liquid raw material L is inside the flow path block 13. Is formed.
  • the flow path block 13 is fixed to the lower surfaces of the liquid filling on-off valve 12 and the purging three-way valve 14 in a state where the flow path 13a communicates with the outlet of the liquid filling on-off valve 12 and the inlet of the purging three-way valve 14, respectively.
  • the purging three-way valve 14 is for flowing purge gas to the flow rate control device 4, and includes an inlet of the liquid raw material L, an outlet of the liquid raw material L, and an inlet 14a of the purge gas.
  • an air-driven valve that controls the opening and closing of the valve body by using air pressure is used.
  • the purge gas inlet 14a is closed and the inlet of the liquid raw material L and the liquid.
  • the outlet of the raw material L communicates with each other, and when the valve body is opened, the inlet 14a of the purge gas and the outlet of the liquid raw material L communicate with each other.
  • the purging three-way valve 14 is fixed to the upper surface of one end of the vaporization block 3A with a fixing bolt 15 in a state where its outlet communicates with the inflow port 3b of the liquid raw material L of the vaporization block 3A.
  • a gasket with a through hole (not shown) is interposed between the outlet of the vaporization block 3A and the inflow port 3b of the liquid raw material L of the vaporization block 3A, and the gasket with a through hole seals between the flow paths by the fastening force of the fixing bolt 15. Is forming.
  • the flow rate control device 4 is a conventionally known high temperature pressure type flow rate control device 4, and as will be described later, the flow rate of the gas G flowing through the orifice member 20 is controlled by using a control valve 22. It can be controlled by adjusting the upstream pressure P1 of the orifice member 20.
  • the pressure type flow control device 4 is connected to the upstream valve block 16 forming the gas flow path 16a and the gas flow path 16a connected to the upstream valve block 16 and communicated with the gas flow path 16a of the upstream valve block 16.
  • the intermediate valve block 16 ′ forming the valve chamber 16b, and the downstream valve block 16 ′′ forming the gas flow path 16a connected to the intermediate valve block 16 ′ and communicating with the gas flow path 16a of the intermediate valve block 16 ′.
  • a piezoelectric drive element (not shown) that drives the metal diaphragm valve body 18, a pressure detector 19 that detects the pressure in the gas flow path 16a on the upstream side of the metal diaphragm valve body 18, and a metal diaphragm valve body 18
  • For flow control to detect the pressure in the gas flow path 16a between the orifice member 20 provided in the gas flow path 16a on the downstream side of the above and the metal diaphragm valve body 18 and the orifice member 20 in which micropores are formed. It includes a pressure detector 21.
  • the metal diaphragm valve body 18 abuts on the valve seat to close the gas flow path 16a, while energizing the piezoelectric drive element.
  • the piezoelectric drive element is extended, and the metal diaphragm valve body 18 is configured to return to the original inverted dish shape by self-elastic force to open the gas flow path 16a.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration example of the pressure type flow rate control device 4.
  • the pressure detector 19 the orifice member 20, the control valve 22 composed of the metal diaphragm valve body 18 and the piezoelectric drive element, and the orifice member 20 and the control valve 22 are provided.
  • the flow rate control pressure detector 21 and the temperature detector 23 are provided.
  • the orifice member 20 is provided as a throttle portion, and a critical nozzle or a sound velocity nozzle can be used instead.
  • the diameter of the orifice or nozzle is set to, for example, 10 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • the pressure detector 19 and the temperature detector 23 are connected to the control circuit 24 via an AD converter.
  • the AD converter may be built in the control circuit 24.
  • the control circuit 24 is also connected to the control valve 22, generates a control signal based on the outputs of the flow rate control pressure detector 21 and the temperature detector 23, and controls the operation of the control valve 22 by this control signal. To do.
  • the pressure type flow rate control device 4 can perform the same flow rate control operation as the conventional one, and controls the flow rate based on the upstream pressure P1 (the pressure on the upstream side of the orifice member 20) by using the flow rate control pressure detector 21. can do.
  • the pressure type flow rate control device 4 may also include a pressure detector (not shown) on the downstream side of the orifice member 20, and detects the flow rate based on the upstream pressure P1 and the downstream pressure P2. It may be configured as follows.
  • the critical expansion condition P1 / P2 about 2 (however, P1: gas pressure on the upstream side of the throttle portion (upstream pressure), P2: gas pressure on the downstream side of the throttle portion (downstream pressure).
  • P1 gas pressure on the upstream side of the throttle portion (upstream pressure)
  • P2 gas pressure on the downstream side of the throttle portion (downstream pressure).
  • the flow velocity of the gas G passing through the throttle is fixed at the sound velocity, and the flow rate is controlled by using the principle that the flow rate is determined by the upstream pressure P1 regardless of the downstream pressure P2.
  • Predetermined formula Q K 2 ⁇ P2 m (P1-P2) n based on P1 and downstream pressure P2 (where K 2 is a constant depending on the type of fluid and fluid temperature, m and n are the actual flow rates.
  • the flow rate Q can be calculated from the index) derived from the above.
  • the control valve 22 is feedback-controlled so that the flow rate approaches the set flow rate input by the user.
  • the flow rate obtained by calculation may be displayed as a flow rate output value.
  • the pressure detector 19 provided at the upstream position of the metal diaphragm valve body 18 of the pressure type flow rate control device 4 detects the pressure of the gas G vaporized by the vaporization unit 3 and sent to the pressure type flow rate control device 4. Is what you do.
  • the signal of the pressure value detected by the pressure detector 19 is constantly sent to the control circuit 24 and monitored.
  • the control circuit 24 opens and closes for liquid filling.
  • a predetermined amount of the liquid raw material L is supplied to the vaporization chamber 3a by opening the valve 12 for a predetermined time and then closing the valve 12.
  • a three-way valve 25 for supplying purge gas, a second flow path block 26, a stop valve 27, and a third flow path block 28 are sequentially connected to the downstream valve block 16 ′′ of the pressure type flow rate control device 4.
  • the purge gas supply three-way valve 25, the second flow path block 26, the stop valve 27, and the third flow path block 28 are supported by a stainless steel rectangular parallelepiped base body 29 arranged at these lower positions.
  • the second flow path block 26 and the third flow path block 28 are made of stainless steel and have the same structure as the above-mentioned flow path block 13.
  • the purge gas supply three-way valve 25 is for flowing the purge gas to the downstream side of the pressure type flow rate control device 4, and includes a gas G inlet, a gas G outlet, and a purge gas inlet 25a.
  • a gas G inlet As the purge gas supply three-way valve 25, an air-driven valve that controls the opening and closing of the valve body by using air pressure is used, and when the valve body is closed, the purge gas inlet 25a is closed and the gas G inlet and the gas.
  • the outlet of G communicates with each other, and when the valve body is opened, the inlet 25a of the purge gas and the outlet of the gas G communicate with each other.
  • the inlet of the gas G communicates with the gas flow path 16a of the downstream side valve block 16 ", and the outlet of the gas G communicates with the gas flow path 26a of the second flow path block 26.
  • it is fixed to the upper surface of the downstream side valve block 16 ′′ and the second flow path block 26 by a fixing bolt 15, and the gas G inlet of the purge gas supply three-way valve 25 and the gas flow of the downstream side valve block 16 ′′.
  • Gaskets with through holes are interposed between the passage 16a and between the gas G outlet of the purge gas supply three-way valve 25 and the gas flow path 26a of the second flow path block 26, respectively.
  • the perforated gasket forms a seal between the flow paths by the fastening force of the fixing bolt 15.
  • the stop valve 27 shuts off the flow of gas G as needed, and as the stop valve 27, for example, a known air-driven valve or solenoid valve can be used.
  • the stop valve 27 is in a state where the inlet of the gas G communicates with the gas flow path 26a of the second flow path block 26 and the outlet of the gas G communicates with the gas flow path 28a of the third flow path block 28. It is fixed to the upper surfaces of the two flow path blocks 26 and the third flow path block 28 by fixing bolts 15, and is between the gas G inlet of the stop valve 27 and the gas flow path 26a of the second flow path block 26 and stops.
  • a gasket with a through hole (not shown) is interposed between the outlet of the gas G of the valve 27 and the gas flow path 28a of the third flow path block 28, and the gasket with a through hole is fastened with a fixing bolt 15.
  • a seal is formed between the flow paths by force.
  • the downstream side of the stop valve 27 is connected to, for example, a process chamber (not shown) of a semiconductor manufacturing apparatus, and when gas is supplied, the inside of the process chamber is depressurized by a vacuum pump (not shown), and a predetermined flow rate of raw material gas is used. G is supplied to the process chamber.
  • the flow rate control device 4 is arranged above the vaporization block 3A so that the gas flow path 16a of the upstream valve block 16 and the gas G outlet 3c of the vaporization block 3A communicate with each other.
  • a gasket 30 with a through hole is interposed between the inlet of the gas flow path 16a of the block 16 and the outflow port 3c of the gas G of the vaporization block 3A, and the gasket 30 with a through hole is a fixing bolt (not shown).
  • a seal between the flow paths is formed by the fastening force.
  • a plate-shaped heat insulating member 11 "and a third heater 8 described later are the third.
  • the bottom surface heater 8B is interposed.
  • the heat insulating member 11 ′′ is in contact with the upper surface of the vaporization block 3A
  • the third bottom surface heater 8B is the upper surface of the heat insulating member 11 ′′, the lower surface of the intermediate valve block 16 ′, and the downstream side.
  • the heat insulating member 11 ′′ and the third bottom surface heater 8B may be sandwiched and fixed by the vaporization block 3A and the flow rate control device 4, or may be fixed by using a jig or the like.
  • a panel material made of PEEK is used as the heat insulating member 11 ′′.
  • the thickness of the heat insulating member 11 ′′ is such that the heat insulating member interposed between the first preheating block 2A and the base frame 10. It is set to be the same as 11.
  • the flow rate control device 4 is not limited to the pressure type flow rate control device, and may be a flow rate control device 4 of various modes.
  • the first heater 6 includes both side surfaces of the first preheating block 2A and the second preheating block 2B forming the preheating portion 2, a portion of the liquid filling on-off valve 12 through which the liquid raw material L flows, and a flow path block.
  • a pair of first side surface heaters 6A for heating both side surfaces of the inlet side portion of 13 is provided.
  • the pair of first side surface heaters 6A includes a heating element 6a and a metal heat transfer member 6b thermally connected to the heating element 6a, and the heat generated by the heating element 6a is transferred to the heat transfer member 6b.
  • the heat transfer member 6b is heated as a whole by the heating element 6a.
  • the uniformly heated heat transfer member 6b can uniformly heat the preheating portion 2, a part of the liquid filling on-off valve 12, and a part of the flow path block 13 from the outside.
  • the heating element 6a is composed of a rod-shaped cartridge heater, and is inserted and fixed in a small hole formed in the heat transfer member 6b.
  • the heat transfer member 6b is formed of aluminum or an aluminum alloy in an L-shaped plate shape, and is in close contact with the side surfaces of the first preheating block 2A and the second preheating block 2B by fixing bolts (not shown) or the like. It is fixed at.
  • the heat transfer member 6b is formed on the side surfaces of the first preheating block 2A and the second preheating block 2B, the side surface of the portion of the liquid filling on-off valve 12 through which the liquid raw material L flows, and the side surface of the inlet side portion of the flow path block 13. Each is formed to cover the size.
  • the heat transfer member 6b may be a member having good heat transfer efficiency, but aluminum or an aluminum alloy, which is relatively inexpensive because there is little concern about contamination of the process, is desirable.
  • the second heater 7 heats both side surfaces of the vaporization block 3A forming the vaporization portion 3, a portion through which the liquid raw material L of the purging three-way valve 14 flows, and both side surfaces of the outlet side portion of the flow path block 13. It includes a pair of second side surface heaters 7A and a second bottom surface heater 7B that heats the bottom surface of the vaporization block 3A forming the vaporization unit 3.
  • the pair of second side surface heaters 7A and second bottom surface heaters 7B each include a heating element 7a and a metal heat transfer member 7b thermally connected to the heating element 7a, and the heating element 7a generates heat. Heat is conducted to the entire heat transfer member 7b, and the heating element 7a heats the heat transfer member 7b as a whole.
  • the uniformly heated heat transfer member 7b can uniformly heat the vaporization unit 3, a part of the purging three-way valve 14, and a part of the flow path block 13 from the outside.
  • the heating element 7a of the second side surface heater 7A and the second bottom surface heater 7B is each composed of a rod-shaped cartridge heater, and is inserted and fixed in a small hole formed in the heat transfer member 7b.
  • the heat transfer member 7b of the second side surface heater 7A is formed of aluminum or an aluminum alloy in an L-shaped plate shape, and is fixed to the side surface of the vaporization block 3A in close contact with a fixing bolt (not shown) or the like. There is.
  • the heat transfer member 7b of the second side surface heater 7A has a side surface of the vaporization block 3A, a side surface of the portion where the liquid raw material L of the purging three-way valve 14 flows, and a side surface of the outlet side portion of the flow path 13a of the flow path block 13, respectively. It is formed to cover the size.
  • the heat transfer member 7b of the second bottom surface heater 7B is formed of aluminum or an aluminum alloy in the shape of a long plate, and the vaporization block is formed between the vaporization block 3A and the heat insulating member 11'on the first preheating block 2A. They are arranged in close contact with the bottom surface of 3A and the top surface of the heat insulating member 11'.
  • the third heater 8 includes both side surfaces of the upstream valve block 16, both side surfaces of the intermediate valve block 16 ′, both side surfaces of the downstream valve block 16 ′′, and a portion through which the gas G of the purge gas supply three-way valve 25 flows.
  • a pair of third side surface heaters 8A for heating both side surfaces of the second flow path block 26, a portion through which the gas G of the stop valve 27 flows, and both side surfaces of the third flow path block 28, and an intermediate valve block 16 A third bottom surface that heats the bottom surface of ′, the bottom surface of the downstream valve block 16 ′′, the bottom surface of the purge gas supply three-way valve 25, the bottom surface of the second flow path block 26, and the bottom surface of the third flow path block 28. It is equipped with a heater 8B.
  • the pair of the third side heater 8A and the third bottom heater 8B each include a heating element 8a and a metal heat transfer member 8b thermally connected to the heating element 8a, and the heating element 8a generates heat. Heat is conducted to the entire heat transfer member 8b, and the heating element 8a heats the heat transfer member 8b as a whole.
  • the uniformly heated heat transfer member 8b includes a portion through which the gas G of the flow control device 4 flows, a portion of the purge gas supply three-way valve 25, a second flow path block 26, a part of the stop valve 27, and a third flow path.
  • the block 28 can be uniformly heated from the outside.
  • the heating element 8a of the third side heater 8A and the third bottom heater 8B is composed of a rod-shaped cartridge heater, and is inserted and fixed in a small hole formed in the heat transfer member 8b.
  • the heat transfer member 8b of the third side surface heater 8A is formed of aluminum or an aluminum alloy in a plate shape, and is fixed in close contact with a side surface or the like of the flow rate control device 4 by a fixing bolt (not shown) or the like.
  • the heat transfer member 8b of the third side heater 8A is a side surface of the upstream valve block 16, a side surface of the intermediate valve block 16', a side surface of the downstream valve block 16", and a portion through which the gas G of the purge gas supply three-way valve 25 flows.
  • the side surface, the side surface of the second flow path block 26, the side surface of the portion of the stop valve 27 through which the gas G flows, and the side surface of the third flow path block 28 are formed to cover each of the side surfaces.
  • the heat transfer member 8b of the third bottom surface heater 8B is formed of aluminum or an aluminum alloy in the shape of a long plate, and insulates the intermediate valve block 16', the downstream valve block 16 ′′, the base body 29, and the vaporization block 3A. It is arranged between the member 11 ′′ and the bottom surface of the intermediate valve block 16 ′′, the bottom surface of the downstream valve block 16 ′′, the bottom surface of the base body 29, and the top surface of the heat insulating member 11 ′′.
  • the inner surfaces of the heat transfer members 6b, 7b, 8b made of aluminum or aluminum alloy, that is, the preheating part 2, the vaporizing part 3, and the flow rate.
  • the surface facing the control device 4 is subjected to an alumite treatment (anodizing treatment) as a surface treatment for improving heat dissipation, and the outer surfaces of the heat transfer members 6b, 7b, 8b are polished surfaces or It is a mirror-processed surface.
  • the mirror-finished surface on the outside of the heat transfer members 6b, 7b, 8b is typically formed by polishing, but may be formed only by shaving.
  • alumite treatment for example, hard alumite treatment
  • heat dissipation can be improved, and when the heat from the heating elements 6a, 7a, 8a is in contact with each other.
  • the preheating unit 2 or the vaporizing unit 3 when the preheating unit 2 or the vaporizing unit 3 is in contact with the heat transfer members 6b, 7b, 8b, the heat is conducted from the contact portion, but the heat transfer members 6b, 7b, 8b to the preheating unit 2 or When heat is transferred to the vaporization unit 3, if the inner surfaces of the heat transfer members 6b, 7b, 8b are not alumite-treated, the heat is reflected on the inner surfaces of the heat transfer members 6b, 7b, 8b due to the radiation coefficient. However, there is heat that does not move to the preheating section 2 and the vaporizing section 3.
  • the emissivity is high, so that the heat is reflected on the surface in contact with the preheating section 2 and the vaporizing section 3. There is almost no heat generated, and almost all of the heat from the heat transfer members 6b, 7b, 8b is conducted to the preheating section 2 and the vaporizing section 3.
  • the same effect is exhibited not only in the hard alumite treatment but also in the normal alumite treatment. If the thickness of the alumite layer is the thickness formed by the usual alumite treatment (for example, 1 ⁇ m or more), the same effect is exhibited. However, the hard alumite treatment has an advantage that it is less likely to be scratched during operation and the concern that the film is peeled off can be reduced as compared with the normal alumite treatment.
  • a temperature sensor (not shown) is provided in each of the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4, and each heater 6, 7, and 8 is individually provided by using the control device (not shown). Since it can be controlled, the temperatures of the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4 can be individually controlled. Normally, the temperatures of the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4 are controlled so that the preheating unit 2 ⁇ vaporization unit 3 ⁇ flow rate control device 4.
  • the temperature of the first heater 6 is set to, for example, about 180 ° C
  • the temperature of the second heater 7 is set to, for example, about 200 ° C
  • the temperature of the third heater 8 is set to, for example, about 210 ° C. ing.
  • the first heater 6 that heats the preheating unit 2 is set to a temperature lower than that of the second heater 7 that heats the vaporization unit 3, and the third heater 8 that heats the flow rate control device 4 is the second heater 7. It is set to a higher temperature than. Therefore, the temperatures of the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4 are such that the preheating unit 2 ⁇ vaporization unit 3 ⁇ flow rate control device 4.
  • rod-shaped cartridge heaters are used as the heating elements 6a, 7a, 8a of the heaters 6, 7, and 8, but various known heating elements 6a, 7a, 8a are used.
  • An apparatus can be used, and for example, a planar heater (not shown) fixed to the heat transfer members 6b, 7b, 8b may be used.
  • the heating elements 6a, 7a, 8a are inserted into the heat transfer members 6b, 7b, 8b from the lateral direction, but in other embodiments, the heating elements 6a, 7a, 8a may be inserted into the heat transfer members 6b, 7b, 8b from the vertical direction.
  • aluminum or aluminum alloy plates are used as the heat transfer members 6b, 7b, 8b of the heaters 6, 7 and 8, but aluminum is used for the heat transfer members 6b, 7b and 8b.
  • another metal material having high thermal conductivity may be used.
  • the vaporization supply device 1 described above has a three-stage structure in which the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4 are stacked in the vertical direction, so that the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the pressure are formed.
  • the installation area can be narrowed as compared with the conventional vaporization supply device in which the type flow rate control device 4 is arranged in series.
  • the vaporization supply device 1 can individually control the heaters 6, 7, and 8 using a control device (not shown), the preheating unit 2, the vaporization unit 3, and the flow rate control device 4 are individually controlled.
  • the temperature can be controlled, and the preheating of the liquid raw material L, the vaporization of the liquid raw material L, and the prevention of the reliquefaction of the vaporized raw material can be performed at appropriate temperatures.
  • the vaporization supply device 1 has heat insulating members 11 ′ and 11 ′′ interposed between the preheating unit 2 and the vaporization unit 3 and between the vaporization unit 3 and the flow rate control device 4, the flow rate is controlled.
  • the heat conduction from the device 4 to the vaporization unit 3 and the heat conduction from the vaporization unit 3 to the preheating unit 2 are suppressed, and the vaporization unit 3 and the preheating unit 2 can be maintained at the set temperature.
  • the fluid control device according to the embodiment of the present invention can be used, for example, to supply a raw material gas to a process chamber in a semiconductor manufacturing device for MOCVD.
  • Vaporization supply device 2 Preheating unit 3 Vaporization unit 4
  • Flow control device 5 Heater 6 1st heater 6A 1st side heater 7 2nd heater 7A 2nd side heater 7B 2nd bottom heater 8 3rd heater 8A 3rd side heater 8B
  • Heater 6 1st heater 6A 1st side heater 7 2nd heater 7A 2nd side heater 7B 2nd bottom heater 8 3rd heater 8A 3rd side heater 8B

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Abstract

気化供給装置1は、液体原料Lを予加熱する予加熱部2と、前記予加熱部2の上部に配置され、前記予加熱部2から送出される予加熱された前記液体原料Lを加熱して気化させる気化部3と、前記気化部3の上部に配置され、前記気化部3から送出されたガスGの流量を制御する流量制御装置4と、前記予加熱部2、前記気化部3及び前記流量制御装置4を加熱するヒータ5とを備える。

Description

気化供給装置
 本発明は、半導体製造装置や化学プラント、薬品産業設備等で用いられる気化供給装置に関し、特に、液体原料を予加熱する予加熱部及び予加熱部で加熱された液体原料を気化させる気化部を備えた気化供給装置に関する。
 従来、例えば、有機金属気相成長法(MOCVD)により成膜を行う半導体製造装置において、プロセスチャンバに原料ガスを供給するための気化供給装置が用いられている(例えば特許文献1~3参照)。
 気化供給装置には、例えば、TEOS(Tetraethyl orthosilicate)、HCDS(Hexachlorodisilane)等の液体原料を貯液タンクに貯めておき、加圧した不活性ガスを貯液タンクに供給して液体原料を一定圧力で押し出して気化器に供給するものがある。供給された液体原料は、気化室の周囲に配置されたヒータによって気化され、気化したガスは流量制御装置により所定流量に制御して半導体製造装置に供給される。
 原料として用いられる有機金属材料には、沸点が150℃を超えるものもあり、例えば、上記のTEOSの沸点は約169℃である。このため、気化供給装置は、比較的高温、例えば、200℃以上の温度まで液体原料を加熱できるように構成されている。
 また、気化供給装置では、気化させた原料の凝縮(再液化)を防ぐために、高温に加熱された流路を通して、プロセスチャンバまでガスを供給することが求められている。更に、気化器に供給される液体原料による気化器の温度低下を防ぎ、有機金属材料等の気化を効率的に行うために、気化器に供給する前に液体原料を予め加熱しておく場合もある。このため、気化供給装置では、流路又は流体収容部が設けられた流体加熱部(気化器等)を高温にまで加熱するためのヒータが、必要な箇所に配置されている。
 液体原料を予め加熱する予加熱部を備えた気化供給装置としては、例えば、特許文献4及び特許文献5に記載された気化供給装置が知られている。
 前記気化供給装置は、原料液体を予加熱する予加熱部と、予加熱部で加熱された原料液体を気化させる気化器と、気化させたガスの流量を制御する高温対応型の圧力式流量制御装置とを備えている。
特開2009-252760号公報 特開2010-180429号公報 特開2014-114463号公報 国際公開第2016/174832号 国際公開第2019/021949号
 上述した気化供給装置において、液体原料を予加熱するために設けられた予加熱部は、例えば、液体原料の沸点以下の温度に維持され、気化部は、例えば、液体原料の沸点以上の温度に維持される。但し、流体の沸点は、流体の圧力によって変動するので、予加熱部が液体原料の常圧(大気圧)における沸点以上の温度になったとしても、液体原料の圧力によっては、気化しないで液体の状態が維持されることがある。また、熱分解温度が沸点よりも低い原料を用いるときには、気化部は沸点以下の温度に設定されることもある。尚、気化部の設定温度は、通常は、予加熱部の設定温度よりも高く設定される。更に、気化した液体原料の流量制御を行う圧力式流量制御装置は、液体原料の沸点以上、典型的には気化部の温度よりも高温に維持される。
 ところで、予加熱部及び気化部を備えた気化供給装置は、予加熱部と気化部と圧力式流量制御装置とを直列状に配置しているため、どうしても設置面積が広くなるという問題が発生する。そのため、気化供給装置をプロセスチャンバの近傍位置に設置できないこともあった。
 本発明は、上記課題を解決するために為されたものであり、設置面積を狭くできるようにした気化供給装置を提供することを主たる目的とする。
 上記目的を達成するため、本発明の実施態様に係る気化供給装置は、液体原料を予加熱する予加熱部と、前記予加熱部の上部に配置され、前記予加熱部から送出される予加熱された前記液体原料を加熱して気化させる気化部と、前記気化部の上部に配置され、前記気化部から送出されたガスの流量を制御する流量制御装置と、前記予加熱部、前記気化部及び前記流量制御装置を加熱するヒータと、を備える。
 ある実施形態において、前記ヒータは、前記予加熱部を加熱する第1ヒータと、前記気化部を加熱する第2ヒータと、前記流量制御装置を加熱する第3ヒータとを備え、前記予加熱部、前記気化部及び前記流量制御装置をそれぞれ独立して加熱するように構成されている。
 ある実施形態において、前記第1ヒータは、前記予加熱部の側面を加熱する第1側面ヒータを備え、前記第2ヒータは、前記気化部の側面を加熱する第2側面ヒータを備え、前記第3ヒータは、前記流量制御装置のガスが流れる部分の側面を加熱する第3側面ヒータを備える。
 ある実施形態において、前記第2ヒータは、前記気化部の底面を加熱する第2底面ヒートを更に備え、前記第3ヒータは、前記流量制御装置のガスが流れる部分の底面を加熱する第3底面ヒータを更に備える。
 ある実施形態において、前記第2底面ヒータと前記予加熱部との間及び前記第3底面ヒータと前記気化部との間にそれぞれ断熱部材が介設される。
 ある実施形態において、前記予加熱部と前記気化部が液体充填用開閉弁及び三方弁を介して連通しており、前記液体充填用開閉弁及び前記三方弁は、前記予加熱部及び前記気化部の上部に配置される。
 本発明の実施形態に係る気化供給装置によれば、予加熱部と気化部と流量制御装置とを上下方向に積み重ねて3段構造にしているため、予加熱部と気化部と流量制御装置とを直列状に配置した従来の気化供給装置に比較して設置面積を狭くすることができる。その結果、設置スペースの少ないプロセスチャンバの近傍位置であっても、気化供給装置を確実且つ良好に設置することができる。
本発明の実施形態に係る気化供給装置の正面図である。 気化供給装置の平面図である。 気化供給装置の左側面図である。 気化供給装置の縦断正面図である。 気化供給装置に用いる流量制御装置の構成例を示す模式図である。
 以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
 図1~図4は本発明の実施態様に係る気化供給装置1を示し、当該気化供給装置1は、液体原料Lを予加熱する予加熱部2と、予加熱部2の上部に配置され、予加熱部2から送出される予加熱された液体原料Lを加熱して気化させる気化部3と、気化部3の上部に配置され、気化部3から送出されたガスGの流量を制御する流量制御装置4と、前記予加熱部2、気化部3及び流量制御装置4をそれぞれ異なる温度に加熱するヒータ5と、を備えており、液体原料Lを予加熱部2で予加熱し、予加熱した液体原料Lを気化部3で気化して半導体製造装置等で使用するガスGを生成し、生成したガスGを流量制御装置4で制御するようにしたものである。
 また、前記ヒータ5は、予加熱部2を側面から加熱する第1ヒータ6と、気化部3を側面及び底面から加熱する第2ヒータ7と、流量制御装置4を側面及び底面から加熱する第3ヒータ8とを備え、予加熱部2、気化部3及び流量制御装置4をそれぞれ独立して加熱するように構成されている。
 前記予加熱部2は、ステンレス鋼製の第1予加熱ブロック2Aと、同じくステンレス鋼製の第2予加熱ブロック2Bとを連結することにより構成されている。
 第1予加熱ブロック2Aは、横長の厚肉平板状の直方体に形成されており、第1予加熱ブロック2Aの内部には、一端から他端に至る直線状の流路2aと、直線状の流路2aの途中に形成されて液体原料Lを貯留する直方体状の液貯留室2bとが形成されている。この第1予加熱ブロック2Aは、中央部分で左右に分割された二つの部材を溶接Wにより継ぎ合わせることにより形成されており、第1予加熱ブロック2Aの一端(図4の右端)には、液体原料Lの流入口が形成されている。また、第1予加熱ブロック2Aは、貯液タンク(図示省略)から所定圧で圧送されて来る液体原料Lを液貯留室2bに貯留しておくと共に、気化部3に供給する前に第1ヒータ6を用いて予熱する。尚、第1予加熱ブロック2Aの液貯留室2bには、表面積を増やすために加熱促進体(図示省略)を配置しても良い。
 第2予加熱ブロック2Bは、縦長の直方体に形成されており、第2予加熱ブロック2Bの内部には、第1予加熱ブロック2Aの流路2aに連通するL字状の流路2aが形成されている。この第2予加熱ブロック2Bは、第1予加熱ブロック2Aの他端にボルト(図示省略)等により連結されており、第1予加熱ブロック2Aと第2予加熱ブロック2Bとの間の流路2a連通部には、通孔付きガスケット9が介設されている。また、第2予加熱ブロック2Bの上面には、液体原料Lの流出口が形成されている。
 そして、予加熱部2を形成する第1予加熱ブロック2A及び第2予加熱ブロック2Bは、連結された状態でベースフレーム10の上部に配置されており、第1予加熱ブロック2Aの下面とベースフレーム10の上面との間及び第2予加熱ブロック2Bの下面とベースフレーム10の上面との間には、板状の断熱部材11が介設されている。この断熱部材11は、予加熱部2(第1予加熱ブロック2A及び第2予加熱ブロック2B)とベースフレーム10とで挟持して固定するようにしても良いし、治具等を用いて固定しても良い。
 本実施形態では、断熱部材11として、樹脂(例えば、PEEK(Poly Ether Ether Ketone))製のパネル材が用いられている。断熱部材11の厚さは、要求される断熱性に応じて適宜選択されて良いが、例えば、5mm~10mm程度であっても良い。
 また、断熱部材11は、上記のPEEK製のものに限定されるものではなく、熱を遮断できる限り任意の材料から形成されていても良く、また、温度に合わせて材料等が適宜選択されていても良い。断熱部材11としては、公知の真空断熱パネルを利用することもできる。
 尚、上記の実施形態においては、予加熱部2を形成する第1予加熱ブロック2Aと第2予加熱ブロック2Bとを別体に形成したが、他の実施形態においては、第1予加熱ブロック2Aと第2予加熱ブロック2Bとを一体的に形成しても良い。
 前記気化部3は、ステンレス鋼製の気化ブロック3Aを備えており、予加熱部2の第2予加熱ブロック2Bに液体充填用開閉弁12、ステンレス鋼製の流路ブロック13及びパージ用三方弁14を介して接続されている。
 気化ブロック3Aは、横長の厚肉平板状の直方体に形成されており、気化ブロック3Aの内部には、直方体状の気化室3aが形成されている。この気化ブロック3Aは、中央部分で上下に分割された二つの部材を溶接Wにより継ぎ合わせることにより形成されており、気化ブロック3Aの一端部(図4の左側端部)の上面には、パージ用三方弁14に連通状に接続されて気化室3aに連通する液体原料Lの流入口3bと、流量制御装置4に連通状に接続されて気化室3aに連通するガスGの流出口3cとがそれぞれ形成されている。気化ブロック3Aの長さ(図4の左右方向の長さ)は、第1予加熱ブロック2Aの長さよりも短く設定され、また、気化ブロック3Aの幅(図4の前後方向の長さ)は、第1予加熱ブロック2Aの幅と同じに設定されている。
 そして、気化部3を形成する気化ブロック3Aは、予加熱部2の第1予加熱ブロック2Aの上部に配置されており、第1予加熱ブロック2Aの上面と気化ブロック3Aの下面との間には、板状の断熱部材11′及び後述する第2ヒータ7の第2底面ヒータ7Bが介設されている。断熱部材11′は、第1予加熱ブロック2Aの上面に接触し、また、第2底面ヒータ7Bは、断熱部材11′の上面及び気化ブロック3Aの下面に接触するように、第1予加熱ブロック2Aと気化ブロック3Aとの間に介設されている。断熱部材11′及び第2底面ヒータ7Bは、第1予加熱ブロック2Aと気化ブロック3Aとで挟持して固定するようにしても良いし、治具等を用いて固定しても良い。
 本実施形態では、断熱部材11′として、PEEK製のパネル材が用いられている。断熱部材11′の厚さは、第1予加熱ブロック2Aとベースフレーム10との間に介設した断熱部材11と同じに設定されている。
 尚、気化部3には、気化室3a内に所定量を超える液体原料Lが供給されたことを検知する液体検知部(図示せず)を設け、液体検知部が液体を検知したときには液体充填用開閉弁12を閉じるようにすることで、気化部3への液体原料LLの過剰供給を防止するようにしても良い。この液体検知部としては、特許文献4(国際公開第2016/174832号)に記載されているように、気化室3aに配置された温度計(白金測温抵抗体、熱電対、サーミスタなど)、液面計、ロードセル等を用いることができる。
 前記液体充填用開閉弁12は、気化ブロック3Aの気化室3a内の圧力に応じて気化部3への液体原料Lの供給量を制御するものであり、液体充填用開閉弁12としては、空気圧を利用して弁体の開閉を制御するエア駆動弁が用いられている。この液体充填用開閉弁12は、その入口が第2予加熱ブロック2Bの液体原料Lの流出口に連通状に接続されるように、第2予加熱ブロック2Bの上面に固定用ボルト15により固定されており、液体充填用開閉弁12の入口と第2予加熱ブロック2Bの流出口との間には、通孔付きガスケット(図示省略)がそれぞれ介設され、通孔付きガスケットは固定用ボルト15の締結力により流路間のシールを形成している。
 前記流路ブロック13は、液体充填用開閉弁12の出口とパージ用三方弁14の入口とを連通状に接続するものであり、流路ブロック13の内部には、液体原料Lの流路13aが形成されている。流路ブロック13は、その流路13aが液体充填用開閉弁12の出口とパージ用三方弁14の入口にそれぞれ連通する状態で液体充填用開閉弁12及びパージ用三方弁14の下面に固定用ボルト15により固定されており、液体充填用開閉弁12の出口と流路ブロック13の流路13aの入口との間及びパージ用三方弁14の入口と流路ブロック13の流路13aの出口との間には、通孔付きガスケット(図示省略)がそれぞれ介設され、通孔付きガスケットは固定用ボルト15の締結力により流路間のシールを形成している。
 前記パージ用三方弁14は、流量制御装置4側へパージガスを流すためのものであり、液体原料Lの入口、液体原料Lの出口及びパージガスの入口14aを備えている。パージ用三方弁14としては、空気圧を利用して弁体の開閉を制御するエア駆動弁が用いられており、弁体を閉じると、パージガスの入口14aが閉じられて液体原料Lの入口と液体原料Lの出口とが連通し、また、弁体を開くと、パージガスの入口14aと液体原料Lの出口とが連通するようになっている。このパージ用三方弁14は、その出口が気化ブロック3Aの液体原料Lの流入口3bに連通する状態で気化ブロック3Aの一端部上面に固定用ボルト15により固定されており、パージ用三方弁14の出口と気化ブロック3Aの液体原料Lの流入口3bと間には、通孔付きガスケット(図示省略)が介設され、通孔付きガスケットは固定用ボルト15の締結力により流路間のシールを形成している。
 前記流量制御装置4は、本実施形態では、従来公知の高温対応型の圧力式流量制御装置4であり、後述するように、オリフィス部材20を流れるガスGの流量を、コントロール弁22を用いてオリフィス部材20の上流圧力P1を調整することによって制御することができる。
 即ち、圧力式流量制御装置4は、ガス流路16aを形成した上流側弁ブロック16と、上流側弁ブロック16に連結されて上流側弁ブロック16のガス流路16aに連通するガス流路16a及び弁室16bを形成した中間弁ブロック16′と、中間弁ブロック16′に連結されて中間弁ブロック16′のガス流路16aに連通するガス流路16aを形成した下流側弁ブロック16″と、上流側弁ブロック16のガス流路16aと中間弁ブロック16′のガス流路16aとの間に介設した通孔付きガスケット17と、弁室16bに設けた金属製ダイヤフラム弁体18と、金属製ダイヤフラム弁体18を駆動する圧電駆動素子(図示省略)と、金属製ダイヤフラム弁体18の上流側のガス流路16a内の圧力を検出する圧力検出器19と、金属製ダイヤフラム弁体18の下流側のガス流路16aに設けられて微細孔が形成されたオリフィス部材20と、金属製ダイヤフラム弁体18とオリフィス部材20との間のガス流路16a内の圧力を検出する流量制御用圧力検出器21とを備えている。
 高温対応型の圧力式流量制御装置4は、圧電駆動素子の非通電時には、金属製ダイヤフラム弁体18が弁座に当接してガス流路16aを閉じる一方で、圧電駆動素子に通電することにより圧電駆動素子が伸張し、金属製ダイヤフラム弁体18が自己弾性力により元の逆皿形状に復帰してガス流路16aが開通するように構成されている。
 図5は、圧力式流量制御装置4の構成例を模式的に示す図である。圧力式流量制御装置4では、圧力検出器19と、オリフィス部材20と、金属製ダイヤフラム弁体18及び圧電駆動素子で構成されるコントロール弁22と、オリフィス部材20とコントロール弁22との間に設けられた流量制御用圧力検出器21及び温度検出器23とを備えている。オリフィス部材20は、絞り部として設けられたものであり、これに代えて臨界ノズル又は音速ノズルを用いることもできる。オリフィス又はノズルの口径は、例えば10μm~500μmに設定される。
 圧力検出器19及び温度検出器23は、ADコンバータを介して制御回路24に接続されている。ADコンバータは、制御回路24に内蔵されていても良い。制御回路24は、コントロール弁22にも接続されており、流量制御用圧力検出器21及び温度検出器23の出力などに基づいて制御信号を生成し、この制御信号によってコントロール弁22の動作を制御する。
 圧力式流量制御装置4は、従来と同様の流量制御動作を行うことができ、流量制御用圧力検出器21を用いて上流圧力P1(オリフィス部材20の上流側の圧力)に基づいて流量を制御することができる。圧力式流量制御装置4は、他の実施態様において、オリフィス部材20の下流側にも圧力検出器(図示省略)を備えていても良く、上流圧力P1及び下流圧力P2に基づいて流量を検出するように構成されていても良い。
 圧力式流量制御装置4では、臨界膨張条件P1/P2≧約2(ただし、P1:絞り部上流側のガス圧力(上流圧力)、P2:絞り部下流側のガス圧力(下流圧力)であり、約2は窒素ガスの場合)を満たすとき、絞り部を通過するガスGの流速は音速に固定され、流量は下流圧力P2によらず上流圧力P1によって決まるという原理を利用して流量制御が行われる。臨界膨張条件を満たすとき、絞り部下流側の流量Qは、Q=K1・P1(K1は流体の種類と流体温度に依存する定数)によって与えられ、流量Qは上流圧力P1に比例する。また、下流圧力センサを備える場合、上流圧力P1と下流圧力P2との差が小さく、臨界膨張条件を満足しない場合であっても流量を算出することができ、各圧力センサによって測定された上流圧力P1および下流圧力P2に基づいて、所定の計算式Q=K2・P2m(P1-P2)n(ここでK2は流体の種類と流体温度に依存する定数、m、nは実際の流量を元に導出される指数)から流量Qを算出することができる。
 制御回路24は、流量制御用圧力検出器21の出力(上流圧力P1)等に基づいて、上記のQ=K1・P1又はQ=K2・P2m(P1-P2)nから流量を演算により求め、この流量がユーザにより入力された設定流量に近づくように、コントロール弁22をフィードバック制御する。演算により求められた流量は、流量出力値として表示しても良い。
 また、圧力式流量制御装置4の金属製ダイヤフラム弁体18の上流側位置に設けた圧力検出器19は、気化部3で気化されて圧力式流量制御装置4に送られるガスGの圧力を検出するものである。
 前記圧力検出器19の検出した圧力値の信号は、常に制御回路24に送られてモニターされている。気化部3の気化室3a内の液体原料Lが気化によって少なくなると、気化室3aの内部圧力が減少する。気化室3a内の液体原料Lが減少して気化室3a内の内部圧力が減少し、圧力検出器19の検出圧力が予め設定された設定値に達すると、制御回路24は、液体充填用開閉弁12を所定時間だけ開いた後に閉じることにより所定量の液体原料Lを気化室3aに供給する。気化室3a内に所定量の液体原料Lが供給されると、液体原料Lが気化することにより気化室3a内のガス圧力が再び上昇し、その後、液体原料Lが少なくなることにより再び気化室3a内の内部圧力が減少する。そして、気化室3a内の内部圧力が設定値に達すると、前記したように再び液体充填用開閉弁12を所定時間だけ開いた後に閉じる。このようなシーケンス制御により気化室3aに所定量の液体原料Lが逐次補充される。
 更に、圧力式流量制御装置4の下流側弁ブロック16″には、パージガス供給用三方弁25、第2流路ブロック26、ストップバルブ27、第3流路ブロック28が順次接続されている。尚、パージガス供給用三方弁25、第2流路ブロック26、ストップバルブ27、第3流路ブロック28は、これらの下方位置に配置したステンレス鋼製の直方体状のベース体29に支持されている。また、第2流路ブロック26及び第3流路ブロック28は、ステンレス鋼により形成されており、上述した流路ブロック13と同様構造に構成されている。
 パージガス供給用三方弁25は、圧力式流量制御装置4の下流側へパージガスを流すためのものであり、ガスGの入口、ガスGの出口及びパージガスの入口25aを備えている。パージガス供給用三方弁25としては、空気圧を利用して弁体の開閉を制御するエア駆動弁が用いられており、弁体を閉じると、パージガスの入口25aが閉じられてガスGの入口とガスGの出口とが連通し、また、弁体を開くと、パージガスの入口25aとガスGの出口とが連通するようになっている。このパージガス供給用三方弁25は、そのガスGの入口が下流側弁ブロック16″のガス流路16aに、また、そのガスGの出口が第2流路ブロック26のガス流路26aにそれぞれ連通する状態で下流側弁ブロック16″及び第2流路ブロック26の上面に固定用ボルト15により固定されており、パージガス供給用三方弁25のガスGの入口と下流側弁ブロック16″のガス流路16aとの間及びパージガス供給用三方弁25のガスGの出口と第2流路ブロック26のガス流路26aとの間には、通孔付きガスケット(図示省略)がそれぞれ介設され、通孔付きガスケットは固定用ボルト15の締結力により流路間のシールを形成している。
 ストップバルブ27は、必要に応じてガスGの流れを遮断するものであり、ストップバルブ27としては、例えば、公知の空気駆動弁や電磁弁を用いることができる。ストップバルブ27は、そのガスGの入口が第2流路ブロック26のガス流路26aに、また、そのガスGの出口が第3流路ブロック28のガス流路28aにそれぞれ連通する状態で第2流路ブロック26及び第3流路ブロック28の上面に固定用ボルト15により固定されており、ストップバルブ27のガスGの入口と第2流路ブロック26のガス流路26aとの間及びストップバルブ27のガスGの出口と第3流路ブロック28のガス流路28aとの間には、通孔付きガスケット(図示省略)がそれぞれ介設され、通孔付きガスケットは固定用ボルト15の締結力により流路間のシールを形成している。このストップバルブ27の下流側は、例えば、半導体製造装置のプロセスチャンバ(図示省略)に接続されており、ガス供給時にはプロセスチャンバの内部が真空ポンプ(図示省略)によって減圧され、所定流量の原料ガスGがプロセスチャンバに供給される。
 そして、前記流量制御装置4は、上流側弁ブロック16のガス流路16aと気化ブロック3AのガスGの流出口3cとが連通するように気化ブロック3Aの上部に配置されており、上流側弁ブロック16のガス流路16aの入口と気化ブロック3AのガスGの流出口3cとの間には、通孔付きガスケット30が介設され、通孔付きガスケット30は固定用ボルト(図示略)の締結力により流路間のシールを形成している。
 また、流量制御装置4と気化部3を形成する気化ブロック3Aとの間及びベース体29と気化ブロック3Aとの間には、板状の断熱部材11″及び後述する第3ヒータ8の第3底面ヒータ8Bが介設されている。断熱部材11″は、気化ブロック3Aの上面に接触し、また、第3底面ヒータ8Bは、断熱部材11″の上面、中間弁ブロック16′の下面、下流側弁ブロック16″の下面及びベース体29の下面に接触するように、気化ブロック3Aと流量制御装置4との間及び気化ブロック3Aとベース体29の間に介設されている。断熱部材11″及び第3底面ヒータ8Bは、気化ブロック3Aと流量制御装置4等とで挟持して固定するようにしても良いし、治具等を用いて固定しても良い。
 本実施形態では、断熱部材11″として、PEEK製のパネル材が用いられている。断熱部材11″の厚さは、第1予加熱ブロック2Aとベースフレーム10との間に介設した断熱部材11と同じに設定されている。
 尚、流量制御装置4は、圧力式の流量制御装置に限らず、種々の態様の流量制御装置4であって良い。
 前記予加熱部2、気化部3及び流量制御装置4をそれぞれ異なる温度に加熱するヒータ5は、予加熱部2を側面から加熱する第1ヒータ6と、気化部3を側面及び底面から加熱する第2ヒータ7と、流量制御装置4のガスGが流れる部分の側面及び底面から加熱する第3ヒータ8とを備えている。
 前記第1ヒータ6は、予加熱部2を形成する第1予加熱ブロック2Aと第2予加熱ブロック2Bの両側面と、液体充填用開閉弁12の液体原料Lが流れる部分と、流路ブロック13の入口側部分の両側面とを加熱する一対の第1側面ヒータ6Aを備えている。
 一対の第1側面ヒータ6Aは、発熱体6aと、発熱体6aに熱的に接続された金属製の伝熱部材6bとをそれぞれ備えており、発熱体6aで発熱した熱が伝熱部材6bの全体に伝導し、発熱体6aによって伝熱部材6bが全体的に加熱されるようになっている。均一に加熱された伝熱部材6bは、予加熱部2、液体充填用開閉弁12の一部及び流路ブロック13の一部を外側から均一に加熱することができる。
 発熱体6aは、棒状のカートリッジヒータから成り、伝熱部材6bに形成した細穴に挿入固定されている。
 伝熱部材6bは、アルミニウム又はアルミニウム合金によりL字型の板状に形成されており、第1予加熱ブロック2A及び第2予加熱ブロック2Bの側面に固定用ボルト(図示省略)等により密接状態で固定されている。この伝熱部材6bは、第1予加熱ブロック2A及び第2予加熱ブロック2Bの側面、液体充填用開閉弁12の液体原料Lが流れる部分の側面、流路ブロック13の入口側部分の側面をそれぞれ覆う大きさに形成されている。伝熱部材6bは、伝熱効率が良い部材であれば良いが、プロセスへの汚染の懸念が少なく、比較的安価であるアルミニウム又はアルミニウム合金が望ましい。
 前記第2ヒータ7は、気化部3を形成する気化ブロック3Aの両側面と、パージ用三方弁14の液体原料Lが流れる部分と、流路ブロック13の出口側部分の両側面とを加熱する一対の第2側面ヒータ7Aと、気化部3を形成する気化ブロック3Aの底面を加熱する第2底面ヒータ7Bとを備えている。
 一対の第2側面ヒータ7A及び第2底面ヒータ7Bは、発熱体7aと、発熱体7aに熱的に接続された金属製の伝熱部材7bとをそれぞれ備えており、発熱体7aで発熱した熱が伝熱部材7bの全体に伝導し、発熱体7aによって伝熱部材7bが全体的に加熱されるようになっている。均一に加熱された伝熱部材7bは、気化部3、パージ用三方弁14の一部及び流路ブロック13の一部を外側から均一に加熱することができる。
 第2側面ヒータ7A及び第2底面ヒータ7Bの発熱体7aは、それぞれ棒状のカートリッジヒータから成り、伝熱部材7bに形成した細穴に挿入固定されている。
 第2側面ヒータ7Aの伝熱部材7bは、アルミニウム又はアルミニウム合金によりL字型の板状に形成されており、気化ブロック3Aの側面に固定用ボルト(図示省略)等により密接状態で固定されている。この第2側面ヒータ7Aの伝熱部材7bは、気化ブロック3Aの側面、パージ用三方弁14の液体原料Lが流れる部分の側面、流路ブロック13の流路13aの出口側部分の側面をそれぞれ覆う大きさに形成されている。
 第2底面ヒータ7Bの伝熱部材7bは、アルミニウム又はアルミニウム合金により長尺板状に形成されており、気化ブロック3Aと第1予加熱ブロック2A上の断熱部材11′との間に、気化ブロック3Aの底面及び断熱部材11′の上面にそれぞれ密接する状態で配置されている。
 前記第3ヒータ8は、上流側弁ブロック16の両側面と、中間弁ブロック16′の両側面と、下流側弁ブロック16″の両側面と、パージガス供給用三方弁25のガスGが流れる部分と、第2流路ブロック26の両側面と、ストップバルブ27のガスGが流れる部分と、第3流路ブロック28の両側面とを加熱する一対の第3側面ヒータ8Aと、中間弁ブロック16′の底面と、下流側弁ブロック16″の底面と、パージガス供給用三方弁25の底面と、第2流路ブロック26の底面と、第3流路ブロック28の底面とを加熱する第3底面ヒータ8Bとを備えている。
 一対の第3側面ヒータ8A及び第3底面ヒータ8Bは、発熱体8aと、発熱体8aに熱的に接続された金属製の伝熱部材8bとをそれぞれ備えており、発熱体8aで発熱した熱が伝熱部材8bの全体に伝導し、発熱体8aによって伝熱部材8bが全体的に加熱されるようになっている。均一に加熱された伝熱部材8bは、流量制御装置4のガスGが流れる部分、パージガス供給用三方弁25の一部、第2流路ブロック26、ストップバルブ27の一部及び第3流路ブロック28を外側から均一に加熱することができる。
 第3側面ヒータ8A及び第3底面ヒータ8Bの発熱体8aは、それぞれ棒状のカートリッジヒータから成り、伝熱部材8bに形成した細穴に挿入固定されている。
 第3側面ヒータ8Aの伝熱部材8bは、アルミニウム又はアルミニウム合金により板状に形成されており、流量制御装置4の側面等に固定用ボルト(図示省略)等により密接状態で固定されている。この第3側面ヒータ8Aの伝熱部材8bは、上流側弁ブロック16の側面、中間弁ブロック16′の側面、下流側弁ブロック16″の側面、パージガス供給用三方弁25のガスGが流れる部分の側面、第2流路ブロック26の側面、ストップバルブ27のガスGが流れる部分の側面及び第3流路ブロック28の側面をそれぞれ覆う大きさに形成されている。
 第3底面ヒータ8Bの伝熱部材8bは、アルミニウム又はアルミニウム合金により長尺板状に形成されており、中間弁ブロック16′、下流側弁ブロック16″及びベース体29と気化ブロック3A上の断熱部材11″との間に、中間弁ブロック16′の底面、下流側弁ブロック16″の底面、ベース体29の底面及び断熱部材11″の上面にそれぞれ密接する状態で配置されている。
 上述した第1ヒータ6、第2ヒータ7及び第3ヒータ8においては、アルミニウム製又はアルミニウム合金製の伝熱部材6b,7b,8bの内側面、即ち、予加熱部2、気化部3及び流量制御装置4と対向する面は、放熱性を向上させるための表面処理としてアルマイト処理(陽極酸化処理)が施されており、また、伝熱部材6b,7b,8bの外側面は、研磨面又は鏡面加工面となっている。伝熱部材6b,7b,8b外側の鏡面加工面は、典型的には研磨処理によって形成されるが、削り出しのみによって形成されていても良い。
 伝熱部材6b,7b,8bの内側面をアルマイト処理(例えば硬質アルマイト処理)することによって、放熱性を向上させることができ、発熱体6a,7a,8aからの熱を、接触している場合は伝熱部材6b,7b,8bから直接予加熱部2や気化部3等へ熱を伝導でき、伝熱部材6b,7b,8bと気化部3等とに距離がある場合であっても、高い放射性(高い輻射熱)によって、気化部3等に均一且つ向上した効率で伝えることができる。また、伝熱部材6b,7b,8bに予加熱部2や気化部3が接触している場合において、熱は接触部分から伝導するが、伝熱部材6b,7b,8bから予加熱部2や気化部3に熱が移動するとき、伝熱部材6b,7b,8bの内側表面がアルマイト処理されていないと、輻射率の関係から、伝熱部材6b,7b,8bの内側表面で熱が反射し、予加熱部2や気化部3に移動しない熱が存在する。これに対して、本実施形態のように伝熱部材6b,7b,8bの内側表面がアルマイト処理されていると、輻射率が高いため、予加熱部2や気化部3と接触する面で反射する熱は殆どなく、伝熱部材6b,7b,8bからの熱のほぼ全てが予加熱部2や気化部3へと伝導される。
 更に、伝熱部材6b,7b,8bの外側面を鏡面加工することによって各ヒータ6,7,8の外側への放熱作用を抑えることができる。これにより、省エネルギー化が図れるという利点が得られる。尚、硬質アルマイト処理に限らず、通常のアルマイト処理であっても同様の効果が発揮される。アルマイト層の厚さも、通常のアルマイト処理で形成される厚さ(例えば1μm以上)であれば、同様の効果を発揮する。但し、硬質アルマイト処理は、運用の際に傷が付き難く、通常のアルマイト処理よりも膜が剥がれる懸念を小さくできるというメリットがある。
 また、予加熱部2、気化部3、流量制御装置4にそれぞれ温度センサ(図示せず)が設けられており、制御装置(図示せず)を用いて各ヒータ6,7,8を個別に制御することが可能であるので、予加熱部2、気化部3、流量制御装置4の温度をそれぞれ個別に制御できる。通常、予加熱部2、気化部3及び流量制御装置4の温度が、予加熱部2<気化部3<流量制御装置4となるよう制御される。
 第1ヒータ6の温度は、例えば、約180℃に設定され、第2ヒータ7の温度は、例えば、約200℃に設定され、第3ヒータ8の温度は、例えば、約210℃に設定されている。通常、予加熱部2を加熱する第1ヒータ6は、気化部3を加熱する第2ヒータ7よりも低い温度に設定され、流量制御装置4を加熱する第3ヒータ8は、第2ヒータ7よりも高い温度に設定されている。従って、予加熱部2、気化部3及び流量制御装置4の温度は、予加熱部2<気化部3<流量制御装置4となっている。
 尚、上記の実施形態においては、各ヒータ6,7,8の発熱体6a,7a,8aとして、棒状のカートリッジヒータを使用したが、発熱体6a,7a,8aとしては、公知の種々の発熱装置を用いることができ、例えば、伝熱部材6b,7b,8bに固定された面状ヒータ(図示省略)を用いても良い。
 また、上記の実施形態においては、発熱体6a,7a,8aを伝熱部材6b,7b,8bに横方向から挿着するようにしたが、他の実施形態においては、発熱体6a,7a,8aを伝熱部材6b,7b,8bに縦方向から挿着するようにしても良い。
 更に、上記の実施形態においては、各ヒータ6,7,8の伝熱部材6b,7b,8bとして、アルミニウム又はアルミニウム合金の板材を使用したが、伝熱部材6b,7b,8bには、アルミニウム又はアルミニウム合金の他に、他の高熱伝導性の金属材料を用いても良い。
 このように、上述した気化供給装置1は、予加熱部2と気化部3と流量制御装置4とを上下方向に積み重ねて3段構造にしているので、予加熱部2と気化部3と圧力式流量制御装置4とを直列状に配置した従来の気化供給装置に比較して設置面積を狭くすることができる。
 また、気化供給装置1は、図示しない制御装置を用いて各ヒータ6,7,8を個別に制御することが可能であるので、予加熱部2、気化部3、流量制御装置4をそれぞれ個別に温度制御でき、液体原料Lの予加熱、液体原料Lの気化、気化原料の再液化の防止をそれぞれ適切な温度で行うことができる。
 更に、気化供給装置1は、予加熱部2と気化部3との間、気化部3と流量制御装置4との間にそれぞれ断熱部材11′,11″を介設しているので、流量制御装置4から気化部3への熱伝導、気化部3から予加熱部2への熱伝導がそれぞれ抑制され、気化部3及び予加熱部2を設定温度に保つことができる。
 本発明の実施形態による流体制御装置は、例えば、MOCVD用の半導体製造装置において原料ガスをプロセスチャンバに供給するために用いることができる。
 1  気化供給装置
 2  予加熱部
 3  気化部
 4  流量制御装置
 5  ヒータ
 6  第1ヒータ
 6A 第1側面ヒータ
 7  第2ヒータ
 7A 第2側面ヒータ
 7B 第2底面ヒータ
 8  第3ヒータ
 8A 第3側面ヒータ
 8B 第3底面ヒータ
 11,11′,11″ 断熱部材
 G  ガス
 L  液体原料

Claims (6)

  1.  液体原料を予加熱する予加熱部と、
     前記予加熱部の上部に配置され、前記予加熱部から送出される予加熱された前記液体原料を加熱して気化させる気化部と、
     前記気化部の上部に配置され、前記気化部から送出されたガスの流量を制御する流量制御装置と、
     前記予加熱部、前記気化部及び前記流量制御装置を加熱するヒータと、
    を備える、気化供給装置。
  2.  前記ヒータは、前記予加熱部を加熱する第1ヒータと、前記気化部を加熱する第2ヒータと、前記流量制御装置を加熱する第3ヒータとを備え、前記予加熱部、前記気化部及び前記流量制御装置をそれぞれ独立して加熱するように構成されている、請求項1に記載の気化供給装置。
  3.  前記第1ヒータは、前記予加熱部の側面を加熱する第1側面ヒータを備え、前記第2ヒータは、前記気化部の側面を加熱する第2側面ヒータを備え、前記第3ヒータは、前記流量制御装置のガスが流れる部分の側面を加熱する第3側面ヒータを備える、請求項2に記載の気化供給装置。
  4.  前記第2ヒータは、前記気化部の底面を加熱する第2底面ヒータを更に備え、前記第3ヒータは、前記流量制御装置のガスが流れる部分の底面を加熱する第3底面ヒータを更に備える、請求項3に記載の気化供給装置。
  5.  前記第2底面ヒータと前記予加熱部との間及び前記第3底面ヒータと前記気化部との間にそれぞれ断熱部材が設けられている、請求項4に記載の気化供給装置。
  6.  前記予加熱部と前記気化部とが、液体充填用開閉弁及び三方弁を介して連通しており、前記液体充填用開閉弁及び前記三方弁は、前記予加熱部及び前記気化部の上部に配置されている、請求項1から5のいずれかに記載の気化供給装置。
PCT/JP2020/033395 2019-09-19 2020-09-03 気化供給装置 WO2021054135A1 (ja)

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