KR100247679B1 - 액체 소스로 부터 발생된 화학 증기의 통합형 전송장치의 화학증기 전송 모듈 - Google Patents

Abstract

본 발명의 통합 모듈은 액체 소스를 갖는 반도체 제조 공정에서 액체를 증기화하기 위해 용기(44)를 가열하는 수단을 포함한다. 용기(44)로부터의 증기 흐름을 제어하기 위한 차단 밸브(20,22)와 비례 압력 밸브(21)는 모듈(41A)상에 설치된다. 모듈에 설치된 커패시턴스 마노미터(19)도 역시 자체 가열 요소들을 구비한다. 증기의 응축이 방지되는 것으로 일관된 작동성 및 신뢰도가 얻어진다.

Description

액체 소스로부터 발생된 화학 증기의 통합형 전송 장치의 화학 증기 전송 모듈

반도체 웨이퍼 제조 공정중 다수의 공정에서는 하나 혹은 그 이상의 반도체 웨이퍼가 놓여지게 될 공정 챔버내로 가스를 전송하는 것을 필요로 한다. 통상적으로, 이러한 가스들은 질소, 산소, 수소, 비소 등가 같은 가스 소스의 형태로 가압 탱크내에 존재한다. 그러나, 몇몇 공정에서는 액체 소스로부터 얻어지는 가스를 사용한다. 액체를 가열하여 얻어지는 증기는 공정 챔버내로 도입된다.

액체 소스로부터 추출된 화학 증기용 통합형 전송 시스템에 대해서는 1993년 10월 12일자로 본원 발명자에게 특허 허여된 미국 특허 제5,252,134호에 설명된 바 있다. 이러한 전송 시스템은 별개의 기포 발생기 유닛 혹은 가열된 저장조를 사용하는 보다 복잡한 구조의 종래 전송 시스템에서의 여러가지 문제점들을 해결하였다. 이러한 복잡한 시스템에서는 다른 개별적 유닛들 즉, 밸브, 압력 및 질량 유량 제어기, 화학 증기가 통과하는 이송관 등이 기포 발생기나 저장조 유닛과 공정 챔버 사이에 연결되었었다. 각각의 개별적 유닛들에는 가열이 이루어지기도 했다.

어째든, 이러한 복잡한 전송 시스템들은 시스템의 가열되지 않은 부분 혹은 부적절하게 가열된 부분에서 응축이 일어나는 것을 포함하여 여러가지 문제점들을 수반하였었다.

이러한 시스템은 종래의 전송 시스템에서의 작용에 대한 신뢰성 및 일관성의 문제점들을 다수 극복하였음에도 불구하고, 여전히 개선의 여지를 갖는다. 이것은 화학 증기 전송 모듈에서 조그만 압력 및 온도 변화가 발생하더라도, 반응 속도, 필름의 증착 혹은 성장 두께와 같은 결과에 영향을 미치는 시릴화(silylation) 작용제를 함유하는 액체 소소의 경우에 특히 그러하다.

본 발명은 화학 증기 전송 모듈에서 안고 있는 조그만 압력 및 온도 변화에 따라 발생하는 전술한 전송 시스템의 문제점을 실질적으로 완화하거나 해결할 수 있는 개선점들을 제공한다.

본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로, 특히 액체 소스로부터 추출된 화학 증기 전송 시스템에 관계된 것이다.

제1도는 본 발명에 사용된 화학 증기 반응기를 예시한 개략도,

제2a도는 본 발명에 따른 화학 증기용 통합형 전송 모듈을 예시한 측면 횡단면도,

제2b도는 제2a도에 도시된 모듈에 대한 다른 측면 횡단면도이다.

본 발명은 액체 소스로부터 추출된 화학 증기를 유입구를 통해 반도체 웨이퍼용 공정 유닛의 공정 챔버내로 전송하기 위한 통합형 모듈을 제공한다. 상기 모듈은 액체 소스를 담는 저장조를 형성하는 금속 하우징과, 상기 소스에 연결된 공급용 유입구에 상기 저장조를 연결하는 공급 채널과, 저장조를 유출구에 연결하는 증기 채널과, 상기 유출구가 공정 챔버의 유입구에 연결되도록 상기 하우징을 공정 유닛에 설치하는 장치로 이루어진다. 증기 채널에 연결된 하우징내의 밸브들은 저장조로부터 공정 챔버로 전송되는 가스의 흐름을 제어한다. 하우징내의 가열 요소들은 저장조내의 액체가 증기로 전환될 수 있도록 저장조를 가열한다. 가열 요소에는 그 가열 요소로부터 증기 영역을 거쳐 저장조 내로 연장하는 열전달용 핀이 구비되어 있어서, 증기는 모듈에 의해 액체 소스로부터 공정 챔버에 이르기까지 일정하고 균일하며 반복 가능한 온도로 정밀 제어되어 공급된다.

본 발명은 도면을 참고로 한 이후의 특정 실시예의 상세한 설명을 통해 더욱 분명하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 이해를 돕기 위해, 도 1에는 전술된 미국 특허에 따른 화학 증기 전송 시스템의 일실시예를 채용한 반도체 처리 공정 시스템이 개략적으로 예시되어 있다. 전송 시스템에는 통합형 화학적 전송 모듈(11)이 공정 유닛(10)에 장착되며, 공정 유닛은 공정이 진행되는 동안 반도체 웨이퍼가 놓여지는 공정 챔버를 포함한다. 모듈(11)은 화학 증기를 액상의 화학 물질 소스(12)로부터 공정 챔버내로 공급한다.

진공 펌프(14)는 공정 챔버내의 가스를 밸브(23)를 통해 제거하여 공정 챔버를 진공 상태로 유지한다. 또한, 진공 펌프(14)는 펌프 오일에서 오염물을 제거하기 위한 오일 여과 시스템 유닛(15)과 배출 처리 유닛(도시 생략)에도 연결된다.

공정 챔버(39)에 사용되는 질소는 공급원(13)으로부터 밸브(25)와 유량계(27)를 거쳐 공급된다. 공정 챔버의 압력을 진공에서 대기압으로 상승시키는 경우, 공정 챔버는 밸브(25)에 의해 질소 가스가 재충전된다. 질소 공급원(13)은 밸브(26)를 거쳐 펌프(14)에 연결된다. 펌프(14)에 있는 질소는 시릴화 작용제와 같은 오염물이 오일내에 보유되지 않도록 하여 펌프 오일을 정화시킨다. 마지막으로, 질소 공급원(13)은 액체 소스(12)에 연결됨으로써 액체 소스(12)을 가압하여 액체를 모듈(11)로 공급하게 된다. 체크 밸브(28)는 액체가 질소 공급원(13)으로 역류되는 것을 방지한다.

공정 챔버내의 압력을 측정하기 위해, 공정 유닛(10)에는 커패시턴스(capacitance) 마노미터(18)가 장착되어 공정 챔버에 연결된다. 마노미터(18)는 모듈(11)내의 비례 압력 밸브(21)에 연결된 전자 제어 유닛(17)에 연결된다. 공정 챔버의 온도를 원하는 온도로 유지시키는 가열 유닛은 도면에 도시되어 있지 않다.

모듈(11)은 액체 소스(12)로부터 상기 모듈(11)에 일체로 설치되어 있는 차단 밸브인 액체 보충 밸브(22)를 통해 화학 액체를 수용하는 저장조를 구비한다. 저장조가 가열되는 것으로 액체는 화학 증기화되어 증기 차단 밸브(20)와 비례 압력 밸브(21)를 통해 이동한다. 밸브(20,21,22)들은 일체로 모듈(11)에 설치된다. 밸브(21)는 전자 제어 유닛(17)으로부터의 신호에 반응하여 다소의 화학 증기를 공정 챔버로 공급하는 것으로 그 공정 챔버내의 압력을 제어한다. 저장조내의 화학 증기 압력을 정확하게 측정하기 위해 모듈(11)에는 커패시턴스 마노미터(19)와 같은 압력 센서도 설치된다.

도 2a,2b는 모듈(11) 구조의 세밀한 부분을 보다 상세하게 보여준다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 모듈(11)에는 스테인레스 강으로 제조된 상부 및 하부 하우징 유닛(41A),(41B)이 구비되어 있다. 작동시, 상기 유닛들(41A 및 41B)은 도 2b에 예시된 볼트(45)에 의해 상호 체결된다.

하부 하우징 유닛(41B)에는 점선으로 표시된 액체 저장조(44)가 있다. 액체 소스는 작동시에 저장조(44)를 보충시키는 밸브(22)의 시트에 장착부(52)를 통해 연결된다. 장착부(52)는 보충관에 의해 액체 소스(12)에 연결된 액체 보충 밸브(22)에 연결된다. 상기 밸브(22)는 모듈(11)에 일체적으로 구성되며 장착부(52)와 보충관을 포함하여 액체 공급 채널을 형성한다. 도 2a에 도시되어 있지 않지만 도 2b에는 저장조내에서 액체의 배출을 위한 장착부(73)가 예시된다. 부가적인 측면으로, 모든 장착부들은 액체 혹은 증기의 누출을 방지하기 위해 진공 밀봉됨을 주지해야 한다.

상부 하우징(41A)에는 비례 압력 밸브(21)와, 증기 차단 이송 밸브(20)와, 커패시턴스 마노미터(19)와, 액체 높이 센서(43) 등이 설치된다. 상기 센서(43)는 나사산이 형성된 (NPT) 장착부(53)에 의해 상기 하우징(41A)에 설치된다. 센서(43)에 의해 저장조(44)내의 액체 높이가 결정됨으로써 밸브(22)는 저장조(44)내의 액체가 매우 정확하고 반복 가능한 높이로 유지되도록 할 수 있다.

마노미터(19)는 하우징 유닛(41A)에 설치된 장착부(59)에 의해 하우징 유닛(41A)에 부착된다. 압력 조절시에 상기 커패시턴스 마노미터(19)는 저장조(44)로부터 증기화된 액체 압력(그리고 그에 따른 모듈 상태)을 정확하게 측정한다.

비례 압력 밸브(21)는 장착부(61)에 의해 하우징(41A)에 설치된다. 증기 차단 밸브(20)는 장착부(60)에 의해 하우징(41A)에 설치된다. 저장조(44)로부터의 증기는 채널(64)을 거쳐 밸브(20)의 시트로 흐른다. 밸브(20)가 개방되면, 증기는 밸브의 유출구로부터 채널(63)을 거쳐 비례 밸브(21)의 입구쪽으로 흐른다. 밸브(21)의 개방 정도를 정밀하게 조정하는 것에 의해 증기는 밸브 시트를 거치고 유출 장착부(62)를 통해 챔버안으로 흐르게 된다. 비례 밸브(21)는 밸브 코일에 의해 발생된 자장의 변조를 통해 매우 정밀하게 흐름 혹은 압력을 조절한다. 차단밸브(20)는 공기 작동식 주름 밸브 형태이며, 비례 밸브(21)만을 이용하는 경우에 비해, 챔버로 이어지는 증기 통로를 보다 더 확실하고 완전하게 폐쇄할 수 있게 한다. 그러므로, 채널(64 및 63)들은 밸브(20 및 21)의 작용과 공조하여, 확실하고 밀봉성이 보장되며 차단성을 가지면서도 또한 매우 정밀하고 대응적으로 조절된 흐름 혹은 그 흐름을 통한 압력이 형성되도록 한다.

상부 하우징(41A)에서는 도 2b에 횡단면으로 도시된 2개의 저항 봉상 가열기(42)가 하우징의 길이 방향으로 설치된다. 봉상 가열기는 하우징(41A)에서 길이 방향을 따른 1/4인치 구경의 구멍에 삽입되어 있다. 상기 가열기(42)는 전류를 이용하여 상기 유닛들(41A 및 41B)과 저장조(44)내의 액체를 가열시킨다.

봉상 가열기(42)로부터 발생되는 열에너지가 증가되도록 추가적으로 가열하기 위해 하우징(41A 및 41B)에는 압전 변환기가 설치될 수도 있다. 600-1800KHz의 작동 범위로 변환기로부터 발생된 음향 에너지는 저장조(44)와 그 저장조(44)로 유입되는 액체 및 그 저장조로부터 유출되는 증기를 가열하는 다른 소스로 작용한다.

최신의 반도체 처리 장치로서 도 1의 제어 유닛(17)은 공지된 프로그램 기법을 통해 모듈(11)의 작동을 제어하는 마이크로프로세서를 구비한다. 또한, 도면에는 밸브와 센서간의 모든 전기적 연결이 도시된 것은 아니다. 마이크로프로세서는 공정 챔버가 원하는 압력으로 유지되도록 마노미터(19)의 피드백 신호로부터 비례 압력 밸브를 제어한다. 마이크로프로세서는 또한 모듈내의 증기가 소망의 온도와 압력으로 유지되도록 봉상 가열기(42)를 통해 저장조(44)의 온도를 제어하며 액체 높이 센서(43)로부터의 피드백 제어 신호에 따라 보충 밸브(22)를 통해 액체가 저장조(44)로 재공급되는 것을 제어한다.

이러한 시스템에 대한 보다 상세한 설명은 참조된 특허에 상세하게 기술된다.

전술한 시스템은 온도와 압력 변화에 매우 민감한 시릴화 작용제를 함유한 화학 증기의 전송에 효과적이다. 그러나, 일정 상황하에서는 모듈(11)내에서 온도 및 압력 변화가 관찰되었다하더라도 공정 챔버에서는 아직 변화가 관찰되지 않는 경우가 있었다. 이러한 상황은 웨이퍼들이 공정 챔버를 통해 급속하게 순환되는 경우에 발생한다. 변화 정도는 공정내의 온도 및 압력의 공칭 설정 범위인 30-100Torr의 압력과 35-160℃의 온도 범위에 대해 10Torr이하의 압력과 3-5℃이하의 온도 변화만이 모듈(11)내에 생기는 미미한 정도이다.

예상한 것과 반대로 모듈(11)내의 이러한 변동치는 공정 챔버내에서 그 압력 및 온도의 변화가 관찰되지 않을 지라도 챔버를 통해 수행되는 공정중의 웨이퍼에 영향을 미쳤다. 이러한 변동 요인은 상당한 정도의 파급 효과를 가지고 있지만 매우 미묘한 것으로 알려져 있다. 챔버를 통한 웨이퍼 처리 공정이 개시될 때, 증기상으로 가열된 액체와 모듈 저장조내의 화학 액체는 동일 온도로 존재한다. 밸브(20 및 21)가 개방될 때, 화학 증기의 거의 대부분은 공정 챔버로 진입하며, 잠재적으로 액체의 일부가 증기상으로 변화되어 챔버내로 이동될 수도 있다. 공정상의 특정 온도에 의존하여, 챔버를 통해 보다 많은 웨이퍼가 순환됨에 따라 증발 냉각이 모듈내의 액체 및 증기 온도를 점진적으로 떨어뜨린다. 일정하면서도 반복적인 온도 및 압력이 챔버내에 존재하더라도 공정 챔버내에서 얻어지는 결과는 일관성 및 반복성이 결여된다.

일부 수치가 이러한 변동 요인의 미묘함을 강조한다. 저장조(44)는 100ml의 액체를 보유하고 매시간 밸브(21)가 개방되면, 증기 형태로 된 0.1-0.25ml 액체가 공정 챔버내로 전송된다. 소정의 실험에서, 10개의 웨이퍼가 빠른 속도로 순환된 이후에 저장조(44)내의 온도는 2.0℃의 강하가 일어나고 모듈(11)내의 압력은 98Torr에서 93.5Torr로 강하되는 것이 관찰되었다. 그럼에도 불구하고, 챔버내에서 온도 및 압력 변화가 관찰되지 않았을 때 웨이퍼의 시릴화 속도는 1/2 정도로 강하되었다.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 도 2a,2b에 예시된 바와 같은 열전달용 핀(heat transfer fin)(70)을 제공한다. 열전달용 핀(70)은 도 2b에 도시된 바와 같이 "U"형 단면 형태의 금속판으로 저장조(44) 만큼의 길이로 형성된다. 핀(70)의 양 단부는 "U" 형의 양쪽 다리부를 형성한다. 상기 연부들은 상부 하우징 유닛(41A)의 바닥면에 용접 혹은 금속제 나사로 부착된 베이스로서 사용된다. 도 2b에 예시된 바와 같이, 상기 연부들은 봉상 가열기(42)의 길이를 따라 가열기에 근접되게 부착된다. 스테인레스 강이나 구리 같은 열전도성 재료로 제조된 핀(70)은 전체 저장조(44)에 걸쳐있는 증기 영역을 통해 저장조 자체내로 연장되어 있기 때문에 저장조(44)내의 용액과도 접촉하게 된다. 상기 핀(70)은 저장조(44) 바닥에서 약 1/8인치, 그리고 측벽으로부터 약 1/4인치에 이르는 크기이다. 핀(70)에는 모듈(11)의 다른 요소들에 의한 영향을 받지 않도록 하기 위해 개구들이 형성된다. 예를 들면, 액체 높이 센서(43)로서 광학적 센서가 사용되는 경우, 센서(43) 바로 아래의 핀(70)에 개구가 설치된다.

저장조(44)내의 액체 온도를 직접 측정하기 위해서는 하부 하우징 유닛(41B)을 통해 열전쌍(71)이 삽입된다. 열전쌍을 밀봉하는데는 미국 알라바마주 헌츠빌 소재 파커 하나핀(Parker Hannafin)사의 2MTC2N 모델과 같은 장착부(72)가 사용되며, 저장조(44)의 진공 밀봉에는 J-형 혹은 K-형이 효과적이다.

열전쌍(71)은 저장조(44)내의 액체의 온도를 정확하고 즉각적으로 측정한다. 열전쌍(71)은 봉상 가열기(42)를 제어하는 제어 유닛(도시 생략)으로 신호를 전달한다. 봉상 가열기(42)에는 열전달용 핀(70)의 베이스가 밀착되어 있기 때문에 저장조(44)내의 액체의 가열은 즉각적으로 이루어진다. 봉상 가열기(42)로부터 발생된 열은 하부 하우징 유닛(41B)을 통해 핀(70)과 액체로 전달된다. 또한, 핀(70)은 증기를 즉각적으로 가열할 수 있도록 하기 위해 저장조(44) 위쪽의 증기와 밀착 상태를 유지한다. 증기와 저장조내의 액체의 온도 및 압력은 각각의 웨이퍼 처리 공정 사이클에서 밸브(20 및 21)들이 개방될 때 정확하고 균일한 값으로 유지된다.

가열 요소들과 열전달용 핀들은 전술된 이외의 장소에 위치되거나 놓여질 수 있음을 알아야 한다. 예를 들면, 봉상 가열기는, 하나 혹은 그 이상의 열전달용 핀이 봉상 가열기로부터 저장조를 거쳐서 그 액체 저장조 위쪽의 증기 영역 안으로 연장하도록 변형된 형태의 하우징 유닛에서 액체 저장조 아래쪽에 위치될 수도 있는 것이다.

상기 핀(70)이 없다면, 직접적인 가열 경로는 소수만이 남아있게 된다. 열전달은 상부 하우징 유닛(41A)의 바닥면으로부터 화학 증기와 액체 표면으로의 대류와, 상부 하우징 유닛(41A)으로부터 저장조 바닥 및 측벽들을 형성하는 하부 하우징 유닛(41B)과 액체내로의 대류에 의해 이루어진다. 전술된 바와 같이, 이러한 열전달 경로들은 놀랍게도 일정 환경에서의 시릴화 작용제에 대해서는 불충분하며 수용불가능한 공정상의 변화를 야기한다.

본 발명에 따르면, 웨이퍼들이 공정 챔버(10)를 통해 신속하게 순환되더라도 결과는 일관성 및 반복성 있게 그대로 유지된다. 순환 주기를 연장하는 것은 웨이퍼의 처리량을 결과적으로 바람직하지 않게 감소시키므로 회피된다.

이상의 설명은 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 언급하고 있으나, 다양한 종류의 대체안과 변경예 그리고 유사한 실시예가 이용될 수 있다. 본 발명은 전술된 실시예에 대해 적당한 변경예를 취하는 것으로 동등한 응용이 가능하다는 것은 분명하다. 그러므로, 전술된 설명은 첨부된 특허청구의 범위로 특정되는 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 취급되어서는 안된다.

본 발명의 통합형 화학 증기 전송 장치는 다른 개별적 유닛들 즉, 밸브, 압력 및 질량 유량 제어기, 화학 증기가 통과하는 이송관 등이 기포 발생기나 저장조 유닛과 공정 챔버 사이에 연결된 종래의 복잡한 화학 증기 전송 장치에 있어서 장치의 가열되지 않은 부분 혹은 부적절하게 가열된 부분에서 응축이 일어나는 것을 포함한 여러가지 문제점들을 해소하도록 제공된다.

또한, 화학 증기 전송 모듈에서 조그만 압력 및 온도 변화가 발생하더라도, 반응 속도, 필름의 증착 혹은 성장 두께와 같은 결과에 영향을 미치는 시릴화(silylation) 작용제를 함유하는 액체 소스를 채용하고 있는 다른 화학 증기 전송 장치의 문제점을 실질적으로 완화하거나 해결할 수 있는 개선점들을 제공한다.

이러한 문제점들의 개선을 위해 본 발명은 가열 요소를 구비하고 있으며, 가열 요소에는 그 가열 요소로부터 증기 영역을 거쳐 저장조 내로 연장하는 열전달용핀이 구비되어 있어서, 증기는 모듈에 의해 액체 소스로부터 공정 챔버에 이르기까지 일정하고 균일하며 반복 가능한 온도로 정밀 제어되어 공급된다.

스테인레스 강이나 구리 같은 열전도성 재료로 제조된 핀은 전체 저장조에 걸쳐있는 증기 영역을 통해 저장조 자체내로 연장되어 있기 때문에 저장조내의 용액과도 접촉하게 된다. 열전달용 핀의 베이스는 봉상 가열기와 근접되게 배치되어 있기 때문에 저장조내의 액체의 가열은 즉각적으로 이루어진다. 봉상 가열기로부터 발생된 열은 하부 하우징 유닛을 통해 핀과 액체로 전달된다. 또한, 핀은 증기를 즉각적으로 가열할 수 있도록 하기 위해 저장조 위쪽의 증기와 밀착 상태를 유지한다. 증기와 저장조내의 액체의 온도 및 압력은 각각의 웨이퍼 처리 공정 사이클에서 밸브들이 개방될 때 정확하고 균일한 값으로 유지된다.

본 발명에 따르면, 이상의 구성 및 작용으로부터 웨이퍼들이 공정 챔버를 통해 신속하게 순환되더라도 온도는 일관성 및 반복성 있게 그대로 유지된다.

Claims (12)

1. 액체 소스로부터의 화학 증기를 유입구를 통해 반도체 웨이퍼 처리 유닛의 공정 챔버로 전송하는 통합형 모듈로서, 상기 소스로부터의 액체를 저장하는 저장조를 형성하는 금속 하우징과; 상기 소스에 연결된 공급 유입구에 상기 저장조를 접속하는 공급 채널과; 상기 저장조를 유출구에 접속하는 가스 채널과; 상기 유출구가 상기 공정 챔버 유입구에 접속되도록 상기 하우징을 상기 공정 유닛에 설치하는 수단과; 상기 저장조 내로 연장되어 상기 액체를 가열하는 열전달용 핀(heat transfer fin)을 구비하고, 상기 저장조를 가열하여 상기 저장조 내의 액체를 증기로 변환시키는 하우징내의 가열 수단과; 상기 증기를 상기 저장조로부터 상기 공정 챔버로 전송하는 것을 제어하도록 상기 가스 채널에 접속된 제어 수단을 포함하며; 상기 모듈은 증기를 상기 액체 소스로부터 상기 공정 챔버까지 일정한 온도로 제어하여 공급하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
2. 제1항에 있어서, 상기 열전달용 핀은 상기 증기를 가열하기 위한 부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
3. 제2항에 있어서, 상기 하우징은 상부 유닛과 하부 유닛을 구비하며, 상기 하부 유닛은 상기 저장조를 형성하며, 상기 가열 수단은 상기 상부 유닛에 있는 가열요소를 구비하며, 상기 열전달용 핀은 상기 상부 유닛에 설치되어 상기 저장조안으로 돌출하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
4. 제3항에 있어서, 상기 가열 요소는 종축을 갖는 봉상 가열기를 상기 상부 하우징에 구비하며, 상기 열전달용 핀은 상기 상부 하우징 유닛에 설치된 긴 베이스를 구비하며, 상기 긴 베이스는 상기 종축에 평행하고 상기 봉상 가열기에 근접하게 배치된 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
5. 제4항에 있어서, 상기 가열 요소는 각기 종축을 갖는 2개의 봉상 가열기를 구비하며, 상기 봉상 가열기는 그 각각의 종축을 서로 평행하게 하여 상기 상부 하우징에 설치되며, 상기 열전달용 핀은 2개의 대향 연부들과 U자형 단면 형태를 가지며, 상기 대향 연부들은 상기 U자형 단면의 상부 부분과, 상기 열전달용 핀의 긴 베이스를 형성하며, 상기 긴 베이스는 상기 봉상 가열기중 하나에 근접하게 배치되고 그 봉상 가열기의 상기 종축에 평행하게 상기 상부 하우징 유닛에 설치된 것을 특징으로 하는 통합형 증기 전송 모듈.
6. 제1항에 있어서, 상기 저장조내의 액체의 온도를 직접 감지하는 감지 수단을 추가로 구비하며, 상기 가열 수단은 상기 온도 감지 수단의 신호에 응답하여 상기 저장조내의 액체를 가열하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
7. 제6항에 있어서, 상기 저장조내의 상기 하부 하우징 유닛에 설치된 열전쌍을 추가로 구비하며, 상기 가열 요소는 상기 열전쌍의 신호에 응답하여 상기 저장조내의 액체를 가열하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
8. 제1항에 있어서, 상기 액체는 시릴화 작용제를 구비하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
9. 액체 소스로부터의 화학 증기를 유입구를 통해 반도체 웨이퍼 처리 유닛의 공정 챔버로 전송하는 통합형 모듈로서, 상기 소스로부터 유입된 시릴화 작용제를 함유한 액체를 저장하기 위한 저장조를 내부에 형성하고 있는 금속 하우징과; 상기 소스에 연결된 공급 유입구에 상기 저장조를 접속하는 상기 하우징내의 공급 채널과; 상기 저장조를 유출구에 접속하는 상기 하우징내의 가스 채널과; 상기 유출구가 상기 공정 챔버 유입구에 접속되도록 상기 하우징을 상기 공정 유닛에 설치하는 수단과; 상기 액체의 온도를 직접 감지하기 위해 상기 저장조에 설치된 감지 수단과; 상기 저장조내의 액체가 증기로 변환되도록 상기 저장조를 가열하며, 상기 온도 감지 수단에 응답하여 상기 액체의 온도를 유지하기 위한 상기 하우징내의 가열 요소들과; 상기 가열 요소들에 인접하게 상기 하우징에 설치되고 상기 저장조내로 돌출하는 열전달용 핀과; 상기 하우징에 일체로 설치되고, 상기 증기를 상기 저장조로부터 상기 공정챔버로 전송하는 것을 제어하기 위해 상기 가스 채널에 접속된 제어 수단을 포함하며; 상기 모듈은 증기를 상기 액체 소스로부터 상기 공정 챔버로 일정한 온도로 제어하여 공급하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
10. 제9항에 있어서, 상기 하우징은 상부 및 하부 하우징 유닛을 구비하며, 상기 저장조는 상기 하부 하우징 유닛에 의해 형성되며, 상기 상부 하우징 유닛은 상기 저장조를 밀봉하기 위해 상기 하부 하우징 유닛과 쌍을 이루는 하부면을 구비하며, 상기 가열 요소들은 상기 상부 하우징 유닛에 위치하며, 상기 열전달용 핀은 상기 상부 하우징 유닛의 상기 하부면에 설치되어 상기 저장조안으로 돌출하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
11. 제10항에 있어서, 상기 가열 요소들은 상기 상부 하우징 유닛에 평행하게 고정된 2개의 봉상 가열기를 구비하며, 상기 열전달용 핀은 2개의 대향 연부들과 U자형 단면 형태를 가지며, 상기 대향 연부들은 상기 U자형 단면의 상부 부분을 형성하며, 각각의 대향 연부는 상기 봉상 가열기중 하나에 근접하게 배치되고 하나의 봉상 가열기에 평행하게 상기 하부면에 설치된 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.
12. 제11항에 있어서, 상기 온도 감지 수단은 상기 하부 하우징 유닛에 설치된 열전쌍을 구비하는 것을 특징으로 하는 통합형 화학 증기 전송 모듈.