JPH08150333A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
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- JPH08150333A JPH08150333A JP29439194A JP29439194A JPH08150333A JP H08150333 A JPH08150333 A JP H08150333A JP 29439194 A JP29439194 A JP 29439194A JP 29439194 A JP29439194 A JP 29439194A JP H08150333 A JPH08150333 A JP H08150333A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複数個のクライオポンプを１台のＨｅガスコン
プレッサで運転する真空装置において、クライオポンプ
再生時のダウンタイムを低減する。 【構成】冷凍器１ａにＨｅガスを供給するＨｅガスコン
プレッサに接続するＨｅガスの供給配管にＨｅガス流量
が調節可能なＨｅ流量制御バルブ７と温度計２の温度を
検知し流量制御バルブ７を設け、各クライオポンプの温
度に応じてＨｅガスの供給量配分をＨｅガスの流量制御
する。
プレッサで運転する真空装置において、クライオポンプ
再生時のダウンタイムを低減する。 【構成】冷凍器１ａにＨｅガスを供給するＨｅガスコン
プレッサに接続するＨｅガスの供給配管にＨｅガス流量
が調節可能なＨｅ流量制御バルブ７と温度計２の温度を
検知し流量制御バルブ７を設け、各クライオポンプの温
度に応じてＨｅガスの供給量配分をＨｅガスの流量制御
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一つの真空室を複数の
クライオポンプによりそれぞれ独立に真空排気する真空
装置に関する。
クライオポンプによりそれぞれ独立に真空排気する真空
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体産業をはじめとする多くの
工業分野で真空装置が使用されている。真空装置は基本
的には半導体基板を処理する真空室とこの真空室を真空
排気するための真空ポンプとで構成されている。そし
て、真空室内でどのような処理するかで必要な真空度が
決められ、その真空度を得るにはどのような真空ポンプ
が適しているかで決められていた。例えば、スパッタリ
ング装置やイオン注入装置といった圧力１０-7Ｔｏｒｒ
以下の高真空でオイルフリーが要求される真空装置では
真空ポンプとしてクライオポンプが用いられていた。
工業分野で真空装置が使用されている。真空装置は基本
的には半導体基板を処理する真空室とこの真空室を真空
排気するための真空ポンプとで構成されている。そし
て、真空室内でどのような処理するかで必要な真空度が
決められ、その真空度を得るにはどのような真空ポンプ
が適しているかで決められていた。例えば、スパッタリ
ング装置やイオン注入装置といった圧力１０-7Ｔｏｒｒ
以下の高真空でオイルフリーが要求される真空装置では
真空ポンプとしてクライオポンプが用いられていた。
【０００３】このクライオポンプは活性炭からなる
Ｈ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ用の吸着面と金属からなるＨ2 Ｏ，Ｎ
2 ，Ｏ2 ，Ａｒ等用の極低温面にガス分子を凝結させる
ことによって排気作用を行う溜め込み式のポンプであ
る、本ポンプはオイルフリーのためクリーンであり、ま
た維持費が安価であるため品質及び経済上の理由から広
く用いられている。
Ｈ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ用の吸着面と金属からなるＨ2 Ｏ，Ｎ
2 ，Ｏ2 ，Ａｒ等用の極低温面にガス分子を凝結させる
ことによって排気作用を行う溜め込み式のポンプであ
る、本ポンプはオイルフリーのためクリーンであり、ま
た維持費が安価であるため品質及び経済上の理由から広
く用いられている。
【０００４】クライオポンプは溜め込み式のポンプであ
るため所定量のガスを吸着した後は、前述の極低温面を
常温に戻して凝結していたガス分子を外部に放出し、再
び極低温に冷却するいわゆる再生を行う必要がある。
るため所定量のガスを吸着した後は、前述の極低温面を
常温に戻して凝結していたガス分子を外部に放出し、再
び極低温に冷却するいわゆる再生を行う必要がある。
【０００５】また、真空装置は、被処理物を出し入れす
るためのロードロック室、被処理物を処理するための複
数の真空処理から構成されるため複数個の真空室を有し
ている。このため、クライオポンプもそれに応じて複数
個が備えられている。クライオポンプは、その内部を極
低温に冷却するための冷凍器が内蔵されており冷凍器に
圧縮されたＨｅガスを供給するためのＨｅガス圧送用コ
ンプレッサと２本の配管で接続されている。１本はＨｅ
ガス供給用で、もう１本は回収用である。
るためのロードロック室、被処理物を処理するための複
数の真空処理から構成されるため複数個の真空室を有し
ている。このため、クライオポンプもそれに応じて複数
個が備えられている。クライオポンプは、その内部を極
低温に冷却するための冷凍器が内蔵されており冷凍器に
圧縮されたＨｅガスを供給するためのＨｅガス圧送用コ
ンプレッサと２本の配管で接続されている。１本はＨｅ
ガス供給用で、もう１本は回収用である。
【０００６】図２は従来の真空装置の一例を示すブロッ
ク図である。前述したように、この種の真空装置は、本
来、複数個のクライオポンプごとにＨｅガスコンプレッ
サが必要であるが、コスト及び設置スペースの面から、
図２に示すように、図示されていない一つの真空室を真
空排気する複数台のクライオポンプ１の冷凍器１ａを１
台のＨｅガスコンプレッサ３で運転している。また、Ｈ
ｅガスコンプレッサ３からのＨｅガスの供給配管４と回
収配管５は配管途中で枝分かれし、各々のクライオポン
プ１の冷凍器１ａへ接続される。なお、クライオポンプ
１には極低温面の温度を表示するためのクライオポンプ
冷凍器に温度計２が備えられている。
ク図である。前述したように、この種の真空装置は、本
来、複数個のクライオポンプごとにＨｅガスコンプレッ
サが必要であるが、コスト及び設置スペースの面から、
図２に示すように、図示されていない一つの真空室を真
空排気する複数台のクライオポンプ１の冷凍器１ａを１
台のＨｅガスコンプレッサ３で運転している。また、Ｈ
ｅガスコンプレッサ３からのＨｅガスの供給配管４と回
収配管５は配管途中で枝分かれし、各々のクライオポン
プ１の冷凍器１ａへ接続される。なお、クライオポンプ
１には極低温面の温度を表示するためのクライオポンプ
冷凍器に温度計２が備えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の真空装
置では、１台のＨｅガスコンプレッサで複数個のクライ
オポンプを運転しているが、各クライオポンプのガス吸
蔵量には差があり再生時期はポンプ毎に異なる。また、
複数の真空処理室を有する真空装置では、ある真空処理
室のクライオポンプを再生している間に、他の真空処理
室での処理を行うことが可能であるので、同じＨｅガス
のコンプレッサに接続されている複数台のクライオポン
プのうち１台のみを常温に戻す再生を行い、残りのクラ
イオポンプは運転状態としておく場合が多々ある。
置では、１台のＨｅガスコンプレッサで複数個のクライ
オポンプを運転しているが、各クライオポンプのガス吸
蔵量には差があり再生時期はポンプ毎に異なる。また、
複数の真空処理室を有する真空装置では、ある真空処理
室のクライオポンプを再生している間に、他の真空処理
室での処理を行うことが可能であるので、同じＨｅガス
のコンプレッサに接続されている複数台のクライオポン
プのうち１台のみを常温に戻す再生を行い、残りのクラ
イオポンプは運転状態としておく場合が多々ある。
【０００８】例えば、真空室とＨｅガスコンプレッサと
に接続されている複数個のクライオポンプの内１台のみ
再生する場合には、常温から再び極低温に冷却する過程
でＨｅガスは各ポンプに等分に供給されず冷凍器の負荷
の軽い既に極低温となっているポンプの方へ多く供給さ
れ常温から冷却されていく再生過程のポンプへの供給量
が少なくなる。このように１台のみ再生する場合はＨｅ
ガスの供給バランスがくずれ再生過程にあるポンプへの
Ｈｅガス供給量が少なくなる。一方、全数同時に再生す
る場合は各ポンプの冷凍器温度はほぼ同じように常温か
ら極低温へと下がっていくため、Ｈｅガスの供給バラン
スが保たれ、Ｈｅガスは各ポンプへ均等に配分される。
に接続されている複数個のクライオポンプの内１台のみ
再生する場合には、常温から再び極低温に冷却する過程
でＨｅガスは各ポンプに等分に供給されず冷凍器の負荷
の軽い既に極低温となっているポンプの方へ多く供給さ
れ常温から冷却されていく再生過程のポンプへの供給量
が少なくなる。このように１台のみ再生する場合はＨｅ
ガスの供給バランスがくずれ再生過程にあるポンプへの
Ｈｅガス供給量が少なくなる。一方、全数同時に再生す
る場合は各ポンプの冷凍器温度はほぼ同じように常温か
ら極低温へと下がっていくため、Ｈｅガスの供給バラン
スが保たれ、Ｈｅガスは各ポンプへ均等に配分される。
【０００９】このように１台のみクライオポンプを再生
する場合は、Ｈｅガス供給量が少なくなるため、全数同
時に再生する場合と比べて常温である２９０°Ｋから所
望の２０°Ｋまでの冷却降下時間が約８５分に対し、約
１４０分と６０％も長くなり、当該クライオポンプによ
り排気される真空処理室の生産効率低下につながるとい
う問題があった。
する場合は、Ｈｅガス供給量が少なくなるため、全数同
時に再生する場合と比べて常温である２９０°Ｋから所
望の２０°Ｋまでの冷却降下時間が約８５分に対し、約
１４０分と６０％も長くなり、当該クライオポンプによ
り排気される真空処理室の生産効率低下につながるとい
う問題があった。
【００１０】従って、本発明の目的は、クライオポンプ
のダウンタイム低域を図ることができる真空装置を提供
することである。
のダウンタイム低域を図ることができる真空装置を提供
することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、一つの
真空室を独立して真空排気する複数個のクライオポンプ
と、これらクライオポンプ内の冷凍器にＨｅガスを供給
する１台のＨｅガスコンプレッサとを備える真空装置に
おいて、前記クライオポンプに該Ｈｅガスを供給する供
給管途中に設けられる流量調節弁と、前記クライオポン
プ内の温度を検出し測定温度によって前記流量調節弁の
開度を制御するコントローラとを備える真空装置であ
る。
真空室を独立して真空排気する複数個のクライオポンプ
と、これらクライオポンプ内の冷凍器にＨｅガスを供給
する１台のＨｅガスコンプレッサとを備える真空装置に
おいて、前記クライオポンプに該Ｈｅガスを供給する供
給管途中に設けられる流量調節弁と、前記クライオポン
プ内の温度を検出し測定温度によって前記流量調節弁の
開度を制御するコントローラとを備える真空装置であ
る。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明の一実施例に係る真空装置を
示すブロック図である。この真空装置は、図１に示すよ
うに、クライオポンプ１の冷凍器１ａにＨｅガスを圧送
するＨｅガスの供給配管４に配設されるＨｅガス流量を
可変するＨｅガスの流量制御バルブ７と、クライオポン
プ１の冷凍器１ａの温度を検知しその検知温度によりＨ
ｅガスの流量制御バルブ７の開度を変えＨｅガスの流量
を制御するコントローラ６を設けたことである。それ以
外は従来例と同じである。
示すブロック図である。この真空装置は、図１に示すよ
うに、クライオポンプ１の冷凍器１ａにＨｅガスを圧送
するＨｅガスの供給配管４に配設されるＨｅガス流量を
可変するＨｅガスの流量制御バルブ７と、クライオポン
プ１の冷凍器１ａの温度を検知しその検知温度によりＨ
ｅガスの流量制御バルブ７の開度を変えＨｅガスの流量
を制御するコントローラ６を設けたことである。それ以
外は従来例と同じである。
【００１４】ここで、流量制御バルブ７は、ハウジング
内を回転し開口の開口度を変えるベーンと、ベーンの回
転軸と減速歯車を介して連結されるモータと、ベーンの
回転角度を検出する角度計とで構成されている。また、
コントローラ６は、温度計２のブリッジ回路からの偏差
電圧（測定値）を入力し設定電圧（所望の温度）と比較
しその差電圧を増幅しモータへの出力のオンオフのリレ
ーを動作させるコンパレータおよび増幅器を備える公知
のオンオフ制御回路である。
内を回転し開口の開口度を変えるベーンと、ベーンの回
転軸と減速歯車を介して連結されるモータと、ベーンの
回転角度を検出する角度計とで構成されている。また、
コントローラ６は、温度計２のブリッジ回路からの偏差
電圧（測定値）を入力し設定電圧（所望の温度）と比較
しその差電圧を増幅しモータへの出力のオンオフのリレ
ーを動作させるコンパレータおよび増幅器を備える公知
のオンオフ制御回路である。
【００１５】次に、この真空装置の動作を一台が再生完
了して再起働する場合を想定して説明する。稼働中のク
ライオポンプ１の冷凍器１ａの温度が低くコントローラ
６からの出力は無く流量制御ハルブ７の開度は一定であ
る。一方、再生中のクライオポンプ１の冷凍器１ａの温
度は高くなっているので、コントローラ６が流量制御バ
ルブ７のベーンを一ステップ角度まで回転し開口開度を
大きくし角度計が回転角度を検出しコントローラ６に信
号を送り、コントローラ６は信号を入力しリレーをオフ
させ流量制御バルブ７のモータを停止する。
了して再起働する場合を想定して説明する。稼働中のク
ライオポンプ１の冷凍器１ａの温度が低くコントローラ
６からの出力は無く流量制御ハルブ７の開度は一定であ
る。一方、再生中のクライオポンプ１の冷凍器１ａの温
度は高くなっているので、コントローラ６が流量制御バ
ルブ７のベーンを一ステップ角度まで回転し開口開度を
大きくし角度計が回転角度を検出しコントローラ６に信
号を送り、コントローラ６は信号を入力しリレーをオフ
させ流量制御バルブ７のモータを停止する。
【００１６】このベーンの回転により所定の開度の流量
制御バルブ７からＨｅガスが再生中のクライオポンプ１
の冷凍器１ａに他のクライオポンプより多量に流れ温度
が下り始める。次に、所定時間経過後、温度計２は再度
温度を検出し、コントローラに温度信号を転送し温度が
高ければ流量制御バルブ７のモータを駆動しベーンをさ
らに一ステップ角度回転させ開度を広げる。このように
繰返して温度を検知し所望の温度になるまで流量制御バ
ルブ７の開度を制御する。
制御バルブ７からＨｅガスが再生中のクライオポンプ１
の冷凍器１ａに他のクライオポンプより多量に流れ温度
が下り始める。次に、所定時間経過後、温度計２は再度
温度を検出し、コントローラに温度信号を転送し温度が
高ければ流量制御バルブ７のモータを駆動しベーンをさ
らに一ステップ角度回転させ開度を広げる。このように
繰返して温度を検知し所望の温度になるまで流量制御バ
ルブ７の開度を制御する。
【００１７】なお、この真空装置によれば、従来、冷却
効率が悪くなるため常温からの冷却降下時間が約８５分
から約１４０分へと延びていたのに対し、逆に再生時の
クライオポンプにＨｅガス供給量を増し冷却効率を高め
るようにしたので、冷却降下時間を約７０分へと短縮す
ることができた。
効率が悪くなるため常温からの冷却降下時間が約８５分
から約１４０分へと延びていたのに対し、逆に再生時の
クライオポンプにＨｅガス供給量を増し冷却効率を高め
るようにしたので、冷却降下時間を約７０分へと短縮す
ることができた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ｈｅガス
を供給する配管経路に流量を制御する流量制御バルブ
と、冷却温度を検知し流量制御バルブの開度を制御する
コントローラを設けることにより、複数台のクライオポ
ンプのうちの１台を単独に再生した場合でも、その一台
のクライオポンプに多量のＨｅガスを供給できるので冷
却降下時間を早めクライオポンプ再生時のダウンタイム
を低減することができるという効果がある。
を供給する配管経路に流量を制御する流量制御バルブ
と、冷却温度を検知し流量制御バルブの開度を制御する
コントローラを設けることにより、複数台のクライオポ
ンプのうちの１台を単独に再生した場合でも、その一台
のクライオポンプに多量のＨｅガスを供給できるので冷
却降下時間を早めクライオポンプ再生時のダウンタイム
を低減することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に係る真空装置を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】従来の真空装置の一例を示すブロック図であ
る。
る。
１ クライオポンプ １ａ 冷凍器 ２ 温度計 ３ Ｈｅガスコンプレッサ ４ 供給配管 ５ 回収配管 ６ コントローラ ７ 流量制御バルブ
Claims (1)
- 【請求項１】 一つの真空室を独立して真空排気する複
数個のクライオポンプと、これらクライオポンプ内の冷
凍器にＨｅガスを供給する１台のＨｅガスコンプレッサ
とを備える真空装置において、前記クライオポンプに該
Ｈｅガスを供給する供給管途中に設けられる流量調節弁
と、前記クライオポンプ内の温度を検出し測定温度によ
って前記流量調節弁の開度を制御するコントローラとを
備えることを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29439194A JPH08150333A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29439194A JPH08150333A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08150333A true JPH08150333A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17807132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29439194A Pending JPH08150333A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08150333A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003090639A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 複数台の極低温冷凍機の運転装置 |
| KR100935646B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2010-01-07 | 브룩스 오토메이션, 인크. | 헬륨 관리 제어 시스템 |
| WO2010038416A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空排気システム、基板処理装置、電子デバイスの製造方法、真空排気システムの運転方法 |
| WO2012046672A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜材料供給方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159474A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Hitachi Ltd | クライオポンプの予冷制御方法 |
| JPH0315676A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-24 | Daikin Ind Ltd | マルチ式極低温冷凍機 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP29439194A patent/JPH08150333A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159474A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Hitachi Ltd | クライオポンプの予冷制御方法 |
| JPH0315676A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-24 | Daikin Ind Ltd | マルチ式極低温冷凍機 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8261562B2 (en) | 2001-07-20 | 2012-09-11 | Brooks Automation, Inc. | Helium management control system |
| KR100935646B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2010-01-07 | 브룩스 오토메이션, 인크. | 헬륨 관리 제어 시스템 |
| US7788942B2 (en) | 2001-07-20 | 2010-09-07 | Brooks Automation, Inc. | Helium management control system |
| US8869552B2 (en) | 2001-07-20 | 2014-10-28 | Brooks Automation, Inc. | Helium management control system |
| US9334859B2 (en) | 2001-07-20 | 2016-05-10 | Brooks Automation, Inc. | Helium management control system |
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| WO2010038416A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空排気システム、基板処理装置、電子デバイスの製造方法、真空排気システムの運転方法 |
| JP4580042B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-11-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空排気システム、基板処理装置、電子デバイスの製造方法、真空排気システムの運転方法 |
| CN102171454A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-31 | 佳能安内华股份有限公司 | 真空抽吸系统、衬底处理设备、电子装置的制造方法和真空抽吸系统的操作方法 |
| JPWO2010038416A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-03-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空排気システム、基板処理装置、電子デバイスの製造方法、真空排気システムの運転方法 |
| KR101143800B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2012-05-11 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 진공 배기 시스템, 기판 처리 장치, 전자 디바이스의 제조 방법, 진공 배기 시스템의 운전 방법 |
| WO2012046672A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜材料供給方法 |
| JP5301736B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜材料供給方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970527 |