JPH10121224A - クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置 - Google Patents
クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置Info
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- JPH10121224A JPH10121224A JP8275872A JP27587296A JPH10121224A JP H10121224 A JPH10121224 A JP H10121224A JP 8275872 A JP8275872 A JP 8275872A JP 27587296 A JP27587296 A JP 27587296A JP H10121224 A JPH10121224 A JP H10121224A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 クライオ再生による停止期間をなくし生産稼
働率の高いクライオポンプを用いたスパッタリング装置
の動作方法を提供する。 【解決手段】 チャンバー11の、第１主バルブ23a 及び
第１クライオポンプ25aとは別の取付け位置に少なくと
も１つの第２主バルブ23b と第２クライオポンプ25b を
連接して設けておく。チャンバー内を真空排気するとき
には第１クライオポンプと第２クライオポンプとを同時
に稼働させ、成膜作業時には第１クライオポンプ25a が
稼働している期間では、第２クライオポンプ25b の再生
を行い、一方、第２クライオポンプ25b が稼働している
期間では、前記第１クライオポンプ25a の再生を行う。
働率の高いクライオポンプを用いたスパッタリング装置
の動作方法を提供する。 【解決手段】 チャンバー11の、第１主バルブ23a 及び
第１クライオポンプ25aとは別の取付け位置に少なくと
も１つの第２主バルブ23b と第２クライオポンプ25b を
連接して設けておく。チャンバー内を真空排気するとき
には第１クライオポンプと第２クライオポンプとを同時
に稼働させ、成膜作業時には第１クライオポンプ25a が
稼働している期間では、第２クライオポンプ25b の再生
を行い、一方、第２クライオポンプ25b が稼働している
期間では、前記第１クライオポンプ25a の再生を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、クライオポンプ
を用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置に
関するものである。
を用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタリング装置の主排気系と
して、クライオポンプが用いられている。このクライオ
ポンプは、排気速度が大きいこと、相対的にターボ分子
ポンプ等に比べ、安価であること、スパッタ時の成膜に
悪影響を及ぼす水に対して排気速度が大きいこと、更
に、従来からの使用実績が多い等の理由から主排気系の
主流となっている。
して、クライオポンプが用いられている。このクライオ
ポンプは、排気速度が大きいこと、相対的にターボ分子
ポンプ等に比べ、安価であること、スパッタ時の成膜に
悪影響を及ぼす水に対して排気速度が大きいこと、更
に、従来からの使用実績が多い等の理由から主排気系の
主流となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スパッタリング装置のクライオポンプには、以下に述べ
るような問題があった。
スパッタリング装置のクライオポンプには、以下に述べ
るような問題があった。
【０００４】このポンプは、溜め込み式のポンプである
ため、成膜時に使用するプロセスガス、例えば、Ａｒ
（アルゴン）を一定量ポンプ内にトラップすると、クラ
イオポンプの排気速度が低下し、スパッタ工程作業時に
圧力変化をもたらして成膜に悪影響を及ぼしてしまう。
このため、プロセス工程の途中で、クライオポンプ中に
一定量のプロセスガスがトラップした時点で、再生と呼
ばれるクライオポンプに吸着したガスを再放出させる必
要がある。このため、成膜作業を一旦中止してクライオ
ポンプの再生を行った後、再度成膜作業に入るため、成
膜時の生産稼働率が低下する。
ため、成膜時に使用するプロセスガス、例えば、Ａｒ
（アルゴン）を一定量ポンプ内にトラップすると、クラ
イオポンプの排気速度が低下し、スパッタ工程作業時に
圧力変化をもたらして成膜に悪影響を及ぼしてしまう。
このため、プロセス工程の途中で、クライオポンプ中に
一定量のプロセスガスがトラップした時点で、再生と呼
ばれるクライオポンプに吸着したガスを再放出させる必
要がある。このため、成膜作業を一旦中止してクライオ
ポンプの再生を行った後、再度成膜作業に入るため、成
膜時の生産稼働率が低下する。
【０００５】図４を参照して、従来のクライオポンプ再
生工程を簡単に説明する。図４は、スパッタリング装置
を用いて成膜したときのチャンバー内の真空圧力を縦軸
に取り、及び時間を横軸に取って示す。
生工程を簡単に説明する。図４は、スパッタリング装置
を用いて成膜したときのチャンバー内の真空圧力を縦軸
に取り、及び時間を横軸に取って示す。
【０００６】定期メンテナンス（ここでのメンテナンス
とは、タゲーット交換、防着シールド交換等の操作をい
う）を終了した後、主バルブを開にし、クライオポンプ
を稼働させてチャンバー内を約５時間（図４のｔ0 から
ｔ1 までの５Ｈで示した期間Ｉ）真空排気する。ここで
は、到達真空度を１×１０-7Ｔｏｒｒ付近に達したと
き、ターゲットクリーニングをｔ1 からｔ2 までの約１
時間（１Ｈ）行ってターゲット表面の酸化膜を除去する
（図４の期間ＩＩ）。
とは、タゲーット交換、防着シールド交換等の操作をい
う）を終了した後、主バルブを開にし、クライオポンプ
を稼働させてチャンバー内を約５時間（図４のｔ0 から
ｔ1 までの５Ｈで示した期間Ｉ）真空排気する。ここで
は、到達真空度を１×１０-7Ｔｏｒｒ付近に達したと
き、ターゲットクリーニングをｔ1 からｔ2 までの約１
時間（１Ｈ）行ってターゲット表面の酸化膜を除去する
（図４の期間ＩＩ）。
【０００７】次に、成膜工程に入る前にモニターチエッ
ク項目にしたがって、ｔ2 からｔ3までの約１時間（１
Ｈ）チエックを行う（図４の期間ＩＩＩ）。その後、ｔ
2 からｔ4 までの約３〜４日間の連続成膜生産に入る
（図４の期間ＩＶ）。このとき、クライオポンプは、こ
の約３〜４日間でクライオポンプの再生期間をむかえる
ので、一旦成膜作業を中断して約８時間（ｔ4 からｔ5
までの８Ｈで示す）のクライオポンプの再生を行う（図
４の期間Ｖ）。その後、再度、ｔ5 からｔ6 までの３〜
４日間の連続成膜作業を開始し（図４の期間ＶＩ）、こ
の成膜作業後再びｔ6 〜ｔ7 の期間（８Ｈ）クライオポ
ンプの再生を行う（図４の期間ＶＩＩ）。
ク項目にしたがって、ｔ2 からｔ3までの約１時間（１
Ｈ）チエックを行う（図４の期間ＩＩＩ）。その後、ｔ
2 からｔ4 までの約３〜４日間の連続成膜生産に入る
（図４の期間ＩＶ）。このとき、クライオポンプは、こ
の約３〜４日間でクライオポンプの再生期間をむかえる
ので、一旦成膜作業を中断して約８時間（ｔ4 からｔ5
までの８Ｈで示す）のクライオポンプの再生を行う（図
４の期間Ｖ）。その後、再度、ｔ5 からｔ6 までの３〜
４日間の連続成膜作業を開始し（図４の期間ＶＩ）、こ
の成膜作業後再びｔ6 〜ｔ7 の期間（８Ｈ）クライオポ
ンプの再生を行う（図４の期間ＶＩＩ）。
【０００８】上記のように、従来は、成膜工程中にクラ
イオポンプの再生を行うための再生期間（図４の期間Ｖ
及びＶＩＩ）を設けていた。このように、成膜工程中に
クライオ再生のための生産停止期間を設けてクライオ再
生を行うため生産稼働率が低下するという問題がある。
イオポンプの再生を行うための再生期間（図４の期間Ｖ
及びＶＩＩ）を設けていた。このように、成膜工程中に
クライオ再生のための生産停止期間を設けてクライオ再
生を行うため生産稼働率が低下するという問題がある。
【０００９】そこで、クライオ再生による停止期間をな
くし生産稼働率の向上を図ることができるクライオポン
プを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置
の実現が望まれていた。
くし生産稼働率の向上を図ることができるクライオポン
プを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置
の実現が望まれていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため、第１発明のク
ライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法に
よれば、チャンバー内を真空排気するため、該チャンバ
ーに取り付けられた第１主バルブと、該第１主バルブに
連接する第１クライオポンプとを具えたスパッタリング
装置を動作させるに当たり、チャンバーの、第１主バル
ブ及び第１クライオポンプとは別の取付け位置に少なく
とも一つの第２主バルブと第２クライオポンプを連接し
て設けておき、チャンバー内を真空排気するときには、
第１クライオポンプと第２クライオポンプとを同時に稼
働させ、成膜時には、第１クライオポンプが稼働してい
る期間では、第２クライオポンプの再生を行い、第２ク
ライオポンプが稼働している期間は、第１クライオポン
プの再生を行うことを特徴とする。
ライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法に
よれば、チャンバー内を真空排気するため、該チャンバ
ーに取り付けられた第１主バルブと、該第１主バルブに
連接する第１クライオポンプとを具えたスパッタリング
装置を動作させるに当たり、チャンバーの、第１主バル
ブ及び第１クライオポンプとは別の取付け位置に少なく
とも一つの第２主バルブと第２クライオポンプを連接し
て設けておき、チャンバー内を真空排気するときには、
第１クライオポンプと第２クライオポンプとを同時に稼
働させ、成膜時には、第１クライオポンプが稼働してい
る期間では、第２クライオポンプの再生を行い、第２ク
ライオポンプが稼働している期間は、第１クライオポン
プの再生を行うことを特徴とする。
【００１１】このように、この発明では、第１及び第２
主バルブと、第１及び第２クライオポンプとを設けてあ
るので、定期メンテナンス後のチャンバー内を真空排気
するとき、第１及び第２クライオポンプを同時に稼働さ
せることにより、例えば１×１０-7Ｔｏｒｒの真空に到
達するための期間としては、従来に比べ、半分又は半分
以下の期間に短縮することができる。
主バルブと、第１及び第２クライオポンプとを設けてあ
るので、定期メンテナンス後のチャンバー内を真空排気
するとき、第１及び第２クライオポンプを同時に稼働さ
せることにより、例えば１×１０-7Ｔｏｒｒの真空に到
達するための期間としては、従来に比べ、半分又は半分
以下の期間に短縮することができる。
【００１２】また、成膜作業時においては、第１クライ
オポンプを稼働させている期間内に、もう一つの第２ク
ライオポンプの再生を行い、第２クライオポンプを稼働
させている期間内に第１クライオポンプの再生を行って
いるので、従来のプロセス工程のようにクライオポンプ
再生のための生産停止期間がなくなり、生産稼働率が大
幅に向上する。
オポンプを稼働させている期間内に、もう一つの第２ク
ライオポンプの再生を行い、第２クライオポンプを稼働
させている期間内に第１クライオポンプの再生を行って
いるので、従来のプロセス工程のようにクライオポンプ
再生のための生産停止期間がなくなり、生産稼働率が大
幅に向上する。
【００１３】また、第２発明のスパッタリング装置によ
れば、チャンバー内を真空排気するため、該チャンバー
に取り付けられた第１主バルブと、該第１主バルブに連
接する第１クライオポンプとを具えたスパッタリング装
置において、第１主バルブ及び第１クライオポンプとは
別のチャンバーの側壁位置に少なくとも一つの第２主バ
ルブ及び第２クライオポンプを連接して設けて成ること
を特徴とする。
れば、チャンバー内を真空排気するため、該チャンバー
に取り付けられた第１主バルブと、該第１主バルブに連
接する第１クライオポンプとを具えたスパッタリング装
置において、第１主バルブ及び第１クライオポンプとは
別のチャンバーの側壁位置に少なくとも一つの第２主バ
ルブ及び第２クライオポンプを連接して設けて成ること
を特徴とする。
【００１４】このように、第２の発明では、第１主バル
ブ及び第１クライオポンプの真空排気系に並置して第２
主バルブ及び第２クライオポンプを連接した別の真空排
気系を設けてあるので、第１及び第２クライオポンプを
同時に稼働させたり、又は成膜時に第１クライオポンプ
を稼働させている期間に第２クライオポンプの再生を行
い、一方、第２クライオポンプを稼働させている期間に
第１クライオポンプの再生を行うことができるので、成
膜作業の稼働率を従来に比べ、大幅に向上させることが
可能となる。
ブ及び第１クライオポンプの真空排気系に並置して第２
主バルブ及び第２クライオポンプを連接した別の真空排
気系を設けてあるので、第１及び第２クライオポンプを
同時に稼働させたり、又は成膜時に第１クライオポンプ
を稼働させている期間に第２クライオポンプの再生を行
い、一方、第２クライオポンプを稼働させている期間に
第１クライオポンプの再生を行うことができるので、成
膜作業の稼働率を従来に比べ、大幅に向上させることが
可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法
及びその装置の実施の形態につき説明する。なお、図１
は、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大
きさ及び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法
及びその装置の実施の形態につき説明する。なお、図１
は、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大
きさ及び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。
【００１６】［スパッタリング装置の構造説明］図１を
参照して、クライオポンプを用いたスパッタリング装置
の主要構造につき説明する。なお、図１は、スパッタリ
ング装置の構造を説明するための概略模式図である。な
お、実際には、チャンバー内のターゲット１５には冷却
装置（図示せず）が設けられ、また、基板支持台２１に
はヒータ（図示せず）が設けられているが、ここではこ
れらの装置を省略してある。
参照して、クライオポンプを用いたスパッタリング装置
の主要構造につき説明する。なお、図１は、スパッタリ
ング装置の構造を説明するための概略模式図である。な
お、実際には、チャンバー内のターゲット１５には冷却
装置（図示せず）が設けられ、また、基板支持台２１に
はヒータ（図示せず）が設けられているが、ここではこ
れらの装置を省略してある。
【００１７】この発明のスパッタリング装置は、チャン
バー部１０と第１及び第２主バルブ２３ａ，２３ｂと第
１及び第２クライオポンプ２５ａ，２５ｂとの３つの成
分から構成されている。
バー部１０と第１及び第２主バルブ２３ａ，２３ｂと第
１及び第２クライオポンプ２５ａ，２５ｂとの３つの成
分から構成されている。
【００１８】また、チャンバー部１０は、チャンバー
（プロセスチャンバーともいう）１１、陰極マグネット
１３、ターゲット１５、防着シールド１７及び基板支持
台２１から構成されている。
（プロセスチャンバーともいう）１１、陰極マグネット
１３、ターゲット１５、防着シールド１７及び基板支持
台２１から構成されている。
【００１９】この実施の形態では、チャンバー部１０に
第１及び第２主バルブ２３ａ，２３ｂが連接して設けら
れ、更に、一方の第１主バルブ２３ａには、第１クライ
オポンプ２５ａが連接されており、もう一方の第２主バ
ルブ２３ｂには、第２クライオポンプ２５ｂが連接され
ている。
第１及び第２主バルブ２３ａ，２３ｂが連接して設けら
れ、更に、一方の第１主バルブ２３ａには、第１クライ
オポンプ２５ａが連接されており、もう一方の第２主バ
ルブ２３ｂには、第２クライオポンプ２５ｂが連接され
ている。
【００２０】［スパッタリング装置の動作説明］次に、
図１、図２及び図３を参照して、クライオポンプを用い
たスパッタリング装置の動作につき説明する。図２は、
スパッタリング装置の動作を説明するためのフローチャ
ート図であり、図３は、チャンバー内の圧力変化とプロ
セス時間との関係を説明するための図である。
図１、図２及び図３を参照して、クライオポンプを用い
たスパッタリング装置の動作につき説明する。図２は、
スパッタリング装置の動作を説明するためのフローチャ
ート図であり、図３は、チャンバー内の圧力変化とプロ
セス時間との関係を説明するための図である。
【００２１】ターゲット１５の交換及び防着シールド１
７の交換等の定期メンテナンスを行った後、第１及び第
２主バルブ２３ａ及び２３ｂを開にして第１及び第２ク
ライオポンプ２５ａ及び２５ｂを同時に並列稼働させチ
ャンバー１１内を真空排気する（図２の工程１０１及び
図３の期間Ｉ）。このとき、第１及び第２クライオポン
プを同時に稼働させるため、真空排気時間はクライオポ
ンプを１台しか使用していなかった従来の真空排気時間
例えば約５Ｈの半分、すなわち約２．５時間で良くかつ
真空度は１×１０-7Ｔｏｒｒ程度に達する。
７の交換等の定期メンテナンスを行った後、第１及び第
２主バルブ２３ａ及び２３ｂを開にして第１及び第２ク
ライオポンプ２５ａ及び２５ｂを同時に並列稼働させチ
ャンバー１１内を真空排気する（図２の工程１０１及び
図３の期間Ｉ）。このとき、第１及び第２クライオポン
プを同時に稼働させるため、真空排気時間はクライオポ
ンプを１台しか使用していなかった従来の真空排気時間
例えば約５Ｈの半分、すなわち約２．５時間で良くかつ
真空度は１×１０-7Ｔｏｒｒ程度に達する。
【００２２】次に、ターゲット１５の表面をスパッタし
てクリーニングする。このとき、ターゲット１５の表面
に形成されている酸化膜（図示せず）が除去される（図
２の工程１０３及び図３の期間ＩＩ）。なお、このとき
のターゲットクリーニング時間は約１時間とする。
てクリーニングする。このとき、ターゲット１５の表面
に形成されている酸化膜（図示せず）が除去される（図
２の工程１０３及び図３の期間ＩＩ）。なお、このとき
のターゲットクリーニング時間は約１時間とする。
【００２３】次に、成膜前のチエックを行う（図２の工
程１０５及び図３の期間ＩＩＩ）。このチエックは、予
備の成膜を行って例えばパーティクルとか成膜の均一性
とかの指定された項目をチエックする。ここでは成膜前
のチエックのことをモニターとも称する。モニター時間
は、約１時間とする。
程１０５及び図３の期間ＩＩＩ）。このチエックは、予
備の成膜を行って例えばパーティクルとか成膜の均一性
とかの指定された項目をチエックする。ここでは成膜前
のチエックのことをモニターとも称する。モニター時間
は、約１時間とする。
【００２４】次に、チャンバー１１内に基板１９を設置
し、第１クライオポンンプ（ＫＰａ）２５ａを稼働さ
せ、プロセスチャンバー１１内に任意好適な例えばアル
ゴンガスを供給する。その後、陰極マグネット１３に高
周波電力を印加させる。このような操作によりイオンを
加速させ、ターゲット１５に衝突させて基板１９上に任
意好適な薄膜を形成する（図２の工程１０７及び図３の
期間ＩＶ）。ここでは、期間ＩＶを３〜４日とする。
し、第１クライオポンンプ（ＫＰａ）２５ａを稼働さ
せ、プロセスチャンバー１１内に任意好適な例えばアル
ゴンガスを供給する。その後、陰極マグネット１３に高
周波電力を印加させる。このような操作によりイオンを
加速させ、ターゲット１５に衝突させて基板１９上に任
意好適な薄膜を形成する（図２の工程１０７及び図３の
期間ＩＶ）。ここでは、期間ＩＶを３〜４日とする。
【００２５】次に、第１主バルブ２３ａを閉にした後、
第２主バルブ２３ｂを開にして第１クライオポンプ（Ｋ
Ｐａ）２５ａから第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂ
に切換えて基板１９上に薄膜を連続形成すると共に、第
１クライオポンプ（ＫＰａ）２５ａを稼働させて再生、
すなわち第１クライオポンプ（ＫＰａ）２５ａに吸着し
たプロセスガスの再放出を行う（図２の工程１０９及び
図３の期間Ｖ）。この再生作業は、クライオパネル（図
示せず）面の温度を通常の動作時の温度である１０Ｋ〜
２０Ｋから常温（３００Ｋ）に戻して行う作業である。
ここでは、成膜期間Ｖを３〜４日とし、第１クライオポ
ンプ（ＫＰａ）の再生期間（ｔ4 〜ｔ5期間）を約８時
間とする。
第２主バルブ２３ｂを開にして第１クライオポンプ（Ｋ
Ｐａ）２５ａから第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂ
に切換えて基板１９上に薄膜を連続形成すると共に、第
１クライオポンプ（ＫＰａ）２５ａを稼働させて再生、
すなわち第１クライオポンプ（ＫＰａ）２５ａに吸着し
たプロセスガスの再放出を行う（図２の工程１０９及び
図３の期間Ｖ）。この再生作業は、クライオパネル（図
示せず）面の温度を通常の動作時の温度である１０Ｋ〜
２０Ｋから常温（３００Ｋ）に戻して行う作業である。
ここでは、成膜期間Ｖを３〜４日とし、第１クライオポ
ンプ（ＫＰａ）の再生期間（ｔ4 〜ｔ5期間）を約８時
間とする。
【００２６】次に、第２主バルブ２３ｂを閉にした後、
第１主バルブ２３ａを開にして第２クライオポンプ（Ｋ
Ｐｂ）２５ｂから第１クライオポンプ（ＫＰａ）２５ａ
に切換えて基板１９上に薄膜を連続形成すると共に、第
２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂを稼働させて再生、
すなわち第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂに吸着し
たプロセスガスの再放出を行う（図２の工程１１１及び
図３の期間ＶＩ）。ここでは、成膜期間ＶＩを３〜４日
とし、第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂの再生期間
（ｔ6 〜ｔ7 期間）を約８時間とする。
第１主バルブ２３ａを開にして第２クライオポンプ（Ｋ
Ｐｂ）２５ｂから第１クライオポンプ（ＫＰａ）２５ａ
に切換えて基板１９上に薄膜を連続形成すると共に、第
２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂを稼働させて再生、
すなわち第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂに吸着し
たプロセスガスの再放出を行う（図２の工程１１１及び
図３の期間ＶＩ）。ここでは、成膜期間ＶＩを３〜４日
とし、第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂの再生期間
（ｔ6 〜ｔ7 期間）を約８時間とする。
【００２７】その後、上記図２の工程１０９及び工程１
１１を順次繰返して基板１９上に薄膜を形成する（図２
の工程１１３及び図３の期間ＶＩＩ）。
１１を順次繰返して基板１９上に薄膜を形成する（図２
の工程１１３及び図３の期間ＶＩＩ）。
【００２８】上述した成膜工程では、第１クライオポン
プ（ＫＰａ）２５ａを稼働して薄膜を形成している期間
中は、もう一台の第２クライオポンプ（ＫＰｂ）の再生
を行い、一方、第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂを
稼働させて薄膜を形成している期間中は、第１クライオ
ポンプ（ＫＰａ）２５ａの再生を行うようにしているの
で、従来のように成膜移行時のクライオポンプ再生によ
る生産停止期間がなくなる。このため、従来に比べて、
成膜工程での生産稼働率が８〜１１％向上する。
プ（ＫＰａ）２５ａを稼働して薄膜を形成している期間
中は、もう一台の第２クライオポンプ（ＫＰｂ）の再生
を行い、一方、第２クライオポンプ（ＫＰｂ）２５ｂを
稼働させて薄膜を形成している期間中は、第１クライオ
ポンプ（ＫＰａ）２５ａの再生を行うようにしているの
で、従来のように成膜移行時のクライオポンプ再生によ
る生産停止期間がなくなる。このため、従来に比べて、
成膜工程での生産稼働率が８〜１１％向上する。
【００２９】また、生産開始時刻ｔ0 から生産終了時刻
ｔ4 までの期間を見ると、従来は生産に寄与しない期間
がｔ0 〜ｔ4 期間内で１５時間（真空排気期間５Ｈ＋タ
ーゲットクリーニング期間１Ｈ＋モニター期間１Ｈ＋ク
ライオ再生期間８Ｈ）であったのに比べ、この発明では
４．５時間（真空排気期間２．５Ｈ＋ターゲットクリー
ニング期間１Ｈ＋モニター期間１Ｈ）となる。生産に寄
与しない期間を全生産期間に対する割合に換算すると、
従来が１６〜２１％であったのに対しこの発明では５〜
６％に減少する。
ｔ4 までの期間を見ると、従来は生産に寄与しない期間
がｔ0 〜ｔ4 期間内で１５時間（真空排気期間５Ｈ＋タ
ーゲットクリーニング期間１Ｈ＋モニター期間１Ｈ＋ク
ライオ再生期間８Ｈ）であったのに比べ、この発明では
４．５時間（真空排気期間２．５Ｈ＋ターゲットクリー
ニング期間１Ｈ＋モニター期間１Ｈ）となる。生産に寄
与しない期間を全生産期間に対する割合に換算すると、
従来が１６〜２１％であったのに対しこの発明では５〜
６％に減少する。
【００３０】また、上述した実施の形態では、２台のク
ライオポンプを設けた例につき説明したが、３台以上の
主バルブ及びクライオポンプを具えても、上述した生産
稼働効率と同等又はそれ以上の効率が得られることは言
うまでもない。
ライオポンプを設けた例につき説明したが、３台以上の
主バルブ及びクライオポンプを具えても、上述した生産
稼働効率と同等又はそれ以上の効率が得られることは言
うまでもない。
【００３１】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明のクライオポンプを用いたスパッタリング装置の動
作方法によれば、定期メンテナンス後の真空排気を少な
くとも二つの第１及び第２クライオポンプを稼働させて
真空排気するため、到達圧力（１×１０-7Ｔｏｒｒ）に
達するまでの真空排気時間を従来の半分以下の時間とす
ることが可能となる。このため、作業工程の大幅な短縮
が可能となる。
発明のクライオポンプを用いたスパッタリング装置の動
作方法によれば、定期メンテナンス後の真空排気を少な
くとも二つの第１及び第２クライオポンプを稼働させて
真空排気するため、到達圧力（１×１０-7Ｔｏｒｒ）に
達するまでの真空排気時間を従来の半分以下の時間とす
ることが可能となる。このため、作業工程の大幅な短縮
が可能となる。
【００３２】また、第１クライオポンプを稼働させ成膜
を行う工程期間中に第２クライオッポンプの再生を行
い、第２クライオポンプを稼働させている期間中に第１
クライオポンプの再生を行うため、全工程において、成
膜工程移行後のクライオポンプ再生のための生産停止期
間がなくなる。このため、生産稼働率が従来に比べ、大
幅に向上する。
を行う工程期間中に第２クライオッポンプの再生を行
い、第２クライオポンプを稼働させている期間中に第１
クライオポンプの再生を行うため、全工程において、成
膜工程移行後のクライオポンプ再生のための生産停止期
間がなくなる。このため、生産稼働率が従来に比べ、大
幅に向上する。
【図１】この発明のスパッタリング装置の主要構成を説
明するための概略模式図である。
明するための概略模式図である。
【図２】この発明のスパッタリング装置を用いて薄膜形
成するときの動作を説明するために供するフローチャー
ト図である。
成するときの動作を説明するために供するフローチャー
ト図である。
【図３】この発明の装置を動作させたときのチャンバー
圧力と作業時間との関係を説明するための図である。
圧力と作業時間との関係を説明するための図である。
【図４】従来のスパッタリング装置を動作させたときの
チャンバー圧力と作業時間との関係を説明するための図
である。
チャンバー圧力と作業時間との関係を説明するための図
である。
１０：チャンバー部 １１：プロセスチャンバー １３：陰極マグネット １５：ターゲット １７：防着シールド １９：基板 ２１：基板支持台 ２３ａ：第１主バルブ ２３ｂ：第２主バルブ ２５ａ：第１クライオポンプ ２５ｂ：第２クライオポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバー内を真空排気するため、該チ
ャンバーに取り付けられた第１主バルブと、該第１主バ
ルブに連接する第１クライオポンプとを具えたスパッタ
リング装置を動作させるに当たり、 前記チャンバーの、前記第１主バルブ及び第１クライオ
ポンプとは別の取付け位置に少なくとも１つの第２主バ
ルブと第２クライオポンプを連接して設けておき、 前記チャンバー内を真空排気するときには、前記第１ク
ライオポンプと前記第２クライオポンプとを同時に稼働
させ、 成膜作業時には、前記第１クライオポンプが稼働してい
る期間では、前記第２クライオポンプの再生を行い、一
方、前記第２クライオポンプが稼働している期間では、
前記第１クライオポンプの再生を行うことを特徴とする
クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方
法。 - 【請求項２】 チャンバー内を真空排気するため、該チ
ャンバーに取り付けられた第１主バルブと、該第１主バ
ルブに連接する第１クライオポンプとを具えたスパッタ
リング装置において、 前記第１主バルブ及び第１クライオポンプとは別の前記
チャンバーの側壁位置に少なくとも１つの第２主バルブ
と第２クライオポンプとを連接して設けて成ることを特
徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275872A JPH10121224A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置 |
| KR1019970044445A KR19980032349A (ko) | 1996-10-18 | 1997-08-30 | 크라이오 펌프를 사용한 스퍼터링장치의 동작방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275872A JPH10121224A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10121224A true JPH10121224A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17561618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8275872A Withdrawn JPH10121224A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | クライオポンプを用いたスパッタリング装置の動作方法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10121224A (ja) |
| KR (1) | KR19980032349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300806A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Canon Inc | 基板処理装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20200105496A1 (en) * | 2017-03-07 | 2020-04-02 | Asml Netherlands B.V. | System for evacuating a chamber |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8275872A patent/JPH10121224A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-08-30 KR KR1019970044445A patent/KR19980032349A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300806A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Canon Inc | 基板処理装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP2000854A3 (en) * | 2007-06-04 | 2009-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus and method of manufacturing device |
| US20200105496A1 (en) * | 2017-03-07 | 2020-04-02 | Asml Netherlands B.V. | System for evacuating a chamber |
| US10943761B2 (en) * | 2017-03-07 | 2021-03-09 | Asml Netherlands B.V. | System for evacuating a chamber |
| US11830701B2 (en) | 2017-03-07 | 2023-11-28 | Asml Netherlands B.V. | System for evacuating a chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980032349A (ko) | 1998-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |