JPH05190453A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH05190453A JPH05190453A JP295792A JP295792A JPH05190453A JP H05190453 A JPH05190453 A JP H05190453A JP 295792 A JP295792 A JP 295792A JP 295792 A JP295792 A JP 295792A JP H05190453 A JPH05190453 A JP H05190453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sputtering
- separation chamber
- pressure difference
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ室とセパレーション室間を仕切るゲ
ートバルブを開ける時に、パーティクルが巻き上がるの
を防止したスパッタ装置を得る。 【構成】 ロード・ロック室１とセパレーション室２と
の圧力差をモニタリングする第１のモニタ装置１７と、
セパレーション室２とスパッタ室３との圧力差をモニタ
リングする第２のモニタ装置１８と、セパレーション室
２にガスを導入するガス配管部７Ａとガスバルブ１１Ａ
とを設け、隣接する室間の圧力差をなくしてから半導体
装置を搬入，搬出を行えることを特徴としている。
ートバルブを開ける時に、パーティクルが巻き上がるの
を防止したスパッタ装置を得る。 【構成】 ロード・ロック室１とセパレーション室２と
の圧力差をモニタリングする第１のモニタ装置１７と、
セパレーション室２とスパッタ室３との圧力差をモニタ
リングする第２のモニタ装置１８と、セパレーション室
２にガスを導入するガス配管部７Ａとガスバルブ１１Ａ
とを設け、隣接する室間の圧力差をなくしてから半導体
装置を搬入，搬出を行えることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に金属薄
膜を形成するスパッタ装置に関するものである。
膜を形成するスパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスパッタ装置を示す構成図
である。この図において、１は大気圧の中にある半導体
基板（図示せず）を高真空室内へ運ぶとき、半導体基板
を予備排気が行われた低真空の中に保持するロード・ロ
ック室、２は半導体基板上に金属薄膜を堆積する前に予
備加熱等の前処理を行うセパレーション室、３は半導体
基板上に金属薄膜をスパッタリング法によって堆積する
スパッタ室、４は前記各室１，２，３の高真空排気の停
止，開始を行うメインバルブ、５Ａは前記ロード・ロッ
ク室１とセパレーション室２との間の仕切り板となる第
１のゲートバルブ、５Ｂは前記セパレーション室２とス
パッタ室３との間の仕切り板となる第２のゲートバル
ブ、６は低真空用排気管、７はアルゴン，窒素等のスパ
ッタリングに用いるガスを導入するためのガス配管部、
８はカソード、９は高真空を形成するクライオポンプ、
１０は前記各室１，２，３の圧力をモニタリングする真
空ゲージ、１１は前記ガス配管部７に設けられたスパッ
タリングに使用するガスの導入・停止を行うガスバル
ブ、１２は低真空排気の開始，停止を行うラフバルブ、
１３は前記各室１，２，３の真空状態を大気圧状態にも
どすリークバルブ、１４は前記各クライオポンプ９の高
真空用排気管、１５は高真空排気の開始，停止を行うバ
ルブ、１６は前記各クライオポンプ９内の真空状態を大
気圧状態に戻すリークバルブである。
である。この図において、１は大気圧の中にある半導体
基板（図示せず）を高真空室内へ運ぶとき、半導体基板
を予備排気が行われた低真空の中に保持するロード・ロ
ック室、２は半導体基板上に金属薄膜を堆積する前に予
備加熱等の前処理を行うセパレーション室、３は半導体
基板上に金属薄膜をスパッタリング法によって堆積する
スパッタ室、４は前記各室１，２，３の高真空排気の停
止，開始を行うメインバルブ、５Ａは前記ロード・ロッ
ク室１とセパレーション室２との間の仕切り板となる第
１のゲートバルブ、５Ｂは前記セパレーション室２とス
パッタ室３との間の仕切り板となる第２のゲートバル
ブ、６は低真空用排気管、７はアルゴン，窒素等のスパ
ッタリングに用いるガスを導入するためのガス配管部、
８はカソード、９は高真空を形成するクライオポンプ、
１０は前記各室１，２，３の圧力をモニタリングする真
空ゲージ、１１は前記ガス配管部７に設けられたスパッ
タリングに使用するガスの導入・停止を行うガスバル
ブ、１２は低真空排気の開始，停止を行うラフバルブ、
１３は前記各室１，２，３の真空状態を大気圧状態にも
どすリークバルブ、１４は前記各クライオポンプ９の高
真空用排気管、１５は高真空排気の開始，停止を行うバ
ルブ、１６は前記各クライオポンプ９内の真空状態を大
気圧状態に戻すリークバルブである。
【０００３】従来のスパッタ装置は上記のように構成さ
れ、例えば半導体基板の入ったカセットケースをロード
・ロック室１に挿入した後、ロード・ロック室１のラフ
バルブ１２を開けて排気を開始し、１×１０-1Ｔｏｒｒ
に達した時点でラフバルブ１２を閉じ、メインバルブ４
を開けて５×１０-5Ｔｏｒｒまでの真空状態にする。そ
して、カセットケースより半導体基板を１枚単位で取り
出し、第１のゲートバルブ５Ａを開けて５×１０-7Ｔｏ
ｒｒの高真空状態にあるセパレーション室２に運ぶ。次
いで、運ばれた半導体基板をセパレーション室２で予備
加熱した後、第２のゲートバルブ５Ｂを開けてスパッタ
室３に運ぶ。この時、スパッタ室３ではスパッタリング
を行うため、あらかじめガスバルブ１１を開いてアルゴ
ンガスが導入されており、約１×１０-2Ｔｏｒｒの圧力
になっている。次いで、スパッタ室３へ運ばれた半導体
基板上にスパッタリング法で金属薄膜を堆積し、次い
で、セパレーション室２を経てロード・ロック室１に戻
る。
れ、例えば半導体基板の入ったカセットケースをロード
・ロック室１に挿入した後、ロード・ロック室１のラフ
バルブ１２を開けて排気を開始し、１×１０-1Ｔｏｒｒ
に達した時点でラフバルブ１２を閉じ、メインバルブ４
を開けて５×１０-5Ｔｏｒｒまでの真空状態にする。そ
して、カセットケースより半導体基板を１枚単位で取り
出し、第１のゲートバルブ５Ａを開けて５×１０-7Ｔｏ
ｒｒの高真空状態にあるセパレーション室２に運ぶ。次
いで、運ばれた半導体基板をセパレーション室２で予備
加熱した後、第２のゲートバルブ５Ｂを開けてスパッタ
室３に運ぶ。この時、スパッタ室３ではスパッタリング
を行うため、あらかじめガスバルブ１１を開いてアルゴ
ンガスが導入されており、約１×１０-2Ｔｏｒｒの圧力
になっている。次いで、スパッタ室３へ運ばれた半導体
基板上にスパッタリング法で金属薄膜を堆積し、次い
で、セパレーション室２を経てロード・ロック室１に戻
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタ装置は
上記のように構成されているので、セパレーション室２
からスパッタ室３へ半導体基板を運ぶために第２のゲー
トバルブ５Ｂを開けるとき、セパレーション室２とスパ
ッタ室３の圧力差が約１０-5Ｔｏｒｒあるため、急激な
ガスの流れが発生し、各室２，３の側壁および底に付着
しているパーティクルが巻き上がるなどの問題点があっ
た。
上記のように構成されているので、セパレーション室２
からスパッタ室３へ半導体基板を運ぶために第２のゲー
トバルブ５Ｂを開けるとき、セパレーション室２とスパ
ッタ室３の圧力差が約１０-5Ｔｏｒｒあるため、急激な
ガスの流れが発生し、各室２，３の側壁および底に付着
しているパーティクルが巻き上がるなどの問題点があっ
た。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、セパレーション室からスパッタ
室に半導体基板を運ぶ時でもパーティクルが巻き上がる
のを防止するスパッタ装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、セパレーション室からスパッタ
室に半導体基板を運ぶ時でもパーティクルが巻き上がる
のを防止するスパッタ装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタ装
置は、ロード・ロック室とセパレーション室との圧力差
をモニタリングする第１のモニタ装置と、セパレーショ
ン室とスパッタ室との圧力差をモニタリングする第２の
モニタ装置とを設け、かつセパレーション室とスパッタ
室との間に圧力差をなくすためセパレーション室にスパ
ッタリング用のガスを導入するガス配管部を設けたもの
である。
置は、ロード・ロック室とセパレーション室との圧力差
をモニタリングする第１のモニタ装置と、セパレーショ
ン室とスパッタ室との圧力差をモニタリングする第２の
モニタ装置とを設け、かつセパレーション室とスパッタ
室との間に圧力差をなくすためセパレーション室にスパ
ッタリング用のガスを導入するガス配管部を設けたもの
である。
【０００７】
【作用】本発明におけるスパッタ装置は、ロード・ロッ
ク室とセパレーション室の圧力差がないことを第１のモ
ニタ装置で確認してから第１のゲートバルブを開き、ま
た、ガス配管部からガスをセパレーション室に導入し、
スパッタ室との圧力差を第２のモニタ装置で確認してか
ら第２のゲートバルブを開いて半導体装置を運ぶ。
ク室とセパレーション室の圧力差がないことを第１のモ
ニタ装置で確認してから第１のゲートバルブを開き、ま
た、ガス配管部からガスをセパレーション室に導入し、
スパッタ室との圧力差を第２のモニタ装置で確認してか
ら第２のゲートバルブを開いて半導体装置を運ぶ。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。この図において、符号１〜１６は図２と全く同一の
部分を示し、１７は前記ロード・ロック室１とセパレー
ション室２の真空ゲージ１０を通してロード・ロック室
１とセパレーション室２の圧力差をモニタする第１のモ
ニタ装置、１８は前記セパレーション室２とスパッタ室
３の真空ゲージ１０を通してセパレーション室２とスパ
ッタ室３の圧力差をモニタする第２のモニタ装置、７Ａ
は前記スパッタ室３へのガス配管部７から分岐，延長し
セパレーション室２に接続したガス配管部、１１Ａは前
記ガス配管部７Ａに設けられたセパレーション室２へ送
られるスパッタリング用のガスの導入，停止を行うガス
バルブである。
る。この図において、符号１〜１６は図２と全く同一の
部分を示し、１７は前記ロード・ロック室１とセパレー
ション室２の真空ゲージ１０を通してロード・ロック室
１とセパレーション室２の圧力差をモニタする第１のモ
ニタ装置、１８は前記セパレーション室２とスパッタ室
３の真空ゲージ１０を通してセパレーション室２とスパ
ッタ室３の圧力差をモニタする第２のモニタ装置、７Ａ
は前記スパッタ室３へのガス配管部７から分岐，延長し
セパレーション室２に接続したガス配管部、１１Ａは前
記ガス配管部７Ａに設けられたセパレーション室２へ送
られるスパッタリング用のガスの導入，停止を行うガス
バルブである。
【０００９】次に、動作について説明する。半導体基板
をロード・ロック室１に挿入し、ラフバルブ１２を開い
て低真空になったロード・ロック室１とセパレーション
室２との圧力差がなくなったことを第１のモニタ装置１
７で確認した後、第１のゲートバルブ５Ａを開き、半導
体基板をロード・ロック室１からセパレーション室２へ
運ぶ。次いで、セパレーション室２にある半導体基板を
セパレーション室２からスパッタ室３に運ぶ時、セパレ
ーション室２内にスパッタ室３と同じガスを導入する。
この時、セパレーション室２のメインバルブ４はクライ
オポンプ９の保護のため、ハーフオープン状態にしてお
く。そして、セパレーション室２とスパッタ室３の圧力
差をモニタリングする第２のモニタ装置１８で両室２，
３の圧力差がなくなったことを確認した時点で第２のゲ
ートバルブ５Ｂを開き、半導体基板をスパッタ室３へ運
ぶ。半導体基板に金属薄膜の形成完了後、半導体基板を
セパレーション室２に戻す。この時点で、セパレーショ
ン室２のガス導入を停止し、メインバルブ４はフルオー
プン状態に戻す。そして、ロード・ロック室１とセパレ
ーション室２との圧力差をモニタリングする第１のモニ
タ装置１７で両室１，２間の圧力差がなくなったことを
確認した時点で、第１のゲートバルブ５Ａを開いて半導
体基板をロード・ロック室１に戻すようにする。
をロード・ロック室１に挿入し、ラフバルブ１２を開い
て低真空になったロード・ロック室１とセパレーション
室２との圧力差がなくなったことを第１のモニタ装置１
７で確認した後、第１のゲートバルブ５Ａを開き、半導
体基板をロード・ロック室１からセパレーション室２へ
運ぶ。次いで、セパレーション室２にある半導体基板を
セパレーション室２からスパッタ室３に運ぶ時、セパレ
ーション室２内にスパッタ室３と同じガスを導入する。
この時、セパレーション室２のメインバルブ４はクライ
オポンプ９の保護のため、ハーフオープン状態にしてお
く。そして、セパレーション室２とスパッタ室３の圧力
差をモニタリングする第２のモニタ装置１８で両室２，
３の圧力差がなくなったことを確認した時点で第２のゲ
ートバルブ５Ｂを開き、半導体基板をスパッタ室３へ運
ぶ。半導体基板に金属薄膜の形成完了後、半導体基板を
セパレーション室２に戻す。この時点で、セパレーショ
ン室２のガス導入を停止し、メインバルブ４はフルオー
プン状態に戻す。そして、ロード・ロック室１とセパレ
ーション室２との圧力差をモニタリングする第１のモニ
タ装置１７で両室１，２間の圧力差がなくなったことを
確認した時点で、第１のゲートバルブ５Ａを開いて半導
体基板をロード・ロック室１に戻すようにする。
【００１０】なお、上記実施例では各室１，２，３の圧
力差をなくすためにセパレーション室２にガスを導入す
るようにしたが、セパレーション室２にガスを導入せ
ず、高真空のままでスパッタ室３のガス導入を１枚のス
パッタ完了毎に停止させ、スパッタ室３を高真空に戻
し、圧力差をなくしてもよい。
力差をなくすためにセパレーション室２にガスを導入す
るようにしたが、セパレーション室２にガスを導入せ
ず、高真空のままでスパッタ室３のガス導入を１枚のス
パッタ完了毎に停止させ、スパッタ室３を高真空に戻
し、圧力差をなくしてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ロード・ロック室とセパレーション室との圧力差をモニ
タリングする第１のモニタ装置と、セパレーション室と
スパッタ室との圧力差をモニタリングする第２のモニタ
装置とを設け、かつセパレーション室とスパッタ室との
間に圧力差をなくすためセパレーション室にスパッタリ
ング用のガスを導入するガス配管部を設けたので、隣接
する室間の圧力差をなくしてから半導体装置を搬入，搬
出できるので急激なガスの流れによるパーティクルが巻
き上がることがなくなり、装置内の発塵を低減し、半導
体基板の品質の低下を防止することができる効果があ
る。
ロード・ロック室とセパレーション室との圧力差をモニ
タリングする第１のモニタ装置と、セパレーション室と
スパッタ室との圧力差をモニタリングする第２のモニタ
装置とを設け、かつセパレーション室とスパッタ室との
間に圧力差をなくすためセパレーション室にスパッタリ
ング用のガスを導入するガス配管部を設けたので、隣接
する室間の圧力差をなくしてから半導体装置を搬入，搬
出できるので急激なガスの流れによるパーティクルが巻
き上がることがなくなり、装置内の発塵を低減し、半導
体基板の品質の低下を防止することができる効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】従来のスパッタ装置を示す構成図である。
１ ロード・ロック室 ２ セパレーション室 ３ スパッタ室 ４ メインバルブ ５Ａ 第１のゲートバルブ ５Ｂ 第２のゲートバルブ ７ ガス配管部 ７Ａ ガス配管部 ９ クライオポンプ １１ ガスバルブ １１Ａ ガスバルブ １２ ラフバルブ １７ 第１のモニタ装置 １８ 第２のモニタ装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を挿入するロード・ロック室
と、前記半導体基板の予備加熱を行うセパレーション室
と、前記半導体基板に金属薄膜を堆積するスパッタ室と
を備え、前記ロード・ロック室の内部と前記セパレーシ
ョン室の内部と前記スパッタ室の内部をそれぞれ低真空
に保持するラフバルブと高真空に保持するメインバルブ
を備えたクライオポンプとを設け、前記ロード・ロック
室と前記セパレーション室との間を仕切る第１のゲート
バルブと、前記セパレーション室と前記スパッタ室との
間を仕切る第２のゲートバルブと、前記スパッタ室の内
部にスパッタリング用のガスを導入するガス配管部とを
設けたスパッタ装置において、前記ロード・ロック室と
前記セパレーション室との圧力差をモニタリングする第
１のモニタ装置と、前記セパレーション室と前記スパッ
タ室との圧力差をモニタリングする第２のモニタ装置と
を設け、かつ前記セパレーション室と前記スパッタ室と
の間の圧力差をなくすため前記セパレーション室内に前
記スパッタリング用のガスを導入するガス配管部を設け
たことを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP295792A JPH05190453A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP295792A JPH05190453A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190453A true JPH05190453A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11543849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP295792A Pending JPH05190453A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011144450A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-07-28 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP295792A patent/JPH05190453A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011144450A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-07-28 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
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