JPH03183767A - 薄膜形成装置及びこれを用いた薄膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ｍｌ上の利用分野］ 本発明は、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等を用いた
薄膜形成装置に関し、特に、インライン装置等、投入室
を持つ薄膜形成装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、薄膜形成装置としては、スパッタリング法を用い
たもの、プラズマＣＶＤ法を用いたもの等、様々な装置
が知られている。また、これらの薄膜形成装置としては
、従来、例えばインライン装置等、１室の投入室を有す
る装置が知られている。

このような薄膜形成装置では、薄膜を形成する基板をあ
らかじめ役人室じ搬入し、この搬入室内を排気した後に
、真空容器内に基板が搬人古れる。投入室を設ζすたの
は、ダスト対策のためである。すなわち、投入室を持た
ない薄膜形成装置の場合には、真空容器内に直接基板を
搬入ｌハその後排気を行なうこヒにより該真空容器内を
真空にするが、この排気の際に、基板とともに真空容器
内に侵入したダストがまい上がり、真空容器内を汚染し
てしまう。これに対して、あらかじめ基板を投入室に搬
入して、この投入室内の排気を行なった後に真空容器内
に基板を搬入することとすれば、基板εともに真空容器
内に侵入するダストの量を低減することができるので、
真空容器内の汚染を防止するこεができるのである。

なお、従来、投入室の排気を行なう場合じは、排気時の
室内圧力変化量を所定の制御方法により制御しながら排
気するのが一般的であった。このような排気方法を、以
下、スロー排気ヒ呼ぶこヒとする。

［発明が解決しようεしている課題］ しかしながら、上述のような、１室の投入室を有する薄
膜形成装置はおいては、タクトを短かくしようとする場
合Ｃは、当該投入室を、多数のワークが入るようにしな
ければならないため、搬送系や制御系が複雑になるヒい
う課題があった。

さらに、内部機構が複雑になるため、かえってダストが
多く発生するという課題も有していた。

また、多数の同一機能を持つ役人室を設置する方法も考
えられるが、この場合も同様のｉ！題を有していた。

［課題を解決するための手段］ 本発明の薄膜形成装置は、真空容器と；当該真空容器内
において所定の基板に所定の膜を形成するための手段と
；複数の投入室（投入室１〜投入室ｎ）と；当該複数の
投入室のそれぞれの排気を行なう手段と；前記所定の基
板を前記投入室１カ）ら前記投入室ｎまで順次搬送し、
さらに前記真空容器内に搬送するための手段と：を少な
くとも有するこεを特徴ヒする。

上記特徴においては、少なくとも１の投入室が、排気時
の投入室内の圧力変化量を任意に制御するための手段を
有することが望ましい。

本発明の薄膜形成方法は、１の投入室に前記所定の基板
を搬入して当該投入室の排気を行なった後に次の投入室
に前記所定の基板を搬入して当該投入室の排気を行なう
という作業を前記投入室１から前記投入室ｎについて順
次行なった後に真空容器内（前記所定の基板を搬入する
工程を少なくとも含み、且つ、当該工程において、前記
投入室１〜没人室ｎのそれぞれの室内の前記排気後の気
圧Ｐ１〜Ｐｎが、大気圧＞ＰＩ　＞Ｐ２　＞・・・＞ｐ
。

の関係を有することを特徴とする。

［作用］ 本発明によれば、投入室を複数設け、１の投入室に基板
を搬入して当該投入室の排気を行なった後に次の投入室
に基板を搬入して当該投入室の排気を行なうという作業
を繰り返した後社、最後に真空容器内（基板を搬入する
（この２室以上に分離された排気系を多段スロー排気ε
称する）ようにｉｓ形成装置を構成したので、タクトの
短い生産装置等においてもダストの舞い上がりを防止す
ることができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例１） 本発明の１実施例として、３個の投入室を有する薄膜形
成装置について、説明する。第１図は、本実施例に係る
Ｆｉ１ｍ形成装置を示す概念図である。′ｓ１図におい
て、１は投入用屏を有する投入室１．２は投入室２．３
は投入室３．４は成膜室（真空容器）、５は搬出用扉が
付いている搬出室、６は各室間のゲートバルブ、７は投
入室１内を排気するためのロータリーポンプ、８は投入
室２内を排気するためのロータリーポンプ、９は投入室
２内を排気するためのターボ分子ポンプ、１０は投入室
３内を排気するためのクライオポンプ、１１は成膜室内
を排気するためのクライオポンプ、１２は搬出室内を排
気するためのロータリーポンプ、１３は搬出室内を排気
するためのターボ分子ポンプ、１４は投入室１内の排気
を制御するためのコントロールバルブ１．１５は投入室
２の排気を制御するためのコントロールバルブ２．１６
，１７．１８は各室メイン排気バルブ、１９は基板を搬
送するためのキャリアである。

以下、第１図に示した薄膜形成装置の使用手順について
説明する。

■基板を保持させたキャリアを、投入室１に、没入用扉
より投入する。

■ロータリーポンプ７を用いて、コントロールバルブで
制御しながら２０分間排気する。排気後の圧力は、１０
２〜１０−’ｔｏｒｒとすることが望ましく、タクトに
問題がなければＩｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。

投入室ｌにおいては、室内のダストまい上げ防止を中心
に制御を行なう。

■ゲートバルブを通して、キャリアを投入室２へ搬送す
る。

各室間の搬送時には、必要に応じて圧力差がないように
各室の圧力を調整する。

■投入室２ヘキャリアを搬入した後、ターボポンプおよ
びロータリーポンプを用いて、コントロールバルブで制
御しながら、２０分間排気する。排気後の圧力は、１０
”〜ｌ　Ｏ−’ｔ　ｏ　ｒ　ｒとすることが望ましく、
室内の放出ガスの影響のない範囲において制御を行なう
が、タクトに問題がなければ、１０−３〜１０−’ｔ　
ｏ　ｒ　ｒとすることが最も望ましい。

■ゲートバルブを通して、キャリアを投入室３へ搬送す
る。

■投入室３ヘキャリアを搬入した後、投入室３内を、ク
ライオポンプを用いて２０分間排気する。排気後の圧力
は、１０””〜１０−’ｔｏ　ｒ　ｒとすることが望ま
しい。

■所定の時間排気した後、キャリアを成膜室へ搬送し、
Ｓｉｎ、をターゲットとした高周波マグネトロンスパッ
タリングにより、基板上に成膜を行なう。

■キャリアを搬送室へ搬送し、リーク後、搬送用群より
搬出する。

このようにして作製した薄膜の欠陥数を調べた結果を第
１表に示す、なお、欠陥数としては、１ｃｍ２当りに存
在する１μｍ以上の欠陥の数を示した。また、比較のた
め、従来の薄膜形成装置（１室スロー排気）により形成
した薄膜の欠陥数を調べた結果も併せて示した。

第１表 Ｎ１表から明らかなように、本実施例の薄膜形成装置に
よれば、タクトを短くすることができ（すなわち、生産
性を向上させることができ）、且つ、ダストによる膜欠
陥を防止できる。

（実施例２） 本発明の第２の実施例として、上記実施例１と同じ薄膜
形成装置を用いて、光磁気ディスクを作製した。光磁気
ディスクの層構造は、ＳｉＮ層、ＴｂＦｅＣｏ層、Ｓｉ
Ｎ層の３層構造とした。

その結果、実施例１と同様、ダストによる膜欠陥の極め
て少ない光磁気ディスクを生産できることがわかった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、タクトを短くす
ることができ、且つ、ダストによる膜欠陥の少ない良好
な薄膜を形成することが可能な、薄膜形成装置を提供す
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１実施例に係る薄膜形成装置を示す
概念図である。 （符号の説明） １・・・投入室１．２・・・投入室２．３・・・投入室
３．４・・・成膜室、５・・・搬出室、６・・・ゲート
バルブ、７・・・ロータリーポンプ、８・・・ロータリ
ーポンプ、９・・・ターボ分子ポンプ、１０−・・クラ
イオポンプ、１１−・・クライオポンプ、１２・・・ロ
ータリーポンブ、１３・・・ターボポンプ、１４・・・
コントロールバルブ１．１５・・・コントロールバルブ
２．１６・・・メイン排気バルブ、１７・・・メイン排
気バルブ、１８・・・メイン排気バルブ、１９・・・キ
ャリア。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空容器と；当該真空容器内において所定の基板
   に所定の膜を形成するための手段と；複数の投入室（投
   入室１〜投入室ｎ）と；当該複数の投入室のそれぞれの
   排気を行なう手段と；前記所定の基板を前記投入室１か
   ら前記投入室ｎまで順次搬送し、さらに前記真空容器内
   に搬送するための手段と；を少なくとも有することを特
   徴とする薄膜形成装置
2. （２）少なくとも１の投入室が、排気時の投入室内の圧
   力変化量を任意に制御するための手段を有することを特
   徴とする請求項１記載の薄膜形成装置
3. （３）１の投入室に前記所定の基板を搬入して当該投入
   室の排気を行なった後に次の投入室に前記所定の基板を
   搬入して当該投入室の排気を行なうという作業を前記投
   入室１から前記投入室ｎについて順次行なった後に真空
   容器内に前記所定の基板を搬入する工程を少なくとも含
   み、且つ、当該工程において、前記投入室１〜投入室ｎ
   のそれぞれの室内の前記排気後の気圧Ｐ＿１〜Ｐ＿ｎが
   、大気圧＞Ｐ＿１＞Ｐ＿２＞・・・＞Ｐ＿ｎの関係を有
   することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜形成
   装置を用いた薄膜形成方法