JPH03183766A

JPH03183766A - 薄膜形成装置及びこれを用いた薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH03183766A
Application number: JP32082589A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kurokawa; 岳黒川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-12-11
Filing date: 1989-12-11
Publication date: 1991-08-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等を用いた
薄膜形成装置に関し、特に、インライン装置等、投入室
を持つ薄膜形成装置に関するものである。

［従来の技術］従来、薄膜形成装置としては、スパッタリング法を用い
たもの、プラズマＣＶＤ法を用いたもの等、様々な装置
が知られている。また、これらの薄膜形成装置ヒしては
、従来、例えばインライニ装置等、１室の投入室を有す
る装置が知られてしる。

このような薄膜形成装置では、薄膜を形成すく基板をあ
らかじめ投入室に搬入し、この搬入室−を排気した後じ
、真空容器内に基板が搬入さする。投入室を設けたのは
、ダスト対策のためでよる。すなわち、投入室を持たな
い薄膜形成装置Ｃ場合には、真空容器内に直接基板を搬
入し、その後ｔＩｙ気を行なうことにより該真空容器内
を真空にするが、この排気の際に、基板とともに真空容
器内に侵入したダストかまい上がり、真空容器内を汚染
してしまう、これに対して、あらかじめ基板を投入室に
搬入して、この投入室内の排気を行なった後に真空容器
内に基板を搬入することとすれば、基板とともに真空容
器内に侵入するダストの量を低減することができるので
、真空容器内の汚染を防止することができるのである。

なお、従来、投入室の排気を行なう場合には、排気時の
室内圧力変化量を所定の制御方法によりｆＩＩＪ御しな
がら排気するのが一般的であった。このような排気方法
を、以下、スロー排気と呼ぶこととする。

［発明が解決しようとしているｉ！！［］しかしながら
、上述のような、１室の投入室を有する薄膜形成装置に
おいては、タクトを短かくしようとする場合には、当該
投入室を、多数のワークが入るようにしなければならな
いため、搬送系や制御系が複雑になるという課題があっ
た。

さらに、内部機構が複雑になるため、かえってダストが
多く発生するというａ題も有していた。

また、多数の同一機能を持つ投入室を設置する方法も考
えられるが、この場合も同様の課題を有していた。

［課題を解決するための手段］本発明の薄膜形成装置は、真空容器と；当該真空容器内
において所定の基板に所定の膜を形成するための手段と
；１の前記所定の基板を収容することが可能な投入室１
と；複数の前記所定の基板を収容することが可能な１＊
たは複数の投入室（投入室２〜投入室ｎ）と；当該投入
室１から投入室ｎのそれぞれの排気を行なう手段と；前
記所定の基板を前記投入室１から前記投入室ｎまで順次
搬送し、さらに前記真空容器内に搬送するための手段と
；を少なくとも有することを特徴とする。

上記特徴においては、少なくとも！の投入室が、排気時
の投入室内の圧力変化量を任意に制御するための手段を
有することが望ましい。

本発明の薄膜形成方法は、投入室１に前記所定の基板を
搬入して当該役人室１のＩｊ＃気を行なった後に投入室
２に前記所定の基板を搬入する工程の複数と、その後当
該投入室２の排気を行なう工程と、さらに、当該投入Ｎ
２内に搬入された複数の前記所定の基板を投入Ｎ３〜投
入室ｎについて順次搬入・排気する工程および／または
真空容器に搬入する工程とを少なくとも含み、且つ、前
記投入室１〜投入ｉｎのそれぞれの室内の前記排気後の
缶「ｐ、〜Ｐ−Ｍ−＋領厚＞ｐ、＞ｐ、＞・・・〉Ｐ、
１の関係を有するとヒを特徴とする。

［作用］本発明によれば、投入室を複数設け、１の投入室に基板
を搬入して当該投入室の排気を行なった後に次の投入室
に基板を搬入して当該投入室の排気を行なうという作業
を繰り返した後に、最後は真空容器内に基板を搬入する
（この２室以上Ｃ分履された排気系を多段スロー排気と
称する）ように薄膜形成装置を構成したので、タクトの
短い生産装置等においてもダストの舞い上がりを防止す
ることができる。

また、本発明によれば、ダストが最も舞い上り易い投入
室１は１枚の基板のみを収容することができるように構
成して基板１枚毎に排気を行なうこととし、比較的ダス
トが舞い上りにくい投入室２以降は同時に複数の基板を
収容することができるように構成して基板複数枚毎に排
気を行なうこととしたので、ダストの舞い上りを充分に
防止しつつ、トータルの排気時間を格段に減少させるこ
ンＭ酊鰭シｂス［実施例］以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例１）本発明の１実施例として、３個の投入室を有し、投入室
２および投入室３が２枚の基板を収容できる薄膜形成装
置について、説明する。第１図は、本実施例に係る薄膜
形成装置を示す概念図である。第１図において、１は投
入用層を有する投入室１．２は投入室２．３は投入室３
．４は成膜室（真空容器）、５は搬出用扉が付いている
搬出室、６は各室間のゲートパルプ、７は投入室１内を
排気するためのロータリーポンプ、８は投入室２内を排
気するためのロータリーポンプ、９は投入室２内を排気
するためのターボ分子ポンプ、１０は投入室３内を排気
するためのクライオポンプ、１１は成膜室内を排気する
ためのクライオポンプ、１２は搬出室内を排気するため
のロータリーポンプ、１３は搬出室内を排気するための
ターボ分子ポンプ、１４は投入室ｉ内の排気を制御する
ためのコントロールパルプ１１１５は投入室２の排気を
制御するためのコントロールバルブ２．１６．１７．１
８は各室メイン排気バルブ、１９は基板を搬送するため
のキャリアである。

以下、第１図に示した薄膜形成装置の使用手順について
説明する。

■基板を保持させたキャリアを、投入室１に、投入用層
より投入する。

■ロータリーポンプ７を用いて、コントロールバルブで
制御しながら２０分間排気する。排気後の圧力は、１０
２〜ＩＯ−’ｔｏｒｒとすることが望ましく、タクトに
問題がなければ１ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。

投入室１においては、室内のダストまい上げ防止を中心
に制御を行なう。

■ゲートバルブを通して、キャリアを投入室２へ搬送す
る。

各室間の搬送時にはＺ必要に応じて圧力差がないように
各室の圧力を調整する。

■他の基板について上記工程■〜■を行ない、投入室２
ヘキヤリアを搬送する。

■その後、ターボポンプおよびロータリーポンプを用い
て、コントロールバルブで制御しながら、２０分間排気
する。排気後の圧力は、１０−１〜１０−’ｔｏｒｒと
することが望ましく、室内の放出ガスの影響のない範囲
において制御を行なうが、タクトに問題がなければ、１
０−３〜ｔｏ”’ｔｏｒｒとすることが最も望ましい。

■ゲートバルブを通して、各キャリアを投入室３へ搬送
する。

■投入室３へ各キャリアを搬入した後、投入室３内を、
クライオポンプを用いて２０分間排気する。排気後の圧
力は、１０−’〜１０−’ｔ　ｏ　ｒ　ｒとすることが
望ましい。

■所定の時間排気した後、各キャリアを成膜室へ搬送し
、Ｓｉｎ、をターゲットとした高周波マグネトロンスパ
ッタリングにより、基板上に成膜を行なう。

■各キャリアを搬送室へ搬送し、リーク後、搬送用屏よ
り搬出する。

このようにして作製した薄膜の欠陥数を調べた結果を第
１表に示す、なお、欠陥数としては、１ｃｍ２当りに存
在する１μｍ以上の欠陥の数を示した。また、比較のた
め、従来の薄膜形成装置（１室スロー排気）により形成
した薄膜の欠陥数を調べた結果も併せて示した。

第１表ｉｔ表から明らかなように、本実施例の薄膜形成装置に
よれば、タクトを短くすることができ（すなわち、生産
性を向上させることができ）、且つ、ダストによる膜欠
陥を防止できる。

（実施例２）本発明の第２の実施例として、上記実施例１と同じ薄膜
形成装置を用いて、光磁気ディスクを作製した。光磁気
ディスクの層構造は、ＳｉＮ層、ＴｂＦｅＣｏ層、Ｓｉ
Ｎ層の３層構造とした。

その結果、実施例１と同様、ダストによる膜欠陥の極め
て少ない光磁気ディスクを生産できることがわかった。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば、タクトを短くす
ることができ、且つ、ダストによる膜欠陥の少ない良好
な薄膜を形成することが可能な、薄膜形成装置を提供す
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１実施例に係る薄膜形成装置を示す
概念図である。（符号の説明）１・・・投入室１．２・・・投入室２．３・・・投入室
３．４・・・成膜室、５・・・搬出室、６・・・ゲート
バルブ、７・・・ロータリーポンプ、８・・・ロータリ
ーポンプ、９・・・ターボ分子ポンプ、１０・・・クラ
イオポンプ、１１・・・クライオポンプ、１２・・・ロ
ータリーポンプ、１３・・・ターボポンプ、１４・・・
コントロールバルブ１．１５・・・コントロールバルブ
２．１６−・・メイン排気バルブ、７・・・メイン排気バルブ、・・・メイン排気バルブ、１９・・・キャリア。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空容器と；当該真空容器内において所定の基板
に所定の膜を形成するための手段と；１の前記所定の基
板を収容することが可能な投入室１と；複数の前記所定
の基板を収容することが可能な１または複数の投入室（
投入室２〜投入室ｎ）と；当該投入室１から投入室ｎの
それぞれの排気を行なう手段と；前記所定の基板を前記
投入室１から前記投入室ｎまで順次搬送し、さらに前記
真空容器内に搬送するための手段と；を少なくとも有す
ることを特徴とする薄膜形成装置
（２）少なくとも１の投入室が、排気時の投入室内の圧
力変化量を任意に制御するための手段を有することを特
徴とする請求項１記載の薄膜形成装置
（３）投入室１に前記所定の基板を搬入して当該投入室
１の排気を行なった後に投入室２に前記所定の基板を搬
入する工程の複数と、その後当該投入室２の排気を行な
う工程と、さらに、当該投入室２内に搬入された複数の
前記所定の基板を投入室３〜投入室ｎについて順次搬入
・排気する工程および／または真空容器に搬入する工程
とを少なくとも含み、且つ、前記投入室１〜投入室ｎの
それぞれの室内の前記排気後の気圧Ｐ＿１〜Ｐ＿ｎが、
大気圧＞Ｐ＿１＞Ｐ＿２＞・・・＞Ｐ＿ｎの関係を有す
ることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜形成装
置を用いた薄膜形成方法