TW201238042A - Solid-state imaging apparatus - Google Patents

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Toshiaki Iwafuchi
Masahiko Shimizu
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Description

201238042 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於固態成像裝置’且明確地說，係關於能夠 抑制光斑及重像之產生的固態成像裝置。 【先前技術】 近年來’以與其他半導體晶片相同之方式，在固態成像 裝置中之影像感測器中’晶片縮小亦傾向於取得進步，此 歸因於引入了先進製程。因此’有可能考慮設計影像感測 器’以使得在設計影像感測器係藉由線結合而連接至基板 的固態成像裝置時，結合墊配置於透鏡有效直徑内。 然而’在此種情況下，存在產生光斑或重像之危險，因 為自透鏡入射之光在連接至該等結合墊之線（金屬線）的表 面上反射且進入該影像感測器上之一光接收表面。 回應於此，揭示一種固態成像裝置，其包括遮光部件， 該遮光部件用於遮蔽來自該透鏡之光中的入射於配置於該 影像感測器上之結合墊之周邊上的光（例如，ιρ·α_2〇〇6_ 222249(專利文件1))。 根據上文’有可能抑制由自透鏡入射之光在連接至結合 墊之金屬線的表面上反射且進入影像感測器上之光接收表 面而造成的光斑及重像。 【發明内容】 在固態成像裝置之製造程序中，影像感測器中之遮光部 件的位置相對於設計位置具有給定之變化。 舉例而言’如圖1之左側所展示，當影像感測器1之光接 160123.doc 201238042 收表面la之末端部分與結合至IRCF(紅外線截止遽光片W 之面向料感測器1之表面的遮光部件3之開口的邊緣部分 之間的距離為「cU」，由粗箭頭表示之入射光被遮光料二 遮蔽且不到達金屬線2。#至在入射光在遮光部件3之開口 的邊緣表面上反射時，反射光仍不到達影像感測以之光 接收表面la H定在圖式中由粗箭頭表示之人射光為在影 像感測器1上之入射角為來自未圖示之透鏡之入射光中最 大的光。而且，假定遮光部件3之開口的邊緣表面平行於 該透鏡之光轴方向（圖式中自頂至底之方向）。 另一方面，如圖i之右側所展示，影像感測器丨之光接收 表面U之末端部分與遮光部件3之開口的末端部分之間的 距離為「d2」’由粗箭頭表示之人射光被遮光部件3遮蔽且 不到達金屬線2 ^然而，在入射光在遮光部件3之開口的邊 緣表面上反射時，反射光進入影像感測器i上之光接收表 面la 〇 在此種情況下，可抑制由來自連接至結合墊之金屬線2 之表面的反射光造成的光斑或重像，然而’光斑或重像係 歸因於來自遮光部件3之開口之邊緣表面的反射光而造 成。 蓉於上文，希望抑制光斑及重像之產生。 本發明之一實施例係針對一種固態成像裝置，其包括： 固態成像器件，其光電轉換一透鏡所取之光；及一遮光 部件，其遮蔽來自該透鏡之入射於該固態成像器件上之光 的邠分，其中在該遮光部件之一邊緣表面與該透鏡之— 160123.doc 201238042 光軸方向之間形成的一角度大於將入射於該遮光部件之一 邊緣表面上之光的一入射角。 在該遮光部件之該邊緣表面與該透鏡之該光軸方向之間 形成的該角度可大於入射角係入射於該遮光部件之該邊緣 部分上之光中最大的光的入射角。 連接至一基板之金屬線所連接至之墊可設置於該固態成 像器件之一光接收表面之一周邊部分處，且有可能該等墊 不配置於藉由該固態成像器件之一表面與該遮光部件之該 邊緣表面之一虛擬延展表面之間的一交點界定的區域中較 接近於該光接收表面之一區域上。 該固態成像器件之該光接收表面接收自具有一開口之該 基板的該開口入射的光’且有可能該開口之一邊緣表面與 該遮光部件之該邊緣表面之該虛擬延展表面不相交。 違固態成像裝置可進-步包括—密封部件，該密封部件 密封該固態成像器件之該光接收表面上的一間隙，其中該 ，光部件可設置於該㈣部件之面向該透鏡之—表面或該 密封部件之面向該固態成像器件之一表面上。 該密封部狀-側面可經組“與該遮光料之該邊緣 表面之該虛擬延展表面不相交。 該遮蔽部件可藉由在配置於—光學路徑上之-光學遽光 片上印刷一印刷材料一次或多次來形成。 根據本發明之實施例，允許在該遮光部件之該邊緣表面 =透鏡，該光軸方向之間形成的角度大於將人射於該遮 一 件之该邊緣部分上之光的入射角。 160123.doc 201238042 根據本發明之實施例，可抑制光斑及重像之產生。 【實施方式】 在下文，將參看圖式來解釋本發明之實施例。將按以下 次序進行該解釋。 1 ·具有線結合結構之固態成像裝置 2 ·具有覆晶結構之固態成像裝置 3. 實現了無空腔之固態成像裝置的實例 4. 藉由金屬模形成遮光部件的實例 < 1.具有線結合結構之固態成像裝置> [固態成像裝置之外部結構] 圖2為展示根據實施例的應用了本發明之固態成像器件 之結構的視圖。 圖2之固態成像裝置包括作為光學感測器之CM〇s影像感 測器10(下文僅被稱作影像感測器1〇)、將影像感測器1〇電 連接至未圖示之基板的金屬線丨丨、安裝於未圖示之基板上 的被動組件12,及遮蔽自未圖示之透鏡入射於影像感測器 10上的光之一部分的遮光部件13。 影像感測器10具有光接收表面l〇a，在光接收表面i〇a 中，具有光電轉換器件之單元像素（下文僅被稱作像素）係 二維配置成矩陣狀態，偵測對應於入射於光接收表面l〇a 上之光的量的電荷量作為基於像素的物理值。 為用於連接金屬線11之端子的結合墊配置於影像感測器 10的除了光接收表面10a之外的周邊部分上，且連接至結 合墊的金屬線11藉由線結合而連接至未圖示之基板。 160123.doc 201238042 在影像感測器ίο中，結合墊之至少一部分配置於未圖示 之透鏡的有效直徑中。 遮光部件13由具有給定厚度且著上黑色之膜製成，該遮 光部件η具有一開口，纟自未圖示之透鏡的將入射於影像 感測器10之光接收表面10a上的入射光通過該開口。遮光 部件13配置於透鏡與影像感測器1G之間的光學路徑上，影 像感測HH)結合至（例如）IRCF(紅夕卜線截止滤光片）31之面 向影像感调J器10的一表面，IRCF 3 包括紅外線吸收材 料之光學濾4片，如圖3至圖5中所展:卜此係因為存在以 下危險··纟自透鏡之人射光在IRCF 31之下表面（面向影像 感測器10之表面）上反射而變成雜散光且在遮光部件13結 合至IRCF 31的面向透鏡之表面（圖式中之上側）時造成光斑 及重像。 來自透鏡之入射光大部分自遮光部件13之開口而入射於 影像感測器10之光接收表面1 〇a上，然而，來自透鏡之入 射光中的將入射於配置於影像感測器]〇之周邊部分上之接 合墊附近的入射光被遮光部件13遮蔽。 因此’有可能抑制由來自透鏡之入射光在結合墊附近之 金屬線11的表面上反射且進入影像感測器1〇上之光接收表 面10a而造成的光斑及重像。 此外’在遮光部件13之開口的邊緣表面處相對於透鏡之 光轴方向形成給定角度，且將入射於遮光部件丨3之開口的 邊緣部分上的入射光可透射而不在邊緣表面上反射。可藉 由用金屬模來模製作為遮光部件13之膜來獲得將在遮光部 160123.doc 201238042 件13之開口的邊緣表面處形成的角度。 [遮光部件之位置及邊緣表面處形成之角度] 在此’將參看圖3至圖5來解釋遮光部件13相對於影像感 測器10之位置及將在遮光部件13之開口的邊緣表面處形成 的角度。下文中，遮光部件13之開口的邊緣表面適當地僅 被稱作遮光部件13之邊緣表面。 遮光部件13相對於影像感測器10之位置在某程度上變 化’然而’影像感測器10經製造以使得該變化將在某一範 圍内。圖3至圖5中所示之曲線為指示遮光部件13之邊緣部 分（邊緣表面）之位置的變化的分佈曲線。亦即，圖4中展示 之遮光部件13之位置指示設計中之位置，且圖3及圖5中展 不之遮光部件13之位置指示與該設計位置偏離了最大誤差 σ的位置。 當來自透鏡之主光線以某一入射角（CRA :主光線角）入 射於影像感測器10之光接收表面10a上時，對應於主光線 之上光線和下光線以各別入射角入射。 在圖3中，對應於主光線的入射於光接收表面i〇a之末端 部分上的上光線不被遮光部件13遮蔽，且主光線、對應於 主光線之上光線及下光線毫無例外皆將入射於光接收表面 10a 上。 在圖5中透射且不被遮光部件13遮蔽之下光線經設定 以免在金屬線11上反射。 亦即，遮光部件13相對於影像感測器1〇之位置將為以下 位置’在該位置中H線、對應於該主光線之上光線 160123.doc 201238042 及下光線將入射於光接收表面10a上，但遮光部件13之開 口的邊緣部分除外，且下光線不入射於結合墊（金屬線“） 上。 ， 當遮光部件13之邊緣表面相對於透鏡之光軸方向成角度 使得入射角為主光線、上光線及下光線中最大的下光線透 射通過遮光部件13之開口的邊緣部分時，入射光不在遮光 部件13之邊緣表面上反射。亦即，在遮光部件13之邊緣表 面與透鏡之光軸方向之間形成的角度（下文中被稱作邊緣 表面角度）可為大於將入射於遮光部件13之開口的邊緣部 分上的下光線之入射角的角度。 亦即，當邊緣表面角度為ΘΜ且下光線之入射角為0L 時，較佳滿足θΜ>θί，如圖5中所展示。當使用上光線之 入射角θυ、光接收表面i〇a之邊緣部分與結合墊之間的距 離D以及IRCF 3 1與影像感測器1 〇之表面之間的距離（間隙 長度）G時’下光線之入射角eL表示為以下表達式（1)。 0L=arctan[taneU+{(D-2a)/G}]…（1) 因此，將給出邊緣表面角度ΘΜ以便滿足以下表達式 (2)。 0M>arctan[tan0U+{(D-2a)/G}]…（2) 特定言之’舉例而言，當主光線之Cra為30度時，對應 於主光線之上光線及下光線的入射角為Cra ±1〇度，因 此’藉由確定邊緣表面角度將為5〇度（包括容限）使下光線 不在遮光部件13之邊緣表面上反射。 此外，透射通過遮光部件13之開口的邊緣部分的下光線 160123.doc 201238042 不入射於如上所述連接至結合墊之金屬線1丨的表面上。換 言之，用於連接金屬線11之結合墊經設計以不配置於在由 影像感測器1 〇之表面與遮光部件13之邊緣表面之虛擬延展 表面之間的交點界定的區域中較接近於光接收表面l〇a之 區域上。 根據上述結構，入射光不在遮光部件13之邊緣表面上反 射，因此’有可能抑制歸因於來自遮光部件13之邊緣表面 之反射光所致的光斑及重像之產生。 另外’透射通過遮光部件13之開口的邊緣部分的下光線 不在連接至結合墊之金屬線11之表面上反射，因此，亦有 可能抑制歸因於來自金屬線11之表面之反射光所致的光斑 及重像之產生。 明確地說’隨著主光線之CRA增加，在背照式影像感測 器中，下光線之入射角亦增加。遮光部件13之邊緣表面經 形成以對應於下光線之入射角，藉此抑制光斑及重像之產 生。 由於甚至在結合墊之至少一部分g己置於影像感測器丨〇中 之透鏡的有效直徑中時仍可抑制光斑及重像之產生，因 此，影像感測器10之晶片大小可減小。因此，理論良率可 增加，且每一晶片之成本可降低。 此外’結合墊可配置於影像感測器10中光接收表面l〇a 附近，因此，影像感測器1 〇之周邊電路的尺度亦可變小， 此允許半導體晶片之製程世代取得進步。因此，可提供回 應於功率消耗減少及操作速度改良之影像感測器。 160123.doc _ 10· 201238042 此外’由於影像感測器ίο之晶片大小可減小，故包括影 像感測器10之相機模組的大小亦可減小，因此，該技術可 應用於尤其需要小型化的具有相機之蜂巢式電話。 [遮光部件之材料] 儘管在上文描述中遮光部件13係由著黑色之膜製成，但 遮光部件13可由其他材料製成。 特定言之，舉例而言，可藉由在IRCF 3丨上印刷用於印 刷之材料來製成遮光部件13。印刷材料為（例如）碳素填 ； ^料著上黑色之環氧樹脂或丙稀酸類樹脂、環氧/ 丙烯酸類混合樹脂等，其具有uv可固化性或熱可固化 [生印刷材料可為具有常溫可固化性之樹脂。作為上述印 刷材料之印刷方法，應用網版印刷法、喷墨印刷法或其類 [藉由印刷形成遮光部件之加工] 由印刷形成遮光部 在此將參看圖6之流程圖來解釋夢 件13之加工。 a 在步驟S11令，在irCF 31 ς 上卩刷該印刷材料。在步驟 S12中，判定膜厚度是否 牡，驟 备在步驟S12中判定膜®声 不足夠時，固化經印刷之印刷 、厚度 驟材料，接者’過程返回至步 驟1且再次印刷該印刷材料。 另一方面，當判定膜厚度 料，接著，過程結束。 Μ ’固化經印刷之印刷材 在印刷材料具有UV可 獲得之膜厚度將為約1 0 固化f生> α r生之情況下，藉由一次印刷 ΜΉ1 » K1 Li u此，可藉由印刷三或四次 160123.doc -11 · 201238042 來獲得具有約5〇 μηι之膜厚度的遮光部件13。 當用液體印刷材料來印刷遮光部件13時，遮光部件13之 邊緣表面角度係作為將由IRCF 3 1之可濕性指定的該印刷 材料之接觸角而獲得，且其橫截面將如圖7中所展示般。 可藉由在多次之印刷過程中堆疊印刷材料之方式來獲得邊 緣表面角度。 此外’可藉由（例如）將薄膜沈積於IRCF 3 1上來形成遮光 材料13❶在此種情況下，執行蝕刻以使得在相對於所沈積 之薄膜圖案化開口時達成側蝕。 已如上述般解釋了影像感測器係藉由線結合而連接（安 裝）於基板上的固態成像裝置，且將在下文解釋具有覆晶 結構之固態成像裝置。 <2.具有覆晶結構之固態成像裝置> [具有覆晶結構之先前技術固態成像裝置] 圖8為展示具有覆晶結構之先前技術固態成像裝置的結 構的視圖。 在圖8中展不之固態成像裝置中，CMOS影像感測器 110(下文僅被稱作影像感測器110)經由凸塊112而電連接至 具有開口之基板111。影像感測器丨1〇與基板丨丨丨之間藉由 凸塊112所致之連接部分藉由由環氧樹脂等製成之底填料 (UF)113密封。在基板111之開口上，作為用於保護影像感 測器110之光接收表面ll〇a之上部部分的密封部件之密封 玻璃114係藉由UV可固化之黏接部件丨J 5(圖9)來結合^ 可固化之黏接部件115可為熱可固化部件。密封玻璃i丨4由 160123.doc •12· 201238042 透光之透明材料製成，且在圖式中由粗箭頭表示的來自未 圖示之透鏡的入射光經由密封玻璃114而入射於影像感測 器110之光接收表面ll〇a上。密封玻璃114可為IRCF。在具 有圖8中展示之覆晶結構的固態成像裝置中，在密封玻璃 114之面向光接收表面li〇a的表面與光接收表面11〇a之間 形成間隙。 在覆晶結構中，光接收表面1 1 〇a、基板1 1 1之開口及UF 113之邊緣表面彼此相對接近地定位。因此，將經由密封 玻璃114入射之入射光中在基板hi之開口或up 11 3之邊緣 表面上反射的反射光進入光接收表面U〇a，此可能會造成 光斑及重像之產生。 因此，如圖9中展示，藉由將遮光部件131黏接至密封玻 璃114(如圖9中展示），來自未圖示之透鏡之光中的將入射 於基板m之開口及UF 113之邊緣表面上的光被遮光部件 131遮蔽。 [遮光部件至覆晶結構之應用] 圖9為展示根據實施例的應用了本發明之具有覆晶結構 之固態成像裝置的結構的視圖19僅展示對應於㈣之固 態成像裝置中由虛線方插包圍之部分的部分之結構。在圖 9之固態成像裝置中，用相同符號來表示對應於圖8之固態 成像裝置之組件的組件。 在圖9中，以與圖2之遮光 疋I仵13相同之方式，遮光部件 131由具有給定厚度且著上堃 …、巴之膜製成’該遮光部件且 有一開口 ’來自未圖示之读锫 八 固丁之逯鏡的將入射於影像感測器u〇 160123.doc 201238042 之光接收表面110a上的光通過該開口。遮光部件131結合 至密封玻璃114之面向影像感測器110的表面。在上文之描 述中，遮光部件13 1由著黑色之膜製成，然而，以與上述 遮光部件13相同之方式，遮光部件13 1可由將印刷於密封 玻璃144上之印刷材料製成以及由將沈積於密封玻璃上之 薄膜製成。 在主光線以某一 CRA入射於影像感測器11〇之光接收表 面110a上的情況下，對應於主光線之上光線及下光線亦以 各別入射角來入射。 當遮光部件131之邊緣表面相對於透鏡之光轴方向成角 度使得入射角為主光線、上光線及下光線中最大的下光線 透射通過遮光部件131之開口的邊緣部分時，入射光不在 遮光部件13 1之邊緣表面上反射。亦即，遮光部件13 1之邊 緣表面角度將大於將入射於遮光部件13丨之開口的邊緣部 分上的下光線之入射角。 另外，遮光部件1 3 1之寬度L經設計以使得基板111之開 口及UF 113的邊緣表面與遮光部件131之邊緣表面的虛擬 延展表面不相交。亦即，透射通過遮光部件131之開口的 邊緣部分的下光線不在基板丨〗丨之開口及UF 11 3之邊緣表 面上反射。 根據上述結構，入射光不在遮光部件13丨之邊緣表面上 反射且入射光不在基板U1之開口及UF 113之邊緣表面上 反射’因此’有可能抑制歸因於來自遮光部件13丨之邊緣 表面、基板111之開口的邊緣表面或UF 113之邊緣表面的 160123.doc -14- 201238042 反射光所致的光斑及重像之產生。 儘#在圖9中密封玻璃114與基板1U之開口係藉由黏接 部件115而結合在一起，但亦較佳地，遮光部件131藉由使 用具有黏接功能之材料作為遮光部件丨3丨來將密封玻璃丨14 與基板111之開口結合。 儘官在上述實例中遮光部件13丨係結合至密封玻璃114之 面向影像感測器110的表面，然而，亦較佳地，遮光部件 131結合至與密封玻璃114之面向影像感測器11〇之表面相 反的表面（面向透鏡之表面），如圖1〇中展示。 在固態成像裝置之上述結構中，影像感測器之光接收表 面在間隙（下文被稱作空腔）中露出，因此，影像感測器傾 向於受灰塵影響。回應於此，提出一種呈不具有空腔之結 構（下文中被稱作無空腔結構）的固態成像裝置，用於減少 灰塵在影像感測器之光接收表面中之影響。 在此’將解釋應用了本發明的無空腔結構之固態成像裝 置的實例。 <3·無空腔結構之固態成像裝置的實例> [具有線結合結構之無空腔固態成像裝置] 圖11為展示實現了無空腔之具有線結合結構的固態成像 裝置之結構的視圖。在圖11之固態成像裝置中，用相同符 號來表示對應於圖3等之固態成像裝置之組件的組件。 亦即’圖11之固態成像裝置具有一結構，在該結構中， 新提供玻璃層211、遮光部件212及樹脂層213，而移除圖3 等中之固態成像裝置中的遮光部件13。 160123.doc 15 201238042 玻璃層211及樹脂層213由透光之透明材料製成，該透明 材料之折射率高於空氣。在圖丨丨之固態成像裝置中，空腔 藉由玻璃層211及樹脂層213密封以藉此實現無空腔結構。 此外’遮光部件212結合至玻璃層211之下表面（面向影 像感測器10之表面）》遮光部件212由與上述遮光部件13相 同之材料形成且形狀相同。 遮光部件212之寬度（圖式中之橫向方向上的長度）經設 計以使得樹脂層213之側面與遮光部件212之邊緣表面的虛 擬延展表面不相交。亦即，透射通過遮光部件212之開口 的邊緣部分的下光線不在樹脂層213之側面上反射。 在製造程序中’在遮光部件212結合至玻璃層211之下表 面之後，在晶圓級中相對於影像感測器1〇執行遮光部件 212之定位’接著，藉由樹脂層213將玻璃層211結合至影 像感測器10。接下來’執行切片（dicing)以獲得單片，接 著，切割玻璃層211及樹脂層213以露出結合墊部分。其 後，清潔所露出之結合墊部分以藉此形成結合墊作為端 子。亦較佳地，在影像感測器1〇形成為晶片之後，藉由樹 脂層2 13將玻璃層211結合至影像感測器丨〇。在此種情況 下’可省略清潔所露出之結合墊部分的過程。 亦在以如上所述之方式實現了無空腔之具有線結合結構 的固態成像裝置中’入射光不在遮光部件212之邊緣表面 上反射，因此，有可能抑制歸因於來自遮光部件212之邊 緣表面的反射光所致的光斑及重像之產生。 此外’透射通過遮光部件212之邊緣表面部分的下光線 160123.doc -16 · 201238042 不在樹脂層213之側面上反射，因此，亦有可能抑制歸因 於來自樹脂層213之側面之反射光所致的光斑及重像之產 生。 已如上述般解釋了遮光部件212係結合至玻璃層211之下 表面的結構’且亦較佳應用遮光部件212係結合至玻璃層 211之上表面（如圖12中展示）的結構。在此情況下，可在玻 璃層211、樹脂層213及影像感測器1 〇結合在一起之後，將 遮光部件212結合至玻璃層211之上表面，因此，遮光部件 2 12相對於影像感測器1 〇之定位的精確性可增加。由於在 圖12中難以使用相對於玻璃層211之可濕性來確定遮光部 件212之邊緣表面的角度，因此，將應用由著黑色之膜製 成的遮光部件212。 亦在圖12之固態成像裝置中，遮光部件212之寬度（圖式 中之橫向方向上的長度）經設計以使得玻璃層2丨丨及樹脂層 213之侧面與遮光部件212之邊緣表面的虛擬延展表面不相 交。亦即’透射通過遮光部件212之開口的邊緣部分的下 光線不在玻璃層211及樹脂層213之側面上反射。 [具有覆晶結構之無空腔固態成像裝置] 圖13為展示實現了無空腔之具有覆晶結構的固態成像裝 置之結構的視圖。在圖13之固態成像裝置中，用相同符號 來表示對應於圖8或圖9之固態成像裝置之組件的組件。 亦即，圖1 3之固態成像裝置具有一結構，在該結構中， 新提供玻璃層311、遮光部件312及樹脂層313，而移除圖8 或圖9之固態成像裝置中的密封玻璃丨丨4及遮光部件丨31。 160123.doc -17- 201238042 玻璃層311及樹脂層313由透光之透明材料製成，該透明 材料之折射率高於空氣。在圖13之固態成像裝置中，空腔 藉由玻璃層311及樹脂層313密封以藉此實現無空腔結構。 此外，遮光部件312結合至玻璃層31丨之下表面（面向影 像感測器110之表面）^遮光部件3 12由與上述遮光部件13 i 相同之材料形成且形狀相同。 遮光部件31 2之寬度（圖式中之橫向方向上的長度）經設 計以使得樹脂層3 13之側面與遮光部件3 12之邊緣表面的虛 擬延展表面不相交。亦即，透射通過遮光部件3丨2之開口 的邊緣部分的下光線不在樹脂層3 13之側面上反射。 在製造程序中，在遮光部件312結合至玻璃層311之下表 面之後，在晶圓級中相對於影像感測器丨〗〇執行遮光部件 312之定位，接著，藉由樹脂層313將玻璃層311結合至影 像感測器110 »接著’在影像感測器110中執行用於自前至 後刺穿晶片之TSV(穿矽通孔）製程以藉此實現CSP(晶片級 封裝）。 亦在實現了無空腔之具有覆晶結構的固態成像裝置中， 入射光不在遮光部件312之邊緣表面或基板ill之開口及uf 113的邊緣表面上反射’因此’有可能抑制歸因於來自遮 光部件312之邊緣表面或基板111之開口及uf 113之邊緣表 面的反射光所致的光斑及重像之產生。 已如上述般解釋了遮光部件312係結合至玻璃層311之下 表面的結構，且亦較佳應用遮光部件3 12係結合至玻璃層 311之上表面（如圖14中展示）的結構。在此情況下，可在玻 160123.doc • 18 · 201238042 璃層311、樹脂層313及影像感測器no結合在一起之後， 將遮光部件312結合至玻璃層311之上表面，因此，遮光部 件3 12相對於影像感測器11〇之定位的精確性可增加。由於 在圖14中難以使用相對於玻璃層311之可滿性來確定遮光 部件312之邊緣表面的角度，因此，將應用由著黑色之膜 製成的遮光部件312。 亦在圖14之固態成像裝置中，遮光部件312之寬度（圖式 中之橫向方向上的長度）經設計以使得玻璃層3丨丨及樹脂層 313之側面與遮光部件312之邊緣表面的虛擬延展表面不相 交。亦即，透射通過遮光部件3 12之開口的邊緣部分的下 光線不在玻璃層3 11及樹脂層3 13之側面上反射。 在上文之描述中，遮光部件包括來自透鏡的入射於影像 感測器之光接收表面上之光將透射通過的開口，然而，遮 光部件可具有對應於線結合結構中之金屬線的配置及覆晶 結構中之基板之開口的形狀的結構/形狀。舉例而言，在 圖2之影像❹⑴〇巾金m連接至之結合錢配置於 右側上之情況下’遮光部件13可具有遮蔽結合塾附近之形 附帶地，在近來之相機模組中，透鏡之有效直徑與影像 感測器之大小相比變得較大，㈣成縮短线或改良透鏡 之聚光率以及相機模組之小丨 』皂化的目的。在此種情況下， 自透鏡之入射光的入射角蠻溫审本 月雯侍更大，因此，必需增加 光部件之邊緣表面角度以對廄 遮 ^ ^ 又以對應於該入射角。舉例而言，卷 Λ自透鏡之入射光的入射角 田 馮45度時，必需增加遮光部件 160123.doc -19- 201238042 之邊緣表面角度使之大於μ度。 已如上述般參看圖6解釋了作為形成具有邊緣表面角度 之遮光部件的方法令之一者的在IRCF上印刷該印刷材料之 、、、’；而舉例而5，當遮光部件係藉由金屬模而模製 時難以形成具有大的邊緣表面角度（諸如，45度）的遮光 件，且邊緣表面角度最大將為約3 0度》 因此，將解釋藉由金屬模形成昇有大的邊緣表面角度的 遮光部件之實例。 <4.藉由金屬模形成遮光部件的實例> 如上所述，難以藉由金屬模形成具有大的邊緣表面角度 之遮光邻件，因此，在影像感測器之方向上以給定角度來 摺疊自遮光部件之開口的邊緣部分起的給定範圍，藉此增 加邊緣表面角度。 [用於抑制光斑及重像之產生的條件] 圖15為一固態成像裝置之橫截面圖，在該固態成像裝置 中，在影像感測器之方向上以給定角度摺疊自遮光部件之 開口的邊緣部分起的給定範圍。 在圖15中展示之結構中’抑制光斑及重像之產生應滿足 以下兩個條件。 (1)反射光A'不進入影像感測器503，該反射光A'係藉由 來自透鏡501之上光線A在遮光部件502之開口的邊緣部分 之一部分（下文中被稱作摺疊部分）之上表面（面向透鏡之表 面）上反射而獲得，該摺疊部分係在影像感測器5〇3之方向 上摺疊。 160123.doc •20- 201238042 (2)來自透鏡501之下光線b不在遮光部件5〇2之開口的邊 緣表面上反射且其透射通過遮光部件5〇2之開口。用於連 接金屬線504之結合墊經配置以使得透射通過遮光部件5〇2 之開口的下光線B不入射於該等墊上。 在此’在以下描述中，假定透鏡5〇1之有效直徑為 「Rj，遮光部件502之開口直徑為「[」，透鏡501與遮光部 件502之間的距離（焦距）為r H」，摺疊部分相對於遮光部 件502之角度（下文中被稱作摺疊角）為Γγ」，且遮光部件 502之邊緣表面處藉由模製加工形成之角度（下文中被稱作 交角）為「φ」。此外’假定上光線Α之入射角為_θυ，下光 線Β之入射角為GL’且邊緣表面角度（即，在遮光部件502 之邊緣表面與透鏡501之光軸方向之間形成的角度）為θΜβ 作為上光線Α之入射角的「_θυ」指示相對於光軸方向的參 看圖5解釋的上光線之入射角在相反側上的角度，因此， 給出正負號「-」。 首先’為了滿足條件（1)’必需允許在上光線Α與反射光 Α·之間形成的角度低於9〇。-011。 亦即，如圖16中所展示，當區段ΟΡ係在遮光部件502之 摺豎部分的上表面上在垂直方向上給出時，必需使在上光 線Α與區段〇ρ之間形成的角度/aop滿足以下表達式。 ZAOP<(9O°-0U)/2...(3) 當區段OQ係在遮光部件502之摺疊部分之上表面上在透 鏡501之光軸方向上給出時，必需使在區段〇q與區段〇p之 間形成的角度ZQOP滿足表達式（4)。 160123.doc •21 · 201238042 ZQOP<(9O°-eU)/2+eU=(9O° + 0U)/2...(4) 角度ZQOP等於摺疊角γ且上光線A之入射角-θυ由 arctan{(R-L)/2H}表示，因此，滿足條件（1)應滿足以下表 達式（5)。 y<[90°-arctan{(R-L)/2H}]/2...(5) 接下來，如圖17中展示，滿足上述條件（2)應滿足 ΘΙ^ΘΜ。在此，下光線B之入射角0L由arctan{(R+L)/2H}表 示，因此，滿足條件（2)應滿足以下表達式（6)。 arctan{(R+L)/2H}<0M...(6) 如上所述，滿足條件（1)及條件（2)應滿足表達式（5)及表 達式（6)。 附帶地，必需使邊緣表面角度ΘΜ及摺疊角γ滿足關係 ΘΜ>γ，應在遮光部件502之邊緣表面處形成交角φ以滿足 ΘΜ，γ<φ 0 亦即，當透鏡之有效直徑R、遮光部件502之開口直徑L 及焦距Η藉由上述表達式（5)及表達式（6)確定時，滿足條件 (1)及條件（2)之邊緣表面角度ΘΜ及摺疊角γ確定，因此，將 在遮光部件502之邊緣表面處形成之交角φ的最小值可確 定。 圖18Α至圖18C為解釋在透鏡之有效直徑R、遮光部件 502之開口直徑L(遮光板之開口）及焦距Η確定時交角φ之值 的範圍的圖。 圖18 Α展示在焦距Η為8 mm時交角φ之值的範圍。圖18Β 展示在焦距Η為6 mm時交角φ之值的範圍。圖1 8C展示在焦 160123.doc -22- 201238042 距Η為4 mm時交角φ之值的範圍。 甚至在焦距Η減小且透鏡直徑尺增加時，交角中之值仍在 20至30。之圍中’此特定展示於圖㈣中該等值為器 件可藉由金屬模形成時之值。亦即，當在遮光部件之邊緣 部分處設置摺疊部分時，具有大的邊緣表面角度之遮光部 件可藉由金屬模形成以藉此抑制光斑及重像之產生。 [藉由金屬模形成遮光部件的加工] 接下來，將參看圖19至圖24B來解釋藉由金屬模形成遮 光部件502之上述加工。圖19為解釋藉由金屬模形成遮光
部件之加工的流程圖，且圖2〇A及圖2〇B至圖24八及圖MB 為在形成遮光部件之加工中加工的遮光部件5〇2等之橫截 面圖。 首先在步驟S111中，在將成為遮光部件5〇2之板材料 中形成開口及用於定位之導孔。 圖20A中展示之遮光部件5〇2為（例如）藉由將粉末碳混合 至諸如聚酯之樹脂中而產生的板狀部件。藉由金屬模551 及552切割板狀遮光部件5〇2以便在一個表面（面向影像感 測器之表面）上開口較寬以藉此形成如圖2〇B中展示之開口 5〇2a。此時，同時形成導孔⑼沘。在此，使用單刀刮刀來 切割開口 502a以利用金屬模具552之柔軟性，藉此形成交 角Φ為約30度之開口 5〇2a。 在步驟S112中，按壓開口 5〇2a，使得在遮光部件502之 開口 502a中形成摺疊部分。 亦即，如圖21中展示’藉由金屬模56丨及562按壓開口 160123.doc -23- 201238042 502a以藉此在遮光部件502之開口 5〇2a中形成摺疊部分。 此時，藉由導孔502b相對於金屬模561及562來定位遮光部 件 502。 在步驟S113中’形成用於在影像感測器上支樓遮光部件 502的黏接帶。 如圖22A中展示，黏接帶581包括堆疊起來的保護帶 581a、黏接層581b及保護帶581c。 首先’如圖22B中展示，藉由金屬模591及592在黏接帶 581中形成開口 581d、導孔581e及切口 581f。 接下來，如圖23 A中展示，藉由形成於黏接帶581中之切 口 5 8 1 f來剝掉黏接層5 8 1 b及保護帶5 81 c之不必要部分。 接著，如圖23B中展示，另一保護帶601附接至不必要之 部分經剝掉的黏接帶581之保護帶581c，藉此剝掉保護帶 581c。 以如上所述之方式’形成圖23C中展示之黏接帶58ι。 返回至圖19之流程圖，在步驟S114中，將遮光部件5〇2 與黏接帶581彼此結合。亦即，如圖24A中展示，藉由如圖 24A中展示之黏接層5811?來將遮光部件5〇2之上表面（面向 透鏡之表面）及黏接帶581彼此結合。 接著’在步驟S115中，切割遮光部件502之不必要部 分。亦即’如圖24B中展示’藉由金屬模611及612切割包 括結合至黏接帶581之遮光部件502之導孔502b的不必要部 分，藉此形成遮光部件502之外形。 根據上述加工，有可能形成具有以下形狀之遮光部件， 160123.doc •24- 201238042 其中摺疊部分形成於開口處且交角形成於邊緣表面處。 可藉由蝕刻金屬或其他方法來形成具有類似形狀之遮光 部件，然而，成本極高。另一方面，根據上述加工可藉由 金屬模切割並按壓諸如塑膠之樹脂材料來形成遮光部件， 因此’可價格低廉且大規模地製造遮光部件，此可降低製 造相機模組之成本。 本發明不限於上述實施例且可在不脫離本發明之要旨的 範疇内做各種修改》 此外’本發明可應用以下組態。 (1) 一種固態成像裝置，其包括 一固態成像器件，其光電轉換透鏡所取之光，及 一遮光部件’其遮蔽來自該透鏡之入射於該固態成像器 件上之光的一部分， 其中在該遮光部件之一邊緣表面與該透鏡之一光軸方向 之間形成的角度大於將入射於該遮光部件之一邊緣部分上 之光的入射角。 (2) 上述（1)中所述之固態成像裝置， 其中在該遮光部件之該邊緣表面與該透鏡之該光軸方向 之間形成的角度大於入射角係入射於該遮光部件之該邊緣 部分上之光中最大的光的入射角。 (3) 上述（1)或（2)中所述之固態成像裝置， 其中連接至一基板之金屬線所連接至之墊設置於該固態 成像器件之一光接收表面之一周邊部分處，且 該等墊不配置於藉由該固態成像器件之一表面與該遮光 160123.doc •25· 201238042 部件之該邊緣表面之一虛擬延展表面之間的交點界定的區 域申較接近於該光接收表面之區域上。 (4) 上述（1)或中所述之固態成像裝置， 其中該固態成像器件之光接收表面接收自具有一開口之 該基板的該開口入射的光，且 該開口之一邊緣表面與該遮光部件之該邊緣表面之虛擬 延展表面不相交。 (5) 上述（3)或（4)中所述之固態成像裝置，其進一步包括 一密封部件，其密封該固態成像器件之該光接收表面上 之一間隙， 其中該遮光部件設置於該密封部件之面向該透鏡之一表 面或該密封部件之面向該固態成像器件之一表面上。 (6) 上述（5)中所述之固態成像裝置， 其中該密封部件之一側面與該遮光部件之該邊緣表面之 虛擬延展表面不相交。 (7) 上述（2)中所述之固態成像裝置， 其中該遮蔽部件係藉由在配置於一光學路徑上之一光學 渡光片上印刷一印刷材料一次或多次來形成。 本發明含有與分別在2〇11年2月18日及2〇11年5月ι〇曰在 曰本專利局提出申請之日本優先權專利申請案jp 2〇1卜 033690及JP 2011·1〇5241中所揭示之彼等標的有關的標 的，該等專利申請案之全部内容以引用方式併入本文中。 熟習此項技術者應理解，視設計要求及其他因素而定， 可進行各種修改、組合、子組合及更改，只要該等修改、 160123.doc -26* 201238042 組合、子組合及更改係在所附申請專利範圍或其等效物之 範_内即可。 【圖式簡單說明】 圖1為用於解釋先前技術遮光部件之開口的邊緣表面上 的反射的視圖； 圖2為展示應用了本發明的固態成像器件之外部結構的 實例的視圖； 圖3為用於解釋遮光部件之位置及在其邊緣表面處所成 的角度的視圖； 圖4為用於解釋遮光部件之位置及在其邊緣表面處所成 的角度的視圖； 圖5為用於解釋遮光部件之位置及在其邊緣表面處所成 的角度的視圖； 圖6為用於解釋形成遮光部件之加工的流程圖； 圖7為用於解釋作為遮光部件之印刷材料的印刷的視 圖； 圖8為用於解釋在覆晶結構之基板的開口的邊緣表面上 的反射的視圖； 圖9為展示貞用了本發明的具有覆晶結構之固態成像裝 置的結構實例的視圖； 圖10為展不具有該覆晶結構之固態成像裝置的另一結構 實例的視圖； 圖11為展不實現了無空腔（cavityless)之固態成像裝置的 結構實例的視圖； 160123.doc '27- 201238042 圖丨2為展示實現了無空腔之固態成像裝置的結構實例的 視圖； 圖13為展示實現了無空腔之固態成像裝置的結構實例的 視圖， 圖14為展示實現了無空腔之固態成像裝置的結構實例的 視圖； 圖15為一固態成像裝置的橫截面圖，在該固態成像裝置 中，遮光部件之開口的邊緣部分的周邊係摺疊的； 圖16為用於解釋在遮光部件之摺疊部分的上表面處入射 光之反射的條件的視圖； 圖17為用於解釋在遮光部件之開口的邊緣表面處入射光 之透射的條件的視圖； 圖18A至圖18C展示用於解釋將在遮光部件之開口的邊 緣表面處形成的交角之值的圖； 圖19為用於解釋藉由金屬模形成遮光部件之加工的流程 圖； 圖20A及圖20B為用於解釋藉由金屬模形成遮光部件的 視圖； 圖21為用於解釋藉由金屬模形成遮光部件的視圖； 圖22A及圖22B為用於解釋藉由金屬模形成遮光部件的 視圖； 圖23A至圖23C為用於解釋藉由金屬模形成遮光部件的 視圖；以及 圖24A及圖24B為用於解釋藉由金屬模形成遮光部件的 160123.doc • 28- 201238042 視圖。 【主要元件符號說明】 1 影像感測器 1 a 光接收表面 2 金屬線 — 3 遮光部件 4 紅外線截止濾光片（IRCF) 10 CMOS影像感測器 10a 光接收表面 11 金屬線 12 被動組件 13 遮光部件 31 紅外線截止濾光片（IRCF) 110 CMOS影像感測器 110a 光接收表面 111 基板 112 凸塊 113 底填料 114 密封玻璃 • 115 黏接部件 131 遮光部件 211 玻璃層 212 遮光部件 213 樹脂層 160123.doc -29- 201238042 311 玻璃層 312 遮光部件 313 樹脂層 501 透鏡 502 遮光部件 502a 開口 502b 導孔 503 影像感測器 504 金屬線 551 金屬模 552 金屬模 561 金屬模 562 金屬模 581 黏接帶 581a 保護帶 581b 黏接層 581c 保護帶 581d 開口 581e 導孔 581f 切口 591 金屬模 592 金屬模 601 保護帶 611 金屬模 160123.doc •30 201238042 612 A' A B D dl d2 G H L R Φ γ σ 0L ΘΜ -θυ θυ 金屬模 反射光 上光線 下光線 距離 距離 距離 距離/間隙長度 透鏡與遮光部件之間的距離/焦距 遮光部件之寬度/遮光部件之開口直徑 透鏡之有效直徑 交角 摺疊角 最大誤差 下光線之入射角 邊緣表面角度 上光線Α之入射角 上光線之入射角 160123.doc -31

Claims (1)

  1. 201238042 七、申請專利範圍： 1. 一種固態成像裝置，其包含： 一固態成像器件，其光電轉換一透鏡所取之光；及 遮光部件，其遮蔽來自該透鏡之入射於該固態成像 器件上之光的一部分， 其中在該遮光部件之一邊緣表面與該透鏡之一光軸方 向之間形成的一角度大於將入射於該遮光部件之一邊緣 部分上之光的一入射角。 2. 如請求項1之固態成像裝置， 其中在該遮光部件之該邊緣表面與該透鏡之該光軸方 向之間形成的§亥角度大於入射角係入射於該遮光部件之 該邊緣部分上之光《^最大的光的該入射角。 3 .如請求項2之固態成像裝置， 其中連接至一基板之金屬線所連接至之墊設置於該固 態成像器件之一光接收表面之一周邊部分處，且 該等墊不配置於藉由該固態成像器件之一表面與該遮 光部件之該邊緣表面之一虛擬延展表面之間的一交點界 定的區域中較接近於該光接收表面之一區域上。 4. 如請求項2之固態成像裝置， 其中5亥固態成像器件之該光接收表面接收自具有一開 口之該基板的該開口入射的光，且 該開口之一邊緣表面與該遮光部件之該邊緣表面之該 虛擬延展表面不相交。 5. 如請求項2之固態成像裝置，其進一步包含： 160123.doc 201238042 一密封部件，其密封該固態成像器件之該光接收表面 上之一間隙， 其中該遮光部件設置於該密封部件之面向該透鏡之一 表面或該密封部件之面向該固態成像器件之一表面上。 6. 如請求項5之固態成像裝置， 其中該密封部件之一側面與該遮光部件之該邊緣表面 之該虛擬延展表面不相交。 7. 如請求項2之固態成像裝置， 其中該遮蔽部件係藉由在配置於一光學路徑上之一光 學渡光片上印刷一印刷材料一次或多次來形成。 160123.doc -2 -
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9952361B2 (en) 2012-12-03 2018-04-24 Fujifilm Corporation IR cut filter, method for manufacturing the same, and solid-state imaging device

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012174799A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Sony Corp 固体撮像装置および製造方法
JP2012174800A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Sony Corp 半導体装置、製造装置、及び製造方法
JP5930263B2 (ja) * 2011-02-18 2016-06-08 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP5794020B2 (ja) * 2011-07-27 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR101849223B1 (ko) * 2012-01-17 2018-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
WO2014087900A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 富士フイルム株式会社 固体撮像素子用保持基板及びその製造方法、固体撮像装置
JP2014116358A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Sony Corp 半導体装置および電子機器
WO2014148291A1 (ja) * 2013-03-19 2014-09-25 コニカミノルタ株式会社 レンズアレイユニット、撮像装置、レンズアレイユニットの製造方法、及び撮像装置の製造方法
KR101630009B1 (ko) * 2013-03-29 2016-06-13 삼성전기주식회사 카메라 모듈
WO2014175460A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
JP6098333B2 (ja) * 2013-04-30 2017-03-22 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
EP2814064B1 (en) * 2013-06-10 2020-11-25 Nxp B.V. Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package
JP2015019143A (ja) 2013-07-09 2015-01-29 ソニー株式会社 撮像装置、およびカメラシステム
US9608020B2 (en) * 2013-10-23 2017-03-28 Kyocera Corporation Imaging element mounting substrate and imaging device
JP2015099262A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラモジュール、並びに電子機器
CN204651317U (zh) * 2014-06-10 2015-09-16 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 包括光学传感器芯片的电子设备
CN112904643B (zh) 2014-12-29 2023-03-31 Lg伊诺特有限公司 透镜移动装置
JP6204610B2 (ja) * 2015-06-18 2017-09-27 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
US10546888B2 (en) 2015-10-09 2020-01-28 Sony Corporation Solid-state imaging device package and manufacturing method, and electronic apparatus
CN105244360B (zh) * 2015-10-29 2019-02-26 苏州晶方半导体科技股份有限公司 感光芯片封装结构及其封装方法
US10750060B2 (en) 2016-03-31 2020-08-18 Sony Corporation Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus
JP6835485B2 (ja) * 2016-05-31 2021-02-24 東芝テック株式会社 スキャナ装置
US10451863B2 (en) * 2016-08-05 2019-10-22 Verily Life Sciences Llc Interposer for integration of multiple image sensors
CN109891870B (zh) * 2016-08-12 2021-05-04 宁波舜宇光电信息有限公司 基于一体封装工艺的摄像模组和阵列摄像模组
TWI600928B (zh) * 2016-09-30 2017-10-01 光寶電子（廣州）有限公司 濾光片總成及具有該濾光片總成的相機模組
CN106534652A (zh) * 2016-12-26 2017-03-22 努比亚技术有限公司 一种镜头模组、镜头以及终端
JP2018125672A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子部品、カメラモジュール及び電子部品の製造方法
CN206920792U (zh) * 2017-04-15 2018-01-23 瑞声科技(新加坡)有限公司 镜头模组
CN206671650U (zh) * 2017-04-15 2017-11-24 瑞声科技(新加坡)有限公司 一种成像镜头
KR102350605B1 (ko) * 2017-04-17 2022-01-14 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP2018200980A (ja) * 2017-05-29 2018-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器
JP2018200423A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、および電子機器
JP2019040892A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器
US11296136B2 (en) 2017-08-29 2022-04-05 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging apparatus and manufacturing method for imaging apparatus
CN109510925A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组
CN109585464A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件和制造方法
CN113485054B (zh) * 2017-09-28 2022-12-06 宁波舜宇光电信息有限公司 减少杂散光的摄像模组及其感光组件
TWI706180B (zh) * 2017-09-28 2020-10-01 大陸商寧波舜宇光電信息有限公司 減少雜散光的攝像模組及其感光組件和電子設備
CN109870751A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 三赢科技（深圳）有限公司 挡光元件、挡光元件的制作方法及镜头模组
CN108447882A (zh) * 2018-04-20 2018-08-24 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
CN108364970A (zh) * 2018-04-20 2018-08-03 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
US20210321025A1 (en) * 2018-08-21 2021-10-14 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded photosensitive assembly and manufacturing methods thereof, and electronic device
JP2020036216A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
CN109273474B (zh) * 2018-10-22 2024-05-10 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种感光芯片封装结构及其封装方法
US11453366B2 (en) * 2018-11-06 2022-09-27 Motherson Innovations Company Limited Heatable device for use with a vehicle-mounted image acquisition unit
US10872915B2 (en) * 2019-01-22 2020-12-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical package structure and method for manufacturing the same
JPWO2020166194A1 (ja) * 2019-02-15 2021-12-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
US20220181369A1 (en) * 2019-03-08 2022-06-09 Dexerials Corporation Method of manufacturing connection structure, connection structure, film structure, and method of manufacturing film structure
TWI737978B (zh) 2019-03-29 2021-09-01 大立光電股份有限公司 成像鏡頭模組及電子裝置
CN111751954A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 三营超精密光电(晋城)有限公司 镜头模组及具有该镜头模组的电子装置
TWI696857B (zh) 2019-04-29 2020-06-21 大立光電股份有限公司 含有塑膠鏡筒的成像鏡頭模組及電子裝置
CN111863843B (zh) * 2019-04-30 2024-03-01 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构及其感测模块
TWI704404B (zh) 2019-05-15 2020-09-11 大陽科技股份有限公司 相機模組與電子裝置
KR102185047B1 (ko) 2019-05-20 2020-12-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈
CN110429094A (zh) * 2019-08-09 2019-11-08 德淮半导体有限公司 一种摄像头模组封装结构及其制作方法
DE102019212544A1 (de) * 2019-08-22 2021-02-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Kameramodul und Kraftfahrzeug
TWI707188B (zh) 2019-09-18 2020-10-11 大立光電股份有限公司 相機模組與電子裝置
KR102460593B1 (ko) * 2019-12-27 2022-10-28 주식회사 센소허브 내방사선 특성을 갖는 이미지 센서 패키지
US11710945B2 (en) 2020-05-25 2023-07-25 Apple Inc. Projection of patterned and flood illumination
US11699715B1 (en) * 2020-09-06 2023-07-11 Apple Inc. Flip-chip mounting of optoelectronic chips
CN112415645A (zh) * 2020-11-20 2021-02-26 广州市佳禾光电科技有限公司 滤光片及摄像头组件
JP2021064422A (ja) * 2021-02-01 2021-04-22 東芝テック株式会社 スキャナ装置
TWI753795B (zh) 2021-02-09 2022-01-21 大立光電股份有限公司 成像鏡頭、相機模組與電子裝置
TWI782857B (zh) * 2022-01-18 2022-11-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
WO2023190837A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 株式会社カネカ 固体撮像装置及びその製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239465A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Nec Corp 二次元ｃｃｄ
JP2684861B2 (ja) 1991-03-01 1997-12-03 日本電気株式会社 固体撮像装置
JPH0538916U (ja) * 1991-10-25 1993-05-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
JPH0677448A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Sony Corp 固体撮像装置
JPH0888339A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像素子
JP5140895B2 (ja) * 2000-01-21 2013-02-13 株式会社ニコン 固体撮像装置
JP3880278B2 (ja) * 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2002261260A (ja) 2001-02-28 2002-09-13 Nikon Corp 固体撮像装置
JP2004214495A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Innotech Corp トランジスタとそれを用いた半導体メモリ、および半導体メモリの製造方法
JP4306265B2 (ja) * 2003-02-04 2009-07-29 株式会社ニコン 固体撮像装置
JP4485151B2 (ja) * 2003-05-30 2010-06-16 パナソニック株式会社 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置。
JP2005352314A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Canon Inc 撮像装置および電子機器
JP4365743B2 (ja) * 2004-07-27 2009-11-18 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 撮像装置
JP2006222249A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Canon Inc 固体撮像素子パッケージ
JP2006303589A (ja) 2005-04-15 2006-11-02 Ricoh Co Ltd 画像読取ユニット、画像読取装置および画像形成装置
JP4950542B2 (ja) * 2006-04-07 2012-06-13 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4924941B2 (ja) * 2006-10-13 2012-04-25 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 光学素子、照明光学装置、表示装置および電子機器。
JP2008148222A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
JP2008193441A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス及びその製造方法
JP2008263550A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
CN100546026C (zh) * 2007-04-29 2009-09-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像摄取装置
US8120128B2 (en) * 2007-10-12 2012-02-21 Panasonic Corporation Optical device
JP2009111334A (ja) * 2007-10-12 2009-05-21 Panasonic Corp 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス
JP4543072B2 (ja) 2007-10-24 2010-09-15 シャープ株式会社 ケース部材、センサモジュールおよび電子情報機器
US20090321861A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with stacked lens assemblies and processes for wafer-level packaging of microelectronic imagers
JP2010040672A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100982270B1 (ko) * 2008-08-08 2010-09-15 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조 방법
JP2010161140A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011054925A (ja) * 2009-01-14 2011-03-17 Panasonic Corp 光学デバイス、固体撮像装置、及び方法
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5197421B2 (ja) * 2009-02-17 2013-05-15 新光電気工業株式会社 カメラモジュール
JP2010283597A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Toshiba Corp 半導体撮像装置
JP5489543B2 (ja) * 2009-06-09 2014-05-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置
KR20110001659A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 삼성테크윈 주식회사 카메라 모듈
JP2011048303A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Sharp Corp 光学素子モジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP2011060974A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Canon Inc 固体撮像装置及びデジタルカメラ
JP5930263B2 (ja) * 2011-02-18 2016-06-08 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2012174799A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Sony Corp 固体撮像装置および製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9952361B2 (en) 2012-12-03 2018-04-24 Fujifilm Corporation IR cut filter, method for manufacturing the same, and solid-state imaging device
TWI627450B (zh) * 2012-12-03 2018-06-21 日商富士軟片股份有限公司 紅外線截止濾波器的製造方法、固體攝影裝置、遮光膜的形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120211852A1 (en) 2012-08-23
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KR102064109B1 (ko) 2020-01-08
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US20160307951A1 (en) 2016-10-20
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CN107240591B (zh) 2020-10-20
US8786041B2 (en) 2014-07-22
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US9799692B2 (en) 2017-10-24
US10319763B2 (en) 2019-06-11

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