TW201230407A - Method of fabricating light emitting diode package and light emitting diode device - Google Patents

Method of fabricating light emitting diode package and light emitting diode device Download PDF

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Description

201230407 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種半導體元件及其製作方法，且特 別是有關於發光二極體封裝結構的製作方法以及發光二 極體元件。 【先前技術】 對發光二極體的P/N接面施加電壓可使發光二極體 發光。發光二極體元件可廣泛地使用在各種應用中，例 如指示器（indicator)、招牌、光源、以及其他種類的照 明7L件。可製作並進-步封裝發光二極體元件以用於各 種應用。-般而言，發光二極體的封裝方法包括將多個 發光二極體晶片分別接合至封裝基板，然而，當發光二 極體晶片的尺寸縮小時，這種封裝方法並不符合成本效 益並且存在許多製程上的挑戰。舉例來說，隨著發光二 極體晶片的尺寸日小，以打線接合的方式電性連接 發光二極體晶片與對應的封裝基板變得愈來愈困難，而 這限制了打線接合製程在小尺寸的發光二極體晶片的應 用。再者，用以互相連接的打線接合製程為一連續製程 (sequential process)，隨著打線接合的數量增加，該連 續製程所需的組裝時間（assem吻time )會隨之增加。此 外，打線的長度會降低發光二極體封裝的電性與光學特 性。因此，亟需一種可電性連接小尺寸的發光二極體並 同時可減少製程時間與製作成本的發光二極體封裝結構 及其製作方法。 〇503-A35884TWF/chiauJln 4 201230407 【發明内容】 本發明一實施例提供一種製作發光二極體封裝結構 的方法，包括將多個彼此分離的發光二極體晶片接合至 一基板，其中各發光二極體晶片包括一 n型摻雜層、一 量子井主動層、以及一 p型摻雜層；於彼此分離的發光 一極體晶片與基板上沉積一隔離層；蝕刻隔離層以形成 多個導孔開口，從而暴露出各發光二極體晶片的局部以 及部分的基板；形成多個電性連接結構於隔離層上以及 導孔開口中以電性連接各發光二極體晶片的n型摻雜層 與P型摻雜層之一與基板；以及將彼此分離的發光二極 體晶片與基板切割成多個發光二極體封裝結構。 本發明另一實施例提供一種製作發光二極體封褒结 構的方法，包括提供多個彼此分離的發光二極體晶片， 其中各發光二極體晶片包括位於一成長基板上的一 η型 摻雜層、一量子井主動層、一 ρ型摻雜層與一 ρ型接觸 金屬層；將彼此分離的發光二極體晶片的ρ型接觸金屬 層接合至一基板；自彼此分離的發光二極體晶片移除成 長基板；沉積一隔離層於彼此分離的發光二極體晶片與 基板上；蝕刻隔離層以形成多個導孔開口，從而暴露出' 各發光二極體晶片的多個部份以及基板的多個部分冗 積一内連線層於隔離層與導孔開口上，以形成多個電= 連接結構於各發光二極體晶片的η型摻雜層與義板 間；於各發光二極體晶片上形成一螢光粉層與一^鏡· 以及將彼此分離的發光二極體晶片與基板切割成多=發 0503-A35884TWF/chlaulin 5 201230407 光二極體封裝結構。 本發明又一實施例提供一種發光二極體元件，包括 基板，包括一接點與一電極；一發光二極體晶片，經 由接點接合至基板；一隔離層，配置於發光二極體晶片 與基板上，其中隔離層包括多個導孔開口以暴露出發光 二極體晶片的多個部分與基板的電極；以及一内連線 層，配置於隔離層與導孔開口上，以電性連接發光二極 體晶片與基板的電極。 【實施方式】 ^為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 說明如下。 可以了解的是，下述内容將提供許多不同的實施 例，或是例子，以實施不同實施例的不同的特徵。成分 (或^件）與排列的特定例子如下所述以簡化本揭露 書。當然，在此僅用以作為範例，並非用以限定本發明。 本揭露書在不同實施例中可能使用重複的標號及/或標 示。此重複僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所^ 論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。 第1-5圖繪示本發明一或多個實施例之一具有發光 和體a曰片的半導體結構1 〇〇在各晶圓級封裝步驟的剖 面圖。第6圖繪示本發明之一實施例之一發光二極體的 剖面圖。請參照第卜6圖，在此一併描述半導體結構100 及其製作方法。 0503-A35884TWF/chiaulin 6 201230407 請參照第1圖，半導體結構100包括多個發光二極 體晶片102’這些發光二極體晶片1〇2係接合一晶圓級的 封裝基板106。在本實施例中，係以二個發光二極體晶片 102a、102b為例。各發光二極體晶片1〇2包括一發光二 極體112與一承載基板114。 發光二極體112包括一 η型摻雜半導體層與一 p型 摻雜半導體層，η型摻雜半導體層與ρ型摻雜半導體層構 成一 ΡΝ接面，以於運作時發光。於本實施例中，發光二 極體112更包括一多重量子井（multipie quantum well， MQW)夾於PN接面中，以調整特性與提昇性能。各發 光二極體晶片102更包括一頂電極116(例如一 η型接點） 與一底電極（例如一 ρ型接點）118，其分別連接至η型 與Ρ型摻雜半導體層。 承載基板114鄰近底電極118。在一實施例中，承载 基板114為一重度摻雜矽基板，其係用以提供發光二極 體曰曰片機械強度、電性輕接路徑與導熱路徑。發光二極 體晶片102可更包括一額外的導電層12〇(亦可稱為一第 一 Ρ型接點），材質例如為金屬.，以於晶圓級封裝製程 中降低接觸阻抗並提升與封裝基板1〇6的接合 (bonding effect)。 封裝基板106包括一矽晶圓126。封裝基板1〇6更包 括分別形成於矽晶圓126的頂面與底面上的薄介電膜 1M、130。薄介電膜128、13〇可包括氧化矽、氮化矽、' 氮氧化碎、碳化碎、類鑽碳（diamoncMikeearbon)、或 其他適合的介電材料。在本實施例中，薄介電膜128、130 0503-A35884TWF/chiaulin 201230407 包括氧化矽，其形成方法包括熱氧化法、化學氣相沉積 法、或其他適合的方法。 各種穿石夕導孔（through-silicon vias’ TSVs) 132 形 成於矽晶圓126中，以電性連接發光二極體晶片102的 電極。在一實施例中，穿矽導孔132包括導電材料，例 如銅或其他適合的金屬/金屬合金。可以一包括蝕刻步驟 與沈積步驟的製程形成穿矽導孔132。沈積的方法可包括 物理氣相沈積、電鍍、前述之組合、或其他適合的方法。 穿矽導孔132可更包括一薄介電材料層134,其形成 於導孔的側壁上以電性分隔穿矽導孔132與矽晶圓126。 薄介電材料層134可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、 碳化矽、類鐵碳、或其他適合的介電材料。在本實施例 中，薄介電材料層134包括氧化矽，且其形成方法包括 熱氧化法、化學氣相沉積法、或其他適合的方法。 在另一實施例中，可蝕刻矽晶圓126以形成多個溝 槽/導孔；將薄介電材料層134形成在溝槽/導孔的侧壁 上；將一銅晶種層形成在薄介電材料層134上；之後， 進行一電鍍製程以形成穿矽導孔132。在另一實施例中， 薄介電膜128/130與薄介電材料層134包括相似的材料並 以相同的製程同時形成，例如熱氧化製程或化學氣相沉 積製程。 封裝基板106更包括各種位於矽晶圓丨26的頂面與 底面上的金屬結構136、138。金屬結構136、138分別沉 積於薄介電膜128、130上。金屬結構136、138經由穿 矽導孔132彼此耦接。在封裝階段（packaginglevel)中， 0503^A35884TWF/chiaulin 8 201230407 金屬結構138係作為發光二極體晶片102的電極。具體 而言，底電極118經由導電層120、一金屬結構136、與 一穿矽導孔132而電性耦接至對應的金屬結構138。 發光二極體晶片102經由導電層120與金屬結構136 的一子集（subset)接合至矽晶圓126。因此，金屬結構 136的該子集亦可稱為封裝基板上的接點（bonding contact)。可適當地選擇導電層120與金屬結構136以 使其可共晶接合（eutectic bonding )或是以其他適合的接 合機制接合。在多個實施例中，金屬結構136、138包括 導電與導熱性質良好的金屬或金屬合金，且其亦需具有 良好的接合特性，例如金、金合金、銅、銅合金、鎳、 錄合金、翻、始合金、欽、欽合金、或前述之組合。 在另一實施例中，金屬結構136、138與穿矽導孔132 同時於相同的步驟中形成。舉例來說，可蝕刻矽晶圓126 以形成溝槽/導孔；在溝槽/導孔的侧壁與矽晶圓126的表 面上形成一薄介電材料層，從而產生薄介電材料層134 與薄介電膜128、130 ;然後，以物理氣相沉積的方式在 溝槽/導孔的側壁與矽晶圓126的表面上形成一銅晶種 層；在銅晶種層上形成一圖案化光阻層，以定義出用以 形成金屬結構136、138的區域；以及進行一銅電鍍製程 (copper plating process )以形成穿石夕導孔132與金屬結 構136、138。之後，移除圖案化光阻層。 請參照第2圖，於發光二極體晶片102與封裝基板 106上沉積一隔離層（isolation layer) 140。具體而言， 隔離層140覆蓋發光二極體晶片102的頂電極116與封 0503-A35884TWF/chiaulln 9 201230407 裝基板106的金屬結構136以達到隔離與保護的效果。 在一實施例中，隔離層140是共形（conformal )的結構 並具有單一厚度。在另一實施例中，隔離層140包括氧 化矽、氧化鋁、或其他適合的介電材料（例如一介電材 料，其相對於發光二極體元件112所發出的光是透明 的），其形成方法為化學氣相沉積法或其他方法。 請參照第3圖，圖案化隔離層140以形成各種導孔 開口（或開口）142，導孔開口暴露出頂電極116與金屬 結構136以作為導電佈線（electrical routing)。在一實 施例中，圖案化隔離層140的方法包括微影製程與蝕刻 製程。圖案化隔離層140的方法可為任何適合的微影製 程與蝕刻製程。舉例來說，圖案化隔離層140的表面的 方法包括利用一連續的製程來進行圖案化，該連續的製 程包括圖案化光阻、蝕刻、與剝除光阻（photoresist stripping )。在又一實施例中，圖案化光阻的方法包括光 阻塗佈、軟烤、曝光圖案、曝光後烘烤（post-exposure baking)、光阻顯影、與硬烤。蝕刻製程可包括乾蝕刻， 例如含氟電漿钱刻（fluorine-containing plasma etching )。 或者是，蝕刻製程包括濕式蝕刻，例如當隔離層140為 氧化矽材質時可使用氫氟酸溶液。在另一實施例中，可 採用微影圖案化法或是以其他適合的方法替換微影圖案 化法，例如無罩幕微影法（maskless photolithography)、 電子束寫入（electron-beam writing)、離子束寫入、以 及分子拓印（molecular imprint)。 請參照第4圖，在隔離層140上並在開口 142中形 0503-A35884TWF/chiaulln 10 201230407 成一内連線結構（interconnect feature ) 144，以接觸頂電 極116與金屬結構136。内連線結構144經由金屬結構 136與對應的穿矽導孔132而耦接頂電極116與對應的金 屬結構138。内連線結構144提供由發光二極體晶片102 的電極至封裝基板上的金屬結構138的導電佈線，因此， 内連線結構144亦可稱為重佈線路（re-distribution lines，RDLs)或微内連線（micro-interconnect)。因此， 在封裝階段中，金屬結構138可作為電極。内連線結構 144可為金屬層或是透明導電層，例如銦錫氧化物 (indium tin oxide，ITO)或銦鋅氧化物（indium zinc oxide，IZO )。在形成内連線結構144的過程中，可在 隔離層140上沉積一阻障層（其材質例如為鈦）以及一 金屬晶種層（其材質例如為銅）。可在金屬晶種層上形 成一光阻層，並進行一微影製程以圖案化該光阻層，之 後，藉由該圖案化光阻層蝕刻該金屬晶種層，並進行金 屬電鍍製程以定義出作為微内連線的重佈線路。内連線 結構144可以一均勻的厚度覆蓋隔離層。 請參照第5圖，將螢光粉（phosphor ) 146配置在發 光二極體晶片102的周圍，以改變發光波長。在一實施 例中，可在内連線結構144與隔離層140上形成埋置於 一塗層材料（coating material)中的螢光粉。螢光粉塗層 的沉積方法可為利用一罩幕或是以網版印刷的方式形成 一表面螢光粉層，以僅覆蓋位於發光二極體晶片102的 頂面上的内連線結構144與隔離層140。或者是，螢光粉 塗層的沉積方法可為利用一喷霧製程（spray process )形 0503^A35884TWF/chlaulin 11 201230407 成一共形的螢光粉層，其以均勻的厚度覆蓋位於發光二 極體晶片的頂面與側壁上的内連線結構與隔離層。 請再次參照第5圖，在螢光粉塗層上形成一透鏡 148’以進一步調整發出之光線所構成的發光圖案的形狀 並提升發光效率。在一實施例中，透鏡148的材質包括 環氧樹脂、矽樹脂（siHcone)或其他適合的材料。在一 實施例中，透鏡的製作方法包括配置一透鏡模具nens molding)於發光二極體晶片上、將矽樹脂注入透鏡模具 中、以及固化注入的梦樹脂。 將發光二極體晶片與矽基板切割成多個獨立的發光 二極體封裝結構，以完成晶圓級封裝製程。分離的發光 二極體封裝結構包括與切割過的封裝基板1〇6接合的獨 立的發光二極體晶片1〇2。 第6圖繪示本發明一實施例之封裝於半導體結構10〇 中的發光一極體112的剖面圖。發光二極體112包括一 p 型摻雜半導體層152與一 摻雜半導體層154，其中p 型摻雜半導體層152與11型掺雜半導體層154構成一 接面，以於運作的過程中發光。在一實施例中，p型摻雜 半導體層152與n型摻雜半導體層154分別包括推雜的 鈕化鎵（GaN)層。 發光二極體112更包括一多重量子井156插置於n 里摻雜半導體層與P型摻雜半導體層之間，以調整發光 一極體的特性與提昇性能。多重量子井156包括一由交 替堆疊的二半導體材料膜158、160所構成的膜堆。在一 實施例中’半導體材料膜158、議分別包括氣化銦錄 0503-A35884TWF/chiaulin 201230407 (indium gallium nitride，InGaN)與纽化鎵。半導體層 可以適合的遙晶成長方法形成。在一實施例中，蟲晶半 導體層可以金屬有機化學氣相沉積法（metal organic chemical vapor deposition » MOCYD)沉積而得。 以下將介紹一實施例的發光二極體晶片l〇2的形成 方法，其可稱為一 v流程（v-fl〇w )。在v流程中，發光 一極體112形成在一成長基板（growth substrate )上，成 長基板的材質例如為藍寶石。或者是，成長基板的材質 包括碳化矽、矽、或其他材料。發光二極體112包括沉 積於成長基板上的蠢晶半導體層’其形成方法例如為金 屬有機化學氣相 >儿積法或是其他適合的沉積製程。沉積 的磊晶層可包括一未摻雜的鈕化鎵層（un_d〇ped GaN layer，un-GaN)、一 η 型摻雜鈕化鎵層（n_GaN)、一 多重量子井主動層、以及—P型摻雜组化鎵層（p-GaN)。 發光一極體可依據遙晶層@電性連接方式而具有不 同的結構以及不同的製程步驟。在本實施射，p型推雜 钽化鎵層與η型摻雜钽化鎵層的接點金屬化（c〇ntact metallization)可位於發光二極體的相對兩侧上。對應的 發光二極體晶片係稱為垂直型晶片（verticaldi〇。另外， 一般而言，會在發光二極體被切割成彼此分離的晶片之 前移除成長基板。為預備切割發光二極體，可在p型接 觸金屬層上配置一重度摻雜的矽基板以作為承載基板 114。然後’可將導電層（第二p型接觸金屬層）12〇沉 積於重度掺雜㈣層上’之後’移除成長基板。就藍寶 石成長基板而言，移除成長基板的方法可包括利用雷射 0503-A35884TWF/chiaulln 13 201230407 剝除（iaseriift_off，LL0)法。對矽基（si】ic〇n_based) 的成長基板而言’移除方法可為乾式或濕式蝕刻法。可 以同樣的方法移除未摻雜的鈕化鎵層。移除成長基板與 未摻雜的鈕化鎵層可暴露出n型摻雜鈕化鎵層。然後， 將頂電極（η型接觸金屬層）116沉積在暴露出的;;型播 雜鈕化鎵層上。將發光二極體與重度摻雜矽層切割成多 個彼此分離的發光二極體晶片1〇2。 第7-8圖繪示本發明另一實施例之具有發光二極體 晶片的半導體結構166在各晶圓級封裝步驟的剖面圖。 請參照第7圖與第8圖’以下將介紹半導體結構166及 其製作方法。 清參…、第7圖，半導體結構^ %相似於半導體結構 1〇〇 ’兩者差異之處在於半導體結構166的發光二極體晶 片102沒有承載基板。具體而言，半導體結構166的發 光二極體晶片1〇2各包括一發光二極體112、一頂電極 116、以及底電極118。在本實施例中，頂電極ιΐ6接觸 發光二極體112的η型摻雜半導體層，底電極118接觸 發光二極體112 & ρ型摻雜半導體層。發光二極體晶片 102經由底電極118與金屬結構（接點）136接合至封裝 基板106。發光二極體晶片1〇2可藉由一稱為i流程 (i-flcm)的製程形成。舉例來說，在i流程中形成垂直 型晶片’在p型接觸金屬層_之後並在移除成長基板 之前，切割成長基板上的發光二極體的磊晶層以形成多 個彼此分離的晶片。只有在彼此分離的晶片接合至封裝 基板106之後才會移除成長基板。在移除成長基板與^ 0503-A35884IWF/chiaulin 14 201230407 摻雜鈕化鎵層（un_GaN)之後，頂電極（n型接點金屬層） 116沉積在發光二極體112的η型掺雜鈕化鎵層上，以形 成發光二極體晶片的一 η型接點。 °月參照第8圖，隨後用以形成重佈線路144的製程 步驟相似於第2圖至第5圖之對應的製程步驟。具體而 3，在發光二極體晶片1〇2與封裝基板上沉積一隔 離層140。隔離層14〇覆蓋發光二極體晶片1〇2與封裝基 板106以達到隔離與保護的功效。在一實施例中，隔離 層140包括氧化鋁（Α!2〇3)、氧化碎、或其他適合的介 電材料，其係於塗佈（c〇ating )或印刷製程中沉積而成。 圖案化隔離層140以形成各種導孔開口，其暴露出 頂電極116與金屬結構136以作為導電佈線。在一實施 例中，圖案化隔離層14〇的方法包括微影製程與蝕刻製 程。 ’、 一内連線結構144形成於隔離層14〇上以及開口 中，以接觸頂電極116與金屬結構136。内連線結構144 頂電極116並經由金屬結構136與穿梦導孔132而 耦接至對應的金屬結構138。㈣隸構144提供由發 二極體晶片1G2的電極至封裝基板上的電極138的^ 佈線。内連線結構144可為—金屬層或是—透明導電層， 例如銦錫氧化物或銦鋅氧化物。 赏尤粉146配置在發光 圍’以改變發光波長。/ — Γ a 1G2的周 與隔離層⑽上形成埋置於一 線先;構 榮光粉塗層的沉積方法可為則-罩幕或是《網版^刷 0503^A35884TWF/chiauUn 15 201230407 =方式形成-表面螢光粉層，以僅覆蓋位於發光二極體 曰s曰片102的頂面上的内連線結構144與隔離層刚。或者 疋’螢光粉塗層的沉積方法可為利用—喷霧製程形成一 -形的螢光粉層，以覆蓋位於發光二極體晶片的頂面與 側壁上的内連線結構與隔離層。 在螢光粉塗層上形成—透鏡148，透鏡148具有一形 狀以提升發光效率。透鏡148的製作方法包括配置—透 鏡模具於發光二極體晶片上、將梦樹脂注入透鏡模具 中、以及固化注入的碎樹脂。 將發光二極體晶片1〇2與封裝基板1〇6切割成多個 獨立的發光二極體封裝結構，以完成晶圓級封裝製程。 分離的發光二極體封裝結構包括獨立的發光二極體晶片 102，其與封裝基板ι〇6接合。 雖然前述多個實施例已介紹具有晶圓級的發光二極 體晶片封裝結構的半導體結構及其製作方法，但也可在 不偏離本發明的精神下對前述實施例作出取代或是修 改。在另—實施例中，發光二極體晶片的另-種結構包 括一水平式晶片（h〇dzontaldie)，亦通稱為正面型發光 二極體（faCe-upLED)。在正面型發光二極體（以叙化 鎵發光二極體為例）巾，P型摻雜叙化鎵層與η型摻雜鈕 化鎵層的接點金屬化會位於發光二極體的同一側上。在 一實施例中，可以一曝光顯影製程圖案化與钱刻η型摻 雜组化鎵層與多重量子井層，以暴露出部分Ρ型摻雜鈕 化鎵層。形成-金屬插塞（metaiplug)，以接觸Ρ型播 雜鈕化鎵層並提供一 p型接點（p_contact)或是一 P型電 0503-A35884T^VF/chiaulin 16 201230407 光二極體的同—側上亦形成n型電極，以連接η 接鎵層。再者’可根據Ρ型接點與η型接點連 宏5 土板106之金屬結構138所需的導電佈線而圖 案化隔離層140與内連線結構144。 在另f施例中，接合發光二極體晶片至封裝基板 、法亦匕括形成一導熱路徑（如刪！議_加 Path) ’以將彼此分離的發光二極體晶片所產生的熱能導 ，。在又-實施例中，在將多個彼此分離的發光二極體 晶片102切割成多個發光二極體封裝結 裝基板106。在另-實施例中，每-對金屬結構二138 可藉由不只—個穿梦導1 132而彼此_。在—發光二 極體晶片的實施例中，可對調n型摻雜層與p型摻：層， 如此-來’則頂電極接觸p型摻雜層而底電極接觸 掺雜層。 、因此，本發明提供一種製作發光二極體封裝結構的 :法。該方法包括將多個彼此分離的發光二極體晶片接 5^基板其令各發光二極體晶片包括一n型推雜層、 -篁子井主動層、以及—ρ型摻雜層。該方法更包括於 彼此分離的發光二極體晶片與基板上沉積—隔離層，以 及姓刻隔離層以形成多個導孔開σ，從而暴露出各發光 二極體晶片的局部以及部分的基板。該方法亦包括开$ 多個電性連接結構於隔離層上以及導孔開口中，以電性 連接各發光二極體晶片的η型摻雜層與ρ型摻雜層其中 之一與基板。將彼此分離的發光二極體晶片與基板^刀 成多個發光二極體封裝結構。 刀D, 0503-A35884IWF/chiaulin 17 201230407 在本實施例中，將彼此分離的發光二極體晶片接合 至基板的步驟包括將彼此分離的發光二極體晶片其中之 一的一 p型接觸金屬層接合至一位於基板上的接點，其 中P型接觸金屬層電性連接彼此分離的發光二極體晶片 的P型摻雜層。將彼此分離的發光二極體晶片接合至基 板的步驟包括將彼此分離的發光二極體晶片的P型摻雜 層電性連接至接點。將彼此分離的發光二極體晶片接合 至基板的步驟可包括將彼此分離的發光二極體晶片其中 之一的一電極接合至一位於基板上的接點。基板包括多 個穿矽導孔，且各穿矽導孔耦接η型摻雜層與P型摻雜 層其中之一。 在另一實施例中，將彼此分離的發光二極體晶片接 合至基板的步驟包括形成一導熱路徑，以將熱能自彼此 分離的發光二極體晶片其中之一導出。在又一實施例 中，將彼此分離的發光二極體晶片接合至基板的步驟包 括將彼此分離的發光二極體晶片其中之一的一成長基板 接合至一位於基板上的接點。形成電性連接結構的步驟 可包括沉積一内連線層，並以内連線層填滿導孔開口形 成多個電性導孔至各發光二極體晶片的多個外露部以及 基板的多個外露部。 在另一實施例中，沉積内連線層的步驟包括於隔離 層上沉積一阻障層，以及於阻障層上沉積一金屬晶種 層。於金屬晶種層上形成一光阻層，以及圖案化光阻層 以定義出一或多個溝槽，以作為一或多個重佈線路。^ 屬電鍍溝槽以形成一或多個金屬重佈線路並以金屬填滿 0503-A35884TWF/chiaulin 18 201230407 口，以及移除光阻層。在又一實施例中，沉積内 的步驟包括於隔離層上沉積一透明導電層，並以 透明導電層填滿導孔開口。 在另一實施例中，彼此分離的發光二極體晶片其中 ::的多個外露部包括一 n型接點金屬化，基板的多個 卜路部包括-配置於基板上的接點電極，其中沉積内連 ^的步驟包括形成-電性連接結構於n型接點金屬化 '、接點電極之間。彼此分離的發光二極體晶片其中之一 的多個外露部包括—P型接點金屬化，基板的多個外露 部包括-配置於基板上的接點電極，其中沉積内連線 的步驟包括形成-電性連接結構於p型接點金屬化與接
點電極之間。該方法可更包括在將彼此分離的發光H 體晶片接合至基板之後並在沉積隔離層之前，自彼此八 離的發光二極體晶片其中之—移除—成長基板。該方二 可更包括在將彼此分離的發光二極體晶片切割 光二極體封裝結構之前，移除基板。該方法可更包= 形成電性連接結構之後並在切割彼此分離的發光二極體 晶片與基板之前，於各發光二極體晶片上形 層與一透鏡。 九氣 、本發明亦提供另一種製作發光二極體封裴結構的方 法該方法包括提供多個彼此分離的發光二極體晶片 其中各發光二極體晶片包括位於一成長基板上的一 η型 摻雜層、一量子井主動層、一 Ρ型摻雜層與一 ρ型接觸 金屬層。該方法更包括將彼此分離的發光二極體晶片的 型接觸金屬層接合至一基板；自彼此分離的發光二極^ 0503^A35884TWF/chiaulii 19 201230407 晶片移除成長基板；以及沉積一隔離層於彼此分離的發 光二極體晶片與基板上。蝕刻隔離層以形成多個導孔開 口’從而暴露出各發光二極體晶片的多個部份以及基板 的多個部分。沉積一内連線層於隔離層與導孔開口上， 以形成多個電性連接結構於各發光二極體晶片的η型摻 雜層與基板之間。該方法更包括於各發光二極體晶片上 形成一螢光粉層與一透鏡；以及將彼此分離的發光二極 體晶片與基板切割成多個發光二極體封裝結構。 在本實施例中，將彼此分離的發光二極體晶片的ρ 型接觸金屬層接合至基板可使彼此分離的發光二極體晶 片的Ρ型摻雜層電性連接基板。蝕刻隔離層的步驟包括 形成夕個導孔開口以暴露出彼此分離的發光二極體晶片 的η型摻雜層。沉積内連線層的步驟可包括金屬電鍍一 金屬層以填滿導孔開口並形成一電性連接結構於η型摻 雜層〃位於基板上的電極之間。沉積内連線層的步驟 可包括沉積-透明導電層於隔離層上並填滿導孔開口以 形成一電性連接結構於η型摻雜層與一位於基板上的電 極之間。 構包括一基板，包括一接累 片’經由接點接合至基板； 體晶片與基板上，其中隔劍 本發明亦提供-半導體結構的—實施例。半導體結 包括一接點與一電極；一發光二極體晶
0503-A35884TWF/chiaulin 20 201230407 係經由一埋於基板中的穿矽導孔而彼此電性連接。 本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識 者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可做些許的更 動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利 範圍所界定者為準。 0503^A35884TWF/chiauHn 21 201230407 【圖式簡單說明】 第u圖㈣本發明—❹個實施例之— ς極體晶片的半導體結構在各晶圓級封裝步驟的剖面 詩nr示本發明之—或多個實施例之第w圖的半 導體釔構中的一發光二極體的剖面圖。 + 第7-8 _綠示本發明另—實施例之 晶片的半導體結構在各晶圓級封裝步驟的剖面圖。一極體 【主要元件符號說明】 100〜半導體結構； 102、l〇2a、102b〜發光二極體晶片； 106〜封裝基板； 112〜發光二極體、發光二極體元件； 116〜頂電極； 120〜導電層； 128、130〜薄介電膜； 134〜薄介電材料層； 140〜隔離層； 114〜承載基板； 118〜底電極； 126〜矽晶圓； 132〜穿矽導孔； 136、138〜金屬結構； 142〜導孔開口、開口； 144〜内連線結構、重佈線路 146〜螢光粉； 152〜p型摻雜半導體層； 156〜多重量子井； 148〜透鏡； 154〜η型摻雜半導體層； 158、16G〜半導體材料膜；166〜半導體結構。 0503-A35884TWF/chiaulin 22

Claims (1)

  1. 201230407 七、申請專利範圍： 1. 一種製作發光二極體封裝結構的方法，包括： 將多個彼此分離的發光二極體晶片接合至一基板， 其中各該發光二極體晶片包括一 η型掺雜層、—量子井 主動層、以及一 ρ型摻雜層； 於該些彼此分離的發光二極體晶片與該基板上沉積 一隔離層； 姓刻該隔離層以形成多個導孔開口 .，從而暴露出各 該發光二極體晶片的多個部分以及該基板的多個部分； 形成多個電性連接結構於該隔離層上以及該些導孔 開口中，以電性連接各該發光二極體晶片的該n型摻雜 層與該ρ型摻雜層其中之一與該基板；以及 將該些彼此分離的發光二極體晶片與該基板切割成 多個發光二極體封裝結構。 。 2. 如申請專利範圍第1項所述之製作發光二極體 封裝結構的方法，其巾將該些彼此分離的 片接合至該基板的步驟包括： 體曰曰 將該些彼此分離的發光二極體晶片其中之一的一 極接合至1成於該基板上的接點。 封妒！如申請專利範圍第1項所述之製作發光二極體 該穿;導其中該基板包括多物導孔，且各 4等孔耦接該n型摻雜層與該p型摻雜層其中之―。 封^申請專利範圍第1項所述之製作發光二極體 括構W法’ Μ形成該些電性連接結構的步驟包 〇5〇3-A35884TWF/chiauli] 23 201230407 沉積一内連線層，並以該内連線層填滿該些導孔開 口，以形成多個電性導孔至各該發光二極體晶片之被暴 露出的該些部分以及該基板之被暴露出的該些部分。 5. 如申請專利範圍第4項所述之製作發光二極體 封裝結構的方法，其中沉積該内連線層的步驟包括： 於該隔離層上沉積一阻障層； 於該阻障層上沉積一金屬晶種層； 於該金屬晶種層上形成一光阻層； 圖案化該光阻層以定義出一或多個溝槽，以作為一 或多個重佈線路； 金屬電鍍該些溝槽一金屬以形成一或多個金屬重佈 線路並以該金屬填滿該些導孔開口；以及 移除該光阻層。 6. 如申請專利範圍第4項所述之製作發光二極體 封裝結構的方法，其中沉積該内連線層的步驟包括： 於該隔離層上沉積一透明導電層，並以該透明導電 層填滿該些導孔開口。 7. 如申請專利範圍第1項所述之製作發光二極體 封裝結構的方法，更包括： 在將該些彼此分離的發光二極體晶片接合至該基板 之後並在沉積該隔離層之前，自該些彼此分離的發光二 極體晶片其中之一移除一成長基板。 8. 一種製作發光二極體封裝結構的方法，包括： 提供多個彼此分離的發光二極體晶片，其中各該發 光二極體晶片包括位於一成長基板上的一 η型摻雜層、 0503-A35884TWF/chiaulin 24 201230407 一量子井主動層、一 p型換雜層與一 p型接觸金屬層； 將該些彼此分離的發光二極體晶片的該P型接觸金 屬層接合至一基板； 自該些彼此分離的發光二極體晶片移除該成長基 板； 沉積一隔離層於該些彼此分離的發光二極體晶片與 該基板上； 蝕刻該隔離層以形成多個導孔開口，從而暴露出各 該發光二極體晶片的多個部份以及該基板的多個部分； 沉積一内連線層於該隔離層與該些導孔開口上，以 形成多個電性連接結構於各該發光二極體晶片的該η型 摻雜層與該基板之間； 於各該發光二極體晶片上形成一螢光粉層與一透 鏡；以及 將該些彼此分離的發光二極體晶片與該基板切割成 多個發光二極體封裝結構。 9. 一種發光二極體元件，包括： 一基板，包括一接點與一電極； 一發光二極體晶片，經由該接點接合至該基板； 一隔離層，配置於該發光二極體晶片與該基板上， 其中該隔離層包括多個導孔開口以暴露出該發光二極體 晶片的多個部分與該基板的該電極.，以及 一内連線層，配置於該隔離層與該些導孔開口上， 以電性連接該發光二極體晶片與該基板的該電極。 10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體元 0503-A35884TWF/chlaulin 25 201230407 件，其中該接點與該電極係經由一埋於該基板中的穿矽 導孔而彼此電性連接。 0503^A35884TWF/chiaulin 26
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9172016B2 (en) 2013-07-31 2015-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
TWI837625B (zh) * 2021-03-31 2024-04-01 美商旭明國際股份有限公司 半導體發光裝置與其成長基板之間的轉角上的隔離層移除方法

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP4686625B2 (ja) 2009-08-03 2011-05-25 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
US8610161B2 (en) * 2010-10-28 2013-12-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light emitting diode optical emitter with transparent electrical connectors
DE102011012924A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
EP2686892B1 (en) * 2011-03-14 2019-10-02 Lumileds Holding B.V. Led having vertical contacts redistributed for flip chip mounting
US8803269B2 (en) 2011-05-05 2014-08-12 Cisco Technology, Inc. Wafer scale packaging platform for transceivers
WO2013010389A1 (zh) * 2011-07-15 2013-01-24 中国科学院半导体研究所 发光二极管封装结构及其制造方法
US8604491B2 (en) * 2011-07-21 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level photonic device die structure and method of making the same
DE102011052605B4 (de) * 2011-08-11 2014-07-10 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US9490239B2 (en) * 2011-08-31 2016-11-08 Micron Technology, Inc. Solid state transducers with state detection, and associated systems and methods
US8410508B1 (en) * 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
US20150187993A1 (en) 2012-06-14 2015-07-02 Sang Jeong An Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
KR20140010521A (ko) * 2012-07-12 2014-01-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
WO2014017871A2 (ko) * 2012-07-26 2014-01-30 An Sang Jeong 반도체 발광소자
KR101956101B1 (ko) * 2012-09-06 2019-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN106206558B (zh) * 2012-09-14 2019-04-09 晶元光电股份有限公司 具有改进的热耗散和光提取的高压led
US9444398B2 (en) * 2013-01-25 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor structure and fabricating process for the same
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
FR3011383B1 (fr) * 2013-09-30 2017-05-26 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de dispositifs optoelectroniques a diodes electroluminescentes
US11398579B2 (en) 2013-09-30 2022-07-26 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Method for producing optoelectronic devices comprising light-emitting diodes
US20150214331A1 (en) * 2014-01-30 2015-07-30 Globalfoundries Inc. Replacement metal gate including dielectric gate material
KR20150101311A (ko) * 2014-02-26 2015-09-03 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
GB2540299B (en) * 2014-04-29 2018-04-11 Enraytek Optoelectronics Co Vertical LED array element integrating LED epitaxial structures with LED package substrate
JP6318004B2 (ja) * 2014-05-27 2018-04-25 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造
JP2016174062A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
DE102015107526A1 (de) 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Modul
US10026864B2 (en) * 2016-02-13 2018-07-17 Black Peak LLC Package-less LED assembly and method
CN106328790A (zh) * 2016-11-04 2017-01-11 苏州圣咏电子科技有限公司 垂直led封装件的生产方法及垂直led封装件
CN109037262A (zh) * 2017-06-09 2018-12-18 美商晶典有限公司 微发光二极管显示模块的制造方法
TWI635470B (zh) * 2017-07-04 2018-09-11 錼創科技股份有限公司 發光模組及顯示裝置
TWI641128B (zh) * 2017-07-10 2018-11-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置
CN109244100B (zh) * 2017-07-10 2023-06-06 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示装置
TWI632675B (zh) * 2017-07-10 2018-08-11 錼創科技股份有限公司 顯示面板
DE102017122325A1 (de) 2017-09-26 2019-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
DE102017130131B4 (de) * 2017-12-15 2021-08-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2019173986A1 (en) * 2018-03-14 2019-09-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of transferring a plurality of micro light emitting diodes to a target substrate, array substrate and display apparatus thereof
CN110323211A (zh) * 2018-03-28 2019-10-11 华立捷科技股份有限公司 发光芯片封装结构及封装方法
US11469138B2 (en) * 2018-05-04 2022-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via for coupling attached component upper electrode to substrate
TWI688121B (zh) 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
DE102018122166A1 (de) * 2018-09-11 2020-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einem trägerelement und einem elektrischen kontaktelement, optoelektronisches bauelement sowie verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
US10700041B2 (en) * 2018-09-21 2020-06-30 Facebook Technologies, Llc Stacking of three-dimensional circuits including through-silicon-vias
FR3087579B1 (fr) * 2018-10-22 2022-08-12 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes a extraction de lumiere amelioree
CN111463332B (zh) * 2019-01-18 2021-07-27 群创光电股份有限公司 具有发光二极管封装体的电子装置
US11916172B2 (en) 2019-09-16 2024-02-27 PlayNitride Display Co., Ltd. Epitaxial structure, semiconductor structure including the same, and semiconductor pickup element for transferring the same
TWI698994B (zh) * 2019-09-16 2020-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及轉移裝置
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
CN116114062A (zh) * 2020-07-15 2023-05-12 亮锐有限责任公司 具有tsv支持结构的低z高度led阵列封装
WO2023101825A1 (en) * 2021-12-01 2023-06-08 Lumileds Llc Led die having centrally peaked surface luminance
CN116885084B (zh) * 2023-09-07 2023-12-15 元旭半导体科技(无锡)有限公司 一种自带封装基板的led芯片及其制备方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847464A (en) * 1995-09-27 1998-12-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming controlled voids in interlevel dielectric
KR970062775A (ko) * 1996-02-03 1997-09-12 구자홍 액정표시소자의 블랙매트릭스 및 그 제조방법
FI19992456A (fi) 1999-11-16 2001-05-17 Miscel Oy Ltd Rakenne ja menetelmä sähkömoottorikäytössä
JP2001156334A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Kyocera Corp Ｌｅｄアレイ
CN1252883C (zh) * 2001-04-12 2006-04-19 日亚化学工业株式会社 氮化镓系列化合物半导体元件
JP2002344011A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 表示素子及びこれを用いた表示装置
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP4055405B2 (ja) * 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
KR101171186B1 (ko) * 2005-11-10 2012-08-06 삼성전자주식회사 고휘도 발광 다이오드 및 이를 이용한 액정 표시 장치
JP5209177B2 (ja) * 2005-11-14 2013-06-12 新光電気工業株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5417683B2 (ja) * 2006-01-10 2014-02-19 株式会社リコー 磁気光学素子
US8575018B2 (en) * 2006-02-07 2013-11-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming bump structure with multi-layer UBM around bump formation area
US8174025B2 (en) * 2006-06-09 2012-05-08 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor light emitting device including porous layer
US7439548B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-21 Bridgelux, Inc Surface mountable chip
WO2008038910A1 (en) * 2006-09-25 2008-04-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having alingap active layer and method of fabricating the same
US7982135B2 (en) * 2006-10-30 2011-07-19 Ibiden Co., Ltd. Flex-rigid wiring board and method of manufacturing the same
KR100827667B1 (ko) 2007-01-16 2008-05-07 삼성전자주식회사 기판 내에 반도체 칩을 갖는 반도체 패키지 및 이를제조하는 방법
JP2009049408A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 発光半導体ダイを有する半導体デバイス
TWI372478B (en) * 2008-01-08 2012-09-11 Epistar Corp Light-emitting device
CN101222014A (zh) * 2008-01-31 2008-07-16 金芃 垂直结构的半导体芯片
US20090273002A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Wen-Chih Chiou LED Package Structure and Fabrication Method
US8461613B2 (en) * 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US20100006864A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Implanted connectors in led submount for pec etching bias
US8058669B2 (en) * 2008-08-28 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode integration scheme
DE102008057350A1 (de) * 2008-11-14 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI473246B (zh) * 2008-12-30 2015-02-11 Epistar Corp 發光二極體晶粒等級封裝
CN101488553B (zh) * 2009-02-09 2012-05-30 晶能光电（江西）有限公司 硅胶保护的发光二极管芯片及其制造方法
TWI480962B (zh) * 2009-04-09 2015-04-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝以及發光二極體晶圓級封裝製程
KR100985720B1 (ko) * 2009-07-10 2010-10-06 주식회사 에피밸리 발광소자 패키지의 제조 방법
JP5325736B2 (ja) * 2009-10-06 2013-10-23 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI501376B (zh) * 2009-10-07 2015-09-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其製造方法
US8637888B2 (en) * 2009-12-11 2014-01-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, light emitting device using semiconductor light emitting element, and electronic apparatus
US8183696B2 (en) * 2010-03-31 2012-05-22 Infineon Technologies Ag Packaged semiconductor device with encapsulant embedding semiconductor chip that includes contact pads
US8610161B2 (en) * 2010-10-28 2013-12-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light emitting diode optical emitter with transparent electrical connectors
US8236584B1 (en) * 2011-02-11 2012-08-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding
US8241932B1 (en) * 2011-03-17 2012-08-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of fabricating light emitting diode packages

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9172016B2 (en) 2013-07-31 2015-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
TWI837625B (zh) * 2021-03-31 2024-04-01 美商旭明國際股份有限公司 半導體發光裝置與其成長基板之間的轉角上的隔離層移除方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102593275B (zh) 2015-11-25
CN105789408A (zh) 2016-07-20
CN105789408B (zh) 2019-01-08
TWI552387B (zh) 2016-10-01
US8653542B2 (en) 2014-02-18
CN102593275A (zh) 2012-07-18
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US20120181568A1 (en) 2012-07-19
US20140159096A1 (en) 2014-06-12
KR101279225B1 (ko) 2013-06-26

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