TW201219331A - Method for increasing strength of glass substrate - Google Patents

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201219331 六、發明說明： C 明所屬 領 3 發明領域 本發明係有關於於一種用於顯示裝置等之玻璃基板之 強度提高方法。

C ittr H 發明背景 一般，玻璃基板廣泛地用於液晶顯示器（LCD)、電漿顯 示面板（PDP)及有機 EL(Electroluminescent)顯示器（OELD) 專顯示裝置等。最近’為因應顯示裝置之更薄型化、輕量 化之期望，乃要求板厚較薄之玻璃基板。 一般’玻璃基板一旦板厚變薄，強度便降低。因而， 要將板厚薄之玻璃基板實際地應用於顯示裝置等，需使玻 璃基板之強度提高。因此’提出了對玻璃基板進行化學強 化處理（參照專利文獻1)。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本專利公告公報平5-3420號 【發明内容】 發明概要 發明欲解決之課題 藉對玻璃基板進行化學強化處理，即使板厚薄，亦可 提高玻璃基板之強度。 然而’對玻璃基板進行化學強化處理時，可能合有於 201219331 最後所得之玻璃基板產生翹曲及/或變形之情形。此認為是 因玻璃基板之2個表面（表、裡）之化學性質的細微之差異引 起者。舉例言之，玻璃基板之2個表面未必總是受到相同之 經歷，例如在玻璃基板之製造等之過程中，有各自受到不 同之經歷之情形。此時，當將玻璃基板進行化學強化處理 時，因2個表面之化學性質之差異，而於玻璃基板產生翹曲 及/或變形。 假設將玻璃基板用於顯示裝置時，由於此種玻璃基板 之翹曲及/或變形與從顯示面板側放出之圖像之應變等相 關，故不佳。又，當產生此種翹曲及/或變形時，需進行玻 璃基板之研磨等步驟，以修復翹曲及/或變形，而需要多餘 之成本或時間。 特別是顯示裝置用之玻璃基板有朝更大型化、薄型化 發展之傾向，此種翹曲及/或變形之問題，預料今後將更為 明顯。 本發明即是鑑於此種背景而發明者，在本發明中，目 的係提供提高玻璃基板之強度之方法，且不易於玻璃基板 產生翹曲及/或變形之方法。 用以欲解決課題之手段 在本發明中，提供一種玻璃基板之強度提高方法，其 係提高玻璃基板之強度之方法，特徵在於包含以下製程： (a)準備具有相互對向之第1表面及第2表面之玻璃基板；（b) 在前述第1表面及前述第2表面，評價鹼金屬之脫離容易 度；（c)依據前述(b)，對前述玻璃基板之前述第1表面及/或 4 201219331 前述第2表面進行電漿處理，以使前述第1表面及前述第2表 面中之鹼金屬之脫離容易度實質上同等；及（d)於前述(c) 後，對前述破螭基板進行化學強化處理。 又’在本發明中，提供一種玻璃基板之強度提高方法， 其係提高玻璃基板之強度之方法’特徵在於依序進行下述 製私.（a’）製程’準備與欲進行化學強化處理之玻璃基板同 種、且具有相互對向之第1表面及第2表面之玻璃基板；（b，） 製程，在前述玻璃基板之前述第1表面及前述第2表面，評 價鹼金屬之脫離容易度；（c，)製程，依據前述(b，)製程之評 價結果，對另外準備之欲進行化學強化處理之玻璃基板之 第1表面及第2表面進行電漿處理’以使該玻璃基板之該第1 表面及/或該第2表面中之鹼金屬的脫離容易度實質上同 等，及(d，）製程’對業經以前述(c，）製程進行電漿處理之玻 璃基板進行化學強化處理。 在此，在本發明之方法中’根據前述(b)或(b，)之評價結 果，前述鹼金屬在前述第1表面，較在前述第2表面易脫離 時，前述(c)或(c，）宜藉使+ (正)離子之電漿照射於前述第i 表面、及/或使_(負）離子之電漿照射於前述第2表面而進 行。 又，在本發明之方法中，根據前述(b)或(b，)之評價結 果，前述鹼金屬在前述第2表面，較在前述第丨表面易脫離 時’前述(c)或(c’）宜藉使—（負）離子之電漿照射於前述第i 表面、及/或使+ (正）離子之電漿照射於前述第2表面而進 201219331 又，在本發明之方法中，前述(b)或(b，）宜藉下述製程來 進行：（bl)於前述第1表面形成不含有前述鹼金屬之評價 膜，且於前述第2表面形成前述評價膜；（b2)將前述玻璃基 板進行熱處理；及(b3)測定前述評價膜中所含之前述鹼金屬 之量。 此時，前述評價膜亦可為導電性氧化物。 又，在本發明之發明中，前述(b2)之熱處理亦可在100 °C〜600°C之範圍内，施行10分鐘〜1小時。 又，在本發明之方法中，前述(b3)亦可藉以SIMS法一 面乾蝕刻前述評價膜，一面連續測定前述鹼金屬之量而進 行。 又，在本發明之方法中，在前述(b)、（b’）或(bl)，評價 鹼金屬之脫離容易度之鹼金屬宜為鈉(Na)。 又，在本發明之方法中，前述玻璃基板亦可為以浮浴 法製造之玻璃基板。 又，在本發明之方法中，前述玻璃基板之厚度亦可為 0.2mm~3mm 之範圍。 又，在本發明之方法中，前述玻璃基板亦可為32吋以 上之顯示裝置用者。 發明效果 在本發明中，可提供一種在對玻璃基板施行化學強化 處理以提高強度之方法中，不易於玻璃基板產生翹曲及/或 變形之方法。 圖式簡單說明 6 201219331 第1圖係示意顯示化學強化處理後之習知玻璃基板之 側視圖。 第2圖係示意顯示化學強化處理後之本發明玻璃基板 之側視圖。 第3圖係概略地顯示本發明提高玻璃基板強度之方法 之一例的流程圖。 I：實施方式3 用以實施發明之形態 以下，就本發明作說明。 如前述，迄今，為提高板厚薄之玻璃基板之強度，乃 檢討了將化學強化處理應用於玻璃基板。 在此’「化學強化處理（或化學強化處理法）」係指下 述技術之總稱，前述技術係使玻璃基板浸潰於含有鹼金屬 之熔融鹽中，將存在於玻璃基板最表面之原子徑小之鹼金 屬離子與存在於溶融鹽中之原子徑大之驗金屬離子置換 者’即，稱為離子交換強化法。在「化學強化處理（或化學 強化處理法）」中，於業經處理之玻璃基板之表面配置原子 徑大於原本之原子之驗金屬離子。因此，可給予玻璃基板 之表面壓縮應力，藉此，可提高玻璃基板之強度(特別是裂 痕強度）。 舉例言之，玻璃基板含有鈉(Na)時，藉化學強化處理， 將此納與例如鉀(K)置換。或者’例如當玻璃基板含有鐘(Li) 時，藉化學強化處理，將此鋰與例如鈉(Na)及/或鉀(κ)置換。 如此，藉對玻璃基板進行化學強化處理，即使板厚薄， 201219331 亦可提高玻璃基板之強度。 然而’當對玻璃基板進行化學強化處理時，有於最後 而得之玻璃基板產生第1圖所示之翹曲及/或變形之情形。 第1圖係習知化學強化處理後之玻璃基板10之示意側 視圖。玻璃基板10具有相互對向之第1表面12A及第2表面 12B。又，此玻璃基板10在即將進行化學強化處理前為止， 為無翹曲之略平坦之形狀。然而，於化學強化處理後，於 此玻璃基板10產生如下述之翹曲：第1表面12A形成凸面， 第2表面12B形成凹面。 目前，於化學強化處理後之玻璃基板10產生此種翹曲 及/或變形之原因雖然不明確，但一般認為化學強化處理前 之玻璃基板10之2個表面12A、12B之化學性質之細微差異 與此種翹曲及/或變形有關。 舉例言之，在玻璃基板10之製造之過程中，各表面 12A、12B受到不同之經歷時，有產生第1圖之翹曲之可能 性。 特別是以所謂之浮浴法製造之玻璃基板在製造中形成 為僅一表面與浮流浴之熔融錫（Sn)層接觸之狀態。因而’根 據與此熔融錫層之接觸之有無，有於兩表面12A及12B間產 生化學性質之細微之差異的可能性。舉例言之，與熔融錫 層接觸之表面側殘留錫時，預料此種表面側為於進行化學 強化處理之際，鹼金屬更不易脫離之表面。這是因為該殘 留錫會抑制玻璃基板之鹼金屬脫離而出至熔融鹽側之故。 又’舉例言之，在玻璃基板之與熔融錫層接觸之表面側’ 8 201219331 亦有鹼金屬濃度自身形成更高之可能性。 根據此考察，在第1圖中，第2表面12B之侧（即，凹面） 為與錫接觸之面，即，預料在此表面12B，於化學強化處理 之際’相較於表面12A，鹼金屬更不易脫離而出至熔融鹽側。 此外，化學強化處理之際之玻璃基板之麵曲及/或變形 不限於以浮浴法所製造之玻璃基板，翹曲及/或變形亦可能 在以熔合法製造之玻璃基板產生。 假設將玻璃基板10用於顯示裝置時，此種玻璃基板10 之翹曲及/或變形並不甚佳。這是因為從顯示裝置輸出之圖 像會因玻璃基板10而扭曲變形，而無法獲得適當之圖像之 危險性增高之故。又，當產生此種翹曲及/或變形時，需研 磨玻璃基板等，以修復翹曲及/或變形，而需多餘之成本或 時間。 特別是顯示裝置用玻璃基板有朝更大型化、薄型化發 展之傾向，預料此種翹曲及/或變形之問題在今後更明顯。 針對此’在本發明中，即使對厚度薄之玻璃基板施行 化學強化處理’亦可顯著地抑制玻璃基板之翹曲及/或變 形0 於第2圖顯示經以本發明之方法化學強化處理後之玻 璃基板100之示意側視圖。玻璃基板100於經化學強化處理 後，第1表面112A及第2表面112B還維持實質上平坦之狀 態，而未於玻璃基板1〇〇看出赵曲及/或變形。 如此，在本發明中，可獲得於化學強化處理後，顯著 地抑制了翹曲及/或變形之玻璃基板。因而，在本發明之方 201219331 法中’對大型顯示裝置（例如32吋以上之顯示裝置）或薄型顯 示裝置亦可直接應用業經化學強化之玻璃基板。 以下’參照圖式，就本發明，更詳細地說明。 於第3圖顯示本發明之提高玻璃基板之強度之方法的 一例0 如第3圖所示，本發明之方法包含以下步驟：（a)準備具 有相互對向之第1表面及第2表面之玻璃基板（步驟S110); (b) 在前述第1表面及前述第2表面，評價鹼金屬之脫離容易度 (步驟S120) ; (c)依據前述(b)之步驟，對前述玻璃基板之前 述第1表面及/或前述第2表面進行電漿處理，以使前述第i 表面及前述第2表面之鹼金屬之脫離容易度實質上同等（步 驟S130);及(d)於前述(c)步驟後，對前述玻璃基板進行化學 強化處理（步驟S140)。 又，本發明之方法依序具有以下製程：（a’）製程，準備 與欲進行化學強化處理之玻璃基板同種、且具有相互對向 之第1表面及第2表面之玻璃基板(步驟S110’）；（b，)製程，在 前述玻璃基板之前述第1表面及前述第2表面，評價鹼金屬 之脫離容易度（步驟S120’）；（c，）製程，依據前述(b，）製程之 評價結果，對另外準備之欲進行化學強化處理之玻璃基板 之第1表面及第2表面進行電漿處理，以使該玻璃基板之該 第1表面及/或該第2表面中之鹼金屬的脫離容易度實質上 同等（步驟S130’）；及(d，）製程，對業經以前述(c，)製程進行 電漿處理之玻璃基板進行化學強化處理（步驟S140’）。 以下，就各步驟作說明。 201219331 (步驟S110、步驟S110，） 首先’準備具有相互對向之第1表面112A及第2表面 112B之破璃基板1〇〇。玻璃基板1〇〇之組成只要含有鹼金 屬’未特別限制，玻璃基板100亦可為例如鈉鈣玻璃製基板。 在本說明書中，玻璃基板係指具有相互對向之2個表 面 '即’玻璃基板之表面及背面之2個表面的板狀玻璃板， 玻璃基板之2個面中，要將哪個面稱為第1表面、或第2表面 為任意。在第2圖中，將玻璃基板100之上面稱為第1表面， 將下面稱為第2表面，反之，亦可將玻璃基板100之下面稱 為第1表面，上面稱為第2表面。 玻璃基板100亦可具有以氧化物換算，為下述組成，例 如’組成係60mol°/〇~80mol°/。之 Si02、〇.5mol% 〜7mol% 之 AI2O3、3mol0/〇~10mol0/〇 之 MgO、6mol0/〇~9mol〇/〇 之 CaO、 0〜5mol% 之 SrO、0〜4mol% 之 BaO、〇〜2mol% 之 Zr02、 4mol%〜13mol%之Na20及0.1mol%~7mol%之κ20。 玻璃基板100之厚度未特別限制’若為厚之玻璃基板， 本發明之效果便相對地較小。又，當板厚過薄時，於化學 強化處理之際，玻璃基板破損之危險性便增高。玻璃基板 100之厚度可為例如〇.2mm〜3mm之範圍，特別是亦可為 0.4mm~2mm之範圍為佳。 玻璃基板100可為以浮必法製造者，亦可為以溶合法製 造者。 此外，亦可將玻璃基板100之端面修邊。 (步驟S120、步驟S120’） 201219331 接著，在玻璃基板100之第1表面112A及第2表面 112B，評價作為評價對象之鹼金屬、即在化學強化處理中 被置換之鹼金屬（例如Na)之脫離容易度之差異。此外，在 步驟S120’，另外準備具有與在之後製程施行化學強化處理 之玻璃基板同種之組成及同等之板厚的玻璃基板，作為用 於此評價之玻璃基板。 此評價係例如藉以下方法（(i)〜(iii))施行。此外，在以 下之記載，為了簡略化，作為脫離容易度之評價對象之鹼 金屬係舉鈉(Na)為例來說明。 ⑴於玻璃基板100之第1表面112A形成不含鈉之第1評 價膜。又，於玻璃基板100之第2表面112B形成不含鈉之第2 評價膜。 在此，第1及第2評價膜需為以相同之條件形成之相同 材質及厚度之膜。這是因若不如此，在之後之製程，無法 進行第1及第2評價膜之比較評價之故。 評價膜之形成方法未特別限制，評價膜可以例如沉 積、物理氣相沉積(PVD)法、化學氣相沉積(CVD)法、濺鍍 法、或旋轉塗佈法等一般之成膜技術形成。 又，評價膜只要不含有鈉（即，測定對象元素），以任意 材料構成皆可。惟，僅含有原子徑小於鈉之元素之評價膜 則不佳。這是因在之後之熱處理製程(鈉之擴散製程），有不 易在實際之時間内使鈉於評價膜中充分地擴散之虞之故。 評價膜以導電膜為佳，以氧化物為更佳。評價膜亦可為銦 錫氧化物。 12 201219331 評價膜之厚度未特別限制。評價膜之厚度可為例如 50nm〜200nm之範圍。 (π)接著’將玻璃基板1〇〇進行熱處理。此熱處理係執 行以使存在於各表面112A及112B之鈉於各評價膜中擴散。 熱處理之條件可根據玻璃基板100所含之鈉濃度等，適 當地訂定。即，此熱處理以諸如存在於兩表面112A及112B 之鈉可於各評價膜中移動之條件進行。 熱處理之溫度可為例如l〇〇°C〜600。(：，較佳為1〇〇。(：〜 低於玻璃基板之應變點溫度的溫度範圍。又，熱處理之時 間可為例如10分鐘〜1小時之範圍。此外，熱處理之氣體環 境未特別限制’從裝置結構或處理容易度之觀點，宜為大 氣環境。又，此時，第1及第2評價膜宜以氧化物構成。 (iii)接著’測定第1及第2評價膜中所含之鈉之量。 評價膜中之鈉量之測定亦可使用一般之分析裝置來施 行。舉例言之，評價膜中之鈉量亦可使用SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy ;二次離子質譜法）裝置，將評價膜 於厚度方向乾触刻’從此時而得之納之統計數予以定量 化。或者，亦可以EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)分 析裝置等’求出評價膜中之鈉之深度方向之剖面，將此區 域進行積分，以求出納量。 從所得之結果，判斷在第1及第2表面112A及112B中， 鈉易脫離之表面及其程度。 (步驟S130 ' S130’） 接著’依據在前述步驟S120或步驟S120,所得之評價結 13 201219331 果，對玻璃基板100之第1表面112A及/或第2表面112B進行 電漿處理。此外’在步驟S130’中，此電漿處理係對為施行 化學強化處理而另外準備之玻璃基板施行。 在此，「電漿處理」係指對玻璃基板100之第丨表面112A 及/或第2表面112B照射該表面不致損傷之程度之較小功率 之電漿的處理。施行「電漿處理」’以將玻璃基板1〇〇之第J 表面112A中之鈉之脫離容易度與第2表面112B中之鈉之脫 離容易度「平衡化」（同等化）。 舉例言之’在前述步驟S120、或步驟S120,之結果，確 認了玻璃基板100之第1表面112A呈鈉較第2表面112B易脫 離之狀態時，對第1表面112A施行+ (正）離子之「電黎處 理」。此時，由於對第1表面112A照射與鈉離子相同之極性 (正）之電漿’故在第1表面112A附近之鈉移動至玻璃基板 100之内側。或者’亦可對玻璃基板100之第2表面112B施行 -(負）離子之「電漿處理r此時，具有與電漿相反（負）之 極性之鈉離子移動至第2表面112B附近。因而，藉照射電 漿，可使兩表面中之鈉之脫離容易度「平衡化」。 此外，在前述步驟S120、或步驟S120,之結果，確認了 玻璃基板100之第2表面呈鈉較第1表面易脫離之狀態時，與 上述之例相反地，對第2表面施行+ (正）離子之「電漿處 理」。此時，由於對第2表面照射與鈉離子相同之極性（正) 之電漿，故在第2表面附近之鈉移動至玻璃基板之内側。或 者，如前述，亦可對玻璃基板之第丨表面施行_(負）離子之 「電漿處理」。 14 201219331 舉例言之’玻璃基板由以浮浴法所製造之玻璃板構成 時，可對玻璃基板之與熔融錫接觸之表面側，施行+ (正） 離子之電漿處理，或者，可對玻璃基板之未與熔融錫接觸 之表面（即，漂浮玻璃板之頂面）施行一（負）離子之電漿處 理。 此外，亦可於電漿處理後，再度施行前述步驟（步驟 S120或步驟S120’）’確認已將兩表面ii2A及112B中之納之 脫離容易度平衡化。若還未將兩表面112A及112B中之鈉之 脫離容易度平衡化時’亦可再度進行電漿處理。此時，藉 反覆進行（步驟S120)〜（步驟S130)或（步驟S 120，)~(步驟 S130’），可使兩表面112A及1UB之鈉之脫離容易度實質上 同等。 電漿處理之條件未特別限制。電漿處理亦可在例如極 限真空度為lx103Pa〜lxl〇5pa之範圍之真空腔室内，藉 Ar(氬）、N2(氮）、Ο〆氧）等氣體，在令放電真空度在 lx]0_1Pa〜lxlO_3Pa之範圍的狀態下施行。又’使用之電漿 (RF)之功率可為例如100W〜1000W之放電電壓，將此種電漿 以1分鐘〜1小時之範圍照射於玻璃基板1〇〇之兩表面112 A及 112B。 (步驟S140、步驟S140’） 接著’對兩表面112A、112B中之鈉之脫離容易度已「平 衡化」之玻璃基板100，施行化學強化處理。 在此狀態下，由於兩表面112A、112B中之鈉之脫離容 易度已「平衡化」’故藉化學強化處理而產生之兩表面中之 15 201219331 驗金屬離子(例如鉀離子)之置換量幾乎同等。因而，可抑制 僅在一表面進行置換反應（或t 相反），於化學強化處理 後，玻璃基板100之翹曲或變形 /t — °結果’可獲得如第2圖所 示，兩表面112A、112B實皙 貝貝上一直維持平坦之玻璃基板 100。 化學強化處理之條件未特別限制，可利用習知之化學 強化處H化學強化處理可舉將玻璃基板浸潰於糊。c 〜450°c之硝麟融鹽中預定時間而施行之方法為例。玻璃 基板含有鈉(Na) a夺’石肖酸溶融鹽使用例如硝酸钟(KN〇3)。 又，玻璃基板含有鋰(Li)時，硝酸熔融鹽則使用例如硝酸鈉 (NaN〇3)及/或硝酸鉀(KNO3)。此外，玻璃基板含有鋰(Li) 及鈉(Na)時，硝酸熔融鹽使用例如硝酸钟(KN〇3)。化學強 化處理之時間未特別限定，通常，施行1小時〜4小時左右。 又，在上述記載中’舉了下述例，說明了本發明之方 法，前述例係在步驟S120、或步驟si20’，評價在玻璃基板 100之第1及第2表面112A及112B中之作為評價對象之鹼金 屬（鈉）之脫離容易度的差異，在之後之步驟S130或S130’ ’ 使此「平衡化」。然而，在步驟S120或步驟S120’ ’在玻璃 基板100之第1及第2表面112A及112B中，亦可評價鹼金屬 (例如鈉）之濃度，以代替評價鹼金屬（例如納）之脫離容易 度。此時，依據兩表面112A及112B中之鹼金屬（例如鈉）之 濃度之差異’訂定之後之電漿處理之條件。然後’於電聚 處理後，將兩表面112A及112B中之鹼金屬（例如鈉）之濃度 「平衡化」。 16 201219331 產業上之可利用性 根據本發明之玻璃基板之強度提高方法，可提供強度 更提高之液晶顯示器、電漿顯示器 '有機EL顯示器、及行 動顯示器等FPD裝置用玻璃基板、特別是因應大型化、薄 型化之FPD裝置用玻璃基板，作為該等裝置用玻璃基板為 有用。 此外，於此引用2010年7月6曰提申之曰本專利申請案 2010-153628號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之所 用内容，納入作為本發明之揭示。

【圖式簡單說明；I 第1圖係示意顯示化學強化處理後之習知玻璃基板之 側視圖。 第2圖係示意顯示化學強化處理後之本發明玻璃基板 之側視圖。 第3圖係概略地顯示本發明提高玻璃基板強度之方法 之一例的流程圖。 【主要元件符號說明】 10…習知之玻璃基板 112A...第1表面 12A…第1表面 112B…第2表面 12B."第2表面 S110，S120，S130，S140…步驟 100...玻璃基板 17

Claims (1)

1. 201219331 七、申請專利範圍： 1. 一種玻璃基板之強度提高方法，係提高玻璃基板之強度 之方法，其特徵在於包含以下製程·· (a) 準備具有相互對向之第1表面及第2表面之玻璃 基板； (b) 在前述第1表面及前述第2表面，評價鹼金屬之脫 離容易度； (c) 依據前述(b)，對前述玻璃基板之前述第1表面及 /或前述第2表面進行電漿處理，以使前述第1表面及前 述第2表面中之鹼金屬之脫離容易度實質上同等；及 (d) 於前述(c)後，對前述玻璃基板進行化學強化處 理。 2. —種玻璃基板之強度提高方法，係提高玻璃基板之強度 之方法，其特徵在於依序進行下述製程： (a’）製程，準備與欲進行化學強化處理之玻璃基板 同種、且具有相互對向之第1表面及第2表面之玻璃基 板； (b’)製程，在前述玻璃基板之前述第丨表面及前述第 2表面，評價驗金屬之脫離容易度； (c’)製程’依據前述沙，）製程之評價結果，對另外準 備之欲進行化學強化處理之玻璃基板之第丨表面及第2 表面進行電漿處理’以使該玻璃基板之該第丨表面及/或 該第2表面中之鹼金屬的脫離容易度實質上同等；及 (d，)製程，對業經以前述(c’)製程進行電漿處理之玻 18 201219331 璃基板進行化學強化處理。 3. 如申請專利範圍第1或2項之玻璃基板之強度提高方 法，其中根據前述(b)或(b’)之評價結果，前述鹼金屬在 前述第1表面，較在前述第2表面易脫離時，前述(c)或(c’） 係藉使+ (正）離子之電漿照射於前述第1表面、及/或使 —(負）離子之電漿照射於前述第2表面而進行。 4. 如申請專利範圍第1或2項之玻璃基板之強度提高方 法，其中根據前述(b)或(b’)之評價結果，前述鹼金屬在 前述第2表面，較在前述第1表面易脫離時，前述(c)或(c’） 係藉使一（負）離子之電漿照射於前述第1表面、及/或使 + (正)離子之電漿照射於前述第2表面而進行。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之玻璃基板之強度 提高方法，其中前述(b)或(b’)係藉下述製程來進行： (bl)於前述第1表面形成不含有前述驗金屬之評價 膜，且於前述第2表面形成前述評價膜； (b2)將前述玻璃基板進行熱處理；及 (b3)測定前述評價膜中所含之前述鹼金屬之量。 6. 如申請專利範圍第5項之玻璃基板之強度提高方法，其 中前述評價膜係導電性氧化物。 7. 如申請專利範圍第5或6項之玻璃基板之強度提高方 法，其中前述(b2)之熱處理係在100°C〜600°C之範圍内， 施行10分鐘〜1小時。 8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之玻璃基板之強度 提高方法，其中前述(b3)係藉以二次離子質譜法(SIMS) 19 201219331 一面乾蝕刻前述評價膜，一面連續測定前述鹼金屬之量 而進行。 9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之玻璃基板之強度 提高方法，其中在前述(b)、（b’）或(bl)，評價鹼金屬之 脫離容易度之鹼金屬係鈉(Na)。 10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之玻璃基板之強度 提高方法，其中前述玻璃基板係以浮浴法製造之玻璃基 板。 11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之玻璃基板之強度 提高方法，其中前述玻璃基板之厚度為〇.2mm〜3mm之 範圍。 12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之玻璃基板之強度 提高方法，其中前述玻璃基板係32吋以上之顯示裝置用 者。 20