TW201710199A - 具有改質表面層的玻璃 - Google Patents

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Abstract

茲揭示包括含鹼塊體與乏鹼表面層的玻璃基板實施例，乏鹼表面層包括實質均質組成。在一些實施例中，乏鹼表面層包含約0.5原子%的鹼或更少。乏鹼表面層可實質無氫及/或結晶。亦提供形成具改質表面層的玻璃基板的方法。

Description

具有改質表面層的玻璃
本發明係關於具有改質表面層的玻璃基板，更特別係關於具有含鹼塊體與乏鹼表面層的玻璃基板。
利用已知表面處理所形成或處理的玻璃（例如包括熔融製備玻璃）通常包括表面層，表面層為至少部分結晶或包括結晶部分，或呈現相分離（即非均質組成，通常包括5,6-配位鋁）。在其他已知用於改質表面層的方法或應用中（例如淋溶或濕化學處理），所得表面層包括氫，氫可以H+ 、H3 O+ 、H2 O或上述組合物形式存在。
熱極化已用於修改玻璃性質。熱極化通常涉及施加電壓至玻璃。已知熱極化用途包括形成耗乏層以抑制鹼在光伏玻璃中遷移、在顯示（或無鹼）玻璃與矽間形成界面阻障層，及形成表面紋理或利用圖案化電極而選擇區域離子交換。
熱極化亦用於此領域來誘發二階非線性性質，特別係二階非線性光學性質，用以製造光切換開關和裝置。極化方法亦非常類似所謂陽極接合，此適於接合含鹼或無鹼玻璃與其他材料，特別係半導體。
本發明揭示玻璃基板，具有各種鋁矽酸鹽族系組成和具改質組成與原子結構的表面層。在一些實施例中，表面層具有低鹼濃度，玻璃基板塊體則包括鹼。表面層包括咸信實質富含3-配位氧（在此亦稱作3-配位狀態氧或三元氧團簇）的原子結構，並能賦予各種表面性質和玻璃基板性能屬性。例如，表面層可用於改善玻璃基板的抗腐蝕性、擴散阻障、硬度、彈性模數、抗疲勞性和抗破壞性（例如異常變形）。
本發明的第一態樣係關於玻璃基板，包括含鹼塊體與乏鹼表面層，其中乏鹼表面層包含實質均質組成。在此所用「實質均質組成」一詞係指不呈現任何相分離或極少相分離的組成。在此，乏鹼意指表面層包含的鹼濃度低於存於含鹼塊體的濃度。在一些實施例中，乏鹼表面層的鹼濃度為約0.5原子%或以下。在此實施例中，鹼濃度為約0.5原子%或以下（例如約0.4原子%或以下、約0.3原子%或以下、約0.2原子%或以下、約0.1原子%或以下或約0.05原子%或以下，或約0.05原子%至約0.1原子%），表面層稱為實質無鹼。當鹼濃度低於約0.05原子%或以下時，表面層稱為不含鹼。
含鹼塊體可包括選自Li2 O（氧化鋰）、Na2 O（氧化鈉）、K2 O（氧化鉀）、Rb2 O（氧化銣）和Cs2 O（氧化銫）的鹼金屬氧化物。一些乏鹼表面層實施例包括約1莫耳%至約50莫耳%的Al2 O3 。乏鹼表面層選擇性包括二元Al2 O3 （氧化鋁）-SiO2 （氧化矽）組成。
在一些實施例中，乏鹼表面層包含少於約0.1原子%的氫。乏鹼表面層可實質無結晶。
在一些情況下，含鹼塊體和乏鹼表面層包含Al2 O3 與SiO2 ，乏鹼表面層包含原子結構，原子結構包括實質呈4-配位狀態的鋁，且選擇性為實質無呈5,6-配位狀態的鋁（例如少於5%或少於1%的鋁呈除4-配位狀態以外的狀態）。在一些實施例中，乏鹼表面層的原子結構包含呈4-配位狀態的矽。
乏鹼表面層可包括總氧量，其中按分率計，總氧量的約3%至約30%呈3-配位狀態。在一些實施例中，乏鹼表面層實質無非架橋氧。含鹼塊體包含非架橋氧與架橋氧，或實質無非架橋氧。
本發明的第二態樣係關於玻璃基板，包括厚度t、具體折射率的含鹼塊體和包含厚度約10奈米（nm）至約1000 nm與層折射率的乏鹼表面層，層折射率小於體折射率。在一些情況下，厚度t為約100微米至3000微米。
本發明的第三態樣係關於形成具改質表面層的玻璃基板的方法。方法包括提供包含鹼濃度、玻璃轉化溫度（Tg）和表面層的玻璃基板，及降低表面層的鹼濃度。具低鹼濃度的表面層包含實質均質組成。
在一些實施例中，降低表面層的鹼濃度包含使玻璃基板表面接觸電極，及讓玻璃基板遭受熱極化。電極可包括接觸玻璃基板陽極表面的陽極和接觸玻璃基板陰極表面的陰極。熱極化包含施加電壓至玻璃基板，以相對玻璃基板正偏壓陽極，而於玻璃的陽極表面誘發鹼耗乏。在一些情況下，電壓包含DC（直流）電壓或DC偏壓的AC（交流）電壓。約100伏特至約10000伏特的電壓施加至玻璃基板，計約1分鐘至約6小時。熱極化可選擇性包括在施加電壓至玻璃基板前，加熱玻璃基板和電極達低於Tg的溫度。熱極化可選擇性包括在施加電壓至玻璃基板前，使玻璃基板和電極從高溫冷卻至低於Tg的目標溫度。在一些實施例中，玻璃基板在真空、惰性氣體環境或可滲透氣體環境下遭受熱極化。
本發明的附加特徵和優點將詳述於後，熟諳此技術者在參閱或實行所述實施例，包括以下詳細實施方式說明、申請專利範圍和附圖後，在某種程度上將變得更清楚易懂。
應理解以上概要說明和下述詳細說明僅為舉例說明，及擬提供概觀或架構以對申請專利範圍的本質和特性有所瞭解。所含附圖提供更進一步的瞭解，故當併入及構成說明書的一部分。圖式描繪一或更多實施例，並連同實施方式說明來解釋各種實施例的原理和操作。
現將詳述不同實施例。
如第1圖所示，本發明的第一態樣係關於玻璃基板100，包括含鹼塊體120和乏鹼表面層140。含鹼塊體可包括選自Li2 O、Na2 O、K2 O、Rb2 O和Cs2 O的一或更多鹼金屬氧化物。在一或更多實施例中，乏鹼表面層實質無鹼或不含鹼。乏鹼表面層據述為鋁矽酸鹽表面層，具有不同於塊體的組成和原子結構，同時在表面層內與各處的組成及/或原子結構呈現均質性。乏鹼表面層與玻璃基板為一體，而非塗層或附加於塊體。
在一或更多實施例中，玻璃基板具有厚度t，乏鹼表面層的厚度可為約10 nm至約1000 nm、約10 nm至約900 nm、約10 nm至約800 nm、約10 nm至約700 nm、約10 nm至約600 nm、約10 nm至約500 nm、約50 nm至約1000 nm、約100 nm至約1000 nm、約200 nm至約1000 nm、約250 nm至約1000 nm、約300 nm至約1000 nm、約400 nm至約1000 nm或約500 nm至約1000 nm。在一些實施例中，厚度t為約0.1 mm至約3.0 mm（例如約0.3 mm至約3 mm、約0.4 mm至約3 mm、約0.5 mm至約3 mm、約0.55 mm至約3 mm、約0.7 mm至約3 mm、約1 mm至約3 mm、約0.1 mm至約2 mm、約0.1 mm至約1.5 mm、約0.1 mm至約1 mm、約0.1 mm至約0.7 mm、約0.1 mm至約0.55 mm、約0.1 mm至約0.5 mm、約0.1 mm至約0.4 mm、約0.3 mm至約0.7 mm或約0.3 mm至約0.55 mm）。
在一或更多實施例中，乏鹼表面層具有實質均質組成。在一些實施例中，乏鹼表面層的組成沿表面層厚度實質相同。在其他實施例中，乏鹼表面層的組成沿整個體積實質相同。在此所用「均質組成」一詞係指無相分離或不包括組成不同於其他部分的部分。
在一或更多實施例中，乏鹼表面層實質無結晶或為實質無定形。例如，在一些實施例中，乏鹼表面層包括少於約1體積%的結晶。
在一或更多實施例中，乏鹼表面層實質無氫。氫可以H+ 、H3 O+ 、H2 O或上述組合物形式存在。在一些實施例中，乏鹼表面層包括約0.1原子%的氫或更少（例如約0.08原子%的氫或更少、約0.06原子%的氫或更少、約0.05原子%的氫或更少、約0.04原子%的氫或更少、約0.02原子%的氫或更少、或約0.01原子%的氫或更少）。不侷限於理論，缺氫表示當鹼自玻璃基板的乏鹼表面層耗乏時，將形成三元氧團簇，使乏鹼表面層的原子結構適於電荷補償4-配位鋁，而不存有氫做為電荷補償的替代手段。反之，利用淋溶或其他濕化學處理來處理的玻璃基板通常具有包括氫的表面層。故在一或更多實施例中，含鹼塊體和乏鹼表面層包含Al2 O3 與SiO2 ，但乏鹼表面層具有包含4-配位狀態鋁的原子結構。例如，按分率計，乏鹼表面有約50%至約100%（例如約60%至約100%、約70%至約100%、約80%至約100%、約50%至約95%、約50%至約90%、約50%至約80%或約50%至約70%）的鋁呈4-配位狀態。一些乏鹼表面層實施例按分率計有少於約50%的鋁呈5,6-配位狀態。在一些實施例中，乏鹼表面層實質無呈5,6-配位狀態的鋁。
在一些實施例中，乏鹼表面層的原子結構包括呈4-配位狀態的矽，但可選擇性包括其他狀態的矽。
如前所述，乏鹼表面層形成可包括氧，以促進4-配位狀態鋁形成。在一些實施例中，按分率計，乏鹼表面有約3%至約30%（例如約3%至約20%、約3%至約15%或約3%至約10%）的氧呈3-配位狀態。在一些情況下，乏鹼表面層實質無非架橋氧，在一些實施例中，含鹼塊體包含非架橋氧與架橋氧。當含鹼塊體實質無非架橋氧時，亦可存有或形成乏鹼表面層。在一些實施例中，含鹼塊體包括的Na2 O量約等於塊體的Al2 O3 存量。
在一些實施例中，乏鹼表面層包含約1莫耳%至約50莫耳%的Al2 O3 。在一些實施例中，Al2 O3 量可為約1莫耳%至約45莫耳%、約1莫耳%至約40莫耳%、約1莫耳%至約30莫耳%、約1莫耳%至約25莫耳%、約5莫耳%至約50莫耳%、約10莫耳%至約50莫耳%、約20莫耳%至約50莫耳%、約30莫耳%至約50莫耳%、約1莫耳%至約45莫耳%、5莫耳%至約35莫耳%或約3莫耳%至約34莫耳%。
在一或更多特定實施例中，乏鹼表面層包含二元Al2 O3 -SiO2 組成，但其他非鹼組分也可包括在內。
如下文所述，熱極化處理前，玻璃基板和含鹼塊體可包括各種玻璃組成。熱極化處理前用於玻璃基板且熱極化處理後存於含鹼塊體的玻璃組成在此稱作「前驅」玻璃或玻璃組成。前驅組成可為能利用熱極化製程形成修改表面層的單純鹼或鹼土矽酸鹽、鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽或硼鋁矽酸鹽到更複雜的多組分玻璃。在一實施例中，含鹼塊體顯示奈米級相分離徵兆，但玻璃經熱極化處理後，層即包括單相。
一示例性前驅玻璃組成包含SiO2 、B2 O3 和Na2 O，其中(SiO2 +B2 O3 )≥66莫耳%，Na2 O≥9莫耳%。在一實施例中，前驅玻璃組成包括至少6重量%的氧化鋁。在進一步實施例中，前驅玻璃組成包括一或更多鹼土氧化物，使鹼土氧化物的含量為至少5重量%。在一些實施例中，適合的前驅玻璃組成進一步包含K2 O、MgO和CaO的至少一者。在一特定實施例中，前驅玻璃組成包含61-75莫耳%的SiO2 、7-15莫耳%的Al2 O3 、0-12莫耳%的B2 O3 、9-21莫耳%的Na2 O、0-4莫耳%的K2 O、0-7莫耳%的MgO和0-3莫耳%的CaO。
另一示例性前驅玻璃組成包含：60-70莫耳%的SiO2 、6-14莫耳%的Al2 O3 、0-15莫耳%的B2 O3 、0-15莫耳%的Li2 O、0-20莫耳%的Na2 O、0-10莫耳%的K2 O、0-8莫耳%的MgO、0-10莫耳%的CaO、0-5莫耳%的ZrO2 、0-1莫耳%的SnO2 、0-1莫耳%的CeO2 、少於50 ppm的As2 O3 和少於50 ppm的Sb2 O3 ，其中12莫耳%£(Li2 O+Na2 O+K2 O)£20莫耳%，0莫耳%£(MgO+CaO)£10莫耳%。
又一示例性前驅玻璃組成包含：63.5-66.5莫耳%的SiO2 、8-12莫耳%的Al2 O3 、0-3莫耳%的B2 O3 、0-5莫耳%的Li2 O、8-18莫耳%的Na2 O、0-5莫耳%的K2 O、1-7莫耳%的MgO、0-2.5莫耳%的CaO、0-3莫耳%的ZrO2 、0.05-0.25莫耳%的SnO2 、0.05-0.5莫耳%的CeO2 、少於50 ppm的As2 O3 和少於50 ppm的Sb2 O3 ，其中14莫耳%£(Li2 O+Na2 O+K2 O)£18莫耳%，2莫耳%£(MgO+CaO)£7莫耳%。
在一特定實施例中，前驅玻璃組成包含氧化鋁、至少一鹼金屬，及在一些實施例中為大於50莫耳%的SiO2 、在其他實施例中為至少58莫耳%的SiO2 、在又一些其他實施例中為至少60莫耳%的SiO2 ，其中(Al2 O3 +B2 O3 )/S改質劑（即改質劑總和）的比率為大於1，其中組分比率係以莫耳%表示，改質劑係鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此前驅玻璃組成包含：58-72莫耳%的SiO2 、9-17莫耳%的Al2 O3 、2-12莫耳%的B2 O3 、8-16莫耳%的Na2 O和0-4莫耳%的K2 O，其中(Al2 O3 +B2 O3 )/S改質劑（即改質劑總和）的比率為大於1。
在又一實施例中，前驅玻璃組成包含：64-68莫耳%的SiO2 、12-16莫耳%的Na2 O、8-12莫耳%的Al2 O3 、0-3莫耳%的B2 O3 、2-5莫耳%的K2 O、4-6莫耳%的MgO和0-5莫耳%的CaO，其中：66莫耳%£SiO2 +B2 O3 +CaO£69莫耳%；Na2 O+K2 O+B2 O3+ MgO+CaO+SrO＞10莫耳%；5莫耳%£MgO+CaO+SrO£8莫耳%；(Na2 O+B2 O3 )-Al2 O3 £2莫耳%；2莫耳%£Na2 O-Al2 O3 £6莫耳%；及4莫耳%£(Na2 O+K2 O)-Al2 O3 £10莫耳%。
在一替代實施例中，前驅玻璃組成包含：2莫耳%或以上的Al2 O3 及/或ZrO2 、或4莫耳%或以上的Al2 O3 及/或ZrO2 。所述前驅玻璃組成可包括澄清劑，例如SnO2 和其他已知澄清劑。
在一或更多實施例中，前驅玻璃組成可實質無硼。例如，前驅玻璃組成及/或熱極化處理後的玻璃基板可包括少於約1莫耳%或少於約0.1莫耳%的B2 O3 或任何狀態的硼。
在一或更多實施例中，熱極化處理後的玻璃基板具有約1.45至約1.55的折射率，乏鹼表面層的折射率比含鹼塊體低。在特定實施例中，利用球對環試驗及使用至少5、至少10、至少15或至少20個樣品測量，玻璃基板於一或更多相對主表面的表面平均失效應變為0.5%或以上、0.6%或以上、0.7%或以上、0.8%或以上、0.9%或以上、1%或以上、1.1%或以上、1.2%或以上、1.3%或以上、1.4%或以上、1.5%或以上、或甚至2%或以上。在特定實施例中，玻璃基板於一或更多相對主表面的表面平均失效應變為約1.2%、約1.4%、約1.6%、約1.8%、約2.2%、約2.4%、約2.6%、約2.8%、或約3%或以上。
熱極化處理後，所述玻璃基板的彈性模數（或楊氏模數）為約30吉帕（GPa）至約120 GPa。在一些情況下，基板的彈性模數為約30 GPa至約110 GPa、約30 GPa至約100 GPa、約30 GPa至約90 GPa、約30 GPa至約80 GPa、約30 GPa至約70 GPa、約40 GPa至約120 GPa、約50 GPa至約120 GPa、約60 GPa至約120 GPa、約70 GPa至約120 GPa和其間所有範圍與子範圍。
在一或更多實施例中，玻璃基板可經強化或不強化。在一些實施例中，對強化玻璃基板進行熱極化，以於強化玻璃基板的壓縮應力層頂部形成乏鹼表面層。
玻璃基板可為實質平面或片狀，但其他實施例可採用彎曲或其他形狀或造形的基板。玻璃基板可為實質光學澄清、透明且無光散射。在此實施例中，玻璃基板在光波長範圍的平均總透射率為約85%或以上、約86%或以上、約87%或以上、約88%或以上、約89%或以上、約90%或以上、約91%或以上、或約92%或以上。
此外或或者，基於美觀及/或功能考量，玻璃基板的物理厚度可沿一或更多維度變化。例如，玻璃基板邊緣可比玻璃基板中心區厚。玻璃基板的長度、寬度和物理厚度尺寸亦可視應用或用途改變。
玻璃基板可利用各種形成方法提供，包括浮式玻璃製程和下拉製程，例如融合抽拉及狹槽抽拉。
所得包括所述含鹼塊體與乏鹼表面層的玻璃基板具有較佳抗腐蝕性、較佳擴散阻障性、較高硬度及/或彈性模數值、較佳抗疲勞性及/或較佳抗破壞性（透過所謂的異常變形）。
基於Al與Si呈4-配位狀態且無有利3-配位狀態氧的非架橋氧，玻璃網質具有近乎最大程度的連接性，此有利於高硬度及/或模數。缺移動鹼或其他網質改質劑意味著供離子跳躍傳導的路徑非常有限，進而抑制擴散（又名擴散阻障）性質。同樣地，缺移動鹼或其他網質改質劑將提高抗化學品腐蝕性，此主要由離子交換機制操作（例如H+ /H3 O+ Na+ ），基本實例為酸性化學品。即使是主要不由離子交換機制操作的化學品，缺非架橋氧和高網質連接性期可減少網質在如中性或鹼性pH化學品中溶解（考量在鹼性pH下的矽石溶解速率對其他多組分玻璃）。熟諳此技術者已知含鹼玻璃的抗疲勞性和裂縫生成實質上比諸如矽石等材料更糟，因此期乏鹼表面層具有低疲勞參數和高裂痕生成閥值。最後，玻璃壓痕表現結構上連結具有大量自由體積的良好連接網質。若本文所述層在遠低於Tg下形成，則預期完全不為熔化平衡結構，此可由熔化獲得，因而可能含有大量自由體積，進而可期異常變形表現和所謂原生抗破壞性。
在一或更多實施例中，乏鹼表面層包含層折射率，且層折射率小於含鹼塊體折射率。例如，含鹼層在約550 nm波長下的折射率可為約1.4至約1.5。此實施例因含鹼層折射率較低而呈現抗反射效果。
在一些實施例中，具含鹼塊體和乏鹼表面層的玻璃基板具有比含鹼塊體（或形成乏鹼表面層前的玻璃基板）高的彈性模數。例如，玻璃基板的彈性模數比含鹼塊體（或形成乏鹼表面層前的玻璃基板）的彈性模數高約10%。例如，當含鹼塊體（或形成乏鹼表面層前的玻璃基板）的彈性模數為約80 GPa時，玻璃基板的彈性模數為約90 GPa。在一些實施例中，所述玻璃基板的硬度亦大於含鹼塊體的硬度。例如，玻璃基板的硬度可比含鹼塊體（或形成乏鹼表面層前的玻璃基板）的硬度大約10%或甚至20%。在一實例中，在約0 nm至約200 nm的壓痕深度下，含鹼塊體（或形成乏鹼表面層前的玻璃基板）的硬度為約6 GPa，而玻璃基板的硬度為約7 GPa。除非特別指明，否則所述硬度值係指維克氏（Vickers）硬度。
在一些實施例中，乏鹼表面層亦阻斷離子擴散到玻璃基板或從含鹼塊體到乏鹼表面層。所述玻璃基板在抗酸、水或鹼溶解方面具有較佳化學耐久性。在一些實例中，玻璃基板在酸、水或鹼中的溶解率降低約1.5倍或以上、或甚至約10倍或以上。
本發明的第二態樣係關於形成具改質表面層的玻璃基板的方法。方法包括提供包含鹼濃度和表面層的玻璃基板，及降低表面層的鹼濃度。在一或更多實施例中，所得具低鹼濃度的表面層包含實質均質組成。
在一或更多實施例中，降低表面層的鹼濃度包括使玻璃基板表面接觸電極，及讓玻璃基板遭受熱極化。
熱極化處理前，可清洗或處理玻璃基板表面（和表面層），以移除可能在形成、儲放及裝運後積聚的典型污染物。或者，可在形成後立即處理玻璃基板，以消除污染物積聚。
用於熱極化的電極可包括接觸玻璃基板陽極表面的陽極和接觸玻璃基板陰極表面的陰極。陽極表面受到正DC偏壓，陰極表面則受到負DC偏壓。
在一或更多實施例中，電極材料在極化溫度下實質上比玻璃更導電，以提供場均勻遍佈改質表面區域。亦期陽極電極材料較能抗氧化，以減少界面氧化物化合物形成，導致玻璃黏貼模板。示例性陽極電極材料包括貴金屬（例如Au（金）、Pt（鉑）、Pd（鈀）等）或抗氧化導電膜（例如TiN、TiAlN）。
陰極電極材料亦可導電，而同樣提供場均勻遍佈改質區域。用於陰極電極材料的示例性材料包括能接收出自玻璃的鹼離子的材料，例如石墨。在一些實施例中，因表面放電，物理陰極電極未必會一直接觸。
在一或更多實施例中，電極係獨立部件，可使電極接觸玻璃，及在處理後即分離，而不需複雜的移除步驟。電極通常包含塊體材料或為薄膜形式，例如沉積至玻璃上當作電極的導電薄膜。
在一些實施例中，電極大體覆蓋所有或僅部分表面，且可依需求呈週期性或圖案化。圖案化可利用任何各種方法達成，例如微影技術、機械加工或其他。
玻璃和電極的曲率及/或平坦度應完美匹配，以於作用區域上面的界面提供適當緊密接觸。然即使最初接觸不緊密，施加電壓時，界面的靜電荷也會將兩個表面拉成緊密接觸而為方法的固有部分。
熱極化可包括施加電壓至玻璃基板，以相對玻璃基板正偏壓陽極，而於玻璃的陽極表面誘發鹼耗乏。電壓可為DC電壓或DC偏壓的AC電壓。施加電壓前，方法可包括在施加電壓至玻璃基板前，加熱玻璃基板和電極（即包括陽極/玻璃/陰極的堆疊）達低於Tg的溫度。在一些實施例中，玻璃基板和電極加熱達約25℃至約Tg、或約100℃至約300℃的製程溫度。在一些實施例中，在預定製程溫度下達平衡有助於熱極化，以確保溫度均勻度。
在一或更多實施例中，熱極化處理包括施加約100伏特至約10000伏特的電壓（例如約100伏特至約1000伏特）至玻璃基板，計約1分鐘至約6小時（例如約5分鐘至約60分鐘、約15分鐘至約30分鐘）。應注意熱極化處理時間和電壓可視玻璃組成而異。在一些實施例中，玻璃基板在真空、惰性氣體環境（例如乾燥氮氣（N2 ））或可滲透氣體環境（例如氦（He））下遭受熱極化。
電壓可以一或更多不連續步驟施加，以達到最大預定值，或以控制/電流限制方式斜線上升（或增加）至製程電壓。種種方式具有潛在防止熱介電崩潰與太多電流通過玻璃的優點，特別係低電阻玻璃，因而可得更高最終極化電壓和也許更厚的表面層。或者，當崩潰強度隨玻璃組成、表面條件和周遭溫度變化時，在一定條件下亦可容許「即時接通」策略用於施加電壓，並為方便所期。
熱極化處理後，使玻璃基板冷卻至約25℃至約80℃的溫度，以供後續搬運。可於冷卻前或冷卻後，移除電壓。
在一或更多實施例中，適於進行極化處理的設備可包括能同時以控制方式維持給玻璃/電極堆疊的熱與電壓及避免諸如漏電路徑或電弧放電等實作問題的任何系統。在一或更多實施例中，設備亦提供製程大氣控制（例如真空、惰性氣體環境（例如乾燥N2 ）或可滲透氣體環境），以減少大氣影響及/或界面囚錮氣體。 實例
現將以下列實例進一步闡明不同實施例。
使一系列鈉鋁矽酸鹽玻璃熔化，及以ICP-OES檢定組成。依感應耦合電漿光發射光譜（ICP-OES）測量塊體組成結果列於表1，單位為莫耳%與重量%。
表1：實例1-18的塊體組成資訊。
第2A圖圖示三元圖，用以總括前驅玻璃組成和對應實驗策略。Na2 O-Al2 O3 -SiO2 系統中的模型玻璃代表「前驅」或塊體玻璃組成，耗乏表面層係藉由對玻璃的正偏壓表面熱極化而合成於上。熱極化後，對應組成效應為形成乏鹼表面層，其中改質劑物種驅出表面層。如第2B圖所示，乏鹼表面層內產生的僅網質-成形體組成投影到圖的Al2 O3 -SiO2 二相邊緣。除非具體指明，否則塊體玻璃或含鹼塊體玻璃具有和經熱極化前的前驅玻璃一樣的組成、結構和特徵。
使用表1所列單純三元組成能更可靠測定結構，此仍維持與市售和其他可用組成的關聯性。此外，組成亦選擇以提供實例，其中乏鹼表面層的合成係藉由最終組成互相搭接，但由不同初始組成與結構的前驅玻璃形成（即證實具相同組成的乏鹼表面層可由不同前驅玻璃形成）。依此，亦可利用結構中各種濃度與類型的鹼-電荷平衡物種（例如非架橋氧對四面體鋁），探測前驅玻璃組成的作用。
玻璃片由表1所列前驅玻璃組成形成，並拋光成尺寸約25平方毫米至約50平方毫米的平面試樣。試樣厚度為約1.0毫米。
至於極化，取得及將塊體高純度鉑（Pt）單塊拋光成光學磨光度。把此元件放置接觸各玻璃片表面做為正偏壓電極。各玻璃片的陰極側使用一段石墨箔（例如Graftech International供應的石墨箔商品Grafoil®）。電極尺寸經控制使之不覆蓋玻璃任一側的整個表面，以減少或消除漏電流。
鬆散堆疊電極和玻璃片後，將各堆疊引入乾燥氮大氣中及加熱達約200℃至300℃。現行溫度平衡約15分鐘後，施加約+300 V（伏特）的電壓至鉑電極，且電流限制為1 mA（毫安）最大值。乏鹼表面層形成時，可觀察到電流開始增加，然後慢慢衰減。電壓施加約15分鐘，爾後切斷加熱器，使電極與玻璃片堆疊在電壓下冷卻。當堆疊的溫度低於約100℃時，移除電壓，讓腔室通風，及手動分離堆疊。
就各種分析形式，比較熱極化後的玻璃片和未極化或未經受熱極化的相同玻璃片。
利用二次離子質譜儀（SIMS），評估乏鹼表面層的存在、深度和組成。分析結果總結於第3A圖至第3L圖、第4圖及第5圖。在第3A圖至第3L圖中，SIMS元素深度剖面呈現正偏壓表面的鈉（23Na）濃度隨深度（nm）變化。在第4圖中，SIMS元素深度剖面呈現正偏壓表面的氫濃度隨深度（nm）變化。在第5圖中，SIMS元素深度剖面呈現正偏壓表面的矽（30Si）與鋁（27Al）濃度隨深度（nm）變化。為予以比較，亦圖示未經受熱極化的相同玻璃片。
第3A圖至第3L圖圖示形成及存在乏鹼表面層，厚度為約300 nm至約500 nm且具各種玻璃組成。
第4圖圖示相較於未極化前驅玻璃的剖面，各種極化玻璃的正偏壓表面的氫（H）的SIMS深度剖面。結果證實乏鹼表面層不含大量氫（相對具相同組成的未極化玻璃片）。不侷限於理論，咸信乏鹼表面層缺氫乃扮演預測所得熱極化玻璃片的玻璃結構的角色；當鹼從乏鹼表面層消除時，將形成三元氧團簇，使乏鹼表面層的原子結構適於電荷補償4-配位鋁，而不存有氫做為電荷補償的替代手段。
第5圖圖示相較於未極化前驅玻璃的剖面，選定實例的正偏壓表面的鋁（Al）與矽（Si）的代表性SIMS深度剖面。第5圖圖示乏鹼表面層主要由Al2 O3 和SiO2 組成。
就額外污染進行X光電子能譜（XPS）分析，以評估及量化乏鹼表面層頂部5 nm至約10 nm的組成，及確證SIMS結果。亦進行高解析度XPS分析，以評估玻璃結構連接性，此如透過偵測（或無）非架橋氧評估。此外，實例8經短暫HF蝕刻，以評估最近表面底下、但仍在乏鹼表面層內的玻璃結構；實例8經蝕刻後的XPS結果基本上證實蝕刻深度係在乏鹼表面層深度內。結果顯示於表2-3和第6圖至第8圖。
表2：選定實例的正偏壓表面的表面組成的XPS資料。
第6圖圖示相較於選定未極化前驅玻璃（右側），各種代表性熱極化玻璃（左側）的正偏壓表面的高解析度XPS O1s曲線形狀。未極化玻璃具有Na/Al＞1，且呈現與至少二峰分量一致的不對稱線形，峰分量對應玻璃結構中的架橋與非架橋氧。極化表面結果一致顯示O1s線形最佳由單一對稱高斯-勞侖茲（Gaussian-Lorentzian）峰擬合，故表示乏鹼表面層中只有架橋氧（無非架橋氧），相對於5,6-配位Al相關的非架橋氧，此與填充4-配位Al與Si（具三元氧團簇）的良好連接網質一致。
勘測掃描時，偵測不到呈任何顯著濃度的，從而駁斥附加元素可能進入乏鹼玻璃層，及於網質結構中沉澱。
第7圖圖示Al濃度結果關聯圖，用以比較XPS結果與Na耗乏後的「預期」表面組成，此係依據塊體ICP組成資料投影（參見表1和第2B圖；ICP資料轉換成原子%）。結果表示表面略微耗乏Al（除Na外），此與第5圖所示Al剖面一致；儘管偵測到此特性，但並不認為與乏鹼表面層包含獨特結構/組成遍及厚度的推論極其相關。表3提供相較於Na耗乏後的「預期」表面組成，極化層表面的XPS結果並轉換成莫耳%，此係依據塊體ICP組成資料投影（參見表1和第1(b)圖；ICP資料轉換成莫耳%）。
表3：乏鹼表面層的XPS結果並轉換成莫耳%，及與層組成的ICP投影相比。
第8圖圖示代表性表面截面穿透式電子顯微（TEM）圖像，以評估奈米級層形貌、檢驗任何相分離或結晶跡象，及交叉覆核層厚度。在第8圖中，比較熱極化形成的乏鹼表面層與未極化前驅玻璃。亦在TEM中進行電子能量損耗能譜（EELS）和特別係能量損耗近邊緣能譜（ELNES），以評估層中某些元素的原子結構環境。
第8圖確證乏鹼表面層的存在和SIMS的測量厚度，及進一步確認乏鹼表面層為均質，且偵測不到任何相分離或結晶。此十分驚人，因為利用習知熔融形成、組成和乏鹼表面層一樣的類似Al2 O3 -SiO2 玻璃會相分離。依據ICP資料，乏鹼表面層內的組成顯示涵蓋約15重量%至約46重量%的Al2 O3 。二元Al2 O3 -SiO2 玻璃含有大於約12重量%的Al2 O3 或約7.7莫耳%的Al2 O3 或約4.9原子%的Al時會發生相分離。
第8圖所示結果亦確證SIMS的測量層厚度，且不論前驅玻璃結構/組成，皆觀察到相同表現。
有時，表面會偵測到少量（＜1%）Pt及後來測得微量Pt小微粒留在電極表面。此類微粒偶爾才出現且不會進入玻璃結構，故推論乏鹼表面層相關功能表現時可忽略。
低量外來碳因吸附大氣污染而存於表面，此可以熟諳技術者已知標準方式校正。
第9圖圖示相較於含鹼塊體，極化表面或乏鹼表面層的Al L-邊緣、Si K-邊緣和O K-邊緣的截面ELNES分析。在技術解析度極限內，結果指示相對於對應含鹼塊體（或前驅玻璃）環境，乏鹼表面層中的鋁或矽結構原子環境無明顯差異。結果表示鋁和矽均呈4-配位狀態。除可偵測峰前活性變異外，氧亦有類似結果。
在同步加速器設施中從事X光吸收近邊緣能譜（XANES）研究，以了解乏鹼表面層結構是否能獨特地與前驅玻璃區分。在全電子產率（TEY）模式下取得資料，以確保結果代表鹼貧表面層結構（即表面易敏模式，頂部5 nm至該層的10nm），並於Al K-邊緣和O K-邊緣進行。第10圖總結相較於未極化前驅玻璃的能譜，代表性玻璃基板系列經受熱極化的正偏壓表面的正規化Al K-邊緣XANES-TEY能譜。結果顯示XANES能譜從極化變成未極化狀態有大致一致的趨勢。
第11圖總結Al K-邊緣XANES資料分析結果，特別係就主吸收峰的峰位置或「白線」。對照本研究分析的參考礦物和文獻，比較熱極化基板和未極化玻璃的主峰位置（「白線」）。結果明確指出鋁在乏鹼表面層（和前驅玻璃或含鹼塊體玻璃）中呈4-配位。
不侷限於理論，基於乏鹼表面層近乎完全耗乏鹼、乏鹼表面層缺氫、無任何可能電荷補償鋁的外來/寄生離子、乏鹼表面層缺非架橋氧和乏鹼表面層的均質玻璃形貌，咸信3-配位狀態氧形成為4-配位鋁的至少一顯著電荷補償機制。另外，咸信3-配位狀態氧依較高濃度存於乏鹼表面層的玻璃網質。再者，咸信乏鹼表面層包括高度連接、無非架橋氧的網質，而可能具許多獨特物性。缺非架橋氧或高配位Al時，三元氧團簇的理論濃度為網質中每個鋁原子有一個三元氧團簇。在一或更多實施例中，依據XPS資料（有一些Al耗乏），3-配位狀態氧佔乏鹼表面層的總氧量的約4%-19%。在一些實施例中，依據組成遍佈層的ICP投影，3-配位狀態氧佔總氧量的約5%至約29%（沒有Al耗乏）。
為進一步確認乏鹼表面層結構，乃蝕去乏鹼表面層最外面數奈米，然後利用XPS和XANES分析蝕刻表面。實驗結果總結於第12A圖及第12B圖。
第12A圖圖示實驗，其中乏鹼表面層經部分蝕刻及重新   評估。第12B圖圖示SIMS剖面（蝕刻前），以確證乏鹼表面層內的Al耗乏區。讓樣品在1% HF溶液中蝕刻1分鐘，以評估最近樣品表面底下（略微Al耗乏，如SIMS剖面所示）、但仍在乏鹼表面層內的玻璃結構。在第12C圖中，XPS結果顯示蝕刻產生的鋁濃度接近ICP資料的預期值（參見第7圖），但仍在乏鹼表面層內，依鈉偵測指示只有0.1原子%位準。故遍佈乏鹼表面層大部分厚度的鋁濃度期可以塊體ICP組成投影恰當表示，未蝕刻極化表面的XPS資料則不足以代表大部分乏鹼表面層的鋁濃度。
第12D圖總結相同極化表面在蝕刻前/後的XANES結果，及確認蝕刻樣品的乏鹼表面層內某處深度的鋁環境係一致的。結果證實4-配位鋁環境和對應3-配位狀態氧存在遍及整個乏鹼表面層厚度。乏鹼表面層的最近表面正下方具較高鋁濃度代表較高的三元氧團簇結構濃度，進而影響物性更甚。
對熱極化玻璃進行氧K-邊緣TEY-XANES，以確認3-配位狀態氧存於乏鹼表面層。結果如第13A圖所示，該圖圖示相較於未極化前驅玻璃的能譜，代表性熱極化玻璃系列的正偏壓表面的正規化O K-邊緣XANES-TEY能譜。第13B圖圖示應用到O K-邊緣資料的代表性曲線擬合程序實例，其中暗色分量咸信可能對應乏鹼表面層中的三元氧團簇。此峰出現在此能量的隕鋁鈣石參考礦物（其單位晶胞中，每7個總氧含有1個3-配位狀態氧），但鈉長石參考礦物則不然（其不具3-配位狀態氧）。在第13C圖中，利用XPS，將暗色分量強度對鋁濃度作圖，以顯示明顯關聯性。結果提供3-配位狀態氧存在、串接增加乏鹼表面層中的4-配位Al濃度的若干潛在直接證據。
對熱極化玻璃進行紅外線角調式光譜橢圓量測（IR-VASE）。結果如第14A圖至第14C圖所示，並顯示乏鹼表面層的結構缺氫。
測量乏鹼表面層的折射率，及比較玻璃在熱極化前的折射率。乏鹼表面層的折射率據悉小於前驅玻璃的折射率。在一些實施例中，乏鹼表面層的折射率為1.4至1.5。此通常有足夠的折射率對比和厚度，以於熱極化玻璃中產生可見抗反射效果。
熟諳此技術者將明白，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾。
100‧‧‧玻璃基板
120‧‧‧含鹼塊體
140‧‧‧乏鹼表面層
第1圖係根據一或更多實施例，玻璃基板的側視圖；
第2A圖係實例I的玻璃的三元圖；
第2B圖係突顯初始玻璃結構與熱極化後的玻璃結構差異的三元圖；
第3A圖至第3L圖係在實例I的選定熱極化玻璃的正偏壓表面上，鈉的SIMS深度剖面；
第4圖圖示在實例I的選定熱極化玻璃的正偏壓表面上，氫的SIMS深度剖面；
第5圖圖示在實例I的選定熱極化玻璃的正偏壓表面上，鋁和矽的SIMS深度剖面；
第6圖圖示相較於選定未極化前驅玻璃，實例I的選定玻璃的乏鹼表面層的正偏壓表面的高解析度XPS O1s曲線形狀；
第7圖圖示Al濃度結果關聯圖，用以比較Na耗乏後的「預期」濃度（依據塊體ICP組成資料）；
第8圖圖示代表性表面截面TEM圖像系列，用以比較未極化前驅玻璃與熱極化玻璃的乏鹼表面層；
第9圖圖示相較於極化層底下的未極化塊體，乏鹼表面層的Al L-邊緣、Si K-邊緣和O K-邊緣的截面ELNES分析；
第10圖圖示相較於未極化前驅玻璃的能譜，實例I的選定熱極化玻璃的正偏壓表面的正規化Al K-邊緣XANES-TEY能譜；
第11圖圖示相較於參考礦物，熱極化和未極化玻璃的主峰位置（「白線」）比較；
第12A圖係用HF（氫氟酸）溶液蝕刻的熱極化玻璃示意圖；
第12B圖係第12A圖玻璃在蝕刻前的SIMS剖面；
第12C圖圖示第12A圖玻璃在蝕刻後的XPS結果；
第12D圖圖示第12A圖玻璃在蝕刻後的XANES；
第13A圖圖示相較於未極化前驅鈉鋁矽酸鹽玻璃的能譜，代表性熱極化鈉鋁矽酸鹽玻璃系列的正偏壓表面的正規化O K-邊緣XANES-TEY能譜；
第13B圖係應用到O K-邊緣資料的代表性曲線擬合程序實例，其中暗色分量咸信可能對應熱極化後，乏鹼表面層中的三元氧團簇；
第13C圖係利用XPS（X光電子能譜），將第13B圖O XANES強度的暗色分量對Al濃度作圖；
第14A圖圖示針對代表性鈉鋁矽酸鹽玻璃在熱極化前，依IR-VASE測量熱極化前後的橢圓量測Psi與Del光譜；
第14B圖圖示針對第14A圖的同一鈉鋁矽酸鹽玻璃在熱極化後，依IR-VASE測量熱極化前後的橢圓量測Psi與Del光譜；
第14C圖圖示二代表性鈉鋁矽酸鹽玻璃的乏鹼表面層的模型Psi/Del光譜和吸收係數光譜，此各自與前驅玻璃相比，並進一步參考熔矽石。
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Claims (10)

  1. 一種玻璃基板，包含： 一含鹼塊體；及一乏鹼表面層，其中該乏鹼表面層為無定形且包含一實質均質組成。
  2. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該乏鹼表面層包含約0.5原子%的鹼或更少。
  3. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該乏鹼表面層實質無結晶。
  4. 如前述請求項中任一項所述之玻璃基板，其中該含鹼塊體和該乏鹼表面層包含Al2 O3 與SiO2 ，其中該乏鹼表面層包含一原子結構，該原子結構包含實質呈一4-配位狀態的鋁。
  5. 如請求項4所述之玻璃基板，其中該乏鹼表面層的該原子結構包含呈一4-配位狀態的矽。
  6. 如請求項4所述之玻璃基板，其中該乏鹼表面層中有少於約5%的鋁呈除該4-配位狀態以外的配位狀態。
  7. 如請求項4所述之玻璃基板，其中該乏鹼表面層包含一總氧量，其中按分率計，該總氧量的約3%至約30%呈一3-配位狀態。
  8. 如請求項7所述之玻璃基板，其中該乏鹼表面層實質無非架橋氧。
  9. 如請求項8所述之玻璃基板，其中該含鹼塊體包含非架橋氧與架橋氧，或實質無非架橋氧。
  10. 如請求項1-3中任一項所述之玻璃基板，其中該含鹼塊體包含選自Li2 O、Na2 O、K2 O、Rb2 O和Cs2 O的一鹼金屬氧化物，其中該乏鹼表面層包含一二元Al2 O3 -SiO2 組成。
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