TW201213996A - Particles for image display, production method thereof, electrophoretic dispersion liquid, and image display device - Google Patents

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201213996 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、電泳分 本發明係關於圖像顯示用微粒子及其製造方法 散液以及圖像顯示裝置。 【先前技術】 如紙般柔軟且易讀之低價電子紙可隨時重寫，且根據構 成、結構不同而具有記憶功能，具有可無需電力而保持顯 不内容等優點’研究開發正積極進展中。作為如此電子紙 之1種，已知有應用電泳之顯示裝置（以下僅稱『顯示裝 置』）。該顯示裝置具備對向之一對基板。並且，於觀察 者侧之第2基板上設有第2電極，在與該第2基板對向之第1 基板上設有第i電極。χ ’於該等之基板間帛充有例如帶 電之多數個電泳粒子及與電泳粒子不同顏色之分散媒。再 者，由間隔壁區劃像素，防止電泳粒子之偏離，且規定一 對基板之間隙。 顯示裝置中，m口若使電泳粒子帶正電m電極施 加正電壓，對第2電極施加負電壓，則帶正電之電泳粒子 以覆蓋第2電極之方式泳動。因此，注視顯示裝置時進行 與電泳粒子相同顏色之顯示。與此相反，若對第丨電極施 加負電壓，對第2電極施加正電壓，則電泳粒子以覆蓋第i 電極之方式泳動。因此，注視顯示裝置時進行與分散媒相 同顏色之顯示。並且，以像素單位進行如此對電極之施 加’從而可顯示任意圖像。 先前技術文獻 154152.doc 201213996 專利文獻 專利文獻1日本特開2008-224714 【發明内容】 發明所欲解決之問題 由碳黑構成用以顯示黑色之電泳粒子之技術已眾所周知 (例如參照日本特開2008_224714)β但，將市售之碳黑;為° 電泳粒子使用之情形中，根據本發明者等之探討結=，判 明無法獲得具有優良特性之顯示裝置。 因此，本發明之目的係提供一種具有優良特性、基於電 泳顯示黑色圖像之圖像顯示用微粒子及其製造方法，由該 圖像顯示用微粒子構成之電泳分散液，以及具備該電泳^ 散液之圖像顯示裝置。 解決問題之技術手段 用以達成上述目的之本發明之第丨態樣之圖像顯示用微 粒子係分散（懸浮）於在對向之2塊基板間密封之電泳分散液 中，顯不圖像者，其包含利用氮BET法之比表面積值為 〇 m/克以上’較佳為400 m2/克以上，利用MP法之細孔 谷積為0.1 cm3/克以上，較佳為〇 2 em3/克以上’更佳為〇 3 cm3/克以上之多孔質碳材料。 用以達成上述目的之本發明之第2態樣之圖像顯示用微 粒子係分散（懸浮）於在對向之2塊基板間密封之電泳分散液 中’顯示圖像者’其包含利用氮BET法之比表面積值為 100 m2/克以上，較佳為400 m2/克以上，利用非局部化密 度泛函數法求得之細孔徑分佈中，10 nrn以下至少具有1個 154152.doc 201213996 ，10 nm以下範圍内具有細孔徑 率相對於5 0 nm以下範圍内具有 上，較佳為0.2以上，更佳為〇 3 峰值之多孔質碳材料。另 之細孔容積之合計佔有比 細孔徑之細孔容積為〇 J以 至0·99。以下亦相同。 用以達成上述目的之本發明之紅態樣之圖像顯示用微 粒子係分散⑽浮）於在對向之2塊基板間密封之電泳分散液 中’ I:不圖像者，其包含利用氮BET法之比表面積值為 100 m/克以上較佳為4〇〇 m2/克以上，平均粒徑為ΐχίο 8爪 以上、2xur4m以下，較佳為1χ1〇·ν以上、2xi〇_6m以下， 更佳為1x10 m以上、5xl().7m以下之多孔質碳材料。 用以達成上述目的之本發明之第4態樣之圖像顯示用微 粒子係分散（懸洋）於在對向之2塊基板間密封之電泳分散液 中’顯不圖像者’其包含Zeta電位之絕對值為1 〇毫伏以 上、200毫伏以下之多孔質碳材料。 用以達成上述目的之本發明之第1態樣之圖像顯示用微 粒子之製造方法係包含分散（懸浮）於在對向之2塊基板間密 封之電泳分散液中’且利用氮bet法之比表面積值為100 m /克以上’較佳為4〇〇瓜2/克以上，利用MP法之細孔容積 為0.1 cm3/克以上，較佳為〇2 cni3/克以上，更佳為0.3 cm3/克以上之多孔質碳材料，顯示圖像之圖像顯示用微粒 子之製造方法，其申將來自於植物之材料以500。(：至 1400°C碳化。另’為方便而有將如此所得之多孔質碳材料 稱作『多孔質碳材料前驅物』或『碳質物質』之情形。以 下亦相同。 154152.doc 201213996 用以達成上述目的之本發明之第2態樣之圖像顯示用微 粒子之製造方法係包含分散（懸浮）於在對向之2塊基板間密 封之電泳分散液中’且利用氮BET法之比表面積值為1 〇〇 m2/克以上’較佳為400 m2/克以上，利用非局部化密度泛 函數法求得之細孔徑分佈中，1〇 nm以下至少具有丨個峰值 之多孔質碳材料，顯示圖像之圖像顯示用微粒子之製造方 法’其中將來自於植物之材料以5〇〇»c至14〇(rc碳化。 用以達成上述目的之本發明之第丨態樣之電泳分散液係 汝封於對向之2塊基板間，顯示圖像者，其由包含利用氮 BET法之比表面積值為10〇 m2/克以上，較佳為4〇〇 克以 上’利用MP法之細孔容積為〇1 cm3/克以上，較佳為〇2 cm/克以上，更佳為〇 3 cm3/克以上之多孔質碳材料之圖 像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微粒子分散（懸浮）之 分散液構成。 用以達成上述目的之本發明之第2態樣之電泳分散液係 ，其由包含利用氮 較佳為400 m2/克以 密封於對向之2塊基板間，顯示圖像者， BET法之比表面積值為1〇〇爪2/克以上，

BET法之比表面積為100 m2 m /克以上，較佳為400 m2/克以 利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈中，工〇

154152.doc 201213996 上，平均粒徑為lxl(T8m以上、2xl〇-4m以下，較佳為lxl(r8m 以上、2xl〇-6m以下，更佳為lxl0-8m以上、5xl〇-7m以下之 多孔質碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微 粒子分散（懸浮）之分散液構成。 用以達成上述目的之本發明之第4態樣之電泳分散液係 密封於對向之2塊基板間，顯示圖像者，其由包含以匕電 位之絕對值為10毫伏以上、2〇〇毫伏以下之多孔質碳材料 之圖像顯示用微粒子’以及使圖像顯示用微粒子分散（懸 浮）之分散液構成。 用以達成上述目的之本發明之第1態樣之圖像顯示裝置 係具有密封於對向之2塊基板間之電泳分散液者，電泳分 散液由包含利用氮BET法之比表面積值為100 m2/克以上， 較佳為400 m2/克以上，利用Mp法之細孔容積為〇1 克 以上，較佳為0.2 cm3/克以上，更佳為〇 3 cm3/克以上之多 孔質碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微粒 子分散（懸浮）之分散液構成。 用以達成上述目的之本發明之第2態樣之圖像顯示裝置 係具有密封於對向之2塊基板間之電泳分散液者，電^分 散液由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 克以上^ 較佳為彻一克以上’利用非局部化密度泛函數法求得之 細孔徑分佈中’ 10 nm以下至少具有i個峰值之多孔質碳材 料之圖像顯示用微粒子，以及㈣像顯示㈣粒子 (懸浮）之分散液構成。 用 以達成上述目的之本發明 之第3態樣之圖像顯 示裝置 154152.doc 201213996 係具有密封於對向之2塊基板間之電泳分散液者，電泳分 散液由包含利用氮BET法之比表面積值為1 〇〇 m2/克以上， 較佳為400 m2/克以上，平均粒徑為lxl(r8m以上、2xl〇-4m 以下’較佳為lxl〇-8m以上、2x10·%以下，更佳為lxl〇-8m 以上、5 X 10 m以下之多孔質碳材料之圖像顯示用微粒 子，以及使圖像顯示用微粒子分散（懸浮）之分散液構成。 用以達成上述目的之本發明之第4態樣之圖像顯示裝置 係具有密封於對向之2塊基板間之電泳分散液者，電泳分 散液由包含Zeta電位之絕對值為！ 〇毫伏以上、2〇〇毫伏以 下之多孔質碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示 用微粒子分散（懸浮）之分散液構成。 發明之效果 本發明之圖像顯示用微粒子中，利用氮BET法之比表面 積值為100 m2/克以上，利用Mp法之細孔容積為〇 1 克 以上《又規定利用氮BET法之比表面積值與利用非局部 化密度泛函數法求得之細孔徑分佈，或又規定制氮贿 法之比表面積值與平均粒徑，或又規定—電位值。因 對刀政液（刀散媒）之親和性增加，圖像顯示用微粒子 之比重與分散液(分散媒)相同，或大致相同，因此認為對 分散液（分散媒）之相溶性增大。並且，以上結果可謀求電 泳分散液中圖像顯示用微粒子之分散狀態之改善，可獲得 優良特性’作為用以顯示黑色之黑色顏料之圖像顯示 用微粒子’可減少長期保存時或使用時之電泳分散液中圖 像顯示用微粒子之凝集的產生，因此可謀求圖像顯示裝置 I54152.doc 201213996 之可靠性之提高’顯示應答性之提高β ，又本發明之第1態樣〜第2態樣之圖像顯示用微粒子之 製知·方法中，使來自於植物之材料碳化而轉換成多孔質碳 材料前驅物或碳質物質時，藉由進行5〇〇t)〜i4〇〇(>c之溫度 範圍内之碳化，而例如使來自於植物之材料中所含之矽非 成碳化石夕（SiC)而成二氧化邦i〇x)或氧化石夕、氧化石夕鹽之 夕成伤（石夕氧化物）。因在匕，若在以下步驟中以酸或驗進行 處理則一氧化矽或氧化矽、氧化矽鹽之矽成份(矽氧化 物）被除去，結果可獲得較大之利用氮BET法之比表面積 值。 【實施方式】 以下，參照附圖基於實施例說明本發明，但本發明不限 於貫施例’實施例之各種數值或材料係例示。3，說明按 以下順序進行。 1·關於所有本發明之第i態樣〜第4態樣之圖像顯示用微粒 子、本發明之第1態樣〜第2態樣之圖像顯示用微粒子之製 ^方法本發明之第1態樣〜第4態樣之電泳分散液，以及 本發明之第1態樣〜第4態樣之圖像顯示裝置之說明 2. 實施例1(本發明之第i態樣〜第4態樣之圖像顯示用微粒 子本七明之第1態樣〜第2態樣之圖像顯示用微粒子之製 化方法本奴明之第1態樣〜第4態樣之電泳分散液 '以及 «明之第1態樣〜第4態樣之圖像顯示裝置） 3. 實施例2 (實施例1之圖像顯示褒置之變形） 4. 實施例3(實施例丨之圖像顯示賴粒子、圖像顯示用微粒 154152.doc 201213996 子之製造方法、電泳分散液之變形） 5.實施例4(實施例丨之圖像顯示用微粒子、圖像顯示用微粒 子之製造方法、電泳分散液之其他變形）、其他 [關於所有本發明之第1態樣〜第4態樣之圖像顯示用微粒 子、本發明之第1態樣〜第2態樣之圖像顯示用微粒子之製 造方法、本發明之第1態樣〜第4態樣之電泳分散液、以及 本發明之第1態樣〜第4態樣之圆像顯示裝置之說明] 本發明之第1態樣〜第4態樣之圖像顯示用微粒子（以下有 將該等本發明之第1態樣〜第4態樣之圖像顯示用微粒子僅 稱作本發明之圖像顯示用微粒子』之情形），本發明之 第1態樣〜第2態樣之圖像顯示用微粒子之製造方法（以下有 將該等本發明之第1態樣〜第2態樣之圖像顯示用微粒子之 製造方法僅稱作『本發明之圖像顯示用微粒子之製造方 法』之情形）、將本發明之第1態樣〜第4態樣之電泳分散液 (以下有將該等本發明之第丨態樣〜第4態樣之電泳分散液僅 稱作本發明之電泳分散液』之情形）、或將本發明之第j 也樣〜第4態樣之圖像顯示裝置（以下有將該等本發明之第1 態樣〜第4態樣之圖像顯示裝置僅稱作『本發明之圖像顯示 裝置』之情形）中’圖像顯示用微粒子可為將來自於植物 之材料作為原料之形態，更具體言之，例如可為將石夕（Si) 之含有率為5質量％以上之來自於植物之材料作為原料之 形心再者，合如此較佳形態之本發明之圖像顯示用微粒 子、本發明之圖像顯示用微粒子之製造方法、本發明之電 泳分散液、或本發明之圖像顯示裝置中，圖像顯示用微粒 154152.doc 201213996 子可為實施表面改質處理之形態β另，有將本發明之圖像 顯示用微粒子、本發明之圖像顯示用微粒子之製造方法十 之圖像顯不用微粒子、本發明之電泳分散液之圖像顯示用 微粒子、或本發明之圖像顯示裝置中之圖像顯示用微粒 子’在以下總稱為『本發明之圖像顯示用檄粒子』之情 形。 含上述較佳形態之本發明之圖像顯示 πι佩科丁 I聚适万 法中了為故化後對多孔質碳材料前驅物或碳質物質實施 激活處理之形態。又，含如此較佳形態之本發明之圖像顯 不用微粒子之製造方法中，可為對多孔質碳材料前驅物或 碳質物質進行酸或驗處理之形態。另，進行激活處理之情 形甲，酸或鹼處理可在激活處理前，亦可在後。利用酸或 鹼處理，而可成為將碳化後之來自於植物之材料中之例如 夕成伤去除之形態。此處，作為碎成份，可舉出二氧化石夕 或氧化夕氧化矽鹽之矽氧化物。如此，將碳化後之來自 ''植物之材料中之石夕成份去除’從而可獲得具有高比表面 積之多孔質碳材料。根據情形不同，亦可基於乾敍刻法將 ρ後之來自於植物之#料中的石夕成份去除。再者，含該 專較佳形態之本發明之圖像顯示用微粒子 可為來自於植物之材料中矽# 法卞 竹〒石夕（Sl)之含有率在5質量％以上之 形態。 或二本發明之第丨態樣之圖像顯示用微粒子、本發明之 ::之圖像顯示用微粒子之製造方法、本發明之第鴻 樣“泳分散液、或本發明之第1§樣之圖像顯示裝置 154152.doc 201213996 中，多孔負碳材料之矽含有率在5質量％以下，較佳為3質 量/〇以下’更佳為1質量％以下。又’利用bjh法及法之 細孔容積在0 · 2 cm3/克以上較佳。 a以上說明之各種較佳形態之本發明之圖像顯示用微粒 子、本發明之圖像顯示用微粒+之製造方丨、本發明之電 泳刀散液、或本發明之圖像顯示裝置（以下總稱該等僅稱 作『本發明』）並非限定，但圖像顯示用微粒子中鎮陶 之含有率為0.01質量％以上、3質量％以下，卸（κ)之含有率 為0.01質量％以上、3f量％以下KCa)之含有率為〇〇5 質量％以上、3質量％以下較佳。 本發明之圖像顯示用微粒子之製造方法中所謂『碳 化：，-般意指將有機物質(本發明中係來自於植物之材料) $ I g >轉換成碳質物質（例如參照Μ励⑺4_ 198七。另，作為用以碳化之氛圍，可舉出截斷氧之氛 圍。具體言之’可舉出真空氛圍、氮氣或氬氣之惰性氣體 乳圍、使來自於植物之材料成—種蒸烤狀態之氛圍叫乍為 至石及化溫度之前之升溫速度無限制，該氛圍下可舉出心 分以上’較佳為rc/分以i，更佳為5。以分以上。又，作 ^炭化時間之上限’可舉出10小時，車交佳為7小時，更佳 =5小時’但不限於此。碳化時間之下限只要為來自於植 之材枓可確實碳化之時間即可。可根據期望將來自於植 自^料粉碎成期望之粒度’亦可分級。亦可預先清洗來 前2物之材料。或又可根據期望將所得之多孔質碳材料 物或多孔質碳材料粉碎成期望之粒度，亦可分級。或 •54152^00 201213996 又可根據誠將㈣處理後之纽質储料粉碎成期望之 粒度，亦可分級。心碳化所使用之爐之形式、構成、結 構無限制，可為連續爐，亦可為批次爐（批量爐 含上述較佳形態之本發明之圖像顯示用微粒子之製造方 法中，藉由成為於酸或鹼處理之前或後實施激活處理之形 態’從而可使孔徑小於2 nm之微細孔（後述）增加。作為激 活處理之方法’可舉出氣體激活法、藥品激活法。此處， 所謂氣體激活法’係、使用氧或水蒸氣、二氧化碳、空氣等 作為激活劑’於該氣體氛圍下以700eC至1400eC，較佳為 700°C至1000°C，更佳為80(rc至950。(：，加熱多孔質碳材 料幾十分鐘至幾小時，藉此利用多孔質碳材料中之揮發成 份或碳分子使微細結構成長之方法。另，加熱溫度只要基 於來自於植物之材料之種類、氣體之種類或濃度等適當選 擇即可。所謂藥品激活法，係取代氣體激活法所使用之氧 或水蒸氣，使用氯化辞、氯化鐵、磷酸鈣、氫氧化鈣、碳 酸鎂、碳酸鉀、硫酸等激活，以鹽酸清洗，以鹼性水溶液 調整pH值，使之乾燥之方法。 再者’含以上說明之各種較佳形態之本發明之圖像顯示 用微粒子之製造方法中，亦依賴於所使用之來自於植物之 材料’但碳化來自於植物之材料前，亦可以低於用以碳化 之溫度之溫度（例如4〇〇。〇〜700。(：），以截斷氧之狀態對來 自於植物之材料實施加熱處理（預備碳化處理）。藉此，可 萃取碳化過程中可能生成之焦油成份，結果可減少或去除 碳化過程中可能生成之焦油成份。另，截斷氧之狀態例如 154152.doc -13- 201213996 可由成氮氣或氬氣之惰性氣體氛圍，或又成真空氛圍，戍 又成使來自於植物之材料成為一種蒸烤狀態從而達成。或 又亦依賴於所使用之來自於植物之材料，但為使來自於植 物之材料中所含之礦物成份或水份減少，又為防止碳化過 程中之異臭產生，在將來自於植物之材料碳化前亦可將來 自於植物之材料浸潰於醇（例如甲醇或乙醇、異丙醇）中。 另，其後亦可實行預備碳化處理。作為在惰性氣體中實施 加熱處理之較佳材料，例如可舉出多產生木醋液（焦油或 輕油）之植物。作為利用醇實施前處理之較佳材料，例如 可舉出多含碘或各種礦物之海藻類。 本發明中，作為來自於植物之材料，可舉出米（稻卜大 麥、小麥、黑麥、科、榖子等稻殼或稻草、咖哗豆、茶葉 (例如綠余或紅茶等茶葉）、甘蔗類（更具體言之，甘蔗類之 殘盧）穀物類（更具體言之，縠物類之核）、果皮（例如拇 。或香1之皮等）、或又蘆葦、$帶，但不限於此，此外 可舉出例如生植於陸地上之維管植物、蕨類植物、蘚苔類 藻類海藻。另，作為原料，可單獨使用該等材 H複數種㈣°來自於植物之材料之形狀或形 :^特別限制，例如可為稻殼或稻草其本身，或亦可為 處理品。再者，啤酒或洋酒等飲食品加工中，亦可使 宜實發酵處理、供培處理、萃取處理等各種處理者。尤 ^ §'、求業廢氣物之資源化之觀點而言，使用去殼等加 二之柄草或稻殼較佳。該等加項之稻草或稻殼例如可 夏且容易從農業協會、酒類製造公司、食品公司、食品 154152.d0( 14 201213996 加工公司獲得。 圖像顯示用微粒子中亦可含有卿）或硫⑻等非金屬元 素或過渡元素等金屬元素。可舉出作㈣（p)之含有率〇 〇1 質以上3質量％以下’作為硫⑻之含有率㈣質量％以 上3質以下。另’該等元素或上述鎮⑽卜卸⑹、舞 (Ca)之含有率因對圖像顯示用微粒子之要求特性等而不 同，但由比表面積值之增加之觀點而言含有率較少為佳。 圖像顯示用微粒子中可含有上述元素以外之元素，當然上 述各種兀素之含有率之範圍亦可根據對圖像顯示用微粒子 之要求特性等而變更。本發明中，各種元素之分析可使用 例如能量分散型X射線分析裝置（例如日本電子股份公司製 之動_22_’由能量分散法（Eds)進行。此處，只要使 測定條件❹騎描fai5kv，騎電㈣#即可。 作為本發明之圖像顯不用微粒子之表面改質處理，可舉 出化學處理或分子改質。作為化學處理，例如可舉出利用 頌酸處理或過二硫酸鹽處理於表面生錢基之處理。又， 藉由進行與利用水蒸氣、氡、鹼等之激活處理相同之處 理，亦可於圖像顯示用微粒子之表面生成羥基、羧基、嗣 基、醋基等各種官能基。作為分子改f，可舉出以合計具 有3個以上C N、〇、s、p等之分子經由共價鍵結或離子 鍵結改質圖像顯示用微粒子表面之方法。具體言之，可舉 出以二氧化矽被覆圖像顯示用微粒子表面後，以矽烷偶合 ϋ由S卜Ο進灯改質之方法、或經由ΝξΝ鍵結之方法、以 醋鍵結或Si胺鍵結等進行改質之方法。亦可化學處理表面 154i52.doc •15· 201213996 後進行分子改質。改質之分子分子量越大越成為立體障 礙，分散性提高。又，藉由以醯胺基等具有正電荷之分子 改質，而可增加圆像顯示用微粒子之正電荷保持量。另一 方面，藉由以羥基、羧基、酮基、酯基等具有負電荷之分 子改質，而可增加圖像顯示用微粒子之負電荷量。 本發明之圖像顯示用微粒子具有較多細孔（p〇re)。作為 細孔，包含孔徑2 nm至50 ηιη之『中細孔』及孔徑小於2 nm之『微細孔』。具體言之，作為『中細孔』，例如大多含 20 nm以下孔徑之細孔，尤其大多含丨〇 nm以下孔徑之細 孔。又’作為微細孔’例如大多含孔徑丨9 nm左右之細 孔、1.5 nm左右之細孔、與o s nm〜1 nm左右之細孔。本發 明之圖像顯示用微粒子中，例如利用BJH法及MP法之細孔 谷積為0.2 cm3/克以上較佳，〇·3 cm3/克以上更佳。本發明 之圖像顯示用微粒子中，為獲得更優良之特性，如上述， 利用氮BET法之比表面積值（以下有時僅稱『比表面積 值』）較佳為400 m2/克以上。 所謂氮BET法’係藉由使作為吸附分子之氮吸附解吸於 吸附劑（此處係圖像顯示用微粒子）而測定吸附等溫線，基 於以式（1)表不之B E T式解析所測定之資料之方法。可基於 該方法算出比表面積或細孔容積等。具體言之，利用氮 BET法算出比表面積值之情形中，首先藉由使作為吸附分 子之氮吸附解吸於吸附劑（圖像顯示用微粒子）而求得吸附 等溫線。然後，從所得之吸附等溫線基於式（1)或將式 變形之式（1，），算出[p/{Va(p〇-p)}]，對平衡相對壓（p/Po)進 154152.doc -16 · 201213996 行作圖。然後’將該作圖看作直線，基於最小平方法算出 斜率s(-[(C-l)/(C.Vm)])及截距 i(=[i/(〇Vm)])。然後，由所 求得之傾率s及截距i，基於式（2·υ、式（2_2)，算出、及 C。再者，由vm基於式（3)算出比表面積asBET(參照曰本Bell 股份公司製BELSORP-mini及BELSORP解析軟體手冊、第 62頁〜第66頁）。另，該氮bet法係以jIS R 1626_1996「利 用精密陶瓷粉體之氣體吸附BET法之比表面積之測定方 法」為標準之測定方法。 va- (VB· C · p) / [ (p〇~p) (c-.!) (p/p〇) } ] (!) [P/ Μ (P。-P) }] =HC-1) / (C-VJ ] (p/p0) + [1/ (C. VJ ] (i·) Vra=l/ (s + i) (2-1) C = (s/i) +i (2-2) (Vra · L · σ) /224 1 4 (3) 其中’ Va:吸附量’ vra:單分子層之吸附量，p:氮平衡時 之壓力，P〇:氮之飽和蒸氣壓，L:阿伏伽德羅常數，σ:氮之 吸附剖面積。 利用氮BET法算出細孔容積Vp之情形中，例如直線内插 所求得之吸附等溫線之吸附資料，求得以細孔容積算出相 對壓設定之相對壓下之吸附量V。可由該吸附量v基於式 (4)算出細孔容積Vp(參照日本BeU股份公司製BELS〇Rp_ mini及BELSORP解析軟體手冊、第62頁〜第65頁）。另，有 將基於氮BET法之細孔容積在以下僅稱作『細孔容積』之 情形。 154152.doc -17- 201213996

Vp=(V/22414)x(Mg/Pg) ⑷ 其中， V··相對壓下之吸附量 Mg:氮之分子量 Pg :氮之密度。 中細孔之孔徑例如可基於BjH法從相對於該孔徑之細孔 容積變化率算出細孔之分佈^ BjH法係作為細孔分佈解析 法廣泛使用之方法。基於BJH法進行細孔分佈解析之情形 中’首先，藉由使作為吸附分子之氮吸附解吸於吸附劑 (圖像顯示用微粒子）’而求得解吸等溫線。然後，基於所 求得之解吸等溫線，求得從細孔由吸附分子（例如氮）填滿 之狀態至吸附分子階段性吸附解吸時之吸附層之厚度，及 此時產生之孔之内徑（核半徑之2倍），基於式（5)算出細孔 半徑rp，基於式（6)算出細孔容積。然後，藉由將從細孔半 徑及細孔容積相對於細孔徑（2Γρ)之細孔容積變化率 (dVp/drp)作圖，而獲得細孔分佈曲線（參照日本股份公 司製BELSORP-mini及BEls〇RP解析軟體手冊、第85頁〜第 88 頁）。 r^t + rk (5)

Vp«=Rn· dVn-Rn· d t„· C · £Apj (6) 其t， rp„2/ (r1 4- d tn) 2 (7) 此處， Γ p :細孔半徑 154152.doc -18- 201213996 rk ·»亥壓力下厚度t之吸附層吸附於細孔半徑&之細孔内壁之 情形之核半徑（内徑/2)

Vpn:氮之第η次吸附解吸產生時之細孔容積 dVn:此時之變化量 dtn:氣之第η次吸附解吸產生時之吸附層之厚度加之變化量 i*kn:此時之核半徑 c:固定值 rpn:氮之第η次吸附解吸產生時之細孔半徑。，又，IApj表示 從j = l至j=n-l之細孔壁面之面積之累計值。 微細孔之孔徑例如可基於MP法，從相對於其孔徑之細 孔容積變化率算出細孔之分佈。利用MP法進行細孔分佈 解析之情形中，首先藉由使氮吸附於吸附劑（圖像顯示用 微粒子）而求得吸附等溫線。然後，將該吸附等溫線轉換 為相對於吸附層之厚度t之細孔容積（t作圖）。然後，基於 該作圖之曲率（相對於吸附層之厚度t之變化量之細孔容積 之變化量）’可獲得細孔分佈曲線（參照日本Beii股份公司 製BELSORP-mini及BELSORP解析軟體手冊、第72頁〜第73 頁、第82頁）。 JIS Ζ8831-2··2010「粉體（固體）之細孔徑分佈及細孔特 性-第2部：利用氣體吸附之中細孔及微細孔之測定方 法」’及ns Ζ883 1·3··2010「粉體（固體）之細孔徑分佈及細 孔特性-第3部：利用氣體吸附之微細孔之測定方法」所規 定之非局部化密度泛函數法（NLDFT法，Ν〇η LocalizedDensity Functional Theory 法）中，作為解析軟 154152.doc -19- 201213996 體’係使用附屬於日本Bell股份公司製自動比表面積/細孔 ，佈測，裝置「赃SQRP-MAX」<軟體。作為前提條 使模坦為圓柱形狀之碳黑（CB),使細孔分佈參數 之分佈函數A「 . w 馬 no-assumptlon」，對所得之分佈資料實施 10次平滑化。 以酸或鹼處理多孔質碳材料前驅物之情形中，作為具儀 法例如可舉出於酸或驗之水溶液中浸潰多孔賀 碳材料前驅物之方法’或以氣相使多孔質碳材料前驅物逾 酸或驗反應之方法。更具體言之，由酸處理之情形中，竹 為酉文’例如可舉出氟化氫、氟化氫酸、氟化銨、氟化鈣、 I化鈉等顯示酸性之氣化合物。使用氟化合物之情形中， 只要錢元素相對於多孔質碳材料前驅物中所含之石夕成份 之矽元素成4倍量即可，氟化合物水溶液之濃度為ι〇質量 %以上較佳β利用氟化氫酸去除多孔質碳材料前驅物中所 含之石夕成份（例如二氧切）之情形中，二氧切如化學式 ⑷或化學式⑻所示與說化氫酸反應，作為六氟矽酸 (H2SiF6)或四1切_)去除，可獲得圖像顯示用微粒 子。然後，其後只要進行清洗、乾燥即可。

Si02+6HF-^H2SiF6+2H2〇 (a)

Si02+4HF —SiF4+2H2〇 (B) 利用驗處理之情形中，作為驗，例如可舉出氫氧化納。 使用驗之水溶液之情形中，水溶液之pH只要為"以上即 可。利用氫氧化鈉水溶液去除多孔f碳材料前驅物中所含 之石夕成份（例如二氧切）之情形t，藉由加域氧化納水 154152.doc ，20· 201213996 ί谷液’而一氧化石夕如化學式（c)所示地反應，作為石夕酸納 (NaJiO3)去除，可獲得圖像顯示用微粒子。又，以氣相使 氫氧化納反應進行處理之情形中，藉由加熱氫氧化鈉之固 體’而如化學式（C)所示地反應，作為矽酸鈉（Na2Si03)去 除’可獲得圖像顯示用微粒子。然後，其後只要進行清 洗、乾燥即可。

Si02+2Na0H—Na2Si03+H20 (C) 為方便而將對向之2塊基板中與圖像觀察者對應側之基 板稱作『第2基板』，為方便而將與第2基板對向之基板稱 作『第1基板』。又’於必要時為方便而將設於第1基板上 之電極稱作『第1電極』，於必要時為方便而將設於第2基 板上之電極稱作『第2電極』。此處，作為第2基板，可舉 出透明之玻璃基板或塑膠基板等絕緣構件。第1基板可由 任意之絕緣構件構成’例如可舉出玻璃基板或塑膠基板。 具體言之，可舉出石英、藍寶石、玻璃等透明無機基板、 聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸 酯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯硫醚、聚 偏說乙稀、三醋酸纖維素、溴苯酚、醯胺類、聚醯亞胺 類、聚苯乙烯類、聚芳香酯類、聚砜類、聚烯烴類等透明 塑膝基板。作為基板之厚度可例示2 至5 mm，較佳為5 μηι至ί mm。若基板過薄則不易確保強度、基板間之間隔 均一性。另一方面，若基板過厚，則產生作為顯示功能之 鮮明度、對比度之下降’尤其用於電子紙時產生缺乏可撓 性之情形。 154152.doc •21- 201213996 ☆未於基板上設置電極之情形中，對基板之外側表面給予 ^電潜像利用對應於靜電潛像產生之電場將圖像顯示用 微粒子拉至基板，或使之反彈，藉此可通過透明之第2基 板目視確w對應於靜電潛像排列之圖像顯示用微粒子。 另’靜電潛像之形成只要應用以使用電子照片感光體之一 般電子照片系統進行之靜電潛像之形成方法即可。或又亦 可基於離子流直接於基板上形成靜電潛像。另一方面，於 基板上設置電極之情形中，基於藉由對電極施加直流或交 流電壓所產生之電場，而將帶電成期望特性之圖像顯示用 微粒子拉至電極，或從電極反彈，藉此而可通過透明之第 2基板目視確認圖像顯示用微粒子。為控制電壓向電極之 包力於第1基板上设置開關裝置（例如薄膜電晶體（tft)) 較佳。 作為第2電極，可舉出所謂透明電極，具體言之，可舉 出銦-錫複合氧化物（包含ITO、Indium Tin 〇xide、摻雜％ 之1七〇3、結晶性IT〇及非晶質IT〇)、摻雜氟之 Sn02(FT0)、IFO(摻雜ι^Ιη2〇3)、摻雜銻之Sn〇2(AT〇)、

Sn〇2、ZnO(包含摻雜Ai之Zn〇或摻雜b之Zn〇)、銦辞複合 氧化物（IZO ’ Indium Zinc Oxide)、尖晶石型氧化物、具有 YbFe2〇4結構之氧化物、聚苯胺' 聚。比嘻、聚。塞吩等導電 性向分子等，但不限於此，又，亦可將該等組合2種以上 使用。第1電極不僅可由構成透明電極之材料，亦可由 金、銀、銅、鋁等金屬或合金構成，亦可由黑色之電極材 料層（具體言之，例如碳化鈦層或經黑色化處理之鉻層、 154152.doc -22· 201213996 表面形成有黑色層之銘層、欽黑層）構成。電極可基於真 空蒸鑛法或錢錢法等物理氣相沈積法（PVD法）、各種化學 氣相沈積法(CVD法)、各種塗布等形成。電極之圖案化可 以钱刻法、剝離法、使用各種遮罩之方法等任意方法進 行。 於必要時於電極上形錢緣層。料構成該絕緣層之材 料，例如可舉出無色透明之絕緣性樹月旨，具體言之，例如 可舉出丙稀酸樹脂、環氧樹脂、㈣脂、石夕氧樹脂、聚酿 亞胺樹脂、聚苯乙稀樹脂等。又，亦可將用以使光散射之 微粒子例如氧㈣、氧化Μ添加於構歧 明之絕緣性樹脂中。 … ^ 圖像顯示裝置中，像音广辟-„ _、 傢素（顯不早疋）以間隔壁分隔較佳。 肋狀之間隔壁例如可使用感光性樹脂，利用光微影法製 作，亦可利用各種成形法製作。可將間隔壁與—側之基 -體製作’亦可將間隔壁與各基板分別—體製作，之後接 著間隔壁彼此，亦可預先將間隔壁與基板分開製作，將間 隔壁接著於基板。間隔壁之形 丰夕…m 圖像顯示用微粒 ^ 之尺了專適“定即可，χ，作為間隔壁之寬度，可例 不 1X10· m 至 mo-、，較佳為 3χΐ〇-6 間隔壁之高度，可例示…0-5 1〇 m，作為 至05 从“ "至5 _ ’較佳為⑷。、 至。_。作為由間隔壁包圍之像素(顯示 狀’可例示四角形、三角 ）千面形 笠iy- -r Λ Λ U 圓开V、'、角形（蜂巢結構） 線狀。由間隔壁包圍之像素(顯示單元)之大小 只要基於圖像顯示裝置所要求 Κ之規格^即可’例如作為 154I52.doc -23- 201213996 一邊之長度’可例示ΐχ1〇·5爪至5 mm，較佳為3χ1〇.5爪至 〇.5 nun。使由間隔壁包圍之像素（顯示單元）之體積為 「1」時，作為占由間隔壁包圍之像素（顯示單元）之圖像顯 示用微粒子之體積比例，可例示〇.丨至〇 8，較佳為〇」至 〇.7°電泳分散液之填充方法無特別限制，例如可採用喷 墨方式。 作為電泳分散液中相對於分散液（分散媒）之圖像顯示用 微粒子之比例，可例示相對於分散液（分散媒）1〇〇質量份， 圖像顯示用微粒子0_1質量份至15質量份，較佳為丨質量份 至1〇質量份》作為使圖像顯示用微粒子分散之分散液（分 散媒），可例示具有高絕緣性，無色透明之液體，具體為 非極性分散媒，更具體為脂肪族烴、芳香族烴、齒化烴、 石夕嗣油等。此處，作為脂肪族烴，可舉出戊烷、己烷、環 己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、輕石油、溶劑 油、煤油、正構烷烴、異構烷烴等。又，作為芳香族烴， 可舉出苯、曱苯、二甲苯、烷基苯等。作為矽酮油，可舉 出含變質矽酮油之各種二甲基聚矽氧烷。更具體言之，可 舉出Exxonmobil有限公司製之Is〇pa卜G、η、L、M、

ExxSol _、_、_、〇11〇、〇13〇、出光石油化學股 份公司製之ip溶劑1620、2028、2835、Shell Japan股份公 司製之Sheli zole 70、71、72、a、aB、日本石油股份公 司製之Naphtesol L、M、η等。另，可將該等單獨或混合之 種以上使用。著色分散媒只要使用油溶染料即可，具體言 之，例如可舉出含偶氮化合物之黃色系染料或橙色系染 154152.doc -24- 201213996 料、茶色系染料、紅色系染料、含蒽醌類之藍色系染料或 綠色系染料、紫色系染料。該等染料可僅使用丨種，亦可 並用2種以上《染料之濃度相對於分散媒丨〇〇質量份為〇. i 質量份至3.5質量份較佳，但不限於此。 亦可採用將電泳分散液封入微膠囊之結構。微膠囊可以 界面聚合法、原位聚合法（in-situ聚合法）、凝聚法等眾所 周知之方法獲得。構成微膠囊之材料要求充分使光透射之 特性，具體言之，可例示尿素·甲醛樹脂、三聚氰胺-甲醛 樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯樹 脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、明膠、或該等之共聚 物等。將微膠囊配置於基板上之方法無特別限制，例如可 舉出喷墨方式。另，為防止配置於基板上之微膠囊之位置 偏差，亦可使用光透射性樹脂粘合劑將微膠囊固定於基板 上。作為光透射性樹脂粘合劑，可舉出水溶性聚合物，具 體為例如聚乙烯醇、聚氨酯、聚酯、丙烯酸樹脂、矽酮樹 脂等。 用以使圖像顯示用微粒子帶正電而使用帶正電控制劑之 It形中，作為帶正電控制劑，例如可舉出苯胺黑基 EX(〇rient化學工業公司製）等苯胺黑系染料、p 5i(〇rient 化學工業股份公司製）、Copycharge ρχ vp435(H〇echst

Japan股份公司製）等四級銨鹽、烷氧基化銨、烷醯胺、鉬 酸螯合物顏料、PLZ1〇〇1(四國化成工業股份公司製）等咪 化&物透明或白色之鏽化合物等。另，作為钂化合 物，可從一級至四級自由選擇，選自銨化合物、锍化合 154152.doc •25- 201213996 物、鐫化合物，例如與氮、硫或磷原子鍵結之取代基係烷 基或芳基，作為鹽，以氯為代表之鹵素系元素或羥基、羧 酸基等作為相反離子較佳’但不限於此。其中一級至三級 胺鹽或四級銨鹽尤其佳。用以使圖像顯示用微粒子帶負電 而使用帶負電控制劑之情形中，作為帶負電控制劑，例如 可舉出 Bontron S-22、B〇ntr〇n s_34、B〇ntr〇n E 8i、

Bontron E-84(以上為0rient化學工業股份公司製）、Spir〇ne black TRH(保土谷化學工業股份公司製）等金屬錯合物、硫 靛系顏料、C〇Pycharge NXVP434(H〇echst Japan股份公司 製）等四級銨鹽、Bontron E_89(〇rient化學工業股份公司 製）等杯芳烴化合物、LR147(日本CarHt股份公司製）等硼化 口物氟化鎂、氟化碳等氟化合物、硬脂酸鋁、硬脂酸 辦、月桂酸紹、月桂酸鋇、油酸純驗、辛酸錯、環烧酸銘 等眾所周知之金屬皂、或β丫嗪化合物之水楊酸系金屬錯合 物及苯酚系縮合物。 作為電泳分散液，可使用山梨醇酐脂肪酸酯（例如山梨 ^酐單/由酉文画曰、山梨醇針單月桂酸醋、山梨醇奸倍半油酸 醋、山梨醇if三油酸s旨等）、聚氧乙稀山梨較脂肪酸醋 (::>聚氧乙烯山梨醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐 "^ §曰等）、聚乙二醇脂肪酸酯（例如聚氧乙烯單硬脂酸 酯、聚乙二醇二異硬脂酸酯等）、聚氧乙烯烷基苯基醚（例 士聚氧乙婦壬基苯基輕、聚氧乙婦辛基苯基驗等）、脂肪 族二乙醇醮胺系等非離子系界面活性劑。作為高分子系分 劑例如可舉出苯乙稀_馬來酸樹脂、苯乙稀_丙稀酸樹 154I52.doc -26 - 201213996 脂、松香、胺基甲酸酯系高分子化合物BYK-160、162、 164、182(ΒΥΚ公司製）、胺基甲酸酯系分散劑efKA-47、 LP-4050(EFK A公司製）、聚醋系高分子化合物s〇iSperse 24000(Zeneca公司製）、脂肪族二乙醇醯胺系高分子化合物 Solsperse 17000(Zeneca公司製）等。又，作為其他高分子 系分散劑’可舉出可形成與分散媒溶劑合部分之曱基丙烯 酸月桂酯、曱基丙烯酸硬脂酯、曱基丙烯酸2_乙基己酯、 曱基丙烯酸鯨蠟酯等單體、可形成不易與分散媒溶劑合部 分之甲基丙烯酸曱酯、甲基丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸異丙 酯、苯乙烯、乙烯基曱苯等單體及具有極性官能基之單體 之無規共聚物、日本特開平3-188469號公報所揭示之接枝 共聚物等》作為具有極性官能基之單體，可舉出丙烯酸、 甲基丙婦酸、衣康酸、反丁稀二酸、馬來酸、苯乙稀磺酸

陽離子界面活性劑之具體例， 二燒基磺基琥珀酸鈉等。作為 J ’可舉出烷基苯二曱基氣化 154152.doc •27· 201213996 銨、烷基三甲基氣化銨、雙十八烷基氣化銨等。亦可添加 可溶於如三氟硫醯亞胺鹽、三氟醋酸鹽、三氟硫酸鹽等之 非極性分散媒之離子性添加劑。 本發明之電泳分散液中，除含多孔質碳材料之圆像顯示 用微粒子外，亦可進而於必要時使顏色及帶電極性不同之 至少1種粒子分散（懸浮）。 此外，本發明之圖像顯示裝置中亦可配置其他例如金屬 反射板、光擴散板或光擴散層、防反射層等。又，圖像顯 示裝置具備驅動電路、運算電路、内部記憶體、電源等。 另，本發明之圖像顯示裝置無需如液晶顯示裝置般之配向 膜或偏光板等，結構簡單，相對於溫度之變化亦穩定，可 低溫至高溫地使用。此外，可低價地提供大面積之圖像顯 示裝置，無視角且係高反射率、反射型，因此即使明亮處 亦易目視確認圖像，消耗電力低。 本發明之圖像顯示裝置可應用⑨所謂桌上型個人電腦、 筆記型個人電腦、移動型個人電腦、舰(個人數字助 理）、手機、遊戲機、電子書、電子報紙等電子紙、廣告 牌、黑板等告示牌、複印機、代替印刷用紙之可重寫紙、 電腦桌、家電製品之顯示部、集點卡等卡片顯示部、電子 2、電子P〇P等各種圖像顯示裝置中。或又可應用於電 泳』不裝置、色粉顯示板、磁性顯示裝置等中。 實施例1 實施例1係關於本發明之第u ^ 1 乐I樣〜第4嘘樣之圖像顯示用 被粒子 '本發明之圖像翱千 圆像』不用微粒子之製造方法、本發明 154152.doc •28· 201213996 之第1態樣〜第4態樣之電泳分散液、及本發明之第1態樣〜 第4態樣之圖像顯示裝置》將實施例1之圖像顯示裝置之模 式化一部分剖面圖顯示於圖1 (A)及（C)中，將電極等模式 化平面圖顯示於圖1(B)中。另，圖1 (A)及（C)係沿著圖1 (b) 之箭頭A-A之模式化一部分剖面圖。 實施例1之圖像顯示裝置10係具有密封於對向之2塊基板 20、30間之電泳分散液50之圖像顯示裝置。具體言之，第 2基板30與設有第1電極21及第2電極31之第1基板20經由密 封構件40以特定之間隔對向配置。另，與圖像觀察者對應 之側之基板係第2基板30。於第1.電極21及第2電極31上形 成有絕緣層22 »第1電極21及第2電極3 1構成所謂梳形電 極。並且，於對向之2塊基板20、30間，具體言之，於由 第1基板20、第2基板30及密封構件40分隔之像素（顯示單 元）’封入有電泳分散液（電泳粒子分散液）5〇 ^此處，電泳 分散液50至少由圖像顯示用微粒子（電泳粒子）51、使圖像 顯示用微粒子分散（懸浮）之分散液（電泳粒子分散媒）52構 成。圖像顯示用微粒子（電泳粒子）5丨包含利用氮ΒΕτ法之 比表面積值在1〇〇 m2/克以上，利用厘？法之細孔容積在 cm3/克以上之多孔質碳材料，又，包含矽含有率在丨質量〇乂 以下，利用BJH法及MP法之細孔容積在0.2 cm2/克以上之 多孔質碳材料《或又圖像顯示用微粒子（電泳微粒子）51包 含利用氮BET法之比表面積值在1〇〇 m2/克以上，利用非局 部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈中，1()⑽以下至少 ”有1個峰值之夕孔質碳材料。另’）〇 nm以下範圍内具有 154152.doc -29- 201213996 細孔徑之細孔容積之人斗γμ 士 σ °十佔有比率相對於50 nm以下範圍 内具有細孔徑之細孔容積Λ 償马0.1U上。或又圖像顯示用微 粒子（電泳粒子）5 1包含利田备 匕各利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以上，具體為1〇8〇 2 m /克以上，平均粒徑為lxl0-8 m 以上、2χ10·4ιη以下，且辦 體馮0·5 μπι之多孔質碳材料。或 又圖像顯示用微粒子(電泳粒子)51包含⑽電位之絕對值 為10毫伏以上200毫伏以下，具體為_58 2〇毫伏(遷移 率n582xl〇-W/v•秒)之多孔質碳材料。此處，圖像 顯示用微粒子(電泳粒子)51之平均—電位及平均粒徑可 使用大塚電子股份公司製ELSZ-2求得。 另實施例1中，圖像顯示用微粒子將來自於植物之材 料作為原料，具體言之，將石夕⑻含有率在5質量％以上之 來自於植物之材料作為原料。又’對圖像顯示諸粒子實 施表面改質處理。表面改質處理具體㈣㈣酸處理於表 面生成_基之化學處理。並且’由於利用石肖酸處理於表面 生成羧基目此圖像顯不用微粒子(電泳粒子)幻易與分散 齊丨進而結合，可謀求圖像顯示用微粒子(電泳粒子)”之分 散性之提高’結果可減少長期保存時或使用時之電泳分散 液中圖像顯示用微粒子之凝集之產生，可謀求圖像顯示裝 置可靠性之提高，顯示應答性之提高。 第1基板20及第2基板30包含厚度0.7 mm之鈉玻璃。第t 電極21及第2電極31包含由銦_錫複合氧化物印晴成之透 明電極’基於稱作濺鍍法之PVD法與剝離法之組合而形 成再者，絕緣層22由無色透明之絕緣性樹脂，具體為丙 154152.doc 201213996 烯酸樹脂構成。像素（顯示單元）由梳形電極之佔有區域構 成。使1個梳形電極之寬度為1 〇 μηι ’使梳形電極與梳形電 極間之間距為1 〇 μηι，使第i基板2〇與第2基板3〇間之間隔 為 10 μηι 〇 實施例1中’作為分散液（電泳粒子分散媒）52，係使用 異鍵烧煙系溶劑（Exxonmobil有限公司製之Jsopar-G)。 又’使含多孔質碳材料之圖像顯示用微粒子（電泳粒 子）51將來自於植物之材料以5〇〇eC至1400t碳化，獲得多 孔質碳材料（多孔質碳材料前驅物或碳質物質）。然後，其 後以酸或鹼（實施例1中為酸）處理該多孔質碳材料前驅物或 石反質物質。此處’利用酸處理而去除碳化後來自於植物之 材料中之石夕成份。另’來自於植物之材料中石夕（y)之含有 率為5質量％以上。 具體言之，實施例1中，使圖像顯示用微粒子之原料之 來自於植物之材料為米（稻）之稻殼。然後，實施例1之圖像 顯示用微粒子係將作為原料之稻殼碳化，轉換成碳質物質 (多孔質碳材料前驅物），接著實施酸處理及硝酸處理從而 獲得。另，實施例1或後述實施例2中，酸處理後實施水蒸 氣激活處理及硝酸處理。 貫施例1之圖像顯示用微粒子之製造中，首先對經粉碎 之稻殼（鹿兒島產，isehikari之稻殼）於惰性氣體中實施加 熱處理（預備碳化處理）。具體言之，藉由將稻殼在氮氣流 中以500°C加熱5小時使之碳化，獲得碳化物（多孔質碳材 料前驅物）。接著，將該多孔質碳材料前驅物在46容積％之 154152.doc -31- 201213996 氫氟酸水溶液中浸潰一晚而進行酸處理後，使用水及乙 醇，在變成pH 7之前進行清洗並使之乾燥。然後，粉碎後 將該碳化物10克放入氧化銘製掛渦中，於氮氣流中（1 〇升/ 分）以5°C/分之升溫速度升溫至90(TC。然後，以900°C實施 3小時水蒸氣激活後’冷卻至室溫。藉由最後使之乾燥而 可獲得實施例1中之圖像顯示用微粒子（稱作『實施例丨八之 圖像顯示用微粒子』）。 然後進行硝酸處理。具體言之，對30毫升之濃硝酸加入 實施例1A之圖像顯示用微粒子1.5克，以揽拌器授拌3天。 此後，對3 00毫升之水逐漸加入添加有圖像顯示用微粒子 之圖像顯示用微粒子/濃硝酸溶液並授拌。然後，使用離 心分離機將圖像顯示用微粒子從該溶液分離。接著，為去 除殘留硝酸而加入水使之分散，重複1 〇次稱作離心分離之 作業。再者，加入丙酮使圖像顯示用微粒子分散，重複3 •^稱作離心分離之彳呆作後’以5 〇 之真空烤箱乾燥·-晚。 然後，對如此進行硝酸處理之圖像顯示用微粒子（實施 例1之圖像顯示用微粒子）〇 · 1克加入含1質量％之分散劑（日 本1^1^〇1股份公司製：8〇46]^17〇〇〇)之18(^卜〇液9.9 克’使用珠磨機使之分散，獲得黑色電泳分散液。另，圖 像顯示用微粒子（電泳粒子）帶負（minus)電。 對實施例1之圖像顯示用微粒子測定比表面積、細孔容 積、利用MP法之細孔容積測定結果，以及利用BJH法之細 孔容積，獲得以下表1所示之結果。另，表1中，「比表面 積」及「全細孔容積」是指利用氮BET法之比表面積及全 154152.doc -32- 201213996 、孔谷積之值，單位係m2/克及cm3/克。又，「mp法」、 疆法」表示利用MP法之細孔容積測定結果、利用丽 法之細孔谷積測定結果，單位係cm3/克。利用氮法測 定時，又基於非局部化密度泛函數法（NLDFT法）測定時， 作為前處理，使氮氣之流量為5升/分，於400。(：乾燥！小 時，剝離圖像顯示用微粒子表面之改質分子。再者，將對 實施例1、實施例1A、後述之實施例1B、比較例以、比較 例1B之圖像顯示用微粒子，基於BJH法及Mp法測定中細孔 及微細孔之細孔徑分佈之結果顯示於圖4(A)、（B),圖 5(A)、（B)，圖6(A)、（B)。另，圖4(A)及（B)分別係顯示實 施例1與實施例1B及比較例1B之圖像顯示用微粒子之基於 BJH法之細孔徑分佈之圖。又，圖5(A)及（B)分別係顯示實 施例1A及比較例1A之圖像顯示用微粒子之基於B j H法之細 孔徑分佈，與實施例1之圖像顯示用微粒子之基於Mp法之 細孔徑分佈之圖。再者，圖6(A)及（B)分別係顯示實施例 1B及比較例1B之圖像顯示用微粒子之基sMp法之細孔徑 分佈’與實施例1及比較例1A之圖像顯示用微粒子之基於 MP法之細孔徑分佈之圖。又，圖7(A)係顯示實施例1之多 孔質碳材料之利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分 佈之測定結果之圖，將實施例1之圖像顯示用微粒子之紅 外光譜之分析結果顯示於圖8之圖中。 154152.doc -33- 201213996 [表i] 比表面積 全細孔容積 MP法 BJH法 實施例1 1020 0.96 0.42 0.59 實施例1A 1304 1.23 0.58 0.79 實施例1B 1158 1.07 0.49 0.67 比較例1A 117 1.21 0.00 1.20 比較例1B 125 1.01 0.00 1.11 實施例3 749 0.63 0.47 0.34 比較例3 190 1.10 0.00 1.25 實施例4 789 1.04 0.35 0.78 比較例4 175 1.00 0.00 1.38 另，作為用以求得比表面積及細孔容積之測定機器，係 使用BELSORP-mini(日本BEL股份公司製）進行氮吸附解吸 試驗。作為測定條件，係使測定平衡相對壓（p/p〇)為 0.01-0.99。然後，基於BELSORP解析軟體算出比表面積 及細孔容積。又，中細孔及微細孔之細孔徑分佈係進行使 用上述測定機器之氮吸附解吸試驗，利用BELSORP解析軟 體並基於BJH法及MP法算出。再者，基於非局部化密度泛 函數法（NLDFT法）測定時，係使用日本BEL股份公司製自 動比表面積/細孔分佈測定裝置「BELSORP-ΜΑΧ」， 解析前提條件：無 細孔形狀前提條件：圓柱形 平滑化次數：10次 由圖7(A)可知，由非局部化密度泛函數法求得之細孔徑 分佈中，實施例1之多孔質碳材料在1 0 nm以下至少具有1 個峰值。以下表2係顯示各種實施例及比較例之由非局部 化密度泛函數法求得之全細孔容積（單位：cm3/克），及10 nm以下範圍内具有細孔徑之細孔容積相對於50 nm以下範 154152.doc •34· 201213996 圍内具有細孔徑之細孔容積之合計佔有比率（細孔容積比 率）。 [表2] 實施例1 全細孔容積 細孔容積比率 1.269 0.709 實施例1A 1.657 0.794 實施例1B 1.439 0.572 比較例1A 1.108 0.190χ10'5 比較例1B 1.120 0.600X10-4 實施例3 1.438 0.709 比較例3 1.453 0.65(M 〇·3 實施例4 1.747 0.779 比較例4 1.296 0.122χ10*3 對實施例1之圖像顯示用微粒子進行元素分析。另，作 為元素分析之測定機器’係使用能量分散型X射線分析装 置（日本電子股份公司製之JED-2200F)，利用能量分散法 (EDS)定量各元素後，將含有率作為質量比（質量算出。 使測定條件為：掃描電壓15 kV，照射電流13 μΑ。進行酸 處理及硝酸處理之實施例1之圖像顯示用微粒子中，石夕 (Si)、氧（0)、卸（Κ)、妈（Ca)及納（Na)之含有率減少。其中 矽（Si)及氧（〇)之含有率明顯減少，成1質量％以下。然 後’將稻殼作為原料，以5〇〇。(：〜1400°C碳化後，藉由進行 酸處理而製成之圖像顯示用微粒子中，確認矽（Si)之含有 率為1質量％以下，鎂（Mg)之含有率為〇.〇 1質量％以上3質 量0/。以下’鉀（K)之含有率為0.01質量％以上3質量％以下， 鈣（Ca)之含有率為〇.05質量％以上3質量％以下。又，亦確 認磷（P)之含有率為〇.〇1質量。/。以上3質量。/〇以下，硫（s)之 含有率為0.01質量°/〇以上3質量。/。以下。另，作為其他元 154152.doc -35- 201213996 素’碳（C)最多’其他元素中9〇%以上為碳（c)。此處，矽 作為非晶質二氧化矽成份含於稻殼中，原料稻殼中之矽含 有率為9.4質量％。 貫施例1之圖像顯示用微粒子因矽（Si)及氧（〇)之含有率 明顯減少，故提示二氧化矽多含於碳質物質（多孔質碳材 料前驅物）中。然後藉由以酸處理多孔質碳材料前驅物， 而所含之二氧化矽之矽成份被去除，提示有助於比表面積 值的増加。再者，確認利用酸處理而中細孔及微細孔增 加。後述實施例中亦相同，又，即使取代氫氟酸水溶液， 以氫氧化鈉水溶液之鹼處理所得之圖像顯示用微粒子中， 亦獲得相同結果。 使用實施例1之電泳分散液5〇之圖像顯示裝置中，圖像 顯示部反映電泳分散液5 〇之顏色為黑色（參照圖i (A)之模 式化一部分剖面圖）。然後，對第1電極21及第2電極31之 間施加H)伏電壓’結果梳形電極與梳形電極間之間隔部分 及-電極上方部分變透明，可確認呈黑色之圖像顯示用微 粒子泳動（參照圖1(c)之模式化一部分剖面圖）。又，若 中止、暫停電壓之施加，則圖像顯示部變成黑色。再者， 右再-人施加電塵’則梳形電極與梳形電極間之間隔部分及 一電極上方部分變透明’確認圖像顯示用微粒扣之泳動 可逆》 將對上述多孔f碳材料前驅物實施酸處理、水蒸氣激活 处理之材料作為用以製造圖像顯示用微粒子之起始物質。

然後’將過氧二硫酸納142.8克溶於水則毫升中，加入U 154152.doc • 36 - 201213996 克起始物質’攪拌12小時後過濾，以丨升純水清洗所得之 圖像顯示用微粒子（稱作實施例1B之圖像顯示用微粒子）以 純水稀釋成濃度為0.005質量％，測定Zeta電位。其結果 為-86.7毫伏。另，所得之圖像顯示用微粒子之平均粒徑為 164·6 nm。將實施例18之圖像顯示用微粒子之比表面積、 全細孔容積、利用MP法之細孔容積測定結果、利用BjH法 之細孔容積測定結果顯示於表i。又，圖7(B)係顯示實施 例1B之多孔質碳材料之利用非局部化密度泛函數法求得之 細孔徑分佈之測定結果之圖。 將市售之汎用碳黑（三菱化學股份公司製：#2〇)作為比 較例1A將由非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈之 測定結果之圖顯示於圖13(A)。又，將比較例丨八之材料作 為起始物質’進行與實施例1B相同之操作，從而獲得比較 例1B之圖像顯示用微粒子。比較例1 b中，將由非局部化 密度泛函數法求得之細孔徑分佈之測定結果之圖顯示於圖 U(B)。將比較例1A、比較例1B之比表面積等測定結果顯 不於表1。再者，以與實施例1B相同之方法測定比較例ib 之Zeta電位’結果為+〇 71毫伏。 實施例2 實施例2係實施例1之變形。將實施例2之圖像顯示裝置 之模式化—部分剖面圖顯示於圖2(A)及（B)。 實施例2之縱電場單元·類型之圖像顯示裝置510係具有 氆封於對向之2塊基板520、530間之電泳分散液5〇之圖像 顯不裝置。具體而言，設有第1電極521之第1基板520及設 154152.doc -37· 201213996 有第2電極531之第2基板53〇經由間隔壁54i以特定間隔對 向配置。另’與圖像觀察者對應之側之基板係第2基板 530。於第1電極521上形成有帛i絕緣層⑵，於第2電極 531上形《有第2絕緣層532。然後，於對向之2塊基板 520、530間’具體為於^基板⑽、第2基板5職由間隔 壁541分隔之像素(顯示單元)中’封入電泳分散液％。另， 參照號。碼540表示密封構件。第2電極531係對複數之像素 (顯示卓元）共通而設之ϋ通哲搞。s 叹逋電極。另一方面，第i電極521 係每個像素（顯示單元）而設之電極，利用設於第i基板521 之未圖示之開關裝置（具體為薄膜電晶體（TFT))控制對第i 電極521之電壓施加°薄膜電晶體之開/關控制係基於未圖 示之驅動電路而進行，從驅動電路對每列施加選擇信號， 對各行施減制信㈣I藉由以像素單位進行如此之驅 動’而可由多數個像素表示任意圖像或文I此處，電泳 分散液50由實施例1所說明之電泳分散液5〇構成。另，對 圖像顯示用微粒子測定比表面積及細孔容積，獲得圖㈣ 不之結果。 第1基板520及第2基板530包含厚度〇.7 mm之鈉玻璃。 又，第2電極531包含由銦_錫複合氧化物（IT〇)構成之透明 電極，第1電極521包含銦_錫複合氧化物（ΙΤ〇)，係基於濺 鍍法或真空蒸鍍法之PVD法與剝離法之組合而形成。再 者，第1絕緣層522、第2絕緣層532係由無色透明之絕緣性 樹脂，具體為丙烯酸樹脂構成。像素（顯示單元）係以含感 光性樹脂之間隔壁541分隔，間隔壁541利用光微影法形成 I54152.doc •38- 201213996 於第1基板520上，間隔壁541之頂面由接著劑（未圖示）與第 2基板530接著《使間隔壁541之高度為5〇 μη^電泳分散液 對像素（顯示單元）之填充係藉由喷墨方式進行。 例如將第2電極531接地，未對第丨電極521施加電壓時之 狀態顯示於圖2(Α)。又，將對第1電極521施加適當之電壓 時，1個像素内電泳分散液中之圖像顯示用微粒子η泳 動，向第！電極521聚集，或向第2電極531聚集之狀態顯示 於圖2(Β)。另，圖2⑻中，左側之2個像素（顯示單元）中向 第1電極521之施加電壓之極性，與右側之2個像素（顯示單 元）中向第1電極521之施加電壓之極性為相反極性。藉 此，左側之2個像素（顯示單元）中，主要目視確認分散液^ 之顏色。另一方面，右側之2個像素（顯示單元）尹，目視確 5¾圖像顯示用微粒子5 1之顏色黑色。 除以上處外，實施例2之圖像顯示裝置可與實施例i所說 明之圖像顯示裝置為相同構成，因而詳細說明省略。 為試驗而使用以等量之Isopar_G液稀釋實施例丨之電泳分 散液後之電泳分散液，第丨基板與第2基板之間隔為5〇 μηι，電極、全體面積為1〇 cm2之圖像顯示裝置中，對電 極52卜531施加1 Hz、±1〇〇伏特之三角波電壓，而獲得如 圖9(A)所示之電壓-電流曲線。另，圖9(A)或又後述之圖 9(B)、圖1 〇之橫軸係向第1電極之施加電壓（單位：伏特）， 第2電極接地。又，縱軸係流動於第丨電極與第2電極間之 電流（單位：xlO·6安培）。將該測定重複1〇次，獲得相同結 果。該結果表示圖像顯示用微粒子5丨向電極泳動且泳動可 154152.doc •39· 201213996 逆。 作為比較例2A，對市售之氧化碳黑（三菱化學股份公司 製.MA220)0.1克加入含丨質量％之分散劑（s〇ispers 17〇〇〇) 之Isopar-G液9.9克，使用珠磨機使之分散，獲得黑色之電 泳仝散液。使用該電泳分散液，與實施例2相同之圖像顯 示裝置中，對電極521、531施加1 Ήζ、±80伏特之三角波 電壓，結果獲得如圖9(B)所示之電壓-電流曲線。將該測定 重複10次，獲得每次測定不同之電壓·電流曲線，最終產 生因氧化碳黑之凝集之電極間之短路。如此現象與實施例 2之圖像顯示用微粒子5 1相比，認為起因於氧化碳黑之利 用BJH法及ΜΡ法之細孔容積值的差異，氧化碳黑之表面狀 態之差異。 又，作為比較例2Β，對作為比較例1 a使用之市售之泛 用碳黑（三菱化學股份公司製：#2〇)與實施例1相同地進行 硝酸處理，對該碳黑〇.丨克加入含丨質量％分散劑（s〇lspers 17000)之IS0par_G液9.9克’使用珠磨機使之分散，獲得黑 色之電泳分散液。使用該電泳分散液’與實施例2相同之 圖像顯示裝置中，對電極521、531施加1 Hz、±80伏特之 三角波電壓，結果獲得如圖10所示之電壓-電流曲線。 即’電壓-電流曲線大致與圖10之Y軸重疊，導致第i次測 定中產生短路。此表示比較例2B中，碳黑之分散性不良， 或1次電泳下碳黑凝集。又，使用比較例2B所得之黑色電 泳分散液製作實施例1所說明之圖像顯示裝置，對第1電極 521與第2電極53 1間施加10伏電壓後，結果梳形電極與梳 154152.doc • 40· 201213996 形電極間之間隔部分不變透明。 [表3]

實施例2 比較例2 A 比較例2B 比表面積 1012 74 115 平均粒徑 0.5 μιη 55 nm 50 nm 另，亦可使實施例2之圖像顯示裝置為橫向電場型。將 如此之實施例2之圖像顯示裝置之變形例51〇a之模式化一 部分剖面圖顯示於圖3(A)及（B)。 該實施例2之圖像顯示裝置之變形例51〇a中，第2基板 530與設有第1電極521及第2電極531之第1基板520經由間 隔壁541以特定間隔對向配置。於第i基板52〇上依次形成 有第2電極531、第2絕緣層532、第1電極521、第1絕緣層 522。另’雖未圖示但亦可於第1基板52〇上依次形成第！電 極521、第1絕緣層522、第2電極531、第2絕緣層532而構 成。然後’於對向之2塊基板520、530間，具體為由第1基 板520、第2基板530及間隔壁541分隔之像素（顯示單元）封 入有電泳分散液50。 例如將第2電極53 1接地’未對第1電極521施加電壓時之 狀態顯示於圖3(A)。又’對第1電極521施加適當之電壓 時’將1個像素内電泳分散液中之圖像顯示用微粒子5 i泳 動’向第1電極521聚集，或向第2電極531聚集之狀態顯示 於圖3(B)。另，圖3(B)中’左側之2個像素（顯示單元）中向 第1電極521之施加電壓之極性，與右側之2個像素（顯示單 元）中向第1電極521之施加電壓之極性為相反極性。藉 154152.doc •41· 201213996 此，左側2個像素（顯示單元）與右側2個像素（顯示單元）之 圖像顯示用微粒子51之排列圖案不同，可作為圖像識別。 另，該例中分散液52之顏色透明。 或又亦可採用將電泳分散液封入微膠囊之結構。該結構 其本身為眾所周知因而說明省略。 實施例3 貫％例3中製造具有正電荷之圖像顯示用微粒子。具體 言之，將對實施例1所說明之多孔質碳材料前驅物實施酸 處理、水蒸氣激活處理之材料作為用以製造圖像顯示用微 粒子之起始物質。然後，將該起始物質〇 3克加入於矽酸 鈉1°/。溶液100克中，實施30分鐘超音波處理。然後，將所 得之混合物從溫度9(rc加熱至95t，以2小時加入0 22莫 耳/升之硫酸15毫升。其後，加入4莫耳之硫酸4毫升，攪 拌1小時後進行離心分離，進行2次使用水：乙醇=1:1〇之 分散及離心分離。然後，對所得之固形物加入水：乙醇 = 1:10溶液300毫升，加入Ν_[3·(三曱氧基矽烷基）丙基]_N,_ (4-乙烯基苄基）乙二胺鹽酸鹽4克，攪拌7分鐘。其後進行 溶液之離心分離，對所得之固形物加入乙醇使之分散再 次重複2次進行離心分離之作業。接著，將固形物減壓下 於室溫24小時、以7(TC乾燥2小時。將如此而得之材料溶 解於300毫升之醋酸乙酯中，加入曱基丙烯酸2_乙基己酯4 克，加熱至5〇 C，攪拌1小時。其後，將AIBN[2,2，^氮 U-曱基丙腈）]0.1克，加熱至65它，攪拌7小時。然後，進 行所得溶液之離心分離，重複2次使用醋酸乙酯之分散及 154152.doc -42- 201213996 離心分離，在將固形物減壓下於室溫24小時、以70°c乾燥 2小時’獲得實施例3之圖像顯示用微粒子。將作為比較例 1A使用之市售之泛用碳黑（三菱化學股份公司製：#2〇)作 為起始物質，將經過與實施例3相同之步驟而得之圖像顯 示用微粒子作為比較例3。 將實施例3、比較例3之圖像顯示用微粒子之比表面積、 全細孔容積、利用MP法之細孔之容積測定結果、利用BJH 法之細孔之容積測定結果顯示於表1 ^又，將由非局部化 密度泛函數法求得之細孔徑分佈之測定結果顯示於圖 11(A)，將TG-DTA曲線顯示於圖12(A卜另，將比較例3及 後述之比較例4之圖像顯示用微粒子之由非局部化密度泛 函數法求得之細孔徑分佈之測定結果顯示於圖及 (B) ’再者，將比較例3及後述比較例4之圖像顯示用微粒 子之TG-DTA曲線分別顯示於圖15(A)及（B),以供參考， 將實施例1之進行酸處理及水蒸氣激活處理之圖像顯示用 微粒子（硝酸處理未實施）及比較例1A之圖像顯示用微粒子 之TG-DTA曲線分別顯示於圖16(A)及（B)。 於大氣氛圍下求得TG-DTA曲線，使TG-DTA曲線之各質 量減少率如下時，由下式求得相對於多孔質碳材料等之有 機分子改質率。實施例3之圖像顯示用微粒子之有機分子 改質率為32.0%，比較例3為6 2〇/〇。 有機分子改質率sMRn/MRn-MRH/MRu MR」:表面改質處理後之試料之1〇(rc至斗川艽之質量減少率 MR22:表面改質處理後之試料之470°C至800eC之質量減少率 154152.doc • 43· 201213996 MR11:表面改質處理前之試料之10〇°c至470°C之質量減少率 MR丨2:表面改質處理前之試料之470°c至8〇〇°C之質量減少率 調製Isopar-G液，以使Solsperse 17000成25質量％，實施 例3之圖像顯示用微粒子成2質量❶/。，以均質器攪拌2小時 後進行離心分離，回收上清液（電泳分散液）。然後，將上 清液以1000:1稀釋’測定Zeta電位後，結果為+47.87毫 伏。又’對比較例3之圖像顯示用微粒子測定Zeta電位 後’結果為-9.27毫伏。 實施例4 貫施例4中’使用與貫施例3相同之起始物質，按以下說 明之方法調製圖像顯示用微粒子。即，對純水15 〇毫升添 加起始物質0.6克、4_乙烯基苯胺0.15克、2莫耳之HC1 0.9 毫升，一面攪拌一面加熱至40°C。接著，對純水1〇毫升加 入溶解有0.087克亞硝酸鈉之溶液，攪拌16小.時。然後進 行反應結束之溶液之離心分離，重複2次使用丙酮之固形 物之分散及由離心分離之沉澱之作業。其後，在將固形物 減壓下於室溫24小時、以7(TC乾燥2小時。將如此而得之 材料溶解於300毫升之醋酸乙醋中，加入曱基丙烯酸2•乙 基己醋4克，加熱至5n： ’攪拌丨小時。接著，添加aibn (Μ克’加熱至65t’擾拌7小時。其後，進行所得溶液之 離心分離，重複2次使用醋酸乙醋之分散及離心分離。接 著，在將所得固形物減壓下於室溫24小時、以7〇它乾燥2 小時’從而獲得實施例4之圖像顯示用微粒子。又，將作 為比較例A使用之市售之泛用碳黑（三菱化學股份公司製： 154152.doc •44· 201213996 #20)作為起始物質，將經過與實施例4相同之步驟所得之 圖像顯示用微粒子作為比較例4。實施例4之圖像顯示用微 粒子之有機分子改質率為14.0%，比較例4為3.2%。 調製Isopar-G液，以使實施例4之圖像顯示用微粒子成2 質量％，Solsperse 17000成10質量。/◦，十三烷基胺成5質量 °/〇，以均質器攪拌4小時，進行離心分離，回收上清液（電 泳分散液）。測定所得上清液（電泳分散液）之Zeta電位後， 結果為+36.26毫伏。實施例4之圖像顯示用微粒子之比表 面積、全細孔容積、利用MP法之細孔之容積測定結果、 利用BJH法之細孔之容積測定結果與實.施例3之圖像顯示用 微粒子之測定結果相同。將由非局部化密度泛函數法求得 之細孔徑分佈之測定結果顯示於圖11(B)，將TG-DTA曲線 顯示於圖12(B)。又’對比較例4之圖像顯示用微粒子測定 Zeta電位後，結果為_5.14毫伏。 以上，基於較佳實施例說明了本發明，但本發明不限於 該等實施例，可進行各種變形。實施例中，作為圖像顯示 用微粒子之原料，針對使用稻殼、稻草 '蘆葦或海帶之情 形進行了說明，但亦可將其他植物作為原料使用。此處， 作為其他植物，例如可舉出生植於陸地上之維管植物、新 類植物、蘚苔類植物、藻類及海藻等，可將該等單獨使用 亦可混合複數種使用。又，實施例所說明之圖像顯示用微 粒子之構成、結構、圖像顯示用微粒子之製造、 法'、電泳 分散液、圖像顯示裝置之構成、結構係例示，可適當變 更0 154152.doc -45- 201213996 又’關於本發明之圖像顯示用微粒子，針對基於氮ΒΕτ 法之比表面積或各種元素之含有率等說明了適當範圍，但 該說明並非完全否定比表面積之值或各種元素之含有率等 在上述範圍外之可能性。即，上述適當之範圍當然亦係在 獲得本發明之效果上尤其佳之範圍，若可獲得本發明之效 果’則比表面積值等可稍從上述範圍偏差。圖像顯示用微 粒子、電泳分散液、圖像顯示裝置之圖像顯示用微粒子之 起始物質不限於來自於植物之材料。 【圖式簡單說明】 圖1 (A)、（Β)及（C)係實施例1之圖像顯示裝置之模式化一 部分剖面圖及電極等之模式化部分平面圖。 圖2(A)及（Β)係實施例2之圖像顯示裝置之模式化一部分 剖面圖。 圖3(A)及（Β)係實施例2之變形例之圖像顯示裝置之模式 化一部分剖面圖。 圖4(A)及（Β)分別係顯示實施例1與實施例丨Β及比較例iΒ 之圖像顯示用微粒子之基於BjH法之細孔徑分佈之圖。 圖5(A)及（B)分別係顯示實施例1 a及比較例1A之圖像顯 示用微粒子之基於BJH法之細孔徑分佈，與實施例1之圖像 顯示用微粒子之基於MP法之細孔徑分佈之圖。 圖6(A)及（B)分別係顯示實施例⑺及比較例⑺之圖像顯 示用微粒子之基於MP法之細孔徑分佈，與實施例1及比較 例1 A之圖像顯示用微粒子之基於MP法之細孔徑分佈之 圖0 154152.doc -46 - 201213996 圖7(A)及（B)分別係貫施例1及實施例1 b之圖像顯示用微 粒子之利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈之測 定結果之圖。 圖8係顯示實施例1之圖像顯示用微粒子之紅外光譜之分 析結果之圖。 圖9(A)及（B)分別係實施例2之圖像顯示裝置及比較例2 a 之圖像顯示裝置中所得之電壓-電流曲線。 圖1 〇係比較例2B之圖像顯示裝置中所得之電壓-電流曲 線。 圖11 (A)及（B)分別係實施例3及實施例4之圖像顯示用微 粒子之利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈之測 定結果之圖。 圖12(A)及（B)分別係顯示實施例3及實施例4之圖像顯示 用微粒子之TG-DTA曲線之圖。 圖13(A)及（B)分別係比較例1A及比較例1B之圖像顯示用 微粒子之利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈之 測定結果之圖。 圖14(A)及（B)分別係比較例3及比較例4之圖像顯示用微 粒子之利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈之測 定結果之圖。 圖15(A)及（B)分別係顯示比較例3及比較例4之圖像顯示 用微粒子之TG-DTA曲線之圖。 圖16(A)及（B)分別係顯示進行實施例】之酸處理及水蒸 氣激活處理之圖像顯示用微粒子㈣酸處理未實施），以及 154152.doc -47- 201213996 比較例1A之圆像顯示用微粒子之tg_dta曲線之圖。 【主要元件符號說明】 10、510、510A 圖像顯示裝置 2〇 、 521 第1基板 21 ' 522 第1電極 22 、 522 、 532 絕緣層 30 ' 530 第2基板 31 ' 531 第2電極 40 - 540 密封構件 541 間隔壁 50 電泳分散液（電泳粒子分散液） 51 圖像顯示用微粒子（電泳粒子） 52 分散液（電泳粒子分散媒） 154152.doc

Claims (1)

1. 201213996 七、申請專利範圍： 1. 一種圖像顯示用微粒子’其係分散於在對向之2塊基板 間密封之電泳分散液中，並顯示圖像者； 其包含利用氮BET法之比表面積值為100 m2/克以上、 利用MP法之細孔容積為〇. 1 cm3/克以上之多孔質碳材 料。 2. 一種圖像顯示用微粒子’其係分散於在對向之2塊基板 間密封之電泳分散液中，並顯示圖像者； 其包含利用氮BET法之比表面積值為100 m2/克以上、 利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈中，於J 〇 nm以下至少具有1個峰值之多孔質碳材料。 3. 如請求項1或2之圖像顯示用微粒子，其係將來自於植物 之材料作為原料。 4. 如請求項〖至3中任一項之圖像顯示用微粒子，其係實施 表面改質處理。 5. —種圖像顯示用微粒子，其係分散於在對向之2塊基板 間密封之電泳分散液中，並顯示圖像者； 其包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以上， . 平均粒徑為lxl〇_8m以上、2x10-4m以下之多孔質碳材 料。 6. —種圖像顯示用微粒子，其係分散於在對向之2塊基板 間密封之電泳分散液中，並顯示圖像者； 其包含Zeta電位之絕對值為1〇毫伏以上、2〇〇毫伏以下 之多孔質碳材料。 154152.doc 201213996 7· 一種圖像顯示用微粒子之製造方法，其係包含分散於在 對向之2塊基板間密封之電泳分散液中，利用氮bet法之 比表面積值為1〇〇 m2/克以上、利用]^]?法之細孔容積為 0.1 cm /克以上之多孔質碳材料，並顯示圆像之圖像顯 示用微粒子之製造方法；該方法係 將來自於植物之材料於500°C至1400°C碳化。 8· —種圖像顯示用微粒子之製造方法，其係包含分散於在 對向之2塊基板間密封之電泳分散液中，利用氮bet法之 比表面積值為100 m2/克以上，利用非局部化密度泛函數 法求得之細孔徑分佈中，於10 nm以下至少具有丨個峰值 之多孔質碳材料，並顯示圖像之圖像顯示用微粒子之製 造方法；該方法係 將來自於植物之材料於500。(：至14〇〇。(：碳化。 9. 如請求項7或8之圖像顯示用微粒子之製造方法，其中碳 化後實施激活處理。 10. 如請求項7至9中任一項之圖像顯示用微粒子之製造方 法其中圖像顯示用微粒子將來自於植物之材料作為原 料。 、 11. 一種電泳分散液，其係密封於對向之2塊基板間，並顯 示圖像者； 其由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以 上利用Mp法之細孔容積為0.1 cm3/克以上之多孔質碳 材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微粒子^ 散之分散液構成。 154152.doc 201213996 12. 13. 14. 15. 16. 17. 一種電泳分散液，其係密封於對向之2塊基板間，並顯 示圖像者； 其由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以 上，利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分佈中， 10 nm以下至少具有丨個峄值之多孔質碳材料之圖像顯示 用微粒子，以及使圖像顯示用微粒子分散之分散液構 成。 如請求項11或請求項12之電泳分散液，其中圖像顯示用 微粒子係將來自於植物之材料作為原料。 如請求項11至請求項13中任一項之電泳分散液，其中對 圖像顯示用微粒子實施表面改質處理。 一種電泳分散&’其係密封於對向<2塊基板間，並顯 示圖像者； 其由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以 上，平均粒徑為1χ1〇·ν以±、2><1〇.4喊下之多孔質碳 材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微粒子分 散之分散液構成。 種電冰分散液，其係密封於對向之2塊基板間，並顯 示圖像者； ,、由包3 Zeta電位之絕對值為丨Q毫伏以上毫伏以下 之夕孔貝碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示 用微粒子分散之分散液構成β 種圖像顯不裝置，其係具有密封於對向之2塊基板間 之電泳分散液者； 154152.doc 201213996 電泳分散液由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以上，利用MP法之細孔容積為〇丨cm3/克以上之多 孔質碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微 粒子分散之分散液構成。 18_ —種圖像顯示裝置，其係具有密封於對向之2塊基板間 之電泳分散液者； 2電泳分散液由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 m2/克以上，利用非局部化密度泛函數法求得之細孔徑分 佈中，於10 nm以下至少具有丨個峰值之多孔質碳材料之 圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微粒子分散之分 散液構成。 19_如請求項17或請求項18之圖像顯示裝置，其中圖像顯示 用微粒子係將來自於植物之材料作為原料。 20_如响求項17至請求項19中任一項之圖像顯示裝置，其中 對圖像顯示用微粒子實施表面改質處理。 21 · —種圖像顯示裝置，其係具有密封於對向之2塊基板間 之電泳分散液者； 2電泳分散液由包含利用氮BET法之比表面積值為1〇〇 瓜/克以上，平均粒徑為1 x 1 (T8m以上2χ 1 (T4m以下之多孔 質碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使圖像顯示用微粒 子分散之分散液構成。 22. —種圖像顯示裝置，其係具有密封於對向之2塊基板間 之電泳分散液者； 電泳分散液由包含Zeta電位之絕對值為10毫伏以上2〇〇 154152.doc 201213996 毫伏以下之多孔質碳材料之圖像顯示用微粒子，以及使 圖像顯示用微粒子分散之分散液構成。 154152.doc