TW201203330A - Cleaning method and cleaning device - Google Patents

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TW201203330A TW100113680A TW100113680A TW201203330A TW 201203330 A TW201203330 A TW 201203330A TW 100113680 A TW100113680 A TW 100113680A TW 100113680 A TW100113680 A TW 100113680A TW 201203330 A TW201203330 A TW 201203330A
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Harumichi Hirose
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Description

201203330 六、發明說明: L 明所屬冬鄉領】 發明領域 本發明係關於在半導體基板等之被洗淨物喷灑處理液 以洗淨該被洗淨物之洗淨方法,及其洗淨褒置。 I:先前技術3 發明背景 以前,被提案有在半導體晶圓等之板狀基板的表面喷 灑含有微小氣泡之處理液’以洗淨該基板之基板處理裝置 (參照日本專利文獻1及日本專利文獻2)。在日本專利文獻1 所揭示之基板處理裝置,係將含有微小氣泡之微小氣泡水 (處理液)喷向基板表面而洗淨該基板表面。像如此之基板處 理裝置,利用被含在微小氣泡水之微小氣泡(微細氣泡)的物 理衝擊、發散能量、電氣吸附性等的性質,可更良好地洗 淨基板表面。 又,在曰本專利文獻2所揭示之基板處理裝置,更變為 可依照欲從基板去除之粒子的大小,而可以調整含在微小 氣泡水之微小氣泡(微細氣泡)的大小。若使用如此之基板處 理裝置,則在大尺寸之粒子多的製程,會將微小氣泡的尺 寸設定稍大,一方面,在尺寸小之粒子多的製程,則可將 微小氣泡的尺寸設定稍小。 先行技術文獻 專利文獻 【專利文獻1】日本專利特開2008-93577號公報 3 201203330 【專利文獻2】日本專利特開2〇〇8_8〇23〇號公報 I:發明内容3 發明概要 發明所欲解決之課題 可是,像記載於專利文獻1或專利文獻2之被包含在微 小氣泡水(處理液)之微小氣泡(微細氣泡)的物理衝擊、發散 能ϊ、電氣吸附性等對洗淨有效之複數的性質,並非只要 是微小氣泡即可得到同等程度的發揮。例如’某種尺寸之 微細氣泡,其可能於物理衝擊上係特別良好者,在其他性 質,例如關於電氣吸雜可能並麵職好,相反地,其 他尺寸的微細氣泡,例如其可能於電氣韻性上係特別^ 好者’在其他的性質,例如關於物理衝擊上可能並非特別 良好。 然而’在專利讀丨或專利讀2_示之隸處理農 置’雖可娜含在微小氣泡水(處理液)之微小氣㈣尺寸之 功能,但在作為絲某種尺寸之錄為目的之洗淨方面, 因為微錢_尺寸諸蚊,其所決以財的微小氣 泡雖在某種性質上特別良好,但關於該尺寸的微小氣泡之 其他性質則不一定特別良好。 在以前之基板處理裝置(洗淨裝置),並未必能有 效地利用微細氣泡的洗淨之理想的諸多性質。 本發明係著眼於如此現象而開發,其係利用對於微細 氣泡的洗淨有效的諸多性f,以提供—種可有效洗淨之洗 淨方法及洗淨裝置。 201203330 用以解決課題之手段 有關本發明之洗淨方法,係噴灑處理液洗淨被洗淨物 之洗淨方法’其具有··第1步驟,係喷灑包含氣泡之第1處 理液於前述被洗淨物;與第2步驟,係在該第1步驟之後, 將包含較被包含在前述第1處理液之氣泡大之尺寸的氣泡 之第2處理液,在前述第1處理液附著的狀態下噴灑前述被 洗淨物之架構。 藉由如此架構,對於被洗淨物,在包含氣泡之第1處理 液洗淨之後,因為包含較包含在該第1處理液之氣泡大之尺 寸的氣泡之第2處理液會執行洗淨,故可在利用比較小氣泡 之餅於洗淨有效性質的第1處理液洗淨之後,再利用較大氣 >包之特別良好性質之第2處理液執行洗淨。 例如’包含在第1處理液之氣泡若是像微奈米氣泡或奈 米氣泡之極小尺寸的氣泡時,透過其極小尺寸的氣泡壓破 (消滅)之際所產生的自由基’可從被洗淨物表面有效地去除 有機殘留物(對極小氣泡之洗淨有效的性質),同時由於極小 氣泡會帶有負電,所以藉由附著在粒子表面之其極小氣泡 之電位相斥,可使該粒子從被洗淨物分離(對極小氣泡之洗 淨有效的性質)。而且’使包含在第2處理液之氣泡為微米 氣泡等較前述微奈米氣泡或奈米氣泡大尺寸之氣泡時,如 前述,透過附著在從被洗淨物表面分離之粒子之較大氣 泡’可使其粒子提早浮上至處理液表面(對較大氣泡之洗淨 有效的性質)。 有關本發明之洗淨方法方面,前述被洗淨物係被搬運 201203330 至運送路徑上,前述第2步驟,係可在較前述第1步驟搬運 方向之下游側執行之架構。 藉由如此架構,在被洗淨物被搬運至運送路徑上的過 程,對其被洗淨物,在包含氣泡之第1處理液洗淨之後,可 執行包含較包含在該第1處理液之氣泡大之尺寸的氣泡之 第2處理液進行洗淨。 又,關於本發明之洗淨方法方面,可使包含在前述第1 處理液之氣泡之氣體與被包含在前述第2處理液之氣泡之 氣體相異之架構。 若依據如此架構,從包含在第1處理液之氣泡之氣體與 包含在第2處理液之氣泡之氣體可期待有關不同的洗淨效 果。 尤其,包含在前述第1處理液之氣體可使用氧氣或臭氧 之任一種。此種情況,包含在第1處理液之較小氣泡壓破之 際所產生的氧氣或從臭氧之自由基可期待氧化作用。 再者,關於本發明之洗淨方法方面,可在前述第2步驟 之後,在乾燥前述被洗淨物之前,將具有包含氣泡之第3處 理液喷灑該被洗淨物之第3步驟的架構。 藉由如此架構,在第1處理液及第2處理液之洗淨結束 之後,在乾燥被洗淨物之前,由於可將具有包含氣泡之第3 處理液喷灑該被洗淨物,所以可將該被洗淨物以第3處理液 均勻地包覆。將被洗淨物以第3處理液均勻地包覆,即可透 過其後的乾燥,使被洗淨物均勻地被乾燥。又,由於在第3 處理液含有氣泡,所以包含在第3處理液之液分變少,可更 201203330 有效率地進行乾燥。 又,關於本發明之洗淨方法方面,包含在前述第3處理 液之氣泡的尺寸,係可為較包含在前述第2處理液之氣泡的 尺寸更大之架構。 藉由如此架構,由於在第3處理液中之氣泡的尺寸更 大,包含在包覆被洗淨物之第3處理液的液分變成更少,可 更有效率地進行乾燥。 再者,關於本發明之洗淨方法方面,前述被洗淨物係 在運送路徑上被搬運,而前述第3步驟,係可為在前述第2 步驟搬運方向之下游側執行的架構。 藉由如此架構,被洗淨物在運送路徑上被搬運之過 程,對於其被洗淨物,在包含氣泡之第1處理液洗淨之後, 可執行包含較包含在該第1處理液之氣泡之尺寸大的氣泡 之第2處理液進行洗淨,再者,其後,包含氣泡之第3處理 液喷灑被該第3處理液包覆之被洗淨物執行乾燥。 有關本發明之洗淨裝置,係在被洗淨物喷灑處理液予 以洗淨之洗淨裝置,其具有:第1洗淨機構,係將包含氣泡 之第1處理液喷灑前述被洗淨物;與第2洗淨機構,係藉由 前述第1洗淨機構喷灑之第1處理液附著的狀態之前述被洗 淨物,喷灑比被包含在前述第1處理液之氣泡之尺寸更大的 氣泡之第2處理液於前述被洗淨物之架構。 藉由如此架構,對於被洗淨物,依據第1洗淨機構在包 含氣泡之第1處理液洗淨之後,藉由第2洗淨機構,由於較 包含在前述第1處理液之氣泡之尺寸更大的氣泡之第2處理 201203330 液執行洗淨’糾在_較小氣泡之理想性f之基於以處 理液洗淨之後,可利崎大氣泡之理想性f之基於第2處理 液執行洗淨。 有關本發明之洗淨裝置方面,前述被洗淨物係具有被 搬運之運送路徑,前述第2洗淨機構,係可配置在較前述第 1洗淨機構之搬運方向更下游側之架構。 藉由如此架構,被洗淨物在運送路徑被搬運的過程, 對於該被洗淨物,藉由第丨洗淨機構及第2洗淨機構依序可 在第1處理液之洗淨及在第2處理液執行洗淨。 又,關於本發明之洗淨裝置方面,從前述第2洗淨機 構喷;麗前述第2處理液之前述被洗淨物於即將使其乾燥之 刖具有包含氣泡之第3處理液喷灑該被洗淨物之乾燥前處 理機構的架構。 藉由如此架構,在第1處理液及第2處理液之洗淨結束 之後,於即將使被洗淨物乾燥之前由於可將具有包含氣泡 之第3處理液喷灑該被洗淨物所以可將該被洗淨物以第3 處理液—樣地包覆。被洗淨物以第3處理液一樣地包覆時, 透過即將乾燥之前可使被洗淨物均勻地使其乾燥。又,由 於在第3處理液包含有氣泡,所以包含在第3處理液之液分 變成較少,可成為更有效率地乾燥。 再者,關於本發明之洗淨裝置方面,包含在前述第3處 理液之氣泡的尺寸,係可較包含在前述第2處理液之氣泡的 尺寸更大之架構。 藉由如此架構,由於從乾燥前處理機構喷灑被洗淨物 201203330 之第3處理液中之氣泡的尺寸更大,所以包含在包覆被洗淨 物之第3處理液的液分變成更少,可獲得更有效率地乾燥。 再者’關於本發明之洗淨裝置方面,包含在前述第3處 理液之氣泡的尺寸,係可較包含在前述第2處理液之氣泡的 尺寸更大之架構。 藉由如此架構,由於從乾燥前處理機構喷灑被洗淨物 之第3處理液中之氣泡的尺寸更大,所以包含在包覆被洗淨 物之第3處理液的液分變成更少,可獲得更有效率地乾燥。 又,關於本發明之洗淨裝置方面,具有前述被洗淨物 被搬運之運送路徑,前述乾燥前處理機構,係可配置在較 前述第2洗淨機構搬運方向的下游側之架構。 藉由如此架構,被洗淨物在運送路徑上被搬運之過 程,對於其被洗淨物,在依據第1洗淨機構之包含氣泡的第 1處理液洗淨之後,藉由第2洗淨機構包含較包含在前述第i 處理液的氣泡之尺寸更大的氣泡之第2處理液進行洗淨,再 者其後,藉由乾燥前處理機構包含氣泡之第3處理液喷灑 被該第3處理液包覆之被洗淨物執行乾燥。 發明效果 根據有關本發明之洗淨方法及洗淨裝置,對於被洗淨 物’可藉由湘較小氣泡之理想性f之第丨處理液洗淨之 後丄再利用較大氣泡之理想性質之第2處理液執行洗淨,所 以面可依序利用較小氣泡對洗淨之理想性質,接著,利 用較^氣泡對洗淨之理想性質予以洗淨該被洗淨物。因 此’―面可以有效地微小氣泡之理想的更多性質進行 201203330 被洗淨物之有效地洗淨。 圖式簡單說明 1實施形態的洗淨裝置 第1圖係顯示有關本發明之第 之示意圖。 執行半_圓 c實施方式;^ 用以實施發明之形態 以下’關於本發明之實施形態利關的以說明。 有關本發明之實施形態的洗淨裝置,係如第竭所示之 架構。此洗料置處職錢㈣板(被洗 洗淨該半導體基板者。 j 以 方 在第1圖中,此洗淨裝置100係具有搬運機構U)。搬運 機構10’係在其搬運方向(參照箭顯)具有依序以既定的間隔 排列之_(運輯徑),成純洗淨物之半導體美板( 下’僅稱絲)W㈣錢狀_讀轉純顧I 式。對向於搬運機構10之順序排列之輥筒,從其搬運方向 之上游侧依序配置有洗淨喷嘴20、二流體喷嘴30、水刀40、 洗淨喷嘴50、乾燥前噴嘴6〇及氣刀7〇。 洗淨裝置1〇〇,係具有清洗液供應機構21 ' 51、〇2溶 存液產生機構32、空氣溶存液產生機構42、62、氧氣瓶3 j、 空氣瓶41、61、及貯存有純水之貯槽8〇。清洗液供應機構 21,係從來自貯槽8〇之純水作為清洗液通過輸送管22供應 洗淨喷嘴20。又,清洗液供應機構51也同樣,從來自貯槽 10 201203330 80之純水作為清洗液通過輸送管52供應洗淨喷嘴50。此等 洗淨噴嘴20、50,係將供應之清洗液(純水)喷出。 〇2溶存液產生機構32,係將從貯槽80供應之純水與 氧氣瓶31供應之氧氣氣體混合,在高壓力下將其氧氣氣體 溶解於純水中,產生過飽和狀態或接近其狀態之氧氣溶存 液。〇2溶存液產生機構32,係把產生之氧氣溶存液—面維 持其高壓經由輸送管34由洗淨喷嘴20供應位於基板搬運方 向之下游側的二流體喷嘴30。從空氣瓶35供應高壓空氣之 二流體噴嘴30,係將所供應之氧氣溶存液一起喷出。氧氣 溶存液從二流體喷嘴30喷出之際壓力被釋放,過飽和狀態 或接近其狀態之氧氣溶存液中的溶存氧氣會氣化而產生稍支 小氣泡。藉此’從二流體喷嘴30含有氧氣之微細氣泡之液 體作為第1處理液成為霧狀而喷出(第1洗淨機構)。在二流體 噴嘴30方面,依照被供應高壓空氣的流量可以調節包含在 嘴出液中的微細氣泡之尺寸,從此二流體喷嘴30作為第1處 理液而喷出之包含在液中的氧氣之氣泡,係被設定在微奈 米氣泡或奈米氣泡等極小尺寸(例如,約小於1 Ομηι)。 空氣溶存液產生機構42、62,係分別把從貯槽8〇供應 之純水與從空氣瓶41、61供應之空氣混合,在高壓下將空 氣溶解於純水中產生空氣溶存液。空氣溶存液產生機構 42、62 ’係將產生之空氣溶存液一面維持其高壓狀態—面 經由輸送管43a、63a供應氣泡產生單元44、64。氣泡產生 單元44、64 ’係成為具有複數的孔口(〇rifice)的結構,被供 應之高壓狀態的空氣溶存液通過其複數的孔口之際壓力被 11 201203330 釋放,空氣溶存液中的溶存空氣氣化產生空氣的微細氣泡。 氣泡產生單元44,係從空氣溶存液獲得之含有空氣的 微細氣泡之液體由二流體喷嘴30經由輸送管43b供應到被 配置在基板W搬運方向之下游的水刀40。水刀40,係將供 應之含有微細氣泡之液體作為處理液朝向基板W之搬運方 向的上游側喷出(第2洗淨機構)。在含有空氣溶存液產生機 構42及氣泡產生單元44之機構,藉由混合在純水之空氣的 流量或.壓力釋放的特性等,可調節供應水刀40之含在液中 之微細氣泡的尺寸。作為第2處理液從水刀40喷出之含在液 中之空氣的氣泡,係被設定較微米氣泡等之前述從二流體 喷嘴30喷出之含在液中之第1處理液中的微細氣泡大的尺 寸(例如,約50μπι)。 氣泡產生單元64,係從空氣溶存液獲得之含有微細氣 泡之液體由前述之水刀40及洗淨喷嘴50經由輸送管63b供 應到被配置在基板W搬運方向之下游侧的乾燥前喷嘴60。 乾燥前喷嘴60,係將供應之含有微細氣泡之液體作為第3處 理液予以喷出(第3洗淨機構)。在含有空氣溶存液產生機構 62及氣泡產生單元64之機構,也藉由控制混合在純水之空 氣的流量或壓力釋放的特性等,可調節供應乾燥前喷嘴60 之含在液中之微細氣泡的尺寸。作為第3處理液從乾燥前喷 嘴60喷出之含在液中之空氣的氣泡,係被設定較微米氣泡 或毫米氣泡等之前述從水刀40喷出之含在第2處理液中的 微細氣泡更大的尺寸(例如,約大於ΙΟΟμιη)。 被配置在由前述之乾燥前喷嘴60朝基板搬運方向之下 12 201203330 游側之氣刀70,從空氣瓶71供應高壓空氣’成為從氣刀7〇 朝向基板搬運方向之上游側噴出之方式。 如前述之結構的洗淨裝置100,對於在搬運機構1〇之輥 筒上依序被搬運之基板W(被洗淨物),依照如第2圖所示之 順序進行處理(洗淨處理)。 基板W從前工序(例如,閘極配線微影製程)搬入運送路 輕(搬運機構10的輥筒上)時(S1),開始該基板W的搬運。被 搬運之基板W,係首先從洗淨喷嘴20噴出之清洗液被噴吹 上去(S2)。藉此,可進行基板w之預先清洗處理。通過洗淨 嘴嘴20的位置被執行預先清洗處理過的基板w,再被搬 運’而從二流體喷嘴30喷出之第1處理液被喷吹上去(S3 : 第1步驟)。在第1處理液包含有氧氣(〇2)之含有微奈米氣泡 或奈米氣泡等極小之氣泡,像這樣的第1處理液被吹向基板 W的表面時’其極小氧氣的氣泡壓壞(消滅)之際所產生的自 由基’再者藉由此透過會電離之氧氣的作用等從基板臂表 面有機殘留物會被剝離,同時由於極小氣泡會帶電負電 位’所以像如此藉由被剝離之有機殘留物或附著在粒子表 面之微細氣泡之電位相斥可使有機殘留物或其他粒子從基 板W表面分離。如此從基板w表面被剝離·分離之有機殘 留物或粒子會浮遊在附著在基板W表面之第1處理液中。 通過二流體喷嘴30之位置基於第1處理液被洗淨之基 板W ’再被搬運’從水刀4〇喷出之第2處理液會噴吹上去 (S4 :第2步驟)。由於從水刀4〇朝向搬運方向之上游側第2 處理液會被喷出,其喷出力與基板W向下游側的移動相奸 13 201203330 步β &刀40噴吹之第2處理液使附著在基板%表 處理液會被吹掉。又,因為第2處理液 =
等較包^在前述第丨處理液之微細氣泡大之尺寸的氣H 包如則述附著在從基板…表面被剝離.分離之: 機殘留物或粒子時, 刀離之有 物或粒子較易浮上處理液^較缝泡’可使其有機殘留 浮遊之第1處理液藉由從水刀4。。::==物或粒子 掉之際,可確實地防止並有撼第處液的噴吹而被吹 板W表面。 軸留物或粒子再度附著在基 w再.她刀4〇之位置基於第2處理液的執行洗淨之美板 w’再被搬運,從洗淨喷嘴 土板 綱。藉由此清洗液 ^“洗液(純水)會喷吹上 被沖洗掉。 冑在基板W表面之第2處理液會 通過洗淨喷嘴50之位置執行清洗處理之基板W,再被 搬運,從乾燥噴出之第3處理液會倾上去(S6 第3步驟)。藉由從此乾燥前噴嘴6〇喷吹之第3處理液不均句 地留在基板W表面之清洗液會被沖洗掉,該基板w表面成 為被第3處__蓋的_。而且,在㈣理液,包 3 之包含在第2處理液之氣泡及從二流體 喷嘴30喷出之包含在_理液之氣泡大之尺寸的氣泡,藉 由其氣泡包含在第3處理液中之液分成為較少的狀態。因 此,基板W表面藉由液分較少之幻處理液成為被均句包覆 的狀態。 其後,基板W ’係通過乾燥前喷嘴6〇之位置通過氣刀 14 201203330 70的位置之際,從氣刀70喷出之高壓空氣會喷吹上去(S7) 藉由此噴吹之高壓空氣均勻地遺留在基板w表面之第3声 理液(水分子)會從其基板W表面實質地被排除,而執行義板 w的乾燥處理。如前述,藉由基板W表面均勻地包覆之第3 處理液含有之氣泡液分成為較少的狀態, W有效率地,而且均勻地將其乾燥。 所以可將該基板 如此乾燥處理結束之基板w,從運送路徑(搬運機構忉 的輥筒上)被搬出(S8),而被移動到其次的工序(例如,成犋 處理過程)。 ' 根據如上述之洗淨裝置100(洗淨方法:參照第2圖),對 於基板W’氣泡壓壞(消滅)時之自由基的發生或電位相斥等 利用比較小氣泡之理想的性質之基於第丨處理液之洗淨之 後,由於可利用粒子之浮上分離等的較大氣泡之理想性質 之基於第2處理液執行洗淨,所以其壓壞(消滅)時之自由基 的發生或電位相斥等的性質,緊接著,一面可依序利用粒 子浮上力離等的性質洗淨基板w。因此,一面有效地利用 其等洗淨理想的諸多性質可有效地洗淨基板%。 前述之洗淨裝置1〇〇,雖為對於被搬運於運送機構1〇〇 之基板W執行各洗淨處理之結構,但對於被安置在支撐桌 上基板W ’各喷嘴料㈣執行各洗淨處理之結構亦可。 此外,從二流體噴嘴3〇喷出之第1處理液,雖含有氧氣 的氣泡者,例如,亦可包含更容易活性化之臭氧的氣泡。 又,亦可與第2處理液同樣包含空氣的氣泡。 從二流體喷嘴30喷出之⑸處理液,雖於純水含有氧氣 15 201203330 等的氣泡者,尤其亦可在洗淨效果高的藥液(例如,氨水、 中性洗劑、鹼性溶液等)包含氣泡者。 又,在前述之洗淨裝置100,作為第1處理液之喷出機 構雖使用二流體喷嘴30,但只要可以喷出較包含在第2處理 液或第3處理液之氣泡的尺寸小的氣泡之處理液(第1處理 液)者,其他結構者亦可。 前述之洗淨裝置100,雖把半導體基板作為被洗淨物 者,但亦可把玻璃基板等的板狀物,或其他形狀之物作為 被洗淨物。 I:圖式簡單說明3 第1圖係顯示有關本發明之第1實施形態的洗淨裝置 之示意圖。 第2圖係顯示在第1圖所示之洗淨裝置執行半導體晶圆 基板(被洗淨物)的洗淨順序之流程圖。 【主要元件符號說明】 10.. .搬運機構 20、 50...洗淨喷嘴 21、 51...清洗液供應機構 22、 52...輸送管 30.. .二流體喷嘴 31.. .氧氣瓶 32.. .02.存液產生機構 34.. .輸送管 35.. .空氣瓶 40.. .水刀 41、 61...空氣瓶 42、 62...空氣溶存液產生機構 44、64...氣泡產生單元 43a、43b、63a、63b...輸送管 60.. .乾燥前喷嘴 70.. .氣刀 71.. .空氣瓶 100.. .洗淨裝置 16 201203330 ' S1-S8··.步驟 17

Claims (1)

  1. 201203330 七、申請專利範圍: 1. -種洗淨方&,係倾處理液洗淨被洗淨物,其具有: 第1步驟’係賴包含氣泡之第1處理液於前述被洗 淨物;及 第2步驟,係在該第㊇驟之後,將第2處理液喷麗 在以附著有前述第1處理液之狀態下之前述被洗淨物, 且前述第2處理液包含比前述第i處理液所含之氣泡大 之尺寸的氣泡。 如申請專㈣圍第丨項之洗淨方法,其中前述被洗淨物 係在運送路徑上搬運; 且前述第2步驟係在較前述第1步騎運方向之下 游側執行* 如申請專利範圍第lsiu項之洗淨方法,其中前述第!處 理液所含之氣泡之氣體與前述第2處理液所含之氣泡之 氣體係不同。 4.如申請專利範圍第3項之洗淨方法,其中前述第i處理液 所含之氣泡的氣體係氧氣或臭氧之任一種。 5·如申請專利範圍第卜4項中任一項的洗淨方法,其中 具有第3步驟’係在前述第2步驟之後,且在使前述被 洗淨物乾燥之前,將含有氣泡之第3處理液喷灑至該 被洗淨物。 6·如:請專利範圍第5項之洗淨方法,其中第3處理液所含 之乳泡的尺寸’係較前述第2處理賴含之氣泡的尺寸 更大。 201203330 7. 如申請專利範圍第5或6項之洗淨方法,其中前述被洗淨 物係在運送路徑上搬運; 且前述第3步驟係在較前述第2步驟搬運方向之下 游側執行。 8. —種洗淨裝置,係在被洗淨物喷灑處理液予以洗淨,其 具有: 第1洗淨機構,係將包含氣泡之第1處理液噴灑至前 述被洗淨物;及 第2洗淨機構,係於附著有前述第1洗淨機構所喷灑 之第1處理液之狀態的前述被洗淨物,將第2處理液噴灑 於前述被洗淨物,且前述第2處理液係包含比前述第1處 理液所含之氣泡大之尺寸的氣泡。 9. 如申請專利範圍第8項之洗淨裝置,其中具有: 運送路徑,係搬運前述被洗淨物;且 前述第2洗淨機構係配置在比前述第1洗淨機構更 接近搬運方向之下游側。 10. 如申請專利範圍第8或9項之洗淨裝置,其中具有:乾燥 前處理機構,係在使已從前述第2洗淨機構喷灑前述第2 處理液之前述被洗淨物即將乾燥之前,將含有氣泡之第 3處理液喷灑於該被洗淨物。 11. 如申請專利範圍第10項之洗淨裝置,其中前述第3處理 液所含之氣泡的尺寸係比前述第2處理液所含之氣泡的 尺寸更大。 12. 如申請專利範圍第10或11項之洗淨裝置,其中具有: 19 201203330 運送路徑,係搬運前述被洗淨物; 且乾燥前處理機構係被配置在較前述第2洗淨機構 更接近搬運方向之下游側。 20
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