TW201141980A - Adhesive composition, adhesive sheet and semiconductor device - Google Patents

Adhesive composition, adhesive sheet and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TW201141980A
TW201141980A TW100111275A TW100111275A TW201141980A TW 201141980 A TW201141980 A TW 201141980A TW 100111275 A TW100111275 A TW 100111275A TW 100111275 A TW100111275 A TW 100111275A TW 201141980 A TW201141980 A TW 201141980A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin
adhesive
film
adhesive composition
group
Prior art date
Application number
TW100111275A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Masuko
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW201141980A publication Critical patent/TW201141980A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/8388—Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83885—Combinations of two or more hardening methods provided for in at least two different groups from H01L2224/83855 - H01L2224/8388, e.g. for hybrid thermoplastic-thermosetting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

201141980 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種接著劑組成物、接著片及半導 裝置。 【先前技術】 先前，半導體元件與支持構件的接合時主要使用銀 糊。然而，伴隨著近年來的半導體元件的大型化、半導體 封裝的小型化·高性能化，對所使用的支持構件亦要求小型 化、細密化。針對此種要求，由於因潤濕擴散性、滲出戈 半導體元件的傾斜而產生的打線接合時的不良狀況，銀糊 的厚度控制的困難性，及銀糊的孔隙產生等，故使用銀糊 的接合不足以應對上述要求。因此，為了應對上述要求' 近年來逐漸使用具有膜狀的接著劑層的接著片（例如參照 專利文獻1及專利文獻2)。 >… 該接著片是用於單片貼附方式或晶圓背面貼附方式等 的半導體裝置的製造方法。 於藉由前者的單片貼附方式來製造半導體裝置時，首 先藉由切割（cutting)或壓片（pUnching)將捲筒狀的接 著片切出成單片後，將接著劑層貼合於支持構件。其後， 將藉由切晶（dicing)步驟而單片化的半導體元件接合於 附接著劑層的支持構件。其後，經過打線接合、密封等組 裝步驟而製造半導體裝置（例如參照專利文獻3)。然而， 單片貼附方式的情況下，需要用以切出接著片並接著於支 持構件的專用的組裝裝置，因此與使用銀糊的方法相比較 3 201141980 有製造成本變高的問題。 另-方面，於藉由晶圓背面貼附方 圓的背面貼附接著劑 者刎層的另一面貼合切晶片。其後，藉 a ,人女 接著劑層的狀態下將半導體晶圓單月 ^ θ ^ 件。繼而，拾取附有接著劑層的半導體 構件。然後經過打線接合、密封等租裝^半 如單片貼附方 用的、，且裝裝置’可將先刖的銀糊用的組 或藉由對其附加熱盤等的裝置的一部分χ 2，晶圓背面貼附方式是使用接著片的組裝；法中作為將 二制得相對較廉價的方法而受到關注(例如參照 外，體元件的小型薄型化.高性能化以 卜夕功1化發展，將辣半導體元件積層 :遽：多。另外，半導體裝置向薄型化的方：， 進一步使用經極薄化的半導體晶圓。 因此 隨著半導體裴置的薄型化發展，丰導 為了抑制打線接:時的衝展’ 提高打線接合時的超音波效率，及 的接著劑層的高彈性化的要求較迄今為$疋件 另外，為了實現組裝步驟的簡化，有時藉在接
S 4 201141980 著劑層的-個面上貼合有切晶片的接著片、亦即將切晶片 與黏晶膜-體化而成的臈（以下有時稱為「切晶黏晶一體 式膜」）的方法，來實現對晶圓背面的貼合製㈣簡化。根 據該方法’可簡化對晶圓背面貼_的製程，故可減輕晶 圓破損的風險。切晶帶的軟化溫度通常為⑽。c以下。因 此，切晶m切的耗的情況下，㈣是考慮到切 晶帶的軟化溫度或晶圓翹曲的抑制，要求接著片可於 i〇〇°c低的溫度下貼附、即具有低溫下的優異加工性。 對於使用接著#而製造的半導體I置，要求於可靠 性、更具體而言為耐熱性、耐濕性及耐回焊性方面達成充 分的水準。為了麵耐回焊性，要求維持高的接著強度， 即於26此左右的回焊溫度下可抑難著劑層的剝離或破 壞。如此’強烈絲可高度地兼具低溫下的加工性及極薄 半導體元㈣絲效轉製鱗性、與包 導體裝置的可靠性的接著片。 汗 ';干 迄今為止’為了兼具低溫下的加工性與耐熱性，提出 了將玻璃轉移溫度上Tg)相對較低的熱塑性樹脂與熱硬化 性樹脂組合的膜接著劑（例如參照專利文獻5 )。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平3-mi78號公報 [專利文獻2]日本專利特開平4_2則2號公 [專利文獻3]曰本專利特開平9-17810號公報 [專利文獻4]日本專利特開平4-196246號公報 5 201141980 [專利文獻5]日本專利第3〇14578號公報 然而，已知先前的半導體元件固定用接著劑無法在兼 具低溫下的加工性與耐回焊性的同時，於由黏晶後的組裝 步驟中受到的熱歷程所得的硬化性的方面亦達成充分的水 準。另外，謀求與半導體元件的多階積層化及半導體裝置 的薄型化相對應的半導體元件固定用接著劑的薄膜形成性 的進一步提高。進而，為了抑制伴隨著使用極薄半導體元 件的打線接合步驟中的超音波處理效率的進一步提高的由 該步驟的衝料朗_半導體元件破損，較迄今為止進 一步要求於黏晶後的組裝步驟中受到的熱歷程中使接著劑 的硬化進行’實現高彈性化。 【發明内容】 本發明是鑒於上述先前技術所具有的問題而成，其主 要目的在於提供一種可高度滿足薄膜形成性、低溫下的加 工性（低溫貼附性）及耐回焊性，且黏晶後的組裝步驟中 受到的熱歷程中可獲得充分的硬化性同時可達成高彈性化 的接著劑組成物，以及使用該接著劑組成物的接著片及 導體裝置。 本發明提供一種接著劑組成物，含有（A)重量平均 分子量為10000〜150000且以樹脂成分成為25質量％的 方式溶解於N-甲基-2-吡咯烷酮（以下稱中時的 25 C下的黏度為5泊（p〇ise)〜300泊的熱塑性樹脂:以 及（B)熱硬化性成分，並且上述（B)熱硬化性成^包含 (B1)具有烯丙基或環氧基的反應性塑化劑、（b2)具有 201141980 2烯基的化合物、及（B3)具有順丁烯二醜亞胺基的化 合物。 士述接著劑組成物的包括薄膜塗佈性的薄膜形成性優 二2接ί劑組成物所得的接著片可高度献低溫貼附 的接5，由本㈣的接著敝成物可獲得具有更薄 的接者Μ層的接著片，並且該接著片可於更低 =劑層_於半導體元件及支雜鱗被_=另外可 實現低溫、低壓且短時間的條件下的黏晶。另外，亦具 ::黏=低壓下，上的配線階差進行填埋的熱流 丰詩㈣’上述接者片的操作料，有助於切晶步驟等 戶裝製程的效率化。具有由上述接著劑組成物 所付的接讀層解導财置可純 =置的可靠性。另外，藉由黏晶後的組裝步二= 接:5 :予Γ烤(分步烘烤)及/或打線接合等的熱歷程， 的硬化充分進行，其彈性模數增大，結果可 t 合_超音波處理的效率，抑制打線接合時的 =所致的極薄半導體元件的破損或破壞，可有助於將極 =半導體讀多階積層化的半導體裝置恤裝性的效率 土述（Β1)具有烯丙基或環氧基的反應性塑化劑較佳 以d盼Α二縮水細、或稀丙基化雙盼Α ”表氯％ (eplchl〇r〇hydrin)的縮聚物。另外，上述 具有烯聽麵絲的反舰塑化财 ’ 液狀丙烯酸系聚合物。於接著劑組成物具上;： 201141980 可使B階段時的熱流動性、C階段時的熱流動抑制均得到 改善。 上述（B2)具有苯乙烯基的化合物較佳為包含於側鏈 上具有苯乙烯基的丙稀酸系聚合物。接著劑組成物包含於 側鏈上具有苯乙烯基的丙烯酸系聚合物，由此所得的接著 片的低逸氣性、半導體裝置組裝步驟中受到的熱歷程中的 硬化性、高溫時的彈性模數、耐濕性及高溫接著性進一步 提南。 上述（B)熱硬化性成分較佳為更含有（B4)於25<5(：、 1 atm下為固體狀的環氧樹脂。固體狀的環氧樹脂與液體 狀的環氧樹脂相比較，有分子量相對較大且官能基數相對 較多的傾向，故硬化後的交聯密度、低溫貼附性及耐回焊 性進一步提高。 上述（A)熱塑性樹脂較佳為Tg為l〇(rC以丁，另外 較佳為聚醯亞胺樹脂。於熱塑性樹脂具有上述構成時，可 更高度地達成耐熱性、純度及對被黏附體的良好的接著 性。此處’所謂純度’是指熱塑性樹脂中所含的驗金屬離 子、驗土金屬離子、鹵素離子特別是氯離子或水解性氣等 雜質離子的量的指標。 上述接著劑組成物較佳為更含有（C)填料。接著劑 組成物更含有（C)填料，藉此特別可更高度地達成切晶 時的易切斷性、拾取時自切晶帶的易剝離性、及耐回焊性。 另外’可有助於由組裝步驟中受到的熱歷程所致的彈性模 數、低吸濕性、回焊步驟中的破壞強度的提高。
S 8 201141980 合適地^著T組成物較佳為半導體元件固定用，特別可 :多個半導式來製造使用極薄晶圓積層 版凡1千的半導體裝置。 ιϊίι τλί ^提仏種具備將上述接著劑組成物成形為膜狀 者劑層的接著片。具備膜狀的接著劑層的接著片 方呆谷易，有助於切晶步驟等半導體裝置組裝製程的效 率化。 上述接著片較佳為更具備支持膜，且於該支持膜上具 備上述接者劑層。 另外，上述接著片亦可更具備切晶片，於該切晶片上 設有上述接著劑層。 另外，上述切晶片亦可具有基材膜及設置於該基材膜 上的黏著材層，且於上述黏著劑層上設置有上述接著劑層。 接著片具備支持膜或切晶片，藉此該接著片的操作性 進一步提高。特別藉由將具備切晶片的接著片用作兼具切 曰曰片與黏晶膜兩者的功能的切晶.黏晶一體式膜，可進一步 簡化半導體裝置的製造步驟。 本發明提供一種半導體裝置’具備一個或兩個以上的 半導體元件以及支持構件’且上述半導體元件與上述支持 構件、及/或上述半導體元件彼此是藉由上述接著劑組成物 而接著。 上述半導體裝置可同時達成内置的極薄半導體元件的 多階積層化與小型薄層化，具有高性能、高功能及高可靠 性（特別是耐回焊性、耐熱性、耐濕性等），另外即便經過 201141980 打線接合等使用超音波處理的步驟，亦能以高效率進行製 造。 、 [發明的效果] 本發明的接著劑組成物的包括薄膜塗佈性的薄膜形成 性優異，由接著劑組成物所得的接著片可高度滿足低^貼 附性。進而，使用由接著劑組成物所得的接著劑層的= ，裝置的耐回焊性優異’且可獲得藉_晶後的組褒步驟 中受到的熱歷程可使接著劑層充分硬化、 性模數的接著劑層。 U同的弹 本發日㈣接著触成物適合驗以晶圓背面貼附方式 來製造使職薄晶圓積層衫辦導體元㈣ 置二劑層時’通常加熱至接著劑組成物熔 皿度為止由使林發明的接著劑喊物， 於，附於晶圓背面，可減少對晶圓 便於使用大徑化且薄化的晶圓時，亦 了顯者抑制觀曲專問題的產生。 根據本發明，亦可確保可對基 ，熱流動性。因此，可合適 == 時的高接箬㈣進而’由於可確保高溫 時的同接者強度，故可提高耐熱性 簡化半導體裝置的製造步驟。 浮j祕並且可 本發明於切晶時的碎片飛散 ===4::提高、及逸氣性二= 轉對於封裝陳裝·_定的特性。 20114198α 本發明的半導體裝置是製造步驟經簡化、可靠性優異 的半導體裝置。本發明的半導體裝置可充分達成安裝半導 體元件時所要求的耐熱性及耐濕性。 *為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 以下，視情況一邊參照圖式，一邊對合適的實施形態 加以詳細說明。再者，圖式的說明中對相同要素標註相同 符號，適當省略重複的說明。上下左右等的位置關係只要 無特別說明，則是基於圖式所示的位置關係。圖式的尺寸 比率不限於圖示的比率。 圖1〜圖3分別為表示接著片的合適的一實施形態的 剖面圖。圖1所示的接著片100是僅由將本發明的接著劑 組成物成形為膜狀的接著劑層1所構成。接著劑層丨的厚 度較佳為0.5 μιη〜200 μιη ’更佳為0.5 μιη〜1〇〇 μιη，進而 佳為1 μιη〜50 μιη。接著片1〇〇例如亦可為寬1 mm〜2〇 mm左右的帶狀、或寬1〇 cm〜5〇 cm左右的片狀，此時， 較佳為以捲繞於捲芯上的狀態搬送 藉此，接著片l〇Q的 保管或搬送變容易。接著片100亦可為以厚膜化為目的而 將單層的接著劑層1重合多層並貼合的積層體。 圖2所示的接著片110具備支持膜2及設置於其兩主 面上的接著劑層1。支持膜2作為支持接著劑層1的基材 而發揮功能。亦可僅於支持膜2的單面上設置接著劑層1。 11 201141980 圖3所示的接著片120具備支持膜2、接著劑層丄及 保護膜3，且該些構件依此順序積層。保護膜3是以防止 接著劑層1的損傷或污染為主要目的，以覆蓋接著劑層ι 的與支持膜2為相反侧的主面方式設置。通常，剝離保護 臈3後將接著片12〇用於黏晶。 接著片#乂佳為可於保遵帶及切晶帶的軟化溫度以下的 低溫下貼附於被黏附體。可貼附的溫度低於抑制半導體晶 圓龜曲的方面亦有利。具咖言，將接著綱1貼附於被 黏附體的溫度較佳為1(rc〜15(rc，更佳為2〇<t〜1〇(rc， 進而佳為2〇°C〜8〇。(：。為了可於此種低溫下貼附，接著劑 層1的Tg較佳為i〇〇°c以下。 接著劑層1是將接著劑組成物成形為膜狀而獲得。以 下’對接著劑組成物加以詳細說明。接著劑組成物含有（a) 熱塑性樹脂以及（B)熱硬化性成分。 。（A)熱塑性樹脂的Tg較佳為1〇(rc以下更佳為 -20C〜80°C。若（A)熱塑性樹脂的Tg超過1〇(rc，則對 半導體晶圓背面的貼附溫度超過i5〇〇c的可能性變高，若 Tg低於-20°C ’則有B階段狀態下的接著劑層i表面的黏 性變強，操作性逐漸下降的傾向。 關於（A)熱塑性樹脂的上述Tg是對成形為膜狀的該 / A)熱塑性樹脂的動態黏彈性的溫度依存性進行測定^ 觀測到的主分散的波峰溫度。（A)触性顧的動態黏彈 性例如疋使用35 mmxlO mmx4〇 厚的試驗片，以升溫 速度5C/mm、頻率ιΗζ、測定溫度_15〇。〇〜3〇〇。(：的條件
S 12 201141980 下測疋此日守’主分散中福（損耗正切）顯示最大值的 溫度（主分散溫度）為Tg。黏彈性的測定可使用 Rheometrics 股二有限公3製造的轉齡析儀（商品名 :RSA-2 )來 進灯―。再者，所謂上述⑷熱塑性樹脂，是指藉由加熱 而熔^或軟化並藉由外力而變形流動、冷卻後固化的直鍵 狀或^支狀高分子’即便於分刊具有反應㈣官能基， 八要是如上述般具有由加熱所得的流動性的樹脂，則包括 在（A)熱塑性樹脂中。 此種（A)熱塑性樹脂並無特別限定，例如可列舉聚 醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞 胺樹脂、聚胺基曱酸酯醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯醯胺醯 亞胺樹脂、矽氧烷聚醯亞胺樹脂、聚酯醯亞胺樹脂或該些 樹脂的共聚物、苯氧樹脂、聚砜樹脂、聚醚颯樹脂、聚笨 硫醚樹脂、聚酯樹脂、聚醚酮樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙 烯丁醛樹脂、苯乙烯-順丁烯二醯亞胺共聚物、順丁烯二醯 亞胺-乙烯基化合物共聚物、或（曱基)丙烯酸系共聚物等。 (A )熱塑性樹脂的重量平均分子量為ι〇〇〇〇〜 150000。若重量平均分子量超過15〇〇〇〇，則有b階段的熱 流動性下降的傾向’若重量平均分子量低於1〇〇〇〇，則有 成膜性下降的傾向。重量平均分子量是進行高速液相層析 儀（Gel Permeation Chromatography，GPC (例如島津製作 所股份有限公司製造，商品名：C-R4A))測定而獲得的標 準聚苯乙烯換算值。再者，上述GPC測定中，對溶劑使用 二曱基甲醢胺（DMF) +溴化鋰（LiBr) (0.03 mol (相對 13 201141980 於 DMF 1 L)) + 磷酸（〇.〇6mol (相對於 DMF 1 L))，對 管柱使用G6000HXL+G4000HXL+G2000HXL (東曹股份有 限公司製造）。另外，試料濃度設定為10 mg/5 mL，注入 量設定為0.5 mL，壓力設定為100 kgf/cm2，流量設定為 1-OOmL/min，測定溫度設定為25°C。 另外，（A)熱塑性樹脂以樹脂成分成為25質量％的 方式溶解於NMP中時的25°C下的黏度為5泊〜300泊， 較佳為1〇泊〜2〇〇泊。上述黏度成為由熱塑性樹脂的高分 子鏈的交纏、或分子内所含的極性基間的相互作用導致的 分子間的相吸所引起的高分子鏈凝聚性的指標，該值越 大，可謂高分子鏈的凝聚性越大。隨著所使用的熱塑性樹 脂，重量平均分子量變大，另外隨著分子内極性基的濃度 變高，高分子鏈凝聚性變大，其NMP溶液的黏度有上升 的傾向。藉由使用NMP溶液的黏度在上述範圍内的轨塑 性樹脂，可高度地兼具包括薄膜形成性的良 性 熱流動性、及高溫時的接著性。若織超過· 薄 ==降，另外高分子鏈凝聚性變大，故有所得的接 階段中的熱流動性下降的傾向，若黏度小 降〉白’則藉由成膜化所得的膜變脆，作為 :::==:所得_劑二 E型：上==計二有:公司製造的 速為5 rpm的條件下對以25質I · m、轉 買里/〇的樹月日成分溶解的溶 201141980 液（清漆）進行測定時的值。 於（A)熱塑性樹脂的重量平均分子量及NMp溶液黏 度均超過上述範圍的上限時，高分子鏈的交纏及分子结構 引起的分子間相互作用（分子間的相吸）均變大，故^得 的接著劑層的勤性及高溫時的物性（強度）優異，但b = 段的熱流動性下降。另-方面，於⑷熱塑性樹脂的^ 置平均分子量及NMP溶液黏度均小於上述範圍的下限 時，高分子鏈的交纏及分子結構引起的分子 子間的相吸）均變小，故㈣段的熱流動性提高， 時的自支持性下降（向脆性化方向發展）。另外，於所使用 的（A)熱塑性樹脂的重量平均分子量小於上述範圍的下 限’且NMP >容液黏度超過上述範圍的上限時，聚合物的 極性變高’故有所得的接著劑層為高吸 熱塑性樹脂的重量平均分子量超過上述範圍的上：且) 随^容綠度小於上述範_下_，儘管她的高分子 鏈的父纏大’但分子結構引起的分子間相互作用（分子間 的相吸）相對較弱，故高溫時的物性（強度）向下降的方 向發展。 (A)熱塑性樹脂較佳為可溶於二曱基甲醯胺、二甲 士乙醯月女NMP、二曱基亞颯、二乙二醇二甲趟、曱苯、 本，甲本甲基乙基酮、曱基異丁基酮、四氫π夫喃、乙 基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸酯、丁基溶纖劑、二噁烷、環 己酮或乙酸乙酯等有機溶劑。 ， (A)熱塑性樹脂較佳為聚醯亞胺樹脂。聚醯亞胺樹 15 201141980 脂可單獨使用-種或視需要將兩種以上組合使用。上 醯亞胺樹脂是使_酸二_二胺彻通常的方法、例如 ^有機*射進行縮合反應而獲得^各成分的添加順序任 於m：以下、較佳為叱〜贼進行加成反應， 應進行，反舰的黏度逐漸场，生成作為聚酿亞 ^月曰的前驅物的雜胺酸。亦可藉由將所生成的聚_ -於50C〜8G°C的溫度下加熱使其解聚合，*調整其分子 ^可使誠麟騎财_喊得聚醯亞麟脂。脫 =環可藉由進行加熱處__環法、或使舰水劑的 化學閉環法來進行。 ^述縮合反應中的四魏二_二胺的組成比亦可為 莫耳’視需要亦可於相對於四紐二酐1〇 _而二胺 =0.5 _〜2.〇 mo卜較佳為〇 8 】〇 _的範圍内調 整、，且成比。若相對於四賴二酐i Q _而二胺超過2 〇 則有所得的祕亞_財具有胺末端的聚酿亞胺 低，物的量變多的傾向。若相對於赠酸二軒！ 〇福而 二，小於0.5 mol，則有所得的聚醯亞胺樹脂中具有酸末端 的聚醯亞胺低聚物的量變多的傾向。於任―情況下，均有 的重量平均分子量變低’接著劑層的包括耐 性下降的傾向。另外，於接著劑組成物含有 具有與該些末端的反舰的環氧_時，隨著上述聚醯亞 =聚物的量變多，有接著劑組成物的保存穩定性下降的 h 傾向特別隨著胺末端的輯亞胺低聚物的量變多 而變顯著。 201141980 四缓酸二酐較佳為於縮合反應前於較其熔點低10〇c 〜20 C的溫度下加熱乾燥12小時以上，或藉由自乙酸酐的 再結晶而進行純化處理。四羧酸二酐的由示差掃描熱量測 3十（Differential Scanning Calorimeter，DSC)所得的吸熱 開始溫度與吸熱波峰溫度的差較佳為1〇〇c以内。該溫度差 的值可用作四羧酸二酐的純度的指標。吸熱開始溫度及吸 熱波峰溫度是使用DSC (Perkin Elmer股份有限公司製 造，DSC-7型）’以樣品量為5 mg、升溫速度為5〇c/min、 測定環境為氮氣的條件下測定時的值。 用作聚醯亞胺樹脂的原料的四羧酸二酐例如是自以下 化合物中選擇一種或兩種以上：苯均四酸二針、3，H4'_ 聯笨四羧酸二酐、2,2，，3,3，-聯苯四羧酸二酐、2,2_雙(3,4_二 羧基苯基)丙烷二肝、2,2-雙(2,3_二羧基笨基)丙烷二酐、u_ 雙(2,3-二羧基苯基）乙烷二酐、U-雙(3,4_二羧基苯基）乙烷 二軒、雙(2,3-二羧基苯基）甲烷二酐、雙(3,4_二羧基苯基) 曱烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)磷二酐、3,4,9，1〇_花四羧酸 一酐、雙(3,4_二羧基苯基）_二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、 3,4,3’，4’-二苯曱酮四羧酸二酐、2,3,2，，3，-二苯曱酮四羧酸二 針、3,3,3，，4，-二苯曱酮四羧酸二肝、^卜萘四羧酸二酐、 1，4,5,8·萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四綾酸二酐、i，2,4,5-萘四 羧酸二酐、2,6-二氯萘-1，4,5,8-四竣酸二酐、2,7-二氣萘 -1，4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氣萘-M，5,8_四羧酸二酐: 菲_1，8,9，10-四羧酸二酐、吡嗪_2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩 -2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3，，4，-聯笨四羧酸二酐、3,4,3，，4,_ 17 201141980 聯苯四羧酸二酐、2,3,2’，3，-聯苯四羧酸二酐、雙(3,4_二羧基 苯基)二曱基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基）甲基苯基矽烷 二酐、雙(3,4-二緩基苯基)二苯基石夕燒二酐、1，4_雙(3,4-二 叛基苯基二曱基石夕烧基）苯二酐、1，3_雙(3,4_二羧基苯 基)-1，1，3,3-四曱基二環己烧二酐、對伸苯基雙(脫水偏苯三 酸醋）、伸乙基四羧酸二酐、1，2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫 萘-1，4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二曱基六氫萘 -1，2,5,6-四叛酸二酐、環戊烧-i，2,3,4-四缓酸二酐、η比洛烧 -2,3,4,5-四叛酸二酐、1，2,3,4-環丁燒四跋酸二針、雙（夕卜_ 雙環[2,2，1]庚烧-2,3-二緩酸二針、雙環_[2,2,2]_辛-7-稀 _2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4·二羧基苯基)丙烷二酐、2,2_ 雙[4-(3,4-二叛基苯基)苯基]丙烧二酐、2,2_雙(3,4·二叛基苯 基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙 烧二酐、4,4’_雙(3,4-二叛基苯氧基)二笨硫醚二酐、1，4-雙 (2_羥基六氟異丙基)笨雙(偏苯三酸酐）、1，3-雙(2-羥基六氟 異丙基)苯雙(偏苯三酸酐）、5-(2,5-二氧四氫呋喃基)_3·曱基 -3-¾己烯-l，2-二羧酸二酐、四氫呋喃_2,3,4,5-四羧酸二 針、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐、mw#-異亞丙基二苯 氧基)雙（鄰苯二曱酸二酐）、1，2-(伸乙基)雙(脫水偏笨三酸 醋）、1，3-(三亞甲基)雙(脫水偏笨三酸酯）、[4-(四亞曱基) 雙（脫水偏苯三酸酯）、ι，5·(五亞甲基）雙（脫水偏笨三酸 酉旨）、1，6-(六亞曱基)雙(脫水偏笨三酸酯）、1/7_(七亞曱基) 雙（脫水偏苯三酸酯）、1，8-(八亞曱基）雙（脫水偏笨三酸 醋）、1，9-(九亞甲基)雙(脫水偏笨三酸醋）、"〇_(十亞甲基) 201141980 雙(脫水偏苯三酸酯）、1,12-(十二亞曱基)雙(脫水偏苯三酸 醋1，16-(十六亞曱基)雙(脫水偏苯三酸酯）、118_(十八亞 曱基)雙(脫水偏苯三酸酯）。該些中，就可賦予更優異的耐 濕可靠性的觀點而言，較佳為4,4，~氧基二鄰苯二曱酸二 酐、及4,4，-(4,4，-異亞丙基二苯氧基)雙(鄰苯二曱酸二酐）。 另外’就可賦予更優異的熱流動性的觀點而言，較佳為 1，1〇-(十亞曱基)雙(脫水偏苯三酸酯）、1，12-(十二亞曱基) 雙(脫水偏苯三酸酯）、1，16-(十六亞甲基)雙(脫水偏苯三酸 醋)及1，18·(十八亞曱基)雙(脫水偏苯三酸酯）。 用作聚隨亞胺樹脂的原料的二胺例如是選自以下的化 合物中：鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、3,3，_二胺基二 苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4，-二胺基二苯基醚、3,3'-二胺基二苯基甲烷、3,4··二胺基二苯基曱烷、4,4，-二胺基 二苯基曱烷、雙(4-胺基-3,5-二曱基苯基）甲烷、雙(4-胺基 -3,5-二異丙基苯基）曱烷、3,3’-二胺基二苯基二氟曱烷、3,4，-二胺基二苯基二氟曱烷、4,4’-二胺基二苯基二氟曱烷、3,3，-二胺基二苯基石風、3,4’-二胺基二苯基颯、4,4’-二胺基二苯 基石風、3,3 -—胺基·一本硫謎、3,4’-二胺基二苯硫崎、4,4’~ 二胺基二苯硫醚、3,3'-二胺基二苯基酮、3,4’-二胺基二苯 基酮、4,4'-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺基苯基）丙烷、 2,2’-(3,4'_二胺基二苯基）丙烷、2,2_雙(4-胺基苯基）丙烷、 2,2-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2_(3,4’-二胺基二苯基)六氟 丙烷、2,2_雙(4_胺基苯基)六氟丙烷、1，3_雙(3_胺基苯氧基) 苯、1，4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基笨氧基)苯、 201141980 3,3’-(l，4-伸苯基雙(1-曱基亞乙基))雙苯胺、3,4’-(l，4-伸苯基 雙(1-曱基亞乙基))雙苯胺、4,4·-(1，4-伸苯基雙(1-曱基亞乙 基))雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基）苯基）丙烷、2,2-雙 (4-(3_胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基笨氧基) 苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4_(4-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)砜、雙 (4-(4-胺基苯氧基)苯基)砜、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、 3,5-二胺基苯曱酸等芳香族二胺；ι，3-雙（胺基甲基)環己 烷、2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基）丙烷、4,7，10-三氧雜十三烷 -1,13-二胺、4,9-二氧雜癸烷-1，12-二胺、2,4-二胺基-6-(二 烯丙基胺基-)1，3,5-三嗪（別名：Ν，Ν·-二烯丙基三聚氰胺）、 乙烯基二胺基三嗪、Ν,Ν·-雙(3-胺基丙基)伸乙基二胺、Ν，Ν·-雙胺基丙基-1，3-伸丙基二胺、Ν，Ν’-雙胺基丙基-1，4-伸丁基 二胺、Ν-(3-胺基丙基）1，3-丙烷二胺、甲基亞胺基雙丙基 胺、月桂基亞胺基雙丙基胺、1，4-(雙胺基丙基)哌嗪，除此 以外，太陽工程化學股份有限公司製造的Jeffamine D-230、Jeffamine D-400、Jeffamine D-2000、Jeffamine D-4000、Jeffamine ED-600、Jeffamine ED-900、Jeffamine ED_2〇(U、Jeffamine EDR-M8 ’ BASF 股份有限公司製造的 聚醚胺D-230、聚醚胺D-400、聚醚胺D-2000等聚氧伸烷 基二胺等脂肪族二胺；進而1，2-二胺基乙烷、1，3-二胺基丙 烷、1，4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1，6-二胺基己烷、 1，7-二胺基庚烷、1，8-二胺基辛烷、1，9-二胺基壬烷、1，1〇-二胺基癸烷、1，11-二胺基十一烷、1，12-二胺基十二烷、1，2- 201141980 二胺基環己烷等脂肪族二胺；進而，1,1,3,3-四曱基-1，3-雙 (4-胺基苯基)二矽氧烷、l，l，3,3-四苯氧基-1,3-雙(4-胺基乙 基)二矽氧烷、1,1，3,3-四苯基-1,3·•雙(2-胺基乙基)二矽氧 烧、1，1，3,3-四苯基-1,3-雙(3_胺基丙基)二石夕氧烧、l，l,3,3-四曱基-l，3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、l，1，3,3-四曱基-l，3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、l,l，3,3-四曱基_l，3-雙(3-胺基丁 基)二矽氧烧、1，3-二曱基_1，3_二曱氧基_1,3_雙(4-胺基丁基) 二矽氧烷、1，1，3,3,5,5-六曱基-1,5-雙(4-胺基苯基)三矽氧 烧、1，1，5,5-四苯基-3,3-二曱基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧 規、1，1，5,5·四本基-3,3-二曱氧基-1，5_雙(4-胺基丁基)三石夕 氧烷、1，1，5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-i，5-雙(5-胺基戊基)三 矽氧烷、1，1，5,5_四甲基_3,3_二甲氧基Μ雙(2胺基乙基） 三矽氧院、1，1，5,5-四曱基_3,3_二曱氧基心义雙屮胺基丁基) 三石夕氧烧、1，1，5,5-㈣基_3,3_二甲氧基-以雙 三石夕氧烧、似如-六仏仏雙㈣基丙旬三石夕氧) 烷、1，1，3,3,5,5-六乙基-i，5-雙(3·胺基丙基）三石夕氧烷、 U，3,3,5,5-六丙基_U_雙(3·胺基丙基)三石夕氧燒等 二胺。該些二胺可單獨使用—種或組合使用兩種以上。 為了使聚醯亞胺樹脂的Tg為i 〇〇〇c以下 =伸燒基二胺等脂肪族二胺。該月旨肪族二胺二使^ 總！的比率較佳為i mol%〜80 mol%，更 子於一 mol%。若脂肽姓-晚从才 巧mol%〜6〇 8〇福%，則聚醯亞胺樹脂的Tg過度變低接J片右超過 自支 21 201141980 持性下降的可能性變高。 脂肪族二胺的市售品例如可列舉：太陽工程化學股份 有限公司製造的 Jeffamine D-230、Jeffamine D-400、 Jeffamine D-2000、Jeffamine D-4000、Jeffamine ED-600、 Jeffamine ED-900、Jeffamine ED-2001 或 Jeffamine EDR-148，BASF股份有限公司製造的聚醚胺D-230、聚醚 胺D-400或聚醚胺D-2000等聚氧伸烷基二胺。 聚酿亞胺樹脂的重量平均分子量較佳為1 〇〇〇〇〜 150000，更佳為 20000〜80000。 藉由將重量平均分子量控制於該些數值範圍内，接著 劑層的強度、可撓性及黏性變得更良好。另外，由於亦可 獲得適當的熱流動性，故可更充分地確保對被黏附體表面 的階差的良好的填埋性。若聚醯亞胺樹脂的重量平均分子 量小於10000，則有接著劑組成物的成膜性下降，或接著 劑層的強度變小的傾向。若聚醯亞胺樹脂的重量平均分子 量超過150000，則有熱流動性逐漸下降，或對被黏附體的 凹凸表面的填埋性下降的傾向。 藉由將聚醯亞胺樹脂的Tg及重量平均分子量設定於 上述範圍内，不僅可將接著劑層對被黏附體的貼附溫度抑 制得更低，亦可降低將半導體元件接著固定於支持樽&時 的加熱溫度（黏晶溫度）。其結果，可更顯著地抑制半導體 ，件的翹曲的增大。於支持構件為有機基板時’可抑制黏 晶時的加熱溫度導致的上述有機基板的吸濕水分的急遽氣 化，可抑制氣化所致的黏晶材層的發泡。 虱
S 22 201141980 jB)熱硬化性成分是可藉由加熱而形敍聯結構， 使接著劑層硬化的成分。⑻熱硬化性成分包含（bi)具 有烯丙基或環氧基的反應性塑化劑、⑻）具有苯乙歸基 的化合物、及（B3)具有順丁烯二酸亞胺基的化合物。再 者，（B1)、（B2)、（B3)成分亦可不為各別的化合物。藉 此，可更純地断半導體元件組料的熱脑中的硬化 性、低逸氣性及高溫時的高彈性模數，可高度地兼具b階 段中的熱流動性與C階段中的高彈性。 (B1)具有歸丙基或環氧基的反應性塑化劑只要是豆 Ϊ稀丙基或環氧基且可降低所得的接著敝成物的B· =熱流動溫度的改質劑、或可降低熱時的溶融黏度的改 質劑危則並無特別限定，較佳為於1 atm下其自身的倾 ，以下’更佳為於常溫（25ΐ )為液狀。塑化 二1不僅為早體，亦可為低聚物絲合物形態。此時，就可 =予更向度的熱流動性的觀點而言f較佳為重量平均分子 以下。再者’反應性塑化劑亦可為含有烯丙基 與壤乳基兩者的化合物。 此種反應性塑化劑例如可列舉：二稀丙基雙酴A、二 =基雙龄A二縮水甘_或其縮聚物（烯丙基化雙盼八 一表虱醇的縮聚物）、雙烯丙基耐地醯亞胺、鄰苯二曱酸二 烯丙酿或鄰笨二甲酸二稀丙酯的預聚物、異 ^ ^烯丙基改性或含稀丙基的苯盼祕清漆、1，3-二烯 丙基-5'縮水甘油基異三聚氰_、 油基異三聚氰_、單官能_丙基縮水甘_了^甘八 23 201141980 型（或AD型、S型、F型）的縮水甘油、氫化雙紛a 型的縮水甘油醚、環氧乙烷加成物雙酚A型的縮水甘油 越、環氧丙烧加成物雙酚A型的縮水甘油醚、笨盼紛路清 漆Μ脂的縮水甘油鍵、二聚酸的縮水甘油鱗、三官能型（咬 四官能型）的縮水甘油胺等化合物、或含環氧基的液狀丙 ，酸系聚合物等。另外，於25。(：、i扣诅下為液狀的環氧 樹脂亦包括在此種反應性塑化劑中。該些反應性塑化劑可 單獨使用一種，或組合使用兩種以上。 該些反應性塑化劑中，就可更高度地兼具所得的接毫 劑組成物的B階段中的良好的熱流動性與c階段中的熱访 動抑制性的觀點而言，可較佳地使用在25t、i 液狀的二烯丙基雙酚A二縮水甘油醚、烯两基化雙酚A與 表氣醇的縮聚物、稀丙基改性或含稀丙基的苯⑽㈣ 漆、含環氧基的液狀㈣酸系聚合物。含環氧基的丙稀酿 系聚合物更料1^為_1(^下，重量平均分子量為1〇〇〇( 以下。
關於接著劑組成物中的（B1)具有烯丙基或環氧基 反應性塑化_含量，就3階段中的良好的熱流動性: 逸氣性與C 段巾㈣紐峨點*言，相對 A 塑性樹脂⑽質量份，較佳為1質量份〜聊質量份， 二為份〜5〇0質量份，進而佳為5質量份〜刚質 二S t、於1質量份，則有兼具上述特性的效果; ί的傾向超過觸質量份，則有加熱時的逸氣變多 成膜性及操作性逐漸下降的傾向。 、
S 24 201141980 (B2)具有本乙烯基的化合物例如可列舉：ι_第三丁 基Μ烯基苯、h甲基+乙烯基苯、辛基乙稀基^、 1，3,5-三曱基_2_乙烯基苯、4•乙稀基苯甲酸、4_乙稀基苯 胺、3-乙稀基苯胺、M_二甲基·2乙烯基苯、i甲氧基·^ 乙烯基苯、U曱氧基冬乙稀基苯、丨_甲氧基·4乙烯基苯、 1，3,5-二曱基_2_乙稀基苯、u乙氧基_4·乙稀基苯、丄硝基_3_ 乙稀基苯、2-甲氧基冰乙稀基笨紛、^乙稀基蔡、2_乙稀 基秦、4·乙稀基苯甲酸甲醋、2_乙烯基苯甲酸曱醋、卜甲 氧基甲氧基·4·乙絲苯、2_甲氧基冰乙烯基苯㈣甲醋、 =(乙烯基苯氧基)四氫.夫喃、W•乙氧基乙氧基)·4_乙稀基 本、對-第三丁氧基祕曱氧基_4_乙烯基笨、第三丁基二 曱氧基(4-乙烯基苯基)矽烷、4_乙烯基笨甲酸第三丁酯、 2-(4-乙稀基苯氧基)四氫_2H-t南、或側鏈上具有苯乙烯基 的丙烯酸系聚合物等。 (B2)具有|乙烯基的化合物亦可為下述通式⑴或 通式（II)所表㈣化合物。該些化合物可單獨使用一種 或組合使用兩種以上。 [化1]
式（I) t，尺1表示氫原子或甲基，R2表示_〇、_CH2 25 201141980 或下述通式（i)所表示的二價基，R3表示-〇-、-CH2-、-S-或下述通式所表示的二價基，R4&R5分別獨立表示 氫原子、碳數1〜3的烧基或苯基’ k表示1〜8的整數，1 表示1〜3的整數。式（〇及式（11)中的R6及R7分別獨 立表示氫原子、碳數1〜5的直鏈狀烷基或笨基。 [化2] R6 R7
0 R11-Q-R’ 終it"⑻ 式（II)中’ R8表示氫原子或曱基，R9及Rio分別獨 立表示氫原子、碳數1〜5的直鏈狀烷基或苯基，RU表示 -0-、-CH2_或下述通式（iii)所表示的二價基，尺12表示_〇_、 -CH2-、-S-或下述通式（iv)所表示的二價基，Rn及rM 分別獨立表tf氫原子、碳數丨〜5的直鏈狀烧基或苯基，m 表不卜8的^數’n表示1〜3的整數。式（出）及式（iv) 中的R5及R分別獨立表示氫原子、碳數丨〜5的直鍵狀
S 26 201141980 烧基或苯基。 [化4]
Z (iii) R16Jk (iV) I# 乙稀基的化合物較佳為具有兩個以上的 鍵、、、β於方香％上的乙烯基。該化合物例如可列舉：1 乙烯基苯、1，4-二乙稀基苯、&異丙稀基苯、或下述通^ (III)所表示的化合物。式（111)中，Rl7表示芳香族= 低聚物鏈’ R18及R19分別獨立表示氫原子或曱基。 [化5]
式（ΙΠ)所表示的化合物例如可藉由具有氯烷基及笨 乙烯基的化合物與芳香族醚低聚物的反應來合成。芳香族 醚低聚物可列舉：低聚(2,6-二曱基伸苯基-1，4-醚）、低聚(2_ 曱基-6_乙基伸笨基-1，4-醚）、低聚(2,6-二乙基伸苯基-1，4-鍵）、低聚(2,6-二氣伸苯基义^醚）、低聚(2-氯-6-曱基伸笨 基-1，4-驗）、低聚(2_苯基伸苯基、低聚(2_甲基_6_正 丙基伸苯基·1，4_醚）、低聚(5-甲基伸苯基-1,3·醚）、或低聚 27 201141980 (伸苯基-i，3_醚)等。式（in)所表示的化合物例如可列舉： 下述通式（IV)所表示的2,2，，3,3，，5,51_六曱基聯苯_4,4，_二 醇.2,6_二曱基苯酚縮聚物與氣曱基苯乙烯的反應產物等。 該些化合物可單獨使用或組合使用多種。接著劑組成物較 佳為含有該些化合物中於側鏈上具有苯乙烯基的丙烯酸系 聚合物。藉由接著劑組成物含有於側鏈上具有苯乙烯基的 丙烯酸系聚合物，可更高度地賦予B階段中的低逸氣性、 半導體裝置組裝步驟中受到的熱歷程中的硬化性、高溫時 的高彈性化、耐濕性及高溫接著性。 [化6]
式（IV)中，p及q分別獨立表示1〜％的整數。 關於接著劑組成物中所含的⑻）具有苯乙稀基的化 合物的量’就使B P諸中的低溫貼附性、低溫接著性及低 逸氣性、與半導倾裝步射受_麵程中的硬化 性、C階段中的尚溫時的高彈性、高溫接著性、耐熱性及 财濕性更尚度地並存的觀點而言，相對於（A)熱塑性樹 月曰100質里伤，較佳為1質量份〜5〇〇質量份，更佳為5 質量份〜200質量份’進而佳為5質量份〜刚質量份。若 该含量小於1 fj：份’财兼具上述特㈣效果變小的傾 向’若超過5GG質量份，财舰紐下降的傾向，或成 28 201141980 膜性及操作性逐漸下降的傾向。 上述（B3)具有順丁婦二醯亞胺基的化合物較佳為含 有兩個以上的順谓二醯亞胺基，更佳為選自下述通式 (v)所表示的雙順丁烯二醯亞胺化合物、及下述通式（VI) 所表示的酚醛清漆型順丁烯二醯亞胺化合物中的至少一 種。 [化7]
(V) [化8]
(VI) 者二 29 201141980 殘基，二F苯殘基，萘殘基，直鏈、分支 煙a， ==組合所構成的二價基。式㈤卜表示° =(喲所表示的二價基。就同樣的心而；:=) [化的9]_清漆型順丁缔二酿亞胺化合物亦較佳。
[化 10] CH$
(vi) 201141980
縣成:Γ含的⑽具有順丁婦二酿亞 胺基的化5物的夏，就成膜性、Β階段令的低 c ρ皆段巾的尚溫時的高彈性、高溫時的著;、 =觀點而言，相對於⑷熱塑性樹脂_質量份，= 份〜500質量份，更佳為5質量份 ：， 進^圭為5質量份〜應f量份。若該含量小於 ^ 提高效果變小的傾向，若超過獅^量 :下降氣變多的傾向’或成臈性及操作性逐 +硬化後的接著劑層的強度下降的傾向。（ 縣的化合物及⑽具有順丁烯二醯亞胺基的 。刀別可單獨使用—種或組合使用兩種以上。 ^ 了促進含有（Β2)具有苯乙雜的化合物及（Β3) 二-l!谓二醯亞絲的化合物的熱硬化性成分的由加轨 硬化’視需要亦可於接著劑組成物+含有有機過氧 接著片製作時的硬化抑制、及Β階段中的保存穩 7、觀點而言’較佳為使们分鐘半生期溫度為12(rc =上的有機過氧化物。關於接著劑組成物中所含的有機過 ""物的3量，就保存穩定性、低逸氣性、硬化性的觀點 31 201141980 而了，相對於（B3)具有順丁烯二醯亞胺基的化合物1〇〇 重量份，較佳為0.01重量份〜10重量份。 相對於（A)熱塑性樹脂100質量份’接著劑組成物 中，含的（B)熱硬化性成分的量較佳為j質量份〜5〇〇 質量份，更佳為5質量份〜勘f量份，進而佳為5質量 份〜120質量份。若該含量超過5〇〇質量份，則有加熱時 的逸氣變多，此外成膜性（祕）逐漸下降的傾向。若該 含量小於1質量份，财賦予B階段巾的熱流動性、以及 C階段中的耐熱性及高溫接著性的效果變小的傾向。 接著劑組成物中，為了進行⑻熱硬化性成分的硬 化除了上述有機過氧化物以外亦可含有硬化劑、及/或硬 化促進齊丨（觸媒）。視需要可併用硬化劑與硬化促進劑、或 觸媒與助觸媒。關於上述硬化劑、硬化促進劑、觸媒、助 觸媒及有機過氧化物的添加量以及是縣加，是於可確保 下文將述的理想的減動性、硬化性及硬化後的耐熱性的 範圍内判斷、調整。 (B)熱硬化性成分較佳為含有（B4)於25。〇、丨atm 下為固體狀的％氧樹脂作為上述熱硬化性樹脂。固體狀的 環氧樹脂與液錄的環氧樹脂相比較，有分子量相對較大 且B月b基數相對較多的傾向，故硬化後的交聯密度變高， 低溫貼附性及相焊性進—步提高。如上述的環氧樹脂更 佳為f分子内含有至少兩個環氧基，且於25t下為固體 狀就硬化11或硬化物特性的觀點而言，極佳為苯盼的縮 X甘油8½的％^氧跑旨。$外，特別是使用聚醢亞胺樹脂
S 32 201141980 作為熱塑性樹脂時，藉由聚醯亞胺樹脂的低聚物末端基等 所含的酸或胺等的反應性基與環氧基之間的熱反應，交聯 密度相乘性地提高。交聯密度提高，藉此由組裝步驟中受 到的熱歷程所得的更高度的硬化性的賦予及高彈性模數化 的效果進一步提高，並且可獲得更高度的低溫貼附性及耐 回焊性。再者，相當於（B1)具有環氧基的反應性塑化劑 的化合物不包括在（B4)於25。(：、1 atm下為固體狀的環 氧樹脂中。此種環氧樹脂例如可列舉：雙驗A型（或ad 型、S型、F型）的縮水甘油醚、氫化雙盼a型的縮水甘 油醚、環氧乙烷加成物雙酚八型的縮水甘油醚、環氧丙烷 加成物雙酚A型的縮水甘油醚、苯酚酚醛清漆樹脂的縮水 甘/由謎甲紛紛醒清漆樹脂的縮水甘油峻、雙紛A紛經清 漆樹脂的縮水甘觸、雜脂義水甘㈣、二稀丙基^ 酚A二縮水甘油醚或其縮聚物、三苯酚曱烷型等三官能型 (或四官能型）的縮水甘_、二環戊二烯苯轉脂的縮 水甘油醚、二聚酸的縮水甘油醋、三官能型（或四官能型） 胺、或萘樹脂的縮水甘油胺等。該些環氧樹脂 早獨使用一種或組合使用兩種以上。 樹脂，為了防止電子遷移（eleetrcmi_n) 電路的腐钮，較佳為將作為雜質離子的驗 性氣等屬離子、㈣離子制是氣離子或水解 氣專降低至3〇〇ppm以下的高純度品。 =需要村於魏樹脂巾組合環__硬化劑而使 。硬化劑例如可列舉：酚系化合物、脂肪族胺、脂環族 33 201141980 胺、方香族多胺、聚醯胺、脂肪族酸軒、脂環族酸酐、芳 香私酸酐、二氰二醯胺、有機酸二醯肼、三氟化领胺錯合 物、咪唑類或三級胺等。該些中，較佳為酚系化合物，更 佳為分子中具有至少兩個酚性羥基的酚系化合物。此種化 合物例如可列舉.苯酴紛酿清漆樹脂、甲紛盼酿清漆樹脂、 第二丁基苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯尹酚酚醛清漆樹 脂、一裱戊二烯苯酚酚醛清漆樹脂、二甲苯改性苯酚酚醛 清漆樹脂、蔡_化合物、三苯_化合物、四苯紛義 清漆樹脂、雙# A _清_脂、聚_對乙烯絲麟脂、 或苯酿芳燒基樹脂等。該些令，較佳為數量平均分子量在 400〜譲的範圍内的化合物。藉由使用該些硬化劑於 半導體裝置組裝步驟的加熱時，可更高度地減少導導 或裝置等的污染的逸氣。再者，為了 魏系化合物的調配量以環氧』 的％氧自量與本驗糸化合物的〇Η當 0·95 Μ.05405 : 〇.95的方式進行調整。”里比成為 視需要亦可使用硬化促_。硬化 要 化性樹脂硬化則並無特別限制，例如可列舉硬 氰二醯胺衍生物、二驗二醯肼、三苯 二 苯基硼酸鹽、2-乙基冰甲基味 ：本= 二氮雜ί環[5.4.0]十一糾-四苯基硼酸醋等曰或W 接者劑組成物較佳為更含有（C)填料-組成物更含有(C)填料，特別可更高度地達:由，著劑 易切斷性、拾取時的自切晶帶的易剝離性、^切曰曰時的 34 201141980 另外，亦可有助於由組裝步驟中受到的熱歷程所得的彈性 模數提高、低吸濕性、回焊步驟中的破壞強度的提高。 填料例如可列舉：銀粉、金粉、銅粉、鎳粉等金屬填 料，氧化銘、風氧化銘、氫氧化鎂、碳酸舞、碳酸鎂、石夕 酸，、石夕酸鎂、氧化釣、氧化鎮、氧化紹、氮化銘、結晶 二氧化矽、非晶二氧化矽、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、氧 化鐵、陶竞等非金屬無機填料；或碳、橡膠系填料等有機 填料等。不論麵.形狀等如何，可無特別限制地使用填料。 (c)填料可根據所需的功能而區分使用。例如，金 屬填料疋喊接著触成物提高導雜、熱料性、觸變 =2的=加’非金屬無機填料是以使接著劑層提高 j導性、低鋪脹性、低吸祕料目的而添加，有機 3是層提高動性等為目的而添加。該些金屬 使用而ϋ ·、、、機填料或有機填料可單獨使用—種或組合 "以。δ亥些填料中，就提高半導體穿置用接荖# 料所需求的導電性、教似β y牛導以置用接者材 觀點而t 躲、絕緣性等的 埴料、非金屬無機填料或絕緣性的 的分散性良好r且中，就於樹脂清漆中 更佳為i娜真料或4:二真料者力提識點而言， 接著劑經成物中所含的r 的特性或魏科定。填料的量是根據要提高 脂、⑻熱硬化性成分;(接CT=成物的⑷熱塑性樹 離子敎狀其崎力,下讀㈣偶合劑、 ^的a计為基準，（c)填料的含量 35 201141980 =，1%〜40 v〇1% ’更佳為5 v〇1%〜3〇減進而 ，為5 VGl%〜2()v()1%。藉由適當增加（c)填料的量可 貫現接著絲面的録著化、及高彈性模數化，可進一步 性（利用切割刀的切斷性）、拾取性（與切晶帶的 打線接合性（超音波效率）、熱時的接著強度。 填料增加至必要量以上，則低溫貼附性、斑被 ，附體的界面接著性、及熱流動性相關的效果下降，可能 導致包括耐回焊性的可靠性下降n(c)填料的含量 較佳為控制於上述範_。為了取得所需求的特性的平 衡，較佳為決定最適的含量。使用（c)填料時的混合、 混練可將通常的機、擂潰機、讀等 散機適當la合來進行。 接著劑組成物中，為了改良不同種材料_界面結 合，可添加各種偶合劑。偶合劑例如可列舉矽烷系、鈦系 或紹系等’其t就效果高的方面而言，較佳為魏系參 劑。關於偶合_錢量’就其效果或耐触及成本的; 面而言，相對於熱塑性樹脂刚質量份，較佳為設定為〇〇1 質量份〜20質量份。 接著劑組成物中，為了吸附離子性雜質而改良吸濕時 的絕緣可靠性，亦可更添加軒捕_。此_子捕捉劑 並無特別限制，例如可列舉：三嗪硫醇化合物、雙酶系還 原劑等作為用以防止銅離子化而溶出的銅害抑制劑而已知 ，化合物、錯系、或銻㈣齡化合物等無機離子吸附劑 等。關於離子捕捉劑的使用量，就添加效果或耐熱性、成 36 201141980 本等的觀點而言，相對於熱塑性樹脂100質量份，較佳為 〇.〇1質量份〜ίο質量份。 又’ 接著劑組成物中’亦可適當添加軟化劑、抗老化劑、 著色劑、阻燃劑、萜烯系樹脂等增黏劑作為其 ，本實施形態的接著片例如可藉由以下方法 法）來製造··將使接著劑組成物溶解或分散於有機溶劑中 =清漆塗佈於基材上，將所塗佈的清漆加熱絲而形成接 著劑層。接著劑層形成後，亦可去除基材，亦可將基材直 接用作接著片的支持膜。加熱乾燥的條件只要是清漆申的 有機溶劑（溶劑）充分揮散的條件，則並無特別限制，通 常為50。〇〜20(TC、0.1分鐘〜90分鐘左右。再者， 加熱條件亦可分為兩階段以上。 用於形成接著劑層的清漆是藉由以下方法來 構成接著成物的上述各成分於錢溶财縣 要對混合物進行混練。用以製備清漆人3 而 機、擂潰機、三輥磨機、球磨分二Si 散則可^ = 二曱基，二 本曱基乙基酉同、曱基異丁基酮 纖劑、乙基溶纖劑乙酸酿、丁南、乙基溶 及乙酸乙s旨中。 τ“纖劑、二魏、環己酉同 用於形成接著劑層的基材（支持膜2)只要可承受上 37 201141980 述加^、錢條件舰無制限定。例如可使 聚丙烯膜、聚對笨-甲醅7 __ 时财也 曰联 ㈣眩、物笑 膜、聚醯亞胺膜、聚醚醯 亞膜认—甲酸酯膜、或曱基戊烯膜。該4b基材膜 亦可為將=種以上組合而成的多層膜，亦可為表 氧糸、-氧切轉的脫模劑等進行了處理的基材膜。 ΐ4是表示具備切晶片體式的接著片 的一貫施形態的剖面圖。圖4所示的接著片130為二4 基材膜7及設於基材膜上的黏著劑層6的切晶片5、^ =晶^的黏著劑層6上的膜狀的接著劑層1所構成的 ，層體。圖4所示的接著片兼具切晶片與黏晶膜兩者= 求的特性。圖4的接著片m中❹的基賴7通常盘上 述支持膜2相同。 〃 倾=接Ϊ片130的接著劑層1較佳為以近似於貼附 “者以曰的半導體晶圓的形狀而預先形成（預切割）。 黏^劑層6是由感壓型或放射線硬化型的黏著劑所形 6具有於切晶時半導體元件不飛散的充分的 黏者力’且具有於此後的半導體元件的拾取步驟中不損 半導體元件的程度的絲著力，可使用該料巾通常使用 的Ϊ著劑。例如，放射線硬化型的黏著劑於切晶時具有高 =力，於切晶後的拾取時藉由拾取前的放射線 黏著力下降。 、 亦可如圖5的接著片14〇般，代替使用具有黏著材層 的切:曰:片’而使用具有作為㈣ϋ的功能的基材膜7。圖5 的接著片⑽中使用的基材膜7可確保實施拉伸張力時的 38 201141980 例如可較佳地使用聚歸 伸長率（所謂「擴展」）。基材膜7 烴膜。 圖4及圖5所示的接著片13〇及14〇於切晶時作為切 晶片、於黏晶時作為黏晶膜而發揮功能。因此，可將該些 接著片的接著劑層1一邊加熱一邊層壓於半導體晶圓的背 面，切晶後，拾取貼附有接著劑層的狀態的半導體元件， 進行黏晶。 以上說明的本實施形態的接著劑組成物及接著片作為 將積體電路（Integrated Circuit，1C)、大規模積體電路 (Large Scale Integrated Circuit，LSI)等半導體元件與其 他被黏附體接著的半導體元件固定用接著劑、換言之即黏 晶用接著劑而極為有用。 接著半導體元件的被黏附體有·· 42合金引線框、銅弓丨 線框等引線框；聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等塑膠膜；使坡 璃不織布等基材含浸聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等塑膠並硬 化而成的物品；氧化鋁等陶瓷等的半導體元件搭載用支持 構件等。其中’接著片適合用作用以將於表面具備有機抗 雀虫層而成的有機基板、於表面具有配線的有機基板等於表 面具有凹凸的有機基板與半導體元件接著的黏晶用接著材 料。 本實施形態的接著劑組成物及接著片亦適合用作於將 多個半導體元件堆疊的構造的半導體裝置（Stacked-PKG) 中’用於將鄰接的半導體元件彼此接著的半導體元件固定 用接著劑。 39 201141980 繼而關於本實施形態的接著劑組成物的用途，使用 圖式對半導體元件的實施職加以具體·。再者，近年 來提出了^種構造的半導體裝置，本實施形態的接著劑組 成物及接著片的用途不限定於以下說明的構造的半導體裝 置。 x 圖6疋表不半導體裝置的—實施形態的示意剖面圖。 圖6所示的半導體裝置200具有以下構成：將半導體元件 9經由藉由上述接著触成物所形成的黏晶層（已硬化 接著劑層）8而接著於支持構件⑴，半導體元件9的連接 端子（未圖示）經由接4111而與外部連接端子（未圖 電性連接，進而藉由密封材12進行密封。 圖7是表示半導體裝置的其他實施形_示意 圖。圖7所示的半導體裝置21()具有以下構成：將第 的半導體元件9a經由藉由上述接著劑組成物所形成的點 晶層（已硬化的接著劑層）8而接著於形成有端子13的 持構件H)、’於半導體元件％上，經㈣由上述接著劑級 成物所形成的黏晶層（已硬化的接著劑層）8而接著半導 體元件9b，藉由密封材12將整體密封。半導體 半導體元件9b的連接端子（未圖示）分別 與外部連接舒電性連接。 ^ 圖6及圖7所示的半導體裝置（半導體封袭）可藉由 以下方式來製造：於半導體元件與支持構件、及/或上^半 導體元件彼此之間夾持膜狀的接著劑層，進行加熱壓 使兩者接著，其後經過打線接合步驟，視需要經過利用密 201141980 封材的密封步驟等步驟。上述加熱壓接步驟的加熱溫度通 常為20C〜250C ’負荷通常為0.01 kgf〜2〇kgf，加熱時 間通常為0.1秒鐘〜300秒鐘。 … [實例] 以下，示出本發明的實例來對本發明進行更具體說 明，但本發明不限定於該些實例，可於不偏離本發^月的技 術思想的範圍内進行各種變更。再者，表中的數值只要無 特別說明則是指質量基準（質量份广 '、'''' [聚醯亞胺樹脂（PI-1)的合成] 於安裝有溫度計、授拌機、冷凝管及氮氣流入管的300 mL·燒瓶中’加入1，3-雙(3-胺基丙基)四甲基二石夕氧燒（作 越化學工業股份有限公司製造，商品名：Lp_71〇〇) 15 53 g、聚氧伸丙基二胺（BASF股份有限公司製造，商品名： D400，分子量：450) 28.13 g、及 NMP 100_0 g 並進行攪 拌，製備反應液。於二胺溶解後，一邊將燒瓶於冰浴中冷 卻，一邊於反應液中少量地逐次添加預先藉由自乙酸軒的 再結晶而純化的4,4'·氧基二鄰苯二曱酸二酐32.30 g，於常 溫（25°C )下反應8小時後，添加二曱苯67.0 g，一邊吹 入氮氣一邊於180°C下加熱，藉此將二甲苯與水一起共沸 去除。將該反應液注入至大量的水中，藉由過濾而採集所 沈殿的樹脂，進行乾燥而獲得聚醯亞胺樹脂（PI-1)。利用 gpc對所得聚酿亞胺樹脂（pi-i)的分子量進行測定，結 果以聚米乙烯換算，數量平均分子量Μη=22400，重量平 均分子量Mw=70200。聚醯亞胺樹脂（ΡΙ-1)的Tg為45。〇 201141980 另外，以樹脂成分25質量％而溶解於NMP中的樹脂溶液 的25°C下的黏度為10泊。 [聚醯亞胺樹脂（ΡΙ·2)的合成] 於安裝有溫度計、攪拌機、冷凝管及氮氣流入管的3〇〇 mL燒瓶中，加入2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷13.68 g、 4,9-二氧雜癸烷_ι，ΐ2-二胺6.80 g、及NMP 165.8 g並進行 攪拌，製備反應液。於二胺溶解後，一邊將燒瓶於冰浴中 冷卻’一邊於反應液中少量地逐次添加預先藉由自乙酸酐 的再結晶而純化的十亞曱基雙偏苯三酸酯二酐34.80 g。於 常溫（25°C )下反應8小時後，添加二甲苯110.5 g，一邊 吹入氮氣一邊於18(TC下加熱，藉此將二曱苯與水共沸去 除。將其反應液注入至大量的水中，藉由過滤而採集所沈 澱的樹脂’進行乾燥而獲得聚醯亞胺樹脂（ΡΙ·2)。利用 GPC對所得聚醯亞胺樹脂（ΡΙ_2)的分子量進行測定，結 果以聚苯乙烯換算計，數量平均分子量Μη=28900 ’重量 平均分子量Mw==88600。聚醯亞胺樹脂（ΡΙ-2)的Tg為 67°C。另外’以樹脂成分25質量％溶解於NMP中的樹脂 溶液的25°C下的黏度為150泊。 [聚醯亞胺樹脂（PI-3)的合成] 於安裝有溫度計、攪拌機、冷凝管及氮氣流入管的3〇〇 mL燒瓶中、加入2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷27.30 g、 及NMP 248.4 g並進行授拌，製備反應液。於二胺溶解後， 一邊將燒瓶於冰浴中冷卻，一邊於反應液中少量地逐次添 加預先藉由自乙酸酐的再結晶而純化的十亞曱基雙偏苯三 42 201141980 酸酯二酐34.80 g。於常溫（25°C )下反應8小時後’添加 二曱苯165.6 g，一邊吹入氮氣一邊於i80°c下加熱、藉此 將一曱苯與水共沸去除。將其反應液注入至大量的水中’ 藉由過濾而採集所沈澱的樹脂，進行乾燥而獲得聚醯亞胺 樹脂（PI_3)。利用GPC對所得聚醯亞胺樹脂（PI-3)的分 子量進行測定，結果以聚苯乙烯換算計，數量平均分子量 Mn=23200 ’重量平均分子量Mw==894〇〇。聚醯亞胺樹脂 (PI-3)的Tg為120°C。另外，以樹脂成分25質量°/〇溶 解於NMP中的樹脂溶液的25°C下的黏度為205泊。 [聚酿亞胺樹脂（PI_4 )的合成] 於安裝有溫度計、攪拌機、冷凝管及氮氣流入管的3〇〇 mL燒瓶中，加入2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷27.30 g、 及NMP 248.4 g並進行攪拌，製備反應液。於二胺溶解後， 一邊將燒瓶於冰浴中冷卻，一邊於反應液中少量地逐次添 加預先藉由自乙酸酐的再結晶而純化的十亞曱基雙偏苯三 酸醋=肝34.80 g。於常温（25t )下反應8小時後，添加 二曱苯165.6g，一邊吹入氮氣，一邊於18〇它下以較上述 聚，亞胺樹脂（ΡΙ·3)的情形更長的時間反應，藉此將二 甲笨與水制去除。將其反應液注人至大量的水中，藉由 過渡'而採集所沈㈣樹I旨，進行乾燥喊得聚醯亞胺樹脂 (ΡΙ-4)。湘GPC對所得聚醯亞胺_ 的分子量 ^丁測定，結果以聚苯乙馳算計，數量平均分子量Μη 22800 ’重I平均分子量Mw=189600。聚酿亞胺樹脂 (PI-4)的Tg為120°C。另外，以樹脂成分25質量％溶 43 201141980 解於NMP中的樹脂溶液的25°C下的黏度為420泊。 [接著劑組成物（清漆）的製備] 使用上述所得的聚醯亞胺樹脂（Π-l)〜聚醯亞胺樹 脂（PI-4) ’以表1及表2所示的各實例及比較例的組成比 (單位：質量份）來調配各成分，獲得接著劑層形成用的 清漆。 再者’表1及表2中的各成分的記號是指下述物質。 <聚醯亞胺樹脂以外的熱塑性樹脂> 「PVB-1」：可樂麗股份有限公司製造，聚乙婦丁酸樹 脂（SB-45M ’ Tg ·· 76。(：，重量平均分子量：82000，以樹 脂成分25wt°/〇溶解於NMP中的樹脂溶液的25°C下的溶液 黏度：180泊） 「PVB-2」：Solutia股份有限公司製造，聚乙烯丁醛樹 脂（Butvar-72 ’ Tg : 75°C，重量平均分子量：210000，以 樹脂成分25wt%溶解於NMP中的樹脂溶液的25°C下的溶 液黏度：>500泊） 「ZX-1395」：東都化成股份有限公司製造，苯氧樹脂 (Tg : 68°C，重量平均分子量：88000，以樹脂成分25wt0/。 溶解於NMP中的樹脂溶液的251下的溶液黏度：3泊） <反應性塑化劑> 「RE-810NM」：日本化藥股份有限公司製造，二烯丙 基雙酚A二縮水甘油醚（性狀：液狀） UG-4010」.東亞合成股份有限公司製造，含有環氧 基的無溶劑型液狀丙烯酸系聚合物（ARUF0N，Tg: -57。(：， 201141980 重量平均分子量：2900) 「MEH-8010」：明和化成股份有限公司製造，部分缔 丙基改性苯酚酚醛清漆樹脂（性狀：液狀） 「N730」：DIC股份有限公司製造，苯酚酚醛清漆型 液狀環氧樹脂（N-730-S) 「DA-MGIC」：四國化成工業股份有限公司製造，二 烯丙基單縮水甘油基異三聚氰酸（性狀··固體狀，溶點： 40°C ) ·〃 ’ <具有苯乙烯基的化合物> 「OPE-2St」：三菱瓦斯化學股份有限公司製造， 2’2 ,3,3，5,5 -六甲基聯苯-4,4'-二醇·2,6-二曱基苯盼縮聚物 與氣甲基苯乙烯的反應產物（數量平均分子量：12〇〇) 「Foret SCS」：综研化學股份有限公司製造，含有笨 乙稀基的丙烯酸系聚合物（Tg : 70。0，重量平均分子量： 15000) <具有順丁烯二醯亞胺基的化合物> 「BMI-1」：東京化成股份有限公司製造，4,4’-雙順丁 烯二醯亞胺二苯基曱烷 「BMI-2」：KI化成股份有限公司製造，2,2，-雙 順丁烯二醯亞胺苯氧基)苯基]丙烷（BMI-80) <於25°C、1 atm下為固體狀的環氧樹脂> 「ESCN-195」：住友化學股份有限公司製造，曱酚酚 駿清漆型固體狀環氧樹脂（環氧當量：200) <環氧樹脂用硬化劑> 45 201141980 ，「HP-850N」：日立化成股份有限公司製造，苯酚酚醛 /月漆树脂（OH當量：1〇6，性狀：固體狀） 〈％·氧樹脂用硬化促進劑> 「TPPK」：東京化成股份有限公司製造，四苯基 苯基棚酸鹽 <填料> 「HP-P1」：水島合金鐵股份有限公司製造，氮化硼填 料 、 <溶劑:> 「NMP」：關東化學股份有限公司製造，N_曱基々 咯烷酮 匕 [接著片的製作] 々、將所得的清漆以乾燥後的膜厚成為40 μιη±5 μιη的方 式塗佈於各支持膜上。使㈣軸延伸聚丙烯（OTP)膜（厚 度為6〇 μΠ〇作為支持膜。將經塗佈的清漆於烘箱中於8(rc =口熱30分鐘，繼而於12〇t下加熱3〇分鐘，藉此進行 乾燥’獲得具有支持膜及形成於該支持膜上賴狀 劑層的接著片。 考 [薄膜形成性的評價] 、對於以上述條件所得的接著片，根據以下基準來評價 成膜性。於根據下述基準而成膜性的評價為A時，意味著 薄膜形成性優異。 " A:膜狀的接著劑層於支持基材上不彈斥而可塗佈， 自所得的接著片可|彳離支持基材，且支持基材剝離後的接
S 46 201141980 著劑層並無破裂 / ύ;叉待基材上有膜狀的接著劑 得的接著片缝支持基材時，接㈣ $ ’ ^ [低溫貼附性的評價] $生破裂（較脆） 自實例及比較例巾獲得的各接著片 mm、長度為40 mm的試驗片。將又’ a上的放曰pi Γ夺式驗片於載置於支持 :巧石夕日日0 (6# ’厚度為_μπ〇的背面（與支持 台相反側的一面）以接著劑；忐么 (溫度為 _，線•為 4 kgf/cm， 搬送速度為0.5 m/min)進行加壓的方法來進行。 對於如此而準備的樣品，使用流變儀（股丁份有限公司 東洋精機製作所製造，「StrographE_s」（商品名））於常溫 下進行9，離試驗，測定接著劑層_碎晶關的剝離強 度。根據測定結果，由以下基準來評價低溫貼附性。 A :剝離強度為2N/cm以上 C :剝離強度小於2N/cm [流動量的測定] 將各實例及各比較例中獲得的於厚度為6〇 μιη的〇pp 基材上以40 μιη的厚度形成有Β階段狀態的膜狀的接著劑 層的接著片切斷成10 mmxlO mm尺寸，作為試驗片。將 該試驗片夾持於2片載玻片（松浪硝子工業股份有限公司 製造 ’ 76 mm><26 mmxl.O mm〜1.2 mm 厚）之間，於 i2〇°c 的熱盤上一邊對整體施加1〇〇 kgf/cm2的負荷一邊加熱壓 接15秒鐘。分別用光學顯微鏡測量加熱壓接後的自上述 201141980 OPP基材四邊的膜狀接著劑的滲出量，將該些量的平均值 作為流動量。再者，所謂B階段，是指將接著劑層形成用 清漆塗佈於OPP基材上後，於烘箱中以80它下3〇分鐘、 繼而120°c下30分鐘的條件加熱後的狀態。該流動量的值 越大，則B階段中的熱流動性越優異，對被黏附體表面的 凹凸的填充性（填埋性）越優異。 、 [260°C剝離強度的測定] 使實例及比較例中獲得的各接著片的接著劑層（5 mmx5 mmx40 μιη厚）介於42合金引線框與具有突起部的 矽晶片（5ηπηχ5ππηχ400 μιη厚）之間，於該狀態下加熱 壓接。加熱溫度於實例1〜實例5、實例7、比較例1〜= 較例3、及比較例6中設定為15〇。〇，於實例6及比較例4、 比較例5中設定為18(rc。加壓是在負荷為i kgf/chip、時 間為5秒鐘的條件下進行。加熱壓接後，於供箱中於15〇。〇 下加熱1小時，或於180°C下加熱5小時而使接著劑層硬 化’獲得作為剝離強度測定用的樣品的積層體。 使用圖8所示的接著力評價裝置來測定26〇〇c剝離強 度。圖8所示的接著力評價裝置300具有熱盤36及推拉盒 31。於安裝於推拉盒31的桿的頂端，以於支點33的周圍 可改變角度的方式而設有掛手32。 於經加熱至260T：的熱盤36上，將經由已硬化的接著 劑層8使矽晶圓9與42合金引線框35接著而成的積層體 以42合金引線框35成為熱盤36側的朝向而載置，將樣品 加熱20秒鐘。繼而，於使掛手32勾住石夕晶圓9的突起部
S 48 201141980 下使掛手32以G.5 mm/s以與樣品的主面平行的 »而移動，彻推拉盒31測定此時 庫 父Γ収的剝離應力作為载剝離強度。 SKI焊性越優異’越可高度_^ 於150 C等更低溫的加熱條件下獲得的檨 ，剝_度大’意味著打線接合料組裝步驟== 熱歷程t的硬化性優異^ 、 。將於上述條件下經加熱壓接的樣品於烘箱中以 l8〇C、5小時的條件將接著劑層加熱硬化，其後，於饥、 85%RH雜溫恆濕射放置4M、.使用實施了該吸渴 彻與上勒同的方法㈣定吸濕後的 由表1及表2所示的結果明顯可確認，實例的接著劑 組成物的低溫貼附性優異，且加熱硬化後及吸濕後的 260°C剝離強度足夠高。 [儲存彈性模數的測定] 將，著劑層形成用清漆塗佈於OPP基材上後，於烘箱 中以80C下30分鐘、繼* 12〇。〇下3〇分鐘的條件進行加 熱後’將OPP|材剝離而獲得膜狀的接著劑層。將所得的 膜狀的。接著綱祕於2 >{邊框狀鐵框架之間，於烘箱中 以180 C 5小時的條件將接著劑層加熱硬化。對於將加熱 硬化後的膜狀的接著劑層切斷成3S麵⑽麵尺寸的試 驗片，使用Rheometrics股份有限公司的黏彈性分析儀（商 品名：RSA-2 ’升溫速度·· 5t/min，頻率：i Hz，測定溢 49 201141980 度：-150°C〜300°C，模式：拉伸楔 熱硬化後的接著劑層的l5〇t及、f J。進行試驗，估算加 數。該些溫度下的彈性模數高 的錯存彈性模 合時的超音波效率高，另外 吏用極溥晶片的打線接 的晶片破_可能_；制打線接合時的衝擊所致 置的耐回焊性提高。科，可有祕所得半導體裝 201141980 冥66卜e 實例7 1 1 1 Ο 1-H o 1 1 1 1 1 Ο 〇 1 CN 〇 22.0 < < 1000 10.0 20.0 10.0 〇 實例6 1 1 Ο 1 o 1 1 1 1 o I 1 〇 1 d 22.0 660 < < 1000 25.0 35.0 25.0 210 CN 實例5 1 ο 1 1 o 1 1 1 1 1 Ο ο 1 1 <N Ο ! 22.0 515 < < 1100 30.0 35.0 30.0 JO 實例4 〇 r«H 1 1 1 1 1 I o 〇 1 ο ο 1 1 <Ν Ο 26.0 320 < < 2000 10.0 25.0 15.0 »〇 實例3 〇 1 1 1 1 1 〇 1 1 1 ο ο 1 〇 CN Ο 26.0 320 < < 1400 25.0 35.0 20.0 〇 實例2 100 1 1 1 1 ο 1 1 1 1 ο ο 1 〇 ο 26.0 320 C < 1300 30.0 30.0 26.0 〇 (Ν 實例1 100 1 1 1 〇 1 1 1 1 1 ο ο 1 1 CN Ο 1 22.0 270 < < 1700 20.0 30.0 20.0 〇 CS PI-1 PI-2 PI-3 PVB-1 RE-810NM UG-4010 MEH-8010 N-730 DA-MGIC 0PE-2St Foret SCS j ΒΜΙ-1 ΒΜΙ-2 ESCN195 1 ΤΡΡΚ HP-P1 NMP 成膜性 低溫貼附性 120°C 150°C1小時硬化 180°C5小時硬化 吸濕後 150°c 260〇C (A) 熱塑性樹脂 (Bl) 反應性塑化劑 (B2) 具有苯乙烯基的化合物 (Β3) 具有順丁烯二醯亞胺基的化合物 (Β4) 環氧樹脂 *1 jj (C)填料 溶劑 流動量（μηι) 260°C剝離強度 (N/chip) 儲存彈性模數 (MPa) 201141980 JU366卜 ε
【(N^l——I 比較例6 1 1 1 〇 ο I 〇 〇 1 1 1 〇 22.0 270 U < 2200 ο cn ο yrt Ο (Ν ci 0.05 比較例5 1 1 〇 1 ο 1 〇 1 〇 1 1 CN 〇 22.0 880 < U 500 Ο vd ο Ο 〇6 cs 比較例4 I 〇 〇 1 1 ο Ο 1 1 〇 1 1 〇 22.0 880 < U 400 19.0 22.0 18.0 沄 Ο 比較例3 〇 1 1 1 ο 1 1 〇 1 1 1 CN 〇 18.0 220 < < 2000 20.0 25.0 20.0 〇0 ν〇 比較例2 〇 1 1 1 1 1 〇 〇 1 〇 1 CN 〇 22.0 270 < < g 40.0 50.0 40.0 ο 比較例1 〇 1 1 1 1 1 1 1 1 〇 CN 〇 16.0 ON < < 200 ο q ο ΓΟ 卜 d ο PH PI-4 | PVB-2 ZX-1395 RE-810NM OPE-2St Foret SCS BMI-1 BMI-2 ESCN195 HP-850N TPPK HP-P1 1 成膜性 低温貼附性 120°C 150°C1小時硬化 180°C5小時硬化 吸濕後 150°C 260〇C (A) 熱塑性樹脂 (Β1)反應性塑化劑 (Β2) 具有苯乙烯基的化合物 (B3) 具有順丁烯二醯亞胺基的化合物 (B4) 環氧樹脂 環氧樹脂硬化劑 環氧樹脂硬化促進劑 (C)填料 溶劑 流動量（μπι) 260°C剝離強度 (N/chip) 儲存彈性模數 (MPa) 201141980 限定Ϊί 已啸佳實施_露如上，然其並非用以 =内，當可作些許之更動與潤飾，因此本;以 巴圍备視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ’、 【圖式簡單說明】 圖1是表示接著片的一實施形態的示意剖面圖。 圖2是表示接著片的其他實施形態的示意剖面圖。 圖3是表示接著片的其他實施形態的示意剖面圖。
圖4是表示具備切晶片的接著片的一實施形態的示专 剖面圖。 I 圖5是表示具備切晶片的接著片的其他實施形態的示 意剖面圖。 圖6是表示半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。 圖7是表示半導體裝置的其他實施形態的示意剖面 圖8是表示接著力評價裝置的概略圖。 【主要元件符號說明】 1 接著劑層 2 支持膜 3 保護膜 5 切晶片 6 黏著劑層 7 基材膜 8 黏晶層 53 201141980 9、9a、9b :半導體元件 10 :支持構件 11 :接線 12 :密封材 13 :端子 31 :推拉盒 32 :掛手 33 :支點 35 : 42合金引線框 36 :熱盤 100、110、120、130、140 :接著片 200、210 :半導體裝置 300 :接著力評價裝置
S 54

Claims (1)

  1. 201141980 七、申請專利範園： 1· 一種接著劑組成物，包括： ⑷熱塑性樹脂，其重量平均分子量為10000〜 150000 ’且以樹脂成分成為25質量％的方式溶解於 基-2-鱗烧咐時的坑下的黏度為5泊〜期泊；以及 (B)熱硬化性成分，並且 上述（B)熱硬化性成分包含（B1)具有烯丙基或環 氧基的反應性㈣劑、（B2)具有苯乙縣的化合物、及 (B3)具有順丁烯二醯亞胺基的化合物。 2. 如申請專利範圍第1項所述之接著劑組成物，其中 上述（B1)具有烯丙基或環氧基的反應性塑化劑包含二烯 丙基雙酚A二縮水甘油醚、或稀丙基化雙酚A與表氣醇的 縮聚物。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之接著劑組成物，其中 上述（B1)具有烯丙基或環氧基的反應性塑化劑包含含有 環氧基的液狀丙埽酸系聚合物。 4. 如申請專利範圍第1項所述之接著劑組成物，其中 上述（B2)具有苯乙烯基的化合物包含於側鏈上具有苯乙 稀基的丙稀酸糸聚合物。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之接 著劑組成物，其中上述（B)熱硬化性成分更含有（B4) 於25°C、1 atm下為固體狀的環氧樹脂。 6·如申睛專利範圍第1項至第$項中任一項所述之接 著劑組成物，其中上述（A)熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度 55 201141980 為100°C以下。 ^ 7·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之接 著劑組成物’其中上述（Α)熱塑性樹脂為聚醯亞胺樹脂。 ^ 8.如申凊專利範圍第1項至第7項中任一項所述之接 著劑組成物，其中更包含（C)填料。 —9.如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之接 著劑組成物，其為半導體元件固定用。 10.種接著片，具備將如申請專利範圍第1項至第 8項中任—項所述之接著劑組成物成形為膜狀的接著劑 層0 11·如申請專利範圍第10項所述之接著片，更具備支 持膜，且於該支持膜上設有上述接著劑層。 12. 如申請專利範圍帛1〇項所述之接著片，更具備切 晶片，且於該切晶片上設有上述接著劑層。 13. 如申請專利範圍第12項所述之接著片其中上 切晶片具有基賴及設置於該基材膜上的黏 該黏著劑層上設置有上述接著劑層。 θ 、 14. -種半導體裝置，具備—個或兩個以上 元件以及支持構件，並且 上述半導體元件與上述支持構件、及/或上述 件彼此是藉由如申請專利範圍第i項至第8項 馆 述之接著劑組成物而接著。 、 項所 56
TW100111275A 2010-04-01 2011-03-31 Adhesive composition, adhesive sheet and semiconductor device TW201141980A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010085428 2010-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201141980A true TW201141980A (en) 2011-12-01

Family

ID=44762718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100111275A TW201141980A (en) 2010-04-01 2011-03-31 Adhesive composition, adhesive sheet and semiconductor device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5553108B2 (zh)
TW (1) TW201141980A (zh)
WO (1) WO2011125778A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI504694B (zh) * 2014-03-27 2015-10-21 Taiflex Scient Co Ltd Thermosetting solder resist ink with low dielectric constant and low dielectric loss and its preparation method
US9279057B2 (en) 2014-05-06 2016-03-08 Taiflex Scientific Co., Ltd. Thermally curable solder-resistant ink and method of making the same

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5664455B2 (ja) * 2011-05-20 2015-02-04 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP6348700B2 (ja) * 2013-11-01 2018-06-27 京セラ株式会社 半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2017031341A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 京セラ株式会社 半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP6761572B2 (ja) * 2015-11-11 2020-09-30 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板
JP6995505B2 (ja) * 2017-06-22 2022-01-14 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
WO2019181721A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 積水化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、カバーレイフィルム、及び、フレキシブル銅張積層板
JP7322368B2 (ja) * 2018-09-14 2023-08-08 株式会社レゾナック 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
CN116981744A (zh) * 2021-03-16 2023-10-31 东洋纺Mc株式会社 粘接剂组合物及含有其的粘接片材、层叠体和印刷线路板
KR20230157428A (ko) * 2021-03-16 2023-11-16 도요보 엠씨 가부시키가이샤 접착제 조성물과, 이것을 함유하는 접착 시트, 적층체 및 프린트 배선판
WO2022196586A1 (ja) * 2021-03-16 2022-09-22 東洋紡株式会社 接着剤組成物、ならびにこれを含有する接着シート、積層体およびプリント配線板
WO2022196585A1 (ja) * 2021-03-16 2022-09-22 東洋紡株式会社 接着剤組成物、ならびにこれを含有する接着シート、積層体およびプリント配線板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3231420B2 (ja) * 1991-10-21 2001-11-19 株式会社日本触媒 電気粘性流体
KR20080087046A (ko) * 2000-02-15 2008-09-29 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름, 반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치
JP3944430B2 (ja) * 2002-08-26 2007-07-11 株式会社日立製作所 耐熱性多孔質樹脂多層基板
JP2004168848A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Gun Ei Chem Ind Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JP2005075866A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Tomoegawa Paper Co Ltd 半導体装置用接着シート
JP2007262191A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nippon Steel Chem Co Ltd 難燃硬化性樹脂組成物
US8373283B2 (en) * 2008-08-04 2013-02-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP5439841B2 (ja) * 2009-02-16 2014-03-12 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP2010229274A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tomoegawa Paper Co Ltd 樹脂組成物および電子部品用接着剤

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI504694B (zh) * 2014-03-27 2015-10-21 Taiflex Scient Co Ltd Thermosetting solder resist ink with low dielectric constant and low dielectric loss and its preparation method
US9279057B2 (en) 2014-05-06 2016-03-08 Taiflex Scientific Co., Ltd. Thermally curable solder-resistant ink and method of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2011125778A1 (ja) 2013-07-08
WO2011125778A1 (ja) 2011-10-13
JP5553108B2 (ja) 2014-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201141980A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and semiconductor device
JP4952585B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置
US8373283B2 (en) Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP5664455B2 (ja) 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP5343450B2 (ja) 半導体素子固定用接着フィルム及び接着シート
TW201120171A (en) Adhesive composition, semiconductor device suing the composition and fabricating method thereof
TW201125948A (en) Semiconductor device and fabricating method thereof, and semiconductor wafer with adhesive layer
JP5439841B2 (ja) 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
TW201109407A (en) Film-like adhesive agent for sealing semiconductor, semiconductor device, and process for manufacturing the semiconductor device
JP2011042730A (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP5332419B2 (ja) 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2012164890A (ja) 半導体用粘接着シート、それを用いた半導体ウエハ、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5439842B2 (ja) 接着シート及び半導体装置
JP2009260232A (ja) 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法
TW201247823A (en) Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP2012164891A (ja) 半導体用粘接着シート、半導体用粘接着シートの製造方法、半導体ウエハ、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5332183B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP5499564B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2010059387A (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP5748937B2 (ja) 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法
JP2009068003A (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着剤シート及びそれを用いた半導体装置
JP2012231022A (ja) 接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、接着剤及び半導体装置
JP5732881B2 (ja) 半導体用接着フィルム、接着シート、半導体ウエハ及び半導体装置
JP2009256588A (ja) 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法
JP5439818B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置