JP5748937B2 - 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5748937B2 JP5748937B2 JP2008211069A JP2008211069A JP5748937B2 JP 5748937 B2 JP5748937 B2 JP 5748937B2 JP 2008211069 A JP2008211069 A JP 2008211069A JP 2008211069 A JP2008211069 A JP 2008211069A JP 5748937 B2 JP5748937 B2 JP 5748937B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- semiconductor
- film
- substrate
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
(a)ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。上記縮合反応は、例えば、以下の手順により行うことができる。
(b)エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものが好ましく、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、各種多官能エポキシ樹脂などを使用することができる。これらは一種を単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。また、通常、ビスフェノールA型やビスフェノールF型の液状エポキシ樹脂は1%熱重量減少温度が250℃以下であるため、高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがある。したがって、(b)エポキシ樹脂としては、室温(25℃)で固形のエポキシ樹脂を用いることが望ましい。
(c)硬化剤は、特に制限はなく、例えば、フェノール樹脂、脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられる。中でもイミダゾール類やフェノール樹脂が好ましく、分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂がより好ましい。(c)硬化剤として、フェノール樹脂を用いると、接着力や耐加水分解性が高くなり、接続信頼性をより一層向上させることができる。
半導体封止用フィルム状接着剤は、例えば、(a)ポリイミド樹脂、(b)エポキシ樹脂、(c)硬化剤、必要に応じて無機フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニス(フィルム状接着剤塗工用のワニス)を調製した後、基材フィルム上にワニスの層を形成し、加熱乾燥した後に基材フィルムを除去することで製造することができる。なお、基材フィルムを除去せずに基材フィルム(支持体)付きのフィルム状接着剤とすることもできる。
上述のように製造された半導体封止用(封止充填用)フィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法の好適な実施形態について以下に説明する。本実施形態の製造方法は、例えば、複数の半導体チップを有する半導体ウエハ上に半導体封止用フィルム状接着剤をラミネートするラミネート工程、フィルム状接着剤がラミネートされた半導体ウエハをダイシングにより半導体チップに個片化するダイシング工程、個片化された半導体チップと基板とを位置合わせして、接着剤を介して基板上に半導体チップを仮固定する仮固定工程及び基板と半導体チップとを接続する接続工程を有する。
(ポリイミド樹脂の合成)
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた300mlフラスコに、1,12−ジアミノドデカン2.10g(0.035モル)、ポリエーテルジアミン(BASF社製、製品名:ED2000(分子量:1923))17.31g(0.03モル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(信越化学工業株式会社製、製品名:LP−7100)2.61g(0.035モル)及びN−メチル−2−ピロリドン150gを仕込み攪拌した。ポリエーテルジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸で再結晶精製した式(II)で表されるテトラカルボン酸二無水物(4,4´−(4,4´−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物))15.62g(0.10モル)を少量ずつ添加した。その後、窒素ガスを吹き込みながら170℃で8時間加熱しながら攪拌した。加熱時に発生した水を除去し、ポリイミド溶液(ワニス)を得た((a)ポリイミド樹脂のTg:22℃,重量平均分子量:47000)。このワニス(樹脂濃度40.6質量%)をフィルム状接着剤形成材料として用いた。
(b)エポキシ樹脂:クレゾールノボラック型固形エポキシ樹脂YDCN−702(東都化成株式会社製、製品名、エポキシ当量:200)
(c)硬化剤:フェノールノボラック樹脂HP−850(日立化成工業株式会社製、製品名、水酸基当量:106)
硬化促進剤:イミダゾール・イソシアヌル酸付加体2MAOK(四国化成工業株式会社製、製品名)
無機フィラー1:シリカSE1050(株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.25μm)
無機フィラー2:シリカSE2050(株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.5μm)
無機フィラー3:シリカSE5050(株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径1.5μm)
無機フィラー4:シリカSE6050(株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径2.0μm)
無機フィラー5:ムライトKM101(共立マテリアル株式会社製、製品名、平均粒径0.8μm)
無機フィラー6:水酸化マグネシウムMH−30(岩谷化学工業株式会社、製品名、平均粒径0.4μm)
無機フィラー7:硫酸バリウムW−1(竹原科学工業株式会社製、製品名、平均粒径1.5μm)
無機フィラー8:アルミナAE2050(株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.7μm)
無機フィラー9:窒化ホウ素HPP1−HJ(水島合金鉄株式会社製、製品名、平均粒径1.6μm)
株式会社アタゴ製アッベ屈折率計NAR−2Tを用いて日本工業規格JIS K7142に基づいてD線(589nm)における屈折率を測定した。なお、可視光透過性のないものは、NGとした。結果を表1及び表2に示した。
分光光度計U−3310(日立ハイテクノロジーズ社製、製品名)を用いて、セパレータフィルム表面に作製したフィルム状接着剤の555nmにおける光透過率を測定し、セパレータフィルム単独で測定した値で補正することによってフィルム状接着剤の光透過率を求めた。結果を表1及び表2に示した。
金メッキバンプが形成されたテストチップ(日立超LSIシステムズ株式会社製、製品名:Phase0、サイズ8.52mm×8.52mmにダイシングによって個片化、厚み550μm)のバンプ形成面に、8mm×8mmにセパレータフィルムと一緒に打ち抜いたフィルム状接着剤の接着剤形成面が接するようにして、テストチップとフィルム状接着剤とを重ね、積層体を得た。得られた積層体を、ホットロールラミネータを用いて温度100℃、ロール速度0.5mm/sの条件でラミネートした。セパレータフィルムを剥離した後、フリップチップボンダーFCB3(パナソニックファクトリーソリューションズ株式会社製、製品名)を用いて、あらかじめフィルム状接着剤なしで登録したテストチップの円形基準マークが、光量(設定値170)を変更しないで認識できるか否かを評価した。認識可能な場合をOKとし、認識不可の場合をNGとした。結果を表1及び表2に示した。
金メッキバンプが形成されたテストウエハ(日立超LSIシステムズ株式会社製、製品名:Phase6 30、バンプピッチ30μm、厚み280μm)のバンプ形成面に、セパレータフィルム表面に形成されたフィルム状接着剤の接着剤形成面が接するようにして、テストウエハとフィルム状接着剤とを重ね、積層体を得た。得られた積層体を、ホットロールラミネータを用いて、温度100℃、ロール速度0.5mm/sの条件でラミネートした。セパレータフィルムを剥離した後、ダイシングテープと、テストウエハにラミネートされたフィルム状接着剤とを貼り合わせた。ダイシング装置(株式会社DISCO社製、製品名)に備え付けてある赤外線カメラに、ウエハ裏面からスクライブラインを認識させて、ブレード回転数40000rpm、ダイシング速度10mm/sの条件でダイシングして半導体チップを個片化した。個片化した半導体チップを観察し、チップ側面に1mm以上のクラックが発生しているものをNGとし、クラックが発生していないものをOKとした。結果を表1及び表2に示した。
ダイシング性評価にて個片化した半導体チップと、表面がスズめっき処理された銅配線が形成されたポリイミド基板(日立超LSIシステムズ株式会社製、製品名:JKIT COF TEG 30−B、ポリイミド厚38μm、銅配線厚8μm、スズめっき厚0.2μm、配線ピッチ30μm)と、を準備した。そして、フリップチップボンダーFCB3の接続ヘッドに半導体チップを配置し、接続ステージにポリイミド基板を配置した。次いで、半導体チップの位置合わせ用基準マークとポリイミド基板の位置合わせ用基準マークとの位置合わせを行った後、接続ヘッドを80℃に加熱しながら、荷重50N、加圧時間1秒間で半導体チップとポリイミド基板とをフィルム状接着剤を介して仮固定して、フリップチップボンダーから取り出した。引き続き、フリップチップボンダーの接続ステージを150℃、接続ヘッドを400℃に、それぞれ温度設定した後、半導体チップが仮固定されたポリイミド基板を接続ステージに配置し、荷重50〜100N、加圧時間1秒間の条件で接続ヘッドによって加圧することによって接続した。接続性の評価基準としては、樹脂発泡によるボイドや樹脂の飛散が見られないこと、及びデイジーチェーン接続による接続抵抗の測定値がフィルム状接着剤を用いないで接続した場合と同等の接続抵抗(160Ω)であること、を両立するものを合格(OK)とした。また、基準マークが認識できず接続できなかったものをNGとした。結果を表1及び表2に示した。
Claims (3)
- 半導体チップと基板とを位置合わせして、前記半導体チップと前記基板とを、半導体封止用フィルム状接着剤を介してバンプと配線パターンとが互いに対向するように配置し、前記バンプと前記配線パターンとを電気的に接続する接続工程を有する半導体装置の製造方法に用いられる半導体封止用フィルム状接着剤であって、
(a)ポリイミド樹脂、(b)エポキシ樹脂及び(c)硬化剤からなる樹脂組成物と無機フィラーとを含有し、
555nmにおける光透過率が10%以上であり、
前記樹脂組成物と前記無機フィラーとの屈折率の差の絶対値が0.15以下であり、
前記(a)ポリイミド樹脂のガラス転移温度が20〜100℃であり、
前記(b)エポキシ樹脂が、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、及びジシクロペンタジエン型からなる群より選ばれる少なくとも1種であり、かつ25℃で固形のもののみであり、
前記(c)硬化剤が、イミダゾール類又はフェノール樹脂である半導体封止用フィルム状接着剤。 - バンプを有する半導体チップと配線パターンを有する基板とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップと前記基板とを位置合わせして、前記半導体チップと前記基板とを、請求項1に記載の半導体封止用フィルム状接着剤を介して前記バンプと前記配線パターンとが互いに対向するように配置し、
前記半導体チップと前記基板とを対向する方向に加圧するとともに加熱して前記半導体封止用フィルム状接着剤を硬化させ、前記バンプと前記配線パターンとを電気的に接続する接続工程を有する製造方法。 - 前記接続工程では、前記半導体チップと前記基板とを対向する方向に加圧するとともに300℃以上に加熱して、金を含有する前記バンプとスズめっき層を有する前記配線パターンとの間に金−スズ共晶を形成し、前記バンプと前記配線パターンとを電気的に接続する請求項2記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008211069A JP5748937B2 (ja) | 2008-04-01 | 2008-08-19 | 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094932 | 2008-04-01 | ||
JP2008094932 | 2008-04-01 | ||
JP2008211069A JP5748937B2 (ja) | 2008-04-01 | 2008-08-19 | 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009263611A JP2009263611A (ja) | 2009-11-12 |
JP5748937B2 true JP5748937B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=41389865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008211069A Expired - Fee Related JP5748937B2 (ja) | 2008-04-01 | 2008-08-19 | 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5748937B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012039065A (ja) * | 2010-01-29 | 2012-02-23 | Nitto Denko Corp | 熱伝導性シート |
JP5654293B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2015-01-14 | 積水化学工業株式会社 | 半導体チップの実装方法及び半導体装置 |
JP2012089750A (ja) | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
TW201625708A (zh) * | 2014-10-10 | 2016-07-16 | Mitsubishi Chem Corp | 半導體元件之製造方法 |
JP5967629B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2016-08-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 回路モジュール及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0741544A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-10 | Tokuyama Corp | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2002155262A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及び半導体装置 |
JP4432316B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2010-03-17 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2004211053A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-07-29 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
TWI304835B (en) * | 2003-06-10 | 2009-01-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Film adhesive and manufacturing method thereof,adhesive sheet and semiconductor device |
TWI393758B (zh) * | 2005-06-06 | 2013-04-21 | Toray Industries | 半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法 |
JP4802667B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2011-10-26 | 住友金属鉱山株式会社 | エポキシ樹脂接着組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤 |
KR101077020B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2011-10-26 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 봉지 충전제용 수지 조성물, 그것을 이용한 플립칩 실장법 및 플립칩 실장품 |
JP5309886B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2013-10-09 | 日立化成株式会社 | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2008
- 2008-08-19 JP JP2008211069A patent/JP5748937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009263611A (ja) | 2009-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5578174B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5569576B2 (ja) | 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5922060B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9129898B2 (en) | Semiconductor encapsulation adhesive composition, semiconductor encapsulation film-like adhesive, method for producing semiconductor device and semiconductor device | |
JP2011029392A (ja) | 接着剤組成物及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011042730A (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP5484706B2 (ja) | Cof半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 | |
JP5748937B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009256612A (ja) | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5641067B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤 | |
JP5332799B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 | |
KR101464454B1 (ko) | 접착제 조성물, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP5881927B2 (ja) | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
JP2011042729A (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
US9123734B2 (en) | Semiconductor-encapsulating adhesive, semiconductor-encapsulating film-form adhesive, method for producing semiconductor device, and semiconductor device | |
JP2012231022A (ja) | 接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、接着剤及び半導体装置 | |
JP5263050B2 (ja) | 接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法、半導体装置 | |
JP5671778B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5397526B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6020520B2 (ja) | 接着剤層付半導体チップの製造方法及び半導体装置 | |
JP2002155262A (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置 | |
JP5710099B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140401 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140410 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140502 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5748937 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |