TW201137116A

TW201137116A - Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound

Info

Publication number: TW201137116A
Application number: TW100106834A
Authority: TW
Inventors: Yoichi Sakata
Original assignee: Air Liquide
Priority date: 2010-03-03
Filing date: 2011-03-02
Publication date: 2011-11-01
Also published as: KR20130006462A; US8128755B2; WO2011107924A1; EP2542709A1; US20110214689A1; SG183545A1; US8158569B2; US20120046209A1; JP2013521409A; EP2542709A4; CN102782184A

Description

201137116 六、發明說明：【相關申請案之交互參照】本申睛案主張2010年6月17日申請之美國非臨時申請案第12/817,777號之權利，該非臨時申請案主張2〇1〇年 3月3曰申請之美國臨時申請案第61/31〇，134號之權利，該等申請案之全部内容以引用的方式併入本文令。【背景】有機金屬化合物用作多種目的之材料，諸如用於製造光電電池及平板顯示器之透明導電氧化物。許多有機金屬化合物如二乙鋅（DEZn )容易分解且在分解時產生金屬化合物。在DEZn之情況下’分解產生固體Zn及乙烷/乙烯，乙烷/乙烯因其與DEZn之間的蒸氣壓差而傾向於在蒸氣區中積聚且提高儲存容器中之壓力。在有機金屬化合物向製造工具供應期間，金屬化合物在儲槽、供應設備零件及注入管中逐漸沈積》因為金屬化合物不僅污染製造過程，而且造成供應系統中使用的零件堵塞，所以此成為一個問題。圖1為向製造工具400供應有機金屬化合物211的典型系統圖。為了向製造工具400供應有機金屬化合物211，載氣250經由載氣入口管251、載氣入口閥252及喷氣器253 引入起/包器210中’隨後載氣250分散於起泡器21〇中之有機金屬化合物211中。引入起泡器210中的載氣25〇被有機金屬化合物211飽和且飽和混合物經由供應閥242、過濾、器243、氣體流量控制器244及供應管245及280供應至製 201137116 造工具400。供應設備2〇〇包括起泡器2ι〇、供應管2衫、管線233、及位於管線245及管線233上的零件如氣體質量流量控制器244及過濾器243。供應管28〇為供應$ 200與製造工具4〇〇之間的管道，田前頭表不。供應管28〇亦可具有位於其上的零件，例如闕門、接頭、氣體流量控制器、氣體流量計、(圖巾未^)。再注人管⑽ 為供應設備200與注入閥142之間的管道，其亦由箭頭表不’注入閥142安裝於位於再注入設備1〇〇中的儲槽上。再注入管180亦可含有諸如液體質量流量控制器144 等零件。- ·'-- 供應設備起泡器21〇中之有機金屬化合物211液位因再注入設備100而可能保持值定，即使起泡器21"之有機金屬化合物211在使用期門介期間亦如此。有機金屬化合物211 可在起泡胃210不會排空之情況下連續使用。上文提及之儲槽11G將液體有機金屬化合物⑴注人起泡器21〇中。為了將有機金屬化合物m、、Φ 氏Λ 蜀口物111，主入起泡器210中，經由載氣入口 s 151及載氣入口關152腺莽>*- ^ 將載軋引入儲槽110中，且传儲槽110加壓。右德公凰凡 ^有機金屬化合物ill接著經由虹吸管；L41、注入閥14 2、注入替ί 41 、液體質量流量控制器144、供廣没備管線233及注入閥232 a 〜泡器η"。 -送’攸而將化合物：m注入起當儲槽110排空時，健祕 _由揾# S 儲槽U0被運送至化學品製造商。稽宙徒供另一儲槽、、、持有機金屬化合物向起泡器210 連4應。向儲槽11G中“新鮮或新製有機金屬化合物 7 201137116 111之前，由化學品製造商定期移除儲槽η〇上所沈積之金屬化。物（圖中未示）。注滿新鮮有機金屬化合物nl之儲槽110可隨後連接至供應設備200上且再次使用。半導體產業或光電產業中使用的儲槽典型地由鋼（例士不鏽鋼）製成。因為儲槽中所沈積之金屬化合物難以溶於Γ夕數有機溶劑中，戶斤以在向儲槽中注人新製有機金屬匕σ物之别，典型地使用強腐蝕性酸溶液（諸如氫氟酸戋硝酸溶液）作為清潔溶劑。清潔沈積有金屬化合物之儲槽子在4個難點。許多有機金屬化合物（諸如)與水劇 =反應且因此，殘留於槽中的任何殘餘Μζη會在氫氣酸或液中與水反應。劇烈反應會產生必須控制之危險情與使用氫氟酸或硝酸溶液有關的第二個問題在於酸對儲槽所包含的材料之侵^強酸將腐餘鋼，且暴露時間因 1 匕應最短以限制對鋼材料之任何負面影響…，為避免腐蝕，當清潔不鏽鋼儲槽中所分解之金屬化合物時，必須 =清::：程、酸漠度及酸清潔時間。為了防止儲槽在酸殘留酸。此外，純水、，閏間潤洗儲槽以移除槽以乾射L 必須用氮氣長時間清洗儲與儲禅Γ 避免造成有機金屬化合物(諸如_) 與儲槽中任何殘餘水之間的劇烈反應。積的心鋼Μ置之情況下選擇性清潔料置上所沈積的金屬化合物較為困難。 a 口難®此’必須精確控制酸濃度及來衫腐料置。因而，使用經典酸性溶液（諸 201137116 如氫亂酸或墙酸）清潔任何褒置（例如儲槽、間門、管路、器等）為—複雜過程’這是因為必須確保足夠的酉A暴硌時間以移除所分解之入金屬化〇物而同時不損害裝置中所匕3之材料且確保過程中有觸以避免任何潛在劇列反，=屬“物決不與水接、…… 反應。因此，使用酸性溶液之清潔過耘具有許多步驟且由此時間長且費用大。清潔儲槽的時間較長且普通清潔過程需要精確控制之原因在於酸溶液中具有大量水至、 DU Wt/〇 H2〇)且水與有機金屬化合物（諸如DEZn)劇烈反應。儘管如此，酸溶液已典型地用作不鏽鋼儲槽或其他裝置之清潔溶液，即使酸對鋼具有腐钮性，這是因為有效替代溶劑尚未經鑑別或用於產業中。其他類型之清潔溶液（例如含有界面活性劑之清潔溶液）㈣用尚未得到使用，這是因為此等溶液血型地含有諸如鈉或鉀之原子，其為負面影響半導體裝置^ 太陽能電池之效能的污染物。酸溶液由於上述原因而廣泛使用。然而’當酸溶液用作清潔溶劑時’必須精喊地控制酸濃度，且精確地管理酸清料間，導致清潔過程複雜。用酸溶液清潔儲槽之後，必須用純水長時間（幾分鐘至幾小時）潤洗儲槽以自儲槽中移除酸’這是因為若有任何少量酸殘留’均會腐姑儲槽。此外，儲槽隨後需要氮氣長時間（數刀鐘至數小時，但典型地比純水潤洗時間更長）清洗’從而在純水潤洗之後需要大量t氣來乾燥儲槽。因為酸溶液含有水，所以清潔用於與水具有高反應性之化a物的儲槽需要相當小心及熟練的技術。因此，需要 201137116 能夠輕易及安全地清潔儲槽之清潔溶劑及清潔方法。另方面，諸如供應管或注入管之供應設備零件不像儲槽一樣定期清潔。當金屬化合物沈積於向製造工具供應有機金屬化合物之設備零件上時，存在兩種常用解決方 ^種係在將零件自有機金屬化合物供應系統中拆卸 '月4 -¾零件。在拆卸零件之前必須對零件進行氮氣清且在連接之後必須進行氮氣清洗及洩漏檢查。此解決方法耗費時間、人力成本及清潔成本。、第一種解决方法為以新零件更換該零件。更換前必須 =零件進行氮氣清洗，且更換後必須進行清洗及茂漏檢二。此解決方法亦耗費時間、人力成本及新零件成本。可此需要更換供應管’這是因為供應管道之長度可長達數米’通常為約30 m，且因此提供金屬可沈積之大表面面積。有兩種解決方法之改良將為在不拆卸零件的情況下地清潔零件。在眚兹^ 貫務上’此改良至今未實現’這是因為使泛的清潔溶液為酸性溶液，其可與零件或管何殘餘DEZn反應。 ' 在許多情況下，當金屬化合物沈積於設備零件（諸如 :應管及注入管）±時’必須將零件自供應系統中拆卸且 &後用酸溶液清潔或更換為新零件。當酸溶液用作清潔溶劑^，如上所提及，必須精確控制清潔過程且對於與水具有高度反應性之有機金屬化合物需要相當小心及熟;：術°另外’當零件自供應系統中拆卸之後清潔時，需要用於氮氣清洗及洩漏檢查之時間及人力成本，以及清潔成 ⑤ 201137116 本。拆卸及清潔長管道較為困難且通常需要以新管道更換。 Fritsch等人之美國專利第6,656,376號揭示使用含有游離二酮之乾式蝕刻介質自反應器壁上移除含有鹼土金屬及/ 或金屬之製程殘餘物的CVD清潔方法。該清潔方法係在大幅降低之壓力及升高之溫度下進行。需要輕易及安全清潔在半導體產業或光電產業中所用的設備零件（例如供應管、過濾器、注入管）上所沈積之金屬化合物而無需將該零件自供應系統拆卸的替代清潔溶劑及清潔方法。【概要】揭示用於自光電或半導體產業中所用的設備零件移除金屬化合物之清潔溶劑。清潔溶劑由以下構成：選自由乙腈、丙酮及四氫呋喃組成之群的稀釋劑；包含胺類化合物之加速劑’及具有式R1-CO-CHR2-CO-R3之二酮化合物，其中R1及R3獨立地選自由烷基及經氧取代之烷基組成之群且R2係選自由氩、烷基及經氧取代之烷基組成之群。二鋼化合物能夠與金屬化合物形成β-二酮酸鹽錯合物 (尽-diketonate complex)且稀釋劑能夠溶解心二酮酸鹽錯合物。清潔溶劑不含水或超臨界C〇2。所揭示之清潔溶劑可包括一或多個以下態樣： •清潔溶劑為液體； •加速劑之濃度範圍在約3 vol%至約5 vol%内； •二i同化合物之濃度範圍在約3 vol0/。至約5 vol%内； 201137116 •稀釋劑為乙腈；加速劑為三級胺；加速劑為吡啶或三乙胺；加速劑為三乙胺；一乙酿基丙酮；一綱為乙醯基丙酮且稀釋劑為乙腈；清潔溶劑基本上由以下組成：介於約3 v〇1%與約 v〇l/〇之間的二乙胺、介於約3 v〇1%與約$ μ%之担的乙醯基丙酮、及構成清潔溶劑之其餘部分之乙腈 •金屬化合物係選自由A卜Ga、In、Sn、Zn、cd1 金屬氧化物及其混合物組成之群；〃 •金屬化合物為Zn及ZnO。亦揭示用所揭示清潔溶劑清潔光電或半導體產 =Γ件之方法。使金屬化合物所污染的設備零件表所揭不清潔溶劑接觸。接著移除清潔溶劑，屬化合物隨該清潔溶劑一起自金移除的金屬化合物可為A1、Ga、In、牛二表面，氧化物及其混合物。所揭示之清潔方法可:括Cd二金屬下態樣：匕括或多個以 •设備零件包括儲槽管；、供應設備零件、供應管或注入 •金屬化合物為Zn及ZnO ; •在接觸步驟期間加熱清潔溶劑； •在接觸步驟期間音波處理清潔溶劑; 12 201137116 •在接觸步驟期間加熱及音波處理清潔溶劑； •在移除清潔溶劑之後用稀釋劑潤洗設備零件； •在移除清潔溶劑之後用乙腈潤洗設備零件；及 •在移除清潔溶劑之後用惰性氣體乾燥設備零件之表面。【圖式簡單說明】· 圖1為向製造工具供應有機金屬化合物的先前技術系統之圖；圖2a為DEZn在 10(rC下於儲槽中儲存一週之後在該槽底部上沈積的DEZn分解產物之照片；圖2b為槽底部在所揭示清潔溶劑中浸泡之後的照片；圖2 c為槽底部在先前技術酸溶液中浸泡之後的照片；圖3a為不鏽鋼表面之1〇〇倍及5〇〇倍照片；圖3b為同一不鏽鋼表面在室溫下與所揭示清潔溶劑接觸一週之後的1 〇〇倍及500倍照片；圖3c為不鏽鋼表面之1〇〇〇倍照片；圖3d為同一不鏽鋼表面在與20%氫氟酸溶液接觸一小時之後的1〇〇〇倍照片；圖4說明儲槽之先前技術清潔方法；圖5說明所揭示之用於清潔儲槽之方法之一具體實例；圖6為向製造工具供應有機金屬化合物之系統之一具體實例之圖；圖7為向製造工具供應有機金屬化合物之系統之第二 13 201137116 具體實例之圖；圖8為向製造工具供應有機金屬化合物之系統之第三具體實例之圖；圖9為圖8之起泡槽之圖；圖10為用於測定自實際供應管中移除之辞粒子數目的清潔測試工具之圖；圖11為圖10之目標管路及閥門在藉由所揭示方法之一具體實例清潔之前及之後的照片；圖12為目標管路及閥門在用單獨稀釋劑清潔之後的照片；圖13為用於測定自實際起泡槽中移除之鋅粒子數目的清潔測試工具之圖；圖14為起泡器、閥門及出口在藉由所揭示方法之一具體實例清潔之前及之後的照片；及圖15為起泡器、閥門及出口在用單獨稀釋劑清潔之前及之後的照片。【較佳實施例詳述】為了進一步理解本發明之性質及目標’應結合附圖來參考以下詳細描述，其中相同·元件給出相同或類似參考編號。本文揭示用於製造半導體、光電、LCD_TFt或平板型裝置的組成物及方法之非限制性具體實例。揭示用於在光電產業或半導體產業中供應有機金屬化 14 201137116 合物之設備零件（諸如儲槽、過濾器、供應管及注入管）上所沈積之金屬化合物的清潔’溶劑及清潔方法。所揭示之清潔溶劑及清潔方法可在不腐蝕零件之情況下選擇性移除金屬化合物，且可改良普通清潔過程。所揭不之用於儲槽之清潔溶劑及清潔方法簡化普通清潔過程、&良清潔時間及安全地清潔儲槽。亦揭示在不需要自傳遞系統中拆卸設備零件的情況下自該零件清潔有機金屬化合物的清潔溶劑及清潔方法。此外，所揭示清潔溶劑及清潔方法改良向製造工具供應有機金屬化合物的供應系統之維護成本，這是因為設備零件可在不自有機金屬化合物供應系統中拆卸之情況下清潔。 ’月清潔溶劑所揭示清潔溶劑含有因二酮與金屬化合物之間的反應而與金屬化合物能夠形成及形成心二酮酸金屬錯合物的二酮化合物。所揭示清潔溶劑不含水或超臨界c〇2。可接受具有[R1-CO-CHR2-CO-R3]結構之任何二酮化合物其_ ri 及R3獨立地選自烷基及經氧取代之烷基且R2為氫、烷基或經氧取代之烷基。舉例而言，可使用乙醯基丙酮如上所述，所揭示的清潔溶劑含有具有結構[IU_C0_ CHR2-CO-R3]之一酮化合物。在一較佳具體實例中，清潔溶劑含有二酮化合物、加速劑及稀釋劑。稀釋劑可為乙腈、丙酮或四氫呋喃，且較佳為乙腈。稀釋劑溶解由二酮化合 15 201137116 物與金屬化合物反應所形成的心二酮酸鹽錯合物。 —_化合物與金屬化合物之間的反應速度隨著添加加速劑而接；, 阿°加速劑為吸引來自二酮化合物之質子的胺類化合物°力°速劑在室溫及壓力下不應為氣體。合適的加速劑包括°比咬、—7^ ^ 心二乙胺、二乙胺、二甲胺及乙胺。加速劑較佳為二級胺’更佳為三乙胺或吡啶，且甚至更佳為三乙胺。添加至稀釋劑中的二酮化合物及加速劑之量若大於金屬化合物之化學當量，則為足量。舉例而言，當清潔1莫耳Zn金屬化合物時’清潔溶劑中應包含最少各2莫耳之乙酿基丙綱及二乙胺。實務上’清潔指定零件、儲槽、管線或零件總成所需的清潔溶劑之量將根據經驗、考慮狀況、 /月潔夺間及製造過程對金屬化合物之存在的敏感度來確定。清潔溶劑可移除能夠藉由與二酮化合物反應而形成金屬錯合物的任何金屬化合物。稀釋劑必須能夠溶解所得金屬錯合物。舉例而言，金屬化合物可包括A卜Ga、In、Sn、 Ζη、Cd、此等金屬之氧化物、及其混合物。金屬化合物較佳為Zn及ZnO。在一尤佳具體實例中，含有乙醯基丙酮、加速劑三乙胺及稀釋劑乙腈的清潔溶劑可用於清潔金屬化合物（金屬及/或金屬氧化物）。在以下實施例中，清潔溶劑含有4 v〇1% 乙醯基丙酮、4 vol%二乙及92 vol%乙腈。一般而言，二酮化合物及加速劑每一者之濃度在約3 v〇1%至約5 v〇1%之範圍内，其餘為稀釋劑。 16 201137116 清潔方法所揭示a房、.方法係利用上文論述的所揭示清潔溶劑。舉例而言’當使用含有乙酿基丙酮、三乙胺及乙猜之清潔 /谷劑移除没備零件（例如儲槽、起泡槽、過渡器、供應管及注入管）上所沈積的金屬化合物時，金屬化合物在乙腈中與乙酿基丙酮反應且形成金屬乙醞基丙酮酸鹽。在此反應中，三乙胺藉由吸引乙醯基丙酮之質子而充當加速劑。金屬乙醯基丙酮酸鹽易溶於乙腈中。因此，金屬化合物溶解於清潔溶劑中且當溶劑自系統沖掉時排出。所揭示方法至少包括使金屬化合物所污染的裝置表面與所揭示清潔溶劑接觸。接觸期間，可使用加熱及/或音波處理。自裝置移除清潔溶劑，從而自設備零件表面移除金屬化合物。接著可用惰性氣體乾燥裝置表面。在與所揭示清潔溶劑接觸之前，可自光電產業或半導體產業中用於供應該等化合物之設備零件中移除產生金屬 π染物之有機金屬化合物。可使用任何已知的移除技術。在—具體實例令’同時進行真空處理及氮氣清洗。一般技 ^者將5忍識到，任何惰性氣體，包括氮氣（A )、氬氣（& )、氦氣（He )或其混合物可用於清洗。另外，一般技術者將識到真空處理及清洗不·必同時進行。此外，一般技術將〜减到，真空處理及清洗不管是否同時進行均可重複一或多次。舉例而言，氮氣清洗之後可為真空處理，兩者 2可重複進行。或者，真空處理之後可為氮氣清洗，氮氣清洗之後·5Γ a ^ 再。人為單獨真空處理《此移除步驟之目的為減 17 201137116 ::備零件中所殘留的有機金屬化合物之量。然而，由於潔溶劑反應，所以此㈣不式與所揭示清隨後將所揭示清潔溶劑引入設備零件中以接觸金屬化 =所污染的設備零件表面。可使用引入清潔溶= 。方法。在一具體實例中，清潔溶劑 =料中。潤洗可重複多次。隨後，設備零件可在^ 中浸泡―段時間。—般技術者將認識到潤洗及浸泡並非所有情況下必需的。類似地，潤洗及浸泡之次數及順序可變化。舉例Wu洗之後可為兩次浸泡數或/閏洗之後可為浸泡，該浸泡之後可再次為浸泡。一般技術者將進一步認識到，清潔溶劑之量必須「足夠」且改泡時段將視設備零件之類型及狀況及金屬化合物量而定：在進行浸泡之情況下，設備零件應注滿清以使付δ又備零件之所有内表面均與清潔溶劑接，。、二潔設備零件所需的溶劑之量將視所用清潔頻率而疋w疋因為洁如DEZn之有機金屬化合物繼續進行且逐漸形成金屬化合物。解隨者時間視情況而定，設備零件在與清潔溶劑接觸期間可經加熱’可進行音波處理’或兩者均可。當使用加熱時，溫度 :維持在金屬錯合物之分解點以下。可使用任何已知的加音波處理方法。舉例而言，纟波發生器可用於音波處理設備零件之多個部件。用於加熱之熱浴可用零件之個別部件。或者，設備零件可納人因由例如熱板^ 18 201137116 圍而可加熱之空間中。在$一替代方法中，可將加熱帶包 f在設備零件之個別部件周圍。在另-替代方法中，清潔冷;N!本身可在傳遞之前經加熱。一般技術者將認識到，任何數量之此等替代方法可在一個系統内一起使用。接著自設備零件中移除清潔溶劑。可使用任何已知的 =除方法。在-具體實例中，經由排㈣及排$管將清潔 f劑排：排洩槽中。排洩之後，可將惰性氣體（諸如氮氣、 w、氦氣或其混合物）引人所處理設備零且減除系統中。可藉由以清潔溶劑之稀釋劑潤洗來移除設備零件中所殘留的任何殘餘清潔㈣，卜如同清潔溶劑接觸步驟，可使 :任何已知的潤洗方法。在-具體實例中，稀釋劑潤洗步 :可包括一或多次淵洗’接著為浸泡。一般技藝人士將認識到’潤洗及浸泡循環可按清、饮β為要求的指不來變化及重複。浸泡中稀釋劑之# I η、* t 二— 用量及次泡時間長短將視多種因素而定。然而，稀釋劑浸治_ 、 — 、a不需要與清潔溶劑浸泡時間 —樣長。自系統排出稀釋劑削且可將惰性氣體（諸如氮氣、鼠氣、氦氣或此等氣體之混合 0物）引入所處理設備零件中且隨後排放至減除系統中。爾1件中隨後可乾餘設備零件〇腺I* .. ⑵ 將惰性氣體（諸如氮氣、氬氣、乳氣或此4氣體之混合物）引弓丨入系統中且傳送至減除车中直至設備零件乾燥。可藉現承糸4* ^ 糟由里測惰性氣體之水含量疋乾燥。惰性氣體較佳具有小於確 ς Λ u 、、 PPm ’且更佳小於約 50 ppb之水含量。乾燥時間可、，勺精由冋時加熱設備零件來加 19 201137116 快。然而，與先前技術之清潔方法相比，乾燥時間極快，這是因為所揭示清潔溶劑不含水且因此水並未用於清潔過程中。實施例在以下非限制性實施例中，根據特定具體實例說明所揭示之清潔溶液及清潔方法。提供此等具體實例以進—步闡明本發明。然而，此等具體實例不欲包括一切且不欲限制本文中所述之本發明之範_。實施例1 (先前技術）：清潔儲槽圖4說明儲槽110之典型清潔方法中所需的先前技術步驟。少量有機金屬化合物m (諸如DEZn)殘留於用戶所歸還之儲槽110中。步驟A，有機溶劑（例如己烷或辛烷）經由入口閥引入儲槽no中，且攪拌儲槽110中之液體以將DEZn ui 與有機溶劑混合。接著經由虹吸管141及出口閥142排出混合物。藉由重複此步驟（引入及排出有機溶劑），移除儲槽 110 中之 DEZn 111。步驟B.用酸溶液清潔不能由有機溶劑移除之所分解化合物（Zn及ZnO)。經由入口冑152將酸溶液引入儲槽 110中，接著攪拌酸溶液以溶解所分解化合物。之後，經由吸管141及出口閥142排出酸溶液。必要時，可謹慎地重複此步驟。步驟c·用純水完全移除儲槽11〇中殘留的酸。經由入口閥152將純水引入儲槽11〇 +，接著搜掉純水以溶解酸。 20 ⑤ 201137116 隨後，經由虹吸管141及出口閥142排出水。藉由重複此步驟（引入及排出純水），移除儲槽11〇中之酸。步驟D.用惰性氣體乾燥儲槽】j 〇。惰性氣體（諸如氮氣、氬氣、氦氣或此等氣體之混合物）經由入口閥152引入且經由虹吸管141及出口閥142排出，以乾燥儲槽11〇。連續進行此惰性氣體清洗直至儲槽11()乾燥。圖2c為在室溫下用5%氫氟酸清潔6小時之後，由不鏽鋼製成的槽内部之照片。由於腐蝕，所以槽表面上不再具有不鏽鋼光澤。實施例2 :清潔儲槽結合圖5說明所揭示之清潔儲槽i J 〇之方法之一具體實例。藉由在100°C下將儲槽11〇中之有機金屬化合物DEZn ill加熱一週以使所分解化合物（Zn及Zn〇粒子）沈積於儲槽110中來製備所用儲槽110。製備具有乙醯基丙酮（4 v〇l% )、三乙胺（4 V〇l〇/0 )及乙腈（92 vol% )之清潔溶劑。步驟A.經由入口閥152將清潔溶劑引入儲槽11〇中。攪拌儲槽110中之清潔溶劑以與DEZn U1混合，隨後經由虹及k 141及出口閥142排出混合物。藉由重複此步驟（引入及排出清潔溶劑）兩次’移除儲槽11()中之DEZn 111。接著用清潔溶劑注滿儲槽：110且浸泡以溶解所分解化合物 (Zn及ZnO )。在浸泡期間，可藉由用熱浴12〇加熱儲槽 110、用超音波發生器130所產生之超音波攪動儲槽11〇或其兩者來縮短清潔時間。當使用加熱時，溫度應維持在約 21 201137116 1 3 8 °C (乙醯基丙酮酸辞水合物之炫點）以下。步驟Β.用純乙腈完全移除儲槽11〇中殘留的清絮容劑。經由入口閥152將乙腈引入儲槽11〇中。檀拌儲槽η〇中之乙腈以與殘留清潔溶劑混合，隨後經由虹吸管及出口閥142排出混合物。藉由重複此步驟（引入及排出乙腈）兩次，移除儲槽110中之殘留清潔溶劑。步驟c.用惰性氣體乾燥儲槽11〇。經由入口閥152引入氮氣且經由出口％ 142及虹吸管141排出氮氣。可藉由使用加熱、真空處理或其兩者來縮短清洗時間。當使用曰加熱時，溫度應維持在儲槽UG或其組件之财熱限值以下。舉例而言’許多密封塾在約13〇。〇以上之溫度下失效。 ▲圓2a及2b中展示清潔之前及之後的結果。在清潔之」許夕粒子（Zn卩Zn〇 )在健槽中沈積（圓2小在執述μ潔方去之後，儲槽表面上重現不鏽鋼光澤（囷 '月'繁之後’纟自儲槽中殘留之所分解化合物（Ζη及 0)的Ζη之量A 〇〇666 mg。清潔之前所分解化合物之子刀始量墟仕笪炎值，為5〇 mg。藉由稱重所分解化合物來估算此加斤刀解化。物係藉由將另一儲槽中之DEZn在1〇〇〇c下所搞-週（亦即與清潔儲槽的條件相同）所產纟。因此， Ί合劑及清潔方法矛多除所分解化合物的移除率大；"j%[(^ 〇-〇.〇6666)/5〇.〇M〇〇]o 實施例3 :清潔溶劑對不鏽鋼之影響為了證實所揭示清潔溶劑對不仙施加之影響，執行 Λ下實驗： 22 201137116 製備10 mL具有4 vol%乙醯基丙酮、4 v〇1%三乙胺及 01 /。乙腈的清潔溶劑。引入清潔溶劑且在室溫下在i 〇不鑛鋼槽中儲存—週。與清潔溶劑接觸之後，槽表面上沒有▲蝕跡象。圖3a為浸泡之前槽表面之放大ι〇〇倍及5〇〇化之‘、，、片，且圖3b為浸泡之後以相同倍數放大之照片。圓 3a及3b揭示清潔溶劑不會腐蝕不鏽鋼，即使當不鏽鋼用此溶劑長時間（明顯超過典型清潔時間）浸泡時亦如此。相反，當不鏽鋼在室溫下用20%氫氟酸浸泡一小時’ 不鑛鋼表面會被腐H @ 3e為用氫氟酸浸泡之冑，不鑛鋼表面之放大1，〇〇〇倍的照片。圊3d為浸泡之後以相同倍數- 放大之照片。圖3c及3d揭示標準清潔溶液可損壞不鏽鋼槽。因此，所揭示清潔溶劑及清潔方法可在不腐蝕裝置之情況下選擇性移除該裝置上所沈積的目標金屬化合物（諸如金屬及/或金屬氧化物）。實施例4 :清潔供應管結合圖6詳細說明使用所揭示清潔溶劑3 j j清潔供應管之一例示性方法。圖6為藉由使用供應設備200向製造工具400供應有機金屬化合物211 (諸如DEZn)的系統之— 具體實例之圖，該供應設備裝備有用於清潔供應設備2〇〇及製造工具400之零件的所揭示清潔溶劑311，如下文更詳細描述。供應設備200將液體DEZn 211之蒸氣供應至製造工具 400中。當DEZn 211供應至製造工具4〇〇中時，經由入口 23 201137116 管251及入口閥252將諸如氬氣之惰性載氣25〇引入槽21〇中。DEZn 211自虹吸管241向上推移，且經由供應閥242 推移至管線245中。DEZn 211通過管線245中所安裝的過濾器243、液體質量流量控制器244及汽化器246。過濾器 243移除DEZn 211在儲存或供應期間分解所產生的粒子。質量流量控制器244精確地控制DEZn 211之流速以便向製造工具400穩定地供應恆定量之DEZn 211。汽化器246將液體DEZn 211 >飞化為氣態DEZn (圖中未示）。汽化器246 中形成的氣態DEZn可由諸如氬氣之載氣247稀釋，該載氣的流速可由例如質量流量控制器（圖中未示）控制。一般技術者將認識到可使用與載氣250不同的載氣247。然而，典型地，載氣247與載氣250相同。氣態DEZn自管線245傳至管線280，一般技術者將認識到，其可為一個管線或根據已知技術連接的兩個各別管線。管線280經由過程閥401向製造工具4〇〇中的腔室45〇供應汽化的DEZn。如上所述，DEZn為容易分解之有機金屬化合物。所分解化合物（Zn及ZnO )可在DEZn供應期間於供應管上形成沈積物。所分解化合物可對半導體裝置或太陽能電池模組製造過程有負面影響。如上所論述，此問題通常藉由拆卸供應管且用新供應管更換其來解決，由此導致成本增加及時間損失。所揭示清潔方法可在不自供應系統中拆卸供應管之情況下自供應管清除所分解化合物。結合圓6詳細說明所揭示清潔方法之一具體實例。此具體實例由5個步 24 © 201137116 驟組成： 1. 移除 DEZn ; 2. 溶劑清潔； 3·移除溶劑； 4·乙腈清潔；及 5.乾燥。第1步關閉閥門242及401且藉由真空裝置500移除管線245 及280中殘留的DEZn。用真空泵5〇〇排出管線245及28〇中殘留的DE—Zn，同時自氮氣入口管261、氮氣入口閥262、清潔溶劑供應管263及供應閥264引入氮氣260。含有DEZn 之廢氣.經由旁通閥402、旁通管403及排氣管501、藉由減除系統600處理Q最後，藉由中止氮氣供應使管線245及 280保持減壓。第2步將β >糸溶劑311 (例如4 v ο 1 %乙醯基丙S同、4 v 〇 1 %三乙胺及92 ν〇1%乙腈）引入管線245及280中且溶解所分解化合物（Ζη及Ζη〇)。槽31〇中之清潔溶劑311自虹吸管331 向上推移’接著經由供應閥332、溶劑供應管333、供應閥 334 ’容劑供應管263及溶劑供應閥264引入管線245及280 中’此藉由將氮氣320經由氮氣入口管321及氮氣入口閥 322引入槽310中來實現。注滿清潔溶劑311之管線245及 280根據沈積物之量浸泡一段恆定時間。浸泡期間，可藉由加熱’例如藉由加熱帶（圖中未示）來縮短清潔時間。當 25 201137116 使用加熱時’溫度應保持在管線245及280之任何零件之而才熱限值以下。第3步自S線24 5及280排出清潔溶劑，該清潔溶劑含有由乙醯基丙酮與所分解化合物（Zn及/或ZnO )反應所產圭的乙醯基丙酮酸鋅。氮氣260自氮氣入口管261、經由氮氣入口間262、溶劑供應管263及溶劑供應閥264引入管線245 及280中。清潔溶劑經由排洩閥404及排洩管405排出至排浅槽700中。在清潔溶劑排入排洩槽700中之後，關閉閥門264及401，且藉由真空泵5〇〇對管線245及280抽真空。廢氣經由旁通閥402、旁通管403及排氣管501送至減除系統600中。在此過程結束時使管線245及28〇保持減壓。必要時可重複步驟2及3以提高清潔過程之移除效率。第4步為了自管線245及280移除殘餘清潔溶劑，用純乙腈 351潤洗管線245及280。經由氮氣入口管361及氮氣入口閥362將氮氣360引入乙腈槽350中。槽350中之乙腈351 經由虹吸管371向上推移，且經由供應閥372、乙腈供應管 373、供應閥374、清潔溶劑供應管263及溶劑供應閥264 引入管線245及280中。將注滿乙腈351之管線245及280 浸泡一段恒·疋時間之後’用氮氣260排出乙腈351。氮氣 2 6 0經由氮氣入口管2 61、氮氣入口閥2 6 2、清潔溶劑供應管263及溶劑供應閥264引入管線245及280中，且乙猜 26 201137116 351自排洩閥404及排洩管405排出。藉由重複此步驟（引入及排出乙腈）幾次，充分移除管線245及280中的殘餘清潔溶劑。必要時可重複步驟2至4以改良效率。第5步用氮氣260乾餘官線2 4 5及2 8 0。經由氮氣入口管2 61、氮氣入口閥262、清潔》谷劑供應管263及供應閥264將氮氣 260引入管線245及280中。經由旁通閥402、旁通管4〇3 及排氣管501將氮氣260送至減除系統600中。連續進行氣氣清洗直至管線· 245及· 280乾燥《氮氣清洗期間·，可藉由加熱管線245及280，例如藉由加熱帶（圖令未示）來縮短清洗時間》與先前技術相比，乾燥時間極快，這是因為水未用於清潔過程中。以前，當所分解化合物沈積於長供應官上時，需要更換管線。如此具體實例中所示，由於所揭示清潔溶劑及清潔方法，因此可輕易地清潔管線。另外，用於DEZn之管線可被安全地清潔，這是因為清潔過程中未使用水且因此避免DEZn與HA之間的劇烈反應。實施例5 :清潔過濾器結合圖7詳細說明使用所揭示清潔溶劑311清潔過濾器 243之一例示性方法。一般技術者將認識到過濾器243可由陶瓷、鋼或燒結金屬製成。囷7為藉由使用供應設備2〇〇向製造工具400供應有機金屬化合物211 (諸如DEZn)的系統之一具體實例U ’該供應設備裝備有用&清潔供應設備200及製造工4 400(零件的所揭示清潔溶劑3ΐι，如 27 201137116 下文將更詳細描述。為了向製造工具400之腔室450供應DEZn 211，經由氬氣入口管251及氬氣入口閥252將氬氣250引入DEZn槽 210中。DEZn211自DEZn虹吸管241向上推移，接著DEZn 211經由供應閥242、DEZn供應管245、過濾器243、液體質量流量控制器244及汽化器246送至腔室450中。過遽器243俘獲DEZn中之粒子。液體質量流量控制器244精確地控制DEZn 211之液體流速以便向製造工具450穩定地供應恆定量之DEZn 211。DEZn 211在汽化器246中汽化。DEZn 蒸氣可由氬氣（其流速可加以控制）稀釋，且混合物經由過程閥401供應至腔室450中。若過濾器243已俘獲許多粒子，則發生流速減小或堵）塞。若不能自過濾器定期地移除粒子，則難以向製造工具穩定供應DEZn。如上所論述，此問題通常藉由更換過濾、器來解決，由此導致成本增加及時間損失。所揭示清潔方法可在不自供應系統中拆卸過濾器之情況下自過濾器清除粒子。結合圖7詳細說明所揭示清潔方法之一具體實例。此具體實例由5個步驟組成： 1. 移除 DEZn ; 2. 溶劑清潔； 3 ·移除溶劑； 4. 乙腈清潔；及 5. 乾燥。第1步 28 201137116 在此過程中移除過濾器243中殘留的所分解DEZn。較佳地’為防止完全阻塞’通常執行足以自過濾器243移除所分解DEZn的所揭示方法。氮氣260經由氮氣入口管261、氮氣入口閥262、清潔溶劑供應管263及清潔溶劑供應閥 264送至DEZn供應管245及280中。含有DEZn之氮氣經由過濾器243、液體質量流量控制器244、汽化器246、旁通閥402、旁通管403及排氣管501、藉由真空系500送至減除系統600中。最後’自清潔溶劑供應閥264及DEZn供應閥242延伸至排洩閥404、旁通閥402及過程閥4〇1之區 •k (「區段」）在此過程中藉由中止氮氣供應來保持減.壓。過濾器243包括在該區段内。第2步在此步驟中，將過濾器243上之粒子（諸如Zn及/或 ZnO )溶解於清潔溶劑311(例如4 v〇l%乙醢基丙酮、4 v〇1% 三乙胺及92 vol%乙腈）中。氮氣320經由氮氣入口管321及氮氣入口閥322引入清潔溶劑槽310中。接著清潔溶劑311自清潔溶劑虹吸管 331、經由清潔容劑供應閥332、清潔溶劑供應管333、清潔溶劑供應閥334、清潔溶劑供應管263及清潔溶劑供應閥 264引入上述區段中。清潔溶劑在此區段中儲存一段固定時間。時間係基於粒子之量。溶解效率可藉由發生器248施加超音波來改良。第3步在此步驟中，排出此區段内的清潔溶劑。氮氣26〇自 29 201137116 清潔溶劑供應閥264引入此區段中巧入口管261、氣氣入口閥262、清潔溶劑供應管…及溶劑藉由氮氣經由排·沒閥4〇4及排浪管4G5排出。最後，用真h ^對此區段抽真空。廢氣經由旁通閥4G2、旁通管如及排氣管 501送至減除系統600中。必要時可重複步驟2及3。第4步用純乙腈351移除此區段内殘留的任何清潔溶劑。氮氣360經由氮氣入口管361及氮氣入口閥362引入乙腈槽 350中。乙腈351自乙腈虹吸管371向上推移，且經由乙腈供應閥372、乙腈供應管373、乙腈供應閥374、清潔溶劑供應管263及清潔溶劑供應閥264引入上文提及之區段中。乙腈351在此區段中儲存一段固定時間之後，用氮氣 260排出乙腈351且對此區段抽真空。氮氣260經由氮氣入口管261、氮氣入口閥262、清潔溶劑供應管263及清潔溶劑供應閥264引入上述區段中，隨後乙腈351經由排洩閥 404及排洩管405自此區段排出。氮氣260自氮氣入口管 261、氮氣入口閥262、清潔溶劑供應管263及清潔溶劑供應閥264引入此區段中。乙腈351經由排洩閥404及排洩管405排放至排洩槽700中。最後，藉由真空泵500，經由旁通閥402、旁通管403及排氣管501對此區段抽真空。藉由重複此步驟（乙腈引入、排出及抽真空）幾次，移除此區段中殘留的任何清潔溶劑。必要時可重複步驟2至4。 ⑤ 201137116 第5步〃此y驟中，用氮氣乾燥此區段。氮氣2⑽經由氮氣入口 g 261、氮氣入口閥262、清潔溶劑供應管及清潔溶劑供應閥264引入此區段中，隨後氮氣26〇經由旁通閥 4〇2、旁通管4G3及排氣f训送至減除系統6⑽中。連續進行氮氣清洗直至此區段乾燥。在此清洗期間，可藉由加熱，例如藉由加熱帶或繩式加熱器（r〇pe heater)(圖中未示）來縮短乾燥時間。當使用加熱時，溫度應維持在此區段内任何零件之耐熱限值以下。以則，/尤積有粒子的過濾器243必須在自供應管245 拆卸之後清潔或必須用新過濾器更換Q如此具體實例中所不，過濾器243可在不拆卸之情況下藉由所揭示方法輕易及安全地清潔。實施例6 :清潔起泡槽結合圖8及9詳細說明使用所揭示清潔溶劑311清潔起泡槽之一例示性方法。圖8為藉由使用供應設備200向製造工具#應有機金屬化合物（圖中未示）（諸如DEZn ) 4〇〇的系統之一具體實例之圖’該供應設備裝備有用於清潔供應設備200及製造工具400之零件的所揭示清潔溶劑 311，如下文將更詳細描述。此具體實例之特徵在於’清潔系統經裝備可清潔DEZn 供應設備200之起泡槽210 (囷9中更詳細展示）β起泡供應方法為一種向製造工具400供應氣態DEZn之方法。結合圖8及9說明起泡供應方法。 31 201137116 氬氣250經由氬氣入口管251、氬氣入口閥252、氬氣入口管254及氬氣入口閥255引入DEZn供應設備200之起泡槽210中。氬氣250自喷佈器253注入DEZn(圖中未示）中且在起泡槽210中被DEZn飽和。混合物經由DEZn供應閥242、DEZn供應管245及過程閥401供應至製造工具400 中的腔室450中。 DEZn容易分解且產生所分解化合物（zn及/或ZnO ) 212。在DEZn向製造工具400中供應的同時，所分解化合物212逐漸沈積於起泡器210中》所分解化合物212可以粒子形式向下游移動，從而在裝置製造過程中引起故障且阻塞供應系統200中使用的零件。為了防止此問題出現，必須定期自起泡槽210清除所分解化合物212。如上所論述，起泡槽210可藉由自供應設備200中拆卸來清潔。然而，如參考圖1所揭示，起泡槽210可無需拆卸而操作，這是因為在使用及耗盡起泡器210中的液體之後’其可自連接至起泡槽210的大型儲槽（圖1，11〇) 藉由再注入管（圓1，180)再注入。因此，每次.為清除所分解化合物212而拆卸起泡器210變得效率低下。因此，需要在不自DEZn供應系統200中拆卸起泡槽21〇之情況下清潔起泡槽210之方法。先前技術之清潔溶劑及方法難以解決此問題，這是因為普通酸溶劑不是為此目的而設計且含有與DEZn反應性極高之水。所揭示清潔溶劑及方法解決此問題。結合圓8詳細說明使用所揭示清潔溶劑的所揭示清潔方法之一具體實例。 ⑤ 201137116 所揭示清潔方法之此具體實例由5個步驟組成： 1. 移除 DEZn ; 2. 溶劑清潔； 3. 移除溶劑； 4·乙腈清潔；及 5.乾燥。第1步用泵500對其中沈積有所分解化合物212 ( Zn及/或 ZnO )的起泡槽210抽真空。起泡槽210中的DEZn蒸氟藉由泵500、經由DEZn供應閥242、DEZn供應管245、奢通閥402、旁通管403及排氣管5〇1抽真空且由減除系統處理。第2步將清潔溶劑311引入真空起泡槽210中以溶解所分解化合物（Zn及ZnO )。氮氣320經由氮氣入口管321及氮氣入口閥322引入清潔溶劑槽310中。清潔溶劑311自清潔溶劑虹吸管331 向上推移，接著清潔溶劑311經由清潔溶劑供應閥332、清潔溶劑供應管333、清潔溶劑供應閥334、清潔溶劑供應管 2 2 3及清潔溶劑供應閥2 2 2、自清潔溶劑嘴嘴2 21嗔灑至起泡槽21〇中。由於清潔溶劑喷嘴221上存在一些小孔，因此清潔溶劑311可有效喷灑至起泡槽210中。注滿清潔溶劑 311的起泡槽21〇儲存一段固定時間以將所分解化合物212 溶解於清潔溶劑311 時間量係基於所分解化合物212 33 201137116 之量。用加熱工具213加熱起泡槽210可改良浸泡效力。當使用加熱時，溫度應維持在起泡器210之任何零件的耐熱限值以下。第3步攪拌及排出起泡槽210中的清潔溶劑311。氮氣256經由氮氣入口管257、氮氣入口閥258、氬氣入口管254及氩氣入口閥255自喷佈器253猛烈地注入清潔溶劑中。清潔溶劑311藉由氮氣256之起泡而得以充分攪拌，隨後清潔溶劑311經由排洩閥214及排洩管215排至排洩槽（圖中未示）中。排洩之後’起泡槽210藉由真空泵500抽真空。廢氣經由清潔溶劑噴嘴221、清潔溶劑供應閥222、清潔溶劑供應管223、排氣閥224、排氣管502及排氣管501、藉由減除系統600處理。第4步將乙腈351引入起泡槽210中以移除殘留的任何殘餘清潔溶劑。氮氣360經由氮氣入口管361及氮氣入口閥362 引入乙腈槽350中以對乙腈槽350加壓。乙腈351自乙腈虹吸管371向上推移，且經由乙腈供應閥372、乙腈供應管 373、乙腈供應閥374、清潔溶劑供應管223及清潔溶劑供應閥222、自清潔溶劑喷嘴221猛烈地喷灑至真空起泡槽 21〇中。注滿乙腈351之起泡槽210儲存一段固定時間以溶解任何殘留的清潔溶劑。接著，氮氣256經由氮氣入口管 257、氮氣入口閥258、氬氣入口管254及氬氣入口閥255 自喷佈器2S3猛烈地引入起泡槽210中的乙腈351中。乙 34 ⑤ 201137116 猜351隨後經由排洩閥214及排洩管215排至排洩槽（圖中未不）中。排洩之後，起泡槽210藉由真空泵500柚真空。廢氣經由清潔溶劑喷嘴221、清潔溶劑供應閥222、清 /承/合劑供應官223、排氣閥224、排氣管502及排氣管501、藉由減除系統600處理。最後，對起泡槽21〇抽真空。藉由重複此步驟（乙腈引入、排洩及抽真空），移除起泡槽21〇中含有乙醯基丙酮酸辞之任何殘餘清潔溶劑。第5步在此步驟中用氮氣256乾燥經乙腈濕潤之起泡槽21〇。氮氣256經由氮氣入口管257、氮氣入口閥2s8、氬氣入口管254、氬氣入口閥255及喷佈器2S3引入起泡槽21〇中。氮氣256隨後經由清潔溶劑喷嘴221、清潔溶劑供應閥 222、清潔溶劑供應管223、排氣閥224、排氣管5〇2、排氣管5〇1及真moo送至減除系統6GG中。連續進行氮氣清洗直至起泡# 210乾燥ϋ氣清洗期間，彳藉由使用加熱、真空或.其兩者來縮短乾燥時間。當液位降低時’ DEZn自大儲槽（圓艾，ιι〇)再注入供應槽21〇 (諸如起泡槽）中。因此，DEZn之所分解化合物 212逐漸沈積於供應槽21〇中。但拆卸供應槽21〇不像拆卸 —樣容易。因此，在所揭示方法在工業上可再注入化學品的儲槽（圖1，110) 無需拆卸之情況下清潔供應槽210之不與DEZn反 221及噴佈器所分解化合物很重要。所揭示清潔溶劑311沒有腐#性或應。另外，在排出液體之前’清潔溶劑喷嘴 253之氮氣起泡效應有效地清潔廣泛沈積有 35 201137116 212之清潔起泡槽210。實施例7 :管路清潔使用所揭#清潔溶劑進行管路冑潔測f式以測定自實際供應管路中移除之鋅粒子數目。® !❶中展示清潔測試工具。此工具裝備有用於乙腈351之槽3s〇、用於清潔溶劑 3U之槽31〇、排浪槽700 '系500 '減除系统6〇〇、流量控制器702 '壓力感測器7G3及各自以數字表示之閥門。清潔溶劑3U * 4 vol%乙醢基丙酮（acacH)、4感三乙胺及 92 v〇1%乙腈組成。沈積於清潔目標管路7〇ι( η 丨乩 EP)上之鋅粒子藉由引人_μΐΜΖη、接著於空氣中暴露 -夜來製備。鋅粒子中211之量據估算為約a—。藉由 MS測定此估算值。遵循以下清潔步驟且除非另外說明，否則所有閥門均關閉： 1 ·引入清潔溶劑 •對目標管路701抽真空（V16打開销”了開+泵〇〇開啟·> V6打開◊ V14打開+V3打開4 V2打開） •引入清潔溶劑（V13打開今V7打開今VM 丁開_^9 打開+V2打開） 2 ·用清潔溶劑浸泡 •清潔溶劑在管路701中儲存3〇分鐘 3.移除清潔溶劑 •排出清潔溶劑（V13打開州打開切6打開 ~>V15打開今V5打開外4打開+v3打開》v2打開） ⑤ 201137116 4·引入乙腈 •對目標管路701抽真空（V16打開+ V15打開今果 S00開啟；V6打開+V14打開+V3打開今V2打開） •弓丨入乙腈（V13打開+Vi〇打開+V11打開+Vl2 打開+V2打開） 5.移除乙腈排出乙腈（V13打開今v 1打開+ v 16打開v 15 打開+V5打開+V4打開今V3打開+V2打開） 6·氮氣清洗 •藉由氮氣清洗乾燥目標管路7〇1 ( V13打開+νι 打開·>V16打開·>V15打開+V6打開+V3打開 ^V2打開）利用以下程序自目標管路7〇1移除鋅粒子。步驟丄至3 重複5次（OH”。接著步驟4及5重複5次。最後，目標管路701用氮氣乾燥3〇分鐘。圖π為目標管路701及閥n ¥2及v3在清潔之前及之後的照片。清潔之前管㉟701及閥門上存在許多鋅粒子，但靠近閥門V6的閥門V3 一側（下文"「v3出口」）除外。清潔之後’鋅粒子充分移除且重現零件之不鏽鋼光澤。藉由ICP_MS量測清潔之後管路中殘留的鋅。結果為〇13 mg。鋅移除率為 99.8%[(62 19_〇 13)/62 ] 9*1〇⑴。作為肖單獨乙腈清潔目標管路加以與清潔溶劑之結果比較。程序如下：步驟4及5重複5 :欠。目標管路701隨後用氮氣乾燥3〇分鐘。圖12為目標管路7〇1及 37 201137116 閥門V2及V3在單獨乙腈清潔之後的照片。鋅粒子未充分移除且此等零件之不鏽鋼光澤未以類似於由所揭示清潔溶 Μ獲得之結果的方式重現。藉由Icp_MS量測清潔之後管路中殘留的鋅之量。結果為22 24 mg。單獨乙腈清潔所得到的鋅移除率為 64.2%[(62.19-22.24)/62.19* 100]。 /月潔ί谷劑（4 vol%乙醯基丙酮（acacH )、4 vol%三乙胺及92 V〇l%乙腈）充分移除實際供應管路中的211粒子。清潔溶劑及清潔方法之效果與單獨乙腈清潔之結果相比為明顯的。此實驗表明所揭示清潔溶劑有效地移除鋅粒子，這是因為單獨乙腈清潔不能溶解鋅錯合物且因此不能充分移除辞粒子。實施例8 :起泡器清潔使用所揭示清潔溶劑進行起泡器清潔測試以測定移除的辞粒子數目。清潔測試工具展示於圓13中。此工具裝備有用於乙腈351之槽350、用於清潔溶劑311之槽31〇、排茂槽700 '系500、減除系統600、兩個流量控制器、壓力感測器703及各自以數字表示之閥門。清潔溶劑由4 vol%乙醢基丙酮（acacH)、4 vol〇/。三乙胺及92 ν〇ι%乙腈組成。藉由DEZn引入。00卟)，隨後於空氣中暴露一‘來製備清潔目標起泡器704 (l00mL，SS316L)上之辞粒子。鋅粒子中Zn之量的估算值為約62.19 mg。圓9中展示此實驗中使用的起泡器7〇4之結構。此起泡器704具有特性化底部，其具有朝向底部令心的斜面且在底部中心具有排洩口。由於此結構’所以起泡器7〇4中 ⑤ 201137116 之液體容易隨著任何殘留鋅教經設計可容易加以清超铆洩。此起泡器704 此項技術争已知的其他起泡器。彳揭不方法仍可有效用於遵循以下清潔步驟且關閉。、夕說明’否則所有閥門均 1.引入清潔溶劑 •對目標起泡器704抽真… 栗S00開啟外6打門^;(ν16打開州s打開·> 打開） 6打開州4打開外^ 4丁開州7 • W入清潔溶劑（V13打開+ 打開州7打開）打開切打開 2.用清潔溶劑浸泡 •清潔溶劑在起泡器7〇4中儲存3〇分鐘 3 ·移除清潔溶劑 •排茂清潔溶劑（V13.打開州打開切6打開今V15打開外5打開帽打開知7打開開） 4 ·引入乙猜 •對起泡H 704抽真空（vl6打開外15打開4系5〇〇開啟+ V6打開+ Vl4打開外18打開外17打開） •引入乙腈（V13打開4vi〇打開+V11打開+vi2 打開+V17打開） 5.移除乙腈 •排出乙腈（V13打開+V1打開今¥16打開今V15 39 201137116 打開~>V5 6.氮氣清洗打開今V4打開+V17 打開+V3 打開）藉由氮tw月洗乾燥目標起泡器7〇4( 打開— Vi 打開州6打開州s打開㈣打開句7 今V18打開·>V2打開今V3打開）汗利用以下程序自目標起泡器704 ;青除鋅粒子。清嘴.容 … ⑴2》3)。隨後，乙腈清洗步驟重複 -人4今5)。最後’目標起泡器7〇4用氮氣乾燥儿分鐘清潔之前，起泡器704、噴佈器之末端】、起泡器出。排洩管3上存在許多鋅粒子，如囷14中所示。清潔之後，辞粒子付以充分移除且此等零件之不鏽鋼光澤重現。藉由顯微鏡觀察可能看不到鋅粒子。藉由Icp_MS量測清潔^後起泡器704中殘留的鋅之量。結果為〇 27 mg。移除率^ 99_6%[(62.19-0.27)/62.19*1〇〇)。作為參考，用單獨乙腈清潔具有鋅粒子之目標起泡器 704以確認清潔溶劑（4 vol%乙醯基丙酮（acacH )、4 三乙胺及92 vol0/〇乙腈）如何在不藉助於物理清潔作用（諸如液體引入、抽真空及氮氣清洗）之情況下移除鋅粒子乙腈清洗重複5次（445 )。最後’目標起泡器用氮氣乾燥 30分鐘（6 )。清潔之前，起泡器704、喷佈器之末端j、泡器出口 2及排洩管3上存在許多鋅粒子，如囷is中所示。然而，與新型清潔溶劑之結果相比，在清潔之後，辞粒子未能充分移除’且此等零件之不鏽鋼光澤未重現。藉由 ICP-MS量測乙腈清潔之後起泡器中殘留的鋅之量。結果& 40 201137116 48.46 mg。移除率為 22.1%[(62.19-48.46)/62.19* 100) 如此實驗中所示，戶斤揭示清潔溶劑、方法及起泡器結構明顯有效移除起泡器中之鋅粒子。應瞭解，在如隨附申請專利範圍中所表示之本發明之原則及範疇内’熟習此項技術者可對本文中為解釋本發明之性質而加以描述及說明之零件細節、材料、步驟及佈置進：許多其他改變。因A ’本發明不希望受限於上文給出的實施例及/或附圖中之特定具體實例。 41

Claims

201137116 七、申請專利範圍： 1· 一種清潔在光電或半導體產業中使用的設備零件之方法’該方法包含：使金屬化合物所污染之S亥專S免備零件之表面盘含有以下之清潔溶劑接觸：選自由乙腈、丙酮及四氫呋喃組成之群的稀釋劑；包含胺類化合物之加速劑；具有式IU-CO-CH-R2-CO-R3之二酮化合物，其中Rl 及R3獨立地選自由烷基及經氧取代之烷基組成之群，其中 R2係選自由氫、烷基及經氧取代之烷基組成之群，該二酮化合物能夠與該金屬化合物形成心二酮酸鹽錯合物，其中該清潔溶劑不含水或超臨界C〇2 ;及移除該清潔溶劑以自該等設備零件之表面移除該金屬化&物’其中该金屬化合物係選自由Al、Ga、a、以、&、 Cd、其金屬氧化物及其混合物組成之群。 2·如申請專利範圍第i項之方法，其中該加速劑之濃度在約3 vol%至約5 v〇丨。/〇之範圍内。 3·如申請專利範圍第2項之方法，其中該加速劑為選自由比。定及二乙胺組成之群的三級胺。 4.如申請專利範圍第3項之方法，其中該二自同化合物之濃度在約3 v〇l%至約5 v〇1%之範圍内。 5·如申請專利範圍第4項之方法，其中該二酮化乙酿基丙銅。、申咕專利範圍第1項之方法’其中該二酮為乙醯基 42 201137116 丙酮且該稀釋劑為乙腈。項之方法’其中該金屬化合物為 7 ·如申請專利範圍第 Zn 及 ZnO。 8.如申請專利範圍第該清潔溶劑之後用乙腈潤 6項之方法，其進一步包含在移除洗該等設備零件。 9.如申請專利範圍觸步驟期間加熱該清潔該清潔溶劑或其兩者。第1項之方法，其進一步包含在該接心劑、在S亥接觸步驟期間音波處理 10.如申請專利範圍第 ^ A. 罘9項之清潔方法，其進一步包4 在移除該清潔溶劑之後田# 用性氣體乾燥該等設備零件之面0 ^ 11，種清潔在光電或半導體產業中使用的設備方法，該方法包含：太使Zn及Zn0所污染的該等設備零件之表面與含有以之4潔溶劑接觸：介於約3 vol%與約5 ν〇ι%之間的三乙胺. 介於約3 V〇1%與約5祕之間的乙醯基丙調；及構成該清潔溶劑之其餘部分的乙腈，其中玆主初六不含水或超臨界C02 ;及 A 合 Zn0移除該清潔溶劑以自該等設備零件之表面移除Zn 如申請專利範圍第 43 201137116 13. 如申請專利範圍第〗丨項之方法，其進一步包含在移除該清潔溶劑之後用乙腈潤洗該等設備零件。 14. 如申請專利範圍第丨丨項之清潔方法，其進一步包含在移除該清潔溶劑之後用惰性氣體乾燥該等設備零面。 15’種用於自在光電或半導體產業中使用的設備零件上移除金屬化合物之清潔溶劑，該清潔溶劑包含：選自由乙腈、丙酮及四氫呋喃組成之群的稀釋劑；包含胺類化合物之加速劑；及具有式R1-CO-CH-R2-CO-R3之二酮化合物，其中Rl 及R3獨立地選自*烧基及經氧取狀烧基組成之群，其中 R2係選自由氫、烷基及經氧取代之烷基組成之群，該二_ 化〇物此夠與该金屬化合物形成卜二酮酸鹽錯合物，其中遠清潔溶劑不含水或超臨界C〇2。 16·如申請專利範圍第15項之清潔溶劑其中該二酮為乙醯基丙酮且該稀釋劑為乙腈。 1 7.如申請專利範圍第16項之清潔溶劑，其中該加迷劑為二級胺。 1 8 ·如申請專利範圍第17項之清潔溶劑，基本上由以下組成：介於約3 vol.%與約5 v〇i.%之間的三乙胺；介於約3 vol.o/o與約5 v〇l.Q/0之間的乙醯基丙酮；及構成該清潔溶劑之其餘部分之乙腈。 1 9·如申請專利範圍第1 5項之清潔溶劑，其中該金屬化 201137116 合物係選自由A1、Ga、In、Sn、Zn、Cd、其金屬氧化物及其混合物組成之群。 20.如申請專利範圍第19項之清潔溶劑，其中該金屬化合物係選自由Zn及ZnO組成之群。八、圖式· (如次頁） 45