TW201133874A - Solar battery cell, solar batterymodulee and solar battery system - Google Patents

Solar battery cell, solar batterymodulee and solar battery system Download PDF

Info

Publication number
TW201133874A
TW201133874A TW099131407A TW99131407A TW201133874A TW 201133874 A TW201133874 A TW 201133874A TW 099131407 A TW099131407 A TW 099131407A TW 99131407 A TW99131407 A TW 99131407A TW 201133874 A TW201133874 A TW 201133874A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transparent conductive
solar cell
conductive film
solar
solar battery
Prior art date
Application number
TW099131407A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Fujishima
Yuya Nakamura
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co filed Critical Sanyo Electric Co
Publication of TW201133874A publication Critical patent/TW201133874A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Description

201133874 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關太陽電池單元（cell)、太陽電池模組 (module)以及太陽電池系統（system)。 【先前技術】 太陽電池是一種備受期待的嶄新電源，能夠將太陽光 轉換成為電力，因此對環境造成的負擔較少，近年來則是 廣泛地利用在一般家用發電系統、大型發電廠等的太陽電 池系統與各種應用產品上。 在返樣的情況下，為了使太陽 池的高性能化等的研究開發目前非常熱門u 太陽電池系統係含有例如一個或複數個太陽電池模矣 而構成，而太陽電池模組則是依照太陽電池系統、應用3 品等的用途而有由-個太陽電池單元構成的太陽電池模金 與電性串聯複數個太陽電池單元而成的太陽電池模組等c 關於太陽電池單元中的電極’有使用由透明導電膜 該透=導f膜上的集f極等f極所構成之構成的情況。 一習知技術中，就具備透明導電膜的太陽電池單元而 言.’已知有具備由含有錫㈤的氧化銦⑽；Indium τ·
Oxide ’氧化鋼錫）所構成的透明導電膜之太陽電池單元。
為了上述太陽電池單元的高 < % C 電膜的電阻+ 係要求使透明$ 的電阻更小，且能夠使太陽電池單元的輸 透明導電膜也有利用在液晶顯示
已揭示由添加有例如飾(c—C 322376 3 201133874 (參照例如下列之專利文獻1)。 公報 專利文獻1 .日本特開平8_26〇134號 【發明内容】 ^ (發明所欲解決之課題） 然而，在將由添加有鈽的氧化·所構成的透明導電膜 應用到太％電池早兀時，係有難以既獲得良好的太陽電池 單元輸出又進-步降低透明導電膜的電阻的問題。 本發明乃雲於上述課題而研創者，其目的在於提供一 種具備有低電阻端夠使太陽電池單元有良好輸出的的透 明導電膜的太陽電池單it、具備該太陽電池單元的太陽電 池模組及太反電池系統。 (解決課題的手段） 本發明的太陽電池單元係具備：基板，具備具有紋理 (texture)構造的面；以及透明導電膜，形成在具有該紋理 構造的面上；上述透明導電膜係包含含有氫及鈽的氧化銦。 此情形時’由於上述透明導電膜係由含有氫（H)並含 有鈽（Ce)的氧化銦所構成的膜，因此上述透明導電膜能夠 低電阻化且能夠提高太陽電池單元的輸出。 上述透明導電膜較佳為以離子鍍覆（ion implanting) 法來成膜’以此方法成膜時，較佳為在該成膜後進行預定 的退火（anneal)。此外，就該成膜中的氫的供給源而言， 較佳為水蒸汽等的水（H2〇)或氫氣。 此外，亦可在上述透明導電膜上設置集電極等電極。 由於上述透明導電膜為低電阻，因此既能使太陽電池 322376 4 201133874 .單f有良好的輪出又可使上述電極小面積化等，妒… 叹什自由度。該電極的小面積化的結果，能 。β向 材料的量，因此能夠低成本化。 〉、該電極 前述透明導電膜係較佳為藉由Μ線繞射 (4〇〇)面的X射線繞射峰值的2 $ ( θ : χ〆里剛的 至35·41。的範圍’且半值寬度在。，；’)在 範圍。 王υ.邱的 此情形時，由於上述透明導電膜 線繞射峰值的Μ(θ:χ射線繞射角 H己向的X射 值寬度在較佳範圍内，因此透明導電膜係乂軌圍内、且半 能夠進-步提高太陽電池單元的輸出。、加低電阻’且 此外，較佳為，上述基板係為單绛 如 =系為藉由對該基板進行異向㈣刻而;成的： 金子垮（pyramid)形狀的凹凸構造。 之個 此情形時，能夠構成上述透明導電膜的（獅）
射線繞射峰值的26>(Ά.Υ1+娩婊〇的X 線繞射角）在較佳範圍内、3 半值寬度在較佳範圍内。 且 此外上述多數個金字塔形狀的凹凸構造較佳為 用由驗性溶液構成的餘刻液異向性餘刻上述基板的〇〇〇) 面而形成。
此情形時，容易構成上述透明導電膜的（400)配向的X 射線繞射峰值的2θ(θ :χ射線繞射角）在較佳範圍内、且 半值見度在較佳範圍内。 此外，較佳為，前述透明導電膜的（440)配向的X射 322376 5 201133874 線繞射峰值係20 (0 ·· X射線繞射角）在50. 80°至50.96° 的範圍，且半值寬度在0. 10°至0. 35°的範圍。 此外，較佳為，上述單結晶矽基板係為η型單結晶矽 基板，在該η型單結晶矽基板與上述透明導電膜之間係具 備Ρ型非晶質矽層。 在上述η型單結晶矽基板與上述ρ型非晶質矽層之間 亦可具備實質本徵性的i型非晶質矽層。 上述P型非晶質矽層較佳為P型非結晶（amorphous) 矽層，此外亦可於其中含有ρ型微結晶矽，亦可為ρ型微 結晶矽層。 上述i型非晶質矽層較佳為i型非結晶矽層，此外亦 可於其中含有i型微結晶矽，亦可為i型微結晶矽層。 此外，上述η型單結晶矽基板亦可具備與具有上述紋 理構造的面相對向的具有紋理構造的另一面，在具有該紋 理構造的另一面上亦可具備透明導電膜，在該透明導電膜 間亦可具備η型非晶質矽層。 在上述η型單結晶矽基板與上述η型非晶質矽層之間 亦可具備實質本徵性的i型非晶質矽層。 上述η型非晶質矽層較佳為η型非結晶矽層，此外亦 可於其中含有η型微結晶矽，亦可為η型微結晶矽層。 上述i型非晶質矽層較佳為i型非結晶矽層，此外亦 可於其中含有i型微結晶矽，亦可為i型微結晶矽層。 此外，上述錦的含有量較佳為1.0xl02Qatoins/cm3以 上、1.0x1021atoms/cm3 以下。 6 322376 201133874 此外’上述氫的含有量較佳 ,.ln21 佳為 L 0x10 atoms/cm3 以 上、為 10 atoms/cm3數級。 此外’上述透明導電膜較佳A ^ ^女 竿又佳為實質具有多結晶構造的 柱狀構&，亦可具有非晶質部分。 本發明的太陽電池模_具備上述任—者的太陽電 池单元。 本發明的太陽電池系統係具備上述太陽電池模組。 (發明的效果） 。依據本發明，絲提供—種具備低電阻且使太陽電池 举兀能有良好輸出的透明導電膜之太陽電池單元、具備該 太陽電池單元的太陽電池模組及太陽電池純。 【實施方式】 以下，參照圖式說.明本發明的實施形態。 參照第1圖及第2圖，說明本發明一實施形態的太陽 電池單元。第1圖（a)係、本實施形態的太陽電池單元的俯視 圖’第1圖⑻係同-太陽電池單元的仰視圖，第2圖⑷ 係沿著第1圖⑷中的A-A’、線的同—太陽電池單元的示意 剖面圖，第2圖（b)係同一太陽電池單元的表面附近的放大 刹面圖。 參照第1圖及第2圖，太陽電池單元J係為例如雙面 受光型太陽電池單元，其具備有電阻約m(Qhm;歐姆）. cnKcentimeter ;厘米）、厚度約 2〇〇//m(n]icr〇meter ;微 米）的η型單結晶碎基板2、以及在該基板2的具有紋理構 造的上表面的大致整個區域上依序具有厚度約5nm的實質 322376 7 201133874 本徵性的i型非晶質石夕層3、厚度約5nffl(nanometer;奈米） 的P型非晶質石夕層4及厚度約l〇〇nm的透明導電膜5,且 在該透明導電膜5上還具有表面側集電極6。 此外’在該基板2的具有紋理構造的背面的大致整個 區域上依序具有厚度約5nm的實質本徵性的i型非晶質矽 層7、厚度約5nm的n型非晶質矽層8及厚度約i〇〇nm的 透明導電膜9’且在該透明導電膜9上還具有背面側集電 極10。 本實施形態的太陽電池單元1乃係藉由上述構成而具 備光電轉換部的所謂HITCHeterojunction with 、 異質接面薄本徵性層）構造的太陽
Intrinsic Thin Layer ； 電池單元。 如第2圖（b)所示，上述紋理構造乃係藉由對單結曰曰 矽基板的（100)面實施異向性蝕刻而形成具有高度數以^曰 至數十Min的金字塔形狀的凹凸構造，各金字塔形狀係 成該金字塔形狀的彼此相對向的面之間的夾角θ具有約 72 度。 、 在本實施形態中，係以將具有上述紋理構造的面 致整面予以覆蓋的方式來*制地配置多數個金字塔带大 狀，金子塔形狀的尚度（大小）並不統一，相鄰的金字故， 可有-部分相豐。另外，各金字塔形狀的頂點及谷 ， 為圓弧形。 了 上述表面側集電極6主要由銀（Ag)構成，並具有厚 2〇 β m至60 # in’該表面側集電極6係由多數條窄幅的直= 201133874 狀指狀（finger)電極6a、6a、…以及與該些指狀電極連接 的兩條帶狀匯流排條（bus bar )電極6b、6b所構成，其中， 該多數條的指狀電極6a、6a、…係以覆蓋在前述透明導電 膜5的大致整個表面區域上並且隔著預定間隔彼此平行地 延伸的方式形成，而該兩條匯流排條電極^、肋係以隔著 預定間隔彼此平行地延伸的方式形成。在本實施形態中， 指狀電極6a、6a、…係以2mm的間隔配置。 上述背面側集電極9主要由銀（Ag)構成，並具有厚度 20/zm至6〇em，該背面侧集電極1〇係由多數條窄 又 線狀指狀電極1 〇a、1 Oa、…以及與該些指狀電表、、田的直 條帶狀匯流排條電極1 Ob、1 〇b所構成，其中，兮夕接的兩 指狀電極l〇a、l〇a、…係以覆蓋在前述透明導數條的 致整個表面區域上並且隔著預定間隔彼此平行地庄 、 式形成’而該兩條匯流排條電極1 0 b、1 〇 b係以隐4 、方 _ 間著預定P气 隔平行地延伸的方式形成。在本實施形態中， 、曰 日狀電極 1 〇a、1 〇a、…係以lmm的間隔配置。 在本實施形態中，透明導電膜5乃係由含有氫（们並 含有鈽（Ce)之主成份為氧化銦所構成的膜。亦印， w 明導電膜5係含有氫（Η)、鈽（Ce)、In(銦）及氧（〇)上迷透 摻雜（dope)有氫（H)及鈽（Ce)作為雜質的氧化銦（Ιη2〇=^ 成。 上述透明導電膜5實質上由多結晶構造所構成，且 以完全覆蓋在ρ型非晶質矽層4面上的方式立起的多數= 桂狀構造所構成，雖極少但有非晶質部分。 322376 9 201133874 上述透明導電膜5的氫（Η)含量係1. 0xl〇21atoms/cm3 以上，以1021atoms/cm3數級（order)以上為較佳， 1021atoms/cm3數級為更佳。該氫含量乃係透明導電膜5的 膜厚方向的中間位置的含量之值，大致相當於除了透明導 電膜5的兩表面附近之外的平均含量。 上述透明導電膜5的氬的含有濃度，除了兩表面附近 之外，基板2側的含有濃度比表面侧集電極6側的含有濃 度大為較佳，往基板2侧的方向逐漸增加的構成為更佳。 上述透明導電膜5係具有（400)配向及（440)配向的X 射線繞射峰值（peak)。在此，X射線繞射（XDR)的量測乃係 太陽電池單元1中的紋理構造上的透明導電膜5的X射線 繞射量測，在本說明書中，透明導電膜的X射線繞射量測 係意指太陽電池單元的紋理構造上的透明導電膜5的X射 線繞射量測（惟此X射線繞射量測係含有表面側集電極6、 背面侧集電極1〇的形成前等的上述紋理構造上的χ射線繞 射量測的情形）。 上述透明導電膜5的（4〇〇)配向的X射線繞射峰值係2 θ(0 : X射線繞射角）為35. 31°至35.41。，較佳為35.33。 至 35. 40。，更佳為 35 36。至 35. 38。。 …上述透明導電膜5的（4〇〇)配向的X射線繞射峰值的 半值寬度係為10。至0. 30。’較佳為〇. 15。至〇· 25。，更 佳為 0. 18。至 〇. 2〇。。 此外，上述透明導電膜5的（440)配向的χ射線繞射 峰值係2 0 (<9 : χ射線繞射角）為50. 8〇。至5〇. 96。，較佳 322376 201133874 為 50. 85°至 50. 95°，更佳為 50. 90。至 50. 91。。 • 上述透明導電膜5的（440)配向的X射線繞射峰值的 半值寬度係為0· 10°至〇. 35。，較佳為0. 15。至〇 3〇。，更 •佳為 0. 17°至 0. 22°。 ， 上述透明導電膜5的錦（Ce)含量係 以上、1.0x1021atoms/cm3以下較為理想，較佳為2 5χ1〇2〇 atoms/cm3 以上、8. 0xl02°atoms/cm3 以下，更佳為 4 〇χ1〇2〇 atoms/cm3 以上、6.0xl〇2Qatoms/cm3 以下，再更佳為 4 5χ 10Datoms/cm3 以上 ' 5. 2xl02Gatoms/cm3 以下。 在本實施形態中，透明導電膜9乃係含有氫（Η)並含 有鎢（W)之主成份為由氧化銦構成的膜。亦即，上述透明導 電膜9係含有氫（Η)、鎢（W)、In(銦）及氧（〇)，且由摻雜有 氫（H)及鎢（W)作為雜質的氧化銦（in2〇3)構成。 上述透明導電膜9實質上由多結晶構造所構成，且由 以完全覆蓋在η型非晶質矽層8面上的方式立起的多數個 柱狀構造所構成，雖極少但有非晶質部分。 透明導電膜9的鎢（W)含量係例如2. OdO'toms/cm3, 氫（Η)含量係 l.〇xl〇2Datoms/cm3 以上、為 l〇2°atoros/cm3數 級’例如9. 0xl02°at〇ms/cm3。另外，該氫含量乃係透明導 電膜5的膜厚方向的中間位置的含量之值，大致相當於除 了透明導電膜9的兩表面附近之外的平均含量。 上述透明導電膜9的氫的含有濃度，除了兩表面附近 之外，基板2側的含有濃度比背面側集電槌側的含有濃 度大為較佳’且往基板2側的方向逐漸增妒的構成為更佳。 322376 11 201133874 參照第3圖及第5圖來說明具備本發明一實施形萍的 太陽電池單元的太陽電池模組。第3圖係本發明實施形態 的太％電池模組的俯視圖，第4圖係同一太陽電池模組的 斜視圖，第5圖係沿著第3圖中的A-A’線的同一太陽電 池單元的剖面圖。 參照第3圖至第5圖，符號20乃係具備本發明一實 施形態的太陽電池單元1的太陽電池模組，該太陽電池模 組20係由板狀構成體與支撐該構成體的由無等金屬構成 的金屬製框體所構成’該板狀構成體乃係利用乙歸醋酸乙 烯酯（Ethylene Vinyl Acetate ; EVA)等填充材 27 將白板 強化玻璃等透明表面側蓋（cover)22、由聚對笨二甲酸乙_ 酯（polyethylene terephthalate ; PET)等樹脂膜所構成的 具财候性的背面侧蓋23、及位在表面側蓋22及背面側蓋 23之間的直線狀太陽電池群26、26、…進行配署而七土 -夏Tfq成者， 其中’該直線狀太陽電池群26、26、…乃係將複數個太陽 電池單元1、1、…以由作為導電性表面材的或 Sn-Pb等焊劑層（柔軟層）覆蓋表面而成平板銅線等所構1 的帶（strip)狀導電性連接構件25、25、…進行電性 連接而成者。 @
各太陽電池群26、26、·.·係彼此並舰配置 預定的相鄰太陽電池群26、26的—方端^ 件25、25、25、25............. 連接才J 等所構成的帶狀輸連接構件;;而焊接，面並的且平= 的預疋的相鄰的太陽電池群26，的另一方端侧的導電七 322376 12 201133874 連接構件25、25、25、25、…，與由焊劑層覆蓋表面的平 ' 板銅線等所構成的L字形導電性連接構件30、31焊接，從 而使所有的太陽電池群26、26、…電性串聯連接。藉由此 •構成，太陽電池模組1的複數個太陽電池單元1、1、…係 ， 配置成矩陣（matrix)狀。 在最外側的太陽電池群26、26中的電力取出側的最 兩端的太陽電池單元1、1的連接構件25、25，係分別焊 接有從太陽電池模組1取出電力輸出用的由焊劑層覆蓋表 面的平板銅線等所構成的L字形連接構件（輸出取出用連 接構件）32、33。 另外，上述L字形連接構件30、31與L字形的連接 構件32、33之間、上述L字形連接構件31與L字形連接 構件33之間交叉的部分係介置有未圖示的聚對苯二曱酸 乙二酯（PET)等絕緣板（sheet)等之絕緣構件。 此外，雖未圖示，但上述L字形連接構件30、上述L 字形連接構件31、L字形連接構件32及L字形連接構件 33的各前端側部分係經由背面側蓋23的切口（未圖示）而 導至位於太陽電池模組20的背面側上部側中央的端子盒 (box)34内。在前述端子盒34内，上述L字形連接構件32 與L字形連接構成30之間.、上述L字形連接構件30與L 字形連接構件31之間、及L字形連接構件31與L字形連 接構件33之間係分別連接有旁路二極體（bypass diode) (未圖示）。 本實施形態的太陽電池系統係為例如將複數個上述 13 322376 201133874 太陽電池模組20在例如個人住宅的屋頂上以固定用螺釘 分別固疋在屋頂面，並將相鄰的太陽電池模組彼此卡人， 且從屋頂低處側（屋簷側）往屋頂高處側（屋脊側）的方向階 梯狀地設置在屋頂上，並且以控制該些太陽電池模組別 用的控制系統所構成者。 以下，說明本實施形態的太陽電池單元的製造方法。 首先，準備η型單結晶矽基板1，係將上表面為（1〇〇) 面的η型單結晶矽基板洗淨，藉此去除雜質後，使用由 水溶液構成的蝕刻（etching)液進行異向性蝕刻而在該基 板的上表面及下表面分別形成紋理構造而形成者。 接著’使用例如RF電漿（plasma)CVD法，在頻率：約 13· 56MHz、形成溫度：約丨00°c至約3〇(rc、反應壓力：約 5Pa至約l〇〇pa、卯電力：約lmW/cm2至約500mW/cm2的條 件下’在η型單結晶矽基板2的具有上述紋理構造的上表 面上依序形成i型非晶質矽層3及ρ型非晶質矽層4，並 且在η型單結晶矽基板2的具有上述紋理構造的下表面上 依序形成i型非晶質矽層7及η型非晶質矽層8。 接著，使用離子鍍覆法，在Ar與〇2的混合氣體及水 蒸汽的環境中及室溫下，在ρ型非晶質矽層4上形成由含 有作為雜質的氫（H)及鈽（Ce)的氧化銦所構成的透明導電 膜5。在此，就膜材料源而言，使用含有預定量氧化鈽（Ce〇2) 粉末作為雜質摻雜用的In2〇3粉末的燒結體。此時，藉由使 用改變氧化鈽（Ce〇2)粉末含量的燒結體，便能夠使透明導 電膜5中的鈽（ce)量變化。 14 322376 201133874 此外，使用離子鍍覆法，在Ar與eh的混合氣 蒸汽的環境中及室溫下，在n型非晶質矽層8上=及水 有氫（H)及鎢（W)作為雜質的氧化銦所構成的透明導 '由含 9。在此，就膜材料源而言，使用含有預定量的氣化電犋 ’ 粉末作為雜質摻雜用之Im〇3粉末的燒結體。 另外，利用上述本實施形態的製造方法而成祺、、 導電膜5、9需要以例如約20(TC退火1小時左右/的透明 透明導電膜5、9的結晶化。在本實施形態的情形^促進該 所述的電極形成步驟的加熱步驟係兼為上述預定的、、下 理’惟在此情形中或由其他的步驟兼為退火處理的怜〇處 中’亦可將該退火處理分開設置。 θ v 接著’使用網版（sreen)印刷法，在透明暮番盼 ▼电興5卜 的預定區域’將在環氧（epoxy)樹脂等熱硬化性樹脂中 有銀（Ag)微粉末而成的Ag膏（paste)形成為預定的形=σ 並且，使用網版印刷法，在透明導電膜9上的預定區域 將在環氧樹脂中揉合有銀（Ag)微粉末而成的Ag膏形成為 預定的形狀，然後以約2(Krc加熱約1小間，藉此而硬化 而形成表面侧集電極6、背面側集電極10。如上述步驟之 貫施’形成本實施形態的太陽電池單元1。 接著，在各相鄰的太陽電池單元丨、丨的一方的太陽 電池單元1的表面側集電極6的匯流排條電極6b、6b上與 另方的太陽電池單元1的背面側集電極1〇的匯流排條電 極10b、1 〇b上’藉知劑或者由熱硬化性樹脂所構成的接著 劑，以相對向的方式配置連接構件25、25、...，在此配置 15 322376 201133874 狀態下，-邊加麗-邊加熱/降溫而_並連接該連接 25 ' 25、···，而製作太陽電池群26。 樹脂所構成的接著劑的情形中，亦可使用由含 (filler)的熱硬化性樹脂所構成的接著劑。 、广 接著’準備複數個太陽電池群26，並製作安裳 構件29、29、29、連接構件3()、3卜32、33的構造體， 然後依序層疊表面碰22、作為填充材的密封板、該構造 Γ:力為二充材的密封板、背爾 150C加熱壓接1〇分鐘。之後，以15〇。〇加熱丨小 此而使前述填充材完全硬化。 、猎 20 最後，安裝端子盒34、框體28’完成太陽電池· =實施形態中’透明導電臈5係由含有預定範圍内 預定範圍内的量的鈽⑹的氧化銦所 構成的膜，因此透明導電膜5為低電阻 1能夠有純4。 叫電池早元 射 半值甯声太龄又佳:摩色圍内並且-牛值見度在較佳_⑽構成，因此透 電阻，且能夠進一步提高太陽電池單元丨：:為更低 此外，由於屬於上述透明導電膜5 射線繞射峰值的…㈢射線繞射角)在較 ^值寬度缺佳範圍内的構成，因此透明導電膜 電阻’且能夠進—步提高太陽電池單元i的輸出。‘· 322376 16 201133874 此外’如上述，由於透明導電膜5為低電阻，因此既 縮小表面侧集電極6的面積又可使太陽電池單元1有良好 的輸出。結果’由於能夠減少表面侧集電極6的材料的量， 因此能夠實現低成本化。 * 由電子背向散射繞射（Electron Backscatter
Diffraction，EBSD)、穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope ; TEM)及 X 射線繞射（X-ray diffraction; XRD)的量測結果，得知本實施形態的太陽電 池單元1的透明導電膜5、9係由實質上具有多結晶構造的 柱狀構造所構成，且雖極少但有非晶質部份。 此外，在該透明導電膜5、9的X射線繞射量測中， 無法觀測氧化鈽、氧化鎢的X射線繞射峰值。 第6圖係顯示本實施形態的太陽電池單元1的透明導 電膜5的薄層電阻與該透明導電膜5中的鈽（Ce)量的關係 圖。在此’圖中的實線表示透明導電膜5中的氫（H)量為 2. 0xl021atoms/cm3時的關係，虛線表示透明導電膜5中的 氫（H)量為比l〇21atoms/cm3的數級小的數級之9. OxlO20 atoms/cm3時的關係。另外，薄層電阻是用4端子法來進行 量測。 由第6圖可知透明導電膜5的電阻係氫（H)的含量為 1021atoms/cm3數級時比 l〇2Datoms/cm3數級時低。 除此之外，氫（H)的含量為1021atoms/cm3數級時，上 述透明導電膜5的鈽（Ce)的含量理想為l.〇xl〇2°at〇ms/cin3 以上、1. Oxl021atoms/cm3 以下’較佳為 2. 5x102°atoms/cm3 17 322376 201133874 以上、S.OxHTatoms/c^ 以下，更佳為 4 〇xl〇2Qat〇ms/cm3 以上、6. Oxl 02Dat〇mS/Cm3 以下，再更佳為 4. 5χ1 〇2fiat〇ms/cm3 以上、5.2xl02°atoms/cm3 以下。 第7圖係顯不本實施形態的太陽電池單元的輸出與該 太陽電池單元的透明導電膜5中的鈽(ce)量的關係圖。在 此，各太陽電池單兀係與第6圖中使用的相同，第7圖中 的實線表示透明導電膜5中的氫（H)量為2. 〇xl〇2lat〇ms/cm3 時的關係，虛線表示透明導電祺5中的氫（H)量為比 10 atoms/cm的數級小的數級之9. 〇xl〇2Da1：〇ms/cm3時的關 係。.另外，太陽電池單7L的輸出量測係使用太陽光模擬器 (solar simulator)，量測條件為空氣質量（AirMass; AM) 1. 5、光強度100mW/cm2 ’輸出值係以使用作為對應於透明 導電膜5的透明導電膜而氫（H)的含量為1〇、t〇ms/cm3數 級、不含有鈽（Ce)的氧化銦膜之太陽電池單元的輸出值而 進行規格化。 該第7圖係顯示透明導電膜5的鈽（ce)的含量為1.〇 xl02°atoms/cm3至 1.2xl021atoms/cm3、氮（H)的含量為 102°atoms/cm3至1021atoms/cm3數級時，輸出係比使用由作 為對應於透明導電膜5的透明導電犋而不含有鈽（Ce)的氧 化銦所構成的膜之太陽電池單元的輪出高。 此外’從該第7圖亦可知’在氫〇〇的含量為 10 atoms/cm數級的情形’上述透明導電膜5的鈽（Ce)的 含量理想為 1. Oxl 02Dat〇mS/Cm3 以上、丨.〇χ1 〇21at〇ms/cm3 以 下’較佳為 2.5xl02°at〇ms/Cm3 以上、8.〇xl〇2Gat〇ms/cra3& 322376 18 201133874 下’更佳為 4. 0xl02°atoms/cm3 以上、6. 0xl02°atoms/cm3 以 下’再更佳為 4.5xl02Gatoms/cm3 以上、5.2xl02°at〇ms/cm3 以下。 此外’在第6圖及第7圖中雖未圖示，但在例如透明 導電膜5中的風（H)量為約3. lxl 021atoms/cm3、透明導電 膜5的飾（Ce)的含量為7. Oxl 02()atoms/cm3的情形中，亦是 薄層電阻為較50Ω/□低的電阻值，上述規格化的輸出為 108· 1% ’獲得有高輸出。 第8圖係顯示本實施形態的的太陽電池丨的實施例夏 至3及取代透明導電膜5而使用其他的透明導電膜的比較 例1至11的該透明導電膜構成、該透明導電臈的薄層電阻 及太陽電池單元特性。另外，第8圖中的摻雜物（d〇阳的） 攔位係表示在膜製作所使用的由氧化銦構成的燒結體中的 雜質及該雜質的含量’氫含量攔位中的「多」代表透明導 電膜中的氫含量為2. 0xl02Iat〇ms/cm3，「少」則是代表氫 含量為 9. 0x102eat〇ms/cm3。 ^ 在此，實施例1至實施例3係與在第6圖及第7圖中 使用的實施形態的太陽電池單元！相同，實施例i至實施 例3的透明導㈣5中的錦（Ce)濃度係分別為2.4χ1〇2ΰ at〇mS/cra3、4. 8xl〇2〇at〇ms/cm3、8. 〇χ1〇2〇Μ_^3，比較 :=較例U則是除了透明導電膜5之以外皆與本實施 由第8圖可知，在比較们至比較例U中，雖然薄 層電阻及太陽電池的輸出的其中—者良好，但並不是兩者 322376 19 201133874 皆良好。相對於此，具備由含有鈽及含量為l〇2lat〇ms/cm3 數級的氫的氧化銦所構成的透明導電膜5之實施例1至實 施例3則是薄層電阻及太陽電池的輸出皆良好。 第9圖係上述實施例2、比較例1、比較例2及比較 例8的X射線繞射圖譜（pattern)，縱軸係X射線繞射強 度，橫軸係2 0(0 : χ射線繞射角）。另外，χ射線繞射量 測乃係形成表面側集電極6及背面側集電極丨〇前的太陽電 池單兀1的上述紋理構造上的透明導電膜之量測，其進行 有約200°C、1小時的退火處理。另外，χ射線繞射量測係 將2Θ以〇.〇〇2。的刻度單位進行。 由第9圖可知，上述實施例2相較於比較例丨、比較 例2及比較例8有極大差異。 第10圖係顯示上述實施例丨至實施例3的太陽電池 單元的透明導電膜5的（400)配向的χ射線繞射峰值的2(9 (Θ : X射線繞射角）及半值寬度、以及上述比較例丨至比 較例11的對應於透明導電膜5的透明導電膜的（4〇〇)配向 的X射線繞射峰值的20(0 :χ射線繞射角）及半值寬度。 此外，第11圖係顯示上述實施例丨至實施例3的太陽電池 單元的透明導電膜5的（440)配向的Χ射線繞射峰值的 (Θ : X射線繞射角）及半值寬度、以及上述比較例丨至比 較例11的對應於透明導電膜5的透明導電膜的（4〇〇)配向 的X射線繞射峰值的2Θ(Θ :Χ射線繞射角）及半值寬度。 另外，在此，X射線繞射量測乃係形成表 1 6及背面側集電極㈣的太陽電池單元！的上軌 322376 20 201133874 ' ί::透膜之量測，其進行有約2°rc、1小時的退火 位進行。，X射線繞射量測係將20以0.002。的刻度單 • 由第^圖可知，透明導電膜5的2Θ乃係35.31。至 •。’較佳為35. 33。至35.40。，更佳為35. 36。至 = • 38透明導電膜5的（彻）配向的X射線繞射峰值的半 :寬度乃係0.10。至0.35'較佳為〇 15。至〇25。，更佳 為 0. 18 至 〇. 2〇。。 此外，由第11圖可知，上述透明導電膜5的⑷们配 向的X射線繞射峰值係，2Θ(Θ : X射線繞射角）乃係 50. 80 至 50. 96° ’ 較佳為 5G. 85。至 50. 95。，更佳為 50.90至50.91。，上述透明導電膜5的（44〇)配向的X射 線繞射峰值的半值寬度乃係〇. 1〇。至〇.犯。，較佳為〇. a。 至加’更佳為〇· π。至〇. 22。。 •由第10圖及第U圖可知，電阻小且太陽電池單元j 輸出佳的本實施形態的包含含有鈽及lG21at〇ms/cm3數級 的氫^氧化錮的透明導電膜5雖含有錦，但相較於包含含 有102°at〇ms/cm3數級以下的氫的氧化銦的透明導電膜、包 含含有鶴的氧化銦或含有嫣及氫的氧化钢的透明導電膜、 ιτο、及含有氫的氧化銦’（400)配向、（44〇)配向的X射線 繞射峰值的2Θ (θ 射線繞射角）及χ射線繞射峰值的半 值寬度有極大差異。 此極大差異推測係由於上述包含含有鈽及 10 atoms/cm3數級的氫的氧化銦的透明導電膜與包含含有 322376 21 201133874 鈽及102°atoms/cm3數級以下的氫的氧化銦的透明導電膜 具有不同的結晶粒與柱狀構造的形狀、大小等之故。在由 上述包含含有飾及l〇21at〇ms/cni3數級的氫的氧化銦的透 明導電膜構成的情形中，透明導電膜5的進一步低電阻化 及太陽電池單元的高輸出得以實現之理由雖不明，但推測 有很大的可能是上述藉由X射線繞射而特定的相異之結晶 粒與柱狀構造的形狀、大小等作出了極大的幫助。 第12圖係顯示本實施形態的實施例4的太陽電池單 元1與比較例的太陽電池單元的耐濕性的加速試驗結果 圖，縱軸係表示在各個時間中以實施例4的太陽電池單元 1的曲線因子（Fill Factor; F.F.)作為100%而規格化的比 較例的F. F.的比較值，橫軸係表示耐濕實驗時間。該加速 試驗的條件為濕度85%、溫度85°，且以加速試驗用模組的 形態進行。另外，在實驗開始時，實施例4的F.F.值係較 比較例的F.F.值高約〇. 5%。 在此，就本實施形態的太陽電池單元1而言，使用具 備含有氫（H)含有率為3. Ixl021atoms/cm3、錦（Ce)含有率 為7. 0xl02°atoms/cm3的氧化銦的透明導電膜5之太陽電池 單元K實施例4)，比較例係取代透明導電膜5而使用由氫 (H)含有率為 3. 4xl021atoms/cm3、鶴（W)含有率為 2. ΟχίΟ20 atoms/cm3的氧化銦所構成的透明導電膜之太陽電池單元。 另外，本實施形態及比較例皆是n型非晶質矽層8上的透 明導電膜乃係由氫（Η)含量為3. Ixl021atoms/cm3、轉（W)含 有率為6· 0xl02°atoms/cm3的氧化銦所構成的透明導電膜。 22 322376 201133874 由第12圖可知，在成為n- i -ρ接面侧的ρ型非晶質 石夕層4上的透明導電膜5,具備包含含有氫（H)及鈽（Ce)的 氧化銦的透明導電膜之本實施形態的太陽電池單元的耐濕 性係較具備包含含有氫（Η)及鶴（W)的氧化銦的透明導電膜 '之比較例的太陽電池單元的耐濕性優異。 η型非晶質矽層上的透明導電膜，除了如上述由氫含 量少、屬於l〇2°at〇ms/cm3數級的含有氫（Η)及鶴（W)的氧化 銦的含有祺所構成的透明導電膜之外，亦可為由氫含有量 少、屬於l〇2i)atoms/cm3數級的含有氫（H)及鈽（Ce)的氧化 麵I的含有骐所構成的透明導電膜等。 上述實施形態的太陽電池單元雖係使用所謂的Ηΐτ太 陽電池單元來進行說明，但能夠適當利用在單結晶太陽電 池單元或多結晶太陽電池單元等各種太陽電池單元’此外 除了兩面受光型之外，亦能夠適用在單面受光型。 在上述實施形態中，表面侧集電極及背面側集電極的 匯流排條電極係分別有兩條，但亦可適當變更其數目，亦 可適當變更成其他形狀等。 此外’表面側集電極及/或背面側集電極亦可為不具 備匯流排條電極的無匯流排條構造，背面側集電極亦可適 用其他構造的電極’例如由大致整個背面以金屬膜覆苗的 電極與在該電極上形成的匯流排條電極所構成者。 此外，在上述實施形態中，雖係使P型側位在光入射 的主側，佴亦可使η型側位在光入射的主側。此時，較佳 為適當變更集電極的指狀電極的間距（pitch)等。 322376 23 201133874 此外’本發明的太陽電池模組並不限定為上述實施形 態’例如亦可為不具備框體的構成，此外當然亦可為應用 商品用者。 此外’本發明的太陽電池模組可為兩面受光型太陽電 池模組’例如亦可為表面側蓋及背面側蓋皆為玻璃板。 在上述實施形態的太陽電池系統中，雖係設定為例如 個人住宅用，但本發明並不受限於此，此外太陽電池模組 的設置方法亦可適當變更。 (產業上的利用可能性） 本發明能夠提供一種具備既確保良好輸出又可進一 步，低電阻的透明導電膜之太陽電池單元及具有該太陽電 池早兀的太陽電池模組及太陽電池系統，因此能夠利用於 太陽光發電領域等。 【圖式簡單說明】 、第1圖（a)係本發明一實施形態的太陽電池單元的俯 視圖第1圖（b)係同一太陽電池單元的仰視圖。 —圖（a)係沿著第1圖（a)中的A-A，線的本發明一 實把形g的太陽電池單元的示意剖面圖，第2圖⑻係同一 太陽電池單元的表面附近的放大剖面圖。 第3圖係本發明一實施形態的太陽電池模組的俯視 圖。 第4圖係本發明一實施形態的太陽電池模組的斜視 圖。 第5圖係/σ著第3圖中的A-A，、線的本發明一實施形 322376 24 201133874 態的太陽電池模組的剖面圖。 第6圖係本發明一實施形態的太陽電池單元的透明導 電膜的薄層電阻與該透明導電膜中的鈽（C e )濃度的關係 •圖。 . • 第7圖係本發明一實施形態的太陽電池單元的輸出與 該太陽電池單元的透明導電膜中的鈽（Ce)濃度的關係圖。 第8圖係顯示本發明一實施形態的實施例及比較例的 太陽電池單元的透明導電膜的構成、該透明導電膜的薄層 電阻及太陽電池單元特性。 第9圖係實施例2、比較例1、比較例2及比較例8 的透明導電膜的X射線繞射圖譜。 第10圖係顯示本發明一實施形態的實施例及比較例 的太陽電池單元的透明導電膜的（4〇〇)配向的X射線繞射 蜂值的20 (Θ : X射線繞射角）及半值寬度的圖。 第11圖係顯示本發明一實施形態的實施例及比較例 的太陽電池單元的透明導電膜的（44〇)配向的X射線繞射 峰值的2Θ (Θ : X射線繞射角）及半值寬度的圖。 第12圖係顯示本發明一實施形態的實施例的太陽電 池單元與比較例的太陽電池單元的耐濕性實驗結果的圖。 【主要元件符號說明】 1 太陽電池單元 2 η型單結晶矽基板 3、 7 i型非晶質矽層 4、 8 P型非晶質矽層 25 322376 201133874 5 ' 9 透明導電膜- 6 表面側集電極 6a 、10a 指狀電極 6b 、10b 匯流排條電極 10 背面側集電極 20 太陽電池模組 22 表面侧蓋 23 背面侧蓋 26 太陽電池群 27 填充材 28 框體 25 、29、 30、3卜 32、33 34 端子盒 連接構件 26 322376

Claims (1)

  1. 201133874 < 七、申請專利範圍： 】· 一種太陽電池單元，係具備： 基板，具備具有紋理構造的面；以及 透明導電膜，形成在具有該紋理構造的面上； 上述透明導電膜係包含含有氫及鈽的氧化銦。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之太陽電池單元，其中，上 述透明導電膜储由〗射線繞射法而制的（彻）面的 X射線繞射峰值在2Θ(Θ :X射線繞射角)35.31。至 35. 40°的範圍’且半值寬度在G1m3()。的範圍。 3. 如申請專利範圍第丨項或第2項所述之太陽電池單元， 中上述基板係為單結晶矽基板，上述紋理構造係為 藉由對該基板進行異向性餘刻而形成的多數個金字塔 形狀的凹凸構造。 ° 4. 如申請專利|請第丨至3項中任—項所述之太陽電池單 元，其中，在上述單結晶矽基板與上述透明導電膜之間 係具備p型非晶質矽層。 、B 5. 如申請專利第丨至4項中任—項所述之太陽電池單 兀，其中，上述鈽的含量係為丨_ 〇xl〇2〇at〇ms/cm3以上、 1.0xl021atoms/cm3 以下。 6·如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之太陽電池單 元，其中，上述氫的含量係為1〇2lat〇ms/cm3數級。 7. —種太陽電池模組’係具備申請專利範圍第丨至6項中 任一項所述之太陽電池單元者。 8. —種太陽電池系統，係包含申請專利範圍第7項所述之 太陽電池模組者。 322376 1
TW099131407A 2009-09-18 2010-09-16 Solar battery cell, solar batterymodulee and solar battery system TW201133874A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009216300 2009-09-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201133874A true TW201133874A (en) 2011-10-01

Family

ID=43758746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099131407A TW201133874A (en) 2009-09-18 2010-09-16 Solar battery cell, solar batterymodulee and solar battery system

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120192914A1 (zh)
EP (1) EP2479797A4 (zh)
JP (1) JPWO2011034145A1 (zh)
KR (1) KR20120067332A (zh)
CN (1) CN102473761A (zh)
TW (1) TW201133874A (zh)
WO (1) WO2011034145A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI474488B (zh) * 2012-09-21 2015-02-21 Ind Tech Res Inst 太陽能電池

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012165289A1 (ja) * 2011-06-03 2012-12-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JPWO2014132516A1 (ja) * 2013-02-26 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
EP2980861B1 (en) 2013-03-28 2020-01-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell
JP2015073057A (ja) * 2013-10-04 2015-04-16 長州産業株式会社 光発電素子
CN103646998B (zh) * 2013-12-16 2016-08-17 陕西师范大学 增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法
JP6121891B2 (ja) * 2013-12-17 2017-04-26 信越化学工業株式会社 太陽電池及び太陽電池の製造方法
WO2015098872A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 株式会社カネカ 太陽電池のｉ‐ｖ測定方法、太陽電池のｉ‐ｖ測定装置、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、および太陽電池モジュール
JP6211557B2 (ja) * 2014-04-30 2017-10-11 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法
JP7002558B2 (ja) * 2018-01-18 2022-01-20 フレックス，リミテッド バスバーレス瓦状アレイ太陽電池セルおよび太陽電池セルを製造する方法
EP3671863B1 (en) 2018-12-20 2021-06-09 IMEC vzw Smoothed rear side doped layer for a bifacial solar cell
CN112968076A (zh) * 2021-03-30 2021-06-15 深圳第三代半导体研究院 一种透明导电薄膜的制备方法
CN116848593A (zh) * 2021-09-17 2023-10-03 日东电工株式会社 透明导电层、透明导电性薄膜及物品
JPWO2023042845A1 (zh) * 2021-09-17 2023-03-23

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0726195B2 (ja) * 1988-08-19 1995-03-22 日本真空技術株式会社 透明導電膜の製造方法
JPH0343911A (ja) * 1989-07-10 1991-02-25 Showa Denko Kk 透明導電膜
JP3158948B2 (ja) * 1995-03-22 2001-04-23 凸版印刷株式会社 スパッタリングターゲット
US6207890B1 (en) * 1997-03-21 2001-03-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic element and method for manufacture thereof
JP2000238178A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Teijin Ltd 透明導電積層体
JP2000294980A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透光性電磁波フィルタおよびその製造方法
US6653549B2 (en) * 2000-07-10 2003-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic power generation systems and methods of controlling photovoltaic power generation systems
JP2002231054A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Stanley Electric Co Ltd 透明電極材料およびそれを用いた電子素子
JP2002313141A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル
US6743488B2 (en) * 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP2004247220A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Toppan Printing Co Ltd 積層体、電極および画像表示素子
JP2005064273A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 光起電力素子用電極及びそれを用いた光起電力素子
JP2005108468A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Mitsui Chemicals Inc 透明導電性シート、透明導電性シートの製造方法および上記透明導電性シートを用いた光増感太陽電池
JP4568254B2 (ja) * 2006-07-20 2010-10-27 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP5229919B2 (ja) * 2007-05-23 2013-07-03 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化物透明導電膜を用いた光電変換素子及び光検出素子
KR101444980B1 (ko) * 2008-03-19 2014-09-29 산요덴키가부시키가이샤 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20120074276A (ko) * 2009-09-17 2012-07-05 산요덴키가부시키가이샤 투명 도전막 및 이것을 구비한 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI474488B (zh) * 2012-09-21 2015-02-21 Ind Tech Res Inst 太陽能電池

Also Published As

Publication number Publication date
CN102473761A (zh) 2012-05-23
EP2479797A4 (en) 2013-08-07
JPWO2011034145A1 (ja) 2013-02-14
KR20120067332A (ko) 2012-06-25
EP2479797A1 (en) 2012-07-25
US20120192914A1 (en) 2012-08-02
WO2011034145A1 (ja) 2011-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201133874A (en) Solar battery cell, solar batterymodulee and solar battery system
JP5533878B2 (ja) 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム
JP4568254B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN102206801B (zh) 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法
US8766088B2 (en) Dopant-containing contact material
WO2015060437A1 (ja) 光電変換素子、光電変換モジュール、並びに、太陽光発電システム
TW200952193A (en) Solar module and system composed of a solar cell with a novel rear surface structure
US20130089943A1 (en) Method of manufacturing a solar cell
CN103531647B (zh) 异质结太阳能电池及其制备方法
JPH08330615A (ja) 直列型太陽電池およびその製造方法
CN111554772A (zh) 将钝化电触件形成到晶体半导体基材上的方法及包括该触件的器件
US20190044018A1 (en) Photovoltaic device
CN112133769A (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN102931268A (zh) N型硅衬底背接触型式hit太阳电池结构和制备方法
CN102931269A (zh) 基于n型硅衬底背接触式hit太阳电池结构和制备方法
CN104521010A (zh) 制造底衬构造的光伏器件的方法
JP6639407B2 (ja) 光電変換素子
US11227966B2 (en) Photoelectric conversion device
JP2005353836A (ja) 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール
CN206412374U (zh) 一种hjt太阳能电池及其模块
CN112018195A (zh) 一种形成太阳能电池的电极的工艺
JP6294694B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
JP3078951B2 (ja) 光起電力素子
CN208256704U (zh) 一种太阳能电池
JPH10335688A (ja) 光起電力素子の製造方法