JP2015073057A - 光発電素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型結晶半導体基板11と、n型結晶半導体基板11の一側にこの順で積層される第1の導電型非晶質系半導体層13及び第1の透明導電膜14と、n型結晶半導体基板11の他側にこの順で積層される第2の導電型非晶質系半導体層17、第2の透明導電膜18及び金属膜19とを備え、一側が光入射面として用いられる光発電素子10において、n型結晶半導体基板11の両面には異方性エッチングによるピラミッド状凹凸構造が形成されており、第2の透明導電膜18の膜厚が40nm以上70nm未満である。
【選択図】図1
Description
前記第1の導電型非晶質系半導体層及び前記第2の導電型非晶質系半導体層のいずれか一方がn型非晶質系半導体層であり、他方がp型非晶質系半導体層であり、
一側が光入射面として用いられる光発電素子において、
前記n型結晶半導体基板の両面には異方性エッチングによるピラミッド状凹凸構造が形成されており、
前記第2の透明導電膜の膜厚が40nm以上70nm未満である。
(第1の実施の形態:フロントエミッタ型)
図1に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る光発電素子10は、板状の多層構造体である。光発電素子10は、n型結晶半導体基板11と、n型結晶半導体基板11の一側(図1における上側、多層構造体の第1の主面側)にこの順で積層される第1の真性非晶質系半導体層12、p型非晶質系半導体層13(第1の導電型非晶質系半導体層)、第1の透明導電膜14及び集電極15と、n型結晶半導体基板11の他側(図1における下側、多層構造体の第2の主面側)にこの順で積層される第2の真性非晶質系半導体層16、n型非晶質系半導体層17(第2の導電型非晶質系半導体層)、第2の透明導電膜18、及び金属膜19とを有する。光発電素子10は、一側(n型結晶半導体基板11を基準にp型非晶質系半導体層13側、第1の主面側)を光入射面として使用するフロントエミッタ型である。
図2に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る光発電素子20は、板状の多層構造体である。光発電素子20は、n型結晶半導体基板21と、n型結晶半導体基板21の一側(図2における上側、多層構造体の第1の主面側)にこの順で積層される第1のn型非晶質系半導体層22a及び第2のn型非晶質系半導体層22b(第1の導電型非晶質系半導体層)、第1の透明導電膜23及び集電極24と、n型結晶半導体基板21の他側(図2における下側、多層構造体の第2の主面側)にこの順で積層される真性非晶質系半導体層25、p型非晶質系半導体層26(第2の導電型非晶質系半導体層)、第2の透明導電膜27及び金属膜28とを有する。光発電素子20は、一側(n型結晶半導体基板21を基準にn型非晶質系半導体層22a、22b側、第1の主面側)を光入射面として使用するリアエミッタ型である。
<実施例1>
ピラミッド状凹凸構造を施したn型単結晶シリコン基板の一側に、第1の真性非晶質系シリコン層(7nm)、p型非晶質系シリコン層(5nm)、及び第1の透明導電膜(70nm)をこの順に積層した。第1の真性非晶質系シリコン層は化学気相成長法により、p型非晶質系シリコン層は化学気相成長法により、第1の透明導電膜はIWOを用いたイオンプレーティング法により成膜した。なお、n型単結晶シリコン基板へのピラミッド状凹凸構造は、約3質量%の水酸化ナトリウムを含むエッチング液に基板材料を浸漬し、基板材料の(100)面を異方性エッチングすることにより形成した。
次いで、n型単結晶シリコン基板の他側に、第2の真性非晶質系シリコン層(7nm)、n型非晶質系シリコン層(5nm)及び第2の透明導電膜(10〜90nm)をこの順に積層した。第2の真性非晶質系シリコン層は化学気相成長法により、n型非晶質系シリコン層は化学気相成長法により、第2の透明導電膜はタンタル(Ta)及びチタン(Ti)ドープインジウム酸化物(酸化物換算含有量Ta0.5質量%、Ti0.5質量%)をスパッタリングターゲットに用いたスパッタリング法により成膜した。第2の透明導電膜のキャリア密度の測定値は、3×1020cm−3であった。
得られた層構造体の一側の面に、集電極として、平行な複数のバスバー電極と、このバスバー電極にそれぞれ直交する複数のフィンガー電極を形成した。この集電極は、銀ペーストを用いて印刷により形成した。一方、層構造体の他側の面に銀を用いたスパッタリング法により金属膜(200nm)を成膜した。このようにして、第2の透明導電膜の膜厚が異なる複数の図1のフロントエミッタ構造の光発電素子を得た。なお、第2の透明導電膜の膜厚が40nm以上70nm未満の範囲のものが実施例の光発電素子であり、前記範囲外のものが比較例の光発電素子である。
ピラミッド状凹凸構造を施したn型単結晶シリコン基板の一側に、第1のn型非晶質系シリコン層(3nm)、第2のn型非晶質系シリコン層(3nm)及び第1の透明導電膜(70nm)をこの順に積層した。次いで、n型単結晶シリコン基板の他側に、真性非晶質系シリコン層(7nm)、p型非晶質系シリコン層(5nm)及び第2の透明導電膜(10〜90nm)をこの順に積層した。得られた層構造体の一側の面に、集電極として、平行な複数のバスバー電極と、このバスバー電極にそれぞれ直交する複数のフィンガー電極を形成し、他側の面に金属膜(200nm)を成膜した。
第1のn型非晶質系シリコン層(ライトドープ)及び第2のn型非晶質系シリコン層(ハイドープ)の成膜条件は以下のとおりとした。他の層等の成膜方法は実施例1と同様とした。このようにして、第2の透明導電膜の膜厚が異なる複数の図2のリアエミッタ構造の光発電素子を得た。なお、第2の透明導電膜の膜厚が40nm以上70nm未満の範囲のものが実施例の光発電素子であり、前記範囲外のものが比較例の光発電素子である。
・第1のn型非晶質系シリコン層(ライトドープ)
基板温度200℃
原料ガスSiH4及びPH3
PH3の導入量800ppm
・第2のn型非晶質系シリコン層(ハイドープ)
基板温度200℃
原料ガスSiH4及びPH3
PH3の導入量8000ppm
得られた各光発電素子について、一側を光入射面として短絡電流Iscを測定した。測定結果を図3(a)、(b)に示す。なお、図3(a)、(b)において、横軸は、第2(裏面側)の透明導電膜の膜厚(Back side TCO thickness/nm)である。縦軸は、第2の透明導電膜の膜厚が70nmの光発電素子の短絡電流を基準とした規格化Iscである。
図3(a)、(b)に示されるように、フロントエミッタ構造及びリアエミッタ構造のいずれにおいても、第2(裏面側)の透明導電膜の膜厚を40nm以上70nm未満とすることでIscが向上することがわかる。
ピラミッド状凹凸構造を施したn型単結晶シリコン基板の一側に、第1の真性非晶質系シリコン層(7nm)及び第1の透明導電膜(70nm)をこの順に積層した。次いで、n型単結晶シリコン基板の他側に、第2の真性非晶質系シリコン層(7nm)、第2の透明導電膜(16nm、40nm、70nm)及び金属膜(200nm)をこの順に積層し、試験膜を得た。各層等の成膜方法は、実施例と同様とした。他側(裏側)の透明導電膜の膜厚が16nmのものを試験膜A、40nmのものを試験膜B、70nmのものを試験膜Cとした。
一側を光入射面として、各試験膜の光反射率を測定した。波長は900〜1200nmの範囲で、入射角は10〜60°の範囲で変化させて測定した。測定結果を図4に示す。図4の各グラフにおいて、縦軸は絶対反射率であり、横軸は測定波長である。なお、本試験例における多層構造体は光発電素子を構成せず、また、裏面側の第2の透明電極膜の厚さ以外は同じ構造である。従って、本試験例において測定される光反射率が高いことは、裏面側の構造に起因して反射する光(光電変換に再利用される光)の割合が高いことを示す。試験膜A(16nm)の絶対反射率は、試験膜B、Cに比べ低いことがわかる。また、試験膜B(40nm)と試験膜C(70nm)との絶対反射率は大きな差が無いことがわかる。すなわち、第2の透明導電膜の膜厚を薄くしたとき、40nmまでは、70nmの膜厚と同程度かそれ以上の反射性能があるといえる。
Claims (3)
- n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の一側にこの順で積層される第1の導電型非晶質系半導体層及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の他側にこの順で積層される第2の導電型非晶質系半導体層、第2の透明導電膜及び金属膜とを備え、
前記第1の導電型非晶質系半導体層及び前記第2の導電型非晶質系半導体層のいずれか一方がn型非晶質系半導体層であり、他方がp型非晶質系半導体層であり、
一側が光入射面として用いられる光発電素子において、
前記n型結晶半導体基板の両面には異方性エッチングによるピラミッド状凹凸構造が形成されており、
前記第2の透明導電膜の膜厚が40nm以上70nm未満であることを特徴とする光発電素子。 - 請求項1記載の光発電素子において、前記第2の透明導電膜の一側の面がピラミッド状凹凸構造を有することを特徴とする光発電素子。
- 請求項1又は2記載の光発電素子において、前記第2の透明導電膜のキャリア密度が1×1020cm−3以上5×1020cm−3以下であることを特徴とする光発電素子。
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Citations (5)
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WO2011034145A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム |
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Patent Citations (5)
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WO2011034145A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム |
JP2011146528A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Kaneka Corp | 多結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
JP2011149082A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物蒸着材と蒸着薄膜並びに太陽電池 |
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