TW201116968A - Pico-power reference voltage generator - Google Patents
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- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
Description
201116968 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明之揭示係有關一種改善了功率消耗、尺寸、及 易於設計且具有與現有設計類似的的溫度、供應電壓、及 製程變異敏感度小之改良式參考電壓產生器。 【先前技術】 由於環境及生醫感測器(biomedical sensor)應用上 的極大之興趣,所以最近在超低功率(Ultra-Low Power; 簡稱ULP )電路設計上已有了進展。這些系統通常包含用 於自包含功能之諸如線性穩壓器、類比至數位轉換器、及 射頻通訊區塊等的一些類比及混合信號模組。 參考電壓(Voltage Reference;簡稱VR)是這些模組 的關鍵性構建塊。線性穩壓器尤其需要一參考電壓,以便 將一固定的電壓位準供應到整個系統。因此,類比至數位 轉換器中之放大器採用數個偏壓。因此,一系統中通常必 須包含多個參考電壓電路。 VR被整合在功率預算不寬裕的無線感測系統,而這些 無線感測系統由於極有限的能量來源而通常小於幾百奈瓦 (nW )。因此,VR消耗極小的功率是極重要的。另一方 面,VR應能夠在寬廣的Vdd範圍內(尤其是接近或低於1伏 特)操作,這是因爲諸如能量採集(energy scavenging ) 單元等的某些電源提供了低輸出電壓。因此,現今對ULP 參考電壓於愈來愈高的需求。 -5- 201116968 本節提供了不必然是先前技術的與本發明揭示有關之 背景資訊。 【發明內容】 本發明提供了一種改良式參考電壓產生器。該參考電 壓產生器包含:一第一電晶體,該第一電晶體具有一閘極 ,該閘極被施加偏壓而將該第一電晶體置於一弱反轉模式 (weak inversion mode);以及與該第一電晶體串聯之— 第二電晶體’該第二電晶體具有一閘極,該閘極被施加偏 壓而將該第二電晶體置於一弱反轉模式,其中該第一電晶 體之臨界電壓小於該第二電晶體之臨界電壓,且該第二電 晶體之該閘極在電氣上被親合到該第二電晶體之汲極,而 形成一參考電壓之一輸出。 本節提供了本發明揭示的一般性槪要,而不是本發明 的完整範圍或本發明的所有特徵之一全面揭示。若參照本 說明書提供的說明’將可易於了解進一步的適用性領域。 本發明內容中之說明及特定例子之用意只是作爲例示,其 用意並非在限制本發明揭示之範圍。 【實施方式】 現在將參照各附圖而說明一些實施例。提供了 一些實 施例’以便本揭示將是徹底的,且將本發明之範圍完整地 傳遞給熟悉此項技術者。述及了諸如特定組件、裝置、及 方法之例子等的許多特定細節,以便提供對本發明揭示的 -6 - 201116968 實施例之徹底了解。熟悉此項技術者當可了解:無須採用 該等特定細節,可以許多不同的形式實施各實施例,且這 些不應被詮釋爲對本發明揭示範圍的限制。 第1A及1B圖示出根據本發明揭示的原理的一改良式參 考電壓產生器10之一基本電路結構。由被串聯在一供應電 壓(VDD )與一接地電壓(Vss )之間的兩個電晶體Ml及 M2構成參考電壓產生器10。VDD及Vss可以是傳統的供應 電壓(例如,自一電源或電池汲取的供應電壓),或者可 以是自其他裝置(例如,其中包括所提出的技術之任何種 類的參考電壓產生器)產生的參考電壓。 請注意,該第一電晶體Μ 1之臨界電壓小於該第二電晶 體M2之臨界電壓。本發明之揭示考慮到實現所需臨界電壓 的不同方式,且該等方式可包括(但不限於)不同的臨界 佈値物、不同的閘極尺寸、不同的氧化物厚度、以及不同 的基體偏壓(body bias)。無論如何,該第一臨界電壓與 該第二臨界電壓間之差異通常將超過150毫伏,且最好是 超過200毫伏,以便實現最合需要的工作特性。然而,該 設計將在較小的差異下起作用。 在操作間,該第一電晶體Μ 1及該第二電晶體M2之閘 極-源極電壓必須被設定成保證使兩個電晶體都在一弱反 轉工作模式(通常也被稱爲次臨界區(subthreshold region ))下工作。藉由使該等電晶體在一弱反轉模式( 而非在一飽和區)下工作,該產生器的功率消耗將比現有 的設計大幅減少。此外,Ml及M2上的汲極-源極電壓應大 201116968 於大約3ντ,其中ντ是熱電壓(thermal volatge)。將這些 假設與一習知的次臨界電流方程式結合之後,顯示參考電 壓V r E F値爲:
Κηλ +^2-Κ>+ ηψι,Ρτ In 其中mi是電晶體Mi的次臨界斜率因子(subthreshold slope factor ) ,Vth,iS電晶體Mi的臨界電壓,/z i是電晶體Mi的 電荷載子遷移率(mobility),〜;是電晶體Mi的閘極寬度 ,且Li是電晶體ΜΊ的閘極長度。唯有的與溫度相依之量是 Vth>1、Vth,2、及uT,該等量具有與溫度間之線性相依。請 注意,VB也可具有線性相依,但將在下文中作進一步之說 明。因此,參考電壓VREF是溫度的一線性函數(其中線性 斜率可以是零,而指示對溫度的不敏感),且可改變電晶 體尺寸(W丨、L丨、W2 ' L2)而調整該線性函數。 可經由電晶體尺寸的改變,而將VREF的溫度相依自與 絕對溫度成比例(Pr〇Porti〇nal-To-Absolute Temperature ;簡稱PTAT )改變爲與絕對溫度互補(Complementary-To-Absolute Temperature;簡稱 CTAT),或改變爲與溫度 無關。例如,針對超低功率消耗而將製程設計規則容許的 最大閘極長度(L1 = L2 = 60微米)用於這兩個裝置,而選擇 寬度(W1 = 3.3微米,W2=1.5微米),以便將溫度敏感性最 小化。不適當的尺寸改變可能對溫度係數有不良影響。因 爲經由寄生金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)電 容的耦合可能影響到電源拒斥比(P〇wer suppiy rejection 201116968 ratio ),所以可針對信號的強健性而加入一輸出電容。較 大的輸出電容値提供了交加的電源拒斥比。 在一實施例中,第一電晶體Μ 1之閘極被連接到將該電 晶體的偏壓施加到一弱反轉模式之一偏壓(VB )。該第二 電晶體M2被配置成一被二極體連接的電晶體,其中該電晶 體的閘極被連接到其汲極,因而該共用之閘極/汲極端用 來作爲該參考電壓產生器之輸出Vref。本發明之揭示也預 想了符合前文中述及的操作準則之一些其他電晶體配置。 第1A圖示出以η型電晶體實施之參考電壓產生器10。 在該配置中,第一電晶體Ml之汲極在電氣上被耦合到一供 應電壓,該第一電晶體之源極在電氣上被耦合到該第二電 晶體之汲極,且該第二電晶體之源極在電氣上被耦合到一 接地電壓》 相反地,第1B圖示出以p型電晶體實施之參考電壓產 生器10。因此,該第二電晶體之源極在電氣上被耦合到一 供應電壓,該第二電晶體之汲極在電氣上被耦合到該第一 電晶體之源極,且該第一電晶體之汲極在電氣上被耦合到 —接地電壓。在此種方式下,參考電壓是參考VDD,而非 參考vs s。 在該實施例中,該第一及第二電晶體被進一步界定爲 金屬氧化物半導體場效電晶體。更具體而言,可以具有接 近零的臨界電壓Vth之一 M0SFET電晶體實施該第一電晶體 Ml,因而該第一電晶體Ml即使在負Vgs下仍保持在弱反轉 模式。範圍自0.25微米至65奈米的晶圓廠技術可廣泛地作 201116968 出這些類型的ζντ裝置。可以一輸入/輸出(I/O ) MO SFET裝置實施該第二電晶體M2。這兩個電晶體都有用 來支援高Vdd之厚閘極氧化物。本發明之揭示也考慮到其 他類型的電晶體。 已經在其中包括0.18微米製程、0.13微米製程、及65 奈米製程的多種電路製程中以工業標準的電路模擬軟體廣 泛地模擬及製造了參考電壓產生器10。係針對與溫度無關 、只有3.6 ppm/t的溫度係數之輸出電壓175.5毫伏、 0.03 3%/伏特的供應電壓相依 '以及2.2微微瓦的功率消耗 而設計所製造的參考電壓產生器。此外,1350平方微米基 準配合低至0.5伏特的供應電壓而操作,而在該供應電壓 下將消耗2.2微微瓦。 第2A-2C圖示出以η型電晶體實施的參考電壓產生器10 之三個實施例。對偏壓VB的選擇是極重要的,這是因爲該 電壓的溫度相依將改變VREF的溫度相依。在第2B圖中,該 第一電晶體Ml的閘極可被連接到與溫度無關的接地電壓 Vss。我們也應可了解:縱然其被連接到Vss,亦可如前文 所述地改變W及L的尺寸,而使其與溫度成線性關係。在 第2C圖中,該第一電晶體Ml之閘極被連接到具有線性溫 度相依(且線性斜率仍然可呈現零値)之參考電壓VREF。 在第2C圖中,該第一電晶體之閘極被連接到一外部電壓 VIN,該外部電壓VIN具有由電路設計者決定的溫度相依( 例如,ViN可以是另一參考電壓產生器之輸出)。仍請注 意,可以如第3A-3C圖所示之P型電晶體實施每一實施例。 -10- 201116968 第4A_4C圖中示出該參考電壓產生器之額外的電路配 置。第4A圖示出如何在VDD與參考電壓產生器1〇之間串聯 加入一電壓降41,以便限制該產生器本身兩端下降的最大 電壓。第4B圖示出如何串接兩個或更多個參考電壓產生器 1〇而輸出較高的電壓。請注意,可使用多個基於N型的結 構及/或基於P型的結構,而延伸該串接,以便產生各種 參考電壓。第4C圖示出如何以兩個或更多個電晶體取代該 第二電晶體M2而產生較低的參考電壓。 製程敏感性是大部分參考電壓產生器的一常見問題, 且通常經由修整(t r i m m i n g )而解決製程敏感性。然而, 修整通常是一種耗用時間/成本的製程,尤其涉及在能隙 參考電壓產生器(bandgap voltage reference generator) 的情形中以雷射修整(laser trimming )電阻時更是如此。 因此,我們提出了一種可以數位方式修整的參考電壓產生 器設計,以便改善晶粒的溫度係數及輸出電壓準確性,且 減少修整時間及成本,對0 · 1 3微米的原型晶片之量測顯示 修整能夠使溫度係數及標稱輸出電壓在25個晶粒中有較密 集的分佈。溫度係數是介於5.3 ppm/°C與47.4 ppmTC之間 ,且標稱輸出電壓與平均値之間有±0.4 %的變動。該參考 電壓產生器在0.5伏特及25 °C下消耗了 29.5微微瓦。 爲了將溫度係數及輸出電壓分佈最小化,第5圖中示 出具有數位修整的一參考電壓產生系統50。從上到下的裝 置寬度比對溫度係數及輸出電壓是極重要的。然而,每一 晶片於設計時的最佳寬度比可能由於製程變化而不是理想 -11 - 201116968 的。因此,能夠在矽製程之後改變寬度比是有利的。 在該實施例中,係爲繞著一參考電壓產生器51而建構 參考電壓產生系統50,該參考電壓產生器51被用來作爲該 系統輸出的參考電壓之基線。根據前文中述及的原理而建 構基線參考電壓產生器51。複數個可選擇的電晶體52、53 被並聯到基線參考電壓產生器51的第一電晶體或第二電晶 體(或如圖所示的兩個電晶體)。可想到當該系統包含如 圖所示的複數個可選擇之上及下電晶體時,可取消該基線 參考電壓產生器。 請注意,該複數個可選擇的電晶體之閘極具有不同的 寬度尺寸。例如,與該第一(或上)電晶體並聯耦合之該 複數個可選擇的電晶體52之閘極寬度尺寸係自原生裝置的 最小寬度(3微米)逐漸增加;而與該第二(或下)電晶 體並聯耦合之該複數個可選擇的電晶體53之閘極寬度尺寸 的範圍及分割程度(granularity)係以2的乘方之方式改變 。可選擇性地開啓或關閉該等可選擇的電晶體,以便改變 被並聯配置的該等電晶體之有效閘極寬度。在此種方式下 ,可改變該參考電壓之有效寬度比。本發明之揭示也考慮 到該等可選擇的電晶體之其他尺寸改變配置。 可將複數個控制開關5 5用來選擇性地控制可選擇的電 晶體52、53之操作。藉由將控制信號bmod及tmod施加到該 等控制開關,即可改變上至下寬度比。在該實施例中,可 自具有256個不同的設定値之0·52至3.75改變該上至下寬度 比。自0至Vdd的控制信號擺動不需要額外的供應電壓。諸 -12- 201116968 如熔絲等的一次可程式記憶體提供了具有最小功率損耗之 信號。一旦一或多個控制信號被關閉之後,被連接到該等 控制信號之任何可選擇的電晶體對輸出電壓只有可以忽略 的影響,而表現爲不連接的電容。最後,可加入一輸出電 容59 (例如’ 0.8pF ),用以抑制對輸出電壓的雜訊效應 〇 可將該可修整的參考電壓用來實現一貫地小的溫度係 數及/或極緊密的輸出電壓範圍。第6A及6B圖示出對第一 及第二製造批的輸出電壓範圍之量測結果。在第6 A圖中, 三個標準差(3σ)內之輸出電壓分佈自未被修整時的輸 出電壓分佈減少了大約3·;5Χ,而第6Β圖示出最壞狀況下之 溫度係數減少了將近8Χ。 設計目標很有可能將符合在與所需輸出電壓有最小的 偏差下之指定溫度係數限制。第7 Α及7Β圖示出在可修整的 參考電壓的不同設定値下之溫度係數及輸出電壓設計空間 。第7A圖示出:對於上裝置之諸如22微米等的某一總寬度 而s ’將下裝置之總寬度設疋爲10微米時,將溫度係數最 小化。觀察一清楚的趨勢,其中一特定寬度比導致最小溫 度係數,而在該矩陣中形成一對角線。同樣地,輸出電壓 在不同的設定値下將改變,且係直接與該寬度比相依。第 7B圖中之對角線再度確認了此種情形。 針對使最短修整時間與最佳性能間之平衡的提出之參 考電壓而開發出一修整程序。爲了減少測試時間,限制了 該修整程序期間的修整設定次數及溫度。在兩個溫度點
S -13- 201116968 (-20及80 °C )上,掃描使用了兩個上裝置及八個下裝置 寬度之16個設定値,而量測輸出電壓。然後,針對特定設 計目標而選擇每一晶粒的一最佳設定値。該目標是在小於 50 PPm/°C的溫度係數下將輸出電壓分佈最小化。在選擇 了適當的設定値之後,在一較精細的溫度分割程度下測試 每一參考電壓,且觀察是否仍然符合該溫度係數限制。 總結而言,根據本發明揭示的當前原理之參考電壓產 生器在四個關鍵性領域中對現有的設計作了改良:功率消 耗、設計複雜度、面積、以及最低供應電壓。係爲了例示 及說明而提供了前文中對該等實施例之說明。該說明將不 具有耗盡性,且非對本發明加以限制。特定實施例的個別 元件或特徵縱然並未被特別示出或說明,通常不限於該特 定實施例,而是在可適用時,將是可互換的,且可被用於 所選擇的實施例。上述原則也可以許多方式加以改變。這 類變化將不被視爲脫離了本發明,且所有此類修改將被包 含在本發明的範圍內。 本說明書中使用的術語只是用來說明特定實施例,且 將不具有限制性。在本說明書的用法中,除非上下文中另 有清楚的指示,否則單數形式"一”(”a”或”an")及"該"( "the")將也包含複數形式。術語"包含’,("comprises"或 "comprising")、"包括"("including")、及"具有"( "having")是蘊含的,且因而指定了被陳述的特徵、完整 事物、步驟、操作、元件、及/或組件的存在,但並不排 除一或多個其他特徵、完整事物 '步驟、操作、元件、組 _ 14 - 201116968 件、及/或前述各項之群組的存在或加入。除非以執行順 序之方式特別指出,否則本說明書中述及的方法步驟、程 序、及操作將不被詮釋爲必然要求其按所述或所示之執行 順序被執行。我們也應可了解:可採用額外的或替代的步 驟。 【圖式簡單說明】 弟1A及1B圖是分別以π型電晶體及p型電晶體實施的一 改良式參考電壓產生器之示意圖; 第2A-2C圖是根據各實施例而以η型電晶體實施的參考 電壓產生器之示意圖; 第3 A-3C圖是根據各實施例而以ρ型電晶體實施的參考 電壓產生器之示意圖; 第4Α圖是與一電壓降組件串聯的參考電壓產生器之一 示意圖; 第4Β圖是與另一參考電壓產生器串接的參考電壓產生 器之一示意圖; 第4C圖是被配置成產生較低電壓的參考電壓產生器之 一不意圖; 第5圖是具有數位修整能力的一參考電壓產生器之一 示意圖; 第6 Α及6Β圖分別示出對一參考電壓產生器的輸出電壓 及溫度係數分佈的量測結果之圖形;以及 第7 A及7B圖示出針對可修整的參考電壓中之不同設定 201116968 的溫度係數及輸出電壓設計空間之圖形。 本說明書中所示之該等圖式只是用於解說—些被選擇 的實施例且非所有可能的實施例,該等圖式之用意並非在 限制本發明揭示之範圍。應的代號指示該等圖式中之數個 圖式的對應之部分。 【主要元件符號說明】 10,51 :參考電壓產生器 41 :電壓降 50:參考電壓產生系統 52,53 :電晶體 5 5 :控制開關 59 :輸出電容 -16-
Claims (1)
- 201116968 七、申請專利範圍: i一種參考電壓產生器,包含: 一第一電晶體,該第一電晶體具有一第一臨界電壓及 〜閘極’該閘極被施加偏壓而將該第一電晶體置於一弱反 轉模式;以及 與該第一電晶體串聯之一第二電晶體,該第二電晶體 具有一第二臨界電壓及一閘極,該閘極被施加偏壓而將該 第二電晶體置於一弱反轉模式,其中該第一臨界電壓小於 該第二臨界電壓,且該第二電晶體之該閘極在電氣上被耦 合到該第二電晶體之汲極,而形成一參考電壓之一輸出。 2. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第—臨界電壓與該第二臨界電壓間之差異超過150毫伏。 3. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第~~電晶體具有大約爲零的一臨界電壓^ 4. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第〜及第二電晶體具有比一熱電壓的三倍多之一汲極至源 極電壓。 5. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第~~電晶體之該閘極在電氣上被耦合到一接地電壓。 6. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第〜電晶體之該閘極在電氣上被耦合到該參考電壓。 7. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第一及第二電晶體是η型電晶體’因而該第一電晶體之汲 極在電氣上被耦合到一供應電壓,該第一電晶體之源極在 -17- 201116968 電氣上被耦合到該第二電晶體之汲極,且該第二電晶體之 源極在電氣上被耦合到一接地電壓。 8. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第一及第二電晶體是p型電晶體,因而該第二電晶體之源 極在電氣上被耦合到一供應電壓,該第二電晶體之汲極在 電氣上被耦合到該第一電晶體之源極,且該第一電晶體之 汲極在電氣上被耦合到一接地電壓。 9. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,其中該 第一及第二電晶體被進一步界定爲金屬氧化物半導體場效 電晶體。 10. 如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,進—步 包含與該參考電壓產生器串接之一第二參考電壓產生器, 用以輸出比該參考電壓產生器輸出的該參考電壓高之一電 壓。 11·如申請專利範圍第1項之參考電壓產生器,進一步 包含與該第二電晶體串聯之一第三電晶體,其中該第三電 晶體之閘極在電氣上被耦合到該第三電晶體之汲極,而形 成低於該第二電晶體輸出的該參考電壓的一電壓之一輸出 〇 I2.如申請專利範圍第11項之參考電壓產生器,其中 該第一、第二、及第三電晶體是η型電晶體,因而該第一 電晶體之汲極在電氣上被耦合到一供應電壓,該第一電晶 體之源極在電氣上被耦合到該第二電晶體之汲極,該第二 電晶體之源極在電氣上被耦合到該第三電晶體之汲極,且 -18- 201116968 該第三電晶體之源極在電氣上被耦合到一接地電壓。 13. —種參考電壓產生器,包含: 在一弱反轉模式中操作之一第一電晶體,該第一電晶 體具有一源極、一汲極、及一閘極;以及 在一弱反轉模式中操作之一第二電晶體,該第二電晶 體具有在電氣上被耦合到該第一電晶體的源極之汲極、及 在電氣上被耦合到該汲極之閘極,而形成一參考電壓之一 輸出,該第二電晶體具有大於該該第一電晶體的臨界電壓 之一臨界電壓,其中該第一及第二電晶體具有比一熱電壓 的三倍多之一汲極至源極電壓。 14. 如申請專利範圍第13項之參考電壓產生器,其中 該第一臨界電壓與該第二臨界電壓間之差異超過2 00毫伏 〇 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之參考電壓產生器,其中 該第一電晶體之閘極在電氣上被耦合到一接地電壓。 16. 如申請專利範圍第13項之參考電壓產生器,其中 該第一電晶體之閘極在電氣上被耦合到該參考電壓。 17. 如申請專利範圍第13項之參考電壓產生器,其中 該第一及第二電晶體是η型電晶體,因而該第一電晶體之 汲極在電氣上被耦合到一供應電壓,且該第二電晶體之源 極在電氣上被耦合到一接地電壓。 18. 如申請專利範圍第13項之參考電壓產生器,其中 該第一及第二電晶體是ρ型電晶體,因而該第二電晶體之 源極在電氣上被耦合到一供應電壓,且該第一電晶體之汲 •19- 201116968 極在電氣上被耦合到一接地電壓。 19· —種可修整之參考電壓系統,包含 一第一電晶體,該第一電晶體具有一 一閘極,該閘極被施加偏壓而將該第一電 轉模式; 與該第一電晶體串聯之一第二電晶體 具有一第二臨界電壓及一閘極,該閘極被 第二電晶體置於一弱反轉模式,其中該第 該第二臨界電壓,且該第二電晶體之該閘 合到該第二電晶體之汲極,而形成一參考 以及 與該第一電晶體及該第二電晶體中之 聯之複數個可選擇的電晶體,其中該複數 體之閘極具有不同的寬度尺寸。 20. 如申請專利範圍第19項之可修整 ,進一步包含:複數個第一控制開關,因 開關中之一者被配置在供應電壓與該複數 體中之一者之間,且該複數個可選擇的電 晶體並聯;以及一控制模組,用以選擇性 第一控制開關。 21. 如申請專利範圍第20項之可修整 ,進一步包含與該第二電晶體並聯之複數 的電晶體、及複數個第二控制開關,因而 關中之一者被配置在該複數個額外的可選 第一臨界電壓及 晶體置於一弱反 ,該第二電晶體 施加偏壓而將該 一臨界電壓小於 極在電氣上被耦 電壓之一輸出; 至少一電晶體並 個可選擇的電晶 之參考電壓系統 而該等第一控制 個可選擇的電晶 晶體與該第一電 地控制該複數個 之參考電壓系統 個額外的可選擇 該等第二控制開 擇的電晶體中之 -20- 201116968 一者與一接地電壓之間。 22·如申請專利範圍第19項之可修整之參考電壓系統 ,進一步包含:複數個第一控制開關,因而該等第—控制 開關中之一者被配置在該複數個可選擇的電晶體中之一者 與一接地電壓之間,且該複數個可選擇的電晶體與該第二 電晶體並聯;以及一控制模組,用以選擇性地控制該複數 個第一控制開關。 .£ -21 -
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