TW201108321A - Method for etching of silicon surfaces - Google Patents

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Description

201108321六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明與一種餘刻石夕表面的方法有 對矽晶圓的表面進行金字塔型結構 ture)蝕刻有關。 關’更特別地是，與 (Pyramidal tex- [0002] o [先前技術3 EP 〇 944 114 _述一種利用濕化學方 刻出金字塔型結構的方法，其中， 蝕 女甘B w * 共甲會添加—钮刻溶液， 矣異丙㈣及㈣。而彻已知㈣刻溶液切 表面上形成金字塔型_結構需要至少25至3〇分鐘相當 長的處理時間’以及8rC至85。。相當高的處理温度。除 此之外’利用該已知钮刻溶液形成的金字塔型餘刻結構 不會具有特別好的均句性，因此，經處i㈣表面上所 產生的金字塔㈣度、尺相及尺寸分佈會制的不同
該已知蝕刻溶液的另一個缺點是，在蝕刻„反應期間會 產生因異丙醇揮發以及氫氣釋放所造&的具爆炸性氣體 混合物，由於此，必須要不澌地自包含該蝕刻溶液的處 理槽（basin)中將空氣抽離。 該已知姓刻溶液的另一個缺點是，在使用該蝕刻溶液8至 10次後，該金字塔型蝕刻結構的品質會大幅地下降，為 了維持足夠高品質的該蝕刻結構，就必須要相當頻繁地 更新該蝕刻溶液。 【發明内容】 [0003]本發明的目的即在於消除習知技術的一些缺點，特別是 099117944 表單編號A0101 第3頁/共13頁 0993319872-0 201108321 ，在於具體指明一種可以快速且簡單地在矽表面上形成 均勻的金字塔型蝕刻結構的方法，特別地是，該金字塔 型蝕刻結構的品質以及程序的效率可以獲得改善，另外 ，根據本發明的另一目標所提出的是一種新的用途。 此目的是利用申請專利範圍第1、13以及15項的特徵而達 成，至於本發明具有優勢的實施例則是得自於申請專利 範圍第2至12項、第14項以及第16與17項的特徵。 根據本發明，一種用於蝕刻矽表面的方法所提供的步驟 如下： 提供溫度50° C至95 °C、且包含至少一親水膠體的鹼性親 水膠體蝕刻水溶液， 使該矽表面與該親水膠體蝕刻溶液接觸指定的持續期間 ;以及 自該矽表面移除該親水膠體蝕刻溶液。 以本發明所提出的方式使用該親水膠體蝕刻溶液，可以 降低異丙醇的添加量、或是可以避免異丙醇的添加，再 者，令人驚訝地，變得顯而易見地是，親水膠體的添加 會縮短蝕刻程序的持續期間，且同時亦能形成具有極佳 均勻品質的金字塔型蝕刻結構。 根據本發明的概念，用語“多個親水膠體”可解釋為表 示可溶於水中成為膠狀體且表現出強烈凝膠能力的一群 多醣體及蛋白質，至於用語“一親水膠體”則可解釋為 表示由特定化學合成物所定義的親水膠體。 所提出的方法特別適合於在矽晶圓的矽表面上形成金字 塔型蝕刻結構，但除此之外，本發明所提供的方法亦適 合於光學或電化學感測器、催化劑、電極、以及類似者 099117944 表單編號A0101 第4頁/共13頁 0993319872-0 201108321 的濕化學結構蝕刻。 該待處理的料面具有—個⑴〇方肖，@ 提供的錄㈣成賴刻金字塔具有（111)表面，該親 水朦體關溶料财表s接觸的賴顧會影響所產 生的刻金字料尺寸，本錢具㈣常知識者可以根 據要產生⑽刻金字塔的尺寸㈣擇適合的持續期間。 根據本發明的較佳實施例’在該親水㈣軸溶液中包 含的至少一親水膠體的濃度為〇.〇1至2.0 g/ι，較佳為 0.01至0.99 g/1，較有利地是將該親水膠體蝕刻溶液的 溫度設定在65。(：至9(TC，較佳為68飞至85。(>再者， 已證實有魏是切表面触親水㈣⑪财祕觸5至 25分鐘的期間’較佳為10至2〇分鐘。一個極佳結果的達 成條件疋，接觸時間1〇分鐘以及溫度範圍為“乂至”乂 ，所產生的金字塔型蝕刻結構則是在姓刻金字塔的密度 、尺寸以及尺寸分佈等各方面都可提供極佳的均勻度。 根據另外的較佳實施例，親j永:膠邀蝕刻落液是藉由將至 少一親水膠體添加至蝕刻水液中而製成，其中，蝕刻 水溶液可以是藉由將驗金屬"氩:氣化物溶解於水中所製成 ，在此，特別地是，KOH、或NaOH可以被使用作為該鹼金 屬氫氧化物’另外，也可以使用前面所提及的鹼金屬氫 氧化物的混·合物。 有利地，親水膠體蝕刻溶液中包含的鹼金屬氫氧化物的 濃度為10至90 g/Ι，較佳地為15至30 g/Ι。 根據本發明所提供的方法的另一實施例，下列親水膠體 中的至少一親水膠體會被添加至該水溶液：澱粉、纖維 素、纖維素醚、果膠、阿拉伯膠、瓊脂、褐藻膠、聚葡 099117944 表單編號A0101 第5頁/共13頁 0993319872-0 201108321 萄糖、明膠、三仙膠。就此而言，已經證實特別具有優 勢地是，在製造該親水膠體蝕刻溶液時，將水溶液中的 至少一親水膠體添加至該蝕刻溶液裡，其中，有利地， 該水溶液為鹼性。 親水膠體蝕刻溶液亦可以包含異丙醇。而令人驚訝地， 將親水膠體添加至習知的含異丙醇蝕刻溶液中可以對該 蝕刻結構造成顯著的改善，並且，特別地是，被視為耗 盡的習知蝕刻溶液可以藉由添加至少一親水膠體而獲得 更新，因此，其可被使用的時間明顯較長，換言之，要 處理的物質的數量可顯著地增加，進雨改善習知蝕刻溶 液的效率。 根據本發明的進一步提供，建議利用含有至少一親水膠 體的親水膠體蝕刻溶液以及水溶液中的Κ0Η或NaOH來調整 (cond i t i on )裝盛用以餘刻石夕表面的餘刻溶液的槽， 令人驚異地，所提出用於該容器的調整、或參數可以讓 包含隨後添加之異丙醇的習知蝕刻溶液在效率上有所增 進。 有利地，用來調整該容器的親水膠體蝕刻溶液包含濃度 為0.01至2.0 g/Ι，較佳為0. 01至0. 99 g/Ι的親水膠體 〇 根據本發明的進一步提供，將至少一親水膠體作為添加 物加入用於矽表面蝕刻的包含異丙醇的鹼性蝕刻溶液中 的用途，其中，可將該至少一親水膠體以能讓所形成的 親水膠體溶液的濃度為0.01至0.2 g/Ι，較佳為0.01至 0.99 g/Ι的量而加入該蚀刻溶液中，並且，令人驚異地 ，所提出的將親水膠體作為添加物而加入用於蝕刻矽表 099117944 表單編號A0101 第6頁/共13頁 0993319872-0 201108321 [0004] 〇 面的習知蝕刻溶液中的用途可得到極佳的結果，特別是 對矽表面的金字塔型結構蝕刻。 利用前述的用途，該至少一親水膠體可具優勢地選自下 列的群組：澱粉、纖維素、纖維素醚、果膠、阿拉伯膠 、瓊脂、褐藻膠、聚葡萄糖、明膠、三仙膠。 當然，亦可能使用數種親水膠體的混合物來製造該親水 膠體蝕刻溶液。 【實施方式】 為了形成在第1圖中所顯示的金字塔型蝕刻結構，使用由 蝕刻水溶液以及含有該親水膠體的鹼性水溶液製成的親 水膠體蝕刻溶液，蝕刻水溶液是利用將1250克的K0H溶解 於90升的水中製成，而該包含親水膠體的水溶液則是藉 由將羧甲基纖維素以及果膠溶解於4升的水中製成，因此 ，羧曱基纖維素與果膠的重量比約為8 : 1，接著，將含 親水膠體的水溶液與該蝕刻水溶液混合，在80°C的溫度 下將矽晶圓浸入所準備的親水膠體蝕刻溶叙中處理20分 ❹ 鐘的期間，如第1圖所示，利用此方法形成的表面具有的 蝕刻金字塔型的尺寸會落於灼2至5 μιη的範圍内，在該矽 晶圓的每個石夕表面上總共蚀刻1 0 μιη。 在另一親水膠體蝕刻溶液中，藉由將3600克的Κ0Η顆粒加 入90升的水中製成蝕刻水溶液，包含該親水膠體（亦即 ，羧曱基纖維素以及果膠，較佳地以6 : 1的比例）的水 溶液被添加至該蝕刻水溶液中，接著，將所準備的親水 膠體蝕刻溶液加熱至75°C，在10分鐘的處理期間，在矽 表面上形成金字塔型蝕刻結構，該蝕刻金字塔具有平均 約12 μιη的尺寸，第2圖顯示在矽表面上形成的金字塔型 099117944 表單編號A0101 第7頁/共13頁 0993319872-0 201108321 蝕刻結構。第1圖以及第2圖顯示的矽表面切面每一個尺 寸為（50 X 50 μηι)。 為了製造用於更新例如包含異丙醇的習知蝕刻溶液的添 加物，形成包含0. 3至0. 9 g/Ι (較佳為0. 5至0. 7 g/1) 的親水膠體的水溶液，舉例而言，此為羧曱基纖維素以 及果膠的混合物，羧甲基纖維素：果膠的重量比可以是6 :1至大約8 : 1，所提出的添加物以其包含的親水膠體約 為10至30 mg (較佳為15至20 mg)的量而被加入到習知 #刻溶液中。由於該添加物的作用，相較於習知的#刻 溶液，要被處理的矽晶圓的數量加倍，同時維持相同的 蝕刻品質，有可能利用該添加物而多次更新該蝕刻溶液 〇 ψΨζ SftSCPIL、 ，〇:.Vv 於前面所敘述的實例中，在包含親水膠體的水溶液中， 羧曱基纖維素：果膠的混合比例有利地為6 : 1至8 : 1， 在親水膠體蝕刻溶液中，親水膠體的濃度有利地為0. 1至 2.0 g/Ι 。 特別地，該親水膠體果膠與另一親水膠體（較佳是纖維 素，特別是羧甲基纖維素）的結合被認為是有利的，因 為當親水膠體在該親水膠體蝕刻溶液中的最大總濃度為 相對而言較低的2. 0 g/Ι時，其即已能夠達到一具極佳效 率以及品質的金字塔型結構蝕刻，親水膠體纖維素/果膠 的組合包含的纖維素可以超過重量百分比50，較佳超過 重量百分比60，特佳超過重量百分比70，而剩下的部分 則為果膠。 【圖式簡單說明】 [0005] 現在，將以圖式作為基礎，並利用實例而對本發明進行 099117944 表單編號A0101 第8頁/共13頁 0 201108321 更詳細的敘述，圖式如下： 第1圖：在矽表面（50 X 50 刻結構；以及 第2圖：在矽表面（50 X 50 刻結構。 wm)上的第—金字塔型姓 um)上的第二金字塔型蝕 【主要元件符號說明】 [0006]無
099117944 表單編號A0101 第9頁/共13頁 0993319872-0

Claims (1)

  1. 201108321 七、申請專利範圍： 1 . 一種蝕刻矽表面的方法，包括下列步驟： 準備在50°C至95°C的一溫度且包含至少一親水膠體的一 驗性親水膠體#刻水溶液； 使該矽表面與該親水膠體蝕刻溶液接觸一指定的持續期間 ;以及 自該矽表面移除該親水膠體蝕刻溶液。 2 .如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，該至少一親水 膠體是以0.01 g/Ι至2.0 g/Ι的一濃度，較佳為0.01 g/Ι至0. 99 g/Ι的一濃度，被包含在該親水膠體蝕刻溶 液中。 3 .如前述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中該親水膠 體蝕刻溶液的該溫度被設定在65 °C至90 °C。 4 .如前述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中該矽表面 與該親水膠體蝕刻溶液接觸5至25分鐘，較佳為10至20分 鐘的一期間。 5 .如前述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中該親水膠 體蝕刻溶液是藉由在一蝕刻水溶液中添加至少一親水膠體 而製成。 6 .如前述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中該蝕刻水 溶液是藉由將一鹼金屬氫氧化物溶解於水中而製成。 7.如前述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中KOH、或 NaOH被使用作為該鹼金屬氫氧化物。 8 .如前述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中該鹼金屬 氫氧化物是以10至90 g/Ι的一濃度，較佳為15至30 099117944 表單編號A0101 第10頁/共13頁 0993319872-0 201108321 g/1的一濃度，被包含在該親水膠體蝕刻溶液中。 則述申请專利範圍中任__項所述的方法，其中下列親水 至夕其中之一作為親水膝體被添加至該钱刻水溶液中 ，：澱粉、纖維素、纖維素鍵、果勝、阿拉伯膝、複脂、褐 藻膠、聚葡萄糖、明膠、三仙膠。 如剛述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中異丙醇被 匕含在該親水膝體姓刻溶液中。 .如别述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中水溶液中
    099117944 的>亥至；>'一親水膠體被添加至該餘刻溶液中以形成該親 水勝體钱刻溶液。 .如刖述申請專利範圍中任一項所述的方法，其中該水溶液 為驗性。 13 .一種以一親水膠餿蝕刻溶液調整裝盛用於蝕刻一矽表面的 —蝕刻溶液的一槽的用途，其中該親水膠體蝕刻溶液包含 水溶液中的至少一親水膠體以及Κ0Η、或NaOH。 14 .如申請專利範圍第丨3項所述的用途，其中蠢至少一親水膠 體以〇. 01 g/Ι至2. 0 g/Ι鉍一濃度，較佳為〇. 01 §/1至 〇· 99 g/Ι的一濃度，包含在該親水膠體蝕刻溶液中。 . 種將至少一親水勝趙作為一添加物而添加至包含異丙醇 的用於姓刻一石夕表面的一鹼性蚀刻溶液中的用途。 16 ·如申請專利範圍第13至15項中任一項所述的用途，其中 該至少一親水膠體是選自下列群組：澱粉、纖維素、纖維 素醚、果膠、阿拉伯膠、瓊脂、褐藻膠、聚葡萄糖、明膠 、三仙谬。 如申請專利範圍第15或16項所述的用途，其中該至少一 親水膠體是以所得的親水膠體溶液的一濃度為〇. 〇1至2 〇 表單編號A0101 第11頁/共13頁 〇qq< 17 201108321 g/l，較佳為0.01至0.99 g/l，的一量而被添加至該蝕 刻溶液中。 099117944 表單編號A0101 第12頁/共13頁 Ο 〇 0993319872-0
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI419958B (zh) * 2010-09-10 2013-12-21 Jou Wei Tseng 矽基材之蝕刻液及蝕刻方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120112321A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Solarworld Industries America, Inc. Alkaline etching liquid for texturing a silicon wafer surface
KR20120136881A (ko) * 2011-06-10 2012-12-20 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
KR20120136882A (ko) * 2011-06-10 2012-12-20 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
WO2013002502A2 (ko) * 2011-06-28 2013-01-03 동우화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
CN102719132B (zh) * 2012-06-07 2015-06-24 彭朝兵 导电聚合物蚀刻油墨及制备方法
CN102751384A (zh) * 2012-07-07 2012-10-24 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种晶体硅表面织构方法
MY168909A (en) * 2012-08-10 2018-12-04 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd Etching fluid for forming texture and texture-forming method using same
CN103980905B (zh) * 2014-05-07 2017-04-05 佛山市中山大学研究院 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用
KR102618423B1 (ko) * 2016-08-19 2023-12-27 오씨아이 주식회사 실리콘 텍스쳐링 조성물 및 이의 제조방법
CN108242477B (zh) * 2016-12-27 2020-03-24 中国科学院上海高等研究院 层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
CN107338480A (zh) * 2017-08-24 2017-11-10 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 一种单晶硅硅片制绒方法及其制绒添加剂
CN113502163B (zh) * 2021-09-10 2021-12-03 杭州晶宝新能源科技有限公司 用于形成太阳电池背结构的化学助剂、其制备方法及应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19811878C2 (de) 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
US6685757B2 (en) * 2002-02-21 2004-02-03 Rodel Holdings, Inc. Polishing composition
EP1378947A1 (en) 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
DE10241300A1 (de) * 2002-09-04 2004-03-18 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
US7736405B2 (en) * 2003-05-12 2010-06-15 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
JP3740138B2 (ja) * 2003-06-25 2006-02-01 直江津電子工業株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
JP4668528B2 (ja) * 2003-09-05 2011-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4644434B2 (ja) * 2004-03-24 2011-03-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2009503910A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 金属フィルム平坦化用高スループット化学機械研磨組成物
DE102006022093B4 (de) * 2006-05-11 2010-04-08 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Halbleiterscheibe durch Ätzen
DE102006051952A1 (de) * 2006-11-01 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Partikelhaltige Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
DE102007026081A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
CN102138214B (zh) * 2008-09-01 2014-06-04 默克专利股份有限公司 借助蚀刻的薄层太阳能电池组件的边缘去除
US20120112321A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Solarworld Industries America, Inc. Alkaline etching liquid for texturing a silicon wafer surface
US20110244184A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-06 Solarworld Industries America, Inc. Alkaline etching solution for texturing a silicon wafer surface
US20120295447A1 (en) * 2010-11-24 2012-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI419958B (zh) * 2010-09-10 2013-12-21 Jou Wei Tseng 矽基材之蝕刻液及蝕刻方法

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