TW201105612A - Deuterated compounds for electronic applications - Google Patents

Description

201105612 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於至少部分氘化之蒽衍生物化合物。本發明 亦有關於電子裝置，其中之活性層包括此一化合物。 [相關申請案] 本專利申請案依據35 U.S.C. § U9(e)主張於2009年5月 19曰所提出之臨時申請案第61/179，.4〇7號之優先權，其以 引用方式全文併入本說明書中。 【先前技術】 發光之有機電子裝置’例如構成顯示器之發光二極體， 存在於許多不同類型之電子設備中。在所有此類裝置中， 一有機活性層係夾置於兩電接觸層之間。該電接觸層中之 至少一者為具光穿透性，以致於光可通過該電接觸層。一 旦施加電力通過該兩電接觸層’該有機活性層即會發射光 線’穿過該具光穿透性的電接觸層。 眾所皆知’有機電致發光化合物用以做為發光二極體中 的活性組分。已知簡單有機分子如蒽、噻二唑衍生物及香 丑素衍生物可顯示電致發光。半導性共軛聚合物亦已使用 作為電致發光組分，例如美國專利第5,247,190號、美國專 利第5,408，109號及已公開之歐洲專利申請案第443 861號 中所揭露者。 於許多情況中，該電致發光化合物係存在於一主體材料 令。人們對於新的主體化合物仍持續有需求。 【發明内容】 148477.doc 201105612 本發明提供一種芳基取代的蒽，其具有至少一個氘元素 本發明亦提供-種包含—活性層之電子裝置，該活性層 包含該上述化合物。 【實施方式】 本文所揭示的各種態樣及實施例皆為例示性而並非為 限制拘束。在閲讀本說明書後，熟習此項技術者瞭解在不 偏離本發明之範疇下，亦可能有其他態樣與實施例。 根據下述之詳細說明與申請專利範圍，易使該等實施例 中之一個或多個實施例的其他特徵及益處更加彰顯。本發 明的詳細描述首先著重在解釋術語的定義和闡明，接著依 序說明該氘化化合物、該電子裝置，最後為實例說明。 1.術語的定義和闡明 在提出下述實施例之細節前，先對某些術語加以定義或 闡明。 本文所使用的術語「脂族環」係意指一不具有非定域冗 電子（delocalized pi electrons)之環狀基團。在某些實施例 該脂族環不具不飽和性。在某些實施例中，該環具有 一個雙鍵或參鍵》 術語「烧氧基」指R0-基團，其中r係烧基。 術語「烷基」係意指一衍生自具有一個連結點之脂族烴 的基團’以及該院基包括一直鏈、一支鏈或一環狀基團。 該術語意指包括雜炫基。術語「煙烧基」指一不具有雜原 子的烷基基團。術語「氘化烷基」係一具有至少一個可用 148477.doc 201105612 Η被D取代的烴烷基。在某些實施例中，一烷基基團具有 2 0個碳原子。 術語「支鏈烧基」指一具有至少一個二級碳或三級碳的 烷基基團。術語「二級烷基」指一具有一個二級碳原子的 支鏈院基基團。術語「三級烧基」指一具有一個三級碳原 子的支鏈烷基基團。在某些實施例中，該支鏈烷基基團係 經由一個二級或三級碳來結合。 術語「芳基」係意指一衍生自具有一個連結點之芳族烴 的基團。術語「芳族化合物」係意指一包含至少一個具有 非定域π電子之不飽和環狀基團的有機化合物。該術語意 欲包括雜芳基。術語「烴芳基」係意指在該環中不具有雜 原子之芳族化合物《術語「芳基」包括具有一單環的基 團，與具有藉由一單鍵或稠合在一起而結合之多環的基 團。術語「氘化芳基」指一芳基基團，其具有至少一個直 接鏈結至該芳基的可用Η被D取代。術語「伸芳基」係意 指一衍生自具有兩個連結點之芳族烴的基團。在某些實施 例中，一芳基基團具有3-60個碳原子。 術語「芳氧基」指RO-基團，其中R係一芳基。 術語「化合物」係意指—未帶電荷的物質，其由分子組 成，該等分子進-步由原子所組成，纟中該等原子無法用 物理方法分離。片言吾「鄰接於」當用以提及-裝置中的層 時’不必然表示一層緊鄰於另一層。另—方面，片語「相 鄰R基」係、用以表示在—化學式中彼此鄰接之^。換言 之，相鄰R基係位於以一鍵結鄰接之數原子上。術語「光 148477.doc 201105612 活性」指任何呈現電致發光與/或光敏性的材料。 術語「氣化」係意指至少一個Η已被D所取代。該氣之 存在為自然豐度之至少100倍。 子首「雜」表示一或多個碳原子已被不同原子置換。在 某些實施例中，該不同原子係Ν、〇或S。 術語「層」可與「膜」交換使用’其指一覆蓋一所欲區 域之塗層。該術語不受尺寸限制。該區域可與一整個裝置 一樣大或與一特定功能區域（例如’實際視覺顯示）一樣 小，或者與一單次像素一樣小。可藉由任何習知沈積技 術，包括氣相沈積、液相沈積（連續及不連續技術）及熱傳 遞，形成層及膜。連續沈積技術包括但不限於旋轉塗布、 凹版塗布、簾式塗布、浸潰塗布、狹縫模具式塗布、喷灑 塗布與連續噴嘴塗布。不連續的沈積技術包括但不限於喷 墨印刷、凹版印刷及網版印刷。 術語「有機電子裝置」或有時候僅「電子裝置」係意指 包括一個或以上之有機半導體層或材料的裝置。所有基團 可為經取代或未經取代，除非另有指明。在某些實施例 中，邊等取代基係選自由D、齒化物、烷基、烷氧基、芳 基芳氧基、氰基及NR2所組成之群組，其中r係烷基或 芳基。 除非另有定義，本文所用之所有技術與科學術語均與本 發明所屬技術領域具有一般知識者所通常理解的意義相 同。儘管類似或等效於此處所說明之方法及材料可用於實 踐或測試本發明，但適t之方法及材料描述如下。本文中 148477.doc -6- 201105612 所k及之所有公㈣、專财請案、專利及其他參考文獻 以引用的方式全部併入本文中。在發生衝突的情況下，以 包括定義在内之本說明書為準n該等材料方法及 實例僅係說明性質，而不意欲為限制拘束。 本文皆使用IUPAC編號系、统，其中來自元素週期表的族 皆從左至右編號為LWCRC HandbGGk Gf Chemi吻—

Physics，81st Edition，2000)。 2 ·丸化化合物 該新的氘化化合物係一具有至少一個D的取代芳基茛。 在某些實施例中，該化合物係至少1〇%氘化。此意謂至少 10%的Η被D所取代。在某些實施例中，該化合物為至少 20%氘化；在某些實施例中，至少30〇/()氘化；在某歧實施 例中，至少40%氘化；在某些實施例中，至少5〇%氣化； 在某些實施例中，至少60%氘化；在某些實施例中，至少 70°/。氘化；在某些實施例中，至少go%氘化；在某此實施 例中，至少90%氘化；在某些實施例中，該化合物係ι〇〇% 氘化。 在一實施例中’該氣化化合物具·有式I :

其中： 148477.doc 201105612 至R8在每次出現時為相同或不同，且係選自由Η、 D、烧基、烷氧基、芳基、芳氧基、二芳基胺基、石夕 氧烧與石夕烧基所組成之群組；

Ar1與Ar2為相同或不同，且係選自由芳基基團所組成之 群組；以及

Ar與Ar4為相同或不同’且係選自由η、D及芳基基團所 組成之群組； 其中β亥化合物具有至少·_個D。 在式I的某些實施例中，該至少一個D係位在芳基環上的 取代基基團上。在某些實施例中’該取代基基團係選自烷 基、芳基與二芳基胺基。 在式Ϊ的某些實施例中’ R1至R8之至少一者為在某些 實施例中，R1至R8之至少二者為D。在某些實施例中，至 少二者為D;在某些實施例中，至少四者為d;在某些實 施例中，至少五者為D ;在某些實施例中，至少六者為 D ;在某些實施例中，至少七者為〇。在某些實施例中， R1至R8全部皆為D。 在某些實施例中’ R1至R8係選自Η及D。在某些實施例 中，R1至R8之一者為D且其他七者為Η。在某些實施例 中，R1至R8之二者為D且其他六者為H。在某些實施例 中，R至R之二者為D且其他五者為在某些實施例 中，R丨至R8之四者為D且其他四者為Ή。在某些實施例 中’ R至R8之五者為D且其他三者為Η。在某些實施例 中’ R至R之六者為D且其他二者為Η。在某些實施例 148477.doc 201105612 中’ R至R8之七者為D且其他一者為Η。在某些實施例 中，R1至R8之八者皆為D。 在某些實施例中，R1至R8之至少一者係選自由烷基、烷 氧基、芳基、芳氧基、二芳基胺基、矽氧烷與矽烷基，而 R1至R8之其餘者係選自Η與D。在某些實施例中，R2係選 自烧基、烧氧基、芳基、芳氡基、二芳基胺基、石夕氧炊與 矽烷基。在某些實施例中，R2係選自烷基及芳基。在某些 實施例中，R2係選自氘化院基及氘化芳基。在某些實施例 中’ R2係選自具有至少10%氘化作用之氘化芳基。在某些 實施例中’ R2係選自具有至少20〇/。氘化作用之氘化芳基； 在某些實施例中，至少30%氘化作用；在某些實施例中， 至少4 0 /〇鼠化作用，在某些實施例中，至少$ 〇 %氛化作 用；在某些實施例中，至少60。/。氘化作用；在某些實施例 中，至少70%亂化作用，在某些實施例中，至少氛化 作用；在某些實施例中，至少90〇/〇氘化作用。在某些實施 例中，R2係選自具1〇〇〇/。氘化作用的氘化芳基。 在式I的某些實施例中’ Ar1至Ar4之至少一者為氘化芳 基。在某些實施例中’ Ar3與Ar4係選自d與氘化芳基。 在式I的某些實施例中，Ar1至A，為至少1〇%氣化。在式 Ϊ的某些實施例中，Ar1至Ar4為至少2〇%氣化；在某些實施 例中’至少30%說化；在某些實施例中，至少4〇%氣化； 在某些實施例t，至少观氛化；在某些實施例中，至少 6〇%氣化；在某些實施例中’至少7〇%氛化；在某些實施 例中，至少嶋氣化；在某些實施例中，至少9〇%氣化； 148477.doc 201105612 在某些實施例中’ 1 〇〇%氘化。 在某些實施例中，該式I化合物為至少10%氘化；在某些 實施例中，至少20%氣化；在某些實施例中，至少3〇%氣 化；在某些實施例中，至少40%氘化；在某些實施例中， 至少50%氘化；在某些實施例中，至少60%氘化；在某些 實施例中，至少70%氘化；在某些實施例中，至少8〇%気 化；在某些實施例中，至少90%氘化；在某些實施例中， 該化合物為100%氘化。 在某些實施例中’ Ar1與Ar2係選自由苯基、萘基、菲基 與蒽基所組成之群組。在某些實施例中，Ar1與Ar2係選自 由苯基與萘基所組成之群組。 在某些實施例中，Ar3與Ar4係選自由苯基、萘基、菲 基、蒽基、苯伸萘基 '萘伸苯基與一具下列式π的基團所 組成之群組，該式II :

且係選自由Η、D、烷 基、烧氧基、二芳基胺基、矽氧烷及矽烷基所組成之 群組’或者相鄰R9基團可結合在一起以形成一芳族 環；以及 148477.doc 201105612 m在每次出現時為相同或不同，且為1至6的整數。 在某些實施例中，斛3與&4係選自由苯基、萘基、苯伸 蔡基、萘伸苯基與-具下列式m的基團所組成之群組，該 式 III :

其中R9及m係如上式II所定義者。在某些實施例中，爪為1 至3的整數。 在某些實施例中，八^至八”之至少一者為一雜芳基基 團。在某些實施例中，該雜芳基基團係選自由咔唑、苯并 呋喃與二苯并呋喃所組成之群組。在某些實施例中，該雜 芳基基團為氘化《在某些實施例中，該雜芳基基團至少 10%氘化。在某些實施例中，至少20%氘化；在某些實施 例中，至少30%氘化；在某些實施例中，至少氘化； 在某些實施例中，至少50〇/〇氘化；在某些實施例中，至少 60%氘化；在某些實施例中，至少7〇%氘化；在某些實施 例中，至少80%氘化；在某些實施例中，至少9〇%氘化； 在某些實施例中’該雜芳基基團為100%氘化。 在式I的某些實施例中，以至尺8之至少—者為D，且 至Ar4之至少一者為一氘化芳基。在某些實施例中，該化 合物為至少10%氘化。在某些實施例中，該化合物為至少 2〇。/。氣化；在某些實施例中，至少30%氘化；在某些實施 例中，至少40%氘化；在某些實施例中，至少5〇%氣化； 148477.doc 201105612 在某些實施例中，至少60%氘化；在某些實施例中，至少 70%氘化；在某些實施例中，至少so%氘化；在某些實施 例中，至少90%氘化；在某些實施例中，該化合物為！ 00% 氣化。 具有式I之化合物的某些非限定實例包括以下化合物Η1 至 Η13 : 化合物Η1 :

Dx Dz 其中，x+y+z+n=l-26 化合物H2 :

其中，x+y+z+p+n=l-30 化合物H3 :

其中，x+y+z+p+n+r=l-32 148477.doc ,, 201105612 化合物H4 :

其中，x+y+z+p+n=l-18 化合物H5 :

Dx Dz 其中 ’ x+y+z+p+n+q=l-34 化合物H6 :

C

其中，x+y+z+n=l-18 化合物H7 : -13- 148477.doc 201105612

其中，x+y+z+p+n=l-28 化合物H8 :

化合物H9 :

化合物H10 :

化合物H11 : 148477.doc • 14· 201105612

D D

化合物H12 :

D 可由已知的偶和反應及取代反應來製備該新的化合物之 非氘化類似物。接著以一類似的方式，使用氘化先質材料 製備新的氘化化合物；或者更一般而言，在如三氯化鋁或 乙氯化紹之路易斯酸氫/氘交換催化劑（Lewis acid H/d exchange catalyst)或在如CF3CO〇D、DC1等之酸存在的情 況中’以氣化溶劑，如六沉苯（d6-benzene)，處理該非氣 化化合物。於實例中說明例示性的製備方法。藉由NMR分 析及質譜測定法決疋仇化作用的程度’如大氣壓力固態分 析探針質譜測定法（ASAP-MS)。全氘化或部分氘化之芳族 148477.doc 201105612 化合物或烷基化合物的起始材料可購自商業來源，或者可 使用已知的方法而得到。該些方法的某些實例可發現於a) 「Efficient H/D Exchange Reactions of Alkyl-Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd/C-H2-D20 System」Hiroyoshi Esaki, Fumiyo Aoki, Miho Umemura,

Masatsugu Kato，Tomohiro Maegawa, Yasunari Monguchi, and Hironao Sajiki Chem. Eur. J. 2007, 13, 4052-4063 ； b) 「第5、6族金屬鹵化物催化的芳香族化合物氫氣交換反 應」郭巧霞、申寶劍、郭海卿與高橋保，中國化學， 2005，23，341-344(「Aromatic H/D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chlorides」GUO，Qiao-Xia， SHEN, Bao-Jian; GUO, Hai-Qing TAKAHASHI, Tamotsu Chinese Journal of Chemistry, 2005, 23, 341-344) ; c)「A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis (2,2'-bipyridine)iridium(III) ion」Richard J. Watts, Shlomo

Efrima, and Horia Metiu J. Am. Chem. Soc., 1979, 101 (10), 2742-2743 ; d)「Efficient H-D Exchange of Aromatic

Compounds in Near-Critical D20 Catalysed by a Polymer-Supported Sulphonic Acid」Carmen Boix and Martyn Poliakoff Tetrahedron Letters 40 (1999) 4433-4436 ; e) US3849458 ; f)「Efficient C-H/C-D Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd/C in D20」Hironao Sajiki, Fumiyo Aoki, 148477.doc 16 201105612

Hiroyoshi Esaki，Tomohiro Maegawa，and Kosaku Hirota

Org. Ze".，2004，6 (9)，1485-1487。 可使用液相沈積技術將本文中所述之化合物形成為薄 膜。令人驚喜且出乎意料的是，與類似的非氘化化合物相 比，此等化合物的特性大幅度改善。若電子裝置包括具有 本文中所述之化合物的一活性層，則具有大幅改善之使用 壽命。除了使用壽命可延長之外，亦會達到高量子效率及 良好的色彩飽和度。此外’纟文中所述之氘化化合物比非 氘化類似物具有更高的空氣穩定性（air t〇lerance) ^此可導 致在製備及純化該材料，以及在使用該材料形成電子裝置 的過程中具有更大的製程容差。 3.電子裝置 可以因具有包括在此所述之電致發光材料的一個或以上 之層而觉益之有機電子裝置，包括但不限於，⑴將電能轉 換成輻射能之裝置(例如’發光二極體、發光二極體顯示 器或二極體雷射）；（2)以電子方耗測信號之裝置（例如， 光偵測器、光導電池、光敏電阻器、光控開關、光電晶 體、光電管、紅外線偵測器）；(3)將輻射能轉換成電能之 裝置（如，光伏打裝置或太陽能電池）；以及（4)包括一或多 個電子組件之裝置（例如，電晶體或二極體），其中該電子 組件包括一個或以上之有機半導體層。 θ 員示有機電子裝置結構之說明。該裝置丨〇〇具有第 一電接觸層、陽極層110與第二電接觸層、陰極層160與在 、之光'舌丨生層140。鄰接該陽極者為緩衝層丨2〇❶鄰接該 148477.doc •17- 201105612 緩衝層者為電洞傳輸層130，其包括電洞傳輸材料。鄰接 該陰極者可為電子傳輸層丨5〇，其包含電子傳輸材料。作 為一種選擇，裝置可使用一個或以上鄰接該陽極11〇之額 外的電洞注入或電洞傳輸層（未顯示）’與/或一個或以上緊 鄰該陰極160之額外的電子注入或電子傳輸層（未顯示）。 層120至層150個別地及統稱為活性層。 在一實施例中，該不同層具有下述範圍的厚度：陽極 110 ’ 500-5 000 A，在一實施例中為1000-2000 A ;緩衝層 120 ’ 50-2000 A，在一實施例中為200-1〇〇〇 A ;電洞傳輸 層130，50-2000 A，在一實施例中為200-1000 A ;光活性 層140 ’ 10-2000 A，在一實施例中為loo-iooo入；層15〇， 5 0-2000 A，在一實施例中為 100-1000 A ;陰極 160，200- 10000 A，在一實施例中為300-5000 A。各層之相對厚度 可影響電子-電洞複合區之位置，以及因而影響該裝置之 發射光譜。層厚度的期望比率將會取決於所用之材料的確 切性質。 取決於裝置100的應用，該光活性層140可為一由外加電 壓活化的發光層（例如’在一發光二極體中或發光電化電 池中），或為一在具有或不具有一外加偏壓下響應輕射能 量並產生信號之材料層（例如，在一光偵測器中）。光彳貞測 器之實例包括光導電池、光敏電阻器、光控開關、光電晶 體、光電管及光伏打電池’此等術語描述於John Markus 所著之「Electronics and Nucleonics Dictionary」中第470 頁及第 476 頁（McGraw-Hill，Inc.出版，1966年）。 148477.doc -18- 201105612 本文中所述的-種或以上之新的氛化材料可出現在一裝 置之一或以上之活性層中。該氘化材料可單獨使用，或者 與非Λ*化材料結合使用。 在某些實施例中，該等新的氣化化合物可用於作為層 130中的電洞傳輸材料。在某些實施例中，至少—個額外 層包括-新的氘化材料。在某些實施例中，該額 緩衝層120。在某些實施例中，該額外層為該光活性： 140。在某些實施例中，該額外層為該電子傳輸層150。曰 在某些實施财，該等新的i化化合物可用於作為主體 材料，㈣於光活性層刚巾的光活性㈣。在某此 例中，該發射材料亦為氖化。在某些實施例中，至少: 外層包括一氘化材料。在竿 名 衝層12。。在竿此實二r貫施例中，外層為該緩 13。。在竿此實施:: 該額外層為該電洞傳輪層 在某上實施例中，該額外層為該電子傳輸層15〇。 某二實施例中，該等新的③化化合 15〇中的電子傳輸材料 於作為層 肛示些•貫知例中，至少— 匕括一氘化材料。在某此f 曰 12〇 一… 系二貫施例中’該額外層為該緩衝層 a ^ 忒額外層為該電洞傳輸層130。& 某些貫施例中，該額外層為該光活性層14〇。 在 ^某些實施例中，—電子裝置在層的 =’該些層選自由該緩衝層、該電洞傳輸層中= 性層與該電子傳傳輸層所組成之群組。 料活 ::些實施例中，該等裝置具有額外層以助於 或改善嫩。料或㈣叫w材料。= 148477.doc 201105612 些實施例中，所有有機裝置層包含氛化材料。在某些實施 Η中所有有機裝置層主要由氘化材料所構成。 a.光活性層 該式I新的氘化化合物有益於作為層14〇中之光活性材料 的主體。該化合物可單獨使用，或與—第二主體材組合使 用。該新的氘化化合物可用於作為一具有任何發射顏色之 材料的主體。在某些實施例中，該新的氘化化合物可用於 作為綠色或藍色發射材料的主體。 在某些實施例中，該光活性層主要由一具有式j的主體 材料與一種或以上之電致發光化合物所組成。 在某些實施例中，本文所述之該新的氘化化合物為一電 致發光材料並且存在作為一光活性材料。可用於該裝置中 之其他EL材料包括但不限於小分子有機螢光化合物、螢光 與磷光金屬錯合物、共輛聚合物與其混合物。螢光化合物 之貫例包括但不揭限於疾（chrysenes)、芘（pyrenes)、花 (perylenes)、紅螢稀（rubrenes)、香豆素（coumarins)、蒽 (anthracenes)、°塞二唑（thiadiazoles)、上述物質之衍生物 及上述物質之混合物。金屬錯合物之實例包括但不限於金 屬螯合号辛類（oxinoid)化合物，如參（8-經基喧琳配位基） I呂（Alq3);環金屬化（cyclometalated)銀與始電致發光化合 物，例如Petrov et al.之美國專利第6,670,645號和公開之 PCT申請案第WO03/063555及W02004/016710號所揭露之 銀與苯°比咬、苯啥琳或苯嘴B定配位基的錯合物，以及例如 在公開之PCT申請案第W003/008424、W003/091688及 148477.doc -20- 201105612 W003/040257號所述之有機金屬錯合物以及上述物質之混 合物。共軛聚合物之實例包括但不限於聚（苯伸乙 烯）(poly(phenylenevinylenes)) ' 聚荈（p〇iyfiuorenes)、聚 (螺聯第 Xpoly(spirobifluorenes))、聚噻吩（p〇iythi〇phenes)、 聚（對伸苯）(poly(p-phenylenes))、上述物質之共聚物及上 述物質之混合物。 在某些實施例中’該光活性播雜劑為一銥的環金屬化錯 合物。在某些實施例中，該錯合物具有選自苯吡啶、苯喧 淋與苯異喹啉之兩個配位基’與具有β_二烯醇基（P_ dienolate)之第三配位基。該些配位基可為非經取代，或經 F、D、烧基、CN或芳基基團戶斤取代。 在某些實施例中’該光活性摻雜劑為一聚合物，該聚合 物係選自由聚（苯伸乙烯））、聚苐與聚螺^ (polyspirobifluorenes)所組成之群組（， 在某些實施例中，該光活性摻雜劑係選自由—非聚人螺 二第化合物及一熒蒽化合物所組成之群組。 在某些實施例中’該光活性摻雜劑為一具有芳基胺美 之化合物。在某些實施例中，該光活性摻雜劑係選自如下

148477.doc 201105612

其中： A在母次出現時係相同或不同’且係一具有3_6〇個碳原 子的芳族基； Q為一單鍵或一具有3-60個碳原子的芳族基； η與m分別為1-6的整數。 在上述式之某些實施例中’各式中的A及Q之至少一者 具有至少三個縮合環。在某些實施例中，m與η為等於1。 在某些實施例中’ Q係苯乙烯基（styryl)或苯乙烯基苯基 (styrylphenyl)基團。 在某些實施例中’ Q係具有至少兩個縮合環的芳族基。 在某些實施例中，Q係選自由萘（naphthalene)、蒽 (anthracene) 、 矣（chrysene)、拓（pyrene)、稍四苯 (tetracene)、口山 p星(xanthene)、茈(perylene)、香豆素 (coumarin)、若丹明（rhodamine)、喹吖酮（quinacridone)及 紅螢烯（rubrene)所組成之群組。 在某些實施例中，A係選自由苯基（phenyl)、曱苯基 (tolyl)、萘基（naphthyl)及蒽基（anthracenyl)所組成之群 148477.doc -22- 201105612 在某些實施例中，該光活性摻雜劑具有下式：

其中： Y在每次出現時係相同或不同’且係一具有3-60個碳原 子的芳族基； Q'係一芳族基、一二價三苯胺殘基（residue group)或一 單鍵。 在某些實施例中’該光活性掺雜劑係一多并苯芳基（aryl acene)。在某些實施例中’該光活性摻雜劑係一非對稱多 并苯芳基。 在某些實施例中，該光活性摻雜劑為一筷衍生物。術語 筷」係意指1，2-苯并菲（l，2-benzophenanthrene)。在某些 實施例中，該光活性掺雜劑係-具有芳基取代基n 某些實施例中，該光活性摻雜劑係—具有芳絲取代基之 疾。在某些實施例中’該光活性摻雜劑係一具有兩個不同 芳胺基取代基之疾。在某些實施例中，該疾衍生物具有一 深藍光發射（deep blue emission)。 在某些實關巾，該紐性摻雜_選自由胺基取代之 筷與胺基取代之蒽所組成之群組。 b.其它裝置層 用於這樣的層之任何已知 在該裝置中之其它層可以由有 材料所製成、 148477.doc -23- 201105612 該陽極11Gm人正電«切财效之電極。其 1=含有—金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合 金屬氧化物之材料所製成，或者其可為一導電聚合物或上 述物為的混合物。合適之金屬包括第u族金屬、第4-6族 金屬與第請族過渡金屬。若需要該陽極具光穿透性則 通“吏用第12、13與14族金屬的混合金屬氧化物如銦錫 氧化物。該陽極110亦可包含-有機材料如聚苯胺，如下 列文獻中所述者：w Hght_emitting diGdes讀 f_ s〇luble conducting p〇Iymer，」細㈣ ν〇ι π，卯 477-479 (11 June 1992)。該陽極與該陰極之至少一者理想 為至少部分透明，以能夠觀察到所產生的光。 該緩衝層120包括緩衝材料，且可在一有機電子裝置内 具有一種或以上之功能，其包括但不限於使其下之層平坦 化、電荷傳輸及/或電荷注入特性、清除雜質如氧或金屬 離子以及其他有助於或增進該有機電子裝置之性能的態 樣。緩衝材料可為聚合物 '寡聚物或小分子。它們可經由 氣相來沈積或自液體沈積’該液體可為溶液、分散液、懸 浮液、乳狀液、膠態混合物或其它組成物之形式。 s亥緩衝層可用聚合性材料來形成，如聚苯胺（PAni)或聚 伸乙一氧°塞吩（PEDOT)，該等聚合材料經常以質子酸換 雜。該質子酸可為如聚苯乙烯磺酸（p〇ly(styrenesulf〇nic acid))、聚（2-丙烯醯胺-2-甲基-1-丙磺酸）(p〇ly(2_ acrylamido-2-methyl-l-propanesulfonic acid))與類似者。 §亥緩衝層可包括電何傳輸化合物及類似者，如銅醜青 I48477.doc •24· 201105612 (copper phthalocyanine)與四硫富瓦烯-四氰對酿^二曱炫系 (tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane，TTF-TCNQ)。 在某些實施例中，該缓衝層包含至少一種導電聚合物及 至少一種經氟化酸聚合物。已於例如已公開美國專利申請 案第 2004-0102577號、第 2004-0127637號及第 2005/205860 號中說明此種材料。 在某些實施例中，該電洞傳輸層130包括該新的式I之氘 化化合物。用於層130之其他電洞傳輸材料實例已歸納於 如 Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18，p. 837-860, 1996，by Y. Wang。電 洞傳輸分子與聚合物兩者皆可使用。一般使用的電洞傳輸 分子為：N，N'-二苯基-N，N'-雙（3-甲基苯基）-[1，Γ-聯苯]-4,4'-二胺（队1^'-以？11611>^1->1，1^'-1^3(3-11161:11；/1卩1161171)-[1，1'-biphenyl]-4,4'-diamine，TPD)、1，1-雙[(二-4-曱苯基胺基） 苯基]環己烧（1，l-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane， TAPC)、N，N'-雙（4-曱基苯基）-Ν，Ν·-雙（4-乙基苯基）-[1，1·-(3,3'_ 二曱基）聯苯]-4,4'-二胺（1^，>1'-1^8(4-111611171卩11611丫1)-N,N'-bis(4-ethylphenyl)-[ 1,1 '-(3,3 '-dimethyl)biphenyl]-4,4'-diamine，ETPD)、肆（3-甲基苯基）-队>1，1^，：^-2,5-伸苯二胺 (tetrakis-(3-methylphenyl)-N,N,N',N'-2,5-phenylenediamine, PDA)、a-苯-4-N，N-二苯胺苯乙烯（a-phenyl-4-N，N-diphenylaminostyrene，TPS)、對（二乙胺）苯甲越二苯騌（p-(diethylamino)benzaldehyde diphenylhydrazone, DEH)、三 苯胺（triphenylamine，ΤΡΑ)、雙[4-(N，N-二乙胺）-2-甲基 148477.doc -25- 201105612 苯](4-甲基苯）曱烧（bis[4-(N，N-diethylamino)-2-methylphenyl] (4-methylphenyl)methane，MPMP)、1-苯基-3-[對（二乙胺） 苯乙浠]-5-[對（二乙胺基）苯基]°&^#(l-phenyl-3-[p-(diethylamino)styryl]-5-[p-(diethylamino)phenyl] pyrazoline, PPR or DEASP)、1，2-反雙（9H-咔唑-9-基）環丁烷（1，2七3如-bis(9H-carbazol-9-yl)cyclobutane，DCZB)、Ν,Ν,Ν',Ν’-肆（4-甲基苯基）-(1，1·-聯苯）-4,4'-二胺（>^,>1，1^|,1^|-【61&1<;丨3(4-methylphenyl)-(l，r_biphenyl)-4,4'-diamine，ΤΤΒ)、Ν，Ν'-雙 (蔡-1 -基）-Ν，Ν·-雙-(苯基）聯苯胺（>1，]^'-1)丨3(11&卩11111&1611-1-丫1)-N，N'-bis-(phenyl)benzidine，α-ΝΡΒ);以及紫質（porphyrinic) 化合物如銅酞青。一般常用之電洞傳輸聚合物為聚乙烯咔 β坐、（苯甲基）-聚石夕烧及聚苯胺。藉由將像上述那些的電洞 傳輸分子摻雜至像聚苯乙烯及聚碳酸酯之聚合物中，亦可 能獲得電洞傳輸聚合物。在某些情況中，使用三芳胺聚合 物’尤其是使用三芳胺-苐共聚合物。在某些情況中，該 等聚合物及該等共聚合物係可交聯的。可交聯之電洞傳輸 聚合物的實例可見於如公開之美國專利申請案第2〇〇5_ 0184287號與公開之PCT申請案第冒〇 2〇〇5/〇52〇27號。在 某些實施例中，該電洞傳輸層摻雜有？型摻雜劑（p_d〇pant)， 如四氟四氰請酿二f院（tetraflu⑽_______ 和茈-3,4,9，10-四羧-3,4,9，10-二酐。 在某些實施例中，該電子傳輸層15〇包括該新的式！之氣 化化合物。可用於層150之其他電子傳輸材料實例包括金 屬螯合号辛類(。xi，匕合物’如參(8_經基嗤琳配位基) 148477.doc -26- 201105612 鋁（Alqs);雙（2-甲基-8-喹啉配位基）（對-苯基-酚配位基）紹 (III) (BA1Q);以及唑化合物如2- (4-聯苯基）-5-(4-三級丁 基苯基）-1,3,4-噚二唑（PBD)、3-(4-聯苯基）_4_苯基_5-(4_三 級丁基苯基）-1，2,4-三唑（TAZ)與1，3,5-三（苯基-2-苯并咪唑） 苯（TPBI);喹噚啉（quinoxaline)衍生物如2,3-雙（4-氟苯基） 喹噚啉；啡啉衍生物如9，10_二苯基_u〇_啡啉（1)1^)與2,9_ 二甲基-4,7-二苯基-1，10-啡啉（DDPA);以及上述物質的混 合物。該電子傳輸層亦可摻雜有11型摻雜劑（n_d〇pant)，如 Cs或其它鹼金屬。層15〇可兼具利於電子轉輸以及作為一 緩衝層或圍阻層的功能，以避免激子在層界面間淬滅。較 佳而言，此層提昇電子移動率及減少激子淬滅。 該陰極160係一對於注入電子或負電荷載子特別有效的 電極。該陰極彳以是任何具有比該陽極低之功函數的金屬 或非金屬。用於陰極的材料可選自第丨族鹼金屬（如u、 ⑶、第2族（驗土）金屬、第12族金屬，包括稀土元素及鑭 系元素’、锕系元素。可使用例如鋁、銦、鈣、鋇、釤和 鎮’.U及其組合的材料。亦可在有機層及陰極層之間沈積 3 W s Cs有機金屬化合物，如[π、⑽或匕…，以降低 已知在有機電子裝詈中砰百士朴 中了具有其它層。例如，在該陽極 110和緩衝層120之問·目士 3 了具有—層（未顯示），以控制所注入 之正電何的量，盘 ' 七、該專層之帶隙匹配（band-gap matching)，或者用作一 ,^ a 保3蔓層。可使用本技術領域中已熟 知之層’例如，銅酤主 月、氮氧化矽、氟碳化物、矽烷或例 148477.doc •27- 201105612 如pt之超薄金屬f。或者，可對陽極層ιι〇'活性層⑽、 !3〇、刚、15〇或陰極層⑽之一些或全部進行表面處理、 以增加電荷載子傳輸效率。每一組成層的材料選擇，較佳 係藉由平衡發射層中的正負電荷來決定，以提供有高電致 發光效率的裝置。 應理解各功能性層可由多於一層所構成。 可藉由多種技術來製備該裝置，該等技術包括在—合適 基板上依序氣相沈積該等個別層。可使用例如玻璃、塑膠 及金屬的基板。可使用例如熱蒸錢、化學氣相沈積與類似 者之習用氣相沈積技術。或者，可使用習用的塗布或印刷 技術，自合適溶劑中的溶液或分散液施用有機層，該等技 術包括但不限於，旋轉塗布、浸潰塗布、捲對捲㈣^ roll)技術、喷墨印刷 '網版印刷、凹版印刷及類似者。 本發明亦關於i電子裝置，其包括位在兩個電接觸層 之間的至少-個活性層，其中該裝置之該至少一個活性層 包括該式1的蒽化合物。裝置經常具有額外電洞傳輸層及 電子傳輸層。 為了達到一高效率LED，電洞傳輸材料之最高佔用分子 軌域（highest occupied m〇lecular orbitah H〇M〇)理想為與 陽極的功函數匹配，及電子傳輸材料之最低未佔用分子轨 域（lowest un-occupied m〇lecuiar orbital ’ luM0)理想為與 陰極的功函數匹配。於選擇電子和電洞傳輸材料時，該等 材料之化學相谷性及昇華溫度亦為重要的考量因素。 應理解，由本文所述之蒽化合物製成的裝置的效率可進 148477.doc -28 · 201105612 一步藉由最佳化該裝置中 更高效率的陰極，如Ca、 及新穎的電洞傳輸材料， 率增加。亦可增添額外層 有助於電致發光。 的其它層而改進。例如，可使用 HUF。亦可應用造型的基板 其等造成操作電壓減小或量子效 ，以修改各種不同層之能階，且 该本發明之化合物常為螢光性與磷光性並且可用於 OLEDsM的應用，如氧氣敏感指示器與在生物測定中作 為螢光指示器。 實例 下列實例說明本發明之特定特徵及優點。該等實例旨於 說明本發明，而非限制。除非另外指#，否則本文所用的 全部百分比係以重量計。

比較例A 此實例說明一非氘化化合物，即比較性化合物A的製 備。

可根據下列方法製備此化合物：

148477.doc 6 -29· 201105612

化合物2之合成： 在配備有機械攪拌器、滴液漏斗、溫度計與n2鼓泡器的 3 L燒瓶中，加入在i .5 L無水二氣曱烷中的蒽酮54 g (275.2 mm〇l)。在冰浴中冷卻該燒瓶，然後在15小時内用 滴液漏斗加入 83.7 mL (559.7 mmol)的 1，8_ 二 η丫雙環[5.4.0] 十一-7-烯（l，8-diazabicyclo[5.4.0]undeC-7-ene，DBU)。該 洛液轉為橙色、變成不透明然後再轉為深紅色。透過注射 器歷時約1 ·5小時對該仍為冷卻的溶液加入58 mL (345.0 mmol)的三氟曱磺酸酐（triflic anhydHde)，並保持該溶液溫 度為低於5它。使該反應於室溫進行3小時，之後加入1 mL 額外的三氟曱磺酸酐，並繼續於室溫攪拌3〇分鐘。緩慢加 入500 mL的水’然後分離該等層。以3x2〇〇 mL的二氣曱 烷（「DCM」）萃取該水層而合併的有機物則以硫酸鎂乾 燥’過渡並藉由旋轉蒸發而濃縮以得到一紅色油。執行矽 膠管柱層析法，接著從己烷中再結晶，產出431 g (43%) 的棕褐色粉末。 化合物3之合成： 在一充滿氮氣的套手工作箱十，將三氟曱續酸蒽_9_基 醋（anthracen-9-yl trifluoromethanesulfonate) (6.0 g，18.40 mmol)、萘 _2-基-硼酸（Napthalen-2-yl-boronic acid) (3.78 148477.doc •30· 201105612 g ’ 22,1 mmol) ' 填酸三卸（potassium phosphate tribasic) (17.50 g，82.0 mmol)、乙酸把（II) (palladium(II) acetate) (〇,41 g ’ 1.8 mmol)、三環己膦（tricyclohexylphosphine) (0.52 g，1.8 mmol)和THF (100 mL)加入配備有磁性授拌子 (magnetic stirring bar)的 200 mL克耳達（Kjeldahl)反應燒瓶 中。將該反應混合物從該乾燥箱中移除後，以氮氣沖掃該 反應混合物’再用注射器加入50 mL的除氣水（degassed water) ^接著加上冷凝器，然後使該反應回流一整夜。使 用TLC監控該反應。一旦反應完成即將該反應混合物冷卻 至室溫。分離該有機層並以DCM萃取該水層。組合該等有 機物組份，以鹽水洗滌’然後以硫酸鎂乾燥。在減壓下移 除該溶劑。以丙酮和己烷洗滌所得的固體，並過濾之。以 矽膠管柱層析法執行純化，產出4.03 g (72%)的產物，其 為淺黃色結晶材料。 化合物4之合成： 使 9-(蔡-2-基）蒽 11.17 g (3 6.7 mmol)懸浮於 100 mL的 DCM中加入6.86 g (38.5 mmol)的N-溴琥珀醯亞胺，並且在 1〇〇 W燈的照明下攪拌該混合物。首先形成一清澈的黃色 溶液’然後出現沈澱物。使用TLC監控該反應。於1 ·5小時 後，部分濃縮該反應混合物以移除二氯曱烷，然後從乙腈 中結晶以產出12.2 g (87%)的淺黃色晶體。 化合物7之合成： 在一個充滿氮氣的套手工作箱中，將萘_丨_基_丨_硼酸 (14.2 g，82.6 mmol)、1-溴-2-碘苯（25.8 g，91.2 mmol)、 148477.doc 201105612 肆（三苯基膦）把（0)(1.2 g，1.4 mmol)、碳酸納（25.4 g，240 mmol)和甲苯（120 mL)加入配備有攪拌子的500 mL圓底燒 瓶中。將該反應混合液從該乾燥箱中移出後，以氮氣吹掃 該反應混合液，再用注射器加入120 mL的除氣水。接著， 將冷凝器附設至該反應燒瓶，回流該反應物1 5小時。使用 TLC監控該反應。將反應混合液冷卻至室溫。分離該有機 層並以DCM萃取該水層。組合該等有機物組份，且在減壓 下移除溶劑以得到一黃油。藉由使用矽膠的管柱層析法執 行純化，產出13.6 g (58%)的清澈油。 化合物6之合成： 將4·溴苯基-1-萘（28.4 g ’ 1〇.〇 η^οΐ) '雙（頻那醇配位 基）二硼（bis(pinacolate) diboron) (40.8 g，16.0 mm〇i)、

Pd(dppf)2Cl2 (1.64 g ’ 2.0 mmol)、乙酸鉀（19 7 g，2〇〇 mmol)和DMSO(350 mL) ’加入至配備有磁性攪拌子和回流 冷凝器的1公升燒瓶中’該回流冷凝器連接至氮管路及油 浴。以氮氣鼓泡該混合物15分鐘，然後加入pd(dppf)2Ci2 (1.64 g，0.002 moip在此過程期間，該混合物逐漸地轉 變成暗棕色。在氮氣下，於120°C (油浴）攪拌該反應物18小 時。於冷卻該混合液後’將該混合液倒入冰水中，並以氣 仿萃取（3x)。以水（3x)與飽和鹽水（1χ)洗滌該有機層並且以

MgS〇4乾燥。在過爐與移除溶劑後，該殘留物以石夕膠管柱 層析純化。組合該含有組份之產物，且使用旋轉蒸發 (rotary evaporation)移除溶劑。所得之白色固體從己烷/氯 仿中結晶，並於一真空烘箱中在4〇。(：下弘陆 《 # L卜乾燥，以得到白色 148477.doc -32- 201105612 片狀結晶的產物，產量為15 0 g於45%收率。出及13C_ NMR光譜的結果與所預期的結構一致。 比較性化合物A的合成 在套手工作箱中將4,4,5,5-四曱基-2-(4-(萘-4-基）苯基）-1，3,2-二氧雜领雜戊烷（4,4,5,5_tetramethyl_2_(4_ (naphthalen-4-yl)phenyl 1.90)-1,3,2-dioxaborolane) (1.90 g ，5.74 mmol)、參（二亞苄丙酮）二鈀（0)(tris (dibenzyl ideneacetone) dipalladium(O)) (0.24 g > 0.26 mmol)' 和曱笨（50 mL)加入250 mL的燒瓶中（2.00 g，5.23 mmol)。自乾燥箱中移出該反應燒瓶，將一冷凝器及氮氣 進氣口附設至該反應燒瓶。經由注射器加入除氣之水性碳 酸鈉（2 Μ，20 mL)。將反應物授拌並加熱至9〇乞一整夜。 使用HPLC監測該反應。冷卻至室溫後，分離有機層。以 DCM洗務s亥水層@次，並使用旋轉蒸發濃縮經組合之有機 層，以產出一灰色粉末。藉由中性氧化鋁之過濾作用、己 烷之沈澱作用及矽膠管柱層析法的純化，產出一 2 28 g (86%)的白色粉末。 進一步純化所得之產物，如在已公開之美國專利申請案 第2008-0138655號中所述般，以達到至少99 9%的Ηριχ純 度且雜質吸光度不大於0.01。 或者，化合物A可合成自商業起始材料，根據下列說明 的製程方案： 148477.doc •33· 201105612

實例1 此實例說明一具有式1之化合物，即化合物HI的製備過 程。

η

比較性A HI > x+y+z+n<26 在氮氣環境下’將A1 Cl3(0.48 g，3.6 mmol)加入得自比 較性實例A之比較化合物A (5 g，9.87 mmol)的全氘化苯 (perdeuterobenzene)或苯-D6(C6D6) (100 mL)溶液中。添加 〇2〇 (50 mL)至該所得之混合物後，於室溫下攪拌該混合 物六小時。分離該些層，接著以CH2C12 (2x3〇 mL)洗滌該 水層。在硫酸鎂上乾燥經組合之有機層，並使用旋轉減壓 蒸發移除揮發物。經由管柱層析法純化粗製品。獲得該氘 化的產物HI (x+y+n+m=21-23)為一白色粉末（4.5 g)。 進一步純化所得之產物，如在已公開之美國專利申請案 第2008-0138655號令所述般，以達到至少純 148477.doc •34· 201105612 度且雜質吸光度不大於0.01。從上文中得知，所決定之材 料具有與比較化合物A相同的純度位準。 圖3及圖4分別顯示1H NMR (CD2C12)和ASAP-MS的分析 結果。該化合物具有的結構如下： D η

其中的「D/H」表示Η或D於此相同原子位置大約相等之可 能性。該結構藉由NMR，13C NMR、2D NMR與1H-13C HSQC (Heteronuclear Single Quantum Coherence)所確認0

實例2及3與比較性實例B及C 這些實例展示具有一藍色發射體之裝置的產製及性能。 使用下列材料： 發射體E1

201105612 發射體E2

該裝置在一玻璃基板上具有下列結構： 陽極=姻锡氧化物（ITO) : 50 nm 緩衝層=緩衝液1 (50 nm)，其係一導電聚合物和一聚合 性經氟化磺酸的水性分散液。該等材料已描述於如已公開 之美國專利申請案第2004/0102577號、第2004/0 127637號 及第 2005/0205860號中。 電洞傳輸層=聚合物P1，其係一非交聯性芳基胺聚合物 (20 nm) 光活性層=1 3 :1主體：摻雜劑（40 nm)，如表1中所示 電子傳輸層=一金屬喹啉配位基衍生物（1 〇 nm) 陰極=CsF/Al (1.0/100 nm) I48477.doc •36- 201105612 表1.裝置光活性層 實例 主體 摻雜劑 比較性B-1 比較例化合物A El 比較性B-2 比較例化合物A El 比較性B_3 比較例.化合物A El 比較性B-4 比較例化合物A El 實例2-1 HI El 實例2-2 HI El 實例2-3 HI El 實例2-4 HI El 比較性C-1 比較例化合物A E2 比較性C-2 比較例化合物A E2 實例3-1 HI E2 實例3-2 HI E2 藉由溶液加工處理及熱蒸鍍技術之結合製造OLED裝 置。使用來自薄膜裝置公司（Thin Film Device, Inc)之圖案 化氧化銦錫（ITO)塗布玻璃基板。此等ITO基板係基於塗布 有ΙΤΟ之Corning 1737玻璃，其具有30歐姆/平方的薄片電 阻及80%的光透射率。在含水清潔劑溶液中超音波式地清 潔該等圖案化之ITO基板，並以蒸餾水加以沖洗。隨後， 在丙酮中超音波式地清潔該圖案化之ITO，以異丙醇加以 沖洗之，然後在氮氣流中乾燥。 就在要製造該裝置前，以紫外光臭氧（UV ozone)處理該 等已清潔之圖案化的ITO基板10分鐘。於冷卻之後，隨即 在該ITO表面上旋轉塗布緩衝液.1之水性分散液，然後再加 熱以移除溶劑。於冷卻之後，接著以一電洞傳輸材料之溶 液旋轉塗布該等基板，然後再加熱以移除溶劑。於冷卻之 148477.doc -37- 201105612 後’以該發射層溶液旋轉塗布該等基板，然後再加熱以移 除溶劑。遮罩該等基板’並將其放入一真空室中。使用熱 蒸錄來沈積電子傳輸層，接著沈積一 CSF層。接著在真空 中更換遮罩，並藉由熱蒸鍍沈積一 A1層。使該真空室排 氣’及使用一玻璃蓋 '乾燥劑（dessicant)及UV可固化環氧 化物封裝該等裝置。 藉由量測下列數據來描述〇LED樣本之特徵，（1)電流-電 壓（I-V)曲線’（2)電致發光輻射強度對電壓，及（3)電致發 光光譜對電壓。以上所有三個測量皆於相同時間執行，並 由一電腦控制。藉由把led之電致發光輻射強度除以該裝 置運轉所需之電流而決定該裝置在某一特定電壓處的電流 效率。其單位為cd/A。將該電流效率乘以ρί(π)，再除以操 作電壓’得出功率效率。其單位為lm/w ^表2說明該裝置 之資料。 表2 _裝置性能 實例 CIE (x，y) 電壓 (V) C.E. (cd/A) E.Q.E. (%) P.E. (lm/W) 壽命測試 電流密度 (mA/cm2'» 壽命測試 發光強度 (nits) 原始 T50 (h) 預測壽命期 Τ50@ΐ〇〇〇 比較例 B-1 0.135, 0.124 4.4 — 6.1 6.0 43 129 6837 410 10766 比較例 B-2 0.135, 0.127 4.3 6.4 6.1 4.7 125 7002 410 11211 比較例 Β·3 0.136, 0.123 4.4 5.7 5.6 4.1 127 5906 430 8804 比較例 Β-4 0.134, 0.129 4,3 6.4 6.1 4.7 123 7021 430 11813 -38 - 148477.doc 201105612 實例 2-1 0.136, 0.119 4.4 5.7 5.7 4.1 136 7040 870 24010 實例 2-2 0.137, 0.117 4.2 5.4 5.5 4.1 126 6244 830 18679 實例 2-3 0.136, 0.118 4.2 5.7 5.7 4.2 129 6467 830 19828 實例 2-4 0.136, 0.118 4.3 5.5 5.6 4.1 121 6148 870 19071 比較例 C-1 0.135, 0.128 4.3 6.2 6.0 4.6 141 8018 490 16871 比較例 C-2 0.135, 0.128 4.3 6.3 6.0 4.6 125 7136 510 14403 實例 3-1 0.135, 0.122 4.3 6.0 5.9 4.4 121 6741 950 24356 實例 3-2 0.135, 0.124 4.2 6 5.8 4.4 126 6974 930 25257 *所有資料@ 1000 nits，CE =電流效率；CIEx和CIEy為根 據 C.I.E.色度圖（Commission Internationale de L’Eclairage, 1931)的X和y顏色座標。原始T50係一·裝置達到初始發光強 度一半時的時間（以小時計），該初始發光強度係於壽命測 試發光強度時所給定《預測T50係於1000 nits時的預測壽 命期，其使用一加速因子1.7。 可觀察到在具有本發明之氘化主體時，裝置的壽命期大 幅増加。當使用發射體E1時，有非氘化主體之比較性裂置 (比較例B-1至B-4)具有平均420小時的原始T50。在具有該 氘化類似物主體H1(實例2-1至2-4)時，該些裝置具有平均 小時的原始T50。當使用發射體E2時，該些比較性褒置 (C-1與C-2)具有平均5.00小時的原始T5〇。在具有該氘化類 似物主體Hl(3-1至3-2)時，則具有平均94〇小時的原妗 148477.doc -39· 201105612 T50。 實例4 此實例說明一些氘化中間體化合物的製備過程，其可用 以合成化合物，該化合物具有氘化作用之受控位準式工。 中間體A :

CuBr^/CCI^· 回流

將無水二溴化銅（45 g ’ 0.202 mole)—次性添加至在cci4 (500 mL)中的蒽_dl0 (188 g，〇 1〇 m〇le)之溶液中於回 流條件下，攪拌並加熱該反應混合物液12小時棕色的二氣 化銅逐漸地轉變成白色的二溴化銅，且逐漸地釋出溴化氫 (連接至驗性浴池吸收體（base bath absorber))。在反應結束 之時’藉由過濾移除二溴化銅，然後使該四氯化碳溶液通 過3 5-mm填充200 g氧化鋁的層析管柱。以2〇〇 mi的CH2C12 洗析該管柱。蒸發該經組合之析出液至乾燥，以得到24 g (87。/。）的 9-溴蒽-d9(9-bromoanthracene-d9)，其為一檸檬黃 色的固體。該固體包括該起始材料之雜質（〜和該二溴 副產物（〜2%)。此材料直接使用在進一步的偶和反應中且 無需純化。藉由使用己烷或環己烷再結晶可進一步純化該 中間體，以得出純化合物。 中間體B :

Q D D D n_/=V '2/Nal°4 )=( H2S04/HAc D~4 /)-B「--- I—( /V-Br

D

D 148477.doc 201105612 於室溫’對d5-溴苯（MW 162 ’ 100 g，0.617 mol)添加 93 mL的50°/❶H2S04與494 mL的HOAc之混合溶劑。接著，加 入一粉末化之12 (MW 254，61.7 g，0.243 mol)，之後再加 入粉末化之NaI04 (MW 214，26.4 g，0.123 mol)。激烈攪 拌該混合物並加熱至90°C持續4小時。該暗紫色的溶液變 成一淺燈色的混合物，其含有一極細的白色沈殿物。冷卻 該混合物至室溫一整夜。在此期間，所得產物沈澱成板狀 微晶體。過濾該混合物，並以10%硫代硫酸鈉Na2S203 (5 0 mL)洗滌該混合物兩次，然後再以水洗滌。將該混合 物溶解於CH2C12中，然後執行快速管柱層析（flash column)。獲得124 g(70%)的淡黃色結晶材料。以CH2C12 (50 mLx3)萃取該濾液，且合併該CH2C12洗出液並以10% 硫代硫酸鈉Na2S203 (50 mL)洗滌兩次而後以水洗滌。在 乾燥及蒸發該溶劑並執行快速快速管柱層析之後，得出另 一個32 g的純產物（17.5%)。總重為156 g(產率88%)。 中間體C :

對在 CH2C12 (800 mL) : H20 (80 mL)與氫溴酸（MW: 81，d=1.49，100 g ; 67.5 mL — 49% aq.溶液；〇·6 mol)中 的萘-d8 (MW 136，68 g，0·5 mole)攪拌中溶液緩慢添加過 氧化氫（FW: 34，d=l.l g/mL，56 g ; 51.5 mL之 30%水溶 液；0.5 mol)，此添加在10-15°C歷時30分鐘的期間。使該 148477.doc -41· 201105612 反應物保持於室溫40小時，同時使用TLC監測其過程。於 溴化作用完成後，在減壓下移除該溶劑，且所得之粗製品 以10%硫代硫酸鈉Na2S203 (50 mL)洗滌兩次而後以水洗 務。先使用己烧（100°/〇)藉由石夕膠快速管柱層析法（100 — 200 篩孔）’然後蒸餾之來分離出純產物，以得出85 g的純卜 溴-萘-d7 ’其為一清澈液體，產率約為8〇%。 中間體D :

以氮氣在300 ml無水1，4-二噁烷（1，4_di〇xane)中的卜溴 萘-d7 (21.4 g，0.10 m〇l)、雙（頻那醇配位基）二硼（38 g , 0.15 mol)、乙酸鉀（19.6 g，0.20 m〇i)之混合液鼓泡15分 鐘。然後添加？<1(却卩£)2(：12-(：^12(：12(1.63呂，〇.〇〇2 111〇1)。使 該混合物在1 00°C (油浴）加熱1 8小時。在冷卻後，透過 CELIT過濾、s亥混合物而後濃縮至5〇 mL，之後添加水並以 醚萃取三次（100 mLx3)。以水（3χ)及鹽水（1χ)洗滌該有機 層，然後以MgSCU乾燥，過濾並濃縮。該殘留物送至一矽 膠管柱（洗析液：己烷）以得到一白色液體，其具有萘與二 硼酸酯（diboronic ester)的副產物。因此，藉由蒸餾執行進 一步純化作用，以得出一清澈的黏性液體。產量2丨邑， 82%。 中間體E : I48477.doc -42· 201105612

在曱苯（300 mL)中的 1-溴-4-碘-苯-D4 (10.95 g，0.0382 mole)與1-蔡侧酸自旨-D7 (10.0 g，0.0383 mole)之混合物添 加Na2C03 (12.6 g，0.12 mole)與H20 (50 mL)，aliquant (3 g)。以氮氣鼓泡該混合物達15分鐘。然後加入d(PPh3)4 (0.90 g，2%)。在氮氣環境下回流該混合液12小時。於冷 卻該反應混合液後’分離該反應混合液，然後以水洗滌有 機層’並分離、乾燥及濃縮。加入二氧化矽並濃縮。在蒸 發殘留的溶劑之後’使用己烷作為洗析液執行快速管柱層 析，以知出粗製品。藉由蒸顧（在135-i40°C /100 mtorr下收 集）執行進一步的純化，以得到清澈的黏性液體（8 76 g， 產率78%)。 中間體F :

Br % dJ 、D % /D V 、D D D

以氮氣在200 mL無水1，4-二噁烷中的〖_溴-笨基_4_萘-du 148477.doc •43- 201105612 (22 g，0.075 mole)、雙（頻那醇配位基）二硼（23 g ’ 〇 〇9〇 mol)、乙酸鉀（22 g ’ 0.224 m〇1)之混合物鼓泡15分鐘。然 後添加Pd(dppf)2Cl2*CH2Cl2(i.2〇 g，0.00147莫耳）。使該 混合物在100 C (油 >谷）力τι熱18小時。在冷卻後，透過celit 過;慮δ玄混合物而後濃縮至5 〇 mL，之後添加水並以鱗萃取 三次（100 mLx3)。以水（3X)及鹽水（lx)洗滌該有機層，然 後以MgS〇4乾燥’接著過濾並濃縮。該殘留物送至一矽膠 管柱（洗析液：己烷）以得到一白色液體，其具有萘與二侧 酸酯（diboronic ester)的副產物。因此，藉由使用己烷作為 洗析液再度執行石夕膠管柱層析而執行進一步純化作用。在 蒸發溶劑並將其濃縮至約80 mL的己烷，且形成白色晶體 產物之後，濾得產物為20.1 g，產率8 1 %。 中間體G :

對在甲苯（500 mL)中的該中間體A (18.2 g)與中間體F硼 酸酯（25.5 g)添加 Na2C03 (31.8 g)與 H20 (120 mL)， aliquant (5 g)。以氮氣鼓泡該混合物1 5分鐘。然後加入 Pd(PPh3)4 (1.5 g，1.3%)。在氮氣環境下回流該混合液12 小時。於冷卻該反應混合物後’分離該反應混合物，然後 以水洗蘇有機層，並分離、乾燥及濃縮至〜50 mL，然後倒 148477.doc -44 - 201105612 入MeOH中。過濾該固體以得出黃色的粗製品（〜28〇 g)。 以水、HC1 (10%)、水及曱醇洗滌該粗製品。將該粗製品 再溶解於CHCI3中，然後以MgS〇4乾燥，並過濾。把矽= 加入該濾液中’濃縮並乾燥，然後僅使用己烷作為洗析液 (總共通過50 L的己烷…僅使用5 L的己烷回收）以執行矽膠 (0·5 Kg)純化，以得到白色產物。 中間體Η :

D D D

於一在CH2C12 (450 mL)中且經冰浴冷卻的9-(4-萘-1-基） 苯基蒽-D20 中間體G (MW 400.6，20.3 g，0_05 mole)之溶 液中緩慢添加（20 min)溶於CH2C12 (150 mL)中的溴（MW 160，8.0 g，〇.〇5 mole)。該反應立即發生並且顏色轉為淡 黃色。加入一 Na2S203 (2M 100 mL)的溶液並攪拌15分 鐘。然後分離該水層，且以Na2C03 (10%，50 mL)而後以 水洗滌該有機相三次。分離且接著使用MgS04乾燥，然後 蒸發該溶劑直到剩下1〇〇 mL。倒入至甲醇（200 mL)中且過 濾之，以得到23.3 g的純化合物（MW 478.5，產率97.5%) HPLC顯示其為1〇〇%的純度。 中間體I : 148477.doc -45- 201105612

將萘-D8 (13.6 g，0.10 m〇le)、雙（頻那醇配位基）二硼 (27·93 g，〇.U mole)、二_μ_ 曱氧基雙（15 環辛二烯）二銥 (I) (ch-mu-methox〇bis(l，5-cyclooctadiene)diiradium (I) [Ir (OMe)COD]2) (1.35 g，2 mmole，2%)及 4,4，-二-三級丁基- 2,2’-聯吡啶（i.i g，4 mmole)的混合物添加至環己烷（2〇〇 mL)中。以N2除氣該混合物1 5分鐘，然後在85 (油浴）加 熱一整夜（暗棕色溶液）。使該混合物通過矽膠襯墊（pad)。 收集組份’並濃縮直到乾燥。添加己烷。濃縮該濾液（液 體）並使其通過一石夕膠管柱，以己烧潤洗以得到清澈的液 體，其並非純質，故藉由矽膠管柱再次純化，然後以己烧 潤洗，接著於135°C /100 mmtorr下蒸顧，以得出純質的白 色黏性液體，再將其固化以得到一白色粉末（1 8·5 g，產率 70%) 〇 中間體J :

D Pd(Ph3P)4

D D 在一圓底燒瓶（100 mL)中加入9-溴蒽-d9 (MW 266，2.66 g，0.01 mole)、萘-2-石朋酸（MW 172，1·72 g ’ 0.01 mol)， 接著加入甲苯（30 mL)。該混合物以N2吹掃l〇分鐘。然後 148477.doc -46- 201105612 加入溶於水（10 mL)中的 Na2C03 (2M，10 mL (2.12 g) 0.02 mole) ° 繼續以n2吹掃該混合物1 〇分鐘。加入催化劑量的 Pd(PPh3)4(0.25 g，2.5%，〇_〇25 mmol)。回流該混合物一 整夜》分離該有機層，然後將其倒入甲醇中’以水、 HC1(10%)、水及曱醇洗滌之。得到2.6 g的純質白色產物 (產率：83%)。 中間體K :

將一在CH2C12 (50 mL)中的9-2·-萘-蒽-d9中間體J (2.6 g，0.0083 mole)之溶液滴加入一在CH2C12 (5 mL)中的漠 (1.33 g，0.0083 mole)之溶液中，並攪拌30分鐘。加入一 Na2S203 (2M 10 mL)溶液並授拌15分鐘。然後分離該水 層，並以Na2C03 (10%，10 mL)洗滌該有機相，接著以水 洗滌三次。分離並接著以MgS04乾燥，之後蒸發該溶劑直 到剩下20 mL。倒入甲醇（100 mL)中並過濾得到純化合物 (3.1 g，產率 96%)。 中間體L : 148477.doc -47- 201105612

對一在曱苯（〜60 mL)中的9-溴蒽-D9中間物Κ (2.66 g， 0.01 mole)與 4,4,5,5-四甲基-2-(萘-2-基 _D7)-1，3,2-二氧雜 硼雜環戊烷（2.7 g，0.011 m〇ie)添加 Na2C〇3 (4 〇 g，〇 〇4 mole)與H20 (20 mL)。以氮氣鼓泡該混合物15分鐘。然後 加入Pd(PPh3)4 (0.20 g，2.0%)。在氮氣環境下回流該混合 液達18小時（黃色固體）。於冷卻該反應混合物後，將其倒 入MeOH (200 mL)中。過濾該固體以得到黃色粗製品。以 水和曱醇洗務該粗製品。將該粗製品再溶解於丨3中， 以MgS04乾燥，並過濾。把矽膠加入該濾液中，濃縮並乾 燥，使用己烷作為洗析液執行矽膠純化，以得到一純產物 (3.0 g，產率 94%)。 中間體Μ :

148477.doc •48· 201105612 (1.4 g，0.00875 m〇ie)溶液，並且攪拌3〇分鐘。然後添加 一 NaaSiO3 (2M 1〇 mL)溶液，並且攪拌該混合物15分鐘。 然後分離該水層並且以NaKCh (1〇。/。，10 mL)洗滌該有機 相，之後以水洗滌三次。分離並接著以MgS〇4乾燥，然後 蒸發該溶劑直到剩下20 mL。倒入甲醇（丨00 mL)中並過濾 得到純化合物（3.3 g .，產率95°/〇)。 實例5 此實例說明得自中間體Η和中間體I之化合物H8的合 成0

於一在DME (350 mL)中的9溴-10-(4-萘·1-基）苯基蒽-D19中間體Η (14.84 g，0.03 1 mole)與2-萘棚酸酯中間體I (10.0 g，0.038 mole)之混合物中添加 K2C03 (12.8 g，0.093 mole)與H20 (40 mL) »以氮氣鼓泡該混合物15分鐘。然後 加入Pd(PPh3)4 (0.45 g，1.3%)。在氮氣環境下回流該混合 液12小時。於冷卻該反應混合物之後，濃縮該反應混合物 至~150 mL，然後倒入MeOH中。過濾該固體，以得到一 淡黃色粗製品。以水和曱醇洗滌該粗製品。將其再度溶於 148477.doc -49- 201105612 CHC13中、以MgS〇4乾燥並過濾之。將石夕膠加入該遽液 中，濃縮並乾燥’使用己烷：氣仿（3:1)作為洗析液執行石夕 膠純化（0.5 Kg) ’以得到白色產物。（15 g，產率91〇/〇) 實例6 此實例說明得自中間體K之化合物H13的合成。

在一圓底燒瓶（100 mL)中添加9-溴-10-(萘-2-基）蒽中間 體 K (1.96 g ’ 〇.〇5 m〇l)、4-(萘-1-基）苯基硼酸（1.49 g， 〇·〇6 mol) ’接著添加曱苯（3〇 mL)。以N2吹掃該混合物1〇 分鐘。然後添加溶於水（8 mL)中的Na2c〇3 (1.90 g，0.018 m〇le) ’接著為Aliquent (1 mL)。繼續以N2吹掃該混合液 10分鐘。加入催化劑量的Pd(PPh3)4 (116 mg)。回流該混合 液一整伩。於分離水性相後，將有機層倒入曱醇（丨〇〇 mL) 中以收集該白色固體。將其過濾且藉由使用氣仿：己烷 (1:3)執行矽膠管柱層析而進一步純化，以得到純質白色化 合物（2.30 g，產率9〇%)。 實例7 此實例說明得自中間體I與中間體F之化合物H9的合成。 148477.doc •50· 201105612

D D

在一圓底燒瓶（100 mL)中添加9-溴-10-(萘-2-基）蒽-D8中 間體K (0.70 g，0.0018 mol)、4-(萘-1-基）苯基硼酸-D11 中 間體F (0.7 g，0.002 mol)，接著添加甲苯（10 mL)。以N2吹 掃該混合物10分鐘。然後添加溶於水（3 mL)中的Na2C〇3 (0.64 g，0.006 mole) ’ 接著為 Aliquent (0.1 mL)。繼續以 A吹掃該混合物10分鐘《加入催化劑量的pd(pph3)4 (0.1 〇 g)回流該混合物一整夜。於分離水性相後，將有機層倒入 甲醇（100 mL)中以收集該白色固體e將其過濾且藉由使用 氣仿.己烧（1:3)執行石夕膠管柱層析而進一步純化，以得到 純質白色化合物（0.90 g，產率95%)。 以一類似方法製備化合物Hl〇、H11和H12。

實例8-10和比較例D及E 這些實例展示具有一藍色發射體之裝置的產製及性能。 使用下列材料： 發射體E3 : 148477.doc •51 · 201105612

該裝置在一玻璃基板上具有下列結構： 陽極=ΙΤΟ (50 nm) 缓衝層=緩衝液1 (50 nm)。 電洞傳輸層=聚合物P1 (20 nm) 光活性層=13 :1主體：摻雜劑（40 nm)，如表3中所示 電子傳輸層=一金屬唾琳配位基衍生物（1 〇 nm) 陰極=CsF/Al (1.0/100 nm) 表3.裝置光活性層 實例 主體 摻雜劑 比較性D-1 比較例化合物A E3 比較性實例D-2 比較化合物A E3 實例8-1 H11 E3 實例8-2 H11 E3 實例9-1 H8 E3 實例9-2 H8 E3 比較性Ε-1 比較例化合物A E3 比較性Ε-2 比較例化合物A E3 實例10-1 H10 E3 實例10-2 H10 E3 -52- 148477.doc 201105612 藉由溶液加工處理及熱蒸鍍技術之結合製造OLED裝 置。使用來自薄膜裝置公司（Thin Film Device, Inc)之圖案 化氧化銦錫（ITO)塗布玻璃基板❶此等ITO基板係基於塗布 有ΙΤΟ之Corning 1737玻璃，其具有30歐姆/平方的薄片電 阻及80%的光透射率。在含水清潔劑溶液中超音波式地清 潔該等圖案化之ITO基板，並以蒸餾水加以沖洗。隨後， 在丙嗣中超音波式地清潔該圖案化之IT〇，以異丙醇加以 沖洗之’然後在氮氣流中乾燥。 就在要製造該裝置前’以紫外光臭氧（UV oz〇ne)處理該 等已清潔之圖案化的ITO基板1 〇分鐘。於冷卻之後，隨即 在該ITO表面上旋轉塗布緩衝液i之水性分散液，然後再加 熱以移除溶劑。於冷卻之後，接著以一電洞傳輸材料之溶 液旋轉塗布該等基板，然後再加熱以移除溶劑。於冷卻之 後’以發射層溶液旋轉塗布該等基板，然後再加熱以移除 溶劑。遮罩該等基板，並將其放入一真空室中。使用熱蒸 鑛來沈積電子傳輸層’接著沈積一 CsF層。接著在真空中 更換遮罩’並藉由熱蒸錄沈積一 Ai層。使該真空室排氣， 及使用一玻璃蓋、乾燥劑（dessicant)及uv可固化環氧化物 封裝該等裝置。 藉由量測下列數據來描述OLEO樣本之特徵，（”電流-電 壓（I-V)曲線’（2)電致發光輻射強度對電壓，及電致發 光光谱對電壓。以上所有三個測量皆於相同時間執行，並 由電知控制。藉由把LED之電致發光輻射強度除以該裝 置運轉所需之電流而決定該裝置在某一特定電壓處的電流 148477.doc •53· 201105612 效率。其單位為cd/A。將該電流效率乘以pi〇)，再除以操 作電壓，得出功率效率。其單位為lm/W。表4說明該裝置 之資料。 表4.裝置性能 實例 CIE (x，y) 電壓 (V) C.E. (cd/A) E.Q.E. (%) P.E. (lm/W) 壽命測試 電流密度 (mA/cm2) 壽命測試 發光強度 (nits) 原始 T50 (h) 預測壽命期 T50@1000 nits 比較例 D-1 0.136, 0.126 4.4 5.7 5.5 4.1 127 6686 455 11503 比較例 D-2 0.136, 0.123 4.4 5.8 5.7 4.2 129 6572 450 11048 實例 8-1 0.136, 0.121 4.4 5.8 5.8 4.2 128 6669 555 13970 實例 8-2 0.136, 0.124 4.3 5.9 5.7 4.2 130 6599 590 14587 實例 9-1 0.136, 0.121 4.3 5.8 5.8 4.2 127 6475 940 22503 實例 9-2 0.136, 0.121 4.4 5.8 5.8 4.2 124 6254 955 21551 比較例 E-1 0.136, 0.123 4.4 6.1 6.0 4.3 124 6670 400 10071 比較例 E-2 0.135, 0.124 4.4 5.8 5.6 4.1 131 7006 388 10620 實例 10-1 0.136, 0.121 4.4 6.0 5.9 4*2 123 6403 622 14610 實例 10-2 0.136, 0.118 4.4 5.7 5.8 4.1 121 6050 675 14398 *所有資料@ 1〇〇〇 nits，CE =電流效率；CIEx和CIEy為根 據 C.I.E.色度圖（Commission Internationale de L'Eclairage, 193 1)的x和y顏色座標。原始T50係一裝置達到初始發光強 -54- 148477.doc 201105612 度一半時的時間（以小時計）’該初始發光強度係於壽命測 試發光強度時所給定。預測T50係於1〇〇〇 nits時的預測壽 命期，其使用一加速因子1.7。 應留意的是，並非上文一般性描述或實例中所述之動作 都是必要的，特定動作之一部分可能並非需要的，並且除 了所描述之動作外，可進一步執行一或多個其他動作。此 外’所列動作之次序不必然是執行該等步驟之次序。 在上述說明中’已描述關於特定實施例之概念。然而， 通常熟習該技藝之人士理解，在不脫離下面申請專利範圍 所述之本發明的範疇下可進行各種修訂和變更。因此，應 將本說明書與圖示視為說明性而非限制性之觀念，且意欲 將所有這類修改涵括於本發明之範疇中。 月|J文已針對特定實施例之效益、其他優點及問題解決方 案加以闡述。'然而，不可將效益、優點、問題解決方案以 4何可使這些效益、優點或問題解決方案更為突顯的特 徵解喂為疋任何或所有專利巾請範圍之關鍵、必需或必要 特徵。 應當理解為了清楚說明起見，本文所述之各實施例内容 :的某些特徵’亦可以組合之方式於單獨實施例中別加以 θ相反地，簡潔起見，本文所述許多特徵於同-實施 例中，其亦可分別提供或提供於任何次組合中。此外，範 圍内描述的相關數值包括所述範圍内的各個及每個值。 【圖式簡單說明】 貫施例說明於隨附圖式中 以增進對本文中所呈現之概 148477.doc -55· 201105612 念的理解。 圖1包括一有機電子裝置之實例的說明。 圖2包括比較例A之比較性化合物的1H NMR光譜。 圖3包括實例1之氛化化合物的1H NMR光譜。 圖4包括實例1之氘化化合物的質谱。 熟習此項技術者應瞭解，圖式中之物件係為達成簡單及 清楚之目的而說明，且不一定按比例繪製。例如，㈣等 圖式中，某些物件的尺寸相對於其他物件可能有所放：， 以有助於對實施例的暸解。 【主要元件符號說明】 100 裝置 110 陽極層 120 緩衝層 130 電洞傳輸層 140 光活性層 150 電子傳輸層 160 陰極層 148477.doc •56-

Claims (1)

1. 201105612 七、申請專利範圍： 1. 一種經芳基取代之蒽化合物，其具有至少一個D。 2. 如申請專利範圍第巧所述之化合物，其為至少肌沉 化。 3. 如申請專利範圍第！項所述之化合物，其為至少观氘 化。 4. 如申請專利範圍第旧所述之化合物，其為1〇㈣氣化。 5. 如申請專利範圍第]項所述之化合物，該化合物具有式

   其中： R至R8在每次出現時為相同或不同，且係選自由h、 D、烧基、絲基、芳基、芳氧基、二芳基胺基、石夕氧 烧與矽烷基所組成之群組； Ar1與Ar2為相同或不同’且係選自由芳基基團所組成 之群組；以及 Ar3與Ar4為相同或不同，且係選自由H、D及芳基基團 所組成之群組； 其中該化合物具有至少一個D。 6.如申請專利範圍第5項所述之化合物，其十該至少一個D 148477.doc 201105612 係位在一芳基環的一取代基基團。 7. 如申請專利範圍第5項所述之化合物其中…至尺8之至 少一者為D。 8. 如申叫專利範圍第5項所述之化合物其中r1至R8係選 自Η及D。 9 ’如申咕專利範圍第5項所述之化合物其中r1至R8之至 J一者係選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、二芳基胺 基、矽氧烷與矽烷基，而111至118之其餘者係選自11與]〇。 10.如申請專利範圍第9項所述之化合物，其中R2係選自烷 基及芳基。 U.如申請專利範圍第5項所述之化合物，其中Ari至Ar4之至 少一者為一氘化芳基。 12.如申明專利範圍第5項所述之化合物，其中αγ3與αγ4係選 自D與氘化芳基。 13·如申請專利範圍第5項所述之化合物，其中八^至八〆為至 少20%氘化。 14.如申請專利範圍第5項所述之化合物，其中Ari與Ar2係選 自由笨基、萘基、菲基與蒽基所組成之群組。 15·如申請專利範圍第5項所述之化合物’其中Ar3與Ar4係選 自由苯基、萘基、菲基、蒽基、苯伸萘基、萘伸苯基與 一具下列式II的基團所組成之群組，該式π : 148477.doc 201105612

   式II 其中 R在每次出現時A 叮碍相同或不同，且係選自由η、]□、烷 基、烷氧基、二芳其&杜 、 不丞胺基、矽氧烷及矽烷基所組成之群 或者相鄰R基圈可結合在一起以形成一芳族環； 以及 瓜在每次出現時為相同或不同，且為⑴之整數。 16.如申請專利範圍第5項所述之化合物，其中Μ與心4係選 自由苯基、奈基、苯伸萘基、萘伸苯基與一具下列式III 的基團所組成之群組，該式III :

   其中： R9在每次出現時為相同或不同，且係選自由Η、D、烷 基、烷氧基、矽氧烷及矽烷基所組成之群組，或者相鄰 R9基團可結合在一起以形成一芳族環；以及 m在每次出現時為相同或不同’且為1至6之整數。 17.如申請專利範圍第5項所述之化合物’其中Ar1至Ar4之至 少一者為一雜芳基基團。 148477.doc 201105612 18. 19. 20. 21. 22. 如申請專利範圍第17項所述之化合物，其中該雜芳基基 團係選自^卡η坐、苯并吱*與二笨并咬喃所組成之群 如申請專利範圍第5項所述之化合物，其中R丨至rS之 少-者為D，且"丨至之至少一者為一氘化芳基。之至 一種化合物，其係選自中間體A至中間體“以及钔至 H13。 一種有機電子裝置，其包含一第一電接觸層、一第二電 接觸層以及界於其間的至少一個活性層，其中該活性層 包含一經芳基取代之葱化合物，該化合物具有至少一個 D。 如申請專利範圍第21項所述之裝置，其中該經芳基取代 之蒽化合物具有式I :

   其中： R至R8在每次出現時為相同或不同，且係選自由H、 D、烧基、炫氧基、芳基、芳氧基、二芳基胺基、矽氧 烧與石夕院基所組成之群組； Αι·1與Ar2為相同或不同，且係選自由芳基基團所組成 I48477.doc -4- 201105612 之群組；以及 Ar3與Ar4為相同或不同’且係選自由h、d及芳基基團 所組成之群組； 其中3亥化合物具有至少一個X)。 23. 如申請專利範圍第22項所述之裝置，其中該活性層主要 由該具有式I的化合物與一種或以上之電致發光化合物所 組成。 24. 如申請專利範圍第23項所述之裝置，其中該電致發光化 合物係選自由經胺基取代之疾與經絲取代之蒽所組成 之群組 25. 如申請專利範圍第23項所述之裝置，其進一步包含一緩 衝層界於該第一電接觸層與該活性層之間。 26. 如申請專利範圍第25項所述之裝置，其中該緩衝層包含 至少-種導電聚合物及至少一種經敦化酸聚合物。 148477.doc -5-