KR101978650B1 - 중수소화 방향족 화합물의 중간체 및 이를 이용한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법 - Google Patents
중수소화 방향족 화합물의 중간체 및 이를 이용한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 중수소화 방향족 화합물의 중간체 및 이를 이용한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 이용하여, 중수소를 높은 수준으로 전환시킨 중수소화 방향족 화합물을 제조할 수 있다.
또한, 중수소를 높은 수준으로 전환시킨 중수소화 방향족 화합물을 이용하여, 고 수명 및 발광 효율 등의 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
또한, 중수소를 높은 수준으로 전환시킨 중수소화 방향족 화합물을 이용하여, 고 수명 및 발광 효율 등의 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 중수소화 방향족 화합물의 중간체 및 이를 이용한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 중간체를 이용하여 중수소화의 전환율이 우수한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 방향족 화합물은 의약, 농업 화학물질, 기능성 물질, 유기전계 발광소자 등 산업의 여러 분야에 주로 사용되어지는 재료이다. 특히, 유기전계 발광소자에 적용이 되고 있는데, 이러한 용도의 방향족 화합물에 중수소를 도입한 연구들이 보고 되어지고 있다. 이 중에서 중수소화 된 유기전계 발광물질은 중수소화되지 않은 동위 이성질체(isotopologues)에 비해 향상된 성능(효율, 수명)을 나타낸다 (예를 들면, Lecloux, et al. PCT Int. Appl. (2010), WO 2010114583 A1 20101007 및 Tong, et al. J. Phys. Chem. C2007, 111, 3490-4 참조).
중수소(deuterium)는 수소의 동위 원소로써 질량수 2 인 것을 나타내며, 자연에서 대략 0.015%의 비율로 존재한다. 중수소의 주요 용도는 통상적으로 화학 반응과 대사 경로 등을 추적하기 위한 연구 목적으로 사용되어 왔다.
안트라센 계열의 유기전계 발광재료의 경우, 주로 발광층 및 기타 공통층에 사용되는데, 일반적으로 최대준위점유분자궤도 (HOMO)와 최저준위비점유분자궤도 (LUMO) 모두 안트라센에 분포되는 특징을 가지고 있다. 이러한 안트라센 모체가 중수소화 되면 수소에 비해 상대적으로 분자의 진동에너지의 활동이 적기 때문에 분자간에 상호 작용을 줄여 주는 효과가 있어, 유기 전계 발광소자의 성능이 향상된다.
한편, 일반적으로 화합물을 중수소화 하는 제조방법에 대해서는 다음와 같이 알려져 있다.
중수소화되지 않은 화합물을 수 시간 또는 수 일의 기간에 걸쳐 D2SO4 또는 D3PO4-BF3/D2O와 같은 물질로 처리하여 중수소화된 방향족 화합물을 제조하거나, 은 화합물을 알루미늄 트라이클로라이드 또는 에틸 알루미늄 클로라이드와 같은 루이스산 H/D 교환 촉매의 존재하에서 중수소화된 용매로 처리하는 방법에 의해서도 제조할 수 있다. 이 외에도 고온 및 고압 조건하에서 D2O를 용매로 제조하는 방법, 마이크로웨이브 조사로 처리하여 산 또는 염기-촉매 반응을 통해 제조하는 방법, D2 기체, 또는 D2O, 또는 중수소화된 유기 용매, 예를 들어, C6D6와 금속 촉매하에서 중수소화하는 제조 방법 등이 알려져있다.
중수소화의 일반적인 방법을 유기전계 발광 재료에 도입하기 위해서는 용해도, 정제 용이성, 전환율 및 공정 환경의 위험성 등의 요소들을 고려해야 하는데, 앞서 기술한 중수소화 기술들은 고온, 고압, 용해성, 전환율 등 적어도 한가지 이상의 문제점을 가지고 있다.
따라서, 분자 전체의 중수소화 보다 모체인 안트라센만 중수소화 하는 것이 보다 효율적이며, 이에 대한 제법 기술이 요구되어 지고 있다.
본 발명의 목적은 중수소화 방향족 화합물의 중간체 및 이를 이용한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 방향족 화합물의 중수소 전환율을 높이기 위하여, 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 이용하는 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 중수소 전환율을 높여, 제조한 중수소화 방향족 화합물을 이용하여, 고 수명 및 발광 효율 등의 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 중수소화 방향족 화합물의 중간체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다:
[화학식 1]
여기서,
n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
o 및 p는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 
또는 C(R3)(R4)이며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 -OH로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 R1 및 R2가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 중수소화 방향족 화합물의 제조 1) 중수소화 되지 않은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 중수소원을 금속 촉매 하에서 반응하여, 중수소화 된 방향족 화합물의 중간체인 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계; 및 2) 상기 1) 단계의 중수소화 된 방향족 화합물의 중간체인 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 이용하여 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함할 수 있다:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
여기서,
o 및 p는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 
또는 C(R3)(R4)이며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 -OH로 이루어진 군으로부터 선택된다.
n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알케닐렌기 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알케닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알케닐기 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 L1, L2, Ar1, Ar2 및 R1 내지 R4가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서에서 “할로겐기”는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이다.
본 발명에서 “알킬”은 탄소수 1 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알케닐(alkenyl)”은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알키닐(alkynyl)”은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “아릴”은 단독 고리 또는 2이상의 고리가 조합된 탄소수 6 내지 60개의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴, 플루오닐, 다이메틸플루오레닐 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “헤테로아릴”은 탄소수 6 내지 30개의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있고, 나아가 아릴기와의 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리, 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리 및 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “아릴옥시”는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 6 내지 60개의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알킬옥시”는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R'는 탄소수 1 내지 40개의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함할 수 있다. 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알콕시”는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 "아르알킬"은, 아릴 및 알킬이 상기한 바와 같은 아릴-알킬 그룹을 의미한다. 바람직한 아르알킬은 저급 알킬 그룹을 포함한다. 적합한 아르알킬 그룹의 비제한적인 예는 벤질, 2-펜에틸 및 나프탈레닐메틸을 포함한다. 모 잔기에 대한 결합은 알킬을 통해 이루어진다.
본 발명에서 “아릴아미노기”는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 “알킬아미노기”는 탄소수 1 내지 30의 알킬기로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 “아르알킬아미노기”는 탄소수 6 내지 30의 아릴-알킬기로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 “헤테로아릴아미노기”는 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 헤테로고리기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 발명에서 “헤테로아르알킬기”는 헤테로고리기로 치환된 아릴-알킬 그룹을 의미한다.
본 발명에서 “시클로알킬”은 탄소수 3 내지 40개의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 노르보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “헤테로시클로알킬”은 탄소수 3 내지 40개의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알킬실릴”은 탄소수 1 내지 40개의 알킬로 치환된 실릴이고, “아릴실릴”은 탄소수 6 내지 60개의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
본 발명에서 “축합고리”는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명에서 “인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다”는 것은 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 “지방족 탄화수소고리”란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다.
본 명세서에서 “방향족 탄화수소고리”의 예로는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 “지방족 헤테로고리”란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족고리를 의미한다.
본 명세서에서 “방향족 헤테로고리”란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족고리를 의미한다.
본 명세서에서 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에서 "치환"은 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 치환기는 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기 및 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있으나, 상기 예시에 국한되지 않는다.
본 발명의 중수소화 방향족 화합물의 중간체 및 이를 이용한 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법에 의하면, 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 이용하여, 중수소를 높은 수준으로 전환시킨 중수소화 방향족 화합물을 제조할 수 있다.
또한, 중수소를 높은 수준으로 전환시킨 중수소화 방향족 화합물을 이용하여, 고 수명 및 발광 효율 등의 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 합성예 1-1의 중수소화된 중간체에 대한 Mass 분석 결과이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예예 따른 합성예 1-1의 반응 전 화합물에 대한 1H NMR 결과이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 합성예 1-1의 중수소화된 중간체에 대한 1H NMR 결과이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예예 따른 합성예 1-1의 반응 전 화합물에 대한 1H NMR 결과이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 합성예 1-1의 중수소화된 중간체에 대한 1H NMR 결과이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 본 발명의 중수소화 방향족 화합물의 중간체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다:
[화학식 1]
여기서,
n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
o 및 p는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 
또는 C(R3)(R4)이며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 -OH로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 R1 및 R2가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
상기 n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 2 내지 4의 정수이다.
상기 X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 
또는 C(R3)(R4)이며, 바람직하게 X1이 
이면, X2는 
또는 C(R3)(R4)이다.
본 발명의 중수소화 방향족 화합물의 중간체는 안쓰론 또는 안트라퀴논을 중수소화 한 중간체를 이용하여, 높은 수준의 중수소화를 달성할 수 있는 중수소화 안트라센 화합물 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 본 발명의 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법은 1) 중수소화 되지 않은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 중수소원을 금속 촉매 하에서 반응하여, 중수소화 된 방향족 화합물의 중간체인 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계; 및 2) 상기 1) 단계의 중수소화 된 방향족 화합물의 중간체인 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 이용하여 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함할 수 있다:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
여기서,
o 및 p는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 
또는 C(R3)(R4)이며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 -OH로 이루어진 군으로부터 선택된다.
n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알케닐렌기 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알케닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알케닐기 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 L1, L2, Ar1, Ar2 및 R1 내지 R4가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
보다 구체적으로 상기 1) 단계는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 이용하여, 하기 화학식 1로 표시되는 중간체 화합물을 제조하는 것이다:
[화학식 1]
[화학식 2]
여기서,
n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
o 및 p는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 
또는 C(R3)(R4)이며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 -OH로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 R1 내지 R4가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
보다 구체적으로, 상기 1 단계는 화학식 2로 표시되는 화합물; 중수소원; 및 유기 용매를 혼합하고, 금속 촉매 하에서 반응하여, 중수소로 전환하는 반응이다. 최종 산물인 중수소화 방향족 화합물을 제조하기 위해, 중간체로, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 이용하여 중수소화 반응을 진행하여, 상기 화학식 1로 표시되는 중간체 화합물로 제조한다.
상기 1) 단계는 하기 반응식 1 또는 반응식 2의 방법을 이용하여 제조할 수 있으며, 상기 방법에 제한되지 않고, 당업자가 선택 가능한 제조 방법은 모두 적용 가능하다:
[반응식 1]
[반응식 2]
상기 금속촉매는 백금, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 니켈, 코발트, 이들의 산화물, 이들의 착물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 상기 금속촉매에 한정되지 않고, 중수소화 반응을 진행하기 위해 사용 가능한 금속촉매는 제한 없이 사용 가능하다.
이때, 상기 금속촉매는 바람직하게 반응식 1의 반응물인 안쓰론 또는 반응식 2의 반응물인 안트라퀘논을 기준으로 하여, 1:0.01 내지 1:0.20 몰비로 사용되며, 더욱 바람직하게는 1:0.05 내지 1:0.15 몰비로 사용되는 것이나, 상기 범위에 제한되지 않고, 당업자가 선택하여 사용 가능한 몰비 범위 내에서는 모두 사용 가능하다.
상기 중수소원은 중수(D2O), 과중수소화된 벤젠(벤젠-D6), 과중수소화된 톨루엔(톨루엔-D8), 과중수소화된 자일렌(자일렌-D10), CDCl3, 및 CD3OD로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 중수(D2O) 또는 과중수소화된 벤젠(벤젠-D6)이나, 상기 예시에 국한되지 않고, 당업자가 선택가능한 중수소원은 제한 없이 사용 가능하다.
이때, 상기 중수소원은 바람직하게 반응식 1의 반응물인 안쓰론 또는 반응식 2의 반응물인 안트라퀘논을 기준으로하여, 1: 10 내지 1:100의 질량비로 사용되는 것이 바람직하며, 상기 범위에 제한되지 않고, 당업자가 선택하여 사용 가능한 질량비 범위 내에서는 모두 사용 가능하다.
상기 1) 단계는 바람직하게 40 내지 100 ℃의 온도에서 반응한 후, 실온으로 냉각하여 생성물을 수득할 수 있다. 더욱 바람직하게는 60 내지 100 ℃의 온도에서 반응하는 것이 좋다. 그 이상의 온도로 반응할 경우에는 상기 반응식 1 및 2의 생성물이 깨지는 현상이 발생될 수 있다.
상기 실온은 15 내지 25℃를 의미하는 것이며, 당업자가 선택 가능한 실온 범위를 의미하는 것이다.
상기 1) 단계 및 2) 단계 반응은 반응 용매 하에서 진행되며, 상기 반응 용매는 에테르, 알코올, 알칸, 사이클로알칸, 산, 아미드 또는 에스테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 상기 예시에 국한되지 않고, 당업자가 선택가능한 반응 용매는 제한 없이 사용 가능하다.
상기 2) 단계는, 2-1) 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 트리플레이트화하는 단계; 및 2-2) 상기 트리플레이트화한 중간체를 금속 촉매 하에서 유기 붕소 화합물과 반응시키는 단계를 포함한다.
구체적으로, 중수소화 방향족 화합물의 중간체는 Tf20와 반응시켜, 트리플레이트화한다. 보다 구체적으로, 하기 화학식 1로 표시되는 중간체를 Tf20와 반응시켜, 트리플레이트화 한다. 이때, X1 및 X2가 
이면, X1 및 X2에서 트리플레이트화가 되고, X1만 
이면, X1에서 트리플레이트화된다.
[화학식 1]
여기서,
n, m, o, p, X1, X2, R1 및 R2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
이후, 트리플레이트화한 중간체는 금속 촉매 하에서 유기 붕소 화합물과 반응하여 탄소-탄소 결합 형성 반응이 진행된다.
즉, 탄소-탄소 결합 형성 반응을 진행하기 위하여, 중간체를 Tf20와 반응시켜 트리플레이트화하고, 트리플레이트화한 중간체를 유기 붕소 화합물과 반응시켜, 새로운 탄소-탄소 결합을 형성할 수 있다.
상기 화학식 1에서 X1만 
이면, X2는 C(R3)(R4)이고, 상기 R3 및 R4는 중수소(D)일 수 있다.
상기의 경우, 1) 단계 트리플레이트화 반응에 의해, X1은 트리플레이트화되고, X2는 -CD로 반응되고, 이후, X2 자리에서 할로젠화 반응을 진행한다.
상기 할로젠화 반응은 NBS(N-Bromosuccinimide)와 반응시켜, 할로젠기를 치환시키고, 이후, 유기 붕소 화합물과 탄소-탄소 결합 형성 반응을 진행한다.
상기 할로젠화 반응은 NBS(N-Bromosuccinimide)를 이용하여 진행할 수도 있고, 할로겐 기로 치환할 수 있으면, NBS(N-Bromosuccinimide)에 제한되지 않고, 반응 화합물로 사용 가능하다.
상기 할로젠화 반응은 결합력이 가장 약한 C-H 를 공격하여 H를 이탈시키고, 할로겐 기로 치환되는 것으로 할로젠화 반응을 진행하면, X-2 자리에서 할로젠화 반응이 진행되고, 할로젠화 반응을 통해 치환된 할로겐 기는 유기 붕소 화합물과 반응시켜, 탄소-탄소 결합을 형성할 수 있다.
본 발명은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
[화학식 3]
여기서,
n, m, o, p, R1 및 R2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알케닐렌기 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알케닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알케닐기 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 L1, L2, Ar1 및 Ar2는 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 유기 화합물은 발광층 물질로서 유기 발광 소자에 포함될 수 있고, 이 경우 유기 발광 소자는 고 수명 및 발광 효율 등의 특성이 우수하다. 따라서, 상기 화학식 3로 표시되는 중수소화된 안트라센 유도체를 포함하는 유기물층은 발광층인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 유기화합물을 포함하는 발광층 형성용 재료에 관한 것이다.
상기에서 발광층 형성용 재료는 상기 유기화합물을 발광층을 형성하는데 사용하기 위하여 필요한 형태로 제조할 때 통상적으로 첨가되는 물질, 예컨대, 도펀트 물질 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 일층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 적층되어 있는 유기전계발광소자에 있어서,
상기 발광층이 상기 화학식 3으로 표시되는 유기화합물을 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 함유하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
상기 유기전계발광소자는 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극이 적층된 구조를 가질 수 있으며, 필요에 따라 전자 차단층, 정공 차단층 등이 추가로 더 적층될 수 있다.
실시 합성예
합성예 1-1
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% Pt/C (3.32 g, 0.772 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 24시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 930mg (88%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-2
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% Pt/C (2.22 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 12시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 940mg (89%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-3
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% Pt/C (1.11 g, 0.257 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 12시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 930mg (88%, 중수소 전환 93%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-4
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 950mg (90%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-5
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 12시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 950mg (90%, 중수소 전환 83%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-6
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 2-펜탄올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 950mg (90%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-7
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 2-부탄올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 950mg (90%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-8
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 메틸시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 940mg (89%, 중수소 전환 95%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-9
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 데카하이드로나프탈렌 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 950mg (90%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-10
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 헵탄 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 930mg (88%, 중수소 전환 95%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-11
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 60 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 930mg (88%, 중수소 전환 90%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-12
안쓰론 (1.00 g, 5.15 mmol)과 5% PtO2 (0.058 g, 0.515 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 90 ℃에서 36시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안쓰론 900mg (86%, 중수소 전환 96%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 205.14 [M+1]+
합성예 1-13
안트라퀘논 (1.00 g, 4.80 mmol)과 5% Pt/c (3.09 g, 0.720 mmol), 중수 (20 mL), 이소프로판올 (2 mL), 데카히드로나프탈렌 (18 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 24시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 중수소화된 안트라퀘논 910mg (87%, 중수소 전환 95%)로 얻었다.
MS (LC-MS) m/z: 217.10 [M+1]+
합성예 2-1
안트라퀘논 d10 (10.0 g, 48.95 mmol)과 디클로로메탄 150 mL, 트리에틸아민 20.4 mL를 투입한다. 0 ℃로 냉각한 후, Tf2O (18.9mL, 53.85 mmol)을 천천히 적가한다. 실온에서 1시간 교반한 후, 정제수로 반응을 종결한다. 층분리를 하여 유기층을 얻은 후, MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시켜 안트라센-9-일 트리플루오로메탄술포네이트 d9 14.6g (89%, 중수소 전환 95%)로 얻었다.
LC-MS [M+1]: 336.08
합성예 2-2
안트라센-9-일 트리플루오로메탄술포네이트 d9 (10.0g, 30.7 mmol) )과 1-나프틸보론산 (6.15 g, 35.8 mmol), 탄산칼륨 (8.24 g, 59.6 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 20 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (1.03 g, 0.895 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 200 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 톨루엔에서 재결정하여 9-(나프탈렌-1-일)안트라센 d9 6.90 g (74%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
합성예 2-3
9-(1-나프틸)안트라센 d9 (6.00 g, 19.1 mmol)를 DMF 60 mL 녹인다. NBS (3.75 g, 21.1 mmol)을 DMF 30 mL에 녹인 후, 실온에서 천천히 적가한다. 실온에서 16시간 교반한 후, 메탄올 200 mL를 투입한다. 생성된 고체를 여과한 후, 톨루엔으로 재결정하여 9-브로모-10-(나프탈렌-1-일)안트라센 d8 6.65 g (88%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
실시 합성예 1
9-브로모-10-(나프탈렌-1-일)안트라센 d8 (5.00g, 12.9 mmol)과 2-나프틸보론산 (2.63 g, 15.3 mmol), 탄산칼륨 (3.53 g, 25.6 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.295 g, 0.265 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 100 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 톨루엔으로 재결정하여 9-(나프탈렌-1-일)-10-(나프탈렌-2-일)안트란센 d8 4.12 g (75%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 438.22 [M]+
실시 합성예 2
9-브로모-10-(나프탈렌-1-일)안트라센 d15 (5.14g, 12.9 mmol)과 2-나프틸보론산 d7 (2.63 g, 15.3 mmol), 탄산칼륨 (3.53 g, 25.6 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.295 g, 0.265 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 100 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 톨루엔으로 재결정하여 9-(나프탈렌-1-일)-10-(나프탈렌-2-일)안트란센 d22 4.14 g (71%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 452.31 [M]+
실시 합성예 3
4-(10-브로모안트라센-9-일)다이벤조[b,d]퓨란 d8 (5.00g, 11.6 mmol)과 (3-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산 (3.45 g, 13.9 mmol), 탄산칼륨 (3.53 g, 25.6 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.402 g, 0.348 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 100 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 디클로로메탄과 n-헵탄으로 재결정하여 4-(10-(3-(나프탈렌-1-일)페닐)안트라센-9-일)다이벤조[b,d]퓨란 d8 4.12 g (62%, 중수소 전환 95%)을 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 554.25 [M]+
실시 합성예 4
4-(10-브로모안트라센-9-일)다이벤조[b,d]퓨란 d8 (5.00g, 11.6 mmol)과 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산 (3.45 g, 13.9 mmol), 탄산칼륨 (3.53 g, 25.6 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.402 g, 0.348 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 100 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 톨루엔으로 재결정하여 4-(10-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)안트라센-9-일)다이벤조[b,d]퓨란 d8 4.23 g (66%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 554.25 [M]+
실시 합성예 5
9-브로모-10-(나프탈렌-1-일)안트라센 d8 (5.00g, 12.9 mmol)과 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산 (3.45 g, 13.9 mmol), 탄산칼륨 (3.53 g, 25.6 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.295 g, 0.265 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 100 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 톨루엔으로 재결정하여 , 9-(나프탈렌-1-일)-10-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)안트라센 d8 4.23 g (66%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 514.25 [M]+
실시 합성예 6
9-브로모-10-(나프탈렌-1-일)안트라센 d15 (5.14g, 12.9 mmol)과 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산 d11 (3.60 g, 13.9 mmol), 탄산칼륨 (3.53 g, 25.6 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 실온에서 20분 교반한 후, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.295 g, 0.265 mmol)을 투입하고 5시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 메탄올 100 mL를 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 물과 메탄올 세척한 후, 톨루엔으로 재결정하여, 9-(나프탈렌-1-일)-10-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)안트라센 d26 d26 4.67 g (68%, 중수소 전환 96%)을 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 532.37 [M]+
비교 합성예 1
9-(나프탈렌-1-일)-10-(나프탈렌-2-일)안트란센 (1.00 g, 2.32 mmol)과 5% Pt/C (300 mg, 0.070 mmol), 중수 (40 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (20 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 12시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시킨 후, 이소프로판올을 투입한후, 9-(나프탈렌-1-일)-10-(나프탈렌-2-일)안트란센 d22 870 mg (83%, 중수소 전환 59%)로 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 452.31 [M]+
비교 합성예 2
9-(나프탈렌-1-일)-10-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)안트라센 (1.00 g, 1.97 mmol)과 5% Pt/C (255 mg, 0.059 mmol), 중수 (40 mL), 이소프로판올 (2 mL), 시클로헥산 (20 mL)를 투입한다. 고압반응기에서 80 ℃에서 12시간 교반한 후, 실온으로 냉각한다. 디클로로메탄를 투입한 후, 층분리하고 유기층을 얻는다. MgSO4로 건조한 후 여과한다. 여액을 농축시킨 후, 이소프로판올을 투입한후, 9-(나프탈렌-1-일)-10-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)안트라센 d26 890 mg (85%, 중수소 전환 45%)로 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 532.37 [M]+
<실시예 1: 유기전계발광소자의 제조>
광-반사층인 Ag합금과 유기전계 발광소자의 양극인 ITO(10nm)가 순차적으로 적층된 기판을 노광(Photo-Lithograph)공정을 통해 음극과 양극영역 그리고 절연층으로 구분하여 패터닝(Patterning)하였고, 이후 양극(ITO)의 일함수(work-function) 증대와 디스큠(descum)을 목적으로 UV Ozone 처리와 O2:N2 플라즈마로 표면처리 하였다. 그 위에 정공주입층(HIL)으로 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT-CN)을 100 Å 두께로 형성하였다.
이어 상기 정공주입층 상부에, N4,N4,N4',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 진공 증착하여 1000 Å 두께의 정공수송층을 형성하였다.
상기 정공수송층 (HTL) 상부에 전자차단층(EBL)으로써 N-페닐-N-(4-(스피로[벤조[de]안트라센-7,9'-플루오렌]-2'-일)페닐)디벤조[b,d]푸란-4-아민을 150 Å 두께로 형성하고, 상기 전자차단층(EBL) 상부에 발광층의 호스트로 실시 합성예 1을 증착시키면서 동시에 도판트로 N1,N1,N6,N6-테트라키스(4-(1-실릴)페닐)파이렌-1,6-디아민을 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성하였다.
그 위에 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸과 LiQ를 1:1의 중량비로 혼합하여 360 Å 두께로 전자수송층(ETL)을 증착하였으며, 음극으로 마그네슘(Mg)과 은(Ag)을 9:1 비율로 160 Å 두께로 증착시켰다.
또한, 상기 음극 위에 캡핑층(CPL)으로 N4,N4'-디페닐-N4,N4'-비스(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 63~65nm 두께로 증착시켰다.
캡핑층(CPL) 위에 UV 경화형 접착제로 씰 캡(seal cap)을 합착하여 대기중의 O2나 수분으로부터 유기전계 발광소자를 보호할 수 있게 하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
<실시예 2 내지 4: 유기전계발광소자의 제작>
호스트로써 상기 실시 합성예 1 대신 하기 표 1의 실시 합성예 2, 5, 6을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
<비교예 1 내지 2: 유기전계발광소자의 제작>
호스트로써 상기 실시 합성예 1 대신 하기 비교 합성예 1 내지 2를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
실험예 1: 유기전계발광소자의 수명 측정
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3의 소자의 전압, 효율 및 색좌표 등의 소자 특성 및 수명을 측정하여 하기 표 1 및 2에 나타내었다.
| 구분 | HOST | 전환율 | 전압 (v) |
전류 효율(Cd/A) |
색좌표 |
수명
T95 |
|
| CIEx | CIEy | ||||||
| 비교예 1 | 비교 합성예 1 | 59 % | 3.90 | 5.0 | 0.14 | 0.05 | 130 |
| 실시예 1 | 실시 합성예 1 | 96 % | 3.86 | 5.0 | 0.14 | 0.05 | 156 |
| 실시예 2 | 실시 합성예 2 | 96 % | 3.88 | 4.9 | 0.14 | 0.05 | 180 |
| 구분 | HOST | 전환율 | 전압 (v) |
전류 효율(Cd/A) |
색좌표 |
수명
T95 |
|
| CIEx | CIEy | ||||||
| 비교예 2 | 비교 합성예 2 | 45 % | 3.81 | 5.4 | 0.139 | 0.051 | 120 |
| 실시예 3 | 실시 합성예 5 | 96 % | 3.78 | 5.1 | 0.14 | 0.051 | 150 |
| 실시예 4 | 실시 합성예 6 | 96 % | 3.8 | 5.1 | 0.14 | 0.049 | 160 |
상기 표 1 및 2에서 알 수 있듯이 본 발명의 실시예는 전압 및 효율과 같은 소자특성을 저해시키지 않으면서,
비교예에 비해 중수소 전환율이 우수할 뿐만 아니라, 이로인해 유기전계발광소자의 수명이 우수한 것을 확인할 수 있었다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (8)
- 중수소화 방향족 화합물을 제조하기 위한 중간체 화합물로,
상기 중간체 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 중수소화 방향족 화합물:
[화학식 1]
여기서,
n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
o 및 p는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
X1은이며,
X2는 C(R3)(R4)이며,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 및 R4는 중수소이며,
상기 R1 및 R2가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다. - 제1항에 있어서,
상기 n 및 m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 2 내지 4의 정수인 중수소화 방향족 화합물. - 1) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 중수소원을 금속 촉매 하에서 반응하여, 하기 화학식 1로 표시되는 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 제조하는 단계; 및
2) 상기 1) 단계의 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 이용하여 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
여기서,
n, m, o, p, X1, X2, R1 및 R2는 제1항에서 정의한 바와 같고,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알케닐렌기 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알케닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알케닐기 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 L1, L2, Ar1 및 Ar2가 치환되는 경우, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 시클로알킬기, 탄소수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하다. - 제3항에 있어서,
상기 금속촉매는 백금, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 니켈, 코발트, 이들의 산화물, 이들의 착물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 중수소원은 중수(D2O), 과중수소화된 벤젠(벤젠-D6), 과중수소화된 톨루엔(톨루엔-D8), 과중수소화된 자일렌(자일렌-D10), CDCl3, 및 CD3OD로 이루어진 군으로부터 선택되는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법. - 제5항에 있어서,
상기 중수소원은 중수(D2O) 또는 과중수소화된 벤젠(벤젠-D6)인 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 1) 단계 및 2) 단계 반응은 반응 용매 하에서 진행되며,
상기 반응 용매는 에테르, 알코올, 알칸, 사이클로알칸, 산, 아미드 또는 에스테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 2) 단계는,
2-1) 중수소화 방향족 화합물의 중간체를 트리플레이트화하는 단계; 및
2-2) 상기 트리플레이트화한 중간체를 금속 촉매 하에서 유기 붕소 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법.
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