TW201026808A

TW201026808A - Adhesive tape or sheet

Info

Publication number: TW201026808A
Application number: TW098128863A
Authority: TW
Inventors: Toshio Shintani; Akiyoshi Yamamoto; Tsubasa Miki
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2008-08-27
Filing date: 2009-08-27
Publication date: 2010-07-16
Also published as: CN102131878A; US20110151252A1; JP2010053192A; WO2010024174A1

Description

201026808 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種黏著帶或黏著片，更詳細而言係關於種具備基材及黏著劑層，可適宜地用於半導體晶圓及/ 或基板加工用途之黏著帶或黏著片。【先前技術】先前以來，作為貼附於半導體晶圓及/或基板上而進行切割、膨脹（exPanding)等，繼而在拾取（pickup)該等半導體晶圓等並同時加以安裝（m〇unting)時所使用的半導體晶圓等之加工用片材，係使用在基材上塗佈利用電子束而進行聚合硬化反應之黏著劑層的黏著片。利用該黏著片時’ 可在切割後對黏著劑層照射電子束，藉此使黏著劑層聚合硬化’使黏著力降低，從*容易地拾取半導體晶圓（晶片）等。作為此種黏著片，例如提出有具備基材及黏著劑層之片材（例如專利文IU及2)。該等片材中，黏著劑層係含有基底聚合物、具有特定分子量之多宫能㈣酸胺基甲酸醋系低聚物、聚酯系增塑劑及光聚合起始劑而形成。但是近來，晶圓表面存在深度為5〜1〇㈣左右之藉由雷射照射而形成之列印標記的晶圓不斷增加。又，半導體裝置中’於作為黏著帶貼附面之密封樹脂面具有〇4〜15卿左右之粗糙面者、與晶圓同樣地存在深度為25〜〜之列印標記者亦不斷增加。等時’若使用上述黏著切割此種具有凹凸之半導體晶圓 142796.doc 201026808 片則由於其對貼附面之凹凸追隨並不充分，因而無法獲付充刀之黏著力’其結果產生切割時晶圓等飛散、良率大幅X降低之不良狀況。χ，有時亦會產生飛散之晶圓等碰撞切斷刀片而損壞刀片之不良狀況。進而’為了使得無論是否存在凹凸在切割時均不產生晶片飛散’而提出於黏著劑中添加增黏劑（例如專利文獻3)。該增黏劑藉由將利用JIS K〇〇7(M 992之7」中和滴定法所導出之經值調整為5〇〜15G K〇Hmg/g，而提高黏著力，從而防止PKG(package ’封裝體）飛散。另一方面，近年來伴隨考慮到環境之製品化趨勢，密封 ί月曰中作為添加劑係使用利用與先前不同種類之金屬皂而形成之穩定劑、或應用脫鹵阻燃劑，且與此相配合地，為了維持密封樹脂之特性，而使用種類/組成等與此前不同之樹脂。因此，由於作為被黏附體之半導體裝置等中所使用之密封樹脂等的如上所述之變遷，使得若僅採取專利文獻3中所提出之使用特定之增黏劑方法，則會重現無法完全防止切斷時之晶片飛散之不良狀況。又’於被黏附體之密封樹脂及/或添加劑之種類、通常塗佈於密封樹脂表面之脫模劑（例如蠟）之量過少、或不均等不適^之情形時等，黏著劑層之黏著力在紫外線照射後不會降低至特定值。因此，存在拾取步驟中無法拾取單片之情形。若強行拾取，則會發生下述不良狀況：自密封樹脂内部產生剝離、或者在密封樹脂之整個表面產生糨糊殘 142796.doc 201026808 餘。進而，伴隨近年來半導體基板配線之微細化，基板之耐電壓降低，步驟中所產生之靜電或剝離帶電會引起基板之電路破壞、製品不良。針對於此，提出有經實施抗靜電處理之黏著片（例如專 • 利文獻4)。專利文獻1:曰本專利特開平6-49420號公報 φ 專利文獻2 :日本專利特開昭62-153376號公報專利文獻3:日本專利特開2〇〇5_229〇4〇號公報專利文獻4 :曰本專利特開平6_128539號公報【發明内容】發明所欲解決之問題但疋，上述黏著片雖抗靜電效果優異，但對於上述切割時之晶片飛散、拾取時之作業性及黏著劑殘渣之全部不一定具有可令人滿意之特性。 • 因此，期待一種對於抗靜電、切割時之晶片飛散、拾取時之作業性及黏著劑殘潰之全部均具有良好之特性的黏著片。對於抗靜電、切割時之晶劑殘渣之全部均具有良好本發明之一目的在於提供一種片飛散、拾取時之作業性及黏著之特性的黏著帶或黏著片。解決問題之技術手段本發明之黏著帶或黏著片劑層：之一特徵在於其具有下述黏著 142796.doc 201026808 該黏著劑層係相對於包含丙烯酸曱酯單體、丙烯酸乙酯單體、或丙稀酸甲酯單體及丙烯酸乙酯單體與丙烯酸單體、及丙稀酸2_乙基己酯單體之共聚物的丙烯酸系黏著劑100 重量份’而含有聚醚多元醇化合物0.3〜10重量份、及至少一種驗金屬鹽〇〇〇5〜2重量份而成。該黏著帶或黏著片較好的是，黏著劑層係形成於對紫外線及/或放射線具有透過性之基材上，且上述黏著劑層進而含有至少一種以上之紫外線硬化型低聚物。又’黏著劑層較好的是進而含有羥值為12〇〜23〇 KOHmg/g之增黏劑。進而’較好的是對與黏著劑層接觸之基材實施抗靜電處理。又，該黏著帶或黏著片較好的是用於半導體晶圓或基板加工用途。進而較好的是聚醚多元醇化合物具有4000以下之重量平均分子量。自包含Li、Na、K 、BF4 、 PF6 、 cio4

又’較好的是鹼金屬鹽係將分別選、以之陽離子，及包含Cl、Br、I N〇3、C〇3之陰離子中的—種以上之離子加以組合而成〇發明之效果時根據本發明之黏著帶或黏著片，在切割半導體晶圓等可確實地防止晶圓等飛散。又，於照射電子束後之拾 142796.doc 201026808 取步驟中’不會產生檢糊殘餘，可提高作業效率。進而，可減少由於步驟中所產生之靜電或剝離帶電，而導致產生半導體晶圓等之電路破壞、製品不良等的情形之發生。【實施方式】本發明之黏著帶或黏著片包含特定之黏著劑層。黏者劑層通常係含有丙烯酸系黏著劑、聚醚多元醇化合物及驗金屬鹽而形成。 ❹丙烯酸系黏著劑係藉由以下共聚合而構成： (1) 丙烯酸甲酯單體、丙烯酸單體及丙烯酸2_乙基己酯單體之共聚合； (2) 丙烯酸乙酯單體、丙烯酸單體及丙烯酸2_乙基己酯單體之共聚合；或 (3) 丙烯酸甲酯單體、丙烯酸乙酯單體、丙烯酸單體及丙烯酸2-乙基己酯單體之共聚合。藉由調配如上所述之共聚物來形成黏著劑，可使抗靜藝電、抑制切割時之晶片飛散、提高拾取時之作業性及減少黏著劑殘渣之先前一直謀求但未能實現的特性全部得到滿足。即，可強有力地黏著被黏著體，且可在適當之時間點使黏著力確實地降低，從而可作為黏著劑層而總是確保適當之強度。並且’將為了抗靜電而調配之成分碟保為用以抗靜電之充分量’且使構成黏著劑層之全部成分顯示出良好之相容性，消除成分在黏著劑層中之不均勻性、分離、偏在等而使其等均勻地混合、分布，藉此可使各成分之各性能最大限度地得到發揮。 142796.doc 201026808 該等共聚物中，較適合的是丙稀酸甲_單體及/或丙稀酸乙s曰單體、丙埽酸單體、及丙婦酸2_乙基己醋單趙例如以4〇〜7〇 : 〇.5〜20 : 30〜60之比例、較好的是以45〜75 : 15 30 50之比例聚合而成者。藉由設為該範圍即使為了構成黏著劑層而添加添加劑時，亦可確保上述各成分與添加劑之相容性。而且，即使在長時間貼附之狀態下，亦可防止黏著力增減、以及由於熱力影響而引起黏著力增加等。進而可形成對應力具有充分之強度的黏著劑層，於拾取步驟中可防止黏著劑殘餘等不良狀況。 f等共聚物之分子量例如較好的是％萬〜i5G萬，特別好的疋50萬〜120萬。藉由設為該範圍’可對照射紫外線等後之黏著劑層中之應力具有充分之強度。其結果於拾取等時 :防止黏著劑殘餘等不良狀況。χ，即使為了構成黏著劑層而添加添加劑時，亦可確保該等共聚物與添加劑之相容性’可使黏著力、抗靜電等獲得穩定之特性。聚鍵多元醇化合物通常係聚合物分子中之㈣與驗金屬 =成錯合物，藉由此種結構而料導電性者1為聚合物分子’例如可例示：聚氧乙烯二醇、聚氧丙稀二醇、聚氧乙烯二醇與聚氧丙烯二醇之嵌段共聚物等。作為該聚醚多元醇化合物並無特別限制，可使用公知之聚醚多元醇化合物之任一者。例 2〇〇7-7〇42〇^ 了使用日本專利特開 0420等中s己載之導電性賦予劑等。具體而言可列舉：商品名SA画X(三洋化成工業公司製造）之pp_4〇〇、 pp-i〇〇〇、PP-2_、GP屬、GP._、TP_彻等。 142796.doc 201026808 聚醚多元醇化合物較適合的是重量平均分子量為4〇〇〇以下者’較好的是重量平均分子量為200〜1000者。其理由在於可抑制丙烯酸系黏著劑中由於時間經過而引起鹼金屬鹽結晶化，進而防止黏著劑之表面電阻率值上升，製作穩定之黏著帶。聚蜮多元醇化合物較好的是’相對於上述丙烯酸系黏著劑100重量份而含有0.3以上且1〇重量份以下，較好的是〇3 以上且7重量份以下，更好的是匕45重量份以上且未達7重量份’進而更好的是0.45重量份以上且6重量份以下、〇 45 重量份以上且5重量份以下。其理由在於降低丙烯酸系黏著劑表面之表面電阻率值，賦予充分之抗靜電功能。又，其理由在於可確保聚醚多元酵化合物與構成黏著劑之所有成分之相容性，有效地防止各成分偏析，藉此，可防止黏著物性降低，提高作為黏著帶之接著性。作為鹼金屬鹽，例如可使用：將分別選自包含以、Na、 K、Mg、Ca之陽離子，及包含C1、Bl<、工、Bf4、pF6、 CIO4、NO3、CO3之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成者。尤其是可較好地使用離子導電性優異、抗靜電功能優異之LiC104。鹼金屬鹽較好的是相對於丙烯酸系黏著劑1〇〇重量份而含有0.005〜2重量份，較好的是0 0054 8重量份，更好的是0.005〜1_5重量份、0054 2重量份，進而更好的是 0.03〜1.0重量份。其理由在於，藉由將鹼金屬鹽設為該範圍，可降低黏著劑之表面電阻值，賦予充分之抗靜電性。 142796.doc 201026808 又，可防止丙烯酸系黏著劑中之鹼金屬鹽於保存時之結晶化，從而使其穩定地發揮功能。 °阳本發明之黏著帶或黏著片之黏著劑層中較好的是進而含有紫外線硬化型低聚物。作為紫外線硬化型低聚物，若為具有利用紫外線照射而硬化之功能的低聚物則並無特別限制，可使用任一種低聚物。例如，此種低聚物之分子量較好的疋500〜50000左右，進而較好的是1〇〇〇〜3〇〇〇〇左右。藉由設為該範圍之分子量，可確保照射紫外線等後之黏著劑之強度，其結果可防止於拾取作業時等之作業中黏著劑附著於晶片上。又，可確保該低聚物與構成黏著劑層之各成分之相容性，提高黏著力及抗靜電特性等之穩定性。上述低聚物例如只要分子内具有2個以上之碳_碳雙鍵即可，例如可列舉：胺基甲酸酯系、（曱基）丙烯酸胺基曱酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等之各種低聚物。其中，就照射紫外線等後之黏著劑之可撓性等觀點而言，較好的是丙烯酸胺基曱酸酯系低聚物。又，亦可併用兩種以上之低聚物。尤其是對於（甲基）丙烯酸胺基曱酸酯系低聚物而言，較好的是分子内具有2〜4個、更好的是2個丙烯醯基者。例如可藉由下述方法等加以製造：在保持為6〇〜9(rc之反應槽中，首先使二異氱酸酯與多元醇反應，反應結束後添加 (甲基）丙稀酸經醋進一步反應。作為二異氰酸.醋，例如可列舉：曱苯二異氰酸酯、二笨基甲烷二異氰酸酯、二異氰酸己二酯、伸苯基二異氰酸 142796.doc 201026808 酉旨、二環己基曱烧二異氰酸醋、二甲笨二異氮酸醋、四甲基二曱苯二異氰酸s旨、萘二異氰酸輯等。作為多元酵，例如可列舉：乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇等。作為W⑼㈣酸_ ’例如可列舉··（甲基）丙稀酸2_ 羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙赌等。紫外線硬化型低聚物較好的是相對於丙烯酸系黏著劑 ❿ 對量份而含有20〜170重量份左右，進而較好的是 4〇〜150重量份左右。其理由在於，藉由設為該範圍，可確保其與上述黏著劑成分之任一者均具有良好之相容性’可使其在黏著劑層中均句地分散而不會出現偏在等情況，並且可藉由紫外線照射而使黏著劑層適度硬化，從而可地賦予所期望之黏著力。 2本發明之黏著帶或黏著片之㈣劑層中較好的 2有增黏劑：增點劑可使用公知之增黏劑中之任一者。其經值一〇mg…值0二，進而較好的是在下逑傾向：照射紫外線前，無法子脂等賦予充分之接著性。另外圓戈4封樹黏著片之貼附面之密封樹田或附著龄“ *為某錄類時、或者當添加者於該樹月曰表面之脫模劑之後，黏著力^”降至特定I 料線照射增黏劑較好的是，相冬對於丙烯酸系黏著劑100重量份 .〜70重量份左右、進而較好的是1〜5G重量份左右。 142796.doc 201026808 其理由在於，藉由設為該範圍，可有效地提高黏著力，可確保黏著片之保存穩定性，可獲得長時間穩定之特性。作為具有上述羥值之增黏劑，例如可例示：萜酚樹脂、松香酚樹脂、烷酚樹脂等。作為萜酚樹脂，可列舉：α_蒎烯_酚樹脂、卜蒎烯酚樹脂、雙戊烯-酚樹脂、萜雙酚樹脂。藉由使用該萜酚樹月曰可獲得與黏著劑中之基底聚合物的較高之相容性。因此，保存黏著帶時黏著劑幾乎不會產生變化，可長時間地維持穩定之品質。再者，本發明之黏著帶或黏著片之黏著劑層中，可進而適當地選擇添加軟化劑、抗老化劑、硬化劑、填充劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、（光）聚合起始劑等中的一種以上。再者，各劑可單獨使用單種，亦可組合複數種使用。作為軟化劑，例如可列舉：增塑劑、聚丁烯、液狀增黏劑核聚異丁稀低聚合物、聚乙稀異丁醚低聚合物、羊毛脂、解聚橡膠、加卫處理油或硫化油等。作為抗老化劑，可列舉：酚系抗老化劑（例如2,6_二第三丁基·4~曱基盼、雙（4-經基盼）環己烧等）、胺系抗老化劑（例如本基卜萘胺等）、苯并咪唾系抗老化劑等（例如魏基苯并味♦等）、2,5·二第三T基對笨二盼等。作為橡膠系黏著劑之硬化劑，可列舉：異氰酸醋、硫及 :促進劑、聚烷基酚、有機過氡化物等。作為異氰酸二例如可列舉：伸笨基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、一苯基曱燒二異氰酸a旨、二異氰酸己二醋或環己烧二異氛 142796.doc 201026808 酸酯。作為硫及硫化促谁此進劑，例如可列臬.办進劑、亞磺醯胺系硫化促進 ^羋.噻唑系硫化促硫化酸鹽系硫化促進劑等。蘭姆系硫化促進劑、二丁基酚、辛基酚、壬基酚等：聚烷基酚’例如可列舉：列舉：過氧化二異丙笨為有機過氧化物，例如可个過氧化酮、過4始^ 氫、過氧化二烧基、過氧_或過氧化二碳酸酿等：過氧化作為填充劑，例如可列舉：

At对口乳化欽、二氧>ί卜石々、

虱氧化鋁、碳酸鈣、硫酸鎖、叔杨、黏土或滑石等。光聚合起始劑具有下述作用：精田狀射篡外線而受到激發、活化，生成自由基，使多官能低聚物進行自由基聚合而硬化。具體而言可列舉：4_苯氧基二氣笨乙_、4-第三丁基二氣苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2_羥基_2_甲基_丨苯基丙烷-1-嗣、1-(4-異丙基苯基）_2_羥基_2甲基丙烷-^ 酮、1-(4-十二烷基苯基）_2_羥基_2_曱基丙烷_丨_嗣、4_(2_ 經基乙氧基）苯基（2 -經基-2 -丙基）酮、經基環己基苯芙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基）苯基]-2-嗎淋基丙院-1·酮等之苯乙酮系光聚合起始劑；安息香、安息香曱醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、2,2-二甲氧基_2-苯基苯乙酮等之安息香系光聚合起始劑；二苯曱酮、苯甲醯苯曱酸、苯曱醯苯曱酸甲酯、4-苯基二笨曱酮、羥基二笨甲酮、4-苯甲醯基-4'-曱基二苯硫醚、3,3'-二甲基·4-曱氧基二苯甲酮等之二苯曱酮系光聚合起始劑；9_氧硫咄嗟、2-氯-9-氧硫咄蠖、2-曱基-9-氧硫咄蠖、2,4-二曱基-9·氧硫口山蠖、異丙基-9-氧硫咄蠖、2,4-二氣-9-氧硫咄喳、2,4-二 142796.doc • 13- 201026808 乙基冬氧硫♦星、2,4_二異丙基_9·氧硫如星等9氧硫口山蠖系光聚合起始劑；α-醯基肟酯、醯基氧化膦、苯甲醯甲酸甲醋、二苯乙^(benzil)、樟腦醌、二苯并環庚酮、^乙基蒽醌、4，，4"-二乙基異酞酚酮等之特殊光聚合起始等。作為聚合起始劑，可列舉：過氧化氫、過氧化苯甲酿、過氧化第三丁基等之過氧化物系。較理想的是單獨使用，亦可與還原劑組合而作為氧化還原系聚合起始劑使用。作為還原劑，例如可列舉：亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、〇銅、銘鹽等離子化之鹽，三乙醇胺等胺類，媒聽、酮糖等還原糖等。又，亦可使用2,2，_偶氮雙_2_曱基丙脒酸鹽、 2,2·-偶氮雙_2,4_二甲基戊腈、2,2，_偶氮雙_n,n,_二亞甲基異丁基脒酸鹽、2,2，-偶氮雙異丁腈、2,2，_偶氮雙_2_甲基- (2起基乙基）丙醯胺等偶氮化合物。該等可單獨使用，亦可併用兩種以上進行使用。本發明之黏著帶或黏著片可藉由下述方式來形成··使用任意之溶劑將上述各成分直接混合而形成黏著劑組合物，© 將該組合物塗佈或散布於基材上。為了實現充分且均勻之混合，各成分之混合較好的是使用螺旋漿攪拌機、分散攪拌機等進行。又，本發明中所使用之基材並無特別限制，可例示：鋁箱、銀荡等導電性金屬領，對紫外線及/或放射線具有透過性者。其中，較好的是後者，且較好的是對紫外線及/ 或放射線具有例如75%左右以上、8〇%左右以上、9〇%左 142796.doc • 14 · 201026808 右以上之透過性者。

具體而言可列舉：聚氯乙烯、聚偏氣乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮；低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴；聚胺基甲酸酯、乙稀-乙酸乙稀醋共聚物、離子聚合物樹脂、乙稀_(曱基）丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸酯（無規、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、氟樹脂、纖維素系樹脂及由該等之交聯體等聚合物等所形成者。該等可為單層亦可為多層結構。基材之厚度通常適合為5〜4〇〇 μιη& 右’較好的是20〜300 μπι 〇基材亦可為其單面或兩面經實施例如電暈處理等之表面處理者》又，與黏著劑層接觸之基材較好的是經實施抗靜電處理此處之抗靜電處理並無特別限制，例如可列舉下述方法等：將抗靜電劑混練於基材中而使基材整體含有抗靜電劑；或對混練有抗靜電劑之基材進行共擠出，使基材中之，少-層含有抗靜電劑；或者在基材之至少單側、較好的是兩侧塗佈抗靜電劑而形成為下塗層。例如可利用流塗、毛刷至於將黏著劑組合物塗佈於基材上之方法，凹板印刷式塗佈、輥塗佈、反向塗佈、浸塗、塗佈等公知方法之任一種。加熱例如可列舉於較好的是在塗佈後進行加熱乾燥 142796.doc •15· 201026808 80〜100°C下進行30秒〜10分鐘左右。對於黏著劑層之厚度並無特別限制，較適合的是卜5〇 μιη左右。本發明之黏著帶或黏著片較好的是，為了保護黏著劑層，而於其表面重疊與該黏著劑層實質上不接著的例如形成有聚矽氧處理層、氟樹脂處理層之剝離紙等，或捲繞成捲狀製品。本發明之黏著帶或黏著片▼以通常所使用之方法加以使用。例如可列舉下述方法：貝，附半導鱧晶圓及/或基板而鬱加以固定後，用旋轉圓刀將半導體晶圓或基板切斷為元件 J片（明片）。其後，自加工用黏著片之基材側照射紫外線及/或放射線，繼而，使用專用夾具使晶圓加工用黏著片膨脹（擴張）為放射狀，使元件小片（晶片）間隔擴展為固定 :隔’其後，用針等將元件小片(晶片)朝上頂，並且用真空吸筆組（air pincette)等加以吸附等，藉此進行拾取且同時加以安裝。〇發明之料^詩半㈣晶®、半導縣板、用導線（㈣及密封樹脂等將單片或複數片晶片等分別或呈— 體地费封之密封樹脂基板等各種被黏附體。又，被黏附體之貼附面衫限於半導體，而可為金屬、歸、破璃瓷等無機物等各種材料。又’本發明之黏著片尤其可地利用於下述者中··具有表面具有微細之凹凸、试謂梨皮紋狀等之凹凸之被黏附面者；以及對：：用雷射等所形成之印字之被黏附面者，進而在難附= 142796.doc •16· 201026808 至少一處以上之位置具有深度為100 μιη左右以下之凹處者。以下，具體說明本發明之黏著帶或黏著片之實施例。再者，增黏劑之羥值係使用利用JIS Κ0070-1992之7.1中和滴定法所導出之值。實施例1 製備將丙烯酸甲酯60重量份、丙烯酸10重量份、丙烯酸 2-乙基己酯40份共聚合而獲得之重量平均分子量為80萬之共聚物（固體成分為35%)。將該共聚物100重量份、作為多官能丙烯酸酯系低聚物的曰本合成化學製造之UV-1700 100重量份、作為增黏劑之羥值為160〜170 KOH mg/g之萜酚樹脂（YASUHARA CHEMICAL公司製造，YS POLYSTER N125)20重量份、聚烷二醇化合物與過氯酸鋰之混合液（JAPAN CARLIT(股）製造，商品名PEL-20A(鹽含量：10重量％))0.5份（調配以固體成分濃度為10%之方式而溶解於乙酸乙酯中所得之溶液）、作為交聯劑之聚異氰酸酯化合物（商品名「CORONATE L」，日本聚胺酯製造）1重量份、作為光聚合起始劑之汽巴精化（CIBA SPECIALTY CHEMICALS)製造之IRGACURE 65 1 3重量份加以調配，藉此調配、製備黏著劑溶液。將所獲得之黏著劑溶液，以使乾燥後之厚度為20 μιη之方式塗佈於經聚矽氧剝離處理的厚度為38 μιη之聚酯膜上。在120°C下乾燥5分鐘。 142796.doc •17- 201026808 其後’層壓作為基材之150 μιη之聚乙烯膜，製作半導體加工用片材。將所獲得之半導體晶圓加工用黏著片加熱至5〇t，進行 4天以上熟化後，實施以下所示之評價。實施例2 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液（JAPAN CARLIT(股）製造，商品名 PEL-20A)變更為3份以外，利用與實施例！相同之操作來製作黏著片。實施例3 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸裡之混合液（JAPAN CARLIT(股）製造，商品名 PEL-2〇A)變更為5份以外，利用與實施例丨相同之操作來製作黏著片。實施例4 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液（JAPAN CARUT(股）製造’ PEL-20A)變更為1〇份以外，利用與實施例丨相同之操作來製作黏著片。實施例5 除了將製備實施例2之黏著劑溶液時之增黏劑除去以外，利用與實施例2相同之操作來製作黏著片。實施例6 除了將製備實施例1之黏著劑溶饬蛀认从A4 f评】/合孜時的作為增黏劑之經 142796.doc 201026808 值為 200〜210 KOH mg/g之萜酚樹脂（YASUHARA CHEMICAL 公司製造MIGHTY ACE K140)變更為20重量份以外，利用與實施例1相同之操作來製作黏著片。實施例7 •除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氯酸鋰-三氟甲烷磺酸鋰之混合液（JAPAN CARLIT(股）製造，商品名PEL-25)變更為5份以外，利用與實施例1相同之操作來製作黏著片。 ® 實施例8 除了代替製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液，而使用聚醚多元醇（商品名 SANNIX PP-1000，三洋化成工業公司製造）5重量份及過氯酸鋰1重量份以外，利用與實施例1相同之操作來製作黏著片。實施例9 除了代替製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液，而使用聚醚多元醇（商品名 SANNIX PP-400，三洋化成工業公司製造）10重量份及作為 - 鹼金屬鹽之過氯酸鋰0.5重量份以外，利用與實施例1相同 . 之操作來製作黏著片。實施例10 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的共聚物變更為以下共聚物以外，利用與實施例1相同之操作來製作黏著片0 142796.doc -19- 201026808 將丙烯酸乙酯55重量份、丙烯酸i〇重量份、丙婦酸2乙基己酯35重量份共聚合，製備重量平均分子量為7〇萬之共聚物。實施例11 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的共聚物變更為以下共聚物以外，利用與實施例i相同之操作來製作黏著片。將丙稀酸曱酯1〇重量份、丙烯酸乙酯55重量份、丙稀酸 10重量份、丙烯酸2-乙基己酯35重量份共聚合，製備重量平均分子量為1〇〇萬之共聚物。實施例12 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液（JAPAN CARLIT(股）製造，商品名 PEL-20A)變更為0.333份以外，利用與實施例丨相同之操作來製作黏著片。實施例13 除了代替製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液，而使用聚醚。 ―⑽。，三洋化成工業公司製造)5重量:商及= 酸链〇.076重量份以外，利用與實施例1相同之操作來製作黏者片。比較例1 、了不調配製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烧二醇化 σ物與過氣酸鋰之混合液以外，利用與實施例1相同之操 142796.doc 201026808 作來製作黏著片。比較例2 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚炫二醇化人物與過氣酸鋰之混合液變更為〇· 1重量份以外，利用與實例1相同之操作來製作黏著片。比較例3 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸鋰之混合液（JAPAN CARLIT(股）製造，商。 ® PEL-20A)變更為20份以外，利用與實施例丨相同之操作^ 製作黏著片。比較例4 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的共聚物變更為以下共聚物以外，利用與實施们相同之操作來製作黏著片。將丙婦酸H)重量份、丙烯酸2_乙基己醋⑽份共聚合而 • 獲得重量平均分子量為8G萬之共聚物（固體成分為35%)。比較例5 除了將製備實施例1之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物 •肖過氣酸鋰之混合液變更為〇3重量份以外，利用與實施 .例1相同之操作來製作黏著片。比較例6 除了將製備實施例i之黏著劑溶液時的聚烷二醇化合物與過氣酸^混合液變更為12重量份以外，洲與實施例 1相同之操作來製作黏著片。 142796.doc 201026808 比較例7 除了將製備實施例1之黏著劑溶液碑的共聚物變更為將丙稀酸曱酯60重量份、丙烯酸2-乙基己酯40份共聚合而獲得之共聚物以外，利用與實施例1相同之操作來製作黏著片。 . 黏著帶貼附在搭載有半導體晶片之基板之密封樹脂面（樹脂面具有深度為15 μιη之雷射印字之類型）上，使用日東精機製造之 Μ-286Ν之貼附裝置，以速度60 mm/sec、平台溫度45。(：而 ⑩ 貼合黏著片。貼附後’取出樣品，自距離基板表面50 mm之高度，使用靜電位測定器（春曰電機（股）製造，KSD-0103S)測定表面電位。切斷使用DISCO製造之DFG-651之切片機，使用轉速：38000 rpm、刀厚：300 μιη之樹脂刀片，以黏著層及基材切口之總量為90 μιη、速度40 mm/sec、切斷時水量：1.5 L/min之條件實施切斷。此時，對切斷成5 mm□之2000個封裝體，計數飛散之封裝體數。用以硬化黏著劑之紫外線照射切斷後’使用20 mW/em2之高壓水銀燈自基材側照射紫外線30秒，使黏著劑層硬化。其後’冷卻至室溫為止，用手剝離封裝體，對2000個封裝體確認是否可剝離及是否有 142796.doc -22· 201026808 黏著劑殘渣。拾取評價紫外線照射後，使用芝浦機電（SHIBAURA MECHATRONICS)製造之黏晶機FED-1780，在拾取速度40 mm/sec、針高度（needle height) : 500 μιη、針R=500、針根 ’數為1根之條件下拾取200個樣品，評價成功數。該等結果不於表1及2。 ^ [表 1] 實施例 1 2 3 4 5 照射紫外線前對基板之黏著力(N/20 mm、 8.0 7.5 7.1 6.5 6.0 基板表面之表面電位 100 V以下切割時之PKG飛散數(個） 0 0 0 0 0 照射紫外線後對基板之黏荖力ΓΝ/?〇 0.38 0.35 0.30 0.25 0.22 拾取成功數(個） 200 200 200 200 200 基板表面是否有黏著劑殘法無無無無無實施例 6 7 8 9 10 照射紫外線前對基板之黏荖力mm、 8.5 7.7 7.8 6.7 7.4 基板表面之表面電位 100 V以下切割時之PKG飛散數(個） 0 0 0 0 0 照射紫外線後對基板之黏荃力 0.4 0.32 0.32 0.22 0.29 拾取成功數(個） 200 200 200 200 200 基板表面是否有黏著劑殘法無無無無無實施例 11 12 13 照射紫外線前對基板之黏荖六⑽如 7.8 8.3 7.8 基板表面之表面電位 100 V以下切割時之PKG飛散數(個、 0 0 0 照射紫外線後對基板之黏荖 0.32 0.38 0.32 拾取成功數(個） 200 200 200 基板表面是否有黏著劑搀诗無無無 142796.doc •23- 201026808 [表2] 比較例 1 2 3 4 照射紫外線前對基板之黏著力(N/20 mm) 8.1 8.1 4.3 4.0 基板表面之表面電位 2000 V 1200 V 100 V以下切割時之PKG飛散數(個） 0 0 120 250 照射紫外線後對基板之黏著力(N/20 mm) 0.55 0.45 0.18 0.12 拾取成功數(個） 30 100 200 200 基板表面是否有黏著劑殘渣 90%發生 50%發生無無比較例 5 6 7 照射紫外線前對基板之黏著力(N/20 mm) 8.0 6.4 7.0 基板表面之表面電位 100 V以下 100 V以下 2000 V 切割時之PKG飛散數(個） 0 70 200 照射紫外線後對基板之黏著力(N/20 mm) 0.43 0.30 1.50 拾取成功數(個） 120 200 2 基板表面是否有黏著劑殘渣 40%發生無 90%發生根據表1及表2可知，實施例中，切割半導體晶圓等時，可確實地防止晶圓飛散。又，在照射電子束後之拾取步驟中，不會產生糨糊殘餘，可提高作業效率。進而，可降低步驟中所產生之靜電或剝離帶電，可使半導體晶圓等之電路破壞、製品不良等之發生減少。另一方面，比較例中產生晶圓飛散，在照射電子束後之拾取步驟中亦產生糨糊殘餘，步驟中無法抑制靜電或剝離帶電。尤其比較例1、比較例7中，黏著劑層之相容性不良，任一特性均無法得到滿足。產業上之可利用性 142796.doc • 24- 201026808 本發明之半導體元件之製造方法不僅可用於可進行水喷射雷射切割（water jet laser dicing)之對象、即半導體相關材料（例如半導體晶圓、BGA(ball grid array，球栅陣列）封裝體、印刷電路、陶瓷板，液晶裝置用之玻璃零件、片材材料、電路基板、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板，半導體雷射之發光/光接收元件基板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）基板或半導體封裝體等）等，而且可廣範地利用於所有種類之材料中。 142796.doc 25-

Claims

V 201026808 七、申請專利範圍：種黏著帶或黏著片，其具有下述黏著劑層·· 該黏著劑層係相對於包含 I各丙烯酸甲酯卓體、丙烯酸乙早體、或丙烯酸甲醋單體及丙烯酸⑽單體虚 • 丙烯酸單體、及丙烯酸2-乙基己酯單體之共聚物的丙烯酸系黏重量份，而含有參聚醚多元醇化合物〇.3〜1〇重量份、及至少—種鹼金屬鹽〇.〇〇5〜2重量份而成。 2. 如請求項1之黏著帶或黏著 , 丹甲黏著劑層係形成於子紫外線及/或放射線具有透過性之基材上，且上述勘著劑層進而含有至少_ 種以上之紫外線硬化型低聚物。 3. :請求項1之黏著帶或黏著片，其中黏著劑層進而含有羥值為120〜230 KOHmg/g之增黏劑。 4. 如請求項2之黏著帶或黏著片，一丹T黏著劑層進而含有羥值為120〜230 KOH mg/g之増黏劑。 5. 如請求項1至4中任一項之黏著帶著⑽技.立“ 者帶次黏者片’其中對與黏者劑層接觸之基材實施抗靜電處理。 6·如請求項1至4中任一項之黏著帶< ,,^ ^ 咿及黏耆片，其係使用於半導體晶圓或基板加工用途。 7.如請求項5之黏著帶或黏著片，装其係使用於半導體晶圓或基板加工用途。 8·如請求項1至4中任一項之黏著帶 X黏耆片’其中聚醚多 142796.doc 201026808 元醇化合物具有4000以下之重量平均分子量。 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 如請求項5之黏著帶或黏著片，其中聚醚多元醇化合物具有4000以下之重量平均分子量。如請求項6之黏著帶或黏著片，其中聚醚多元醇化合物具有4000以下之重量平均分子量。，如請求項7之黏著帶或黏著片，其中聚醚多元醇化合物具有40〇〇以下之重量平均分子量。如請求項1至4中任一項之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及 _ 包含CU、Br、卜 BF4、PF6、cl〇4、N〇3、c〇3之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成。如請求項5之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及包含C1、 Br、1、BF4、PF6、Ci〇4、n〇3、C03 之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成。如請求項6之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及包含C1、 Θ Br ' I、BF4、PF6、C1〇4、Ν〇3、C〇3之陰離子中的—種以上之離子加以組合而成。如請求項7之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別 · 選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及包含C1、 * Br、1、BF4、PF6、cio4、N03、C03 之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成。如請求項8之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別 142796.doc -2- 201026808 選自包含Li、Na、Κ、Mg、Ca之陽離子，及包含ci、 Br、I、BF4、PF6、C104、N〇3、C03 之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成。 17. 如請求項9之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及包含C1、 Br、I、BF4、PF6、ci〇4、n03、C03 之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成。 18. 如凊求項1〇之黏著帶或黏著片，其中鹼金屬鹽係將分別選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及包含C1、 Br、I、BF4、pFe、cl〇4、N〇3、c〇3 之陰離子中的一種以上之離子加以組合而成。 19·如請求項11之黏著帶或黏著片’其中鹼金屬鹽係將分別選自包含Li、Na、K、Mg、Ca之陽離子，及包含α、 Br、I、BF4、PF6、cl〇4、N〇3、c〇3之陰離子中的—種以上之離子加以組合而成。

142796.doc 201026808 * 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 142796.doc