TW201005989A - Method for fabricating light emitting diode chip - Google Patents

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28530twf.doc/n 201005989 ______ -.¾ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晶片的製造方法，且特別是有關 於一種發光二極體晶片的製造方法。 【先前技術】

圖1人~圖1F為習知之發光二極體晶片的製作流程 圖。首先’依序形成一第一型半導體材料層122、一發光 材料層124以及一第二型半導體材料層126於一基板11〇 上’以形成一半導體層128 ’如圖1A所繪示。形成半導體 層128的方法例如是採用化學氣相沉積法(Chemical vap〇r Deposition, CVD) ’依序地形成第一型半導體材料層122、 發光材料層124以及第二型半導體材料層126於基板11〇 上。 接著，圖案化半導體層128以形成一半導體元件層 120,如圖1B所示。形成半導體元件層ι2〇的方式例如是 使用一道傳統的微影蝕刻製程（Ph〇t〇lith〇graphy and Etching Process, PEP) 〇 然後，於半導體元件層12㈣上表面驗上形成一 =3層13〇’如圖lc所示。形成電流分散層13〇的方 採用傳統的微影蝕刻製程。舉例來說，於基板"Ο 層二二介電材料層(未繪示)後，圖案化介電材料 層以形成如圖1C所示之錢分隔層13〇。 電流導體元件層120的上表面驗上形成一 L刀“以覆蓋電流分隔層13()，如圖所示。形 5 201005989 -------* .8 28530twf.doc/n 成電流分散層140的方式例如是採用傳統的微影餘刻製 程。舉例來說，先於基板110上全面地形成一導電；（未检 示）覆蓋半導體元件層120以及電流分隔層13〇，接0著，^ 案化導電層以形成電流分散層140，如圖id所示。

於完成上述之步驟後，接著，於電流分散層14〇與半 導體元件層120上形成多個電極150，如圖所示。形成 電極150的方式例如是採用傳統的微影蝕刻製程。舉^來 說，全面地形成一電極材料層（未繪示)於電流分散層14〇 與半導體元件層120上，接著，圖案化電極材料層二形成 多個電極150於電流分散層140與半導體元件層， 如圖1E所示。 而後，於未被電極150所覆蓋的電流分散層14〇與半 導體元件層120上形成一保護層16〇，如圖汀所示。^成 保護層16G的方式例如是採用傳統的微影_製程。舉例 介電層材料層(未緣示)以覆蓋電流分 散層140、電極150以及半導體元件層120，接著，圖案化 護層於未被電極150所覆蓋的電 机刀散層140與+導體元件層12〇上，如圖ι 至 此，大致完成習知之發光二極體晶片則的製作步驟。 承上述，習知之發光二極體晶片丨⑼ 需藉由五道光罩製程以分別形成多個構件，如 件層120、電流分隔層、雷冷八血a ^ 干等疆兀 及料居m , 分散層140、電極150以 if層如此—來’上述需要至少五道光罩製程來 進行製作的發光二極體晶片_需採用多個具有不同圖案 ‘ i V v V · ▲ m 8 28530twf.doc/n 的光罩(mask)，由於光罩的造價十分昂責，因此發光二極 體晶片100的製作成本與製作時間將無法縮減。x — 【發明内容】 有鑑於此’本發明提供一種發光二極體晶片的製造方 法’其使用半調式、灰調式或多調式光罩製程、掀離製程 或透過同一道光罩製程以同步形成多個構件，以縮減發光 二極體晶片的製作步驟，進而可節省製作成本與製作" © 本發明提出一種發光二極體晶片的製造方法。首先β， 於一基板上形成一半導體元件層以及一位於半導體元件層 上之電流分散層。然後，於基板上形成一介電層以覆蓋半 導體元件層以及電流分散層。接著，於介電層上形成一圖 案化光阻層，其中圖案化光阻層包括一第一光阻區塊以及 :第二光阻區塊，且第-光阻區塊的厚度小於第二光阻區 ，的厚度。而後’以圖案化光阻層為罩幕移除部分之介電 成-圖案化介電層，其中_化介電層將部分半導 阻及部分電流分散層暴露。接著，減少圖案化光 L 2度，，第一光阻區塊被完全移除。然後，全面 化I阻居電極材制。接著，歸®案化光阻層以使圖案 中之電極材料層一併被移除而形成多個電極，其 半導體元件層以及電流分散層電性連接。 的形實施财’半導體元件層與電流分散層 於半導ΐf ί+導層以形成半導體元件層。然後， 十導體7L件層上形成電流分散層。 201005989 I ……28530twf.doc/n 在本發明之一實施例中，半導體層的形成方法包括下 列步驟。首先’於基板上依序形成一第一型半導體材料層、 一發光材料層以及一第二型半導體材料層。然後，圖案化 第二型半導體材料層、發光材料層以及第一型半導體材料 層，以形成一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半 導體，其中發光層位於第一型半導體層的部分區域上，而 第二型半導體層則位於發光層上。 ❹ *本發明之—實施射’電流分散層的形成方法包括 下列步驟。首先，於半導體元件層上形成一導電層。接著， 圖案化導電層以形成電流分散層。 在本發明之一實施例中，半導體元件層與電流分散層 的开>成方法包括下列步驟。首先，於基板上形成一半導體 層。接著，於半導體層上軸—導電層。然後，圖案化半 導體層與導電層，以同時形成半導體元件層以及電流分散 層。 纟本發明之—實施射，轉體元件層與電流分散層 輩 _成方法包括下列步驟。首先，於基板上依序形成一第 -型半導體材料層發光材料層、-第二型半導體材料 層以及-導電層。接著，圖案化導電層、第二型半導體材 料層、發光材料層以及第一型半導體材料層，以同時形成 -第-型半導體層、-發光層、—第二型半導體以及電流 分散層。發光層位於第一型半導體層的部分區域上，而第 -型半導體層則位於發光層上，且電流分散層位於第二型 半導體層上。 201005989 ▲ IV·/νυ ντ *· 28530twf.doc/n 在本發明之一實施例中，圖宏儿、μ 括-半調式(half-tone)光罩製程或二灰二:形成:：包 製程或-多調式_細昀光罩製程又調式㈣輪)光罩 务^發其1 另提出一種發光二極體晶片的製造方法。首 二電二依序第形成;/導體層W 於等1：層上形成-第一圖案化光阻層，其 ❹

阻，包括-第-光阻區塊以及H阻區塊，且第一光 =區塊的厚度小於第二光阻區塊的厚度。然後，以第一圖 案化=層為罩幕，移除部分之導電料及部分半導體= ::成：半導體元件層。而後，減少第—圖案化光阻層的 居度，直到第-光阻區塊被完全移除，並以剩餘之 為罩幕移除部分之導電層以形成—電流分散層，苴 m散層卿分半導體元件層暴露。⑽，移除剩餘 第-光阻區塊。紐，於電流分散相及半導體元 上形成一圖案化介電層以及多個電極。 θ =本發明之—實施财，電流分散層具有—開口以將 牛導體7〇件層的一上表面暴露。介電層透過開口與半導體 元件層的上表面接觸。 一 在本發明之一實施例中，電極與圖案化介電層分別藉 由不同光罩製程進行製作。 9 在本發明之一實施例中，圖案化介電層與電極的形成 方法括下列步驟。首先，於基板上形成一介電層以覆蓋 半導體元件層以及電流分散層。接著，於介電層上形成一 第二圖案化光阻層。然後，以第二圖案化光阻層為罩幕， 9 201005989 Λ * * ·8 28530twf.doc/n 移除部分之介電層以形成一圖案化介電層，其中圖案化介 電層將部分半導體元件層以及部分電流分散層暴^。二 後，全面性形成一電極材料層。接著，移除第二圖案化光 阻層，以使第二圖案化光阻層上之電極材料層:併被移除 而形成多個電極，其中電極與半導體元件層以及電流分散 層電性連接。 在本發明之-實施例中，圖案化介電層與電極的形成 〇 方法更包括下列步驟。首先，於基板上形成一介電層，以 覆蓋半導體元件層以及電流分散層。接著，於介電層上形 成一第三圖案化光阻層，其中第三圖案化光阻層包括一^ 三光阻區塊以及-第四光阻區塊，且第三光阻區塊的厚度 小於第四光阻區塊的厚度。然後，以第三圖 罩幕，移除部分之介電層以形成一圖案化介電層，其2 案化介電層將部分半導體元件層以及部分電流分散層暴 露。而後，減少第三圖案化光阻層的厚度，直到第三光阻 區塊被完全移除。接著，全面性形成一電極材料層。然後， 罾移除第三圖案化光阻層，以使第三圖案化光阻層上之電極 材料層併被移除而形成多個電極，其中電極與半導體元 件層以及電流分散層電性連接。 在本發明之—實施例中，第三圖案化光阻層的形成方 一半調式光罩製程或—灰調式光罩製程或—多調式 先罩製程。 本發明更提出一種發光二極體晶片的製造方法。首 先’於-基板上依序形成一半導體層以及一介電層。接著， 28530twf.doc/n 201005989 成一第—圖案化光阻層，射第-圖案化光 阻層為罩幕，移除部分之 』】 ❹ ❹ 層，其中圖案化介電層將部分ί導體 暴 1除剩餘之第二光阻區塊。_ = 導體，形成-電流分散層以及：電:電層以及半 由不流分制《及電極分別藉 更包㈣造方法 形成-保護層。 L分散層以及半導體元件層上 方法包括下列步驟實：中於的形成 元件層上形成-保護層。然後，於層以及半導體 案化光阻層。而後，以第:介本、5層上形成一第二圖 分之保護層以形成—圖案“ 為罩幕’移除部 導體元件層以及部分電流分散層暴護層將 使第二圖3=二=二圖案化光-層全: 之電極材—併被移除而形成多 8 28530twf.doc/n 201005989

t ν/ν» V~¥ X —I 個 接 電極其中電極與半導體元件層以及電流分散層電性連 先，發光二極體晶片的製造方法。首 於導電/上形成及一導電層。接著， 阻層包括一第―光电區塊以及—^先=第一明案化先 _ 度。:後’：二 少第圖案化光阻層的厚度，直 二减 二光阻區塊將部分半導體== 全面性形成-電極材料層。然 上的電極材料==二剩餘之第二光阻區塊 極與半導雜元件層這些電 法包例中’第一圖案化光阻層的形成方 光罩製程。°;衫程或—灰調式光罩製程或—多調式 本發明還提出―種發光二極體晶片的製造方法。首 電芦於板上依序形成一半導體層、-導電層以及-介 曰 ，於介電層上形成一第一圖案化光阻層，其中 f一圖J化光阻層包括一第-光阻區塊以及-第二光阻區 ί，’ 區塊的厚度小於第二光阻區塊的厚度。然 圖案化光阻層為罩幕，移除部分介電層、部分 12 201005989 ^wv«v-r*-r8 28S30twjF.doc/n 導電層以及部分半導體層以同時形成一圓案化介電層、一 電流分散層以及一半導體元件層。接著，減少第一^案化 光阻層的厚度，直到第—光阻區塊被完全移除，其中剩餘 之第二光阻區塊將部分半導體元件層以及部分圖案化介電 層暴露。而後，以剩餘之第二光阻區塊為罩幕，移除部分 之圖案化介電層，以使部分電流分散層暴露。接著，全: 性形成一電極材料層。然後，移除剩餘之第二光阻區塊， e 以使剩餘之第二光阻區塊上的電極材料層_併被移除而形 成多個電極’其巾這些電極與半導體元件層 層電性連接。 电视刀散 在本發明之-實施例中，第一圖案化光阻層的形成方 半調式光罩製程或一灰調式光罩製程或—多調式 无卓製程。 本發明亦提出-種發光二極體晶片的製造方法。首 先’於-基板上形成-半導體元件層、一位於 介電層以及—位於半導體元件層上並覆蓋圖 電流分散層。然後’於半導體元件層以及電 k刀散層上形成-介電層。接著，於介電層上形成一圖案 化先阻層。而後’以圖案化光阻層為罩幕，移除邱分之介 1層以形成一圖案化介電層’其中圖案化介電声將部分半 及部分電流分散層暴露。接著，全面性形成 電極材料層一併被移除而形成多個電極，立中這 二電極與轉體元件層以及電流分散層電性連接。，、 13 201005989 2853Otwf. doc/n 在本發明之-貫施例中，半導體元件層、圖案化 層以及電流分㈣㈣成料包括Τ列步驟。首先，於基 ^上形成-半導體層。接著，圖案化半導 體元件層。織，於轉體元件層上 t導 :於半導體元件層上形成電流分散層以覆蓋住： Ο Ο 在本發明之-實施例中，半導體元件層 層以及電流分散層分闕由㈣光罩製程進行製作。 在本發明之-實施例中，半導體元 層以及電流分散層的軸方法包括下_驟。=化= 板上形成一半導體層。接著，於半 先，於基 成：==:::層電層以及半導一 本發明再提出-種發光二極體晶片的 先’於基板上依序形成—半導體相及— ^ 體層與導電層’以同時形成半導體;=及 電心散層1後’於電流分散層以及 ^ 乂及 成-圖案化介電層以及多個電極。 辑層上形 光材料層以及一第二型半導體材料層。 ’ 發 由不，電極與圖案化介電層分別藉 14 201005989 l-t8 28530twf.doc/n

Λ-ν-# VUV/T I ίΓΓ再提出—種發光二極體晶片的製造方法。首 先，於基板上形成-第一圖案化光阻層， 一光阻區塊以及—第二光阻區塊，且第-==層i罩幕’移除基板之部分表二成- :二 =r除，其中剩餘之第 ❹罩篡'而後，以剩餘之第二光阻區塊為 3:2:=第一圖案化基板，以形成-第二圖案化 二4::二圖，基板上依序形成-半導體元件 元件層以及;流二 =:其中這些電極與半導體 成一發光二極體晶片的製造方法。首先，形 阻區其中第一圖案化光阻層包括-第-光 [，以及-第二光阻區塊，且第一光阻區塊的厚度小於 ❹==度;其中圖案化光阻層的形成方法包括 程相式先罩製程或一灰調式光罩製程或—多調式光罩製 光罩帛實’ #由半赋、多調式 結合掀離製程可進」^缩H二f體晶片的製程步驟，並 體晶片的製造方法本=:r二極 15 201005989 ---------28530twf.doc/n 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易僅，下文特 舉多個實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 【實施方式】 【第一實施例】 圖2A〜圖21為本發明第一實施例之一種發光二極體 晶片的製作流程示意圖。首先，依序形成一第一型半導體 材料層222、一發光材料層224以及一第二型半導體材料 層^26於一基板210上以形成一半導體層228,如圖2八所 繪不。形成半導體層228的方法例如使用金屬有機化學氣 相 /儿積(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD) 法，分子束磊晶(molecular beam epitaxial，MBE)法，或是 其他適當的磊晶成長法，依序地將上述之材料層222、 224、226形成於基板210上。本實施例以金屬有機化學氣 相沉積法為實施範例，但不限於此。在本實施例中，基板 210的材質例如是透光度佳的一氧化鋁。此外，第一型半 導體材料層222所選用的材料例如是N型半導體材料，發 ® 光材料層224所選用的材料例如是多重量子井發光材料， 而第二型半導體材料層226所選用的材料例如是ρ型半導 體材料。然而，上述之第一型半導體材料層222與第二型 半導體材料層226的材料也可以分別是ρ型半導體材料與 N型半導體材料。 ^ 接著，圖案化半導體層228以形成一半導體元件層 220，如圖2Β所繪示。在本實施例中，形成半導體元件層 220的方法例如是使用傳統的微影蝕刻製程。舉例來說， 16 28530twf.doc/n 201005989

‘ · w v · V 於形成上述之半導體層228於基板210後，接著，圖案化 第二型半導體材料層222、發光材料層224以及第一型半 導體材料層226，以形成一第一型半導體層222a、一發光 層224a以及一第二型半導體層226a，其中發光層224a位 於第一型半導體層222a的部分區域上，而第二型半導體層 226a則位於發光層224a上’如圖2B所續'示。在本實施例 中’第一型半導體層222a、發光層224a以及第二型半導 0 體層226a構成上述之半導體元件層220。 然後，於半導體元件層220上形成一電流分散層230, 如圖2C所繪示。在本實施例中，形成電流分散層23〇的 方法例如是使用傳統的微影餘刻製程。舉例來說，完成上 述之半導體元件層220於基板210後，於半導體元件層220 上全面地形成一導電層（未繪示），然後，圖案化導電層以 形成電流分散層230’其中電流分散層230具有一開口 232 以將半導體元件層220的一上表面220a暴露，如圖2C所 不。在本實施例中，開口 232的形狀可以為圓形開口、環 型開口或其他形狀之開口。另外，電流分散層23〇的材質 例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化铪、 化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁辞氧化物、鎘錫氧化物、 鎘鋅氧化物、或其它適當之材料。本實施例以銦錫氧化物 為實施範例，但不限於此。 _接著，於基板210上形成一介電層240以覆蓋半導體 =件層220以及電流分散層230，其中介電層24〇透過上 =之開口 232與半導體元件層的上表面22〇a接觸，如圖 D所示。在本實施例中，形成介電層24〇的方法例如是使 17 201005989 28530twf.doc/n 用化學氣相沈積法(chemical vapor deposition, CVD)，但不 限於此，也可使用其它適合的製程的方式，如：網版印刷、 塗佈、喷墨、能量源處理等。介電層240可為單層或多層 結構，且其材質可以區分為有機材質與無機材質。有機材 質例如是使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化 銓或氧化鋁，或其它適當之材質。而無機材質例如是使用 =阻、苯並環丁烯、環烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚 酯類、聚醇類、聚環氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、 聚酮類’或其它適當之材質。本實施例以二氧切或是氣 化矽為例，但不限於此。 一於介電層240上形成一圖案化光阻層2；MJ，^ 圖2E所示。形成圖案化光阻層25〇的方法例如是使用_ 半調式光罩製程、-灰調式料製程n調式光罩$ 程。本實施例以半調式光罩製程為實施範例，但不限於此 舉例來說，_可先於介電層240上全面形成—光崎料層(; 魯 緣不）’接著’使用半調式光罩製程圖案化光阻材料層以3 成上述之圖案化光阻層25G，其中，圖案化光阻層，^ 括一第一光阻區塊252以及一第二光阻區塊乃4，且 光阻區塊252的厚度hi小於第二光阻區塊‘254 如圖2E所示。 坪没 接著，以圖案化光阻層250為罩幕移除部份 成—圖案化介電層⑽，如圖㈣示。^ 層240以將部份半 心電流分散層230暴露，如圖2F所示。上述移除心 201005989 28530tw£doc/n :=的方式僅為舉例說明，亦可是採用其他適當的 而後’對圖案化光阻層25G採用例如是電 (Plasma Ashing)方式以減少圖案化光阻層25〇的 ^ =第-光阻區塊252被完全移除，而形成如圖2“示= 結構。 φ 參 於完成上述之步驟後，接著，全面性地形成—電 =層270於基板210上，如圖2H所示。形成此電極材= 層270的方式例如是上述提及的化學氣相沉積法、錢鍵法 (sputtering)、蒸鍍法(evap〇rati〇n)或其他適當的製程。 接著’移除圖案化光阻層250,以使圖案化光阻層25〇 上士電極材料層270 -併被移除而形成多個電極272，其 中逆些電極272與半導體元件層22G以及電流分散層23〇 電性連接，如圖21所示。舉例來說，移除圖案化光阻層 250而形成多個電極272的方式例如是採用掀離製程 (hft-offprocess)以完成如圖21所示之結構。詳細來說移 除圖案化*光阻層250時，覆蓋於圖案化光阻層25〇之上的 電極材料層270也會同時地被移除，因而使電極材料層27〇 可形成如圖21所示之多個電極272。至此，大致完成一種 發光一極體晶片200的製作流程。 在發光二極體晶片200中’被電極272所覆蓋之圖案 化介電層260定義為電流阻隔層，未被電極272所覆蓋之 圖案化介電層260則定義為保護層。詳細來說，當發光二 極體晶片200被驅動時，電流阻隔層適於使發光層激發出 19 28530twf.doc/n 201005989 較為均勻的光線，因而使發光二極體晶片2〇〇具有較佳的 發光均勻度。另外，保護層適於保護半導體元件層避免受 到外在環境的影響而損壞或氧化，從而影響發光二極體晶 片200被驅動時的電性特性。 ❹ ❹ 在本實施例中，上述形成發光二極體晶片2〇〇的製作 步驟藉由使用半調式光罩製程與掀離製程，使形成保護 層、電流阻隔層與電極的步驟僅須使用一道光罩圖案即可 完成製作。換言之，採用上述製作發光二極體晶片2〇〇的 方法，將可有效地降低製作成本與製作時間。 在-實施形態中’調整上述之製程步驟可形成並他實 施形態之發光二極體晶片，詳細說明如下。 、 圖3A〜圖3E為另-實施形態之發光二極體晶片的製 作流程圖。首先，形成發光二極體晶片細a的方法先採用 如圖JA至2D之製程步驟，相關敘述不再贅述。 完成上述之步驟後，接著，於介電層24〇上形成一圖 案化光阻層250a，如圖3A所示。形成圖案化光阻層25〇a ，方法例如是使用半調式光罩製程、灰調式光罩製程、或 夕調式光罩製程。本實施例以半調式光罩製程為實施範 例’但不限於此。舉例來說，可先於介電層上全 成-光阻材料層(未緣示）’接著，使用半調式光罩製程以 圖案化光阻材料層以形成圖案化光阻層25〇a，其中 包括一第一光阻區塊252以及一第二光阻區 免254’且第一光阻區塊252的厚度Μ小於第二光阻 54的厚度h2，如圖3A所示。需要說明的是，圖案化光 20 201005989 t j.-r8 28530twf.doc/n 阻層250a與圖案化光阻層250結構相似，惟二者不同之處 在於，第一光阻區塊252a之間具有一開口 256以將部分之 介電層240暴露，如圖3A所示。在本實施例中，形成上 述之圖案化光阻層250a僅需調整光罩圖案，而無須額外之 曝光顯影製程。 ❺ o 然後’請依序參考圖3B至圖3E，由於圖3B至圖3E 之製程步驟與圖2F至21所述之製程步驟雷同，因此，相 關製程說明不再贅述。在本實施例中，圖案化光阻層250a 的結構異於圖案化光阻層25〇,如此一來，完成圖3B至圖 3E之製作步驟後所形成的發光二極體晶片2〇〇&之結構也

不同前述之發光二極體晶片2〇〇之結構，如圖21與圖3E 所示。 詳細來說，由於第一光阻區塊252a之間具有開口 256’因此，圖案化介電層26〇適於暴露出部份半導體元件 層220的第二型半導體層22如之上表面島，如圖3b所 不。如此一來，形成多個電極272於基板21〇上時，部分 電極272適於穿過圖案化介電層260(例如是上述所定義之 電流阻隔層)直接地電性連接半導體元件層22G的第二型 半導體層226a，如圖3E所示。 在本實施财，形紐光二㈣晶# 2G()a之製 成Γ二極體晶片200的製程步驟相同，惟形 ίίίΐ 之光罩圖案有些微不同。因此，採用上述 2·之製作步驟同樣地可縮減發光 -極體Ba片的製程步驟、製程成本以及製程時間。 21 20100^?8 28530twfd〇c/„ 另外’圖4A〜圖4G為再—實施形態之發光二極體晶 片的製作流程圖。首先，形成發光二極體2〇〇b的方法可先 進行如圖2A至圖迅的製程步驟，相關製程說明如上所述。 接著，於半導體it件層22〇上形成—電流分散層 230a，如圖4A所緣示。在本實施例中，形成電流分散層 230a的方法例如是使用傳統的微影钱刻製程，相關製程如 前實施例所述，在此不再贅述。在本實施例中， •層2池具有多個開口加，以將半導體元件層 上表面220a暴露，如圖4Α所示。換言之，請參考圖4Α 與圖2C，比較電流分散層230a與電流分散層23〇之結構， 形成電流分散層230a的結構僅需調整形成電流分散層23〇 之光罩圖案即可完成其製作’而無須額外之曝光顯影製程。 接著，於基板210上形成一介電層24〇以覆蓋半導體 元件層220以及電流分散層230a，其中介電層240透過上 述之開口 232a與半導體元件層的上表面22〇a接觸，如圖 4B所示。在本實施例中，形成介電層24〇的方式如同前實 © 施例之說明，在此不再贅述。 然後’請依序參考圖4C至圖4G，圖4C至圖4G之 製程步驟與圖3A至3E繪示之製程步驟雷同，相關製程說 明不再贅述。在本實施例中’電流分散層230a的結構不同 於電流分散層230，如此一來’完成圖4A至圖4G之製作 步驟後所形成的發光二極體晶片200b之結構亦不同於前 述之發光二極體晶片200、200a之結構，如圖21、圖3E 與圖4G所示。 22 28530twf.doc/n 201005989 ------ 詳細來說，電流分散層230a具有多個開口 232a，且 圖案化介電層260適於暴露出部份之電流分散層230a，如 圖4D所示。如此一來，形成多個電極272於基板210上 時，部分電極272便適於直接地電性連接電流分散層 230a ’如圖4G所示。 在本實施例中’形成發光二極體晶片200b之製作步 驟與上述形成發光二極體晶片200或200a的製程步驟相 同，惟形成電流分散層之光罩圖案有些微不同。換言之， ® 採用上述形成發光二極體晶片200b之製作步驟同樣地可 縮減發光二極體晶片的製程步驟、製程成本以及製程時間。 另外，圖5A〜5G為更一實施形態之發光二極體的製 作流程圖。首先，形成發光二極體2〇〇c的方法可先進行如 圖2A至圖2B的製程步驟’相關製程說明如上所述。 接著，於半導體元件層220上形成一電流分散層 230b，如圖5A所繪示。在本實施例中，形成電流分散層 230b的方法例如是使用傳統的微影蝕刻製程，相關製程如 © 前實施例所述，在此不再贅述。在本實施例中，電流分散 層230b覆蓋住半導體元件層220的一上表面220a，如圖 5A所示。換言之，形成上述之電流分散層23%僅需調整 光罩圖案便可形成，無須額外之曝光顯影製程。 接著’於基板210上形成一介電層24〇以覆蓋半導體 元件層220以及電流分散層230b，如圖5B所示。在本實 施例中，形成介電層240的方式如同前實施例之說明，在 此不再贅述。 23 201005989 * νν.» vw-r α-τ8 28530twf.doc/n 然後，請依序參考圖5C至圖5G，由於圖5C至圖5G 之製作方式與圖2E至21繪示之製程雷同，相關製程說明 不再贅述。在本實施例中，電流分散層230b的形狀不同於 前述之電流分散層230、230a，因此，完成圖5B至圖5G 之製作步驟後所形成的發光二極體晶片200c之結構亦不 同於前述之發光二極體晶片200、200a、200b，如圖21、 圖3E、圖4G與圖5G所示。

❹ 在發光二極體晶片200c中，電流分散層230b覆蓋半 導體元件層220之第二型半導體層226a的上表面220a， 且圖案化介電層260適於暴露出部份之電流分散層230a， 如圖5E所示。如此一來，形成如上述之多個電極272於 基板210時，部分電極272適於直接地電性連接電流分散 層230b ’如圖5G所示。 同樣地，被電極272所覆蓋之圖案化介電層26〇定義 為，流阻隔層’未被電極272所覆蓋之圖案化介電層26〇 則定義為保護層。在本實施例中，由於僅將形成電流分散 層的光罩圖案稍作改變，因此，並不會改變原先的製程步 t換5之形成發光二極體晶片2GGe的製作方式同樣地 ^上述之形成發光二極體晶片2〇〇、2〇如、細b所述之 200 2所述形成發光二極體晶片2〇〇、200a、200b、 时調式料製程、㈣式光罩製程、 t Γ配掀離製程以縮減形成電流阻隔 保遵層或電極的製程步驟，進而可節省發光二極 24 20100598¾ 28530twf.doc/n 片的製程時間以及製作成本。 【第二實施例】 圖6A〜圖6H為本發明第二實施例之發光二極體晶片 的製作流程示意圖。首先，依序形成一第一型半導體材料 層322、一發光材料層324、一第二型半導體材料層326 以及一導電層332於一基板310上，進而分別形成一半導 體層328與位於半導體層328上之導電層332,如圖6A所 參 繪示。形成半導體層328與位於半導體層328上之導電層 332的方法例如使用上述之金屬有機化學氣相沉積法，分 子束磊晶法，蒸鍍法、濺鍍法，或其他適當的磊晶成長法， 依序地將上述之材料層322、324、326以及導電層332形 成於基板310上。本實施例以金屬有機化學氣相沉積法為 實施範例，但不限於此。在本實施例中，基板31〇與基板 21〇材質相同，材料層322、324、326與前實施例之材料 層222、224、226相同’相關說明不再贅述。

接著’圖案化半導體層328與導電層332以同時形 ® 一半導體元件層320與一電流分散層330，如圖6B 示。在本實施例中’形成半導體元件層320與電流分敢 330的方法例如是使用傳統的微影钱刻製程。舉例來戈 於形成半導體層328與導電層332於基板310後，接著i 圖案化第二型半導體材料層322、發光材料層324第， 半導體材料層326以及導電層332，以同時形成一第〜 半導體層322a、一發光層324a—第二型半導體層326a^ 及電流分散層330，其中發光層324a位於第一型半導發^ 25 201005989 ^χ^ννν-τ*-τ8 28530tw£doc/n 322a的部分區域上，而第二型半導體層326a則位於發光 層324a上，且電流分散層330位於第二型半導體層326a 上’如圖6B所緣示。在本實施例中，第一型半導體層322a、 發光層324a以及第二型半導體層326a構成上述之半導體 元件層320。 接著，於基板310上形成一介電層340以覆蓋半導體 元件層320以及電流分散層33〇，如圖6C所示。在本實施 例巾’形成介電層340的方法例如是使用化學氣相沈積 法，但不限於此，也可使用其它適合的製程的方式，如： 網版印刷、塗佈、喷墨、能量源處理等。介電層34〇可為 單層或多層結構，且其材質可以區分為有機材質與無機材 .f。有機材質例如是使用氧化石夕、氮化石夕、氮氧化石夕、碳 化石夕、氧化給或氧化紹，或其它適當之材質。而無機材質 例如是使用光阻、苯並環丁蝉、環烯類、聚酿亞麵、聚 2胺類、聚鋪、聚_、聚環氧乙㈣ ’或其它適當之材f。本實施例^二 〇 氧化碎或疋氮化碎為例，但不限於此。 然後一於w電層340上形成—圖案化光阻層35〇，如 成圖案化光阻層350的方法例如是使用- ::杳、、一灰調式光罩製程、或-多調式光罩製 編丨*〜施例：半調式光罩製程為實施範例，但不限於此。 全面形成-光阻材料層(未 开 =)，，，使用半調式光罩製程 =上;之f化光阻層说，其中，圖案化光阻層4 ;5。 匕括一第-光阻區塊352以及一第二光阻區塊N，且第 26 201005989 4 «*8 28530tw£doc/n 一光阻區塊352的厚度hi小於第二光阻區塊354的厚度 h2，如圖6D所示。 ❹ φ 接著，以圖案化光阻層350為罩幕移除部份之上述介 電層340以形成一圖案化介電層36〇’如圖6£所示。形成 圖案化介電層360的方式例如是使用乾式蝕刻法 ^ 刻法移除部分介電層340以將部份半導體元件層/32〇、以及 部分電流分散層330暴露，如圖6E所示。上述移除部分 介電層340的方式僅為舉舰明，其亦可是制料 的蝕刻製程。 八 田 而後，對圖案化光阻層35〇採用例如是電聚灰化 (Plasma Ashing)方式以減少圖案化光阻層35〇的厚度，直 到第-光阻區塊352被完全移除，而形成 ς 結構。 於完成上述之步驟後，接著，全面性地形 ，層，祕板310上，如圖犯所示。形成此電極材= 層370的方式例如是上述提及的化 法、蒸紐或其他騎的製程。 上之層350,以使圖案化光阻請 之電極材制370 -併被移除而 中這娜372與半導體元件層32〇以及二二其〇 電性連接，如圖6H所示。舉例來說，移除圖案= 350而形成多個電極372的方式例如是採用掀離製程以！ 成如圖6H所示之結構。詳二休用掀離I程以几 時，覆蓋於圖案化光阻；35() ^ =圖案化光阻層350 得350之上的電極材料層370也會 27 28530twf.doc/n 201005989 同時地被移除，因而使電極材料層370可形成如圖6h所 示之多個電極372。至此，大致完成—種發光: 300的製作流程。 Λ

❹ +同樣地，在發光二極體晶片300中，被電極372所覆 蓋之圖案化介電層36G定義為電流阻隔層，未被電極372 所覆蓋之圖案化介電層360則定義為保護層。詳細來說， 當發光二極體晶片3GG被驅動時，電流阻隔層適於使發光 層激發出較為均勻的光線，因而使發光二極體晶片3⑼具 有較佳的發光均勻度。另外，保護層適於保護半導體元^ 層避免受到外在環境的影響而損壞或氧化，從而影響發光 二極體晶片300被驅動時的電性特性。 需要說明的疋’發光二極體晶片綱與發光二極體晶 片施結構相同，惟二者不同處在於，發光二極體晶片 3〇〇使用-道光罩圖案製程將半導體元件層挪與電流分 散層330同時製作於基板·上；而發光二極體晶片2〇〇 為使用二道光罩圖案製程分別將半導體元件層32()與電流 分散層330製作於基板31〇上。 同樣地’若圖案化光阻層之光罩圖案為其他不同的圖 案，則發光二極體晶片3〇〇更可以形成另__形態之發光二 極體晶片，詳細說明如下。 圖7A〜圖7E為第二實施例之另—實施形態的發光二 極體晶片的製作流程圖。首先，形成發光二極體晶片 300a 的方法先採用上述之圖6A至6C之製程步驟，相關敘述不 再贅述。 28 -8 28530twf.doc/n 201005989 完成上述之步驟後，接著，於介電層34q 案化光阻層350a，如圖7A所示。形成 成圖 认七、β 办或圖案化光阻層350a 例如疋使科赋料製程、灰調 f調f光罩製程。本實施例以半調式光罩製程為;』 =二不限於此。舉例來說，可先於介電層34QjJ二 Ξ牵未緣示）’接著，使用半調式光罩製程以 圖案化光阻材料層以形成圖案化光阻層35〇&，其 二光3 35〇a包括第一光阻區塊352以及第2光阻區塊 54 =第一光阻區塊352的厚度M小於第二光阻區塊州 :=h2，如圖7A所示。需要說明的是’形成圖案化光 曰0a的製作方法與形成圖案化光阻層350的製作方法 相似，惟二者不同之處在於，圖案化光阻層350a之第一光 =塊352之間具有多個開σ 356以將部分之介電層34〇 暴露’如圖7Α所示。形成上述之圖案化光阻層35%僅需 調整光罩圖案，而無須額外之曝光顯影製程。 然後，請依序參考圖7Β至圖7Ε，由於圖7Β至圖7Ε 所採用的製程方式與圖狃至6Η所述之製程方法相同，因 此相關製程說明不再贅述。在本實施例中，圖案化光阻 層3異於圖案化光阻層350，因此，完成圖7Β至圖7Ε 之f作步驟後所形成的發光二極體晶片3〇〇a之結構不同 於前述之發光二極體晶片300，如圖6H與圖7E所示。 相同地，在發光二極體晶片200a中，圖案化光阻層 35〇&之間具有多個開口 356，且圖案化介電層360適於暴 露出部份電流分散層330,如圖7B所示。如此一來，形成 29 201005989 28530twf.doc/n 如上述之多個電極372於基板310上時，部分電極372適 於直接地電性連接電流分散層330a，如圖7E所示。 另外，被電極372所覆蓋之圖案化介電層36〇定義為 電流阻隔層，未被電極372所覆蓋之圖案化介電層36〇則 定義為保護層。因此，發光二極體晶片3〇〇&被驅動時，電 流阻隔層適於使發光層激發出較為均勻的光線，而使發光 一極體晶片300a具有較佳的發光均勻度。此外，發光二極 體b曰片300a同樣地僅使用一道光罩圖案製程將半導體元 一 件層32〇與電流分散層330同時製作於基板310上。 承上述可知，形成發光二極體晶片300、300a的製程 步驟除了使用半調式光罩製程、灰調式光罩製程、或多調 式光罩製程’並選擇性地使用掀離製程，藉以合併電流阻 隔層、保護層或電極的製程步驟。另外，形成發光二極體 晶片300、300a的製程步驟更將形成半導體元件層320與 電流分散層330的步驟整合為一道光罩圖案製程藉以更為 簡化製作發光二極體晶片的步驟。因此，發光二極體晶片 〇 300、300a僅需兩道光罩圖案製程便可完成其製作，從而 大大地節省發光二極體晶片的製程時間以及製作成本。 【第二實施例】 圖8A〜囷8F為本發明第三實施例之發光二極體晶片 的製作流程示意圖。首先，依序形成一第一型半導體材料 層422、一發光材料層424、一第二型半導體材料層426 以及一導電層432於一基板410上，以分別形成一半導體 層428與位於半導體層428上之導電層432’如圖8A所繪 30 201005989 28530twf.doc/n 示。在本實施例中，形成半導體層428與位於半導體層428 上之導電層432的方法例如使用上述之金屬有機化學氣相 沉積法，分子束磊晶法，蒸鍍法、濺鍍法，或其他適當的 磊晶成長法，依序地將上述之材料層422、424、426以及 導電層432形成於基板410上。本實施例以金屬有機化學 氣相沉積法為實施範例，但不限於此。在本實施例中，基 板410與基板210材質相同，材料層422、424、426與前 實施例之材料層222、224、226相同，相關說明不再贅/述。 接著’於導電層432上形成一第一圖案化光阻層45〇, 如圖8B所示。形成第一圖案化光阻層45〇的方法例如是 使用-半調式光罩製程、—灰調式光罩製程、或一多調式 光罩製程。本實施例以半調式光罩製程為實絲例，但不 限於此。舉例來說，可先於導電層432上全面形成一光阻 材料層(未繪示），接著，使用半調式 阻材料層以形成上述之第-圖案化光阻層·，

G :圖案化植層45G包括—第—光阻區塊452以及 光阻區塊454，且第—光阻區塊452 第^ 阻區塊454的厚度h2，如圖8B所示。 ！於第一先 然後’以第-圖案化光阻層45 導電層432以及部份之丰暮 巧卓♦騎。p分之 層420，如圖8C所干層428以形成一半導體元件 432以及部份之半導體施例中，移除部分之導電層 前實施=或其匕適當的侧方式，相關製程說明如 31 t8 28530twf.doc/n 201005989 而後’對第-圖案化光阻層45〇採用例如是電浆灰化 方式以減少第-圖案化光阻層45G的厚度，直到第一光阻 區塊452被完全移除’並以剩餘之第二光阻區塊伙為罩 幕，移除部分之導電層432⑽成一電流分散層，其 中電流分散層將部分半導體元件層·暴露而形成如 圖8D所示之結構。移除部分之導電層432以形成電流分 散層430的方式例如是使用乾式偏】法、濕式_法或其 它適當的蝕刻方式，相關說明如前實施例所述。。 接著’移除剩餘之第二光阻區塊454後，並於電流分 散層43〇以及半導體元件層上形成—圖案化介電層 460以及多個電極472，如圖8E與圖8ρ戶斤示。在本實施 例中’形成圖案化介電層460以及多個電極472的方式則 可以採用傳統的微影侧製程來製作。糊來說，本實施 例先以-$微影爛製程形案化介電層糊，如圖犯 所不。接著，在使用另一道微影蝕刻製程形成多個電極 472，如圖8F所示。至此，大致完成形成發光二極體晶片 400的製作流程。 在發光一極體晶片400中，被電極472所覆蓋之圖案 化介電層_定義為電流阻隔層，未被電極472所覆蓋^ 圖案化介電層460則定義為保護層。當發光二極體晶片4〇〇 被驅動時’電流㈣層適於使發光層激發錄為均句的光 線’因而使發光二極體晶片_具有較佳的發光均勻度。 另外’巧護層，保護半導體元件層避免受到外在環境的 影響而知壞或氧化，從而影響發光二極體晶片彻被驅動 32 201005989 --------.¾ 28530twf.doc/n 時的電性特性。 在本實施例中’上述形成發光二極體晶片400的製作 步驟將半導體層與導電層依序形成基板上，並使用半調式 光罩製程以一道光罩圖案來形成半導體元件層電流分散 層。而後，使用一道微影蝕刻製程以分別形成保護層與電 流阻隔層。接著’再使用另一道微影蝕刻製程以形成電極。 換言之，採用上述製作發光二極體晶片4〇〇的方法僅須使 ❹ 用三道光罩圖案製程，如此—來，將可有效地降低製作成 本與製作時間。 你一X施例中，形成第一圖案化光阻層45〇之光罩圖 案若具有不同實施形態，則可形成另—發光二極體晶片 400a ’詳細說明如下。 圖9A〜9E為第三實施例之另―發光二極體晶片的製 作^程圖。首先，形成發光二極體晶片400a的方法可先^ 行如圖8八所示之製程步驟，相關敘述不再贅述。 編接!，於導電層432上形成一第一圖案化光阻層 阻# 45〇a W斤在本實施例中，形成第一圖案化光 層0a的方法例如是使用半調 製程、或多調式n 满式先罩 實施胸，本實施伽半赋林製程為 旦不限於此。舉例來說，可先 材料層叫接著，使用=二 二中第光:且=形成上述之苐-圖案化光阻層 452以及第二光阻阻層45〇a包括第-光阻區塊 ° 且第一光阻區塊452的厚度 33 201005989 Λ^νου-τχ-τδ 28530twf.doc/n hi小於第二光阻區塊454的厚度h2，如圖9Α所示。 說明的是，第-圖案化光阻層450a與第一圖案化光阻声 450結構相似，惟二者不同之處在於，第一圖案化光阻^ 450a具有多個第一光阻區塊452，如圖9A所示。在本實 施例中，形成上述之第一圖案化光阻層45〇a僅需調整光罩 圖案’而無須額外之曝光顯影製程。 然後，請依序參考圖9B至圖9E，由於圖9B至圖9E 之製程步驟與圖8C至圖8F所述之製程步驟雷同，相關製 ❹程說明不再贊述。在本實施例中’第一圖案化光阻 的結構不同於第一圖案化光阻層45〇,因此，完成圖9八至 圖9E之製作步驟後所形成的發光二極體晶片4〇〇a之結構 不同於發光一極體晶片400 ’如圖8F與圖9E所示。 同樣地’發光二極體晶片400a與發光二極體晶片4〇〇 僅部份構件之形狀改變，因此’形成發光二極體晶片4〇〇a 的製作方法同樣地具有上述之形成發光二極體晶片4〇〇的 製作方法所描述之優點，在此便不再贅述。 ® 另外’不同的光罩圖案製程形成的圖案化介電層與電 極’亦可使發光二極體晶片400a形成另一發光二極體晶 片’相關說明如下。 圖10A〜圖10B為第三實施例之再一實施形態的發光 二極體晶片的製作流程圖。首先，形成發光二極體晶片 400b的方法可依序進行如圖8A及圖9A至圖9C之製程步 驟’相關敘述不再贅述。 於完成上述之步驟後，接著，移除剩餘之第二光阻區 34 28530twf.doc/n 201005989 塊454，並於電流分散層43〇以及半導體元件層42〇上形 成一圖案化介電層460a以及多個電極472a，如圖10Α與 圖1〇Β所示。在本實施例中，形成圖案化介電層460a以 及多個電極472a的製程方式如前述，相關製程技術不再贅 述。 Φ 在本實施例中，請同時參考圖9D、圖9E、圖10A與 圖1〇B，圖案化介電層460a與電極472a的結構類似於^ 述之圖案化介電層460與電極472，惟彼此不同處在於， 形成圖案化介電層460a與電極472a的光罩圖案不同於形 成圖案化介電層460與電極472的光罩圖案。 因此，發光二極體晶片400b與發光二極體晶片4〇〇 相較’僅為形成圖案化介電層46〇a與電極472a之形狀與 位置不同，因此，形成發光二極體晶片4〇%的製作方法/同 樣地具有上述之發光二極體晶片彻&的製作方法所且^ 的優點，在此便不再贅述。 ^ 在另-實施例中，藉由再一次使用半調式光罩製程， 並搭配個—道製程關步形成多個構件，則可再縮減製 程步驟，町舉三種㈣實麵態之製程舞錢明之。 圖11A〜11D為第三實施例之—實施形態的發光二極 體晶片的製作流程圖。首先，形成發光二極體晶片條 的方法可依序採用上述之圖8A、圖9A至圖％ 驟，相關敘述不再贅述。 歹 於完成上述之步驟後，接著，移除剩餘之第二光阻區 塊454，並於基板410上形成一介電層440以覆蓋半導體 35 2010059898 28530twf.doc/n 元件層420以及電流分散層43〇，而後，再於介電層44〇 上形成一第二圖案化光阻層480，如圖11A所示。移除第 二光阻區塊454、形成介電層44〇以及形成第二圖案化光 阻層480的方式如同前實施例所提及之製程方式，在此 再贅述。 接著，以第二圖案化光阻層480為罩幕，移除部分之 介電層440以形成一圖案化介電層46〇b，其中圖案化介電 層4_將部分半導體元件層42(m及部分電流分散層43〇 醫 暴露，如圖11B所示。 然後，全面性形成一電極材料層47〇於基板41〇上， 如圖iic所示。形成電極材料層47〇的方法如前實施例所 述之製程方式’在此不再贅述。 接著，移除第二圖案化光阻層48〇以使第二圖案化光 阻層480上之電極材料層47〇 一併被移除而形成多個電極 472 ’其t電極472與半導體元件層以及電流分散層 430電性連接’如圖11D所示。移除第二圖案化光阻層_ ©❿形成多個電極472的方式例如是採用掀離製程以完成如 圖UD所示之結構，其中相關製程說明請參考前實施例之 說明。至此，大致完成發光二極體晶片侧c的製作流程。 在本實施例中，發光二極體晶片400C與發光二極體 日日片4〇Ob結構相同’惟二者不同處在於，形成發光二極體 的=40Ge的製作方式為使用半調式光罩製程與掀離製程 以&併形成圖案化介電層46〇b與電極472的製程步驟，亦 即是’形成發光二極體W條的製程僅需㈣兩道光罩 36 20100598¾ 28530tw£doc/n 圖案製程即可完成其製作步驟。而形成發光二極體晶片 400b的製作方法則是將圖案化介電層與電極472分別使用 一道微影蝕刻製程，因此’形成發光二極體晶片4〇〇b則需 使用三道光罩圖案製程，以上請同時參考形成發光二極體 晶片400b與發光二極體晶片400c的製程步驟。

圖12A〜圖12F為第三實施例之另一實施形態的發光 二極體晶片的製作流程圖。首先，形成發光二極體晶片 400d的方法可依序進行上述<圖8A至圖8D之製程步 驟’相關敛述不再資述。 於元成上述之步驟後，接著，移除剩餘之第二光阻區 塊454，並於基板410上形成一介電層44〇以覆蓋半導體 兀件層420以及電流分散層43〇，如圖12A所示。在本實 施例中，移除第二光阻區塊454以及形成介電層44〇的方 法如同前實施例所述之說明，在此不再贅述。

而後’於”電層440上形成一第三圖案化光阻層49〇, 其中第三圖案化光阻層携包括—第三光阻區塊492以及 :第=光阻區塊494,且第三光阻區塊492的厚度於小於 中四ίΙΪ塊It的厚度Μ，如圖咖所示。在本實施例 1置2 = 光阻層的方法例如是使用半調式 罩J程、灰調式光罩製程、或多調式光罩製程 施 = 光罩製程為實施範例，但不限於此。舉例來說， 二田電層44。上全面形成光阻材料層(未•示；)，接i， 使用半調式光罩製程以圖宰 者

所示之第三_化光阻^^阻㈣層⑽成如圖12B 37 201005989 28530twf.doc/n 接著，以第三圖案化光阻層49〇為罩幕，移除部分之 介電層440以形成一圖案化介電層46〇b，其中圖案化介電 層46%將部分半導體元件層 α及部分電流分散層43〇 暴露，如圖12C所示》在本實施例中，移除介電層44〇以 形成圖案化介電層46〇b的方式例如是上述之乾式姓刻法 或濕式餘刻法或其他適當的钱刻方式，相關說明請參 實施例所述。

而後，可使用電漿灰化製程以減少第三圖案化光阻層 49〇_的厚度’直到第三光阻區塊492被完全移除，如圖12D 所示。在本實施例中，關於電漿灰化製程的說明，如前實 施例之說明，在此不再贅述。 接著，全面性形成一電極材料層47〇於基板41〇上 後，移除第三圖案化光阻層490(即剩餘之第四光阻區塊 494)以使第三圖案化光阻層49〇上之電極材料層47〇 一併 被移除而形成多個電極472，其中電極472與半導體元件 層420以及電流分散層430電性連接，如圖12E與圖12F 〇 所不。在本實施例中，形成電極材料層470的方式例如是 化學氣相沉積法，詳細說明如前實施例所述。另外，移除 第二圖案化光阻層以形成電極472的方式則可使用前述之 掀離製程，同樣地，詳細說明請參考前實施例，在此不再 贅述。至此，大致完成發光二極體晶片400d的製作流程。 詳細來說，發光二極體晶片4〇〇的製作方式與發光二 極體晶片400d的製作方式相似，惟其不同處在於，發光二 極體晶片400d係使用可調式光罩製程與掀離製程以合併 38 201005989 λοι/ov^x^ 28530twf.doc/n 形成圖案化"電層46〇b(或稱為電流阻隔層與保護層)與電 f 472的製程步驟，#中被電極仍戶斤覆蓋之圖案化介電 曰460b疋義為電流阻隔層，未被電極272 介電層460b則定義為保護層。 汀復盍 八 如此來，形成發光一極體晶片4〇〇d的製程步驟僅 尚使用兩道光罩圖案製程。而形成發光二極體晶片楊的 ^程步驟則疋分別各使用—道微影似彳製程以形成圖案化 ❹ 介電層460(或稱為電流阻隔層與保護層）與電極472，因 此’形成發光二極體晶片4〇〇d的製程步驟需使用三道微影 ，刻製程，以上請同時參考形成發光二極體晶片4〇〇與發 光二極體晶片400d的製程步驟。 另外，在發光二極體晶片400d的製程步驟中，若形 ，第三圖案化光阻層之光罩圖案為其他實施形態，例如 是，相對地，完成上述之製程步驟後，亦會產生另一實施 形態之發光二極體晶片，相關說明如下。 圖13A〜圖13E為第三實施例之再一實施形態之發光 二極體的製程流程圖。形成發光二極體晶片4〇〇e的方法可 依序採用上述之圖8A至圖8D以及圖12A之製程步驟及 說明’相關製程不再贅述。 於完成上述之步驟後，接著’於介電層440上形成一 第二圖案化光阻層490a，其中第三圖案化光阻層49〇a包 括第三光阻區塊492以及第四光阻區塊494，且第三光阻 區塊492的厚度h3小於第四光阻區塊494的厚度h4，如 圖13A所示。在本實施例中’形成第三圖案化光阻層49〇a 39 201005989 48 28530twf.doc/n 2法與上述形成第三圓案化光阻層的方法相同，相 關製程技術不再贅述。需要說明的是，第三光阻區塊條 具有一開口 496以將介電層44〇暴露。 然後，請依序參考圖13B至圖13E，由於圖i3B至 13E之製作方式與圖12B至既綠示之製作方式雷同，相 關製程說明不再贅述。在本實施例中，第三圖案化光阻層 9〇a的結構不同於前述之第三圖案化光阻層49〇，因此， 完成圖13B至圖13E之製作步驟後所形成的發光二極體晶 片400e之結構便不同於前述之發光二極體晶片*刪如 圖12E與圖13E所示。 ，同樣地’發光二極體晶片400e與發光二極體晶片4〇〇d 的製作方法相似，惟不同處在於，形成發光二極體晶片 4〇〇e之製作步驟僅為變換第三圖案化光阻層49〇a之光罩 設計，因此，並不影響其製程步驟。因此，發光二極體晶 片400e僅須使用二道光罩圖案製程即可完成其製作步驟。 综上所述，上述之製作發光二極體晶片的方法，藉由 © ^欠使料赋光罩縣、灰赋光罩製程❹調式光罩 ，程，並選擇性地搭配使用掀離製程，以簡化發光二極體 晶片的製程步驟，進而可有效地減少製作成本與時間。 【第四實施例】 〃 圖14A〜圖141為本發明第四實施例之發光二極體晶 片的製作流程示意圖。首先，依序形成一第一型半導體材 料層522、一發光材料層524、一第二型半導體材料層526 以及介電層540於一基板510上，以分別形成一半導體層 28530twf.doc/n 201005989 νν/~τ i-r8

❹ 528與位於半導體層528上之介電層540，如圖μα所繪 示。形成半導體層528與位於半導體層528上之介電層540 的方法例如使用上述之金屬有機化學氣相沉積法，分子束 磊晶法，蒸鑛法、濺鐘法，或其他適當的磊晶成長法，依 序地將上述之材料廣522、524、526以及介電層540形成 於基板510上。本實施例以金屬有機化學氣相沉積法為實 施範例，但不限於此。在本實施例中，基板51〇與基板21〇 材質相同’材料層522、524、526與前實施例之材料層222、 224、226相同，相關說明不再贅述。 接著’於介電層540上形成一第一圖案化光阻層55〇, 其中第一圖案化光阻層550包括一第一光阻區塊552以及 了第二光阻區塊554’且第一光阻區塊552的厚度hl小於 第二光阻區塊554的厚度h2,如圖14B所示。形成第一圖 案化光阻層55〇的方賴如是使用—半赋光罩製程一 2式光罩製程、或-多調式光罩製程。本實施例以半調 ，光罩製料實施範例，但不限於此。舉絲說可先於 介電層54G上全面形成—光阻材料層(未緣示），接著，使 用半調式光罩製程以圖案化光阻材料層以形成如圖 不之第一圖案化光阻層550。 人雷Γί’以第一圖案化光阻層550為罩幕，移除部分之 以如二4C所示。在本實施例中丄 2853Dtwf.doc/n 201005989 施例所述。 光阻3 二圖案化*阻層55〇的厚度，直到第一 ίϊΓΓΙΪ移除，並以剩餘之第二光阻區塊”4 560二安介電層540以形成-圖案化介電層 露，如ϋ Γ介電層560將部分半導體元件層520暴 /、圖14E所示。在本實施例中，移除第一光 552的方式例如是採用上述之電滎灰化的方式，相 如前實施例之說明，在此不再贅述。而移除部分之 二電=40以形成圖案化介電4 56〇的方式可使用乾式姓 濕絲刻’或其他適當之_方法，侧製程參考前 只鈿例之說明，在此不再贅述。 、接著，移除基板510上剩餘之第二光阻區塊554後， f於圖案化介電層560以及半導體元件層52〇上分別形成 電刀政層530以及多個電極572，如圖14F至圖14H 所亍舉例來說，移除第二光阻區塊554後，可使用傳统 的微影蝕刻製程以先形成電流分散層53〇，如圖14〇所 不。接著’再使用一道微影蝕刻製程以形成多個電極572， 如圖14H所示，微影蝕刻製程技術如前實施例之說明，在 此不再贅述。 然後，於未被上述之電極272覆蓋之電流分散層53〇 以及半導體元件層520上形成一保護層590，如圖14][所 不°在本實施例中，形成保護層590的方式例如是使用上 述之微影蝕刻製程，相關製程技術如上所述，在此不再贅 述。至此，大致完成發光二極體晶片500的製作流程。 42 28530twf.doc/n 201005989 . « .Ο 在本實施例中，發光二極體晶片5〇〇使用半調式光罩 製程將電流阻隔層（如上述之圖案化介電層56〇)與半導體 元件層520合併為一道光罩圖案製程。接著，再使用二道 光罩圖案製程分別形成電流分散層53〇、電極572以及保 護層590。因此，採用上述製作發光二極體晶片5〇〇的方 法，將可降低製作成本與製作時間。 在另一實施例中，藉由再一次使用半調式光罩製程， 以及使用一道製程以同步形成多個構件，則可再縮減製程 ® 步驟，以下舉另一實施形態之製程步驟以說明之。 圖15A〜15F為第四實施例之另一實施形態之發光二 極體晶片的流程示意圖。首先，形成發光二極體晶片5〇〇a 的方法可先進行如圖14A〜14F之製程步驟，相關敘述不再 贅述。 於完成上述之步驟後，接著，於圖案化介電層56〇以 及半導體元件層520上形成電流分散層530，如圖i5A所 示。在本實施例中，形成電流分散層53〇的方法例如是採 ® 用上述之微影蝕刻製程，相關製程描述如前述，在此不再 贅述。 然後’於電流分散層530以及半導體元件層52〇上形 成一保護層590，而後，並於保護層590之上形成一第二 圖案化光阻層580，如圖15B與圖15C所示。在本實施例 中，形成保護層590的方法例如是使用化學氣相沉積法、 蒸鑛法、藏鐘法或其他適當的製程。另外，形成第二圖孝 化光阻層580的方法例如是使用上述之半調式光罩製程、 43 201005989 --------.8 28530twf.doc/n 灰調式光罩製程、或多調式光罩製程，其中相關製程如上 述之說明，在此不再贅述。本實施例以半調式光罩製程為 實施範例，但不限於此。 ·"' 接著，以第二圖案化光阻層580為罩幕，移除部分之 保護層590 ’以形成一圖案化保護層592，其中圖案化保護 層592將部分半導體元件層520以及部分電流分散層53〇 暴露，如圖15D。在本實施例中，移除保護層59〇以形成 ❹圖案化保護層592的方法例如是採用乾式餘刻法、濕式钱 刻法、或其他適當之蝕刻方式。 接著，全面性形成一電極材料層570後，並移除第二 圖案化光阻層580，以使第二圖案化光阻層58〇上之電極 材料層570 —併被移除而形成多個電極572，其中電極572 與半導體元件層520以及電流分散層53〇電性連接，如圖 15E與圖15F所示。在本實施例中，形成電極材料層57〇 的方式例如是採用化學氣相沉積法、蒸鍍法、濺鍍法或 其他適當之製程，相關製程技術如前述之說明，在此不再 © Ϊ述。另外，移除第二圖案化姐層以形成多個電極572 的方法例如是採用掀離製程，相關技術如前實施例之說 明，在此不再贅述。至此，大致完成另一實施形態之發光 二極體晶片500a的製作流程。 在本實施例中’發光二極體晶片5〇〇a的製作方式與 發光二極體晶片500的製作方式相似，惟二者不同之處^ 於，發光二極體晶片500a採用可調式光罩製程以及掀離製 程，並將電極572與保護層590的製程步驟整合為一道微 44 201005989 ^vov-r^-,8 28530twf.doc/n 影姓刻製程，因此，完成發光二極體晶片5〇〇a的製作僅須 三道光罩圖案製程，如此一來，將可有效地降低製作成本 及製作時間。 【第五實施例】 圖16A〜圖16F為本發明第五實施例之發光二極體晶 片的製作流程示意圖。首先，依序形成一第一型半導體材 料層622、一發光材料層624、一第二型半導體材料層626、 參 導電層632以及一介電層640於一基板61〇上，以分別 形成一半導體層628、一位於半導體層628上之導電層632 以及一位於導電層032之上的介電層640，如圖16A所繪 示。形成半導體層628、導電層632以及介電層640的方 法例如使用上述之金屬有機化學氣相沉積法，分子束磊晶 法，蒸鍍法、濺鍍法，或其他適當的磊晶成長法，依序地 將上述之材料層422、424、426、導電層432以及介電層 640形成於基板610上。本實施例以金屬有機化學氣相沉 積法為實施範例，但不限於此。在本實施例中，基板61〇 ® 與基板21〇材質相同，材料層622、624、626,與前實施例 之材料層^ 222、224、226相同，相關說明不再贅述。 接著’於介電層640上形成一第一圖案化光阻層65〇, 其中第一圖案化光阻層650包括一第一光阻區塊652以及 一第二光阻區塊654’且第一光阻區塊652的厚度Μ小於 第二光阻區塊654的厚度h2,如圖16B所繪示。在本實施 例中，形成第一圖案化光阻層65〇的方法例如是使用半調 式光罩製程、灰調式光罩製程、或多調式光罩製程。本實 45 201005989 施例以半調式光罩製程為實施範例，但不限於此。舉例 說:可先於介電層640上全面形成一光阻材料層(未緣示）， 接著，使用半調式光罩製程以圖案化光阻材料層以形成上 述之圖案化光阻層650，如圖所示。 接著’以第一圖案化光阻層650為罩幕，移除部分介 電層640、部分導電層632以及部分半導體層628以同時 形成-圖案化介電層66G —電流分散層63〇以及一半導 〇 體70件層62G，如圖16c所示。在本實施例中，移除介電 層640、導電層632以及半導體層628的方法例如是使用 乾式姓刻法、濕式钱刻法、或其他適當之钱刻方法，以上 僅為舉例說明，非限於此。 然後，對第化光阻層㈣採關如是電聚灰化 的方式以減少第-圖案化光阻層650的厚度，直到第一光 ^且區塊652被完全移除’其中剩餘之第二光阻區塊654將 部分半導體元件層㈣以及部分㈣化介電層_暴露， 如圖16D所示。 接著，以剩餘之第二光阻區塊654為罩幕，移除部分 之圖案化介電層660，以使部分電流分散層63〇暴露，如 ，16E所不。在本實施例中，移除圖案化介電層66〇例如 疋使用上述之乾式蝕刻、濕式蝕刻或其他適當之蝕刻技 術’相關製程如前實施例之說明。 而後，全面性形成一電極材料層（未繪示），並移除剩 餘之第二光阻區塊654，以使剩餘之第二光阻區塊654上 的電極材料層670 —併被移除而形成多個電極672，其中 46 201005989 .* 18 28530twf.doc/n 電極672與半導體元件層620以及電流分散層630電性連 接’如圖16F所示。在本實施例中，形成電極材料層670 的方式例如是採用化學氣相沉積法、蒸鍍法、濺鍍法、或 其他適當之製程，相關製程技術如前述之說明，在此不再 費述。另外，移除第二光阻區塊654以形成多個電極672 的方法例如是採用掀離製程，相關技術如前實施例之說 明’在此不再贅述。至此，大致完成發光二極體晶片600 Ο 的製作流程。 ^ 在本實施例中，形成發光二極體晶片600的製程步驟 藉由進行一道製程並搭配使用半調式光罩製程，以及掀離 製程以同時形成多個構件，如：半導體元件層、電流分散 層、保護層、電流阻隔層以及電極。因此，使形成發光二 極體晶片600的製作步驟僅須使用一道光罩圖案製程即可 元成製作，進而可大大減少製程時間與成本。 【第六實施例】 圖17A〜圖17F為本發明第六實施例之發光二極體晶 ® 片的製作流程示意圖。首先，依序形成一第一型半導體材 料層722、一發光材料層724、一第二型半導體材料層726 以及導電層732於一基板710上，以分別形成一半導體 層以及一位於半導體層728上之導電層632,如圖17A 所繪不。形成半導體層728以及導電層732的方法例如使 用上述之金屬有機化學氣相沉積法，分子束義晶法，蒸鏡 法藏錄法’或其他適當的遙晶成長法，依序地將上述之 材料層722、724、726以及導電層732形成於基板71〇上。 47 28530twf.doc/n 201005989 本實施例以金屬有機化學氣相沉積法為實施範例，但不限 於此。在本實施例中，基板710與基板210材質相同，材 料層722、724、726與前實施例之材料層222、224、226 相同，相關說明不再贅述。 接著’於導電層732上形成一第一圖案化光阻層75〇, 其中第一圖案化光阻層750包括一第一光阻區塊752以及

一第二光阻區塊754,且第一光阻區塊752的厚度hi小於 第二光阻區塊754的厚度h2，如圖17B所繪示p在本實施 例中，形成第一圖案化光阻層75〇的方法例如是使用半調 =光罩製程、灰調式光罩製程、或多調式光罩製程。本實 =例以半調式光罩製程為實施範例，但不限於此。舉例來 況’可先於導電層732上全面形成—細材料層(未緣示）， 接著’使料調式光罩製㈣醜化光阻㈣層以形成上 述之圖案化光阻層75〇，如圖l7B所示。 伐耆，以第 728以_彡成—電流分散 例中，移二ζ:=所示。在本實 用+導體層728的方法例如是 上僅1舉2式_法、或其他適當之侧方法， 上僅為舉例說明，非限於此。 热傻，對第一圖案 的方式以減少第-㈣採用例如是電㈣ 阻區物被層750的厚度，直到第- 部分半導㉛ ^ ’其中剩餘之第二光阻區塊754 +導體兀件層72G以及部分電流分散層73〇暴露， 48 201005989 -------.8 28530twf.doc/n 圖17D所示。 接著，全面性形成一電極材料層770，並移除剩餘之 第二光阻區塊754，以使剩餘之第二光阻區塊754上的電 極材料層770 —併被移除而形成多個電極772，其中電極 772與半導體元件層72〇以及電流分散層73〇電性連接， 如圖17E與圖17F所示。在本實施例中，形成電極材料層 77〇的方式例如是採用化學氣相沉積法、蒸鍍法、濺鍍法、 φ 或其他適當之製程’相關製程技術如前述之說明，在此不 再贊述。另外，移除第二光阻區塊754以形成多個電極772 的方法例如是採用掀離製程，相關技術如前實施例之說 明’在此不再贅述。至此’大致完成發光二極體晶片7〇〇 的製作流程。 ,同樣地’在本實施例中，形成發光二極體晶片700的 製程步驟藉由進行一道製程並搭配使用半調式光罩製程， 以及掀離製程以同時形成多個構件，如：半導體元件層、 q 電流分散層、保護層、電流阻隔層以及電極。因此，使形 ，發光二極體晶片700的製作步驟僅須使用一道光罩圖案 製程即可完成製作，進而可大大減少製程時間與成本。 【第七實施例】 圖18A〜圖18H為本發明第七實施例之發光二極體晶 片的製作流程圖。首先，依序形成一第一型半導體材料層 822、一發光材料層824、一第二型半導體材料層826以及 一介電層840於一基板810上，以形成一半導體層828， 如圖18A所繪示。形成半導體層828的方法例如使用上述 49 201005989 /\uv/〇uhih8 28530twf.doc/n 之金屬有機化學氣相沉積法，分子束磊晶法，蒸鐘法、濺 鑛法’或其他適當的蟲晶成長法，依序地將上述之材料層 822、824、826形成於基板810上。本實施例以金屬有機 化學氣相沉積法為實施範例，但不限於此。在本實施例中， 基板810與基板210材質相同，材料層822、824、826與 前實施例之材料層222、224、226相同，相關說明不再資 述。 φ 接著，圖案化半導體層828以形成一半導體元件層 820，如圖18B所示。在本實施例中，形成半導體元件層 820的方法例如是採用傳統的微影蝕刻製程，相關製程技 術如前實施例之說明，在此不再贅述。 然後，於基板810上形成一圖案化介電層86〇，其中， 圖案化介電層860位於半導體元件層820之上，如圖18c 所示。在本實施例中，形成圖案化介電層86〇的方法例如 是採用傳統的微影蝕刻製程，相關製程技術如前實施例之 說明，在此不再贅述。 〇 接著，於基板上穋成一電流分散層830，其中電 流分散層830位於半導體元件層82〇上，並覆蓋圖案化介 電層860，如圖18D所示，形成電流分散層83〇的方法例 如是採用傳統的微影蝕刻製程，相關製程技術如前實施例 之說明’在此不再贅述。 然後，於半導體元件層820以及電流分散層830上形 成-介電層840，並於介電層84〇上形成一圖案化光阻層 850，如圖18E所示。在本實施例中，形成介電層84〇的 50 201005989 Λυν〇νΐ·1”· 3 28530twf.doc/n 方法例如是使祕學氣相沈積法，料祕此，也可使用 其它適合的製程的方式，如：網版印刷、塗佈、喷墨、能 量源處理等。而形成圖案化光阻層㈣的方法例如是使用 .半調式光罩製程、灰調式鮮製程、或多調式光單製程。 本貝施例以一般光罩製程為實施範例，但不限於此。 接著，以圖案化光阻層850為罩幕，移除部分之介電 層840以形成一圖案化介電層86〇a，其中圖案化介電層 ❹86Ga將部分半導體元件層82G以及部分電流分散層83〇暴 露，如圖18F所示。在本實施例中，移除介電層84〇的方 式，如前實施例之說明，在此不再贅述。 然後，全面性形成一電極材料層87〇，並移除圖案化 光阻層850以使圖案化光阻層85〇上之電極材料層87〇 一 併被移除而形成多個電極872，其中電極872與半導體元 件層820以及電流分散層83〇電性連接，如圖18(}與圖 所不。在本實施例令，形成電極材料層87〇的方式例如是 採用化學氣相沉積法、蒸鍍法、濺鍍法、或其他適當之製 程，相關製程技術如前述之說明，在此不再贅述。另外， 移除移除圖案化光阻層850以形成電極872的方法例如是 採用掀離製程，相關技術如前實施例之說明，在此不再贅 述至此，大致完成發光二極體晶片800的製作流程。 在本實施例中，發光二極體晶片800先採用三道微影 蝕刻製程以分別製作半導體元件層82〇、圖案化介電層 860(或稱電流分隔層）以及電流分散層830。接著，使用半 調式光罩製程以及掀離製程結合介電層84〇(或稱保護層） 51 201005989 ΛυυουΗΙΗδ 28530twf.doc/n 與電極872的製作，進而使發光二極體晶片goo的製作步 驟僅須四道微影钱刻製程。 另外’若將調整部分膜層的結合，亦可再使上述之發 光二極體晶片800的製程步驟更節省一道微影蝕刻製程， 相關實施形態如下。

圖19A^圖19F為第七實施例另一實施形態之發光二 極體晶片的製作流程圖。首先，形成發光二極體晶片8〇〇a 的方法先採用上述之圖18A製程步驟，相關敘述不再贅述。 接著，於半導體層828上形成圖案化介電層86〇，如 圖19A所示。在本實施例中，形成圖案化介電層86〇的方 法例如是採用傳統的微影蝕刻製程，相關製程技術如前實 施例之說明’在此不再贅述。 *然後，於半導體層犯8上形成—導電層(未緣示），以 覆蓋住随化介電層_，而後，朗時圖案化導電層以 及半導體層832以同時形成電流分散廣83()以及半導體元 件詹820 ’如圖19B所示。在本實施例巾，形成導電層_ 的方法例如是化學氣相沉積法、蒸銳、濺紐、或其他 適當的製程方式。另外’圖案化導電層以及半導體層啦 ::二例如疋使用傳統的微影蝕刻製程’相關製程技術如 刖實施例之說明’在此不再贅述。 接著，請依序參考圖19B至圖19p，由於圖观至圖 19F之I程方式與圖18D至圖18H %示之製 同樣地，相關製程說明不再贅述。 工° 在本實施例中，由於搭配半調式光軍製程及掀離製程 52 201005989 ,28530twf.doc/n 而僅使用一道光罩圖案製程以形成電流分散層830以及半 導體元件層820，因此，發光二極體晶片gOOa可僅須三道 微影姓刻製程’進而可降低其製作成本，以及製程時間。 【第八實施例】 圖20A〜圖20D為本發明第八實施例之發光二極體晶 片的製作流程圖。首先，依序形成一第一型半導體材料層 922、一發光材料層924、一第二型半導體材料層926以及 一導電層932於一基板910上，以分別形成一半導體層928 以及一位於半導體層928上之導電層932 ,如圖20A所繪 示。形成半導體層928以及導電層932的方法例如使用上 述之金屬有機化學氣相沉積法，分子束蠢晶法，蒸錄法、 濺鍍法，或其他適當的磊晶成長法，依序地將上述之材料 層922、924、926以及導電層932形成於基板910上。本 實施例以金屬有機化學氣相沉積法為實施範例，但不限於 此。在本實施例中，基板91〇與基板21〇材質相同，材料 層922、924、926與前實施例之材料層222、224、226相 _ 同，相關說明不再贅述。 >接著，圖案化半導體層928與導電層932以同時形成 半導體元件層920與電流分散層930，如圖20B所示。在 本，施例中，圖案化半導體層928與導電層932的方法例 如疋採用傳統的微影蝕刻製程，相關製程技術如前實施例 之說明，在此不再贅述。 然後，於電流分散層930以及半導體元件層92〇上形 成一圖案化介電層960，如圖20C所示。在本實施例中， 53 201005989 28530twf.doc/n 960的方式例如是採用傳統的微影侧 製程相Μ Μ技術如μ實施狀訓，在此不再資述。 而後，再於電流分散層930以及半導體元件芦^ ^ 形成多個電極972，如圖2〇D所示。在本實施例; 電極972的方式例如是採用傳統的微影餘刻製程，相^ 程技術如前實_之說明，在此不再贅述。至此致办 成發光一極體晶片900的製作流程。

在本實施例中，形成發光二極體晶片9〇〇的製程 使用一道微影蝕刻製程同時形成半導體元件層92〇與電流 ^散層930 ’接著，再分別使裝道微祕刻製程^分ς 製作圖案化介電層96G以及電極972,其中被電極972所 覆蓋之圖案化介電層96G定義為電流阻隔層，未被電極972 所覆蓋之圖案化介電層96G則定義為保護層。因此，發光 二極體晶片900的製作步驟僅須三道微影蝕刻製程便^完 成製作，進而可縮減製程時間以及成本。 ^在另一實施例中，圖案化介電層960為其他光罩圖案 設計，如圖21Α所示，則經過如圖2〇c與圖2〇D之製程 步驟後，發光二極體晶片900則可形成如圖21B所示之發 光二極體晶片900a，其中相關製程技術如上述，在此便不 再贅述。 【第九實施例】 圖22A〜圖22E為一種半導體元件層的製作流程圖。 首先，於一基板1100上形成一半導體層12〇〇，其中半導 體層1200包括一第一型半導體材料層122〇、發光材料層 54 201005989 —28530twf.doc/n 1230以及一第二型半導體材料層124〇，如圖22A所示。 半導體層_例如是採用第—實施例至第人實施例所述 之材料層，相關材質與製程如前實施例所述。 接著，於半導體層1200上形成一圖案化光阻層1300, 如圖22B所示。在本實施例中，形成圖案化光阻層1300 的方式例如是採用灰調光罩製程使其表面1300a產生不規 則形狀，如圖22B所示。 ® 然後，連續進行多道的蝕刻製程，直至圖案化光阻層 之厚度消失為止，以形成半導體元件層1400,如圖22C至 22E所示。在本實施例中，蝕刻製程例如是乾式蝕刻、濕 式蝕刻或其他適當之蝕刻製程，此為舉例說明，但不限於 此0 需要說明的是，由於圖案化光阻層13〇〇之表面具有 不規則之形狀’因此，經過多次姓刻製程後，半導體元件 層之第一型半導體層1240的表面形狀便共形於圖案化光 _ 阻層1400之表面形狀，如圖22E所示。 當然，隨著於圖案化光阻層13〇〇之結構不同，如圖 22F所示，則形成之半導體元件層1000的第一型半導體層 1240之表面亦可形鋪似上述之不規則形狀，如圖加所 ^值得注意的是，形成上述之半導體元件層譲的製作 步驟亦可使用於第一實施例至第八實施例中。 【第十實施例】 圖23Α〜圖23C、喻不-種光罩製程的流程示意圖。首 於基板2100上形成一第一圖案化光阻層22〇〇，其 55 201005989 /\ui/〇uhih8 28530twf.doc/n 中第一圖案化光阻層2200包括一第一光阻區塊221〇以及 一第二光阻區塊2220,且第一光阻區塊221〇的厚度hl小 於第二光阻區塊2220的厚度腔，如圖23A所示。在本實 施例中’形成一第一圖案化光阻層22〇〇的方式例如是採用 一半調式光罩製程或一灰調式光罩製程或一多調式光罩製 程。本實施例以半調式光罩製程為實施範例，但不限於此。 另外，位於基板2100與第一圖案化光阻層2200之間更可 〇 包括一膜層2300’其中膜層2300可以是導電層或介電層。

接著，以第一圖案化光阻層2200為罩幕，移除基板 2100之部分表面以形成一第—圖案化基板21〇2，如圖23B 所示。形成一第一圖案化基板2i〇〇a的方法例如是使用乾 式蝕刻、濕式蝕刻、或其他適當之蝕刻方式，此為舉例說 明，但不限於此。 然後，對第一圖案化光阻層22〇〇使用如電漿灰化的 ^程以減少第一圖案化光阻層2200的厚度，直到第一光阻 Q ，塊2210被完全移除，其中剩餘之第二光阻區塊2220將 F刀第圖案化基板2102暴露，如圖23C所示。 接著，以剩餘之第二光阻區塊2220為罩幕移除部分 =第一圖案化基板2102以形成一第二圖案化基板21〇4， =23D所示。在本實施例中，形成一第二圖案化基板 4的方式例如是使用乾式银刻、濕式韻刻、或其他適當 之蝕刻方式。至此完成基板2104的製作步驟。 田 值得注意的是，第一圖案化光阻層的結構不同或光罩 裏程種類的不同，則可以形成之基板可以是凸起結構之基 56 201005989 28530twf.doc/n 板2104a或凹凸結構之基板21〇4b，或表面不規則結構之 基板2104c或及其組合21〇4d，如圖24A至圖24D所示。 需要說明的是，上述之基板的製作方法亦可應用於第一實 施例至第九實施例所提及之基板。 只 綜上所述，本發明之發光二極體晶片的製作方法至少 具有下列優點。首先，使用半調式光罩製程、灰調式 製程或多調式光罩製程以縮減部分製程的步驟，並結合掀 ❹離製程以it步縮減發光二極體晶片的製程如：同時 作保護層與電流阻隔層、或半導體元件層與電流分散層、 f及其組合。另外，本發明亦透過同—道製程關步形成 夕個構件’以縮減部分製程的步驟。換言之，採用本發明 ^先二極體晶片的製造方法將可節省製作成本以及 B寻間。

Ff定Γΐί發Γ已以多個實施例揭露如上，^其並非用以 限疋本發明’任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， =本發月之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 【圖式簡單說明】 f知之發光二極體晶片的製作流程圖。 片的製作流程示意ί發明第一實施例之一種發光二極體晶 作流=〜圖3Ε為另一實施形態之發光二極體晶片的製 57 201005989 nu 28530twf.doc/n 圖4A〜圖4G為再一實施形態之發光二極體晶片的製 作流程圖。 圖5A〜5G為更一實施形態之發光二極體晶片的製作 流程圖。 圖6A〜圖6H為本發明第二實施例之發光二極體晶片 的製作流程示意圖》 圖7A〜圖7E為第二實施例之另一實施形態的發光二 極體晶片的製作流程圖》 ® 圖8A〜圖8F為本發明第三實施例之發光二極體晶片 的製作流程示意圖。 圖9A〜9E為第三實施例之另一實施形態的發光二極 體晶片的製作流程圖。 圖10A〜圖10B為第三實施例之再一實施形態的發光 二極體晶片的製作流程圖。 圖11A〜11D為第三實施例之一實施形態的發光二極 體晶片的製作流程圖。 Φ 圖12A〜圖UF為第三實施例之另一實施形態的發光 二極體晶片的製作流程圖。 圖13A〜圖13E為第三實施例之再一實施形態之發光 二極體晶片的製程流程圖。 圖14A-圖141為本發明第四實施例之發光二極體晶片 的製作流程示意圖。 圖15A〜15F為第四實施例之另一實施形態之發光二 極體晶片的流程示意圖。 58 201005989 Λυυβυπ^δ 28530twf.doc/n 圖16Α〜圖16F為本發明第五實施例之發光二極體晶 片的製作流程示意圖。 圖17A〜圖17F為本發明第六實施例之發光二極體晶 片的製作流程示意圖。 圖18A〜圖18H為本發明第七實施例之發光二極體晶 片的製作流程圖。 圖19A〜圖19F為第七實施例另一實施形態之發光二 ^ 極體晶片的製作流程圖。 圖20A〜圖20D為本發明第八實施例之發光二極體晶 片的製作流程圖。 圖21A〜圖21B為第八實施例之不同實施形態之發光 -一極體晶片的不意圖。 圖22A〜圖22G為一種半導體元件層的製作流程圖。 圖23A〜圖23D繪示一種光罩製程的流程示意圖。 圖24A〜圖24D為其它實施形態之光罩製程所產生的 基板示意圖。 ® 【主要元件符號說明】 100、200、200a、200b、200c、300、300a、400、400a、 400b、400c、400d、500、500a、600、700、800、800a : 發光二極體晶片 110、210、310、410、510、610、710、810、910、 1100 > 2100'2104a、2104b ' 2104c ' 2104d :基板 120、220 ' 320'420 ' 520、620、720 ' 820、920、 1400 :半導體元件層 59 201005989 /νυυοι/Η-ι^δ 28530twf.doc/n 120a、220a、1300a :表面 122、222、322、422、522、622、722、822、922、 1220 :第一型半導體材料層 124、224、324、424、524、624、724、824、924、 1230 :發光材料層 126、226、326、426、526、626、726、826、926、 1240 :第二型半導體材料層 128、228、328、428、528、628、728、828、928、 Ο ^ W 1200:半導體層 130 :電流分隔層 140、230、230a、230b、330、430、530、630、730、 830 :電流分散層 150、272、372'472'472a、572 ' 672 ' 772 ' 872、 972 :電極 160、590 :保護層 222a、322a :第一型半導體層 0 224a、324a :發光層 226a、326a :第二型半導體層 232、256、232a、356、496 :開口 240、340、440、540、640、840 :介電層 250、250a、350、350a、850、1300 :圖案化光阻層 252、352、452、552、652、752、2210 :第一光阻區 塊 254、354、454、554、654、754、2220 :第二光阻區 60 201005989 /\uu〇uhih8 28530twf.doc/n 塊 260、360、460、460a、460b、660、860 圖案化介電層 270、370、470、570、670、770、870、 料層 332、432、632、732、932 :導電層 450、450a、550、650、750、2200 :第 ο

' 860a ' 960 · 970 :電極材 一圖案化光阻 層 480:第二圖案化光阻層 490、490a:第三圖案化光阻層 492:第三光阻區塊 ^ 494 :第四光阻區塊 592 :圖案化保護層 2300 :膜層 2102 :第一圖案化基板 2104 :第二圖案化基板 hi、h2、h3、h4 :厚度 61

Claims (1)

1. 201005989 Λ^ν〇1/*Τ 1 χ-τ8 28530twf.doc/n 十、申請專利範Β: ι·一種發光二極體晶片的製造方法，包括： 於一基板上形成一半導體元件層以及一位於該半導 體元件層上之電流分散層； 於該基板上形成一介電層，以覆蓋該半導體元件層以 及該電流分散層； 於該介電層上形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光 阻層包括-第-光阻區塊以及一第二光阻區塊，且該第一 光阻區塊的厚度小於該第二光阻區塊的厚度，· 、一以該圓案化光阻層為罩幕，移除部分之該介電層以形 成圖案化介電層，其中該圖案化介電層將部分該半導體 兀件層以及部分該電流分散層暴露； 完全^該圖案化光阻層的厚度，直到該第一光阻區塊被 全面性形成一電極材料層；以及 ©紐^該目帛化餘層，錢該®案化級層上之爷電 連 r--電 於該基板上形成一半導體層； 該半導體層’以形成該半導體元制 於該半導體元件層上形成該電流分散層。θ及 62 201005989 28530twfdoc/n

   3.如申請專利範圍第2項所述之發光二極體晶片的製 造方法，其中該半導體層元件的形成方法包括： 於該基板上依序形成一第一型半導體材料層、一發光 材料層以及一第二型半導體材料層；以及 圖案化該第二型半導體材料層、該發光材料層以及該 第一型半導體材料層，以形成一第一型半導體層、一發光 層以及一第二型半導體層，其中該發光層位於該第一型半 導體層的部分區域上，而該第二型半導體層則位於該發光 層上。 4.如申請專利範圍第2項所述之發光二極體晶片的製 造方法，其中該電流分散層的形成方法包括： 於該半導體元件層上形成一導電層；以及 圖案化該導電層，以形成該電流分散層。 5·如申明專利範圍第i項所述之發光二極體晶片的製 造方法，其巾該半導體元件層與該電流分散層的形成方法

   於9玄基板上形成一半導體層； 於該半導體層上形成一導電層 以及 圖案化該半導體層盘該壤雷爲 元件層以及該電流分;層_層’㈣時形成該半導體、‘如5項所述之發光二極體晶片的製 j法其中該+導體元件層與該電流分散層_成方i 包括 於該基板上依序形成—第_ 型半導體材料層、 —發光 63 201005989 zvuuou^t ih8 28530twf.doc/n 材料層、一第二型半導體材料層以及一導電層；以及 圖案化該導電層、該第二型半導體材料層、該發光材 料層以及該弟一型半導體材料層，以同時形成一第一型半 導體層、-發光層、-第二型半導體以及該電流分散層， 其中該發S層位於該第-型半導體層的部分區域上，而該 第二型半導體制位於該發光層上，且該電流分散層位於 該第二型半導體層上。

   7.如申凊專利範1|第i項所述之發光二極體晶片的製 造方法’其中該電流分散層具有一開口，以將該半導體元 件層的-上表面暴露’㈣介電層透過 元件層的該上表面接觸。 ^ 、止方t如m利㈣第1項所述之發光二極體晶片的製 么方法，其巾該@案化光阻層的形成方法包括 (halftone)光罩製程或一灰調式㈣领〇光罩製程或一多 調式(multi-tone)光罩製程。。 ’ 9.-種發光二極體晶片的製造方法，包括· 於-基板上依序形成—半導體層以及一導電声； 於該導電層上形成—第化光闕 ^ 圖案化光阻層包括—第—光 j其中該第 度小於該第二光阻區塊的厚度； 以該第-_化雜層為 以及部分該半導體# T⑽心之該導電層 減少該二:=層:::= 塊被完全移除，並以剩餘之該第二先;區塊;ί幕光= 64 28530twf.doc/n 201005989 部分之該導電層以形成—電流分散層，其中該電流 將部分該半導體元件層暴露； 日 移除剩餘之該第二光阻區塊；以及 於該電流分散m該半導體元件層上形成 化介電層以及多個電極。 9項麟讀光二_晶片的 裝k方法’其中該半導體層的形成方法包括： ❹ Φ ，該基板上依序形成—第_型半導體材料層、 材料層以及一第二型半導體材料層。 先 製造：申二=二^ 表面暴露， 體兀件層的該上表面接觸。 &牛導 12·如申請糊顧第9 製造方法，其中祕電極* 極體曰曰片的 光罩製程進行製作…亥圖案化介電層分別藉由不同 13·如”專利_第9項所述 製造方法，其中該圖案化介 極體曰曰片的 括： Μ層與該些電極的形成方法包 該基板上形成一介電層， 該電流分散層； k半導體元件層以及 =電2形成一第二圖案化光阻層； .以該第二圖案化光阻層為 以形成-圖案化介電層，其令二移除部分之該介電層 八5χ圖案化介電層將部分該半 28530twf.doc/n. 201005989 Λ V W Λ » S 導體7G件層以及部分該電流分散層暴露； 全面性形成—電極材料層；以及 上之案化光阻層，以使該第二圖案化光阻層 上之“電極材;14層—併被移除^軸多個電極， 電極與該半㈣元件m該m散層連^。ι 專利範㈣9項所述之發光二極體晶片的 衣&方法，，、中該圖案化介電層與該些電極的形成方法包 括·

   於該基板上形成一介電層，以覆蓋該半導體元件層以 及該電流分制； 於該介電層上形成一第三圖案化光阻層，其中該第： 圖案化光阻層包括—第三光阻區塊以及—第四光阻區塊， 且該第，光阻區塊的厚度小於該第四光阻區塊的厚度； ^該第三®案化光阻層為罩幕，移除部分之該介電層 =成:：案化介電層’其中該圖案化介電層將部分該半 導體兀件相及部分該電时散層暴露； 拾、該第二圖案化細層的厚度，直義第三光阻區 塊被完全移除； 全面性形成一電極材料層；以及 μ 該第三圖案化光阻層，以使該第三圖案化光阻層 βΛ極材料層一併被移除而形成多個電極，其中該些 極…詩導體元件層以及該電流分散層電性連接。 制、^·如υ利範圍第14項所述之發光二極體晶片的 &法，其巾該第三圖案化光阻層的形成方法包括一半 66 8 28530twf.doc/n 201005989 調式(half-tone)光罩製程或一 一多調式(m购one) ^製程灰調式㈣輪)光罩製程或 製造述之發光二極體晶片的 調式(halftone；)光阻層⑽成方法包括一半 -多調式灰調式(卿tone)光革製程或 ❹ ❹ H一其種Γ光二極體晶片的製造方法，包括： 、.土板上依序形成—半導體層以及—介電層； 於該介電層上料—第—_化光阻^第— 圖案化光阻層包括—第—光阻區塊 光j — 且該第二光阻區 以及部分該彻㈣Μ-半输㈣，丨電層 塊被光阻區 部分之該介電層以阻區塊為罩幕，移除 電層將部分該半導體元件電層，其中該圖案化介 移除剩餘之該第二先阻區塊；以及 流分及該半輸件層上形成一電 製造申/巾=^^所_光"極體晶片的 光罩製程進i製作。机及該些電極分別藉由不同 19·如申請專利範圍第18項所述之發光二極體晶片的 67 201005989 *-----— 28530twf.doc/n 製造方法，更包括於未被該些電極覆蓋之該電流分散層以 及該半導體元件層上形成—保護層。 2〇.如申請專利範圍第18項所述之發光二極體晶片的 製造方法，其中該電流分散層以及該些電極的形成方法包 括： 於該圖案化介電層以及該半導體元件層上形成該電 流分散層；

   於該電流分散層以及該半導體元件層上形成一保護 層， 於該保護層上形成一第二圖案化光阻層； 以該第二圖案化光阻層為罩幕’移除部分之該保護 層、，，以形成—圖案化保護層，其中該圖案化保護層將部分 該半導體70件層以及部分料齡散層暴露； 王w丨土:^>取一罨極材料層；以及 移除該第二圖案化光阻層，以使該第 上之該電極材料層—併被移除㈣成多 電極與該半導體元件層以及該電流分散層·連接中该些 製造^如^專^範^18項料之發光二極想晶片的 1 製㈣―㈣式(卿輪)光|製^ 一多調式(multi-tone)光罩製程。。 程或 22.-種發光二極體晶片的製造松包括·· 於f板上依序形成一半導體層以及-導電層. 於該導電層上形忐墙^^ 守电層， 心成—第―®案化光阻層’其中該第 68 201005989 -------8 28530twf.doc/n 圖案化光阻層包括一第一光阻區塊以及一第二光阻區塊， 且該第一光阻區塊的厚度小於該第二光阻區塊的厚度； 以該第一圖案化光阻層為罩幕，移除部分之該g電芦 以及部分該轉歸關時形成—半導體元件層以及—ς 流分散層； 电 e 蠡 減少該第-圖案化光阻層的厚度，直到該第一光阻區 塊被完全移除，其㈣餘找第二光陳_部分該半^ 體兀件層以及部分該電流分散層暴露； 全面性形成一電極材料層；以及 移除剩餘之料二光轉塊，贿_之該第二光阻 品i上的該電極材料層—併被移除而形成多個電極 該些f極與料導體元件層从該電流分散層電性連接！ 專利範㈣22項所述之發光二極體晶片的 丨f，、巾該第—圖案化雜層的形成綠包括一半 調ί=〇Ι7·光罩製程或一灰調式(㈣輪)光罩製程或 一夕調式(multi-tone)光罩製程。。 24.一種發光二極體晶片的製造方法，包括： 電層於—基板上依序形成—半導體層、—導電層以及一介 於該，I電層上形成一第—㈣^ ==括一第-光阻區η二 度小，該第二先_的厚度； 邻八料^圖案紘層為罩幕，移除部分該介電層、 電層从部分該铸體層關_成-圖案化介 69 .8 28530twf.d〇c/n 201005989 電層、-電流分散層以及—半導體元件層； 減少該第-圖案化光阻層的厚度，直到該第一光阻區 塊被完全騎，其巾雜之該第二光隱塊將部分該半導 體元件層以及部分該圖案化介電層暴露； 以剩餘之該第二光阻區塊為罩幕，移除部分之該圖荦 化介電層，賤部分該驗分朗絲； 案 全面性形成一電極材料層；以及 Ο 移除剩餘之該第二光阻區塊，以使剩餘之該第二光阻 區塊上的該電極材料層—併被移除轉成多個電極，其 該些電極無半導體元件層以及該電流分散層電性連ς。 製、=法m翻第24顧叙發光二極體晶片的 製=方法’其中該第—圖案化光阻層的形成方法包括 調式(half-tone)光罩製程或一灰調式 -多調式(mUlti-tGne)光罩製程。。 洗皁㈣次 26.—種發光二極體晶片的製造方法，包括. 件於半導體元件層、—位於該半導體元 蓋;圖案化;電;於該半導體元件層上並覆 於該半導航剌以麟㈣分制场成 層， 於該介電層上形成一圖案化光阻層； 以該圖案化光阻層為罩幕，移除部分 成化介電層，其中該圖案化介電層將部 元件層以及部分該電流分散層暴露； ^丰導體 28530twf.doc/n 201005989 全面性形成一電極材料層；以及 移除該圖案化光阻層，以使該圖案化光阻層上 層-併被移除而形成多個電極，其中該f = 半―體元件層以及該電流分散層電性連接。”該 =如申請專職_ 26摘述之發光二極體 製^方法，其中該半導體元件層、該圖案化曰兮 電流分散層的形成方法包括： n 乂及該 ❹ ύ 於該基板上形成一半導體層； 圖案化該半導體層，以形成該半導體元件及； 於該半導體元件層上形成該圖案化介電層7以及 體元制上形賴電流分制，讀蓋住該 專娜㈣27項所述之發光二極體晶片的 電流分散層分別藉由不同光罩製程進行製作， 则第26項所述之發光二極體晶片的 展二體元件層、該圖案化介電層以及該 電流仝散層的形成方法包括： 於該基板上形成一半導體層； 於該半導體層上形成該圖案化介電層； 化介件層上形成—導電層，以覆蓋住該圖案 分散半導體層’以同時形成該電流 71 δ 28530twf.doc/n 201005989 ·—仙·曰日的聚造乃凊，包括： 於該基板上依序形成一半導體層以及一導電層； 圖案化該半導朗触導電廣，以同時形成該半 兀件層以及該電流分散層；以及 =電，層以及該半導體元件 化介電層以及多個電極。 贺、止專利範圍第3g項所述之發光二極體晶片的 製&方法’其巾該魏轉該 光罩製程進行製作。 电屬以猎由不同 33· -種發光二極體晶片的製造方法，包括： 於該基板上形成-第一圖案化 我•化光阻層包括-第-光阻區塊以及一第二;】 β該第-光阻區塊的厚度小於該第二光阻區塊的厚^塊且 面二為罩幕’移_基板“分表 面以形成一第一圖案化基板； ^ 減少該第一圖案化光阻層的厚度，直 塊被完全移除，其中剩餘之該第 將1=品 圖案化基板暴露； 4將。卩分該第- 圖牵之該第二紘區塊為罩幕’移除部分之対-圖案化基板，以形成一第二圖案化基板；以及'1 72 201005989。 28530twf.doc/n 於該第二圖案化基板上依序 電流分散層以及多個電極，其中_參==^ 層以及該電流分散層電性連接。 〃導體凡件 的製Si申項所述之發光二極體晶片 案化光阻層的形成方法包括-丰納 洸罩製程或—灰調式(㈣彻$光罩製程2 多調式(multi-tone)光罩製程。 或 35· -種發光二極體晶片的製造方 案化光阻層，其中該第p 办成圖 1 案光阻層包括—第-光阻區 絲區塊，且該第—光阻區塊的厚度小於該 區塊的厚度；其中該圖案化光阻層的形成方法^ 2: ΐ調=f-tone)光罩製程或一灰調伽⑽)光罩 製程或夕調式(multi-tone)光罩製程。

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