TW200937681A - Led package substrate and led package using the same - Google Patents

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200937681 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關搭載發光二極之發光二極體封裝的基板 及使用其之發光二極體封裝。 【先前技術】 近年來從省能源的觀點，在各方面進行有各種之省電 @ 關連製品的開發。低消耗電力之發光二極體，即LED(Light Emitting Diode)亦爲如此之製品之一，特glj是從經由藍色 發光二極體元件的開發成功，成爲可生產白色發光二極體 者，啓動將其採用在液晶背光或一般照明，並在一部分的 製品中已開始採用。 作爲如此之白色發光二極體係例如，於專利文獻1之 圖1，顯示於砲彈型之發光二極體封裝，搭載藍色發光二 極體元件之後，由含有螢光體之樹脂加以密封，和成發光 Φ 二極體元件的藍色光，和透過螢光體而加以激發的光而得 到白色之構成。 如此之發光二極體封裝係作爲既已世界標準之封裝形 狀而確立，因對於量產性·成本優越之故，而大量流通。 但，伴隨近年來之發光二極體元件的輸出大增，從發光二 極體元件產生的熱量乃大幅度地變大之結果，在如上述之 砲彈型之發光二極體封裝中，變得追不上放熱，經由溫度 上升而產生之發光二極體元件的發光效率下降乃成爲很大 的問題。 -5- 200937681 爲了解決此問題，至目前爲止提案有各種加以改良的 發光二極體封裝。 例如，在專利文獻2，係揭示對於封裝材質，使用高 熱傳導性的氮化鋁，於氮化鋁基板上，印刷電極圖案，經 由發光二極體元件之覆晶安裝而得到高放熱性之發光二極 體封裝。 但在上述發光二極體封裝中，從放入有印刷電極圖案 之工程’對於大量生產性產生困難，在成本增大上，從作 爲原材料而使用高價之氮化鋁者，而具有封裝價格更加上 升之缺點。加上’近來的發光二極體元件之更高輸出化之 故，即使根據氮化鋁的熱傳導率，亦對於其放熱能力開始 產生不足等，欲改善的課題乃變多。 另外’在專利文獻3’係提案有以金屬塡充形成於基 板之通孔而作爲放熱孔，將發光二極體元件，覆晶安裝於 其上方之發光二極體封裝。 在如此的發光二極體封裝中’於專利文獻3係雖未記 載有金屬的具體名稱，但作爲塡充金屬，由使用銀或銅者 ，可得到高放熱性。但實際上，有著當於通孔中溶入銀或 銅時，經由凝固收縮，通孔與此等塡充金屬則剝離，最差 的情況係塡充金屬則脫落，產生斷線的缺點。對於爲了消 解其缺點，係使用混合塡充金屬的粉末與玻璃粉 ，在塡充於通孔後，需要以金屬成分的融點以下，作爲燒 結固化。但在此中，對於金屬成分而言，混入玻璃成分之 故，無法發揮具有金屬成分之本來的熱傳到性。g & -6 - 200937681 通孔塡充時，一般爲使用網版印刷者，但此情況，對於量 產性或製造成本，有著產生困難的問題。 另外，在專利文獻4，揭示有將銅作爲主體之引線架 與放熱用之金屬板，藉由白色的放熱樹脂加以一體化之發 光二極體封裝。如此之發光二極體封裝係對於原料使用廉 價的銅，且未歷經複雜的工程而可製造之故，除了對於成 本優越之外，放熱樹脂的熱傳到率如爲充分，亦可期待良 @ 好之放熱性。但，放熱樹脂之熱傳到率係如專利文獻4中 所述地，盡可能爲l〇W/m_K程度，與引線架和放熱金屬 板的熱傳導率做比較爲顯著低，其結果，成爲對於從引線 架至放熱金屬板的熱移動之阻抗，實際上發揮良好的放熱 性係爲困難。更且從樹脂的低耐熱性，在長時間連續點燈 狀態使用發光二極體之情況，亦認爲從上述放熱性的問題 ，封裝溫度則上升而引起樹脂產生熱變形或劣化者。隨之 ，放熱效率雖佳但需要窄電極間隔，且對於其間隔需要精 〇 確度之覆晶安裝，並不適合其封裝構造。 即’如圖6(a)所示，在覆晶安裝中，因將發光二極體 元件201之η極201a及p極201b，直接接合於發光二極 體封裝基板202之η電極202a及p電極202b之故，比較 於經由圖6(b)所示之導線w的導線安裝，容易將來自發 光二極體元件201之發光部201c的熱，藉由發光二極體 封裝基板202而釋放，對於放熱性優越。但，在覆晶安裝 中，有必要配合發光二極體元件201之η極20 la及p極 201b而縮小n電極202a，p電極202b間的間隔，並且因 200937681 嚴格要求其精確度’故對於發光二極體封裝基板乃容易經 由熱變形等而產生變形’劣化之情況，係不適合覆晶安裝 〇 另外，在專利文獻4中所舉出之樹脂係均對短波長光 爲弱，且經由來自發光二極體元件的光或太陽光而引起黃 變或劣化等，其結果，使作爲封裝的壽命下降等之缺點亦 多。 對於爲了普及使發光二極體作爲一般照明，加上放熱 u 性還必須同時滿足信賴性（耐UV性，耐濕性等之耐候性 ，或耐熱性，機械性強度等），量產性，成本。但如上述 ，重視放熱性而施以改良的結果，信賴性或量產性，成本 則產生惡化等，並未見到有著眼於前述4要素所有而進行 改善之發光二極體封裝。 [專利文獻1]日本特許2927279號公報 [專利文獻2]日本特開2004-207367號公報 [專利文獻3]曰本特開2002-289923號公報 ❹ [專利文獻4]日本特開2007-173441號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 作爲本發明欲解決之課題係提供：對於放熱性優越， 更且可同時解決信賴性或量產性，成本之問題的發光二極 體封裝基板及使用其之發光二極體封裝者。 200937681 [爲解決課題之手段] 爲了解決上述課題，本申請之發明者係作爲電極用材 料，具有良好之熱傳導性，將比較廉價的銅作爲主體的金 屬作爲基本，作爲構造用材料，並非樹脂而使用對於強度 極耐候性優越之陶瓷，作爲發光二極體元件之安裝方法係 將對於放熱有利之覆晶安裝方式，作爲前提條件，對於其 封裝_造進行檢討。其結果，在具有覆晶安裝可能之窄電 φ 極間隔之電極對（η電極及p電極），發現由塡充陶瓷於其 電極對之間者可解決各種課題，更且加上應用展開之結果 ’最終達成發明對於放熱性優越，更且可同時解決信賴性 或量產性，成本之問題的發光二極體封裝基板。 即，本發明之發光二極體封裝基板係屬於搭載發光二 極體元件之發光二極體封裝的基板，其特徵乃連接於發光 二極體元件之η極的η電極與連接於發光二極體元件之ρ 極的ρ電極之間隔乃在其最窄部爲在20〜500μιη之範圔 φ 內，至少於前述最窄部之一部分或全部，塡充有陶瓷者。 如此’經由將η電極與ρ電極之間隔限制在2〇〜 500 μιη者，成爲可將發光二極體元件直接覆晶安裝於電極 上，因可最大限度地縮短發光二極體放熱部與電極之距離 之故，可進行效率佳的放熱。並且，由塡充陶瓷於其η/ρ 電極間者，經由所塡充之陶瓷的熱，機械性安定性，堅固 地保持η/ρ電極間。其結果’精確度佳地維持電極間隔的 尺寸，進行發光二極體元件之超音波接合等，亦可作爲對 於η電極或Ρ電極未產生偏移或變形之安定的覆晶安裝同 -9- 200937681 時’可得到無熱變形’光劣化，吸濕劣化之信賴性高的發 光二極體封裝。 然而’將η/ρ電極間隔作爲未達20μιη之情況，陶瓷 的塡充乃變爲困難。另一方面，將η/ρ電極間隔作爲超過 500 μιη之情況’成爲無法作爲以往之350 μιη角尺寸之發 光二極體元件的覆晶安裝，即使爲使用大型之1mm角尺 寸之發光二極體元件的情況，與接合發光二極體元件和電 極之焊錫凸塊的發光二極體元件之接觸面積，或與電極之 0 接觸面積變小的結果，從發光二極體元件至電極之傳熱量 下降，無法進行良好的放熱。 在本發明，η電極及p電極乃經由引線架加以形成爲 佳。由此，因可控制η/ρ電極間隔之製品間不均，故在降 低陶瓷的塡充不佳同時，發光二極體元件的自動安裝則變 爲容易。更且，對於其製法，可採用對於連續沖壓等之量 產性優越之工程，進而可提供亦對於量產性，成本優越之 發光二極體封裝基板。 © [發明之效果] 本發明之發光二極體封裝基板係對於放熱性優越，更 且可同時解決信賴性或量產性，成本之問題，作爲高功率 發光二極體或照明發光二極體用封裝而爲有用。 【實施方式】 在本發明之發光二極體封裝基板，對於η/ρ電極間之 -10- 200937681 陶瓷的塡充方法係不問其手段，如可塡充即可，例如 由使用具有熱可塑性之陶瓷生材體的崁入成形或外部 ，使用溶融或半溶融狀態之陶瓷原料的射出成形等進 充。 另外，經由引線架形成η電極及p電極之情況， 線架係可經由沖壓加工，放電加工’蝕刻等而製作， 慮量產性或尺寸精確度之情況’沖壓加工乃最佳。 又，前述Α1Ν燒結體的熱傳導率乃3 00W/m.K 者爲佳。具體而言，充分考慮熱傳導性及信賴性之情 銅含有率 99.9%以上的無氧銅合金爲佳，其中對於 99.9%以上的無氧銅而言，添加0.015〜0.15質量％乙1 金，或對於純度 99.9%以上的無氧銅而言， 0.10-0.15質量％Sn之合金爲最佳。如此，如此將電 熱傳導率爲300W/m«K以上的銅或銅合金加以構成者 混入玻璃成分的金屬糊劑，或氮化鋁做比較，可得到 熱傳導率，進而可得到高放熱效果。更且，從較金屬 或氮化鋁爲廉價者，可提供控制低成本之發光二極體 基板。 另外，對於本發明之發光二極體方裝機板的發光 體元件搭載面，係經由與塡充在n/p電極間之陶瓷同 質，呈圍著發光二極體元件之搭載面地，形成開口反 ，所謂反射器者爲佳。其反射器的形成係亦可由與陶 充不同之工程加以進行，但考慮其生產準備時間之情 在塡充陶瓷時同時型成爲最佳。然而，在使發光二極 可經 成形 行塡 其引 但考 以上 況， 純度 之合 添加 極由 .與 大的 糊劑 封裝 二極 一材 射部 瓷塡 況， 體封 -11 - 200937681 裝基板之強度提昇的目的，亦可於與發光二極體封裝基板 之反射器形成面（發光二極體元件搭載面）相反的面，形成 由絕緣體所成之基台。其基台的材質係如爲絕緣體均可， 但與塡充於n/p電極間之陶瓷同一材質爲佳，特別勢將對 於n/p電極間之陶瓷塡充，反射器形成，基台形成，經由 崁入成形同時進行時，可削減生產準備時間，在量產性提 昇，成本削減雙方極爲有效。另外，亦可於前述反射器之 上部，安裝與前述反射器不同材質所成之追加反射器。雖 不問其追加反射器的材質，但例如可由鋁，或將表面進行 鍍鋁處理或作爲鍍銀處理之不鏽鋼，白色度値高之陶瓷等 製作。 更加地在本發明，作爲陶瓷，使用可在燒成溫度 1 05 0°C以下燒成之陶瓷，直接接合n/p電極與陶瓷而作爲 一體化爲佳。由此，η/ρ電極間乃更堅固地加以保持之同 時，製造工程則被簡單化，可以低成本提供信賴性高之發 光二極體封裝基板者。作爲可以燒成溫度1〇5 0°C以下燒成 之陶瓷，係燒成溫度600~960°C程度之硼矽酸鹽玻璃，或 於硼矽酸鹽玻璃，4 0體積％以下混合氧化鋁’氧化鎂，硫 酸鋇之任一的材料爲最佳。然而，對於陶瓷材質，係可選 擇對應於其目的或電極材質的熱膨脹係數，而具有適當熱 膨脹係數者。然而，關於直接結合的方法係不問手段，但 有例如使用添加黏合劑而賦予熱可塑性之陶瓷生材體，進 行崁入成形或外部成形之後，進行脫脂，一體燒成之方法 ，使陶瓷原料進行溶融或半溶融化而進行射出成形，進行 -12- 200937681 一體化的方法等。 更且，其陶瓷係在燒成後的白色度乃針對在JIS P8148(JIS200 1年度版）所訂定之白色度値，爲70%以上者 爲佳，白色度値乃8 5 %以上者爲更加。由此，可提昇光反 射率，進而可提供光取出效率高之發光二極體封裝基板者 〇 另外，在本發明中，在n/p電極與陶瓷之一體化後， 0 對於至少露出於大氣中的n/p電極表面而言，經由將銀或 鋁作爲基礎的金屬而施以電鍍處理爲佳。由此，可提昇光 反射率，進而可提供光取出效率高之發光二極體封裝基板 之同時，因控制n/p電極的表面氧化之故，可提共信賴姓 高的發光二極體封裝基板者。然而，在n/p電極與陶瓷之 一體化前，進行上述之電鍍處理情況，在進行一體化之加 熱時，電鍍材質與銅或銅合金所成之n/p電極的化學反應 則產生，產生光反射率之下降，更且產生電極形狀的變化 φ ，進而作爲發光二極體封裝基板的實用性乃下降之故，在 一體化後，進行電鍍處理爲佳。 更且’在本發明中’爲了提昇放熱性，於n/p電極， 將散熱板呈可進行熱的傳達地進行結合，所謂進行熱的結 合者爲佳。做爲其結合形態，係可作爲（1)對於P電極之 至少一方，將散熱板進行熱的結合形態，（2)對於n/p電極 ’將個別的散熱板進行熱的結合形態，（3)對於n/p電極， 藉由絕緣層，將一個散熱板進行熱的結合形態之任一者。 在上述（3)所使用之絕緣層的熱傳導率係爲了提昇放熱效 -13- 200937681 率，而3 00W/m*K以上爲佳，作爲如此之絕緣層用材料， 係有例如進行絕緣處理之石墨薄板，或碳奈米管複合塑料 等。另外，散熱板的安裝位置係如爲加以熱結合，並無其 限制，例如可於電極外引線部，或電極背面（與發光二極 體元件搭載面相反的面）等進行安裝者。 並且，經由將上述之本發明的發光二極體封裝基板作 爲基板而使用者，可提供對於放熱性優越，更且可同時解 決信賴性或量產性，成本之問題的發光二極體封裝基板及 使用其之發光二極體封裝者。 [實施例] 以下，將本發明之實施例，依據圖面加以說明。 [實施例1] 圖1乃顯示有關本發明之發光二極體封裝基板之第i 實施例’（a)乃其平面圖，（b)乃（a)之A-A剖面圖。然而， 對於圖1(b)係擴大搭載於發光二極體封裝之發光二極體元 件加以顯示。 圖1所示之發光二極體封裝基板1〇〇乃本發明之基本 形’具備η電極101與p電極102之電極對，具有於其最 窄部，塡充陶瓷103之構造。 如此之發光二極體封裝基板100乃如圖2所示，可利 用引線架104而製作。 具體而言，首先將銅或具有3 00W/m.K以上之熱傳導 200937681 率的銅合金所成之金屬板，經由沖壓加工等進行加工，得 到具備η電極1 〇 1及p電極1 〇2的引線架！ 〇4。此時，n 電極101及P電極102之最窄部之間隔乃呈20〜500 μηι 之範圍內地形成，但最終最窄部的間隔如成爲20〜5 0〇μηι 之範圍內’例如在以500μηι以上形成其間隔之後，呈2〇 〜500μιη之範圍內地，使用使引線架1〇4變形等之手法亦 可。另外，在本實施形態，η/ρ電極對之最窄部乃只圖示 φ 1處情況的例’但亦可作爲形成2處以上最窄部，搭載複 數之發光二極體元件。更且，對於其引線架104之η/ρ電 極最窄部而言，塡充陶瓷，進行各片化而作爲發光二極體 封裝基板。然而，對於陶瓷的塡充方法係不問其手段，但 例如可經由外部成形等而進行塡充者。 對於其發光二極體封裝基板100乃如圖1(b)所示，覆 晶安裝發光二極體元件105。具體而言，於發光二極體封 裝基板1〇〇之η極101，藉由焊錫凸塊106連接發光二極 φ 體元件105之η極l〇5a，於ρ電極102，藉由焊錫凸塊 106連接發光二極體元件105之p極105b。雖未圖示搭載 發光二極體元件105之發光二極體封裝的全體像，但如通 常具有樹脂密封發光二極體元件105之構造。 然而，在圖1(b)，陶瓷103係塡充於η/ρ電極最窄不 知中央部，但塡充位置並不限定於此，而亦可塡充於η/ρ 電極最窄部之上部，下部或全部。另外，如爲於η/ρ電極 最窄部之一部分或全部，塡充陶瓷103，且未阻礙發光二 極體元件1 05之搭載的狀態，亦可邊緣鼓出塡充其η/ρ電 -15- 200937681 極最窄部’而亦可作爲塡充於n/p電極最窄部以外之n/p 電極之間隙。 [實施例2] 圖3乃顯示有關本發明之發光二極體封裝基板之第2 實施例’（a)乃其平面圖，（b)乃（a)之B-B剖面圖。然而， 對於圖3(b)係擴大搭載於發光二極體封裝之發光二極體元 件加以顯示。 其實施例乃呈圍住發光二極體封裝基板100之發光二 極體元件105的搭載部地，將開口反射不，即反射器107 ，經由塡充於n/p電極間的陶瓷1 03同一材質所形成，更 且，於與發光二極體元件105搭載面相反的面，經由與陶 瓷103同一材質，形成基台110之構成。 具體而言，首先將銅或具有3 0 0\ν/ιη·Κ以上之熱傳導 率的銅合金所成之金屬板，經由沖壓加工等進行加工，得 到將n/p電極之最窄部形成爲20〜500μιη之範圍內的電極 對。之後，於其電極對間，塡充可在1 050 °C燒成且在燒成 後之白色度乃經由JIS P8148(JIS200 1年度版）所訂定之白 色度値爲70%以上之陶瓷103的生材體，更且使用與陶瓷 103同一材質所橙汁陶瓷的生材體，呈圍住發光二極體搭 載不地形成具有反射面l〇7a之反射器107。其反射器之 反射面1 07a係可對應於其目的而形成爲任意的傾斜角及 形狀者。更且，於與發光二極體元件1〇5搭載面相反的面 ，形成與陶瓷1〇3同一材質所成之基台110。然而’對於 -16- 200937681 此基台’係可因應必要而形成爲了接合n/p電極與 之開口部1 1 1者。 在將如此作爲所得到之發光二極體封裝基板前 行脫脂’燒結後’對於露出之η電極1 〇 1及p電極 表面而言’施以銀或鋁的電鍍處理，作爲發光二極 基板1〇〇。然而’在進行燒結實係以防止陶瓷的收 之目的’亦可採用加上荷重同時，進行燒結之無收 法。另外’在電鍍處理時，以提升光澤性或硬度等 ’在進行最佳之基底電鍍後，進行最後修飾之銀電 電鍍亦可。 [實施例3] 圖4乃顯示關於本發明之發光二極體封裝基板 實施例之剖面圖。 其實施例係爲了更提昇放熱性，於發光二極體 φ 板之η/ρ電極，將散熱板進行熱結合的構成。 圖4 (a)的例乃將散熱板108a，直接接合於ρ電 之下面（與發光二極體元件搭載面相反的面）者。其 法係如爲熱接合電極與散熱板之形態，均可爲任何 例如有雷射焊接或焊錫等之焊接法，或使用高熱傳 黏接劑的黏接法等。 圖4(a)的例乃將散熱板l〇8b’直接接合於n電 之下面，將散熱板l〇8c，直接接合於ρ電極102 者。作爲其接合方法係可與上述同樣地’使用焊接 散熱板 軀體進 102之 體封裝 縮破裂 縮燒結 之目的 鍍或銘 之第3 封裝基 極102 接合方 方法， 導性之 極101 之下面 法或黏 -17- 200937681 接法者。 圖4(c)的例乃將散熱板l〇8d ’對於η電極101及p 電極102之下面而言，藉由具有3 00 W/m · Κ以上之熱傳導 率的絕緣層109進行接合者。n/p電極，絕緣層及散熱板 的接合係如爲熱接合之形態’均可爲任何方法’例如有超 音波焊接法，或使用高熱傳導性之黏接劑的黏接法等。 如此作爲所得到之發光二極體封裝基板1 〇〇係如圖5 所示，在覆晶安裝發光二極體元件1〇5時，發揮最大的效 果，而產生的熱係到達圖中箭頭的路徑，效率佳地傳達至 散熱板l〇8b，108c。然而，覆晶安裝之具體的形態乃如 在圖1(b)所說明者。 另外，從發光二極體元件1〇5產生的光係經由電鍍處 理之n/p電極101，102之表面，具有白色度70%以上之 陶瓷103之表面及反射器107的反射面107a，效率佳地 加以反射，成爲光取出效率佳之發光二極體封裝基板。更 且，經由將發光二極體封裝基板1〇〇，由金屬及陶瓷所構 成者，控制在發光二極體元件105之安裝時的n/p電極 101，102之偏差或變形，更且可作爲無經由從發光二極 體元件105產生的熱之變形，經由短波長光的劣化，或經 由大氣中濕度的劣化，信賴性極高之發光二極體封裝基板 者。另外，如在圖2所說明地，從可採用引線架方式者， 成爲可採用連續沖壓加工等對於量產性優越之製法，在成 本上亦極爲有用。 雖位於圖面有顯示，但對於如此作爲所得到之發光二 -18- 200937681 極體封裝基板100而言，覆晶安裝發光二極體元件105, 經由混合螢光體之矽樹脂，密封發光二極體元件1 05，作 爲發光二極體封裝。 [實施例4] 比較本發明之發光二極體封裝基板與以往之發光二極 體封裝基板，對於（X)屬於圖5所示之發光二極體封裝基 板，其中，電極101及102乃具有熱傳導率3 94W/m‘K的 銅所成，且陶瓷103乃具有85%之白色度的構成，（Y)屬 於圖6(a)所示之發光二極體封裝基板，其中，由基板202 的材質乃熱伝導率17〇W/m‘K，且具有35%之白色度的氮 化鋁，電極202a及202b乃具有玻璃成分30質量％的銀 所成之構成，（Z)屬於圖6(b)所示之發光二極體封裝基板 ，其中，由基板202的材質乃熱伝導率170W/m.K，且具 有35 %之白色度的氮化鋁所成之構成之3種類，以尺寸 10mm角，銅電極厚度0.3mm，銀電極厚度ΙΟμιη，氮化錦 基板厚度〇.3mm進行試做。但爲了公平進行（X)、（Υ)、 (Z)的比較，雖無圖示，但於（Y)及（Z)的下部，安裝與（X) 之散熱板l〇8b及l〇8c同一形狀且同一材質所成之散熱板 。另外，圖5所示之反射器107係未安裝此。另外，爲了 測定發光二極體元件表面的溫度，未進行經由樹脂之發光 二極體元件的密封。更且，（X)及（Y)係以覆晶安裝，（Z) 係以導線安裝，搭載同一種類·同一尺寸的發光二極體元 件，投入20mA的電流進行發光試驗，經由熱成像進行發 -19- 200937681 光二極體元件的表面溫度測定。測定發光二極體元件的表 面溫度成爲一定時之各發光二極體元件表面溫度的結果 (X)乃38°C，（Y)乃52°C，（Z)乃121°C。其結果，顯示從阿 瑞尼士法則，（X)乃對於（Y)而言爲2.6倍，另外，對於（Z) 而言爲315倍長壽命者，或者因此以同一壽命而設計之情 況，（X)乃顯示可更高密度地安裝發光二極體元件，確認 本發明之優越性。另外，對於各光取出效率，經由積分求 的放射束測定進行比較時，放射束乃各成爲（X)l 4.8 8m W ，（Y)12.78mW，（Z)10.89mW，（X)乃最高。 [產業上之可利用性] 如此，由使用有關本發明之發光二極體封裝基板者， 從發展發光二極體封裝之高放熱性化，高信賴性化，易量 產化，低成本化之情況’除了高密度地搭載發光二極體元 件之發光二極體照明裝置，易可適合使用於將3色發光二 極體元件作爲畫素而利用之發光二極體彩色TV，連接於 USB 口而可使用之小型投影機等，更且因可大大貢獻於此 等製品之市場普及之故’其產業上之利用價値極大。 【圖式簡單說明】 圖1乃顯示有關本發明之發光二極體封裝基板之第！ 實施例’（a)乃其平面圖，（b)乃之A_A剖面圖。 圖2乃顯示將圖1所示之發光二極體封裝基板，經由 引線架而形成的例。 -20- 200937681 圖3乃顯示有關本發明之發光二極體封裝基板之第2 實施例，（a)乃其平面圖’（b)乃（a)之B-B剖面圖。 圖4乃顯示關於本發明之發光二極體封裝基板之第3 實施例之剖面圖。 圖5乃顯示於有關本發明之發光二極體封裝基板’覆 晶安裝發光二極體元件的例，（a)乃其平面圖’（b)乃（a)之 C-C剖面圖。 圖6乃顯示對於發光二極體元件之基板的安裝形態， (a)乃顯示覆晶安裝，（b)乃顯示導線安裝。 【主要元件符號說明】 1 00 : LED封裝基板 1 0 1 : η電極 102 : ρ電極 1 0 3 :陶瓷 104 :引線架 105 :發光二極體元件 105a: η 極 105b: ρ 極 1 ο 6 :焊錫凸塊 107 :反射器（開口反射部） 1 0 7 a :反射面 108a〜10 8d :散熱板 1 〇 9 :絕緣層 -21 - 200937681 1 1 0 :基台 1 1 1 :開口部 201 :發光二極體元件 201a: η 極 201b： p 極 201c :發光部 202 : LED封裝基板 202a: η 極 202b ： p電極 2 0 2 c :電極間隔

Claims (1)

1. 200937681 十、申請專利範圍 1. 一種發光二極體封裝基板’屬於搭載發光二極體元 件之發光二極體封裝的基板’其特徵乃連接於發光二極體 元件之η極的η電極與連接於發光二極體元件之p極的p 電極之間隔乃在其最窄部爲在20〜5 00 μιη之範圍內，至 少於前述最窄部之一部分或全部，塡充有陶瓷者。 2. 如申請專利範圍第1項記載之發光二極體封裝基板 φ ，其中，前述η電極及ρ電極乃經由引線架加以形成者。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項記載之發光二極體 封裝基板，其中，前述η電極及ρ電極乃由熱傳導率爲 3 00 W/m· Κ以上的銅或銅合金所成者。 4.如申請專利範圍第1項至第3項任一記載之發光二 極體封裝基板，其中，呈圍住發光二極體元件之搭載部地 加以形成開口反射部，前述開口反射部乃經由與前述陶瓷 同一材質加以形成者。 Q 5.如申請專利範圍第1項至第4項任一記載之發光二 極體封裝基板，其中，前述陶瓷乃可以燒成溫度1050 °c以 下燒成之陶瓷者。 6 ·如申請專利範圍第1項至第5項任一記載之發光二 極體封裝基板，其中，前述陶瓷係在JIS P8l48(JIS2〇01 年度版）所訂定之白色度値爲70%以上者。 7 ·如申請專利範圍第1項至第6項任一記載之發光二 極體封裝基板，其中，前述η電極及ρ電極與前述陶瓷乃 直接加以接合而成爲一體。 -23- 200937681 8 .如申請專利範圍第1項至第7項任一記載之發光二 極體封裝基板’其中’前述η電極及p電極的表面之至少 一部分，則經由將銀或鋁作爲基礎的金屬而加以電鍍處理 〇 9.如申請專利範圍第1項至第8項任一記載之發光二 極體封裝基板，其中，對於前述η電極及ρ電極之至少一 方而言，呈進行傳熱地結合散熱板。 1 〇 .如申請專利範圍第1項至第8項任一記載之發光 二極體封裝基板，其中，對於前述η電極及ρ電極而言， 各自之散熱板乃呈進行傳熱地加以結合。 1 1 .如申請專利範圍第1項至第8項任一記載之發光 二極體封裝基板，其中，前述η電極及ρ電極乃藉由熱傳 導率30 OW/m· Κ以上的絕緣層，呈與一個之散熱板進行傳 熱地接合。 12.—種發光二極體封裝，其特徵乃作爲基板使用如 申請專利範圍第1項至第11項任一記載之發光二極體封 裝基板。 -24-