KR101340250B1 - 유전체층의 열 방출 특성이 개선된 ｌｅｄ 패키지 및 ｌｅｄ 어레이 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 LED 어레이는, LED 칩; LED 칩을 봉지하는 몰딩부; LED 칩 및 몰딩부와 열적으로 접촉하는 히트 슬러그 또는 써멀 비아; 유전체층 및 베이스층을 포함하여 구성되는 MCPCB 기판; LED 칩을 MCPCB 기판에 부착시키며 LED 칩을 MCPCB 기판과 전기적으로 연결하는 솔더부;를 포함하여 구성되며, 상기 유전체층은 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어진다.
Description
본 발명은 LED 패키지(Light Emitting Diode package) 및 LED 어레이(LED array)에 관한 것으로서, 특히 LED 어레이의 MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board) 기판의 유전체층에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)라 함은, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용한 발광원으로서 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자이다.
LED는 다양한 색상을 표시하기 위한 점광원으로서 최초 사용되었지만, 광효율성 및 오랜 수명 등의 장점으로 인해 최근에는 조명과 LCD TV 백라이트와 같은 면적 표시장치 등 다양한 분야에 사용되고 있다.
LED가 면적 표시장치에 사용되는 경우, 단위 면적당 높은 휘도를 구현하기 위해, 유전체층과 베이스층을 포함하여 구성되는 MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board) 기판 상에, LED 칩, 몰딩부, 히트 슬러그 또는 써멀 비아 등을 포함하여 구성되는 다수의 LED 패키지들이 솔더부를 통해 전기적으로 연결되어 LED 어레이(array)를 이루어 구성되게 된다.
LED의 밝기는 LED 칩에 인가되는 전류에 비례하는데, LED 칩에 가해진 전기에너지 중 15% 내지 20%만 광에너지로 전환될 뿐이고, 나머지는 열에너지로 전환되어 발열을 일으키게 된다. 즉, LED 칩에 전류가 많이 인가될수록 LED 칩의 발열량도 비례하여 증가하게 되는 것이다.
LED 분야의 최근 흐름은 고출력 LED에 맞춰져 있다. LED를 보다 밝게 하기 위해서는 더 많은 전류를 인가하여야 하지만, 더 많은 전류를 인가할수록 발열량이 이에 비례하여 증가하므로 LED로부터 발생하는 열을 효과적으로 제거(방열)하는 것이 문제가 되고 있으며, 이는 고출력 LED 패키지 및 고출력 LED 어레이의 품질 유지 및 수명 보장 측면에서 매우 중요하다.
구체적으로 설명하자면, 종래의 몰딩부는 고출력 LED 칩으로부터 발생되는 열에 지속적으로 노출됨으로 인해 열에 의해 변형되어 LED 패키지의 여타 구성요소(예: 히트 슬러그/써멀 비아) 또는 MCPCB 기판의 유전체층으로부터 이탈되기 쉽고, 종래의 히트 슬러그 또는 써멀 비아는 고출력 LED 칩으로부터 발생되는 열을 효과적으로 제거하기에는 미흡한 점이 있다.
또한, 종래의 MCPCB 기판의 유전체층은 열전도도가 매우 낮아 히트 슬러그 또는 써멀 비아를 통해 전달되어 온 열을 방출하는데 방해가 되고, 종래의 솔더부는 전기저항열로 인해 이완 수축을 반복하면서 크랙(crack)이 발생하게 되어 LED 어레이의 고장 원인이 되어 왔다.
일본 특개 2002-289923호 공보에는 상기의 문제를 해결하기 위해 LED 패키지 재질에 고열전도성 질화알루미늄을 사용하여 질화알루미늄 기판상에 전극 패턴을 인쇄하고 LED 소자의 플리칩 실장에 의해 높은 방열성을 얻는 LED 패키지를 만들었으며, 한국특허출원 10-2009-0055526은 금속, 세라믹 또는 수지와 도전성 물질의 복합재료로 구성된 열전도성 베이스층에 회로를 직접인쇄하여 LED 패키지의 방열성을 높이고자 했다.
(특허문헌 1) JP 특개 2002-289923 (2002.10.04.)
(특허문헌 2) KR 출원 10-2009-0055526
일본 특개 2002-289923호 공보에는 상기의 문제를 해결하기 위해 LED 패키지 재질에 고열전도성 질화알루미늄을 사용하여 질화알루미늄 기판상에 전극 패턴을 인쇄하고 LED 소자의 플리칩 실장에 의해 높은 방열성을 얻는 LED 패키지를 만들었으며, 한국특허출원 10-2009-0055526은 금속, 세라믹 또는 수지와 도전성 물질의 복합재료로 구성된 열전도성 베이스층에 회로를 직접인쇄하여 LED 패키지의 방열성을 높이고자 했다.
(특허문헌 1) JP 특개 2002-289923 (2002.10.04.)
(특허문헌 2) KR 출원 10-2009-0055526
본 발명은 열에 대한 기계적 안정성을 지니며 방열 특성이 개선된 고출력 LED 패키지 및 고출력 LED 어레이를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 과제는 다음과 같은 LED 패키지 및 LED 어레이를 제공함으로써 해결된다.
본 발명의 LED 패키지는, LED 칩; LED 칩을 봉지하는 몰딩부; LED 칩 및 몰딩부와 열적으로 접촉하는 히트 슬러그 또는 써멀 비아;를 포함하여 구성된다.
본 발명의 LED 패키지에 있어서, 상기 몰딩부는 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 패키지에 있어서, 상기 몰딩부는 1 중량% 내지 3 중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 패키지에 있어서, 상기 몰딩부는 광투과성을 향상시키기 위하여 그라핀을 더 포함하여 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 패키지에 있어서, 상기 히트 슬러그 또는 써멀 비아는 탄소나노튜브의 어레이 또는 압축물로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 패키지에 있어서, 상기 몰딩부와 상기 히트 슬러그 또는 써멀 비아 는 각기 탄소나노튜브를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이는, LED 칩; LED 칩을 봉지하는 몰딩부; LED 칩 및 몰딩부와 열적으로 접촉하는 히트 슬러그 또는 써멀 비아; 유전체층 및 베이스층을 포함하여 구성되는 MCPCB 기판; LED 칩을 MCPCB 기판에 부착시키며 LED 칩을 MCPCB 기판과 전기적으로 연결하는 솔더부;를 포함하여 구성된다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 몰딩부는 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 몰딩부는 1중량% 내지 3중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 몰딩부는 광투과성을 향상시키기 위하여 그라핀을 더 포함하여 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 히트 슬러그 또는 써멀 비아는 탄소나노튜브의 어레이 또는 압축물로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 몰딩부와 상기 히트 슬러그 또는 써멀 비아 는 각기 탄소나노튜브를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 유전체층은 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 유전체층은 1중량% 내지 10중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 유전체층은 탄소나노튜브가 네트워크를 형성하지 않도록 보론나이트라이드을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 유전체층에 포함된 탄소나노튜브는 네트워크를 형성하지 않는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 몰딩부, 히트 슬러그 또는 써멀 비아 및 유전체층는 각기 탄소나노튜브를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 솔더부는 구리와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 솔더부는 1중량% 내지 3중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 몰딩부는 열에 대한 안정성이 향상되며 히트슬러그 또는 써멀 비아와의 또는 MCPCB 기판의 유전체층과의 접착성이 향상되므로 LED 패키지 및 LED 어레이의 고출력 품질이 유지되며 오랜 수명이 보장되는 효과를 발휘한다.
본 발명의 히트 슬러그 또는 써멀 비아는 열 방출 특성이 향상되며 몰딩부와의 또는 MCPCB 기판의 유전체층과의 접착성이 향상되므로 LED 패키지 및 LED 어레이의 고출력 품질이 유지되며 오랜 수명이 보장되는 효과를 발휘한다.
본 발명의 유전체는 열 방출 특성이 향상되며 몰딩부와의 또는 히트 슬러그 또는 써멀 비아와의 접착성이 향상되므로 LED 어레이의 고출력 품질이 유지되며 오랜 수명이 보장되는 효과를 발휘한다.
본 발명의 솔더부는 열에 대한 안정성이 향상되므로 LED 어레이의 고출력 품질이 유지되며 오랜 수명이 보장되는 효과를 발휘한다.
도 1은 본 발명에 따른 LED 패키지의 개략적인 단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 LED 어레이의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 LED 어레이의 개략적인 단면도이다.
이하 본 발명에 의한 LED 패키지 및 LED 어레이에 대해 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같은 본 발명의 LED 패키지(10)는,
LED 칩(11); LED 칩(11)을 봉지하는 몰딩부(12); LED 칩(11) 및 몰딩부(12)와 열적으로 접촉하는 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13'); 를 포함하여 구성된다.
본 발명에 사용되는 LED 칩(11)은 이미 널리 공지되어 있는 바 이에 대해서는 기술적인 설명을 생략하고자 한다.
LED 칩(11)을 봉지하기 위한 몰딩부(12)는, LED 칩(11)을 외부 충격으로부터 보호하기 위한 것으로서 LED 칩(11)으로부터 발생한 빛을 투과할 수 있어야 하며, 한편으로는 LED 칩(11)으로부터 발생하는 열에 직접 그리고 지속적으로 노출되므로 열에 대한 안정성을 지녀야 한다.
종래의 몰딩부(12)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지와 같은 투명한 열경화성 또는 광경화성 수지로 만들어지며, 종래의 몰딩부(12)는 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의하거나 격벽을 가진 성형기로 수지의 상부를 눌러서 성형한 후에 열이나 광(UV)에 의해 수지를 경화시켜 LED 칩(11)을 봉지하도록 형성되는 것이 일반적이다.
그러나 종래의 몰딩부(12)에 사용되는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지는 열전도율이 매우 낮아서 LED 칩(11)으로부터 발생하는 열이 방출되는 것을 방해할 뿐만 아니라 몰딩부(12)에 열을 축적시켜서 몰딩부(12)가 열에 의해 변형되어 여타 구성요소로부터 이탈되는 결과를 낳고 있다.
이에 본 발명자는 열전도성이 탁월한 탄소나노튜브[단일벽 탄소나노튜브(SWNT)의 경우: 최대 6,000 W/m·K]를 종래의 열경화성 또는 광경화성 수지에 첨가하여 사용함으로써 열에 대해 안정성을 갖춘 몰딩부(12)를 형성하는 것에 착안하였다.
본 발명의 일 측면에서, 몰딩부(12)는 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명의 LED 패키지(10)에 있어서, 몰딩부(12)는 1중량% 내지 10중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
탄소나노튜브 함유량이 10중량%를 초과하면 탄소나노튜브에 의해 흡수되는 빛의 양이 증가되어 몰딩부(12)의 광투과성이 저하되므로 LED의 고출력이 구현될 수 없게 되며, 반면에 탄소나노튜브 함유량이 1중량% 미만이면 몰딩부(12)에 요구되는 열에 대한 안정성을 확보할 수 없게 된다.
본 발명의 일 측면에서 본 발명의 LED 패키지(10)의 몰딩부(12)는 광투과성을 향상시키기 위하여 그라핀을 더 포함하여 만들어질 수 있다.
종래의 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')는, LED 칩(11)으로부터 발생하는 열을 효과적으로 제거하기 위해 LED 칩(11)과 열적으로 접촉하도록 배치되는 것으로서 히트 슬러그(13) 는 판의 형태를 써멀 비아(13')는 핀의 형태를 갖는다.
종래의 히트 슬러그(13) 나 써멀 비아(13')는 열전도성이 우수한 금속(예: 구리의 경우 393.7 W/m·K)으로 만들어지며, LED 칩(11)과 MCPCB 기판(20) 사이에 놓여 히트 싱크로서의 역할을 수행한다.
그러나 고출력 LED 칩(11)의 경우 발열량이 상당하므로 금속 소재로는 발생하는 열을 효과적으로 제거하는데 한계가 있다.
이에 본 발명자는 열전도성이 금속보다 훨씬 우수하고(예: 구리보다 약 15배) 훨씬 가벼운[예: 알루미늄(2.7 g/cc) >> SWNT(1.33~1.40 g/cc)] 탄소나노튜브의 어레이 또는 압축물로 히트 슬러그(13) 나 써멀 비아(13')를 형성하는 것에 착안하였다.
본 발명의 다른 일 측면에서, 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')는 탄소나노튜브의 어레이 또는 압축물로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 일 측면에서, 본 발명의 LED 패키지(10)는, 상기 몰딩부(12)와 상기 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')가 모두 탄소나노튜브를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
즉, 탄소나노튜브를 함유하고 있는 몰딩부(12)와 탄소나노튜브로 만들어지는 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')가 모두 탄소나노튜브를 함유하고 있는 특징으로 인해 몰딩부(12)와 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')간의 접착성이 향상되는 효과가 발휘된다.
본 발명에 따른 LED 패키지(10)는 선택적으로 패키지 몸체(14)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
다음으로, 도 2에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 LED 어레이(100)에 대해 설명한다.
본 발명의 LED 어레이(100)는, LED 칩(11); LED 칩(11)을 봉지하는 몰딩부(12); LED 칩(11) 및 몰딩부(12)와 열적으로 접촉하도록 배치된 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13'); 유전체층(21) 및 베이스층(22)을 포함하여 구성되는 MCPCB 기판(20); LED 칩(11)을 MCPCB 기판(20)에 부착시키며 LED 칩(11)을 MCPCB 기판과 전기적으로 연결하는 솔더부(30);를 포함하여 구성된다.
본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, LED 칩(11), 몰딩부(12) 및 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')는 본 발명의 LED 패키지(10)에 관하여 전술한 바와 같으며 이하에서 보충하여 설명한다.
종래의 유전체층(21)의 경우 알루미늄과 같은 금속으로 만들어지는 베이스층(22) 위에 적층되어 전기절연층으로서의 역할을 수행하는 층으로서, 에폭시 수지 또는 실리콘 수지와 같은 열경화성 또는 광경화성 수지로 만들어지는 것이 일반적이다.
그러나 이러한 에폭시 수지 또는 실리콘 수지의 경우 열전도성이 매우 낮아서 LED 칩(11)에서 발생하여 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')를 통해 전달되어 온 열이 방출되는 것을 방해하게 된다.
이에 본 발명자는 열전도성이 탁월한 탄소나노튜브[단일벽 탄소나노튜브(SWNT)의 경우: 최대 6,000 W/m·K]를 이러한 유전체층(21)의 수지에 첨가하여 사용함으로써 열전도성이 향상된 유전체층(21)을 형성하는 것에 착안하였다.
본 발명의 일 측면에서, 본 발명의 LED 어레이(100)의 유전체층(21)은 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 몰딩부(12)에는 탄소나노튜브가 포함되므로, 탄소나노튜브의 어레이 또는 압축물로 만들어지는 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')와의 접착성도 향상되는 효과를 발휘한다.
나아가, 본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 유전체층(21)은 1중량% 내지 10중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
탄소나노튜브 함유량이 10중량%를 초과하면 유전체층(21)의 전기절연성이 구현될 수 없게 되며, 한편 탄소나노튜브 함유량이 1중량% 미만이면 유전체층(21)에 요구되는 열 방출 특성을 발휘할 수 없게 된다.
또한, 유전체층(21)에 포함되는 탄소나노튜브가 서로 네트워크를 형성하게 되면 전기전도성이 매우 우수한 탄소나노튜브의 네트워크로 인해 유전체층(21)이 전기절연층으로서 기능하지 못하게 된다.
본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 유전체층(21)은 탄소나노튜브가 서로 네트워크를 형성하지 않도록 보론나이트라이트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이에 있어서, 상기 유전체층에 포함된 탄소나노튜브는 네트워크를 형성하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 몰딩부(12), 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13'), 및 유전체층(21)은 모두 탄소나노튜브를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 탄소나노튜브를 함유하고 있는 몰딩부(12), 탄소나노튜브를 함유하고 있는 유전체층(21), 및 탄소나노튜브로 만들어지는 히트 슬러그(13) 또는 써멀 비아(13')가 모두 탄소나노튜브를 함유하고 있는 특징으로 인해 이들 간의 접착성이 향상되는 효과가 발휘된다.
종래의 LED 어레이(100)에 있어서, 솔더부(30)는 LED 패키지(10)를 MCPCB 기판(20)에 부착시키고 리드프레임(15)을 통해 전기에너지를 LED 칩(11)에 공급하는 경로로서의 역할을 수행한다.
그러나 종래의 솔더부(30)는 구리로로 만들어지는 것이 일반적이며, 전기 저항열로 인하여 지속적으로 이완-수축을 반복하게 되어 결국 크랙(crack)이 발생하게 됨으로써 LED 어레이(100)의 고장 원인이 되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명자는 열전도성이 탁월한 탄소나노튜브[단일벽 탄소나노튜브(SWNT)의 경우: 최대 6,000 W/m·K]를 종래의 솔더부(30)에 첨가 사용함으로써 열에 대한 안정성을 갖춘 솔더부(30)를 형성하는 것에 착안하였다.
이에 따라 본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 상기 솔더부(30)는 구리와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명의 LED 어레이(100)에 있어서, 솔더부(30)는 1중량% 내지 10중량%의 탄소나노튜브가 포함되어 만들어지는 것을 특징으로 한다. 탄소나노튜브 함유량이 10중량%를 초과하면 솔더부(30)의 기판에의 부착성이 구현될 수 없게 되며, 한편 탄소나노튜브 함유량이 1중량% 미만이면 요구되는 열에 대한 안정성을 발휘할 수 없게 된다.
10: LED 패키지(LED package) 11: LED 칩(LED chip)
12: 몰딩부 13: 히트 슬러그(heat slug) 13': 써멀 비아
14: 패키지 몸체 15: 리드프레임(lead frame)
21: 유전체층 22: 베이스층(base layer)
30: 솔더부(solder part)
100: LED 어레이(LED array)
12: 몰딩부 13: 히트 슬러그(heat slug) 13': 써멀 비아
14: 패키지 몸체 15: 리드프레임(lead frame)
21: 유전체층 22: 베이스층(base layer)
30: 솔더부(solder part)
100: LED 어레이(LED array)
Claims (7)
- LED 칩; LED 칩을 봉지하는 몰딩부; LED 칩 및 몰딩부와 열적으로 접촉하는 히트 슬러그 또는 써멀 비아; 유전체층 및 베이스층을 포함하여 구성되는 MCPCB 기판; LED 칩을 MCPCB 기판에 부착시키며 LED 칩을 MCPCB 기판과 전기적으로 연결하는 솔더부;를 포함하여 구성되며,
상기 유전체층은 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지고,
상기 유전체층은 탄소나노튜브가 네트워크를 형성하지 않도록 보론나이트라이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, LED 어레이. - 청구항 1에 있어서, 상기 유전체층은 1 중량% 내지 3 중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 하는, LED 어레이.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 몰딩부는 열경화성 또는 광경화성 수지와 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 하는, LED 어레이.
- 청구항 4에 있어서, 상기 몰딩부는 1중량% 내지 3중량%의 탄소나노튜브로 만들어지는 것을 특징으로 하는, LED 어레이.
- 청구항 4에 있어서, 상기 몰딩부는 광투과성을 향상시키기 위하여 그라핀을 더 포함하여 만들어지는 것을 특징으로 하는, LED 어레이.
- 청구항 1 또는 4에 있어서, 상기 히트 슬러그 또는 써멀 비아는 탄소나노튜브의 어레이 또는 압축물로 만들어지는, LED 어레이.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120104802A KR101340250B1 (ko) | 2012-09-20 | 2012-09-20 | 유전체층의 열 방출 특성이 개선된 ｌｅｄ 패키지 및 ｌｅｄ 어레이 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| KR101340250B1 true KR101340250B1 (ko) | 2013-12-10 |
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ID=49988034
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090001037A (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | 서울반도체 주식회사 | 탄소나노튜브 기판을 채택한 발광 다이오드 패키지 |
| KR20100093527A (ko) * | 2007-10-19 | 2010-08-25 | 니혼텅스텐 가부시키가이샤 | Ｌｅｄ 패키지 기판 및 그것을 사용한 ｌｅｄ 패키지 |
| KR20100137216A (ko) * | 2009-06-22 | 2010-12-30 | 주식회사 이그잭스 | 엘이디 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| KR20120037322A (ko) * | 2010-10-11 | 2012-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛 |
-
2012
- 2012-09-20 KR KR1020120104802A patent/KR101340250B1/ko active IP Right Grant
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