200922696 、六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 基板的塗布處理裝置及 本發明係關於基板的塗布處理方法 電腦可讀取之記憶媒體。 【先前技術】 於例如半導體設備的製造過程之光微影製程中，依序進行 α曰曰圓上塗布杬蝕劑，並形成抗蝕劑膜的抗蝕劑塗布處理 成既定之圖案的曝光處理、將所曝光之抗蝕劑膜顯影二員 办處理等，於晶圓上形成既定之抗蝕劑圖案。 乂塗布處理中，人們大量採用所謂旋轉塗布法，亦即 ^喷，應抗_液到高速旋轉之晶圓的中心部，並於晶圓上^ 韓；右抗？劑液藉此將抗蝕劑液塗布到晶圓之表面。該旋 例如高速旋轉之晶圓，然後將晶圓的旋轉暫時減速忿 ^曰曰=之抗_液平坦化，其後將晶_旋轉速度再提高 使曰曰Η上之抗蝕劑液乾燥的方法(請參照專利文獻U。 【專利文獻1】日本特開2007-115936號公報 【發明内容】 1¾¾^解決之誤顳 之導體設備之電路更加細微化，抗_塗布處理 I=膜的薄膜化不斷進展。又，抗餘劑液昂貴，有必要盡可 。由此觀點’雖減少抗蝕劑液對晶圓之:應量伸 劑液將從晶圓之中心往外側方向二：之:曰巧的中心時，抗蝕 焦點::明上並未形成所希望之尺寸的抗纖案 尽明係有鑑於此點所形成，其目 將抗钕劑液等塗布液塗布到晶圓等之基板時，即使將塗布液之塗 隹大的塗布斑。當此種塗布斑產生時，例如曝光處理的 於使用旋轉塗布法 200922696 布量設為少量，仍將塗布液均勾塗布雌板面内。 解決課題之年埒 ^為達成上述目的，本發明係一種基板之塗布處理方法，包含： 第1步驟，於使基板旋轉之狀態下，自喷嘴流出塗布 :二_塗布到基板上;第2步驟，然後將= 轉減速，繼、戈使基板旋轉；及第3步驟，其後將基板之旋轉加速， 而使基板上的塗布液乾燥。其特徵為：即將開始該第丨步驟前， 以1，\速+度的一定速度使基板旋轉；於該第1步驟中，則使得開 始如為该第1速度的基板之旋轉於開始後以速度連續變動之方 逐漸加速；結束時，使基板之旋轉的加速度逐漸減少，而使基板 之旋轉趨近於比該第1速度快的第2速度。 '、、如本發明，即使藉由於第1步驟使基板之旋轉速度連續變動， 以減少塗布液的塗布量時，也能將塗布液均勻塗布。因此，能在 基板上形成更薄的塗布膜。又，亦可降低成本。 b 該第1步驟之喷嘴所為的塗布液之流出，係持續進行到該第2 步驟施加中為止；而使其塗布液之流出結束時，可藉由喷嘴的 動’使塗布液之流出位置自基板中心部挪動。 該喷嘴之移動可與該第1步驟之結束同時而開始。又，在此所 謂之^時」’也包含第1步驟結束時之前後α5秒以内的約略同 時的時點。 依另一觀點，本發明係一種基板之塗布處理裝置，特徵在於 包含旋轉固持部’固持基板，而使其旋轉；噴嘴，流出塗布液 到基板；及控制部，如下控制該旋轉固持部及該噴嘴的操作使執 行：第1步驟，於以該旋轉固持部使基板旋轉之狀態下，自喷 流出塗布液到該基板的中心部，將塗布液塗布到基板上；第2、牛 驟，然後將基板之旋轉減速，繼續使基板旋轉；^第3步^^ 後將基板之旋轉加速，而使基板上的塗布液乾燥；並且&即將^ 始該第1步驟前，以第1速度的一定速度使基板旋轉；於該^ 步驟中’則使得開始月I)為该第1速度的基板之旋轉於開始後 度連續變動之方式逐漸加速；結束時，使基板之旋轉的加速度逐 200922696 漸減ί涂基板之旋轉趨近概該第1速度快的第2速度。 美柄處理裝置中，可更包含—喷嘴移動機構，使該噴嘴自 ί嘴所二2方朝基板之徑向移動。該控制部將該第1步驟之 可於並第2 出持續進行到該第2步驟施加中為止，且 液之流出^自結束之際，使喷嘴移動而將塗布 該喷嘴之移動亦可與該第！步驟之結束同時而開始。 务士ΐ又另—觀點的本發明’為了藉由塗布處理裝置而執行]·、f 法’提供一種電腦可讀取之記憶媒體，儲存著用以二 制“布纽裝置之控卿在電腦上操作的財。 ^ f 發明之敎果 依本發明，由於即使減少塗布液之塗布量，也能形 塗布膜’因此能達到塗布膜之薄膜化。又，也能降低成本：、'、 【實施方式】 實施發明之最伟飛能 以下’說明本發明之較佳實施形態。圖}係顯示 diitirr塗布顯影處理系統1之結構概略的ί 影處理系統1的前視圖。圖3係塗布顯影處 1 塗布顯影處理系統1如圖1所示，包含以下之—體連接的沾 盒站3，以晶_盒為單位，將複數之晶圓w從ϊί 顯系統1間送入送出；處理站3，包含複數之各種處 5 ’與相鄰於處理站3的曝光裝置4之間，傳遞晶ϋ里，面站 盒t2設有晶酸盒載置台1G，且於該晶·盒載置 ^里可將；f旻數之晶圓方向(圖1中的上下方向)呈一 。晶圓1^盒站2又設有一個可在運送路線11上朝x方向而 ，裝置12。晶圓運送褒置12也可沿晶龍盒c所 收、、内之曰曰圓W的排列方向(Z方向；錯直方向)移動自如，且能朝 200922696 ί 内古的概之晶圓W而選擇性地靠近。又，晶圓運送 二第3户理的轉轴(θ方向)旋轉，也能朝後述處理站3 的各處_置而靠近，而傳遞晶圓W。 複數St 從晶am盒站2_介二反^(® 1巾的下方向）， 第2處理裝置群。於處理有第1處理裝置群G1、 2 3 ；ίΐ ： 置群G4 :第5處理裝置群G5 S送誓置2G可朝置群G4間，設有第1運送裝置20。第1 ^ 〇4 ^ ： ί 3 G3 4 第4虚理护署—^置而選擇性地罪近，以運送晶圓w。而 G4、第5處理^詈雜^ * 2處理裝置群G2、第4處理裝置群 5處料置群G5内的各裝置而選擇性地靠近，以運送晶 如圖2所示，於第1處理裝置 用以供應既定液體到晶圓w上依序5段重叠著 布裝置30、3卜32，作為例如^^的^處，裝置：抗餘劑塗 部塗布裝置33、34，形成』反2貫ί形態之塗布處理裝置；底 反射。於第2處理裝置^ G2 ^而^^曝光處理時之光的 置：顯影處理裝置40〜44,例如供·^5曰疊著液處理裝 又，於第1處理裝置群G1 *第2'^'”ϋ，圓w而顯影處理。 設有化學品室50、5卜用以置群G2的最下段，分別 G2内之該液處理裝置。μ各種處理液到各處理裝置群G卜 例如圖3所示，第3處理裝 調溫裴置60，將晶圓w載置；而上依序9段重疊： 節；傳送裝㈣圓W之溫度調 裝置65〜68，將晶圓W加熱處理。皿、置62〜64，加熱處理 第4處理裝置群G4 _而上依序10段重疊：例如調溫裝置 200922696 70 ;預烘烤裝置71〜74，於抗姓劍汾太老 理；後烘縣置75〜79，於㈣處加熱處 於第5處理裝罟雜以士丁二L /交將日日® W加熱處理。 處理之複數熱處理裝置：例如段重疊著將晶圓w熱 置8卜-，於曝光後，將iV;i置處t83;曝光後之洪烤襄 之處所：於圖第31:干送
置90、.用以將晶圓…疏水化處理。段重g附著裝 如晶圓W之邊緣部加以選擇性地^周光/光裝置92 ’用以僅將例 Γ方向裝置101，移動於朝X l〇y朝者相鄰介面站5之曝光裝置4 ^ 5 ·里裝置群G5的各裝置靠近，以運送晶圓；》^皿102以及第 ㈣ϋΐ施形態的曝光裝置4進行例如液浸曝光處理，係於 ，液體例如純水之液膜滯留在晶圓w表面的狀態下，^ 水之液?而將晶圓W表面的減細加鱗光。 … 接著，說明上述抗钱劑塗布裝置3〇〜32 m 5 θ i塗布裝置3 0之結構概略的橫剖面說明圖。 肉夕所不，抗侧塗布裝置3G包含殼體12G，該殼體120 =中央指有旋轉· 13G，作為將 w :】=。旋卿3。包含水平之頂面，該二= ^ ^圓W的抽吸口(未圖示）。藉由來自該抽吸口之抽吸，能 將日日圓w吸附固持於旋轉夹盤130上。 拉盤°。包含包含例如馬達等之夾持驅動機構131，該夾 古構131能採既定之速度旋轉。又，夹持驅動機構131設 f缸同專之升降驅動源，旋轉夾盤130能上下移動。又，旋轉夾 | 130的旋轉速度由後述控制部160所控制。 200922696
+旋轉鐘130之賴設有杯部132，肋將從 掉落的液體播住、回收。杯部132的底面連接用U 賴管._輯_ 132㈣境氣二^ 如圖5所示，於杯部132之χ方向反向 ，伸的軌道14°。轨 =如 杯邻132之Υ方向反向（圖5的左方向)側之外方，形 ^向(圖5的右方向)側之外方。軌道雨安裝有例如二支臂部= 如圖4、圖5所示，第丄臂部⑷支 (:喷嘴143。第1臂箱藉由圖= 口I5 ，此任思移動於軌道140上。因此，第丨喷嘴143 r π =32二？，側的外方之待機部 日日圓的中心邛上方，甚至能於該晶圓w的表面上朝曰圓 ^徑f多動。又’第1臂部㈣由喷嘴驅動部 =，並可調整第1喷嘴143的高度。又，本“形^ 3 與^^部144而構成％_“」。 的供廡$ 147。^1143連接有連通至抗钮劑液供應源146 ,^27 e 。本實轭形恶之抗蝕劑液供應源146儲留有低黏； 液，用以形成例如較薄的抗峨，例丄= i 又’供應管147設有閥刚，藉編_ 148 餘劑液之流出進行⑽0FF。 ⑽月匕將杬 第2 n f ΐ用以流出抗1 虫劑液之溶劑的第2喷嘴150。 道140 i，且=til所示的喷嘴驅動部151 ’能任意移動於執 方。又，第2 ί 1 42 ’&動^部132内之晶圓^ 調節第4嘴。白以喷嘴軸部151而能任意升降，並可 供庫放，二所：，第2嘴嘴15G連接有連通至溶劑供應源153的 、應S 154 〇又，以上之結構中，流出抗钱劑液的第i喷嘴143 200922696 與流出溶劑的第2喷嘴丨5〇由不同的臂邱 臂部支持，並藉由控制該臂部=動=7=可由相同 喷嘴15G之移動及流出時間點/動从制幻嘴嘴143與第2 噴嘴ί旋轉操作、喷嘴驅動部144所為之第1 1萬143的移動才呆作、間148所為之 i 的0N/0FF操作、喷嘴驅動部151戶斤為之抗蝕劑液 作等驅動系之操作，由控制部⑽第二 如中央處理器(CPU，Cental p 吓刺控制部丨6〇由包含例 構成；藉由執行儲存於例如記己憶體等之電腦所 Γ =種程式，輪於例如電腦^^ °己1體f ’並使職該記憶媒體Η絲到控制^ 16〇^#之 置3〇相同，故省略;兒明。、置1 32的、‘構與上述抗餘劑塗布裝 過程接塗布裝置30所進行的塗布處理 說明。布顯衫處理系統1整體所進行的晶圓處理之過程-併 12 5 處理站3。晶圓，軍、，，遥 未处理的晶圓W，依序運送到 (的調溫裝置6(^且處理站3之第3處理裝置群 再運送到H 到既定溫度，其後藉由第1運送裝置20， 由第1運、ίί底部塗布裝置34 ’形成抗反射膜。然後，晶圓W藉 70，且於序運送到例如加熱處理裝置65、調溫裝^ 將晶圓w運送到例如祕劑塗處布里裝=。藉由弟1運达裝置烈， 圖，·圖圖塗布裝置30之塗布處理的主要步驟之流程 首先S rfS處理的各步驟之晶圓W的旋轉速度之圖表。 地吸附固持运入抗餘劑塗布裝置30後，將如圖4所示 之第2噴嘴15^七130。其次，藉由第2臂部142 ’待機部152 噴以〇移動到晶圓W中心部的上方。接著，於例如晶圓 200922696 w，止的狀態下，從第2喷嘴150流出既定量之溶劑’供應溶劑 ^晶，W中心部(圖6之溶劑流出步驟S1)。然後，如圖7所示， 藉由旋轉失盤130 ’晶圓W以例如500rpm左右之第1速度VI旋 轉曰曰圓W上的溶劑擴散到晶圓W表面之整面，而塗布溶劑到 晶圓W表面（圖6之溶劑擴散步驟S2)。例如此時，藉由第i臂部 141，待機部145之第1喷嘴〗43移動到晶圓w中心部的上方。 *其後’將閥148開放’而如圖7所示地開始從第1喷嘴143 流出抗蝕劑液，開始供應抗蝕劑液到晶圓W中心部。如此一來， 即^始抗_液之塗布步驟S3(本發明的第丨步驟）。此塗布步驟 =中’將晶圓W之旋轉速度從第丨速度V1提高為高速之例如 ( 曰，左右的第2速度V2。開始塗布步驟S3前為第1速度V1 $曰曰，W的旋轉，於其後速度以連續平穩變動的方式而逐漸加 U時’晶圓W之旋轉的加速度將例如從零漸漸增 S3 時’晶圓W之旋轉的加速度逐漸減少，而Ϊ圓 =旋=度平穩地趨近於第2速度V2。如上所述，於塗布= 字;4’^ 旋轉速度從第以度^到^速度心成^ 力擴巾’供應至純w巾心部的抗_液因離心 又:本杏:日开1由表面之整面，而塗布抗姑劑液到晶® W表面。 =下&施_中’抗_液使用例如薄膜塗布用之例如黏度坤 圓wmrt ’、既料間之抗姓劑液的塗布步驟s3結束時，曰 W卜夕4疋轉減速為低速的例如3〇〇rpm左右之第3速度V3，曰g 的第2 it虫)f液變得均勾而平坦化(圖6之平坦化步驟叫本;明 圖7所不，既定時間之平坦化步驟S4結束時，日m + 轉加速為中速的例如1500 W之 之，液將乾燥(圖6之乾燥步驟S5(i發ί的度第V = X —^圓W上形成薄的抗_膜。啊聯3步驟))。如此 晶圓W的乾燥結束後，停止晶圓W之旋轉，從旋轉夾盤130 200922696 上送出晶圓w，而結束一連串的抗蝕劑塗布處理。 抗_塗布處理後’藉由第！運送裝置2〇，再運送晶圓w到 ，如預供烤裳置7：1，施加預供烤處理。再來，藉由第 21壯將晶圓W依序運送到周邊曝光裝置92、調溫裝置83，^於 裝置施加既定處理。其後，藉由介面站5之晶 W 4 , 0 置10卜將晶圓w運达到例如曝光後之烘烤裝置84，加以 ί烘^再f由第2運送裝置21而運送_«置8丨以調節溫 3 = 妾者，運送晶圓W到顯影處理裝置4G，將晶圓w上之抗蚀 。顯影後’藉由第2運送裝f 21，運送晶圓W到後洪烤 Γ 施^矣供烤處理。其後，運送晶圓w到調溫裝置63以 =即1。然後，错由第i運送裝置20，運送晶K w到傳送裝置 繼12，使晶81 W _晶嶋c，而結束 _ 以"t的實施柄’塗布步驟S3中，由於使開始前為第1速 ΐ /的旋轉於開始後以速度連續變動之方式逐漸加 Ϊ旋使的旋轉之加速度逐漸減少，而使晶圓w 、兄，也速度v2 ’因此即使係塗布少量抗蝕劑液的情 ΐ争ttr布斑。因此，可減少抗糊液之使用量，並能形 成更溥的膜。又，可達到成本之降低。 拽古不以下實驗結果，實證採驗本實施形態之塗布處 驟ϋ斤件到的效果。圖8⑻、8(b)係針對如本實施形態於塗布步 w之速度呈s字狀㈣的叙(® 8(a))、及如以往 =二?::曰曰圓w之速度從起初提高為高速度的情況(圖 舰無顧^塗布時之抗_液之流出量的 Μ、φ 、使用直徑300mm之晶圓w ’並將結束時的晶圓之旋 广》速度V2)的設定加以改變而進行。圖中之「οκ」顯示 Π]液及於晶圓W整面而被賴地塗布；「NG」顯示產生塗 布斑專。 如圖8所不’習知的塗布處理方法巾，為了將抗細液無斑 200922696 點而塗布，抗蝕劑液之流出量必需為丨.2^左右。又，本實施形熊 中’即使抗液之蝴係咖左右，也能ί 由此實驗得以確認：依本實施形態之塗布處理方法，比起羽 知的方法’即使採时量抗_液，也能均勻塗布到晶圓面内。白 又，使用本實施形態之塗布處理方法時，就即使 劑液也能抑制塗布斑的原@之—而言，推财町 二 Ϊ於晶圓W之旋轉速度—D氣上升，使晶圓W從 ，較強的離心力作用在該抗㈣液 ( 〉夜R朝外側方向不規則地呈紋路狀擴散。抗钮劑液R較少之 ΐ斑ίίί^液R擴散至晶圓W整面時’紋路狀之斑點成^塗 =王而W。另-方面，如本實施形態，將晶圓w之旋轉速产呈 子情況’如® 9(b)所示抗_液R _供 又 中:部後，由於晶圓冒之旋轉速度維持為低速，不太n I θ發生較強的離心力，抗姓劑液R朝外側方向均勻擴散 ==圓W之旋轉速度連續變動，因此晶圓w上的抗㈣液R 1丨員利地擴散’即使抗钱劑液屬少量，也不會產生塗布斑。月 以上之實施形態中，塗布步驟Μ的第i嘴嘴⑷ 〔====S4之中途而進行，於結束其“ w；^T4 ^ 143 例如，與結束塗布步驟S3之同時，第 =地繼續流出抗蝕劑液R的狀態下，自晶圓w 丄:= ，曰曰圓y之徑向移動既歧離，例如5mm以上，更 方 工，。藉此’晶® w表面的抗侧液之流纽置p自、 二ti那3動速i 的旋轉速度改變為低速：1〇_ 5移既定距離時即停止，此時閥148 方 其後，晶圓W繼續以第3速度V3旋轉，晶圓變 12 200922696 得均勻而平坦化。亦即，如圖u所示，抗 液的塗布步，驟μ進行到抗钱劑液的平坦化步驟^二劑 於其平坦化步驟S4結束流出抗·液時 ， 抗崎夜之流出位置Ρ自晶圓W _心部Α挪動 將移動而 依此例，由於例如第1喷嘴143斷液時之抗蝕劑液揸 上，由於該抗蝕劑液掉落到自晶 或形狀之抗_液的情況，、晶圓流量 斑效即使係使用少量之抗韻劑液的情況，最後也能於 之均勾的抗_膜。以下，顯示實證此效果白Γ實驗it 圖12 員示.對於使用上述實施形態之余士、、σ 面内之抗㈣膜厚度加以測定的實驗^果;' 日守的晶圓 '續近的抗_膜^度布處Α理方法時的晶圓中 施f態之塗布處理方法輪^ ^令由=’4用^ ’抗_膜厚度之差異^^ 平坦^驟束流出之時間點設定在 ί流=的適當與否、挪動= 出位之流 晶圓面 13 200922696 清况C驗證例丨)之晶圓中心附近的抗钮劑膜厚度之差異度 ,f 15顯示··於將喷嘴固定在晶圓w中心部之上 步驟S3流出抗_液直到平坦化步 、止4的 声命4、、抗蝕知液之化出位置p未挪動時的晶圓面内之抗蝕劑膜 ^叫測定^實驗結果。® 13巾，顯示此情況(驗證例2)之晶 圓中心附近的抗姓劑臈厚度之差異度(3σ)。 依圖13及圖14所示的驗證例丨確認:於塗布步 :附f之抗蝕劑液的膜厚顯著產生差異，晶圓面内之膜厚圓差異： 散變大。此起因於流出至晶圓中心部的抗蝕劑液未充分^ 出位3 不的驗證例2確認:於不挪動抗蝕劑液之流 出抗糊液直到平坦化步驟糾施加中為止時，關於 1 謂紐撇賴厚，歧f知舰無變化，晶圓 面内之膜厚差異度未改善。 跡cA此，確認:如本實施形態，藉由流出抗侧液直到平坦化步 ㈣Λ加且於結束糾餘舰之際使抗侧液之流出 曰圓中心部挪動’才能將晶圓面内之抗蝕劑膜的均勻 性大幅提咼。 圖16係顯示第i喷嘴143移動時之改變晶圓w旋轉速度的 情況，晶圓中心附近的抗蝕劑膜厚度之差異度(3σ)的實驗結果。如 圖16所示可知，設為I000rpm以下時，抗姓劑膜厚紅差異度成 為0.5nm以下的極小值。因此，如以上實施形態，將噴嘴丨43自 晶圓W中心部A上挪動時’藉由將晶圓w之旋轉速度設為 lOOOrpm以下，能大幅改善抗蝕劑膜厚度之差異。至於喷嘴移動 時的晶圓w之旋觀度，若考_鮮坦化㈣S4將辭坦化， 則該旋轉速度較佳為50rpm以上。 又，圖Π侧示改變第1喷嘴⑷之移動量時，曰曰曰圓中心附 14 200922696 f f抗飯劑膜厚度之差異度(3σ)的實驗結果。如圖17所干可知 以上時’抗姓劑膜厚度之差異度成為心㈣下的極小 圓w中心部如形態，藉由將抗敍劑液之流出位置Ρ自晶 I度之差異 以上，能大幅改善晶圓面内的抗_膜 驟S3 悲中甘第1喷嘴143開始移動時點係與塗布步 ^ M ° 5夺，但八開始移動時間點也可為塗布步驟S3 έ士束 月二藉此’能於更早的階段使第i喷嘴143之移動^ ί ίΓϋ化步驟S4時之更早的階段使抗糊液之流出結i。 散至嘴143之移動，若考慮到抗_液=圓1面 nn ;主布ッ驟S3之50〇/〇以上結束後再開始則更佳。 實施形態中，乾燥步驟S5進行事綠定的-定時間； η虫；S5時，以感測器持續地檢測晶圓W上之 厚’在膜厚不變動之時‘關結束乾燥。由於當抗餘 刈f乾燥時，已確認膜厚變動會收斂 ，^ ^ 個步驟=====晶圓處理前進到下一 能.邊參照附加圖式，一邊說明本發明之最佳實施形 =站t本叙月並不限定於所提示之例。很明顯地，只要是熟悉本 ’在記载於中請專利範圍的思想範圍内可思及各種之i形 正例，該等變形顺修正例，#然也屬於本發明之技術性 例如以上之實施形態中，係以抗蝕劑液的 几，、疋卫式玻璃(s〇G，Spin On Glass)膜、旋塗式介雷質 (SOD ^Spin 〇n Dielectric)膜等之塗布液的塗布處理。又，以上之 實施形態中，係於晶圓w進行塗布處理之例；本發明亦可適用於 15 200922696 晶圓以外的例如平面顯示器(FPD，Flat panel Display)、光罩用之 初！侣遮罩等其他基板的塗布處理。 【產業上利用性】 本發明於使用少量之塗布液以無塗布斑之方式塗布塗布液時 為有用。 ’ 【圖式簡單說明】 圖1係顯示塗布顯影處理系統之結構概略的俯視圖。 圖2係塗布顯影處理系統的前視圖。 圖3係塗布顯影處理系統的後視圖。 圖4係顯示抗蚀劑塗布裝置之結構概略的縱剖面說明圖。 圖5係顯示抗蝕劑塗布裝置之結構概略的橫剖面說明圖。 圖6係顯示抗蝕劑塗布處理之主要步驟的流程圖。 表。圖7係顯示抗蝕劑塗布處理之各步驟的晶圓之旋轉速度的圖 係顯示於使用本實施形g的塗布處理方法時，用以將 塗布之狀將抗爛液無斑點而 方係顯示使用f知的塗布處理方法時，抗㈣液之擴散 方=吏用本實施形態的塗布處理方： 中心轉㈣織舰之如位置從晶圓 的各脉_抗侧液之流纽麟，⑽舰塗布處理 的各步驟之晶圓旋轉速度的圖表。 叩处理 圖12係顯示使用本實施形態的塗布處理方法時，曰1 抗钱劑膜厚度之測定結果的圖表。 法時Ba®面内的 圖13係顯示使用各種塗布處理方法時，晶__抗餘劑膜 16 200922696 厚度之差異度的圖表。 圖14係顯示使用驗證例1 蝕劑膜厚度之測定結果的圖表。土处方法時，晶圓面内的抗 圖15係顯示使用驗證例2的塗布處理方、、1 ± 蝕劑膜厚度之測定結果的圖表。 去日^，晶圓面内的抗 圖16係顯示喷嘴移動時之晶 心附近的抗_膜厚度之差異度的圓圖表轉速4變的情況’晶圓中 厚度員的不圖改表變喷嘴挪動距離時，晶圓中心附近的抗钱劑膜 【主要元件符號說明】 1〜塗布顯影處理系統 2〜晶圓匣盒站 3〜處理站 4〜曝光裝置 5〜介面站 1〇〜晶圓匣盒載置台 11〜運送路線 12〜晶圓運送裝置 20〜第1運送裝置 21〜第2運送裝置 30、3卜32〜抗蝕劑塗布裝置(c〇T) 33、34〜底部塗布裝置(BARC) 40-44〜顯影處理裝置(dev) 50、51〜化學品室(CHM) 60、62-64〜調溫裝置(CPL) 61〜傳送装置(TRS) 65-68〜加熱處理裝置(BAKE) 70〜調溫装置(CPL) 71-74〜預烘烤裝置(pab) 17 200922696 75-79〜後烘烤裝置(POST) 80-83〜調溫裝置(CPL) 84-89〜曝光後之烘烤裝置(PEB) 90、91〜附著裝置(AD) 92〜周邊曝光裝置(WEE) 100〜運送路線 101〜晶圓運送裝置 102〜缓衝晶圓匣盒 120〜殼體 130〜旋轉夾盤 131〜夾持驅動機構 132〜杯部 133〜排出管 134〜排氣管 140〜軌道 141〜第1臂部 142〜第2臂部 143〜第1喷嘴 144〜喷嘴驅動部 145〜待機部 146〜抗姓劑液供應源 147〜供應管 148-/ 閥 150〜第2喷嘴 151〜喷嘴驅動部 152〜待機部 153〜溶劑供應源 154〜供應管 160〜控制部 A〜晶圓之中心部 18 200922696 c〜晶圓匣盒 G1-G5〜處理裝置群 P〜晶圓表面的抗蝕劑液之流出位置 R〜抗触劑液 S1〜溶劑流出步驟 S2〜溶劑擴散步驟 S3〜抗蝕劑塗布步驟 S4〜平坦化步驟 S5〜乾燥步驟 V1-V4〜第1-4速度 r- W〜晶圓 19