CN107885035A - 一种光刻胶的涂胶工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于晶圆的表面上,所述晶圆置于离心机的真空吸盘上,所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴,所述涂胶工艺包括如下步骤:所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处,同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高速旋转;所述光刻胶喷嘴在所述位置1处喷出光刻胶,并沿着所述晶圆的径向以速度2向位置2处移动,移动过程中所述光刻胶喷嘴保持喷胶状态;所述光刻胶喷嘴到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶;所述真空吸盘带动所述晶圆以速度3高速旋转,以使喷涂于所述晶圆的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆的表面;其能够极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺技术领域,尤其涉及一种光刻胶的涂胶工艺。
背景技术
光刻胶主要是由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)以及溶剂(Solvent)等不同的材料混合而成。其中,树脂是粘合剂(Binder),感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物,它在光刻胶内的含量与树脂相当,以液态形式保存,以便于使用。负光刻胶在遇光之后会产生链接(Cross Lingking),使其结构加强而不溶于显影剂。正光刻胶本身难溶于显影剂,但遇光之后会分解成一种易溶于显影剂的结构。
传统的光刻胶的涂胶过程为:先将喷嘴移动至晶圆正中心上方,在晶圆静止时喷胶或高速旋转时喷胶,然后进一步高速旋转甩匀。然而,通过这种方式涂出的胶膜厚受环境温湿度及喷头位置影响很大。另外,现有技术中使用的老式的涂胶机,如SVG88,其涂胶腔体为敞开式的,无温湿度控制系统及顶部整流罩,且喷胶管较粗,无法喷出柱状液,喷嘴不能保证每次喷胶时都保持在晶圆正中心上方,同一直径方向膜厚呈W状分布。由于设备的局限,膜厚均匀性较差。
发明内容
本发明的目的在于提出一种光刻胶的涂胶工艺,能够极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于晶圆的表面上,所述晶圆置于离心机的真空吸盘上,所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴,所述涂胶工艺包括如下步骤:
S101、所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处,同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高速旋转;
S102、所述光刻胶喷嘴在所述位置1处喷出光刻胶,并沿着所述晶圆的径向以速度2向位置2处移动,移动过程中所述光刻胶喷嘴保持喷胶状态;
S103、所述光刻胶喷嘴到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶;
S104、所述真空吸盘带动所述晶圆以速度3高速旋转,以使喷涂于所述晶圆的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆的表面;
其中,所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆的中心的两侧。
作为一种优选,在S101中,所述位置1与所述晶圆的中心之间的水平距离a为0.5~5cm,所述速度1的旋转转速为2000~5000r/min。
作为一种优选,在S102中,所述光刻胶喷头的移动速度为0.5~10cm/s。
作为一种优选,在S103中,所述位置2与所述晶圆的中心之间的水平距离b为0.1~3cm。
作为一种优选,在S103中,所述光刻胶喷嘴在所述位置2处的停留时间为0~2s。
作为一种优选,在S104中,所述速度3的旋转转速为2500~5000r/min。
作为一种优选,当所述位置1位于所述晶圆的中心的左侧时,所述位置2则位于所述晶圆的中心的右侧,所述光刻胶喷头从左向右移动。
作为一种优选,当所述位置1位于所述晶圆的中心的右侧时,所述位置2则位于所述晶圆的中心的左侧,所述光刻胶喷头从右向左移动。
本发明的有益效果为:
本发明的光刻胶的涂胶工艺,其不同于传统的在晶圆的正中心进行喷涂光刻胶,并通过旋转使光刻胶由中心一点向外围铺开的方式,通过在位置1和位置2两个位置之间一边喷胶一边从位置1向位置2移动,实现了同步喷胶与移动,降低涂胶设备对光刻胶喷嘴中心与晶圆中心定位稳定性的依赖,因而降低了晶圆表面的光刻胶对环境温湿度、喷嘴喷出的胶柱形状的要求,极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
附图说明
图1是本发明的光刻胶的涂胶工艺流程示意图。
图2是本发明的光刻胶的涂胶工艺的原理示意图。
图3是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置1时的喷胶结构示意图。
图4是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置2时的喷胶结构示意图。
图中:101-真空吸盘;102-晶圆;103-光刻胶喷嘴。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
图1为本发明的光刻胶的涂胶工艺流程示意图,图2是本发明的光刻胶的涂胶工艺的原理示意图,图3是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置1时的喷胶结构示意图,图4是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置2时的喷胶结构示意图。
需要说明的是,这些附图仅仅作为实施例,并非用于限定其具体尺寸,不应该以此作为对本发明实际要求的保护范围的限制。
如图1所示,本发明的光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于晶圆102的表面上,所述晶圆102置于离心机的真空吸盘101上,所述晶圆102的上方设置有光刻胶喷嘴103,所述涂胶工艺包括如下步骤:
首先,执行步骤S101、所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆102的上方位置1处,同时所述真空吸盘101带动所述晶圆102以速度1高速旋转;在本实施例中,所述晶圆102的尺寸可以以6英寸为例,在所述S101中,所述位置1与所述晶圆102的中心之间的水平距离a为0.5~5cm,所述速度1的旋转转速为2000~5000r/min。优选的,所述位置1与所述晶圆102的中心之间的水平距离a为1cm,所述速度1的旋转转速为3000r/min。
其次,执行步骤S102、如图3所示,所述光刻胶喷嘴103在所述位置1处喷出光刻胶,并沿着所述晶圆102的径向以速度2向位置2处移动,移动过程中所述光刻胶喷嘴103保持喷胶状态;作为一种优选,在所述S102中,所述光刻胶喷头103的移动速度为0.5~10cm/s。进一步优选的,所述光刻胶喷头103的移动速度为1cm/s。
接着,执行步骤S103、如图4所示,所述光刻胶喷嘴103到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶;作为一种优选,在所述S103中,所述位置2与所述晶圆102的中心之间的水平距离b为0.1~3cm,所述光刻胶喷嘴103在所述位置2处的停留时间为0~2s。进一步优选的,所述位置2与所述晶圆102的中心之间的水平距离b为0.5cm,所述光刻胶喷嘴103在所述位置2处的停留时间为0.5s。
最后,执行步骤S104、如图4所示,所述真空吸盘101带动所述晶圆102以速度3高速旋转,以使喷涂于所述晶圆102的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆102的表面;作为一种优选,在所述S104中,所述速度3的旋转转速为2500~5000r/min。进一步优选的,作为一种优选,在所述S104中,所述速度3的旋转转速为4000r/min。
在本实施例中,如图2所示,所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆102的中心的两侧,而且位置1与位置2所在方位可以互换。
作为一种优选,当所述位置1位于所述晶圆102的中心的左侧时,所述位置2则位于所述晶圆102的中心的右侧,所述光刻胶喷头103从左向右移动。
作为一种优选,当所述位置1位于所述晶圆102的中心的右侧时,所述位置2则位于所述晶圆102的中心的左侧,所述光刻胶喷头103从右向左移动。
根据以上描述,本发明的光刻胶的涂胶工艺,其不同于传统的在晶圆的正中心进行喷涂光刻胶、并通过旋转使光刻胶由中心一点向外围铺开的方式,通过在位置1和位置2两个位置之间一边喷胶一边从位置1向位置2移动,实现了同步喷胶与移动,降低涂胶设备对光刻胶喷嘴中心与晶圆中心定位稳定性的依赖,因而降低了晶圆表面的光刻胶对环境温湿度、喷嘴喷出的胶柱形状的要求,极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理,而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式,这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于晶圆(102)的表面上,所述晶圆(102)置于离心机的真空吸盘(101)上,所述晶圆(102)的上方设置有光刻胶喷嘴(103),其特征在于,所述涂胶工艺包括如下步骤:
S101、所述光刻胶喷嘴(103)移动至所述晶圆(102)的上方位置1处,同时所述真空吸盘(101)带动所述晶圆(102)以速度1高速旋转;
S102、所述光刻胶喷嘴(103)在所述位置1处喷出光刻胶,并沿着所述晶圆(102)的径向以速度2向位置2处移动,移动过程中所述光刻胶喷嘴(103)保持喷胶状态;
S103、所述光刻胶喷嘴(103)到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶;
S104、所述真空吸盘(101)带动所述晶圆(102)以速度3高速旋转,以使喷涂于所述晶圆(102)的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆(102)的表面;
其中,所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆(102)的中心的两侧。
2.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S101中,所述位置1与所述晶圆(102)的中心之间的水平距离a为0.5~5cm,所述速度1的旋转转速为2000~5000r/min。
3.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S102中,所述光刻胶喷头(103)的移动速度为0.5~10cm/s。
4.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S103中,所述位置2与所述晶圆(102)的中心之间的水平距离b为0.1~3cm。
5.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S103中,所述光刻胶喷嘴(103)在所述位置2处的停留时间为0~2s。
6.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S104中,所述速度3的旋转转速为2500~5000r/min。
7.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,当所述位置1位于所述晶圆(102)的中心的左侧时,所述位置2则位于所述晶圆(102)的中心的右侧,所述光刻胶喷头(103)从左向右移动。
8.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,当所述位置1位于所述晶圆(102)的中心的右侧时,所述位置2则位于所述晶圆(102)的中心的左侧,所述光刻胶喷头(103)从右向左移动。
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