TW200916984A - Electrophotography device - Google Patents

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TW200916984A
TW200916984A TW097128992A TW97128992A TW200916984A TW 200916984 A TW200916984 A TW 200916984A TW 097128992 A TW097128992 A TW 097128992A TW 97128992 A TW97128992 A TW 97128992A TW 200916984 A TW200916984 A TW 200916984A
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TW
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photoconductor
electric field
charge
electrophotographic apparatus
field applicator
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TW097128992A
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Gadi Oron
Dror Kella
Eran Gonen
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Hewlett Packard Development Co
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Description

200916984 九、發明說明: ί:發明所屬之技術領域3 本發明是關於電子照相術的裝置。 【先前技術3 5 發明背景 電子照相術的引進徹底革新了列印資訊的處理。僅僅 透過點擊一按鈕,一複本便可以在紙上或者其他記錄媒體 上製作。這種便利已經使得電子照相術裝置成為家庭及辦 公環境中不可或缺的一部分。然而,雖然電子照相術十分 10 常見,但是一些習知的電子照相術裝置過於緩慢、昂貴且/ 或過於龐大。 【發明内容】 依據本發明之一實施例,係特地提出一種電子照相術 裝置,其包含:一光導體;組配以充電該光導體的一充電 15 站;組配以透過部分地放電該已充電之光導體來曝光一潛 像的一光源;組配以顯影已部分放電之光導體上的該潛像 的一顯影機制;及介於該充電站與該顯影機制之間,並組 配以自外部向該光導體施加一電場,以將該光導體内的電 荷元素拉至該光導體的一頂部表面的一電場施加器。 20 圖式簡單說明 第1圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一側視圖。 第2圖是根據本揭露的一實施例說明電子照相術裝置 的一電場施加器及一光導體的一側視圖。 200916984 第3圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第4圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 5 第5圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第6圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第7圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 10 置的一電場施加器的一側視圖。 第8圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第9圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一電極的一俯視平面圖。 15 第10圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 的一光導體的圖式。 第11圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 的一光導體的一方塊圖。 I:實施方式3 20 較佳實施例之詳細說明 在下面的詳細描述中,請參考構成本説明書之一部分 的附圖,且其中以說明本揭露之標的可被實施於其中的特 定實施例的方式來顯示。在這點上,方向性術語,諸如“頂 部”、“底部”、“前面”、“後面”、‘‘首部”、“尾部”等,參考 200916984 被描述的該(等)圖式的方位來使用。由於本揭露 元件可以位於許多不鬥沾古乂 Λ & J的 、心不⑽純中,所㈣方 說明目的㈣非_目的。需要理解的是,其他的實= =τ’並且結構的或者邏輯的變化可以被實施而 不月離本揭路之範圍。因此,下面的詳細描述不以—限定 性的意義來理解,且本揭露的範圍由附加中請專利範圍來 定義。 本揭露的實施例是針對被調整以有助於一光導體較快 回應的電子照相術裝置。在一實施例中,一電場施加器位 1〇於與-光導體相鄰,介於用於曝光—光導體上的一潛像的 -光源與用於顯影該潛像的—顯影站之間。在其他實施例 中,該電場施加器位於一充電站與該光源之間,或者直接 介於該光(來自於該光源)與該光導體之間。 在一個層面中,該受外部控制場施加器在一光導體之 15 一外部部分中感生—實質上均勻的電場,以將-電荷對之 成分(如正電洞)迅速地驅趕至該光導體的該外部部分的一 頂部表面。這種配置減少了該光導體的鬆他期,而同時使 用杈少的能量來放電該光導體的目標區域。這種配置也減 少了(與缓k放電一光導體相關聯之類型的)不需要的網點 20擴大,從而自該電子照相術裝置產生較清晰的圖像。接著, 這些影響有助於較小尺寸的電子照相術裝置,藉由允許較 小的光導體,且有助於較高能源效率的電子照相術裝置, 藉由允許使用較低強度的光源。 在另一層面中,該受外部控制電場致能(由暴露於一光 200916984 源下而引起的)該放電位準之較高的一致性,而不管該放電 區域的大小。在一個層面中,這種配置也使得該放電電壓 降低,從而增加了一光導體的壽命。 這些實施例及附加的實施例關於第1至11圖被描述。 5 第1圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置10的一側視圖。如第1圖所說明的,裝置10包含一光導體 12、充電站30、光源32、顯影站34及傳送站36。在一個層 面中,光導體12包含一鼓或圓柱體,其被組配以相對於該 充電站30、光源32、顯影站34及傳送站36旋轉(如方向箭頭 10 A所表示的)。 在一實施例中,光導體12包含一外部部分15,該外部 部分15包括外部電荷傳輸層20、内部導電層24以及夾在該 内部導電層24及該外部電荷傳輸層20之間的電荷產生層 22。在一個層面中,外部部分15包含由外部電荷傳輸層20 15 定義的一頂部表面14。 充電站30在光導體12的外部部分15上充電,並且在一 實施例中,其包含一電暈充電器或者其他習知的充電裝 置。光源32包—直射光源(例如,LED)或者包括用以將一 束光(如方向箭頭B所代表的)發射至光導體12的外部部分 20 15上的定向鏡的一雷射系統。 在操作中,當光導體12旋轉時,充電站30在光導體12 的外部部分15充電,然後來自光源32的光束(B)曝光光導體 12的該已充電的外部部分15,以在光導體12的頂部表面14 上形成一潛像。顯影站34透過對光導鼓的該外表面14應用 200916984 圖像^電的'由墨)顯衫該'S像。傳送站3 6發揮將該顯影 =_體35(如紙)上_用,該媒體财12 中:分15的表面14與傳送站%之間移動。在一實施例 的顯影 乂助於將來自該光導體l2 圖像傳送到紙上或其他媒體上。 分15相鄰實t例中I置1G包含位置與光導體12的外部部 % =介於光源32與顯影站34^的—電場施加器 10 15 —電^―在該光導體叫該電荷傳輸層Μ中感生 以拉動電荷(如正電洞)自電荷 12的外部部分15的頂部表面14遷移,如:層广_ 插述的。 殘移如關於第2圖更充分被 第^是根據本揭露的-實施例的—電子照相術裝置 前#、+、 Λ $子照相術裝置包含與先 實所、的X及關於第1至2圖被說明的電子照相術裝置10 二相同的特徵及屬性。第2圖說明了電場施加器5〇及光 15勺人的科。如第2圖所說明的,光導體12的外部部分 包匕3 :電介質部分21及—導體層24,其中電介質部分21 _ $電荷產生層22及该電荷傳輪層2〇。在一實施例中, 電知如加H5G包含導電層52及電介質層54。在〆個層面 出於說明性目的,第2圖中被顯示的電場施加器5〇具有 —間隙介於電介質層54與光導體12的外部部分15之間,其 中而要理解的是,電場施加器50的電介質層54實際上是與 光導體12的外部部分15相接觸的,以與在後面被掘述以及 關於第3至5圖及第7至8圖被說明的實施例一致的〆方式。 20 200916984 10 15 20 電位(VP1)出現在光導體12的頂部表面14。在光(來自光源32) 照射在光導體丨2的外部部分15之上並曝光光導體η的外部 部分15之後,光導體的頂部表面⑽—圖案部分地放電以 形成-潛像。在這個曝光期間’電荷對在電荷產生層处 生’其中該等電荷對63包括正電荷64及負電⑽。在—個 層面中’許多《正電荷64(即電洞)賴”電祕在電介 質部分21内重組’而-些正電荷64朝著光導體_外部部 分15的頂部表面遷移,因為在光導體__表面14
-負電壓電位_)㈣該等正電荷64。到達頂部表面_ 正電何64使該已充電的頂部表㈣的一部分放電。在另一 層面中,沒有與正電荷64重組㈣電荷%透 入接地點62。 /;,L 在另一層面中,第)區口口 诗^ 圖况明了由電場施加器50施加的一 第二負電壓(Vp2),其作A —爲 ^ 下為又外部控制且獨立的元件發捏 增加最初由該充電站3 〇、、ι & W千發揮 3〇/几積的該等電荷產生的該 壓電位(VP1)的作用’從負電 正電朽64心㈠以電純,發揮將該等遷移 正電何64朝向先導體12的頂部表面14拉動的作用。 在實施例中· 度(Τ2),該厚度被選定 -有厂千 的k可也的小,且至少盘夯墓於]9 的外部部分15的該電介暂卹八, ”九導體12 要七^ ^ 貝邛分21的厚度(τι)相當。這種配 置有助轉㈤料如的 該電場E的該電壓,使 的高值。 ”在—足夠高的位準而不用憑藉Vp2 10 200916984 在一實施例中’該電場E至少透過下列參數來定義:(i) 光導體12的該電介質部分21的該厚度(T1) ; (2)該電場施加 器50的該電介質層54的該厚度(Τ2) ; (3)光導體12的該電介 質部分21的該介電常數(el);及(4)該電場施加器50的該電 5介質層54的該介電常數(e2)。使用這些參數,電場施加器50 在光導體12的外部部分15中產生的該電場E可由方程式
Vp2/(Tl+(el/e2)T2)給出。 在一實施例中’使用這些相同的符號,在光導體12的 该電介質部分21中的總電場E被表達為: E 二 e2^p2 + PsT-2 βιΤ2 + β2'Γι , 其中,ps為該充電站30所沉積的表面電荷密度。 透過這個關係,緊接在光導體12暴露於電場施加器50 |之後由電%施加器50的動作而引起的對該電場Ε的增益 (與單獨透過充f站的表面充電相比較)被表達為: 15 x eiVP2 ~ el + 62?^。 因此’由該充電站3〇引起的該原始電荷的作用(如由第 負電壓電位表不的)及由該電場施加器5〇在光導體㈣ 電介質部分21上施加的該第二負電壓(Vp2)的作用,藉由電 荷傳輪層20上的-表面電荷分佈Ρί來表示,其增加了驅動 或電場Ε的-外部電位。由電場施加器%產生的該電場战 供—般-致的吸引力,而不管到達光導體12的頂部表面 14的正電荷64的數目或者速度是多少,因此由該受外部控 20 200916984 制電场施加器5 〇感生的該電場強度E 一般不會隨著時間而 消失8 此外,由於藉由透過該電場施加器50施加的該第二電 壓(Vp2)t亥原始電荷(由第一負電壓電位¥表示)組合產 生的該電場E提供比該第一負電壓電位(VP1)單獨提供的更 強的一吸引力’所以更多的正電荷64在它們有機會與負電 =66在該電荷產生層22巾重組之前就·至光導㈣的頂 10 15 20 ^表面14。此外’該等被拉至光導體12的頂部表面14的正 電荷64被拉動得比沒有該電場施加的情況下快,因此 減少了該等正電荷64的傳遞時間。接著,此減少的傳遞時 咸^、了對4光導體12的該頂部表面14於該期望的潛像圖 案中放電所化費的時間。合在—起,由電場施加器%產生 的作用使得光導體12的表面14上的潛像更清晰’並且 吏付"於曝光該光導體η(在光源功與在顯影站湖影該 潛像之間的鬆他時間實質上減少。在一實施例中,一鬆弛 :間:減少至大約習知的鬆弛時間的一半。在另一實施例 小田口亥電场施加器5〇施加較高的電壓時該鬆弛時間減 夕多於習知的鬆弛時間的一半。 讀配置也使得放料料體12的外部部分15 :需光的量減少,從而降低了該光源32的大小及成本。此 ,藉由在-較短時間段上使用較少的光,這種配置也使 0的能量’使得電子照相術裝㈣能源效率更高。 ^另-層面中,這個外部電場⑻還透過克服較淺的正 何的1蔽作㈣較深的正光導體12的頂 12 200916984 部表面14 ’而這在沒有該電場E存在的情況下是不會發生 的。換白4 電p、兩說,透過電場施加器50被感生並保持的該外部 。有助於深處正電荷64的遷移,而無關於較淺正電荷64 的位置及遷移。 5 圓, ^ 固層面中’在施加該電場E的期間,電場施加器50 、^電"質層54維持與光導體12的頂部表面14接觸。在— ^曰面中’這種接觸透過在電場施加器5〇的該導電層52與 乂光‘體12的該内部導電層24之間產生的強大的電吸引力 ^ °亥吸引力拉動该電場施加器50的該電介質層54使 1〇 與光導體12的表面14相接觸(例如滑動接觸)。在一個層面 中,即使當光導體12的外部部分15沒有放電時,這種吸引 力也是存在的。 第3圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 100的—側視圖。在一實施例中電子照相術裝置包含與先 15月il被彳β述的以及關於第丨至2圖被說明的電子照相術裝置⑺ 及6〇實質上相同的特徵及屬性。如第3圖中所說明的,電子 照相術裝置_包含至少—光源32、一顯影站34及一電場施 加器102。在-實施例中,電場施加器1〇2包含一卿6及從 銷106向外延伸以沿著光導體12的外部部分15的頂部表面 20 Μ延伸的-導電板⑽。如導魏丨_放大的截面視圖進 一步說明的,導電板1G8包含導電則諷連接至導電络12〇 的電"/層I22。g導電板_被安排以將絕緣的電介質層 122插放在導電落】组止 、 一光導體12的外表面部分15之間,從 而電氣隔絕導電-1〇n命, 電的頂部表面 /白120與光導體12的該已充 13 200916984 M(以實質上阻止導電如G在該光導體咖積電荷)。斑導 20連接的一電壓源__種與先前關 述的-致的方式提供1壓給導” 12〇,以^導體⑽ 外部部分15施加電壓。 5 _ -旦被激發,該導以⑽在該電荷傳輸層2〇(第2圖所 不)中感生-電場E ’以將正電荷64朝向光導體如外部部 分15的該頂部表面拉動。在一個層面中,一旦該電壓被施 加至該導電馆120,導電板趨於被拉至與旋轉的光導體 12接觸(如方向箭頭D所代表的),從而保證電場施加器%足 1〇夠接近光導體I2的頂部表面M以在光導體U的外部部分 中感生該電場。 π 在-個層面中’電場施加器1Q2的導電板⑽的電介 層m包含-厚度(13),其與光導體的外部部分^的^質 介質部分21(包括電荷產生層22及電荷傳輪層2〇)的〜/電 I5 (T1)實質上相同’如先前關於第圖被描述的。旱度 以-種與關於第1至2圖先前被描述的電子照相術 10實質上相同的方式,電場施加器】〇2實質上減少了光導 12(介於光源32與顯影站34之間)的一籍弛時間,而使用較體 的來自光源32的能量。除其他先前被描述的優勢以外,= 20場施加器102還有助於更均勻的放電以使圖像更清晰,、電 加了一光導體的壽命。 ’並增 第4圖是根據本揭露的一實施例的_電子照相 150的-側視圖。在―實施例中電子照相術裝置⑽八 與先月ί被描述的以及關於第丨至2圖被說明的電子照—3 200916984 置ίο實質上相同的特徵及屬性。如第4圖中所說明的,電子 照相術裝置⑽包含光源32、顯影站34及電場施加器16〇。 在實把例中,t場知加器160包含與光導體12的外部部分 15的頂部表面14滾動接觸的—個或多個滾輪⑹。每個滾輪 5 161包含-金屬軸164(例如—圓柱軸),—相對厚的導電層 162及一一般是薄的外部的絕緣電介質層165。在一實施例 中,該導電層162由-柔軟的類似海綿的材料及/或橡膝材 料形成,以保證在每-各自的滾輪161與光導體以的頂部表 面14之間有-大的表面接觸區域。每一各自的滾輪i6i的該 導電層162轉接至一高壓電源(如乂所表示的)。在一個層面 中’每一各自的滾輪161的該導電層162在該光導體12的該 電荷傳輸層2〇t感生該電場e(第2圖),而每一各自的滾輪 ⑹的該外部電介質層165包含_絕緣的組件,其電氣隔絕 每-各自的滾輪161的該導電層162與光導體12的該已充電 U的外部部分15(以實質上阻止導電層162在該光導體12上沉 積電荷)。 在實施例中’裝置150包含一單一的一般較大的滚輪 16卜在另-實施例中,裝置15〇包含多個一般較小的串列 對齊的繞著光導體12的外部部分15周圍之部分延伸的滚輪 2〇 16卜在另—層面中,多個滚輪161代替-單-滾輪被使用, 以最大化與光導體12的外表面14的滾動接觸的表面區域
量,而同時最小化該滾輪丨61相對於光導體12的外部部分W 的高度。後面這個層Φ有助於減少該電子照相術裝置15〇的 總大小或體積。 15 200916984 第5圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 175的一側視圖。在一實施例中,電子照相術裝置175包含 與先前被描述以及關於第1至2圖被說明的電子照相術裝置 10實質上相同的特徵及屬性。如第5圖中所說明的,電子照 5 相術裝置175包含光源32、顯影站34及電場施加器178。在 一實施例中,電場施加器178包含與光導體12的外部部分15 的頂部表面14滾動或滑動接觸的一或多個電刷180。每一電 刷180包含一導電核心184(例如一圓柱體)及輻射狀地從該 導電核心向外延伸的絲極186的一陣列182。每一電刷180的 10 該導電核心184連接至一高壓電源(如V所表示的)。在一個 層面中,絲極186的該陣列182發揮在每一各自的電刷180及 光導體12的外部部分15的頂部表面14之間提供一一般連續 的且大的表面接觸區域的作用。 如放大圖中所說明的,每根絲極186包含一導電核心 15 190(自導電核心184延伸)及包圍著該導電核心190的一外部 電介質層192。絲極186的該陣列中的該導電核心190在該光 導體12的該電荷傳輸層20中感生該電場,而該外部電介質 層192包含一絕緣的組件,其電氣隔絕每一絲極186的該導 電核心190與光導體12的外部部分15(以實質上阻止導電核 20 心190在該光導體12沉積電荷)。 在一實施例中,裝置175包含一單一的一般較大的電刷 180。在另一實施例中,以與關於第4圖先前被描述的裝置 150的多個滾輪160、161實質上相似的一種方式,裝置175 包含多個一般較小的電刷180,其中電刷180的數目被選擇 16 200916984 以最大化與光導體12的外部部分15的頂部表面14滾動接觸 及/或滑動接觸的表面區域的量。 第6圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 200的一側視圖。在一實施例中,電子照相術裝置200包含 5 與先前被描述的以及關於第1至2圖被說明的電子照相術裝 置10實質上相同的特徵及屬性。如第6圖中所說明的,裝置 200包含光源32、顯影站34及電場施加器201。在一實施例 中,電場施加器201包含保持在一固定位置中,接近但與光 導體12的外部部分15的頂部表面14分離(如該距離D1所表 10 示的)的一或多個金屬電極202。在一個層面中,該金屬電 極202連接至一高壓電源(如V所表示的)並在光導體12的該 電荷傳輸層20中感生一電場(第2圖中的E)。在一個層面 中,被施加至該金屬電極202的該電壓被維持在一足夠低的 範圍内以避免空氣擊穿,空氣擊穿可能會導致該金屬電極 15 202作為一電暈而產生對光導體12的該外部部分15之先前 已放電區域再充電的作用。 在一實施例中,裝置200包含一單一的一般較大的電極 202。在另一實施例中,裝置200包含多個一般較小的電極 202。在一實施例中,金屬電極202具有一一般平直的形狀, 20 而在另一實施例中,金屬電極202具有被配置成與光導體12 的外部部分14的一曲率相匹配的——般彎曲的形狀。 第7圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 230的一側視圖。在一實施例中,電子照相術裝置230包含 與先前被描述的以及關於第1至6圖被說明的電子照相術裝 17 200916984 置貫邊上相同的特徵及屬性,除了 一電場施加器加位於充 電站30與光源32之間而非位於光源抑顯影㈣之間以 :。因此’在-實施例中,該電場施加器232以與先前關於 第3至6圖分別描述之該等電子照相術裝置ι〇〇、15〇、μ、 5 200中的-個電子照相術裝置實質上相同的方式來實施,除 了電場施加器23 2具有第7圖中所說明之該位置以外。 在一個層面中,電子照相術裝置23〇的光導體12的外部 部分14的一電荷傳輸層20由(經由其鬆弛時間)足以在曝光 於光源32下的期間及之後維持由該電場施加器加感生的 10該電場的一電容形成。 第8圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 250的一側視圖。在一實施例中,電子照相術裝置25〇包含 與先前被描述的以及關於第1至6圖被說明的電子照相術裝 置實質上相同的特徵及屬性,除了 一電場施加器252直接位 15於光源32下方而非如第3圖_所說明的該實施例中位於光 源32與顯影站34之間以外。在一個層面中,電場施加器252 致能在曝光於該光源32下的期間感生並維持光導體12的外 部部分15之内的該電場。 因此,在一實施例中,該電場施加器252以與先前關於 20第6圖所描述的該電子照相術裝置200的該金屬電極實質上 相同的方式來實施,除了電場施加器252具有第8圖中所說 明之該位置且除了電場施加器252之大小及形狀被安排以 適於光自光源32穿過電場施加器252而曝光以外。在一實施 例中,電場施加器252包含一金屬電極275,如第9圖說明 18 200916984 的’該金屬電極275包括定義一窗口 282的元件280。如第8 圖說明的,金屬電極275位於光源32下方,以允許一束光(如 B所表示)穿過窗口282,而元件280(第9圖)在光導體12的該 外部部分15中感生該電場。 5 在另一實施例中,具有第8圖中所說明之該位置的電場 施加器252(其中該光束B照射在光導體12上)以與先前關於 第3圖所描述之該電子照相術裝置100的該電場施加器1〇8 實質上相同的方式來實施。然而,在這個實例中,電場施 加器252的該導電板1〇8被組配成透明的,以允許自光源32 10 發射的光穿透電場施加器252的該導電板108。在一實施例 中’該一般透明的電場施加器252相對於光源32被放置,以 允許一束光(如B所表示的)穿透電場施加器252,而電場施 加器252在光導體12的外部部分15中感生該電場。 第10圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 15的一光導體300的圖式。在一實施例中,光導體300於一電 子照相術裝置中被使用,其包含與先前被描述的以及關於 第1至9圖所說明的電子照相術裝置實質上相同的特徵及屬 性,除了光導體300包含--般單層的光導體而非一雙層的 光導體(諸如第2圖的光導體12)以外。因此,在一實施例中, 20在光(例如來自第3圖中光源32)照射之後,光導體3〇〇產生電 荷對63,其包括一正電荷64(即電洞)及負電荷66。該等正電 荷64朝著光導體300的頂部表面3〇6移動,而該等負電荷的 朝著接地點62移動。 在一實施例中,應用一電場施加器(如關於第丨至9圖所 19 200916984 述的„亥等,把例中)感生—受外部控制電場(第2圖中£), 以迅速將該等正電荷64帶至光導體的該頂部表面遞。 該電場施加器明顯減少了該等正電荷64遷移至光導體300 的^表面306的傳遞時間,從而減少一電子照相術裝置的 5德他時間。當’如先前關於第⑴圖所描述的該等實 把例-樣,這個外部施加電場E(第2圖)增加了到達光導體 3〇〇的頂部表面施的正電荷64的數目,以產生該潛像的一 較清晰的曝光,以及使用較少的能量藉由一光源(例如光源 32)放電光導體3〇〇。 1〇 第11圖是根據本揭露的一實施例的-電子照相術裝置 的—光導體310的-圖式。在一實施例中,光導鼓31〇於一 電子照相術裝置中被使用,其包含與先前被描述的以及關 於第1至9圖被說明的電子照相術裝置實質上相同的特徵及 屬性,除了光導體31〇包含具有一電荷產生層312配置在一 ^電何傳輸層314外部的一—般雙層的光導體以外。如關於第 1至9圖削田述的該等實施例中在光導體训的—外部部分 實施-外部電場施加器感生一電場,以減少傳遞時間及增 加電荷對之成分的傳遞量,從而減少一電子照相術裝置的 §亥光導體310的一鬆弛時間。 2〇 本揭露的實施例是針對被調整以有助於-光導體較快 回應的電子照相術裝置。在一實施例中,一電場施加器位 於-充電站與-顯影站之間,以在一光導體的—外部部分 中提供-實質上均勻的電場。這種配置將一電荷對之成分 驅趕至該光導體的該外部部分的一表面,以實質上減少該 20 200916984 等電荷成分(例如一正電洞)的一傳遞時間。這種配置實質上 減少了該光導體的該鬆弛時間,而同時使用較少的能量, 且自該等電子照相術裝置產生較清晰的圖像。接著,這些 影響有助於較小尺寸的電子照相術裝置,藉由允許較小的 5 光源及較小的光導體。 雖然特定的實施例在這裏已經被說明及描述,但該領 域中具有通常知識者將理解的是,各種代替的及/或等效的 實施可替代該等被顯示及描述的特定實施例,而不背離本 揭露之範圍。此申請案企圖涵蓋這裏所討論的該等特定實 10 施例的任何改寫或變化。因此,意圖是所申請標的受申請 專利範圍及其等效物所限制。 I:圖式簡單說明3 第1圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一側視圖。 15 第2圖是根據本揭露的一實施例說明電子照相術裝置 的一電場施加器及一光導體的一側視圖。 第3圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第4圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 20 置的一電場施加器的一側視圖。 第5圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第6圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 21 200916984 第7圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 第8圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一側視圖。 5 第9圖是根據本揭露的一實施例說明一電子照相術裝 置的一電場施加器的一電極的一俯視平面圖。 第10圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 的一光導體的圖式。 第11圖是根據本揭露的一實施例的一電子照相術裝置 10 的一光導體的一方塊圖。 【主要元件符號說明】 10、60、100、150、175、200、 35...媒體 230、250...電子照相術裝置 36…傳送站 12、300、310·.·光導體 50、102、160、178、20 卜 232、 14、306...頂部表面 252...電場施加器 15...外部部分 52、162.··導電層 20、314...電荷傳輸層 54...電介質層 21...電介質部分 62."接地點 22、Ή2...電荷產生層 63...電荷對 24...内部導電層/導體層 64...正電荷 30...充電站 66...負電荷 32...光源 106.. .1® 34...顯影站 108...導電板 22 200916984 110...電壓源 184、190…導電核心 120...導電箔 186…絲極 122、165、192...電介質層 202、275…金屬電極 161…滾輪 280...元件 164...金屬轴 282...窗口 180.. .電刷 182.. .陣列 A,B,C...方向箭頭 23

Claims (1)

  1. 200916984 十、申請專利範圍: 1 · 一種電子照相術裝置,其包含: 一光導體; 組配以充電該光導體的一充電站; 5 ㈣以透過部分地放電該已充電之光導體來曝光 一潛像的一光源; 組配以顯影已部分放電之光導體上的該潛像的一 顯影機制;及 介於該充電站與該顯影機制之間,並組配以自外部 1〇 向該光導體施加-電場,崎誠導體内的電荷元素拉 至°亥光導體的一頂部表面的一電場施加器。 2.如申請專利範圍第丨項所述之電子照相術裝置,其中該 電場施加器包含與該光導體的一外部部分相距足夠接 15 近以在該光導财感生該電場的-距_-金屬電極。 5 3.如申請專利範圍第2項所述之電子照相術裝置,其中該 金屬電極包括-内部窗口,且該金屬電極直接位在該光 源與該光導體之間,以使來自該光源的光能夠穿過該金 屬電極的該内部窗口並到達該光導體上。 ,4·如申請專利範圍第1項所述之電子照相術裝置,其中該 電場施加器包含: 連接至一電源且組配以施加該電場的一導電元 件;及 介於該導電元件及該光導體之間的一電介質元件。 5·如申請專利範圍第4項所述之電子照相術裝置,其中該 24 200916984 導電元件包含一導電箱。 6. 置,其中該 且其中導電 如申料繼㈣5辦紅衫 導電元件直触錢_賴_體^裝 箔是透明的。 7_如申請專利範圍第4項所述 卞‘、、、相術裴置,其中該 電包含至少—個滾輪,且其中該導電元件包含 〇 ^ 讀質兀件疋義該滾輪的-外表面。 8_如申请專利範圍第4項所述之電子照相術裝置, 10 15 電場施加器包含至少―個電刷,其包括多编極,、盆; 母一絲極包括1部部分及—外部部分,_部部分包 含該導電元件且料部部分包含該電介質層。 9·如申請專利範圍第!項所述之電子照相術裝置,盆中該 光導體包含—電介f部分及—導電層,其中該奸” 分包含-外部電荷傳輸層及—内部電荷產生層,其中該 内部電荷產生層介於該導電層與該外部電荷傳輪層之 間。 10· —種使用如申請專利範圍第卜2、3、4、5、6、7、8或 9項所述之任一電子照相術裝置的電子照相術之方法, 其包含以下步驟: 使该光導體曝光於該光源下,以在該光導體上形成 該潛像; 顯影該光導體上的該潛像;及 在顯影該潛像之前,加強該光導體内的電荷元素朝 著該光導體之一頂部表面之遷移。 25 uuyw984 〜:範_。項所述之方法 在與曝光該光導體實晰卜乂驟. 電荷之該遷移。 貝相同的位置處執行加強 12·如申請專利範圍第1G項所述之方法,其包含以下步驟: 麵先糾導H執行㈣電狀該遷移。 如申請專利範圍第1G項所述之方法,其包含以下步驟. 在曝光該光導體之後,執行㈣電狀該遷移。, 26
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