JP2003234458A - 画像記録媒体および製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 113
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 67
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 4
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002612 cardiopulmonary effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/085—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors the device being sensitive to very short wavelength, e.g. X-ray, Gamma-rays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
第1の電極層、記録光の照射により放射線画像情報に応
じた電荷を発生して蓄積する光導電層、光導電層に蓄積
された電荷を読み出すための第2の電極層をこの順に積
層してなる放射線画像記録媒体において、再生画像の画
質の劣化を招くことなく第1の電極層11において生じ
る沿面放電などによる電極破壊を回避することができ
る。 【解決手段】 第1の電極層11の縁辺部において生じ
る放電を防止するための放電防止部材20を縁辺部(例
えば、第1の電極層11の側面および側面から第1の電
極層11の中心に向かって(図1に示すaの長さが)1
mm以上20mm以下の範囲)のみに設ける。
Description
た記録用の電磁波により発生した電荷を潜像電荷として
蓄積する画像記録媒体およびその製造方法に関するもの
である。
電磁波の照射により発生した電荷を潜像電荷として蓄積
する画像記録媒体として、例えば、医療用放射線撮影等
において、X線等の放射線に感応するセレン板等の光導
電体を有する放射線画像記録媒体を感光体として用い、
該放射線画像記録媒体にX線を照射し、照射された放射
線の線量に応じた量の電荷を放射線画像記録媒体内の蓄
電部に蓄積せしめることにより、放射線画像情報を静電
潜像として記録すると共に、レーザビームあるいはライ
ン光で放射線画像情報が記録された放射線画像記録媒体
を走査することにより、前記放射線画像記録媒体から放
射線画像情報を読み取る方法が知られている(例えば、
米国特許第4535468号明細書等)。上記放射線画
像記録媒体を利用することにより被験者の受ける被爆線
量の減少、診断性能の向上等を図ることができる。
97号公報や特開2000−16726号公報におい
て、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取出しを
両立させることを可能ならしめる放射線画像記録媒体、
並びに、この放射線画像記録媒体に放射線画像情報を記
録する記録方法および装置、放射線画像情報が静電潜像
として記録された放射線画像記録媒体から放射線画像情
報を読み取る読取方法および装置を提案している。
等に記載の放射線画像記録読取方法は、記録用の放射線
またはこの放射線の励起により発せられる光を透過する
第1の電極層、放射線または上記光の照射を受けること
により導電性を呈する記録用光導電層、潜像電荷に対し
ては略絶縁体として作用し、且つ潜像電荷と逆極性の輸
送電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、
および読取用の電磁波の照射を受けることにより導電性
を呈する読取用光導電層、読取用の電磁波を透過する第
2の電極層をこの順に有して成る放射線画像記録媒体を
使用し、放射線画像記録媒体の第1の電極層に記録用の
放射線を照射し、照射された放射線の線量に応じた量の
電荷を記録用光導電層と電荷輸送層との略界面に形成さ
れる蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像情報
を静電潜像として記録し、記録された静電潜像を読取用
の電磁波の照射により読み出して放射線画像情報に応じ
た画像信号を得るものである。
取用の電磁波を透過する多数の線状電極をストライプ状
に配列してなるストライプ電極である放射線画像記録媒
体も提案している。
は、第1の電極層が負の電位、第2の電極層が正の電位
となるように直流電圧が印加されるとともに、被写体を
透過した放射線が上記放射線画像記録媒体の第1の電極
層に照射されると、第1の電極層を透過した放射線の照
射により記録用光導電層において放射線の線量に応じた
電荷対が発生し、負の電荷が蓄電部に潜像電荷として蓄
積され、放射線画像情報が静電潜像として記録される。
1の電極層と第2の電極層とを短絡して電荷の再配列を
行なった後、上記放射線画像記録媒体の第2の電極層に
読取用の電磁波を照射すると、この電磁波は第2の電極
層を透過して読取用光導電層に照射され、読取用光導電
層において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷
は電荷輸送層を通過して蓄電部に蓄積された負の電荷と
結合し、負の電荷は第2の電極層に帯電された正電荷と
再結合することによって放電が生じる。この放電により
第1の電極層と第2の電極層との間で発生した電圧変化
を電流検出アンプなどで電流変化として検出することに
より放射線画像情報に応じた画像信号を得ることができ
る。
号に基づいてモニタなどの表示装置に再生画像が表示さ
れ、診断画像として利用される。
ようにして放射線画像情報を記録する際、第1の電極層
と第2の電極層との間に高圧の電圧が印加されると、第
1の電極層の縁辺部において沿面放電が生じて電極破壊
を起こし、上記再生画像の画像欠陥を招くおそれがあ
る。また、この沿面放電による電極破壊を防止するため
に、特開2001−68656号公報では、アモルファ
ス半導体厚膜(上記の記録用光導電層に相当する部分)
の全面を高抵抗膜で覆うことが記載されているが、この
ように高抵抗膜を設けたのでは実際に沿面放電が生じる
おそれがある第1電極層の縁辺部以外の画像領域(実施
に記録光が照射される領域)まで高抵抗膜が設けられて
しまう。そうすると高抵抗膜の材料によっては高抵抗膜
との接触により第1の電極層および記録用光導電層にお
いて化学的な変質を生じたり、高抵抗膜により記録光の
吸収が生じたりするので再生画像の画質の劣化を招くお
それがある。
生画像の画質の劣化を招くことなく第1の電極層におい
て生じる上記沿面放電などによる電極破壊を回避するこ
とができる画像記録媒体およびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
は、画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する第1
の電極層、記録用の電磁波により画像情報に応じた電荷
を発生して蓄積する光導電層、光導電層に蓄積された電
荷を読み出すための第2の電極層をこの順に積層してな
る画像記録媒体において、第1の電極層の縁辺部におい
て生じる放電を防止するための放電防止部材が縁辺部の
みに設けられていることを特徴とするものである。
えば、放射線などを意味するが、放射線画像情報を担持
した放射線の照射によって蛍光体などから発せられた蛍
光なども含むものとする。
の周囲の側面およびその側面から第1の電極層の中心に
向かって所定の長さの範囲を含む部分を意味する。上記
「縁辺部」は、放電防止部材を設けた場合に生じる第1
の電極材料の変質、記録用の電磁波の吸収などの弊害が
問題とならない範囲とするのが望ましいが、例えば、第
1の電極層の周囲の側面およびその側面から第1の電極
層の中心に向かって1mm以上20mm以下までの範囲
とするのがよく、よりこの好ましくは上記側面およびそ
の側面から第1の電極層の中心に向かって4〜5mmま
での範囲である。
極層が放電防止部材と接触する範囲である第1の電極層
の周囲の側面および上面の範囲のうちの縁辺部だけを意
味し、第1の電極層の周囲の側面および上面を除く範囲
については放電防止部材は必要に応じて設けることがで
きる。
させて形成したものを利用することができる。
電体となるものであれば如何なるものでもよいが、例え
ばアラルダイトなどがある。
ムと粘着層からなる放電防止テープを利用することがで
きる。
報を担持した記録用の電磁波を透過する第1の電極層、
記録用の電磁波により画像情報に応じた電荷を発生して
蓄積する光導電層、光導電層に蓄積された電荷を読み出
すための第2の電極層をこの順に積層してなる画像記録
媒体の製造方法において、第1の電極層の縁辺部におい
て生じる放電を防止するための放電防止部材を縁辺部の
みに設けることを特徴とする。
法によれば、第1の電極層の縁辺部において生じる放電
を防止するための放電防止部材を縁辺部のみに設けるよ
うにしたので、放電防止材と第1の電極層との接触によ
る電極材料の変質または放電防止部材による記録用の電
磁波の吸収などに起因する再生画像の画質の劣化を招く
ことなく第1の電極層において生じる沿面放電などによ
る電極破壊を回避することができる。
させて形成したものを利用した場合には、入手容易な材
料により簡易に放電防止部材を設けることができる。
ムと粘着層からなる放電防止テープを利用した場合に
は、放電防止部材の取り扱いがより容易となる。
像記録媒体製造方法により製造された画像記録媒体の一
実施形態を適用した放射線画像記録媒体について説明す
る。図1は本実施形態の放射線画像記録媒体の概略構成
図であり、図1(A)は上記放射線画像記録媒体の上面
図、図1(B)は図1(A)のA−A線断面図である。
線(例えばX線等。以下記録光という)を透過する第1
の電極層11、この第1の電極層11を透過した記録光
の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電
層12、潜像電荷(例えば負電荷)に対しては略絶縁体
として作用し、かつ、該潜像電荷と逆極性の輸送電荷
(上述の例においては正電荷)に対しては略導電体とし
て作用する電荷輸送層13、読取用の電磁波(以下読取
光という)の照射を受けることにより導電性を呈する読
取用光導電層14、読取光を透過する第2の電極層15
をこの順に積層してなるものである。なお、放射線画像
記録媒体10は読取光を透過するガラス基板16上に第
2の電極層15から順に形成されるものである。
記録媒体10おいては、放射線画像の記録の際、第1の
電極層11と第2の電極層15との間に高圧な電圧(例
えば20V/μm)が印加される。このとき、第1の電
極層11の縁辺部において沿面放電が生じて電極破壊を
招くおそれがある。そこで、本実施形態の放射線画像記
録媒体においては、図1に示すように、第1の電極層1
1の縁辺部に沿面放電を防止するための放電防止部材2
0を設けている。
ダイトなどの接着材を硬化したものを利用すればよい。
また、放電防止部材20は、第1の電極層11の側面お
よび側面から第1の電極層11の中心に向かって(図1
に示すaの長さが)1mm以上20mm以下までの範囲
に設けるようにするのが好ましいが、より好ましくは側
面および側面から第1の電極層11の中心に向かって
(図1に示すaの長さが)4〜5mmまでの範囲であ
る。
1の全面ではなく縁辺部のみに設けるようにしたのは、
実際の沿面放電が生じるのは第1の電極層11の縁辺部
であり、また、放電防止部材20を第1の電極層11の
全面に設けたのでは、縁辺部を除く画像領域(実際に記
録光が照射される領域)において、放電防止部材20と
第1の電極層11との接触による化学的な変質を生じる
おそれがあり、また、第1の電極層11に照射された記
録光の吸収が生じるからである。
極層11が放電防止部材20と接触する範囲である第1
の電極層11の周囲の側面および上面の範囲のうちの縁
辺部だけに設けることを意味し、第1の電極層の周囲の
側面および上面を除く範囲については放電防止部材30
は必要に応じて設けることができる。
ィルムと粘着層からなる放電防止テープを利用すること
ができる。例えばフッ素樹脂テープなどを利用すること
ができる。
その含有溶剤によっては放電防止部材20と第1の電極
層11や記録用光導電層12との接触によりこれらに化
学的な変質を生じさせてしまうが、放電防止テープを利
用した場合には、上記のような溶剤は含まれていない
か、もしくは含まれていても少量であるので、上記のよ
うな化学的な変質を防止することができる。
線画像を記録する際などには、図1に示すような構成の
放射線画像記録媒体10が利用されるが、マンモの放射
線画像を記録する際には、図2に示すような一端30a
の端部まで放射線画像が記録されるような構成の放射線
画像記録媒体が利用される。そして、このようなマンモ
画像用の放射線画像記録媒体においても、本発明の画像
記録媒体を適用することができる。図2(A)は、マン
モ画像用の放射線画像記録媒体に本発明の画像記録媒体
を適用した放射線画像記録媒体30の上面図、図2
(B)は図1(A)のB−B線断面図である。
上述したように一端の端部にまで放射線画像が記録され
るように、第1の電極層、記録用光導電層、電荷輸送
層、読取用光導電層および第2の電極層の上記一端30
aの端面が同一面内になるように構成されているため、
その端面において沿面放電生じやすい。
用の放射線画像記録媒体30の場合には、放電防止部材
20を第1の電極層31の側面および側面から第1の電
極層31の中心に向かって(図2に示すbの長さが)1
mm以上20mm以下までの範囲(より好ましくは側面
および側面から第1の電極層11の中心に向かって(図
2に示すbの長さが)4〜5mmまでの範囲)に設ける
だけでなく、さらに上記一端30aの端面の一部にも設
けるようにすることが望ましい。
20の材料としては、アラルダイトのような接着剤を硬
化したものを利用するようにしてもよいし、誘電体フィ
ルムと粘着層からなる放電防止テープを利用するように
してもよい。
の電極層11の縁辺部において生じる放電を防止するた
めの放電防止部材20を縁辺部のみに設けるようにした
ので、放電防止材20と第1の電極層11との接触によ
る電極材料の変質または放電防止部材20による記録光
の吸収などに起因する再生画像の画質の劣化を招くこと
なく第1の電極層11において生じる沿面放電などによ
る電極破壊を回避することができる。
の縁辺部における沿面放電を防止するために放電防止部
材を設けるようにしたが、例えば、放射線画像記録媒体
の製造過程において、第1の電極層にキズなどが生じた
場合、このキズに起因して第1の電極層が電極破壊を起
こすおそれがある、したがって、上記の実施形態のよう
に第1の電極層の縁辺部など放電防止部材を設けるだけ
でなく、上記のようなキズが生じた部分にも放電防止部
材を設けるようにしてもよい。
された放射線画像記録媒体の概略構成図
された図1に示す放射線画像記録媒体とは異なる形態の
放射線画像記録媒体の概略構成図
Claims (5)
- 【請求項1】 画像情報を担持した記録用の電磁波を透
過する第1の電極層、前記記録用の電磁波により前記画
像情報に応じた電荷を発生して蓄積する光導電層、該光
導電層に蓄積された電荷を読み出すための第2の電極層
をこの順に積層してなる画像記録媒体において、 前記第1の電極層の縁辺部において生じる放電を防止す
るための放電防止部材が前記縁辺部のみに設けられてい
ることを特徴とする画像記録媒体。 - 【請求項2】 前記縁辺部が、前記第1の電極層の側面
および該側面から前記第1の電極層の中心に向かって1
mm以上20mm以下までの範囲であることを特徴とす
る請求項1記載の画像記録媒体。 - 【請求項3】 前記放電防止部材が、接着剤を硬化させ
て形成したものであることを特徴とする請求項1または
2記載の画像記録媒体。 - 【請求項4】 前記放電防止部材が、誘電体フィルムと
粘着層からなる放電防止テープであることを特徴とする
請求項1または2記載の画像記録媒体。 - 【請求項5】 画像情報を担持した記録用の電磁波を透
過する第1の電極層、前記記録用の電磁波により前記画
像情報に応じた電荷を発生して蓄積する光導電層、該光
導電層に蓄積された電荷を読み出すための第2の電極層
をこの順に積層してなる画像記録媒体の製造方法におい
て、 前記第1の電極層の縁辺部において生じる放電を防止す
るための放電防止部材を前記縁辺部のみに設けることを
特徴とする画像記録媒体製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002032067A JP3775585B2 (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 画像記録媒体および製造方法 |
US10/360,812 US6891184B2 (en) | 2002-02-08 | 2003-02-10 | Image recording medium and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002032067A JP3775585B2 (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 画像記録媒体および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003234458A true JP2003234458A (ja) | 2003-08-22 |
JP3775585B2 JP3775585B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=27654808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002032067A Expired - Lifetime JP3775585B2 (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 画像記録媒体および製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6891184B2 (ja) |
JP (1) | JP3775585B2 (ja) |
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2002
- 2002-02-08 JP JP2002032067A patent/JP3775585B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-10 US US10/360,812 patent/US6891184B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20030151010A1 (en) | 2003-08-14 |
JP3775585B2 (ja) | 2006-05-17 |
US6891184B2 (en) | 2005-05-10 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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