JP2001264496A - 画像検出読取装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線画像検出読取装置において、機械的走
査により読取光を走査することなく、静電潜像を鮮鋭度
よく読み取ることができるようにする。 【解決手段】 基板５上にＥＬ発光体からなる面状光源
３０、読取用のクシ電極１５ａを有する放射線画像検出
器１０をこの順に積層して一体構成とする。面状光源３
０の第二の導電層３５は、放射線画像検出器１０のクシ
電極１５ａと略直交するようにクシ歯状に形成し、各ク
シ歯３５ａは光源制御手段４０に接続する。静電潜像を
読み取る際には、光源制御手段４０が、クシ歯３５ａを
順次切り替えながら、夫々のクシ歯３５ａと第一の導電
層３１との間に所定の直流電圧を印加する。この直流電
圧の印加によりクシ歯３５ａと第一の導電層３１とに挟
まれたＥＬ層３３からライン状のＥＬ光（読取光）が順
次発せられる。これにより放射線画像検出器１０は電気
的に読取光で走査されることになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像検出読取装置お
よびその製造方法に関し、より詳細には、画像情報を担
持する潜像電荷に応じた電流を発生する画像検出器と該
画像検出器から静電潜像を読み取る読取装置とが一体的
に構成された画像検出読取装置およびその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、画像検出器を用いた装置、例
えばファクシミリ、複写機或いは放射線撮像装置などが
知られている。

【０００３】例えば、医療用Ｘ線撮影において、被験者
の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、
Ｘ線に感応する例えばａ−Ｓｅから成るセレン板等の光
導電体を感光体或いは静電記録体として用い、感光体等
に放射線画像情報を担持するＸ線等の放射線を照射し
て、放射線画像情報を担持する潜像電荷を感光体に蓄積
せしめ、その後レーザビームで感光体を走査することに
より感光体内に生じる電流を感光体両側の平板電極或い
はクシ電極を介して検出することにより、潜像電荷が担
持する静電潜像、すなわち放射線画像情報を読み取るシ
ステムが開示されている（例えば、米国特許第 4176275
号、同第 5440146号、同第 5510626号、”A Method of
Electronic Readout of Electrophotographic and Elec
troradiographic Image”;Journal of Applied photogr
aphic Engineering Volume 4,Number 4,Fall 1978 P17
8〜P182（以下「文献１」という）、"23027 Method and
devisce for recording and transducing an electrom
agnetic energy pattern";Reserch Disclosure June 19
83（以下「文献２」という）等）。

【０００４】米国特許第 4176275号、同第 5510626号お
よび文献１に記載されたシステムは、多数のクシ電極に
対してアルゴンレーザから発せられたビームを拡大して
形成された細い線状光（ライン光）を、装置上のシリン
ドリカルレンズにより焦点を感光体に合わせ、機械的に
レーザビームで感光体を走査して、感光体に記録されて
いる静電潜像をクシ電極により並列的に読み取るもので
ある。

【０００５】文献２に記載されたシステムは、１次露光
によりプリチャージを行った後、本記録を行うものであ
る。

【０００６】また、本出願人は、記録用の放射線に対し
て透過性を有する第１の導電体層、記録用の放射線の照
射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電
層、第１の導電体層に帯電される電荷と同極性の電荷に
対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性
の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、
読取用の電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈
する読取用光導電層、読取用の電磁波に対して透過性を
有する第２の導電体層を、この順に積層して成る静電記
録体および放射線画像情報が記録されたこの静電記録体
から放射線画像情報を読み取る読取装置を提案している
（特願平10−232824号）。

【０００７】特願平10−232824号に記載された読取装置
は、光源から発せられた読取用の電磁波で静電記録体を
走査して、静電記録体に記録された静電潜像を読み取る
ものである。また、特願平10−232824号には、記録に先
だって前露光を行うことにより残像や暗潜像による画質
劣化を防止する方法が開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、米国特
許第 4176275号、同第 5510626号および文献１に記載さ
れたシステムは、感光体をライン光で機械的に走査する
ものであり、走査のためのシリンドリカルレンズや機械
走査部等を必要とするので、多数の部品を必要とし、高
価で大型な読取装置になるという問題がある。また、機
械的な走査では、一般に走査ムラが生じるという問題が
ある。

【０００９】さらに、特願平10−232824号においては、
読取用の光源が機械的に走査するものであるか否かは明
確に述べられていないが、実施例における図面からは機
械的走査によるものであることが推測され、機械的走査
による場合には上記の米国特許第 4176275号等に記載の
システムと同様の問題を有することになる。

【００１０】一方、読取光の走査を機械的走査によるも
のとした場合には、静電潜像が記録された感光体或いは
静電記録体を読取装置に搭載して静電潜像を読み取らな
ければならず、記録後すぐに或いは必要なときにいつで
も静電潜像を読み取ることができる、感光体等と読取装
置とを一体にしたもの、いわゆる可搬型の装置にするこ
とが困難である。

【００１１】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、機械的走査によることなく、感光体等と該感光
体等から静電潜像を読み取ることができる読取装置とを
一体化した画像検出読取装置およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の画像検出読取装
置は、基板と、該基板上に配された、夫々が読取用の電
磁波を発する微小波源を面状に多数並べてなる面状波源
と、前記面状波源の前記基板と反対側の面上にその間に
別の基板を介することなく配された、画像情報を静電潜
像として記録し読取用の電磁波で走査されることにより
前記静電潜像に応じた電流を発生する面状の画像検出器
と、前記微小波源を順次切り替えて駆動することにより
前記走査を行わせる波源制御手段と、前記電流を検出す
る電流検出手段とを備えてなることを特徴とするもので
ある。

【００１３】すなわち、本発明の画像検出読取装置は、
基板上に、面状波源、画像検出器をこの順に積層して一
体としたことを特徴とするものである。

【００１４】ここで「画像検出器」とは、画像情報を静
電潜像として記録し、読取用の電磁波で走査されること
により、前記静電潜像に応じた電流を発生するものであ
って、例えば上述の米国特許第 4176275号等および文献
１に記載された感光体や特願平10−232824号に記載され
た静電記録体等である。この画像検出器としては、画像
情報を担持する光（可視光に限らない）を照射すること
によって、画像情報を静電潜像として記録させることが
できるものであってもよいし、被写体を透過した放射線
など、放射線画像情報を担持する放射線を照射すること
によって、放射線画像情報を静電潜像として記録させる
ことができるものであってもよい。

【００１５】「読取用の電磁波」は、画像検出器から静
電潜像を読み取ることができるものであればよく、具体
的には光や放射線等である。したがって、読取用の電磁
波として光を使用した場合には波源を光源と称すること
ができ、放射線を使用した場合には波源を線源と称する
ことができる。

【００１６】本発明の画像検出読取装置は、前記面状波
源と、前記画像検出器との間に絶縁層を備えたものとす
ることが望ましい。この絶縁層は読取用の電磁波に対し
て透過性を有するのは勿論である。

【００１７】本発明の画像検出読取装置は、前記面状波
源と、前記画像検出器との間に電磁シールド手段を更に
備えたものとすることが望ましい。この電磁シールド手
段は読取用の電磁波に対して透過性を有するのは勿論で
ある。なお、面状波源と画像検出器との間だけでなく、
例えば面状波源全体を囲むものとすればより望ましい。
面状波源全体を囲むものとする場合には、少なくとも画
像検出器との間に設けられる部分が読取用の電磁波に対
して透過性を有するものであればよく、必ずしも全体が
透過性を有するものでなくてもよい。

【００１８】本発明による画像検出読取装置の波源制御
手段は、さらに前露光用の電磁波が画像検出器に照射さ
れるように、複数の微小波源を同時に駆動することがで
きるものであってもよい。この際には、複数の微小波源
を同時に駆動して前露光用の電磁波を画像検出器に照射
すればよく、前露光用の電磁波が画像検出器の全面に同
時に照射されるようにするのが最も望ましいが、これに
限らず、例えば右半分と左半分を分けて照射するように
してもよい。

【００１９】しかしながら、本発明の画像検出読取装置
は、前露光用の電磁波を出力する光源手段を更に備えて
もよい。該光源としては、例えば、ＬＥＤライン光源、
一般に液晶パネルに対して用いられるバックライトシス
テム等が挙げられる。

【００２０】ここで「前露光」とは、記録光の照射の前
に画像検出器に蓄積される不要電荷を消滅させるために
画像検出器に電磁波を照射したり（特願平10−232824号
等参照）、本記録の前のプリチャージを行うために１次
露光を行う（文献２参照）ことを意味する。なお、この
前露光用の電磁波の波長は、読取用の電磁波の波長と同
じであってもよいし、異なっていてもよい。

【００２１】本発明による画像検出読取装置の面状波源
としては、点状の微小波源をマトリクス状に多数配列し
てなるもの、或いは線状の微小波源を該微小波源の長手
方向と直角な方向に多数配列してなるものとすることが
望ましい。なお、何れも必要に応じて各微小波源を密着
させて或いは所定間隔を置いて配列してもよいのは勿論
である。例えば読取りの鮮鋭度を向上させるために所定
間隔を置いて配列する等である。

【００２２】線状の微小波源を該微小波源の長手方向と
直角な方向に多数配列させる場合には、線状の微小波源
夫々が、点状の微小波源を線状に多数配列してなるもの
とするのが望ましい。この場合にも、必要に応じて点状
の微小波源を密着させて或いは所定間隔を置いて配列し
てもよい。

【００２３】本発明による画像検出読取装置の面状波源
としては、有機ＥＬ発光体等のＥＬ発光体とすることが
望ましい。特に有機ＥＬ発光体を使用する場合には、画
像検出器に面する側に誘電多層膜を有してなる有機ＥＬ
発光体を使用することが望ましい。

【００２４】なお、一般には基板上に配されたＥＬ発光
体は基板側から発光するように形成されるため、ＥＬ発
光体と画像検出器を一体化する場合基板を介することと
なるが、本発明の画像検出読取装置において面状波源と
して利用されるＥＬ発光体は、基板と反対側の面側から
発光するように構成されており、基板を介することなく
画像検出器と一体化されるものである。

【００２５】本発明の画像検出読取装置の製造方法は、
基板上に第一の導電層を形成し、前記第一の導電層表面
の酸化防止処理を行い、該第一の導電層上にＥＬ層を形
成し、該ＥＬ層上に第二の導電層を形成し、該第二の導
電層上に、画像情報を静電潜像として記録し、読取用の
電磁波で走査されることにより、前記静電潜像に応じた
電流を発生する面状の画像検出器を形成することを特徴
とするものである。

【００２６】また、本発明の他の画像検出読取装置の製
造方法は、基板上に第一の導電層を形成し、前記第一の
導電層表面に発生した酸化膜を除去し、該第一の導電層
上にＥＬ層を形成し、該ＥＬ層上に第二の導電層を形成
し、該第二の導電層上に、画像情報を静電潜像として記
録し、読取用の電磁波で走査されることにより、前記静
電潜像に応じた電流を発生する面状の画像検出器を形成
することを特徴とするものである。

【００２７】すなわち、本発明の画像検出読取装置の製
造方法においては、第一の導電層の表面に酸化膜が存在
しない状態として該第一の導電層の上層に他の層を形成
することを特徴とするものである。

【００２８】ここで、「層上」とは、該層の表面に直接
接するような場合のみならず、間に他の層を介していて
もよい。例えば、「該第一の導電層上にＥＬ層を形成
し」とは、第一の導電層の表面に直接接するようにして
ＥＬ層を形成する場合のみでなく、間に他の層を介して
さらにその上層にＥＬ層を設ける場合も含むものとす
る。他の各層に関しても同様である。

【００２９】なお、前記第一の導電層としてはＭｇ−Ａ
ｇ層を用い、前記第二の導電層としては透明電極層を用
いることが望ましい。

【００３０】

【発明の効果】本発明による画像検出読取装置によれ
ば、基板上に面状波源、画像検出器をこの順に積層して
一体化することにより装置として小型化することがで
き、さらに、電流検出手段および波源制御手段を備えて
いるため、記録後すぐに或いは必要なときにいつでも静
電潜像を読み取ることができる可搬型の装置にすること
ができる。

【００３１】また、面状波源として例えばＥＬ発光体を
利用した場合、一般には基板上に配されたＥＬ発光体は
基板側に発光するように形成されており、単純に面状波
源と画像検出器を一体化しようすると、この発光面とな
る基板側に対向して画像検出器が設けられると考えられ
る。しかしながら、本発明の画像検出読取装置において
は、基板を介することなく波源と検出器を積層している
ため読取用の電磁波出力位置から静電潜像までの距離を
小さくすることができ、鮮鋭度よく画像読取を行うこと
ができる。

【００３２】また、微小波源を面状に多数並べて、該微
小波源を順次切り替えて駆動することにより、読取用の
電磁波で画像検出器を走査するようにしたので、読取用
の電磁波の走査を従来のように機械的走査により行う必
要がないから、部品点数を削減でき、簡易，安価，小形
の読取装置にすることができる。また機械的走査ではな
いので、走査系に可動部を必要としないから装置の信頼
性も向上し、走査ムラも少なくなる。

【００３３】また波源と画像検出器との間に電磁シール
ド手段を設ければ、微小波源を順次切り替えて駆動する
際に生じる電磁ノイズに起因する読取画像に現れるノイ
ズを防止することができる。

【００３４】また波源を前露光用として共通に使うと波
源の寿命が著しく短くなるが、前露光用の別光源を備え
ることにより波源を長く利用することができる。なお、
波源としてＥＬ発光体を利用した場合に特に効果的であ
る。

【００３５】また微小波源を面状に多数並べるに際して
は、点状の微小波源をマトリクス状に多数配列したり、
或いは線状の微小波源を該微小波源の長手方向と直角な
方向に多数配列する等できるから、画像検出器の読取電
極の形態（例えばクシ電極或いは平板電極）に応じて微
小波源の構成を適宜選択することができる。特に線状の
微小波源を該微小波源の長手方向と直角な方向に配列さ
せる場合には、点状の微小波源を線状に多数配列してな
るものとすれば、高速読出しができる（光源を線状とし
たことによる本来的性質）と共に鮮鋭度を向上させるこ
ともできる。

【００３６】また、面状波源として具体的には有機ＥＬ
発光体等のＥＬ発光体或いは液晶を使用することがで
き、これらは今日手軽に入手することができるから、本
発明の読取装置を構成することが容易である。特に画像
検出器に面する側に誘電多層膜を有してなる有機ＥＬ発
光体を使用すれば、ＥＬ光の指向性を向上させることが
でき、読取りの鮮鋭度を向上させることができる。

【００３７】本発明の画像検出読取装置の製造方法によ
れば、ＥＬ発光体の作製時に、基板上に配された第一の
導電層の表面に対して酸化防止処理を施す、もしくは、
該表面に発生した酸化膜を除去する処理を施し、該処理
された導電層表面にＥＬ層を積層するため、容易に酸化
するＭｇ−Ａｇ等を利用した第一の導電層上にＥＬ層を
成膜する場合も精度良く発光体を作製することができ
る。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の第
一の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の第一の実施の形態による、画像検出器の一態様である
放射線画像検出器とその読取装置とが一体的に構成され
た放射線画像検出読取装置を示す図であり、図１（Ａ）
は斜視図、図１（Ｂ）はＸ−Ｚ断面図、図１（Ｃ）はＸ
−Ｙ断面図である。図１（Ａ）においては、放射線画像
検出器１０に静電潜像を記録する記録装置の一部分（電
源等）と読取用の面状光源（面状波源の一態様）３０を
制御する光源制御手段（波源制御手段の一態様）４０お
よび電流検出手段５０も併せて示している。図１に示す
ように、この放射線画像検出読取装置１は、放射線画像
検出器１０と、面状光源３０、面状光源３０を制御する
光源制御手段４０および電流検出手段からなる読取装置
２０とから構成されており、基板５上に面状光源３０と
放射線画像検出器１０とが順に積層されて一体的に形成
されている。 放射線画像検出器１０は、放射線画像情
報を静電潜像として記録し、読取用の電磁波（以下「読
取光」と称す。）で走査されることにより、前記静電潜
像に応じた電流を発生するものであり、具体的には、記
録用の放射線（例えば、Ｘ線等。以下「記録光」と称
す。）に対して透過性を有する第１の導電体層１１、記
録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光
導電層１２、導電体層１１に帯電される電荷（潜像極性
電荷；例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用
し、かつ、該電荷と逆極性の電荷（輸送極性電荷；上述
の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用
する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けることにより
導電性を呈する読取用光導電層１４、読取光に対して透
過性を有する第２の導電体層１５を、この順に積層して
なるものである。導電体層１５は、クシ歯状に形成され
ており、以下導電体層１５のクシ歯部分（図中の斜線
部）を「クシ電極１５ａ」と称す（特願平10−232824号
記載の静電記録体を参照）。

【００３９】面状光源３０はＥＬ発光体であって、基板
５側から順に、第一の導電層３１、電子輸送層３２、Ｅ
Ｌ層３３、正孔輸送層３４および第二の導電層３５が積
層されてなる。なお、第二の導電層３５は、放射線画像
検出器１０のクシ電極１５ａと交差（本例では略直交）
するようにクシ歯状に形成されており、これにより、ク
シ歯３５ａ（図中斜線部）によるライン状の光源が面状
に多数配列するように構成される。各クシ歯３５ａは光
源制御手段４０に接続されている。また、各クシ歯３５
ａはＥＬ層３３からのＥＬ光に対して透明なもので形成
されている。第一の導電層３１は平板電極となってお
り、ＥＬ層３３から発せられるＥＬ光を全反射するもの
で形成されている。ここでは、第一の導電層３１として
Ｍｇ−Ａｇを用い、第二の導電層３５としてはＩＴＯ等
の透明電極を用いる。

【００４０】Ｍｇ−Ａｇからなる第一の導電層３１の表
面は非常に酸化膜が生じやすく、この酸化膜上に他の
層、ここでは電子輸送層３２を形成すると発光体として
の性能が低下する。そのため、ＥＬ発光体の製造過程に
おいては、酸化膜のない第一の導電層３１上に電子輸送
層３２を形成する必要がある。そこでＥＬ発光体製造時
には、基板５上にＭｇ−Ａｇからなる第一の導電層３１
を形成した後、該第一の導電層３１の表面の酸化防止処
理を行う。酸化防止処理としては、例えば、次の電子輸
送層３２の形成まで酸素に触れさせないで真空中で保管
する、もしくは、第一の導電層３１形成後、そのまま真
空中で電子輸送層３２を形成する等である。また、別の
製造方法としては、基板５上にＭｇ−Ａｇからなる第一
の導電層３１を形成した後、電子輸送層３２を形成する
前に該第一の導電層３１上に酸化膜が発生した場合、こ
の酸化膜を除去する処理を行った上で、電子輸送層３２
を形成する。酸化膜を除去する処理としては、電子輸送
層成膜器内に第一の導電層３１が形成された基板５を用
意し、プラズマエッチングにより第一の導電層３１の表
面に発生した酸化膜を除去する、もしくは、第一の導電
層３１が形成された基板５ごと酸素を含まない液中に浸
水させてラッピングすることにより酸化膜を除去して、
そのまま電子輸送成膜器に入れる等である。

【００４１】なお、放射線画像検出器１０の導電体層１
５とＥＬ発光体の第二の導電層３５との間には絶縁層３
６を設ける。絶縁層３６は読取光に対して透過である必
要があり、例えば非常に薄いＳｉＯ_２ を用いる。

【００４２】ＥＬ層３３から発せられるＥＬ光の波長
は、放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取るのに
適した波長を含むことは勿論であるが、後述する前露光
用の光として適した波長を含むことが望ましい。「放射
線画像検出器１０から静電潜像を読み取るのに適した波
長を含む」ということは、放射線画像検出器１０を構成
する電荷輸送層１３や読取用光導電層１４の材質に応じ
て、その波長を設定することが望ましいということを意
味する。またＥＬ層３３から発せられる波長を設定する
には、ＥＬ層の材質を選択するとよい。例えば、読取用
光導電層１４が、ａ−Ｓｅ，ＰｂＩ_２ ，Ｂｉ_１２（Ｇ
ｅ，Ｓｉ）Ｏ_２０，ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−プロ
ピル），ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−ネオペンチル）
等のうち少なくとも１つを主成分とする、近紫外から青
の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の光に対して高い
感度を有し、赤の領域の波長の光に対して低い感度を有
するものである場合には、近紫外から青の領域の波長の
光がＥＬ層３３から発せられるように、ＥＬ層の材質を
例えばジスチリルアリーレン誘電体等にする。なお、近
紫外から青の領域の波長の光は前露光用の光としても好
ましい。

【００４３】光源制御手段４０は、クシ歯３５ａとそれ
に対向する第一の導電層３１との間に、クシ歯３５ａ個
別に、或いは複数または全てのクシ歯３５ａを同時に、
所定の電圧を印加するものである。この電圧の印加によ
りＥＬ層３３からＥＬ光が発せられ、このＥＬ光が読取
光または前露光用の光として利用される。

【００４４】電流検出手段５０は導電体層１５の各クシ
歯１５ａ毎に接続された多数の電流検出アンプ５１を有
しており、読取光の露光により各クシ歯１５ａに流れる
電流をクシ歯１５ａ毎に並列的に検出するものである。
放射線画像検出器１０の導電体層１１は接続手段５２の
一方の入力および電源５３の負極に接続されており、電
源５３の正極は接続手段５２の他方の入力に接続されて
いる。図示していないが、接続手段５２の出力は各電流
検出アンプ５１に接続されている。電流検出アンプ５１
の構成の詳細については、本発明の要旨に関係がないの
でここでは説明を省略するが、周知の構成を種々適用す
ることが可能である。なお、電流検出アンプ５１の構成
によっては、接続手段５２および電源５３の接続態様が
上記例とは異なるものとなるのは勿論である。

【００４５】以下上記構成の放射線画像検出読取装置１
の作用について説明する。

【００４６】放射線画像検出器１０に静電潜像を記録す
る際には、先ず接続手段５２を電源５３側に切り替え、
導電体層１１と導電体層１５のクシ電極１５ａとの間に
直流電圧を印加し両導電体層を帯電させる。これにより
放射線画像検出器１０内の導電体層１１とクシ電極１５
ａとの間に、クシ電極１５ａをＵ字の凹部とするＵ字状
の電界が形成される。

【００４７】次に記録光を不図示の被写体に爆射し、被
写体を透過した記録光、すなわち被写体の放射線画像情
報を担持する放射線を放射線画像検出器１０に照射す
る。すると、放射線画像検出器１０の記録用光導電層１
２内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の
電界分布に沿ってクシ電極１５ａに集中せしめられ、記
録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に負電荷が
蓄積される。この蓄積される負電荷（潜像電荷）の量は
照射放射線量に略比例するので、この潜像電荷が静電潜
像を担持することとなる。このようにして静電潜像が放
射線画像検出器１０に記録される。一方、記録用光導電
層１２内で発生する正電荷は導電体層１１に引き寄せら
れて、電源５３から注入された負電荷と電荷再結合し消
滅する。

【００４８】放射線画像検出器１０から静電潜像を読み
取る際には、先ず接続手段５２を放射線画像検出器１０
の導電体層１１側に接続する。

【００４９】次に光源制御手段４０が、クシ歯３５ａを
順次切り替えながら、夫々のクシ歯３５ａと第一の導電
層３１との間に所定の直流電圧を印加する。この直流電
圧の印加によりクシ歯３５ａと第一の導電層３１とに挟
まれたＥＬ層３３からＥＬ光が発せられる。クシ歯３５
ａはライン状になっているから、クシ歯３５ａを透過し
たＥＬ光はライン状の読取光として利用される。すなわ
ち面状光源３０としては、ライン状の微小光源を面状に
配列したものと等価となり、クシ歯３５ａを順次切り替
えてＥＬ発光させることにより、読取光で放射線画像検
出器１０を電気的に走査することになる。

【００５０】次にライン状の読取光が放射線画像検出器
１０の導電体層１５の各クシ電極１５ａを透過する。す
ると、光導電層１４内に正負の電荷対が発生し、その内
の正電荷が記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界
面に蓄積された負電荷（潜像電荷）に引きつけられるよ
うに電荷輸送層１３内を急速に移動し、光導電層１２と
電荷輸送層１３との界面で潜像電荷と電荷再結合し消滅
する。一方、光導電層１４に生じた負電荷は電源５３か
ら導電体層１５に注入される正電荷と電荷再結合し消滅
する。このようにして、放射線画像検出器１０に蓄積さ
れていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再
結合の際の電荷の移動による電流が放射線画像検出器１
０内に生じる。各クシ歯１５ａ毎に接続された電流検出
アンプ５により、この電流を各クシ歯１５ａ毎に並列的
に検出する。読取りの際に放射線画像検出器１０内を流
れる電流は、潜像電荷すなわち静電潜像に応じたもので
あるから、この電流を検出することにより静電潜像を読
み取ることができる。

【００５１】このように、放射線画像検出器１０と読取
装置２０とが一体に構成された放射線画像検出読取装置
１によれば、読取装置２０の面状光源３０を、クシ歯１
５ａを順次切り替える電気的な走査によりライン状の読
取光で放射線画像検出器１０を走査するようにしたの
で、読取光の走査を従来のように機械的走査により行う
必要がないから、部品点数を削減でき、簡易，安価，小
形の読取装置にすることができる。また機械的走査では
ないので、走査系に可動部を必要としないから装置の信
頼性も向上する。さらに放射線画像検出器１０と読取装
置２０とを一体的に構成したことにより、可搬型の装置
にすることができる。また、基板上に面状光源３０およ
び放射線画像検出器１０を順に積層して一体化してお
り、面状光源３０と放射線画像検出器１０との間に基板
を介していないため、面状光源３０からの光をその光が
広がってボケてしまう前に放射線画像検出器１０へ入射
することができ、画像読取において鮮鋭度を向上するこ
とができる。

【００５２】上記放射線画像検出読取装置１は、放射線
画像検出器１０から静電潜像を読み取った後には、潜像
電荷が基本的には蓄積されておらず、そのまま再記録で
きるものである。しかしながら、場合によっては潜像電
荷を完全に読み取ることができず放射線画像検出器１０
に残留電荷として読み残すことがある。また、放射線画
像検出器１０に静電潜像を記録するとき、記録光の照射
の前に放射線画像検出器１０に高圧を印加するが、この
印加の際に暗電流が発生し、それによる電荷（暗電流電
荷）も放射線画像検出器１０に蓄積される。さらに、こ
れら以外の原因によっても放射線画像検出器１０に種々
な電荷が記録光の照射の前に蓄積されることが知られて
いる。これら残留電荷，暗電流電荷等の記録光の照射の
前に蓄積される不要電荷は、記録光を照射することによ
り蓄積される画像情報を担持する電荷に加算されること
になるから、結局放射線画像検出器１０から静電潜像を
読み取ったとき、出力される信号には画像情報を担持す
る電荷に基づく信号以外に不要電荷による信号成分が含
まれることになり、残像現象やＳ／Ｎ劣化等の問題を生
じる。

【００５３】そこで、放射線画像検出器１０に蓄積され
ている不要電荷を消去し、残像現象やＳ／Ｎ劣化等の問
題を解消するために、記録光を放射線画像検出器１０に
照射する前に、所定の光を放射線画像検出器１０に照射
する、いわゆる前露光を行うことがある（特願平10−23
2824号参照）。

【００５４】本発明による放射線画像検出読取装置１
は、この前露光用の光を光源３０により発することがで
きる。具体的には、複数のクシ歯３５ａと第一の導電層
３１との間に所定の電圧を同時に印加する。この際、電
圧の印加によりＥＬ層３３から発せられる前露光用の光
が放射線画像検出器１０に略一様に照射されればよく、
クシ歯３５ａの数の大小は問わない。例えば、所定間隔
で間引いてもよいし、全てのクシ歯３５ａとしてもよ
い。

【００５５】このように読取光と前露光用の光を同一の
光源を使用して発するようにすれば、装置の部品点数を
削減することができ、安価な装置にすることができる。

【００５６】なお、この前露光用の光の波長は、読取用
の光の波長と同じであってもよいし、前露光用の光とし
て望ましい波長、つまり読取用の光の波長と違っていて
もよい。多色発光可能なＥＬ層とすれば、読取用の光の
波長と前露光用の光の波長とを違ったものとすることが
できる。従来技術の項で述べた米国特許第 5510626号の
システムでは読取用の波長をカットする手段を備えなけ
ればならず装置が大型になるのに対して、本実施形態の
放射線画像検出読取装置１によれば発光波長を変更する
だけでよいから、装置が大型になるという問題がない。

【００５７】また従来技術の項で述べた文献２記載のシ
ステムでは、本記録の前のプリチャージを行うために１
次露光を行う必要があるが、本発明を適用して１次露光
用の光を読取用の光源から発するようにすることによっ
て、読取用の光源と１次露光用の光源とを共用化するこ
とができるのは勿論である。

【００５８】上記説明は、面状光源３０の第一の導電層
３１が平板電極構造のものについて説明したが、第一の
導電層３１をクシ歯状に形成し、該クシ歯が放射線画像
検出器１０のクシ電極１５ａと平行となるように配置し
てもよい。この場合、読取時にクシ歯３５ａを順次切り
替える際には、第一の導電層３１の全クシ歯と各クシ歯
３５ａとの間に直流電圧を印加する。このように、第一
の導電層３１をもクシ歯状に形成することにより、第一
の導電層３１のクシ歯によってＥＬ光を略点状化するこ
とができる。したがって、点状の微小光源（微小点光
源）がライン状に並んだライン光源を順次切り替えて読
み取る読取装置とすることができ、微小点光源としたこ
とにより読取りの際の鮮鋭度を向上させることができ
る。

【００５９】上記説明は、面状光源３０の第二の導電層
３５がクシ歯状のＥＬ発光体について説明したが、ＥＬ
光が点状に発せられる、周知の単純マトリクス状のＥＬ
発光体を面状光源３０として使用してもよい。この場合
には、点状の微小光源をマトリクス状に多数配列したも
のと等価となる。

【００６０】静電潜像を読み取る際には、光源制御手段
によりマトリクスを構成するＥＬ発光体の各素子を順次
１つずつ光らせる。

【００６１】また、前露光を行う際には、マトリクスを
構成するＥＬ発光体の複数の素子を同時に光らせる。こ
の際、前露光用の光が放射線画像検出器１０に略一様に
照射されればよく、光らせる素子数の大小は問わない。
例えば、所定間隔で間引いて一部の素子を光らせてもよ
いし、全ての素子を光らせてもよい。

【００６２】このように点状の微小光源をマトリクス状
に多数配列した面状光源３０（ＥＬ発光体の場合も含
む）を使用する場合には、放射線画像検出器１０として
は、導電体層１５がクシ電極であるもの、或いは平板電
極であるものの何れであってもよい。なお、導電体層１
５が平板電極のものの場合には、電流検出アンプが１つ
でよいのは勿論である。

【００６３】次に、本発明の第二の実施の形態による放
射線画像検出読取装置を図２に示して説明する。図２
（Ａ）は斜視図、図２（Ｂ）はＸ−Ｚ断面図、図２
（Ｃ）はＸ-Ｙ断面図である。図２（Ａ）においては、
放射線画像検出器１０に静電潜像を記録する記録装置の
一部分と読取用の光源（波源の一態様）２１を制御する
光源制御手段（波源制御手段の一態様）４０および電流
検出手段５０も併せて示している。

【００６４】本実施の形態による画像検出読取装置２
は、放射線画像検出器１０と、面状光源３７、面状光源
３７を制御する光源制御手段４１および電流検出手段５
０からなる読取装置２１と、前露光用のＬＥＤライン光
源４５とから構成されている。

【００６５】上述の第一の実施の形態と同一のものには
同符合を付し詳細な説明を省略し、第一の実施の形態と
異なる点に注目して説明する。

【００６６】面状光源３７は、有機ＥＬ発光体であっ
て、基板５側から順に、第一の導電層３１、電子輸送層
３２、有機ＥＬ層３８、正孔輸送層３４および第二の導
電層３５がこの順に積層され、さらに、第二の導電層３
５上に誘電多層膜３９が積層されている。なお、このよ
うに、有機ＥＬ層３８を用いる場合には、第一の実施形
態のＥＬ層３３よりも薄くすることができる。

【００６７】また、本実施形態においては、面状光源３
７と画像検出装置１０との間に絶縁層３６に挟まれた透
明導電性層４２が設けられている。静電潜像を読み取る
に際して、第二の導電層３５のクシ歯３５ａを順次切り
替えながら直流電圧を印加すると、切替えに伴って電磁
ノイズが発生し、この電磁ノイズが放射線画像検出器１
０に飛び込み放射線画像検出器１０内を流れる電流にノ
イズが重畳し、読取画像にノイズが現れるという問題が
生じる。そこで、この電磁ノイズに起因するノイズを防
止するために、電磁シールド手段として例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）等の透明導電性層３８を設けた。
なお、放射線画像検出器１０と面状光源３７との間だけ
でなく検出器１０全体を囲む電磁シールド手段を設ける
とより望ましい。

【００６８】なお、上記構成の放射線画像検出読取装置
２の作用については上述の第一の実施形態にかかる放射
線画像検出読取装置１の作用と異なる部分についてのみ
説明する。

【００６９】本実施形態の放射線画像検出読取装置２
は、前露光用の光を出力する光源４５を面状光源とは別
に用意しており、ＬＥＤライン光源４５を矢印Ａ方向に
移動させることにより放射線画像検出器１０全面に対し
て前露光を行う。これにより、面状光源３７を前露光用
に用いる必要はなくなる。ＥＬ発光体は一般に寿命が短
く、前露光用に用いる場合読取時と比較して長時間の発
光が必要となるため、前露光用に利用すると寿命が著し
く短くなるという問題がある。本実施形態のように前露
光用に別の光源を用いることにより、ＥＬ発光体を前露
光用の光源として共通に用いる場合と比較して、放射線
画像検出読取装置の寿命を延ばすことができる。

【００７０】なお、この前露光用の光源としては、前述
のＬＥＤライン光源のほか、一般に液晶パネルのバック
ライトとして利用されているバックライトシステム等を
用いることができる。

【００７１】上記説明は、面状光源としてＥＬ発光体を
使用したものについて説明したが、本発明に使用される
面状光源はこれに限らず、夫々が読取用の電磁波を発す
る微小波源を面状に多数並べてなるもの、例えば、点状
の微小波源をマトリクス状に多数配列してなるもの、或
いは線状の前記微小波源を該微小波源の長手方向と直角
な方向に多数配列してなるものであればよい。具体的に
は、円形状のＬＥＤ等の微小点光源をマトリクス状に多
数配列してもよい。或いはライン状のＬＥＤ等を該ＬＥ
Ｄの長手方向と直角な方向に配列してもよい。或いは円
形状のＬＥＤ等の微小点光源を一旦ライン状に配置し、
このライン状のＬＥＤ群を該ＬＥＤ群の長手方向と直角
な方向に配列してもよい。尚、微小点光源を一旦ライン
状に配置する場合は、ライン状のＬＥＤ群を構成する各
微小点光源を同時に駆動するのは勿論である。この場合
も、画像検出器と光源との間に基板を介さないように、
ＬＥＤの発光方向を基板とは反対の面側としたＬＥＤを
用いる。

【００７２】また上記説明は、放射線画像検出器１０と
して、特願平10−232824号記載の静電記録体を使用した
が、本発明はこれに限定されない。すなわち、読取用の
電磁波（光を含む）で走査されることにより、放射線画
像情報を担持する潜像電荷に応じた電流を発生するもの
であれば、どのような放射線画像検出器にも適用するこ
とができる。

【００７３】また読取用の電磁波は光を含むが、光に限
らず放射線画像検出器から静電潜像を読み取ることがで
きるものであればよく、例えばＸ線等の放射線であって
もよい。

【００７４】また、上述した説明においては、放射線画
像情報を担持する放射線を照射することによって、放射
線画像情報を静電潜像として記録させることができる放
射線画像検出器を画像検出器として使用し、蓄電部に蓄
積された放射線画像情報を担持する静電潜像を読み取る
ものとしたが、本発明において使用される画像検出器
は、放射線に限らず、光（可視光に限らない）を照射す
ることによって、画像情報を静電潜像として記録させる
ことができるものであってもよい。例えば、上述の放射
線画像検出器１０において、第１の導電体層１１を、記
録光としての画像情報を担持する可視光に対して透過性
を有するものとし、記録用光導電層１２を、該記録光の
照射を受けることにより導電性を呈するものとするとよ
い。或いは、放射線画像検出器１０の第１の導電体層１
１の外側に、放射線の照射を受けることにより蛍光を発
する蛍光体スクリーンが配設されてなるものとすると共
に、第１の導電体層１１を、蛍光体スクリーンから発せ
られた蛍光を対して透過性を有するものとし、記録用光
導電層１２を、該蛍光の照射を受けることにより導電性
を呈するものとしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による、光源としてＥＬ発
光体を使用した放射線画像検出読取装置の構成図；斜視
図（Ａ）、Ｘ−Ｚ断面図（Ｂ）、Ｘ−Ｙ断面図（Ｃ）

【図２】本発明の他の実施形態による、光源として有機
ＥＬ発光体を使用した放射線画像検出読取装置の構成
図；斜視図（Ａ）、Ｘ−Ｚ断面図（Ｂ）、Ｘ−Ｙ断面図
（Ｃ）

【符号の説明】

１，２ 放射線画像検出読取装置 ５ 基板 10 放射線画像検出器 20，21 読取装置 30，37 面状光源（面状波源の一態様） 35 第二の導電層 39 誘電多層膜 40 光源制御手段（波源制御手段の一態様） 50 電流検出手段

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、 該基板上に配された、夫々が読取用の電磁波を発する微
   小波源を面状に多数並べてなる面状波源と、 前記面状波源の前記基板と反対側の面上にその間に別の
   基板を介することなく配された、画像情報を静電潜像と
   して記録し読取用の電磁波で走査されることにより前記
   静電潜像に応じた電流を発生する面状の画像検出器と、 前記微小波源を順次切り替えて駆動することにより前記
   走査を行わせる波源制御手段と、 前記電流を検出する電流検出手段とを備えてなることを
   特徴とする画像検出読取装置。
2. 【請求項２】 前記面状波源と、前記画像検出器との間
   に絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１記載の画像
   検出読取装置。
3. 【請求項３】 前記面状波源と、前記画像検出器との間
   に電磁シールド手段を備えたことを特徴とする請求項１
   または２いずれか記載の画像検出読取装置。
4. 【請求項４】 前露光用の電磁波を出力する光源手段を
   備えたことを特徴とする請求項１から３いずれか記載の
   画像検出読取装置。
5. 【請求項５】 前記面状波源が、線状の前記微小波源
   を、該微小波源の長手方向と直角な方向に多数配列して
   なるものであることを特徴とする請求項１から４いずれ
   か記載の画像検出読取装置。
6. 【請求項６】 前記線状の微小波源が、点状の微小波源
   を線状に多数配列してなるものであることを特徴とする
   請求項５記載の画像検出読取装置。
7. 【請求項７】 前記面状波源が、ＥＬ発光体であること
   を特徴とする請求項１から６いずれか記載の画像検出読
   取装置。
8. 【請求項８】 前記ＥＬ発光体が、有機ＥＬ発光体であ
   ることを特徴とする請求項７記載の画像検出読取装置。
9. 【請求項９】 前記有機ＥＬ発光体が、前記画像検出器
   に面する側に誘電多層膜を有してなるものであることを
   特徴とする請求項８記載の画像検出読取装置。
10. 【請求項１０】 基板上に第一の導電層を形成し、 前記第一の導電層表面の酸化防止処理を行い、 該第一の導電層上にＥＬ層を形成し、 該ＥＬ層上に第二の導電層を形成し、 該第二の導電層上に、画像情報を静電潜像として記録
    し、読取用の電磁波で走査されることにより、前記静電
    潜像に応じた電流を発生する面状の画像検出器を形成す
    ることを特徴とする画像検出読取装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 基板上に第一の導電層を形成し、 前記第一の導電層表面に発生した酸化膜を除去し、 該第一の導電層上にＥＬ層を形成し、 該ＥＬ層上に第二の導電層を形成し、 該第二の導電層上に、画像情報を静電潜像として記録
    し、読取用の電磁波で走査されることにより、前記静電
    潜像に応じた電流を発生する面状の画像検出器を形成す
    ることを特徴とする画像検出読取装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第一の導電層がＭｇ−Ａｇ層であ
    り、 前記第二の導電層が透明電極層であることを特徴とする
    請求項１０または１１いずれか記載の画像検出読取装置
    の製造方法。