JP2007192611A

JP2007192611A - 放射線画像検出器の残像消去方法および装置

Info

Publication number: JP2007192611A
Application number: JP2006009596A
Authority: JP
Inventors: Satoru Irisawa; 覚入澤
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2006-01-18
Filing date: 2006-01-18
Publication date: 2007-08-02

Abstract

【課題】放射線画像を担持した放射線の照射を受けて放射線画像を記録し、その放射線画像に応じた放射線画像信号が読み出される放射線画像検出器における残像を適切に消去する。
【解決手段】第１の電極層１と、放射線の照射により電荷を発生する記録用光導電層２と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層３と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層４と、第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、第１の電極層１に上記一方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層２に消去光を照射する電荷充填工程と、電荷充填工程の後、第１の電極層１と透明線状電極７および遮光線状電極８とを接地するとともに、消去光を読取用光導電層に照射する電荷蓄積層残像消去工程とを行う。
【選択図】図６

Description

本発明は、放射線画像を担持した放射線の照射を受けて放射線画像を記録し、その放射線画像に応じた放射線画像信号が読み出される放射線画像検出器の残像消去方法および装置に関するものである。

従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより被写体に関する放射線画像を記録する放射線画像検出器が各種提案、実用化されている。

そして、上記のような放射線画像検出器としては、たとえば、特許文献１には、放射線を透過する第１の電極層、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層、一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、かつ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層、および読取光を透過する線状に延びる透明線状電極と読取光を遮光する線状に延びる遮光線状電極とが平行に交互に配列された第２の電極層をこの順に積層してなる放射線画像検出器が提案されている。

上記のように構成された放射線画像検出器１０により放射線画像の記録を行う際には、図３（Ａ）に示すように、第１の電極層１に負の高電圧が印加された状態で、被写体を透過した放射線が第１の電極層１側から照射される。上記のようにして照射された放射線は、第１の電極層１を透過し、記録用光導電層２に照射され、記録用光導電層２の放射線の照射された部分において電荷が発生し、この電荷のうち正の電荷は負に帯電した第１の電極層１に向かって移動し、第１の電極層１における負の電荷と結合して消滅する。一方、上記ようにして発生した電荷のうち負の電荷は正に帯電した透明線状電極７および遮光線状電極８に向かって移動するが、上記のように電荷蓄積層３は負の電荷に対しては絶縁体として作用するため、上記負の電荷は記録用光導電層２と電荷蓄積層３との界面である蓄電部６に蓄積され、この蓄電部６への負電荷の蓄積により放射線画像の記録が行われる（図３（Ｂ）参照）。

そして、上記のようにして記録された放射線画像を放射線画像検出器１０から読み取る際には、図４に示すように、読取光Ｌ１が透明線状電極７および遮光線状電極８側から照射される。照射された読取光Ｌ１は、透明線状電極７を透過し、読取用光導電層４に照射され、読取用光導電層４において電荷が発生する。そして、読取光Ｌ１の照射により読取用光導電層４において発生した正の電荷が蓄電部６における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、遮光線状電極８に接続されたチャージアンプ３０を介して遮光線状電極８に帯電した正の電荷と結合する。

そして、読取用光導電層４において発生した負の電荷と遮光線状電極８に帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ３０に電流が流れ、この電流が積分されて放射線画像に応じた放射線画像信号の読取りが行われる。

特開２０００−２８４０５６号公報

しかしながら、上記のようにして読取光の照射を行って放射線画像の読取りを行った後においても、記録用光導電層２や電荷蓄積層３にトラップされた電荷が残留し、この残留電荷は、次の放射線画像の記録および読取りにおいてノイズとなってしまう。

本発明は、上記事情に鑑み、上記のように放射線画像検出器における記録用光導電層や電荷蓄積層にトラップされた残留電荷を適切に消去することができる残像消去方法および装置を提供することを目的とするものである。

本発明の第１の放射線画像検出器の残像消去方法は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、第１の電極層に上記一方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷充填工程と、電荷充填工程の後、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを含むことを特徴とする。

また、上記本発明の残像消去方法においては、電荷充填工程の前に、または前記電荷充填工程と前記電荷蓄積層残像消去工程との間に、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を含むようにすることができる。

また、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を含むようにすることができる。

また、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むようにすることができる。

また、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むようにすることができる。

本発明の第２の放射線画像検出器の残像消去方法は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程と、記録用光導電層残像消去工程の後、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを含むことを特徴とする。

また、上記本発明の第２の残像消去方法においては、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を含むようにすることができる。

本発明の第３の放射線画像検出器の残像消去方法は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程と、記録用光導電層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を含むことを特徴とする。

また、上記本発明の第３の残像消去方法においては、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むようにすることができる。

本発明の第１の放射線画像検出器の残像消去装置は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去装置であって、第１の電極層に上記一方の極性の電圧を印加する第１の電圧印加手段と、読取用光導電層に消去光を照射する消去光照射手段と、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地する接地手段と、第１の電極層に上記一方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷充填工程を行わせ、該電荷充填工程の後、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを行わせるよう第１の電圧印加手段、消去光照射手段および接地手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。

また、上記本発明の第１の残像消去装置においては、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加する第２の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電荷充填工程の前に、または電荷充填工程と電荷蓄積層残像消去工程との間に、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行わせるよう第２の電圧印加手段および消去光照射手段を制御するものとすることができる。

また、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設ける第３の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行わせるよう第３の電圧印加手段および消去光照射手段を制御するものとすることができる。

また、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する第４の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう第４の電圧印加手段を制御するものとすることができる。

また、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する第４の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう第４の電圧印加手段を制御するものとすることができる。

本発明の第２の放射線画像検出器の残像消去装置は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去装置であって、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加する第１の電圧印加手段と、読取用光導電層に消去光を照射する消去光照射手段と、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地する接地手段と、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行わせ、該記録用光導電層残像消去工程の後、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程を行わせるよう第１の電圧印加手段、消去光照射手段および接地手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。

また、上記本発明の第２の残像消去装置においては、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設ける第２の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行わせるよう第２の電圧印加手段および消去光照射手段を制御するものとすることができる。

また、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する第３の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう第３の電圧印加手段を制御するものとすることができる。

また、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する第３の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう第３の電圧印加手段を制御するものとすることができる。

本発明の第３の放射線画像検出器の残像消去装置は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去装置であって、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加する第１の電圧印加手段と、読取用光導電層に消去光を照射する消去光照射手段と、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設ける第２の電圧印加手段と、第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行わせ、該記録用光導電層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記一方の極性を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行わせるよう第１の電圧印加手段、消去光照射手段および第２の電圧印加手段を制御する制御手段を備えたことを特徴とする。

また、上記本発明の第３の残像消去装置においては、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する第３の電圧印加手段を備えるものとし、制御手段を、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう第３の電圧印加手段を制御するものとすることができる。

本発明の第１の放射線画像検出器の残像消去方法および装置によれば、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光するとともに第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法において、第１の電極層に上記一方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷充填工程と、電荷充填工程の後、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを行うようにしたので、電荷蓄積層にトラップされた残留電荷を適切に消去することができる。

また、上記本発明の第１の残像消去方法および装置において、電荷充填工程の前に、または電荷充填工程と電荷蓄積層残像消去工程との間に、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行うようにした場合には、記録用光導電層にトラップされた残留電荷も適切に消去することができる。

また、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行うようにした場合には、電荷蓄積層残像消去工程後に、線状電極近傍に残留した電荷を適切に消去することができる。

また、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行うようにした場合には、線状電極近傍に残留した電荷をさらに適切に消去することができる。

また、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行うようにした場合には、電荷蓄積層残像消去工程後に、線状電極近傍に残留した電荷を適切に消去することができる。

本発明の第２の放射線画像検出器の残像消去方法および装置によれば、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法において、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程と、記録用光導電層残像消去工程の後、第１の電極層と第１および第２の線状電極とを接地するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを行うようにしたので、記録用光導電層および電荷蓄積層にトラップされた電荷を適切に消去することができる。

また、上記本発明の第２の残像消去方法および装置において、電荷蓄積層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行うようにした場合には、電荷蓄積層残像消去工程後に、線状電極近傍に残留した電荷を適切に消去することができる。

本発明の第３の放射線画像検出器の残像消去方法および装置によれば、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、読取光を透過する第１の線状電極と読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加するとともに、読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程と、記録用光導電層残像消去工程の後、第１の線状電極に上記他方の極性の電荷が向かうように第１の線状電極と第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行うようにしたので、記録用光導電層にトラップされた電荷を適切に消去することができるとともに、記録用光導電層残像消去工程後に、線状電極近傍に残留した電荷を適切に消去することができる。

また、上記本発明の第３の残像消去方法および装置において、電極近傍残像消去工程の後、第１の電極層に上記他方の極性の電圧を印加して読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行うようにした場合には、線状電極近傍に残留した電荷をさらに適切に消去することができる。

以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の残像消去方法および装置の一実施形態について説明する。

まず、残像消去の対象である放射線画像検出器の構成から説明する。図１は、放射線画像検出器の斜視図、図２（Ａ）は図１に示す放射線画像検出器の２−２線断面図である。

放射線画像検出器１０は、図１および図２（Ａ）に示すように、放射線画像を担持した放射線を透過する第１の電極層１、第１の電極層１を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層２、記録用光導電層２において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層４、および第２の電極層５をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層２と電荷蓄積層３との界面近傍には、記録用光導電層２内で発生した電荷を蓄積する蓄電部６が形成される。なお、上記各層は、ガラス基板上に第２の電極層５から順に形成されるものであるが、図１および図２（Ａ）においては、ガラス基板を省略している。

第１の電極層１としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜（ＳｎＯ₂）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができ、また、１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなども用いることもできる。

第２の電極層５は、読取光を透過する複数の透明線状電極７と読取光を遮光する複数の遮光線状電極８とを有するものである。そして、透明線状電極７と遮光線状電極８とは、図１に示すように、所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。

透明線状電極７は読取光を透過するとともに、導電性を有する材料から形成されている。上記のような材料であれば如何なるものでもよいが、たとえば、第１の電極層１と同様に、ＩＴＯ、ＩＺＯやＩＤＩＸＯを用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｒなどの金属を用いて読取光を透過する程度の厚さ（たとえば、１０ｎｍ程度）で形成するようにしてもよい。

遮光線状電極８は読取光を遮光するとともに、消去光を透過し、導電性を有する材料から形成されている。上記のような材料であれば如何なるものでもよいが、たとえば、１００−３００ｎｍ厚のＣｒ、Ｍｏ、Ｗがある。または、予めレジスト材料からなる遮光層をストライプ状にパターニングし、その上に上記透明線状電極と同じ材料をストライプ状にパターニングし、遮光された電極として昨日させてもよい。

記録用光導電層２は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているａ−Ｓｅを主成分とするものを使用する。厚さは５００μｍ程度が適切である。

電荷蓄積層３としては、たとえば、放射線画像の記録の際に第１の電極層１に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０^２以上、望ましくは１０^３以上）ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＶＫ）分散物，Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ、Ａｓ_２Ｓｅ_３等の半導体物質が適当である。厚さは０．２〜２μｍ程度が適切である。

読取用光導電層４としては、読取光および消去光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、ａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）などのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは５〜２０μｍ程度が適切である。

次に、上記放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用について説明する。

まず、図３（Ａ）に示すように、第１の上部電極電圧印加手段２０によって放射線画像検出器１０の第１の電極層１に負の電圧を印加した状態において、放射線源から被写体に向けて放射線が照射され、その被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器１０の第１の電極層１側から照射される。

そして、放射線画像検出器１０に照射された放射線は、第１の電極層１を透過し、記録用光導電層２に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層２において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第１の電極層１に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層２と電荷蓄積層３との界面に形成される蓄電部６に蓄積されて放射線画像が記録される（図３（Ｂ）参照）。

そして、次に、図４に示すように、第１の電極層１が接地された状態において、第２の電極層５側から読取光Ｌ１が照射され、読取光Ｌ１は透明線状電極７を透過して読取用光導電層４に照射される。読取光Ｌ１の照射により読取用光導電層４において発生した正の電荷が蓄電部６における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、遮光線状電極８に接続されたチャージアンプ３０を介して遮光線状電極８に帯電した正の電荷と結合する。

そして、読取用光導電層４において発生した負の電荷と遮光線状電極８に帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ３０に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出され、放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。

ここで、上記のようにして放射線画像の読取りを行った後においても、図５（Ａ）に示すように、記録用光導電層２や電荷蓄積層３に負の電荷がトラップされて残留電荷となり、以後に記録される放射線画像の残像となる場合がある。

以下、上記のような残留電荷を消去するために行われる、本発明の残像消去方法の一実施形態について説明する。

まず、図５（Ａ）に示すように、第１の電極層１に第１の上部電圧印加手段２０により負の電圧が印加されるとともに、第２の電極層５側から消去光Ｌ２が照射される。このときの消去光Ｌ２としては、たとえば、オレンジ光を利用することができる。第２の電極層５側から照射された消去光Ｌ２は，透明線状電極７および遮光線状電極８を透過して読取用光導電層４に照射される。

消去光Ｌ２の照射によって読取用光導電層４において電荷が発生し、そのうち正の電荷は第１の電極層１の方へ向かい、負の電荷は透明線状電極７および遮光線状電極８の方へ向かう。そして、第１の電極層１へ向かった正の電荷と記録用光導電層２に残留している負の電荷とが結合し、記録用光導電層２における残留電荷が消去される。なお、以下、図５において説明した処理を記録用光導電層残像消去処理という。

上記のように記録用光導電層残像消去処理を行った後は、図５（Ｂ）に示すように透明線状電極７および遮光線状電極８に負の電荷が残留し、また、電荷蓄積層３にも残留電荷が未だ残る場合がある。

そこで、次に、図６（Ａ）に示すように、第２の上部電極電圧印加手段４０により第１の電極層１に正の電圧が印加されるとともに、第２の電極層５側から消去光Ｌ２が照射される。第２の電極層５側から照射された消去光Ｌ２は，透明線状電極７および遮光線状電極８を透過して読取用光導電層４に照射される。

消去光Ｌ２の照射によって読取用光導電層４において電荷が発生し、そのうち負の電荷は第１の電極層１の方へ向かい、負の電荷は透明線状電極７および遮光線状電極８の方へ向かう。そして、第１の電極層１へ向かった負の電荷は電荷蓄積層３によってトラップされ、図６（Ｂ）に示すように、電荷蓄積層３に一様に負の電荷が充填される。一方、透明線状電極および遮光線状電極８へ向かった正の電荷は、透明線状電極７および遮光線状電極に残留した負の電荷と結合して消滅する。なお、以下、図６において説明した処理を電荷充填処理という。

そして、次に、図７（Ａ）に示すように、第１の電極層１と透明線状電極７および遮光線状電極８とが接地されるとともに、第２の電極層５側から消去光Ｌ２が照射される。第２の電極層５側から照射された消去光Ｌ２は，透明線状電極７および遮光線状電極８を透過して読取用光導電層４に照射される。

消去光Ｌ２の照射によって読取用光導電層４において電荷が発生し、そのうち正の電荷は電荷蓄積層３の方へ向かい、負の電荷は透明線状電極７および遮光線状電極８の方へ向かう。そして、電荷蓄積層３へ向かった正の電荷と電荷蓄積層３に残留している負の電荷とが結合し、図７（Ｂ）に示すように、電荷蓄積層３に残留した負の電荷が消去される。

一方、透明線状電極７および透明線状電極８へ向かった負の電荷は透明線状電極７および遮光線状電極８に残留する。なお、以下、図７において説明した処理を電荷蓄積層残像消去処理という。

次に、上記のようにして透明線状電極７および遮光線状電極８に残留した負の電荷を消去するため、図８（Ａ）に示すように、透明線状電極７に線状電極電圧印加手段５０により正の電圧が印加されるとともに、第２の電極層５側から消去光Ｌ２が照射される。このときの消去光Ｌ２としては、たとえば、白色光を利用することができる。第２の電極層５側から照射された消去光Ｌ２は，透明線状電極７および遮光線状電極８を透過して読取用光導電層４に照射される。

消去光Ｌ２の照射によって、図８（Ｂ）に示すように、透明線状電極７および遮光線状電極８近傍の読取用光導電層４において電荷が発生し、そのうち負の電荷は透明線状電極７の方へ向かい、正の電荷は遮光線状電極８の方へ向かう。

そして、遮光線状電極８に向かった正の電荷が遮光線状電極８に残留した負の電荷と結合し、遮光線状電極８の残留した負の電荷が消去される。一方、透明線状電極７へ向かった負の電荷は、図８（Ｂ）に示すように、透明線状電極７に残留する。なお、以下、図８において説明した処理を電極近傍残像消去処理という。

次に、上記のようにして透明線状電極７に残留した負の電荷を消去するため、図９に示すように、第１の電極層１に第３の上部電極電圧印加手段６０により負の電圧が印加される。そして、この電圧印加により透明線状電極７近傍の読取用光導電層４が熱励起され、その熱励起によって発生した正の電荷と透明線状電極７に残留した負の電荷とが結合することによって、透明線状電極７に残留した負の電荷が消去される。なお、以下、図９において説明した処理を熱励起処理という。

上記のような一連の消去処理を行うことによって、放射線画像検出器に残留する電荷を適切に消去することができる。

なお、上記一連の処理を必ずしも全て行う必要はなく、電荷充填処理および電荷蓄積層残像消去処理のみを行うようにしてもよい。

また、記録用光導電層残像消去処理を行なわず、電荷充填処理および電荷蓄積層残像消去処理を行った後、電極近傍残像消去処理を行うようにしてもよい。また、その後、さらに熱励起処理を行うようにしてもよい。

また、記録用光導電層残像消去処理を行なわず、電荷充填処理および電荷蓄積層残像消去処理を行った後、熱励起処理を行うようにしてもよい。

また、記録用光導電層残像消去処理を行った後、電荷蓄積層残像消去処理を行うようにしてもよい。また、その後、さらに電極近傍残像消去処理および熱励起処理を行うようにしてもよい。または、電荷蓄積層残像消去処理の後、熱励起処理を行うようにしてもよい。

また、記録用光導電層残像消去処理を行った後、電極近傍残像消去処理を行うようにしてもよい。また、その後、さらに熱励起処理を行うようにしてもよい。

また、上記実施形態は、放射線の照射を受けてその放射線を直接電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる直接変換方式の放射斜線画像検出器に本発明を適用したものであるが、これに限らず、たとえば、放射線を一旦可視光に変換し、その可視光を電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる間接変換方式の放射線画像検出器に本発明を適用するようにしてもよい。

また、本発明の放射線画像検出器における放射線画像検出器の層構成は上記実施形態のような層構成に限らずその他の層を加えたりしてもよい。

放射線画像検出器の概略構成図図１に示す放射線画像検出器の２−２線断面図放射線画像検出器への放射線画像の記録の作用を説明するための図放射線画像検出器からの放射線画像の読取りの作用を説明するための図記録用光導電層残像消去処理を説明するための図電荷充填処理を説明するための図電荷蓄積層残像消去処理を説明するための図電極近傍残像消去処理を説明するための図熱励起処理を説明するための図

符号の説明

１第１の電極層
２記録用光導電層
３電荷蓄積層
４読取用光導電層
５第２の電極層
７透明線状電極
８遮光線状電極
６蓄電部
１０放射線画像検出器
３０チャージアンプ

Claims

放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、前記読取光を透過する第１の線状電極と前記読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、
前記第１の電極層に前記一方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電荷充填工程と、
該電荷充填工程の後、前記第１の電極層と前記第１および第２の線状電極とを接地するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを含むことを特徴とする残像消去方法。
前記電荷充填工程の前に、または前記電荷充填工程と前記電荷蓄積層残像消去工程との間に、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を含むことを特徴とする請求項１記載の残像消去方法。
前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の線状電極に前記他方の極性の電荷が向かうように前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、前記一方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の残像消去方法。
前記電極近傍残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むことを特徴とする請求項３記載の残像消去方法。
前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むことを特徴とする請求項１記載の残像消去方法。
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、前記読取光を透過する第１の線状電極と前記読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程と、
該記録用光導電層残像消去工程の後、前記第１の電極層と前記第１および第２の線状電極とを接地するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを含むことを特徴とする残像消去方法。
前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の線状電極に前記他方の極性の電荷が向かうように前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を含むことを特徴とする請求項６記載の残像消去方法。
前記電極近傍残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むことを特徴とする請求項７記載の残像消去方法。
前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むことを特徴とする請求項６記載の残像消去方法。
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、前記読取光を透過する第１の線状電極と前記読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去方法であって、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程と、
該記録用光導電層残像消去工程の後、前記第１の線状電極に前記他方の極性の電荷が向かうように前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を含むことを特徴とする残像消去方法。
前記電極近傍残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の残像消去方法。
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、前記読取光を透過する第１の線状電極と前記読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去装置であって、
前記第１の電極層に前記一方の極性の電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記読取用光導電層に消去光を照射する消去光照射手段と、
前記第１の電極層と前記第１および第２の線状電極とを接地する接地手段と、
前記第１の電極層に前記一方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電荷充填工程を行わせ、該電荷充填工程の後、前記第１の電極層と前記第１および第２の線状電極とを接地するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程とを行わせるよう前記第１の電圧印加手段、前記消去光照射手段および前記接地手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする残像消去装置。
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加する第２の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電荷充填工程の前に、または前記電荷充填工程と前記電荷蓄積層残像消去工程との間に、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行わせるよう前記第２の電圧印加手段および前記消去光照射手段を制御するものであることを特徴とする請求項１２記載の残像消去装置。
前記第１の線状電極に前記他方の極性の電荷が向かうように前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設ける第３の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行わせるよう前記第３の電圧印加手段および前記消去光照射手段を制御するものであることを特徴とする請求項１２または１３記載の残像消去装置。
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する第４の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電極近傍残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう前記第４の電圧印加手段を制御するものであること特徴とする請求項１４記載の残像消去装置。
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する第４の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう前記第４の電圧印加手段を制御するものであること特徴とする請求項１２記載の残像消去装置。
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、前記読取光を透過する第１の線状電極と前記読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去装置であって、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記読取用光導電層に消去光を照射する消去光照射手段と、
前記第１の電極層と前記第１および第２の線状電極とを接地する接地手段と、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行わせ、該記録用光導電層残像消去工程の後、前記第１の電極層と前記第１および第２の線状電極とを接地するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電荷蓄積層残像消去工程を行わせるよう前記第１の電圧印加手段、前記消去光照射手段および前記接地手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする残像消去装置。
前記第１の線状電極に前記他方の極性の電荷が向かうように前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設ける第２の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行わせるよう前記第２の電圧印加手段および前記消去光照射手段を制御するものであることを特徴とする請求項１７記載の残像消去装置。
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する第３の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電極近傍残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう前記第３の電圧印加手段を制御するものであることを特徴とする請求項１８記載の残像消去装置。
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する第３の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電荷蓄積層残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう前記第３の電圧印加手段を制御するものであることを特徴とする請求項１７記載の残像消去装置。
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を透過する第１の電極層と、前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する記録用光導電層と、一方の極性の電荷に対しては導電体として作用し、他方の極性に対しては絶縁体として作用する電荷蓄積層と、読取光および消去光の照射によって電荷を発生する読取用光導電層と、前記読取光を透過する第１の線状電極と前記読取光を遮光する第２の線状電極とが交互に多数配列された第２の電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器の残像消去装置であって、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記読取用光導電層に消去光を照射する消去光照射手段と、
前記第１の線状電極に前記他方の極性の電荷が向かうように前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設ける第２の電圧印加手段と、
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加するとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する記録用光導電層残像消去工程を行わせ、該記録用光導電層残像消去工程の後、前記第１の線状電極と前記第２の線状電極間に電位差を設けるとともに、前記読取用光導電層に消去光を照射する電極近傍残像消去工程を行わせるよう前記第１の電圧印加手段、前記消去光照射手段および前記第２の電圧印加手段を制御する制御手段を備えたことを特徴とする残像消去装置。
前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する第３の電圧印加手段を備え、
前記制御手段が、前記電極近傍残像消去工程の後、前記第１の電極層に前記他方の極性の電圧を印加して前記読取用光導電層を熱励起する熱励起工程を行わせるよう前記第３の電圧印加手段を制御するものであることを特徴とする請求項２１記載の残像消去装置。