JP2008089491A

JP2008089491A - 放射線画像検出装置

Info

Publication number: JP2008089491A
Application number: JP2006272561A
Authority: JP
Inventors: Shinji Imai; 真二今井
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2006-10-04
Filing date: 2006-10-04
Publication date: 2008-04-17

Abstract

【課題】電荷蓄電部に残留する電荷による残像の発生を防止する。
【解決手段】読取用光導電層５に読取光が照射されたときに電荷蓄電部に蓄積された放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極６と、消去光が照射されたとき電荷蓄電部または読取用光導電層５に残存する残留電荷を放電する、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列された複数の第２線状電極７とが異なる高さ位置に形成されている。そして、第１線状電極６と第２線状電極７とは、高さ方向（矢印Ｘ方向）からみたときに交互に隙間なく連続するように配列されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、放射線画像を担持した放射線の照射を受けて放射線画像を記録し、読取光により走査されて放射線画像に応じた信号が読み出され、消去光の照射を受けて残留電荷が消去される放射線画像検出装置を備えた放射線画像検出装置に関するものである。

従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより被写体に関する放射線画像を記録する放射線画像検出装置が各種提案、実用化されている。たとえば、特許文献１には放射線を透過する第１の電極層、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層、潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、かつ潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層、および読取光を透過する線状に延びる透明線状電極（第１の線状電極）と読取光を遮光する線状に延びる遮光線状電極（第２の線状電極）とが平行に交互に配列された第２の電極層をこの順に積層してなる放射線画像検出装置が提案されている。

この放射線画像検出装置を用いて放射線画像の記録を行うには、まず、第１の電極層に負の高電圧、第２の電極層に正の高電圧が印加された状態で、被写体を透過した放射線が照射される。すると放射線は記録用光導電層に照射され、記録用光導電層の放射線の照射された部分において電荷対が発生する。この電荷対のうち正の電荷は負に帯電した第１の電極層に向かって移動し、第１の電極層における負の電荷と結合して消滅する。一方、電荷対のうち負の電荷は正に帯電した第２の電極層に向かって移動するが、上記のように電荷輸送層は負の電荷に対しては絶縁体として作用する。このため、上記負の電荷は記録用光導電層と電荷輸送層との界面である電荷蓄電部に蓄積され、この蓄電部への負電荷の蓄積により放射線画像の記録が行われる。

また、記録された放射線画像を放射線画像検出装置から読み取るとき、読取光が第２の電極層側から照射される。照射された読取光は読取用光導電層に照射され、読取用光導電層において電荷対が発生する。この電荷対のうち正の電荷が蓄電部に蓄積された負電荷と結合するとともに、負の電荷が透明線状電極に帯電した正の電荷と結合する。この電荷の結合により、透明線状電極に接続された電流検出アンプにおいて電流が検出され、その電流が電圧に変換されて画像信号として出力される。そして、消去光の照射により電荷蓄電部に残留する電荷の消去が行われる。
特開２０００−２８４０５６号公報

ここで、電荷蓄電部に蓄積された電荷は信号電荷の読取および消去光の照射により完全に除去することはできず、電荷の一部が第１線状電極と第２線状電極との間に残存する場合があり、特に大線量の放射線が記録用光導電層に照射されたときに生じやすい。この残留電荷は第１線状電極と第２線状電極との隙間が狭いほど少なくすることができる。しかし、第１線状電極と第２線状電極との隙間を狭くしたとき、第１線状電極と第２線状電極とが電気的に短絡するおそれがあるため隙間を狭くするには限界があり、残留電荷を低減することができないという問題がある。

そこで、本発明は、電荷の一部が第１線状電極と第２線状電極との間に残留する電荷の低減を図ることができる放射線画像検出装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の放射線画像検出装置は、放射線画像情報を担持した電磁波の照射により発生した電荷を放射線画像として蓄積する電荷蓄電部と、読取光の照射により電荷対を発生する読取用光導電層と、読取用光導電層に読取光が照射されたときに電荷蓄電部に蓄積された放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極と、第１線状電極の間に第１線状電極の配列方向と同一の方向に向かってストライプ状に配列された複数の第２線状電極とを有し、第１線状電極と第２線状電極とが異なる高さ位置に形成されているものであり、高さ方向からみたときに交互に隙間なく連続して設けられているものであることを特徴とするものである。

本発明の放射線画像検出装置の製造方法は、放射線画像情報を担持した電磁波の照射により発生した電荷を放射線画像として蓄積する電荷蓄電部と、読取光の照射により電荷対を発生する読取用光導電層と、読取用光導電層に読取光が照射されたときに電荷蓄電部に蓄積された放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極と、第１線状電極の間に第１線状電極の配列方向と同一の方向に向かってストライプ状に配列された複数の第２線状電極とを有する放射線画像検出装置の製造方法であって、基板に第１線状電極と第２線状電極とを異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する複数の隔壁層をストライプ状に形成し、基板の隔壁層を形成した面側に導電膜を成膜することにより、隔壁層上と隔壁層の間とに複数の第１線状電極と複数の第２線状電極とを形成し、形成した複数の第１線状電極上および複数の第２線状電極上に読取用光導電層を積層することを特徴とするものである。

ここで、「高さ方向」とは、読取用光導電層と第１線状電極および第２線状電極との積層方向をいう。

また、第１線状電極と第２線状電極とは異なる高さ位置に形成されているものであればよいが、略５μｍ以上離れた高さ位置に形成されていることが好ましい。

さらに、第１線状電極と第２線状電極とは異なる高さ位置に形成されていればその構造は問わず、第１線状電極と第２線状電極との高さ位置が読取用光導電層内において異なる構造を有するものであってもよいし、第１線状電極もしくは第２線状電極を異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する、第１線状電極もしくは第２線状電極上に設けられた複数の隔壁層をさらに備えた構造を有するものであってもよい。なお、隔壁層は第１線状電極上に設けられていても良いし、第２線状電極上に設けられていても良い。

また、隔壁層は、その形状を問わないが、隔壁層上に形成されている第１線状電極もしくは第２線状電極の側から高さ方向の反対側に向かって先細りになるように形成されていることが好ましい。

さらに、第２線状電極上の領域に読取光を遮光する読取光遮光膜が形成されているものであってもよい。この読取光遮光膜は、さらに消去光を透過するものであってもよい。なお、読取光遮光膜は第２線状電極上の領域に設けられていれば、第２線状電極に直接積層されていても良いし、平坦化層等を介して積層されていてもよい。

また、第２線状電極は、記録時にバイアス電位を加えることにより、記録用光導電層の電界分布を調整するための電極であってもよい。その場合にも、読取光遮光膜が形成されていることが好ましい。

本発明の放射線画像検出装置によれば、放射線画像情報を担持した電磁波の照射により発生した電荷を放射線画像として蓄積する電荷蓄電部と、読取光の照射により電荷対を発生する読取用光導電層と、読取用光導電層に読取光が照射されたときに電荷蓄電部に蓄積された放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極と、第１線状電極の間に第１線状電極の配列方向と同一の方向に向かってストライプ状に配列された複数の第２線状電極とを有し、第１線状電極と第２線状電極とが異なる高さ位置に形成されているとともに、高さ方向からみたときに交互に隙間なく連続して設けられていることにより、電荷蓄電部をと通り抜けて一部残留した電荷が第１線状電極と第２線状電極との間に蓄積されることがないため、残留電荷による残像の発生を低減することができ、特に大線量の放射線が照射されたときであっても、残留電荷による残像の発生を低減することができる。

また、第１線状電極と第２線状電極とは隔壁層により異なる高さ位置に形成されているため、第１線状電極と第２線状電極とを幅方向において隙間なく配列した場合であっても電気的に短絡するのを防止することができる。

なお、第１線状電極と第２線状電極とが略５μｍ以上離れた高さ位置に形成されているものであるとき、第１線状電極と第２線状電極とにより形成される電極間容量を小さくすることができるため、第１線状電極と第２線状電極とを幅方向に隙間なく配列した場合であっても電極間容量に起因するノイズの発生を抑制することができる。

また、第１線状電極と第２線状電極とを異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する、複数の第１線状電極もしくは複数の第２線状電極上に設けられた複数の隔壁層をさらに備えた構成であれば、高さ位置の異なる第１線状電極と第２線状電極とを効率的に形成することができる。

さらに、隔壁層が隔壁層上に形成されている第１線状電極もしくは第２線状電極の側から高さ方向の反対側に向かって先細りになるように形成されているとき、第１線状電極と第２線状電極とが重なり合うように形成することもできるとともに、第１線状電極と第２線状電極とが電気的に短絡するのを確実に防止することができる。

また、第２線状電極上の領域に読取光を遮光する読取光遮光膜が形成されているとき、第２線状電極上の領域において電荷対が発生せず、電荷蓄電部に蓄積された信号電荷が第２線状電極から放電されるのを低減することができるため、読取効率を向上させることができる（特許文献１参照）。

本発明の放射線画像検出装置の製造方法によれば、放射線画像情報を担持した電磁波の照射により発生した電荷を放射線画像として蓄積する電荷蓄電部と、読取光の照射により電荷対を発生する読取用光導電層と、読取用光導電層に読取光が照射されたときに電荷蓄電部に蓄積された放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極と、第１線状電極の間に第１線状電極の配列方向と同一の方向に向かってストライプ状に配列された複数の第２線状電極とを有する放射線画像検出装置の製造方法であって、基板に第１線状電極と第２線状電極とを異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する複数の隔壁層をストライプ状に形成し、基板の隔壁層を形成した面側に導電膜を成膜することにより、隔壁層上と隔壁層の間とに複数の第１線状電極と複数の第２線状電極とを形成し、形成した複数の第１線状電極上および複数の第２線状電極上に読取用光導電層を積層することにより、隔壁層が形成された基板に導電膜を成膜することにより、隔壁層によって電気的に絶縁された高さ位置の異なる第１線状電極と第２線状電極と同時に形成することができるため、効率的に放射線検出装置を製造することができる。

なお、隔壁層を、隔壁層上に形成されている第１線状電極もしくは第２線状電極の側から高さ方向の反対側に向かって先細りになるように形成するとき、第１線状電極と第２線状電極とが重なり合うように形成することもできるとともに、第１線状電極と第２線状電極とが電気的に短絡するのを確実に防止することができる。

以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出装置の一実施形態について説明する。図１は本発明の放射線画像検出装置の好ましい実施の形態を示す斜視図、図２は図１に示す放射線画像検出装置のＩＩ−ＩＩ線断面図である。この放射線画像検出装置１は読取光を照射することにより記録された放射線画像を読み取るいわゆる光読み出し方式の固体検出器であって、平板電極２、記録用光導電層３、電荷輸送層４、読取用光導電層５、第１線状電極６、第２線状電極７、読取光遮光膜８、隔壁層９等を備えている。なお、放射線画像検出装置１は光透過性を有する基板（たとえばガラス基板）上に形成されるものであって、図１および図２において基板は図示せず省略している。

平板電極２は、放射線画像情報を記録する際に負の電荷が帯電されるものであって、平板状に形成されている。平板電極２は放射線を透過する材料からなっており、たとえばネサ皮膜（ＳｎＯ₂）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））等の材料を用いて５０〜２００ｎｍに成膜し、あるいはＡｌやＡｕなどを１００ｎｍに成膜することにより形成されている。

記録用光導電層３は、放射線の照射を受けることにより電荷対を発生するものであって、たとえば放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているａ−Ｓｅを主成分とするものを５００μｍ程度に成膜することにより形成されている。

電荷輸送層４は、記録用光導電層３において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用するようになっている。電荷輸送層４は、たとえば放射線画像の記録の際に平板電極２に帯電する電荷の移動度とその逆極性となる電荷の移動度との差が大きい（例えば１０^２以上、望ましくは１０^３以上）からなっており、たとえばポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＶＫ）分散物，Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質により形成されている。

読取用光導電層５は読取光Ｌ１または消去光Ｌ２の照射を受けることにより電荷対を発生するものであって、たとえばａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）などのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質を用いて０．１〜１μｍ程度に成膜されることにより形成されている。

複数の第１線状電極６は放射線画像検出装置１に読取光Ｌ１が照射されたとき、放射線画像検出装置１に記録されている画像情報を信号電荷として読み取るものであって、ストライプ状に配列されている。各第１線状電極６は読取光Ｌ１を透過する材料からなっており、たとえばネサ皮膜（ＳｎＯ₂）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚に形成したもの、もしくはＡｌやＡｕなどを１０ｎｍ厚に形成したもののような、読取光Ｌ１および消去光Ｌ２を透過する材料からなっている。

複数の第２線状電極７は、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列されており、消去光Ｌ２を透過する材料からなっている。具体的には、複数の第２線状電極７は第１線状電極６と同様に読取光Ｌ１および消去光Ｌ２を透過するＩＴＯやＩＤＩＸＯ等からなっている。また、複数の第２線状電極７は、消去光Ｌ２が照射されたときには接地されているようになっており、電荷蓄電部１１または読取用光導電層５に残存する残存電荷を放電するようになっている。なお、複数の第２線状電極７は放射線画像検出装置１に放射線画像情報を記録するときには正の電荷が帯電され、放射線画像検出装置１に読取光Ｌ１が照射されるときには接地されるようになっている。

各第１線状電極６と各第２線状電極７とはそれぞれ異なる高さ位置に形成されている。具体的には、第１線状電極６は基板１０ａ上に積層されており、第２線状電極７は第１線状電極６の間に形成された所定の高さを有する隔壁層９上に積層されている。なお、隔壁層９はエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ゼラチン、ノボラック系樹脂とハフトキノンジアジスルフォン酸エステルドとの混合物等の感光性または非感光性の樹脂材料等の読取光Ｌ１および消去光Ｌ２を透過する材料からなっている。

また、隔壁層９は、第１線状電極６と第２線状電極７とが５μｍ以上離れた高さ位置ｈに形成されるような所定の高さを有している。これにより、第１線状電極６と第２線状電極７との間に形成される電極間容量の増加を防止することができ、電極間容量によるノイズの増加を防止することができる。さらに、隔壁層９は、第２線状電極７から第１線状電極６に向かって先細りになっており、断面が略台形状になるように形成されている。これにより、第１線状電極６を第２線状電極７上の領域内まで形成し、第１線状電極６の形成領域と第２線状電極７の形成領域とが重なり合うようにすることもできるとともに、第１線状電極６と第２線状電極７との電気的短絡を確実に防止することができる。

さらに、第１線状電極６と第２線状電極７とは高さ方向（矢印Ｚ方向）からみて交互に隙間なく連続して配列されている。つまり、第１線状電極６は第２線状電極７の配列間隔以上の幅を有しており、第２線状電極７は第１線状電極６の配列間隔以上の幅を有している。第１線状電極６と第２線状電極７とは形成されている高さ位置が異なるため、互いに電気的短絡することなく、高さ方向（矢印Ｚ方向）からみて交互に隙間なく連続して配列されている状態になっている。

また、第２線状電極７上の領域に消去光Ｌ２を透過し読取光Ｌ１を遮光する読取光遮光膜８が設けられている。この読取光遮光膜８は、たとえば読取光Ｌ１が４００ｎｍ〜４８０ｎｍの青色光からなり、消去光Ｌ２が５８０ｎｍ〜７００ｎｍの赤色光からなっている場合、読取光遮光膜８は青色光（読取光）を遮光し赤色光（消去光）を透過する赤レジストを用いて形成されている。よって、読取光遮光膜８上の領域にある読取用光導電層５には消去光Ｌ２のみが照射されることになる。

図３から図５は放射線画像検出装置に放射線画像を記録・再生する様子を示す模式図であり、図１から図５を参照して放射線画像検出装置の動作例について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、高電圧源２０により平板電極２と複数の第１線状電極６および複数の第２線状電極７との間に高電圧が印加される。この状態において放射線源から被写体に向けて放射線が照射される。

すると、被写体を透過した放射線が平板電極２側から照射され、平板電極２を透過して記録用光導電層３に照射される。放射線の照射により記録用光導電層３において電荷対が発生し、図３（Ｂ）に示すように、そのうち正の電荷は平板電極２に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層３と電荷輸送層４との界面に形成される電荷蓄電部１１に蓄積されて放射線画像が記録される。

次に、図４を参照して記録された放射線画像の読取について説明する。まず平板電極２および第２線状電極７が接地され、第１線状電極６がチャージアンプ３０に電気的に接続される。この状態において、読取光Ｌ１が第１線状電極６および第２線状電極７側から読取用光導電層５に照射され読取用光導電層５において電荷対が発生する。そして、読取用光導電層５において発生した電荷対のうち正の電荷は電荷蓄電部１１における潜像電荷と結合し、負の電荷は第１線状電極６に帯電した正の電荷と結合する。この結合によりチャージアンプ３０に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。

このように、読取光遮光膜８を設けることにより第２線状電極７上の領域において電荷対が発生せず、電荷蓄電部１１に蓄積された信号電荷が第２線状電極７から放電されるのを低減することができるため、読取効率を向上させることができる。また、第１線状電極６と第２線状電極７とは隔壁層９により５μｍ以上の段差が形成されているため、第１線状電極６と第２線状電極７とを隙間なく配列しても、第１線状電極６と第２線状電極７との電極間容量が増加することがないため、チャージアンプ３０において検出される画像信号に電極間容量に起因するノイズが含まれるのを抑制することができる。

放射線画像の読取りが終わった後、放射線画像検出装置１の電荷蓄電部１１や読取用光導電層５と第２線状電極７との界面に残留した残留電荷を消去するため、消去光Ｌ２が第１線状電極６および第２線状電極７側から読取用光導電層５に照射される。このとき、第２線状電極７は接地された状態になっている。すると、読取用光導電層５において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は残留電荷と結合して消滅し、負の電荷は第２線状電極７に帯電した正の電荷と結合し、残留電荷が消滅することになる。

ここで、第１線状電極６と第２線状電極７とは、交互に隙間なく連続して配列されているため、記録用光導電層３、読取用光導電層５および電荷蓄電部１１に残留する電荷を確実に除去し、残留電荷による残像の発生を防止することができる。すなわち、第１線状電極６と第２線状電極７との間に隙間があるとき、この隙間上の領域にある電荷蓄電部１１の電荷は上述の信号電荷の読取および残留電荷の消去によっては放電されにくく残留しやすい領域となっている。このため、次の放射線画像の記録時においても残留した状態になり、残像となって表れてしまう場合がある。

一方、第１線状電極６と第２線状電極７との間に隙間がないとき、信号電荷の読取および消去により電荷蓄電部１１において電荷が残留しやすい領域が形成されるのを防止することができるため、残留電荷の発生を低減し、残像の発生を抑制することができる。特に、大線量の放射線が照射された場合であっても確実に残留電荷の発生を低減し、残像の発生を抑制することができる。

さらに、第１線状電極６と第２線状電極７とを隙間なく配列した場合であっても、第１線状電極６と第２線状電極７とが異なる高さ位置に形成されているため、第１線状電極６と第２線状電極７とが電気的に短絡することを防止することができる。特に、隔壁層９が第２線状電極７から第１線状電極６に向かって先細り形状になるように形成されているため、第１線状電極６を第２線状電極７上の領域内まで形成し、第１線状電極６の形成領域と第２線状電極７の形成領域とが重なり合うようにすることができるとともに、第１線状電極６と第２線状電極７との電気的短絡を確実に防止することができる。

図６は本発明の放射線画像検出装置の製造方法の好ましい実施の形態を示す工程図であり、図１から図６を参照して放射線画像検出装置の製造方法について説明する。まず、図６（Ａ）に示すように、ガラス等からなる基板１０ａ上に読取光遮光膜８となる赤レジストが塗布される。その後、赤レジストに対して第２線状電極７の形成領域上にストライプ状のパターンになるように露光によるパターニングが行われ、読取光遮光膜８が形成される。

次に、図６（Ｂ）に示すように、読取光遮光膜８上に隔壁層９がフォトリソグラフィー技術により積層される。ここで、隔壁層９は異方性エッチング等により第２線状電極７側から第１線状電極６側に向かって先細りになるように形成される。これにより、第１線状電極６を第２線状電極７上の領域内まで形成し、第１線状電極６の形成領域と第２線状電極７の形成領域とが重なり合うようにすることもできる。その後、図６（Ｃ）に示すように、基板１０ａの隔壁層９を積層した面に対し導電膜が成膜されることにより、基板１０ａ上にはストライプ状に配列された複数の第１線状電極６が積層され、隔壁層９上にはストライプ状に配列された複数の第２線状電極７が積層される。このとき、隔壁層９が先細り形状になっているため、第１線状電極６と第２線状電極７とを同時に形成した場合であっても、第１線状電極６と第２線状電極７との電気的短絡を確実に防止することができる
そして、この第１線状電極６および第２線状電極７上に読取用光導電層５、電荷輸送層４、記録用光導電層３、平板電極２を順に積層していくことにより放射線画像検出装置１が作製されることになる（図１、図２参照）。

上記実施の形態によれば、第１線状電極６と第２線状電極７とを異なる高さ位置に形成するとともに、高さ方向からみたときに交互に隙間なく連続して設けられていることにより、記録用光導電層３において発生した電荷が第１線状電極６と第２線状電極７との間に残留電荷が蓄積されることがないため、残留電荷による残像の発生を低減することができる。

また、図１および図２に示すように、第１線状電極６と第２線状電極７とは隔壁層９により異なる高さ位置に形成されているため、第１線状電極６と第２線状電極７とを幅方向において隙間なく配列した場合であっても電気的に短絡するのを防止することができる。

なお、第１線状電極６と第２線状電極７とが略５μｍ以上離れた高さ位置に形成されているものであるとき、第１線状電極６と第２線状電極７とにより形成される電極間容量を小さくすることができるため、第１線状電極６と第２線状電極７とを幅方向に隙間なく配列した場合であっても電極間容量に起因するノイズの発生を抑制することができる。

また、複数の第１線状電極６と複数の第２線状電極７とを異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する、複数の第１線状電極６もしくは複数の第２線状電極７上に設けられた複数の隔壁層９をさらに備えた構成であれば、高さ位置の異なる第１線状電極６と第２線状電極７とを効率的に形成することができる。

さらに、隔壁層９が、第２線状電極７から第１線状電極に６向かって先細りになるように形成されているとき、第１線状電極６と第２線状電極７とが重なり合うように形成することもできるとともに、第１線状電極６と第２線状電極７とが電気的に短絡するのを確実に防止することができる。

また、第２線状電極７上の領域に消去光Ｌ２を透過し読取光Ｌ１を遮光する読取光遮光膜８が形成されているとき、第２線状電極７上の領域において電荷対が発生せず、電荷蓄電部に蓄積された信号電荷が第２線状電極７から放電されるのを低減することができるため、読取効率を向上させることができる。

さらに、図６の放射線画像検出装置の製造方法によれば、基板１０ａに第１線状電極６と第２線状電極７とを異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する複数の隔壁層９をストライプ状に形成し、基板の隔壁層９を形成した面側に導電膜を成膜することにより、隔壁層９上と隔壁層９の間とに複数の第１線状電極６と複数の第２線状電極７とを形成し、形成した複数の第１線状電極６上および複数の第２線状電極７上に読取用光導電層を積層することにより、第１線状電極６と第２線状電極７とを異なる層に形成するときであっても、第１線状電極６と第２線状電極７とを同時に成膜することができるため、効率的に放射線検出装置を製造することができる。

本発明の実施の形態は上記実施の形態に限定されない。たとえば図６において、隔壁層９を積層した後に基板１０ａ上に導電膜を成膜する場合について例示しているが、図７（Ａ）に示すように、基板１０ａの第１線状電極６となる領域に予め導電材料からなる下地膜をストライプ状に積層した後に隔壁層９を積層し、導電膜を積層するようにしても良い。これにより、第１線状電極６の断線故障を抑制することができる。なお、図７（Ｂ）〜（Ｄ）は図６（Ｂ）〜（Ｄ）と同一の工程であるため、その説明を省略する。

また、図２において、第１線状電極６と第２線状電極７とが隙間なく配列されている場合について例示しているが、第１線状電極６と第２線状電極７とが、互いに重なり合うように形成されていてもよい。

さらに、図２において、第１線状電極６が基板１０ａ上に積層されており、第２線状電極７が隔壁層９上に積層されている場合について例示しているが、図８（Ａ）に示すように、第１線状電極６が隔壁層９上に積層されており、第２線状電極７が基板１０ａ上に積層されていていても良い。

また、図１から図５の放射線画像検出装置１において、隔壁層９を用いて第１線状電極６と第２線状電極７とが異なる高さ位置に形成される場合について例示しているが、図８（Ｂ）に示すように、隔壁層９を用いずに第２線状電極７を読取用光導電層５内に埋め込むことにより、第１線状電極６と第２線状電極７とが異なる高さ位置に形成されるようにしても良い。

また、たとえば、放射線の照射を受けてその放射線を直接電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる直接変換方式の放射斜線画像検出器に本発明を適用したものであるが、これに限らず、たとえば、放射線を一旦可視光に変換し、その可視光を電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる間接変換方式の放射線画像検出装置に本発明を適用するようにしてもよい。

本発明の放射線画像検出装置の一実施形態を示す概略構成図図１に示す放射線画像検出装置のＩＩ−ＩＩ線断面図図１に示す放射線画像検出装置へ放射線画像を記録する様子を示す模式図図１に示す放射線画像検出装置から放射線画像の読み取る様子を示す模式図図１に示す放射線画像検出装置の残留電荷を消去する様子を示す模式図本発明の放射線画像検出装置の製造方法の好ましい実施の形態を示す工程図本発明の放射線画像検出装置の製造方法の別の実施形態を示す概略構成図本発明の放射線画像検出装置の別の実施形態を示す概略構成図

符号の説明

１放射線画像検出装置
２平板電極
３記録用光導電層
４電荷輸送層
５読取用光導電層
６第１線状電極
７第２線状電極
８読取光遮光膜
９隔壁層
１０ａ基板
１０平坦化層
１１電荷蓄電部
Ｌ１読取光
Ｌ２消去光

Claims

放射線画像情報を担持した電磁波の照射により発生した電荷を放射線画像として蓄積する電荷蓄電部と、
読取光の照射により電荷対を発生する読取用光導電層と、
該読取用光導電層に前記読取光が照射されたときに前記電荷蓄電部に蓄積された前記放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極と、
前記第１線状電極の間に該第１線状電極の配列方向と同一の方向に向かってストライプ状に配列された複数の第２線状電極と
を有し、
前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、異なる高さ位置に形成されているとともに、高さ方向からみたときに交互に隙間なく連続して設けられていることを特徴とする放射線画像検出装置。
前記第１線状電極と前記第２線状電極とが略５μｍ以上離れた高さ位置に形成されているものであることを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出装置。
前記第１線状電極と前記第２線状電極とを異なる高さ位置に形成する、前記第１線状電極もしくは前記第２線状電極上に設けられた複数の隔壁層をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２記載の放射線画像検出装置。
前記隔壁層が、該隔壁層上に形成されている前記第１線状電極もしくは前記第２線状電極の側から高さ方向の反対側に向かって先細りになるように形成されていることを特徴とする請求項３記載の放射線画像検出装置。
前記第２線状電極上の領域に前記読取光を遮光する読取光遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の放射線画像検出装置。
放射線画像情報を担持した電磁波の照射により発生した電荷を放射線画像として蓄積する電荷蓄電部と、読取光の照射により電荷対を発生する読取用光導電層と、該読取用光導電層に前記読取光が照射されたときに前記電荷蓄電部に蓄積された前記放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極と、前記第１線状電極の間に該第１線状電極の配列方向と同一の方向に向かってストライプ状に配列された複数の第２線状電極とを有する放射線画像検出装置の製造方法であって、
基板に前記第１線状電極と前記第２線状電極とを異なる高さ位置に形成するための所定の高さを有する複数の隔壁層をストライプ状に形成し、
前記基板の前記隔壁層を形成した面側に導電膜を成膜することにより、前記隔壁層上と該隔壁層の間とに前記複数の第１線状電極と前記複数の第２線状電極とを形成し、
形成した前記複数の第１線状電極上および前記第２線状電極上に前記読取用光導電層を積層する
ことを特徴とする放射線画像検出装置の製造方法。
前記隔壁層を、該隔壁層上に形成されている前記第１線状電極もしくは前記第２線状電極の側から高さ方向の反対側に向かって先細りになるように形成したことを特徴とする請求項６記載の放射線画像検出装置の製造方法。