JP2006332111A - 放射線画像検出器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 放射線の照射を受けて電荷を発生して蓄積することにより放射線画像を記録し、読取光の照射により放射線画像の読取りが行われる放射線画像検出器であって、読取光を透過する第1の線状電極および読取光を遮光する第2の線状電極とが交互に配列された放射線画像検出器において、読取効率の向上を図る。
【解決手段】 第2の線状電極5dの長さ方向に延びる側端面5e上に、読取光を遮光する線状遮光絶縁体6を設け、線状遮光絶縁体6を、第1の線状電極5aと第2の線状電極5dとの間隔Waよりも小さい幅Wを有するものとし、第1の線状電極5aのエッジ近傍の読取用光導電層4において十分に放電させるとともに、第2の線状電極5dのエッジ近傍の読取用光導電層4における放電を防止する。
【選択図】 図2
【解決手段】 第2の線状電極5dの長さ方向に延びる側端面5e上に、読取光を遮光する線状遮光絶縁体6を設け、線状遮光絶縁体6を、第1の線状電極5aと第2の線状電極5dとの間隔Waよりも小さい幅Wを有するものとし、第1の線状電極5aのエッジ近傍の読取用光導電層4において十分に放電させるとともに、第2の線状電極5dのエッジ近傍の読取用光導電層4における放電を防止する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、放射線画像を担持した放射線の照射を受けて放射線画像を記録し、読取光により走査されて放射線画像に応じた信号が読み出される放射線画像検出器に関するものである。
従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより被写体に関する放射線画像を記録する放射線画像検出器が各種提案、実用化されている。
そして、上記のような放射線画像検出器としては、たとえば、特許文献1には、放射線を透過する第1の電極層、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層、潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、かつ潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層、および読取光を透過する線状に延びる透明線状電極と読取光を遮光する線状に延びる遮光線状電極とが平行に交互に配列された第2の電極層をこの順に積層してなる放射線画像検出器が提案されている。
上記のように構成された放射線画像検出器により放射線画像の記録を行う際には、まず、第1の電極層に負の高電圧が印加された状態で、被写体を透過した放射線が第1の電極層側から照射される。上記のようにして照射された放射線は、第1の電極層を透過し、記録用光導電層に照射され、記録用光導電層の放射線の照射された部分において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は負に帯電した第1の電極層に向かって移動し、第1の電極層における負の電荷と結合して消滅する。一方、上記ようにして発生した電荷対のうち負の電荷は正に帯電した第2の電極層に向かって移動するが、上記のように電荷輸送層は負の電荷に対しては絶縁体として作用するため、上記負の電荷は記録用光導電層と電荷輸送層との界面である蓄電部に蓄積され、この蓄電部への負電荷の蓄積により放射線画像の記録が行われる。
そして、上記のようにして記録された放射線画像を放射線画像検出器から読み取る際には、まず、読取光が第2の電極層側から照射される。照射された読取光は、第2の電極層における透明線状電極を透過し、読取用光導電層に照射され、読取用光導電層において電荷対が発生する。そして、読取用光導電層において発生した電荷対のうち正の電荷が蓄電部に蓄積された負電荷と結合するとともに、負の電荷が透明線状電極に帯電した正の電荷と結合することにより、透明線状電極に接続された電流検出アンプにより電流が検出され、その電流が電圧に変換されて画像信号として出力される。
上記のような読取光を遮光する遮光線状電極を備えた放射線画像検出器によれば、読取時に、遮光線状電極に対応する読取用光導電層の部位への読取光の照射を妨げることができ、潜像電荷を蓄積する蓄電部と遮光線状電極との間での放電を妨げることができるので。その結果、遮光線状電極を設けない場合と比較すると透明線状電極近傍の読取用光導電層における放電を相対的に増加させることができる。したがって、透明線状電極によって放射線画像検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を、遮光線状電極を設けない場合と比較すると相対的に増加させることができ、読取効率を向上させることができる。
ここで、上記のような遮光線状電極を構成する方法として、たとえば、特許文献2には、図9(A)に示すように、透明な線状電極45bの読取光が照射される面側に、読取光を遮光する遮光膜45cを設ける方法が提案されている。なお、図9(A)に示す放射線画像検出器40は、第1の電極層41、記録用光導電層42、電荷輸送層43、読取用光導電層44、第2の電極層45およびガラス基板47をこの順に積層してなるものであり、第2の電極層45は、読取光を透過する透明線状電極45aと、読取光を透過する線状電極45bおよび遮光膜45cからなる遮光線状電極とから構成されている。また、透明線状電極45aおよび線状電極45bと遮光膜45cとの間には絶縁層48が形成されている。
しかしながら、特許文献2の放射線画像検出器40においては、図9(A)に示すように、上記遮光膜45cが、透明線状電極45aの端面まで設けられているため、透明線状電極45aのエッジ近傍の読取用光導電層44において、十分に放電させることができず、その分読取効率が低下してしまう。
また、特許文献3においても、図9(B)に示すように、透明な線状電極55b,65bの読取光が照射される面側に、読取光を遮光する遮光膜55cを設けて遮光線状電極を構成する方法が提案されている。
しかしながら、特許文献3の放射線画像検出器50おいては、図9(B)に示すように、上記遮光膜55cが、線状電極55b,65bの端面までしか設けられていないため、線状電極55bのエッジ近傍の読取用光導電層54において放電が生じてしまい、その分読取効率が低下してしまう。なお、図9(B)に示す放射線画像検出器50は、第1の電極層51、記録用光導電層52、電荷輸送層53、読取用光導電層54、第2の電極層55およびガラス基板57をこの順に積層してなるものであり、第2の電極層55は、読取光を透過する透明線状電極55aと、読取光を透過する線状電極55bおよび遮光膜55cからなる遮光線状電極とから構成されている。
本発明は、上記事情に鑑み、上記のような読取光を遮光する遮光線状電極を備えた放射線画像検出器において、読取効率の向上を図ることができる放射線画像検出器を提供することを目的とするものである。
本発明の放射線画像検出器は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射により電荷を発生し、その発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光の照射により電荷を発生する光導電層と、読取光を透過する複数の第1の線状電極と読取光を遮光する第2の線状電極とが所定の間隔を空けて平行に交互に配列された電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、第2の線状電極の長さ方向に延びる側端面上に、読取光を遮光する線状遮光絶縁体が設けられており、線状遮光絶縁体が、第1の線状電極と第2の線状電極との間隔よりも小さい幅を有するものであることを特徴とする。
また、上記本発明の放射線画像検出器においては、光導電層を、電荷蓄積層に残留した残留電荷を消去するための消去光の照射により電荷を発生するものとし、線状遮光絶縁体を、消去光を透過するものとすることができる。
本発明の放射線画像検出器によれば、第2の線状電極の長さ方向に延びる側端面上に、読取光を遮光する線状遮光絶縁体を設け、線状遮光絶縁体を、第1の線状電極と第2の線状電極との間隔よりも小さい幅を有するものとしたので、第1の線状電極のエッジ近傍の光導電層において十分に放電させることができるとともに、第2の線状電極のエッジ近傍の光導電層における放電を防止することができ、読取効率の向上を図ることができる。
また、上記のような放射線画像検出器においては、放射線画像の読取りが行われた後、蓄電部に残存した残留電荷の消去が行われる。具体的には、第2の電極層側から消去光が照射され、その消去光の照射によって光導電層において電荷が発生し、その電荷のうち一方の極性の電荷が蓄電部に残存した残留電荷と結合することによって消去が行われる。
したがって、上記線状遮光絶縁体を、上記消去光を透過するものとした場合には、線状遮光絶縁体によって消去光が遮られることなく、適切な消去処理を行うことができる。
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の一実施形態について説明する。図1は本放射線画像検出器の斜視図、図2は図1に示す放射線画像検出器の2−2線断面図である。
本放射線画像検出器10は、図1および図2に示すように、放射線画像を担持した放射線を透過する第1の電極層1、第1の電極層1を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層2、記録用光導電層2において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層3、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層4、および読取光を透過する複数の第1の線状電極5aと該第1の線状電極5aの間にそれぞれ設けられた、読取光を遮光する複数の第2の線状電極5dを有する第2の電極層5をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層2と電荷輸送層3との間には、記録用光導電層2内で発生した電荷を蓄積する蓄電部7が形成されている。なお、上記各層は、ガラス基板上に第2の電極層5から順に形成されるものであるが、図1および図2においては、ガラス基板を省略している。
第1の電極層1としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜(SnO2)、ITO(Indium Tin Oxide)、アモルファス状光透過性酸化膜であるIDIXO(Idemitsu Indium X-metal Oxide ;出光興産(株))などを50〜200nm厚にして用いることができ、また、100nm厚のAlやAuなども用いることもできる。
第2の電極層5は、上記のように第1の線状電極5aと第2の線状電極5dとを有するものであるが、第1の線状電極5aと第2の線状電極5dとは、所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。
第1の線状電極5aは読取光および後述する消去光を透過するとともに、導電性を有する材料から形成されている。上記のような材料であれば如何なるものでもよいが、たとえば、第1の電極層1と同様に、ITOやIDIXOを用いることができる。また、Al、Crなどの金属を用いて読取光および消去光を透過する程度の厚さ(たとえば、10nm程度)で形成するようにしてもよい。
第2の線状電極5dは、透明線状電極5bと該透明線状電極5bの上面と側端面とを覆うように設けられた遮光膜5cとから形成されている。透明線状電極5bは、たとえば、上記第1の線状電極5aと同様に、ITOやIDIXOを用いて形成するようにすればよい。また、遮光膜5cは、たとえば、NiやAuのメッキにより形成するようにすればよい。また、本放射線画像検出器10のように、透明線状電極5bを遮光膜5cで被覆して第2の線状電極5dを構成するのではなく、AlやCrなどの読取光を遮光する材料を用いて、読取光を遮光するのに十分な厚さで第2の線状電極5dを形成するようにしてもよい。
そして、本放射線画像検出器においては、第2の線状電極5dの長さ方向に延びる側端5e上に、読取光を遮光する線状遮光絶縁体6が設けられている。線状遮光絶縁体6は第2の線状電極5dに沿って設けられている。そして、線状遮光絶縁体6は、読取光を遮光するとともに、消去光を透過し、絶縁性を有する材料から形成されている。上記のような材料であれば如何なるものでもよいが、たとえば、読取光が青色光であり、その波長が400nm〜480nmであり、消去光が赤色光であり、その波長が580nm〜700nmである場合には、青色と補色の関係となる赤色の絶縁材料を利用することができる。そのような材料としては、たとえば、ジアミノアニトラキノニルレッドをアクリル樹脂に分散させたものなどがある。読取光として青色光を用いた場合における、線状遮光絶縁体5cに用いられる材料の光の透過率の望ましい特性を図8に示す。また、読取光が赤色光であり、その波長が580nm〜700nmであり、消去光が青色光であり、その波長が400nm〜480nmである場合には、青色と補色の関係となる赤色の絶縁材料を利用することができる。そのような材料としては、銅フタロシアニンをアクリル樹脂に分散させたものなどがある。つまり、線状遮光絶縁体6の材料としては、上記のようなものに限らず、読取光の波長に対して補色の関係となる色であるとともに、消去光と同じ色の絶縁材料を利用することができる。
また、線状遮光絶縁体6は、第1の線状電極5aと第2の線状電極5dとの間隔Waよりも小さい幅Wを有するものである。なお、第1の線状電極5aと線状遮光絶縁体6との間隔Wbは、読取光の波長よりも大きいことが望ましく、より望ましくは2.5μm程度である。また、線状遮光絶縁体の幅Wは、読取光の波長以上の大きさであることが望ましく、たとえば、読取光が青色光である場合には、上記幅Wは2μm〜3μm程度とすることが好ましく、より好ましくは2.5μm程度である。つまり、読取光の波長の5倍程度とすることが望ましい。
記録用光導電層2は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているa−Seを主成分とするものを使用する。厚さは500μm程度が適切である。
電荷輸送層3としては、たとえば、放射線画像の記録の際に第1の電極層1に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい程良く(例えば102以上、望ましくは103以上)ポリN−ビニルカルバゾール(PVK)、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン(TPD)やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはTPDのポリマー(ポリカーボネート、ポリスチレン、PVK)分散物,Clを10〜200ppmドープしたa−Se等の半導体物質が適当である。
読取用光導電層4としては、読取光および消去光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、a−Se、Se−Te、Se−As−Te、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、MgPc(Magnesium phtalocyanine),VoPc(phaseII of Vanadyl phthalocyanine)、CuPc(Cupper phtalocyanine)などのうち少なくとも1つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは0.1〜1μm程度が適切である。
次に、本放射線画像検出器の作用について説明する。
まず、図3(A)に示すように、放射線画像検出器10の第1の電極層1に高電圧源20により負の電圧を印加した状態において、放射線源から被写体に向けて放射線が照射され、その被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器10の第1の電極層1側から照射される。
そして、放射線画像検出器10に照射された放射線は、第1の電極層1を透過し、記録用光導電層2に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層2において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層1に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層2と電荷輸送層3との界面に形成される蓄電部7に蓄積されて放射線画像が記録される(図3(B)参照)。
そして、次に、図4に示すように、第1の電極層1が接地された状態において、第2の電極層5側から読取光L1が照射され、読取光L1は第1の線状電極5aを透過して読取用光導電層4に照射される。読取光L1の照射により読取用光導電層4において発生した正の電荷が蓄電部7における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が第2の電極層5の第1の線状電極5aに帯電した正の電荷と結合する。
そして、上記のような負の電荷と正の電荷との結合によってチャージアンプ30に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出され、放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
ここで、本放射線画像検出10においては、線状遮光絶縁体6を上記のように形成するようにしたので、第1の線状電極5aの端部近傍の読取用光導電層4への読取光の照射を妨げることなく、第1の線状電極5aの端部近傍の読取用光導電層4に十分に読取光を照射することができ、これにより読取用光導電層4において十分に放電させることができるので、読取効率の向上を図ることができる。
また、第2の線状電極5dの端部近傍の読取用光導電層4へ読取光が照射されるのを妨げることができ、これにより第2の線状電極5dの端部近傍の読取用光導電層4での放電を妨げることができるので、読取効率の向上を図ることができる。
そして、上記のように放射線画像の読取りが終わった後、放射線画像検出器10の蓄電部7に残留した残留電荷を消去するための消去光L2が放射線画像検出器10に照射される。消去光L2は、図5に示すように、放射線画像検出器10の第2の電極層5側から照射され、第2の電極層5の第1の線状電極5aおよび線状遮光絶縁体6を透過して読取用光導電層4に照射される。そして、この消去光L2の照射により読取用光導電層4において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は電荷輸送層3を通過して蓄電部7に残留した残留電荷と結合して消滅し、負の電荷は第2の線状電極5dに帯電した正の電荷と結合して消滅する。
ここで、本放射線画像検出器10においては、上記のように線状遮光絶縁体6を、消去光を透過する材料によって形成するようにしたので上記のように残留電荷を適切に消去することができる。なお、本放射線画像検出器10においては、上記のように線状遮光絶縁体6を、消去光を透過する材料によって形成するようにしたが、消去処理を行わない場合などにおいては、必ずしも消去光を透過する材料で形成しなくてもよい。
また、本放射線画像検出器10のように、第2の線状電極5dの上面には、線状遮光絶縁体6を含め、その他の絶縁体を設けないことが望ましい。第2の線状電極5dの上面に上記のような絶縁体が存在すると、その絶縁体の表面に電荷が残留し、この残留電荷が次の放射線画像の読取りの際に残像として現れるからである。
また、本放射線画像検出器10のように第2の線状電極5dおよび線状遮光絶縁体6を形成する方法としては、たとえば、図6(A)に示すように、まず、ガラス基板8上に、ITOなどからなる第1の線状電極5aおよび透明線状電極5bを形成し、その後、透明線状電極5bを湿式方法などによりメッキして遮光膜5cを設け、その遮光膜5cを線状遮光絶縁体6の材料で被覆して被覆膜9を形成した後、その被覆膜9を、図6(B)に示すように、遮光膜5cが現れるまで研磨するようにすればよい。なお、上記研磨は、遮光膜5cが現れる時点まで行うようにしてもよいし、その後、線状遮光絶縁体6および遮光膜5cが所望の厚さになる時点まで行うようにしてもよい。
また、本放射線画像検出器10の第1の線状電極5aの上面に、図7に示すように、読取光を遮光する良導電性の材料から形成されたバス電極5fを設けるようにしてもよい。上記バス電極5fの材料としては、たとえば、AlやAgやCuなどを利用することができる。上記のようにバス電極5fを設けることにより第1の線状電極5aの線抵抗を下げることができ、熱雑音によるノイズを低減することができ、読み取られる放射線画像の画質の向上を図ることができる。なお、上記バス電極5fは、第1の線状電極5aの側端部近傍での放電を妨げないように、図7に示すように、第1の線状電極5aの長さ方向に延びる側端部を除く、上面中央部に設けるようにする必要がある。また、上記のようにバス電極5fを設ける場合には、図6(A)に示す遮光膜8を形成する工程において、遮光膜8とともに形成するようにすればよい。
また、上記実施形態は、放射線の照射を受けてその放射線を直接電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる直接変換方式の放射斜線画像検出器に本発明を適用したものであるが、これに限らず、たとえば、放射線を一旦可視光に変換し、その可視光を電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる間接変換方式の放射線画像検出器に本発明を適用するようにしてもよい。
また、本発明の放射線画像検出器における放射線画像検出器の層構成は上記実施形態のような層構成に限らずその他の層を加えたりしてもよい。
1 第1の電極層
2 記録用光導電層
3 電荷輸送層
4 読取用光導電層
5 第2の電極層
5a 第1の線状電極
5b 透明線状電極
5c 遮光膜
5d 第2の線状電極
6 線状遮光絶縁体
7 蓄電部
10 放射線画像検出器
30 チャージアンプ
2 記録用光導電層
3 電荷輸送層
4 読取用光導電層
5 第2の電極層
5a 第1の線状電極
5b 透明線状電極
5c 遮光膜
5d 第2の線状電極
6 線状遮光絶縁体
7 蓄電部
10 放射線画像検出器
30 チャージアンプ
Claims (2)
- 放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射により電荷を発生し、該発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光の照射により電荷を発生する光導電層と、前記読取光を透過する複数の第1の線状電極と前記読取光を遮光する第2の線状電極とが所定の間隔を空けて平行に交互に配列された電極層とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、
前記第2の線状電極の長さ方向に延びる側端面上に、前記読取光を遮光する線状遮光絶縁体が設けられており、
前記線状遮光絶縁体が、前記第1の線状電極と前記第2の線状電極との間隔よりも小さい幅を有するものであることを特徴とする放射線画像検出器。 - 前記光導電層が、前記電荷蓄積層に残留した残留電荷を消去するための消去光の照射により電荷を発生するものであり、
前記線状遮光絶縁体が、前記消去光を透過するものであることを特徴とする請求項1記載の放射線画像検出器。
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JP2009212377A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 |
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- 2005-05-23 JP JP2005149591A patent/JP2006332111A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061209 |
|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |