CN114822436A - 一种带光电检测功能的液晶书写装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种带光电检测功能的液晶书写装置及方法，包括：处理器，以及与处理器连接的检测单元和切换开关；所述检测单元用于检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域；所述处理器用于控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。通过对黑板源极电流检测判断黑板是否受到擦除件照射，以便对所需擦除区域的TFT和导电层进行对应电压的切换，不通过无线通信模块进行通信，不需要擦除件与液晶书写装置的匹配，提高了擦除区域定位的速度和效率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶书写技术领域，特别是涉及一种带光电检测功能的液晶书写装置及方法。
背景技术
本部分的陈述仅仅是提供了与本发明相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。
在专利号CN112684618B的发明专利公开了利用光照实现对液晶书写装置局部擦除的技术方案，其中，液晶书写装置包括自上而下依次设置的导电层、双稳态液晶层和基底层；其中，导电层可以不分割，在基底层上阵列状排布若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与像素电极连接的薄膜场效应晶体管TFT(以下简称TFT)；为TFT的栅极施加设定的控制电压，为TFT的源极施加设定的输入电压，使得TFT处于临界状态；为导电层施加设定的电压；此时，通过光擦除件为需要擦除的区域施加设定强度范围内的光照，能够使得接收到光照的区域内的TFT导通，从而为相应的像素电极输入设定的电压，当该像素电极与导电层之间充电至达到液晶的擦除电压时，能够实现局部擦除。
而已有的控制液晶书写装置启动擦除功能的方法是通过擦除件与液晶书写装置的无线通信，液晶书写装置通过接收擦除件发送的无线信号，从而启动擦除功能；但是这需要擦除件首先与液晶书写装置进行配对后，建立通信通道，而针对不同的液晶书写装置，擦除件需要依次配对。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了一种带光电检测功能的液晶书写装置及方法，通过对TFT源极电流检测判断TFT是否受到擦除件照射，以便对所需擦除区域的TFT和导电层进行对应电压的切换，不通过无线通信模块进行通信，不需要擦除件与液晶书写装置的配对，提高了擦除区域定位的速度和效率。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供一种带光电检测功能的液晶书写装置，包括：处理器，以及与处理器连接的检测单元和切换开关；
所述检测单元用于检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域；
所述处理器用于控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。
作为可选择的实施方式，所述处理器通过控制对TFT源极施加检测电压，以切换为检测状态。
作为可选择的实施方式，处于临界状态的TFT的电流或电压发生变化时，处理器控制切换至擦除状态以进行加电。
作为可选择的实施方式，在设定的擦除时间完成擦除动作后，检测到TFT的电流或电压发生变化，判断擦除件离开后，处理器控制切换至放电状态。
作为可选择的实施方式，将整个板面区域进行分区，对每部分依次进行处于临界状态的TFT的电流或电压的变化检测。
作为可选择的实施方式，分区后，若光擦除件照射在某一区域时，通过检测该区域下TFT源极的电流或电压变化，以确定擦除区域；
若光擦除件覆盖多个区域时，则所覆盖每个区域TFT经光照后的电流或电压变化都能检测到变化。
作为可选择的实施方式，所述切换开关采用高压切换开关。
作为可选择的实施方式，通过在基底层和导电层分别引出电极线，用以连接为基底层和导电层提供所需电压的升压电路。
作为可选择的实施方式，对TFT的电流或电压变化的检测持续进行，通过设定检测时间或通过设置按键方式，启动检测。
第二方面，本发明提供一种利用第一方面所述的带光电检测功能的液晶书写装置的工作方法，包括：
对TFT源极施加检测电压，以检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以此确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域的位置；
控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提出一种带光电检测功能的液晶书写装置及方法，通过对TFT源极电流检测判断TFT是否受到擦除件照射，以便对所需擦除区域的TFT和导电层进行对应电压的切换，不通过无线通信模块进行通信，不需要擦除件与液晶书写装置的配对。利用TFT光照敏感的特性，让TFT处于临界状态，光擦除件施加光照强度后，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，以确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域，从而控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，极大提高了擦除区域定位的速度和效率。
本发明附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
图1为本发明实施例1提供的带光电检测功能的液晶书写装置的示意图；
图2为本发明实施例1提供的TFT的接线示意图；
图3为本发明实施例1提供的电源电路示意图；
图4为本发明实施例1提供的导电层电压驱动电路示意图；
图5为本发明实施例1提供的栅极电压驱动电路示意图；
图6为本发明实施例1提供的负电压接入示意图；
图7为本发明实施例1提供的源极电压驱动电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明做进一步说明。
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实施例1
本实施例提供一种带光电检测功能的液晶书写装置，所述液晶书写装置包括：自上往下依次设置的导电层、双稳态液晶层和基底层。其中，导电层可以不分割，基底层上集成有若干像素单元，像素单元呈阵列式排布，每个像素单元内设有像素电极以及与像素电极连接的TFT；TFT的导通能够为与其连接的像素电极提供电压；
如图1所示，所述液晶书写装置还包括：处理器，以及与处理器连接的检测单元和切换开关；所述检测单元用于检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域；所述处理器用于控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。
在本实施例中，通过控制加载在TFT栅极和源极的电压，使其处于临界状态，然后通过对TFT源极施加一个检测电压，以检测TFT源极的电流或电压是否会发生变化，若TFT源极的电流或电压发生变化，则说明有光照感应电流流过TFT，以此确定光照区域。
在利用光照实现局部擦除的过程中：
通过为TFT的栅极施加设定的控制电压，为TFT的源极施加设定的输入电压，使得TFT处于临界状态；
光擦除件施加光照后，光照区域所在的TFT会由于光照感应电流的流入，而产生电流或电压的变化；所以通过检测TFT源极的电流或电压是否发生变化，可以确定擦除区域，由于此时源极和导电层的电压差较低，不会引起擦除动作；
改变源极和导电层的电压并使TFT处于临界状态，受到擦除件光照区域的TFT导通，以使像素电极与导电层之间产生电压差，且该电压差能够达到液晶的局部擦除电压，从而实现对光照照射区域的局部擦除。
在擦除结束后，光擦除件不再施加光照，光照区域所在的TFT会由于光照感应电流的撤销，而再次产生电流或电压的变化，此时对TFT源极的电流或电压的检测仍在持续，当检测该擦除区域的TFT源极电流或电压变化时，撤销施加在导电层和基底层的电压。
由此，在检测到TFT源极电流或电压变化时，在擦除状态和擦除结束的放电状态下，需要对导电层和基底层的电压进行选择，因此本实施例通过切换开关对导电层和基底层的电压进行切换，以满足所需的检测状态、擦除加电状态和放电状态。
在本实施例中，在检测的TFT的电流或电压是否发生变化时，对TFT源极施加检测电压VCC，对TFT栅极施加电压-VGL1，对导电层接地，TFT切换为检测状态；在检测状态下，检测单元通过电流信号处理，在检测到TFT的电流或电压发生变化时，处理器通过控制切换开关切换为擦除状态。
在擦除状态下，对TFT栅极施加电压-VGL2，对TFT源极施加电压0V，对导电层施加电压VSON，这样受到擦除件照射区域的TFT在导电层与像素电极之间形成电压差|-VSON|，引起该区域被擦除。
(3)擦除完成后，在检测到光照感应电流的撤销后，切换为放电状态，在放电状态下，对TFT栅极施加电压VGON，对TFT源极施加电压VSON，对导电层施加电压VSON；或，对TFT栅极施加电压VGON，对TFT源极施加电压0V，对导电层施加电压0V，这样在导电层与像素电极之间无电压差；
此时，根据设定的放电时间完成放电，放电结束后，可继续进行TFT源极电流或电压变化的检测。
作为可选择的一种实施例方式，所述擦除时间和放电时间可根据半导体工艺、光擦除件的光照度、环境光照度等进行设定。
在本实施例中，所以为了更精准的检测电流变化，将整个板面区域进行分区，划分为多个部分，每部分可包括若干个TFT，对每部分依次进行TFT源极电流或电压的变化。
作为可选择的一种实施例方式，所述分区根据TFT的敏感度、光擦除件的大小设定，以能够明显检测到TFT源极电流或电压变化为准。
作为可选择的一种实施例方式，分区后，若光擦除件照射在某一区域时，通过检测该区域下TFT源极电流或电压变化，可确定擦除区域；
若光擦除件覆盖了多个区域时，则每个区域都可检测到源极电流变化。
作为可选择的一种实施例方式，对TFT源极电流或电压变化的检测可持续进行，检测到变化时，即可通过切换开关进行TFT和导电层进行对应电压的切换。
作为可选择的一种实施例方式，通过设定检测时间，启动对TFT源极电流或电压变化的检测。
作为可选择的一种实施例方式，在液晶书写装置设置按键，通过按键启动对TFT源极电流或电压变化的检测；可以理解的，按键启动后，处理器控制切换开关切换至检测状态，将检测电压施加至TFT源极。
作为一种可选的实施方式，所述切换开关采用高压切换开关；本实施例提供可采用的型号，即MAX6922、PT6392等，但并不局限于此。
可以理解的，对切换开关还可以采用其他任何能够实现的形式的电路结构，只要能够实现TFT栅极、TFT源极和导电层的电压切换即可，本领域技术人员可以根据具体工况进行电路设计或者选择，这里不再赘述。
可以理解的，检测单元可以采用其他任何能够实现的形式的电路结构，只要能够实现电流或电压的变化即可，本领域技术人员可以根据具体工况进行电路设计或者选择，这里不再赘述。
可以理解的，TFT处于临界截止状态时，为栅极和源极施加的电压需要结合TFT自身的工艺特性以及所施加的光照强度范围确定，本领域技术人员可以结合实际需要通过试验来进行选择。
作为一种可选的实施方式，如图2所示给出TFT的接线示意图，第一极板代表基底层上TFT连接的像素电极区域；第二极板代表导电层；在本实施例中，通过在基底层和导电层分别引出电极线，用以连接能够提供基底层和导电层所需电压的升压电路和切换开关。
作为一种可选的实施方式，所述切换开关还可采用基于双极性晶体管、MOS管、IGBT、集成电路等进行电路设计；当然，本领域技术人员也可以根据实际需要选取其他的开关元件。
作为一种可选的实施方式，所述升压电路可以采用其他任何能够实现电压驱动的电路结构，只要能够实现基底层和导电层各类电压的切换即可，本领域技术人员可以根据具体工况进行电路设计或者选择。
本实施例以双极性晶体管为例，进行对升压电路和切换开关设计说明，但只是作为示例性说明，不做具体限定。
具体地，包括：与处理器连接的升压电路与切换开关，所述升压电路与切换开关连接，所述切换开关与TFT基板连接，所述处理器控制升压电路和切换开关形成施加在TFT栅极的第一电压和TFT源极的第二电压，以使TFT处于临界状态；
然后，所述检测单元用于检测TFT电流或电压是否发生变化，若某一区域发生变化，则说明是光擦除件欲擦除区域，从而确定擦除区域；
继而，所述处理器控制驱动电路为TFT和导电层施加电压，以使得像素电极与导电层之间的电压差能够达到液晶的局部擦除电压。
可以理解的，也可以根据需要仅为设定的部分TFT施加第一电压和第二电压，使其处于临界状态；这种情况下，检测模块只检测该部分的TFT。
在本实施例中，如图3所示，还包括电源，所述电源至少包括两路电源输出端口和一路电源输入端口；其中，电源输入端口与处理器的某一通信端口连接，两路电源输出端口分别为用于连接源极电压驱动电路的VSON和用于连接栅极电压驱动电路的VGON；可通过PWM调制法调制三路电源输出端口输出所需电压。
在本实施例中，所述升压电路包括源极电压驱动电路、栅极电压驱动电路和导电层电压驱动电路；每个电压驱动电路均与处理器相应的通信端口连接，以使各个电压驱动电路输出所需电压。
在本实施例中，如图4所示，所述导电层电压驱动电路至少包括两路接入端口和两路通信端口；其中，至少一路接入端口连接电源的端口VSON，至少一路接入端口接地；两路通信端口连接处理器，用于分别触发上述两路接入端口的导通，通信端口P2用于触发接入电源端口VSON的第一接入端口的导通，通信端口P1用于触发接地端口的导通；以实现导电层电压驱动电路中各个接入端口连接的切换。
所述导电层电压驱动电路的输出端与导电层连接，通过切换接入端口的连接，调节输入至导电层的电压。
在本实施例中，所述导电层电压驱动电路至少包括第一导电层子电路和第二导电层子电路，且均与处理器连接；其中，第一导电层子电路用于给导电层提供电压，第二导电层子电路用于将导电层接地。
在本实施例中，所述第一导电层子电路至少包括第一通信端口P2和第一接入端口；第一接入端口与电源输出端口VSON连接，第一通信端口P2与处理器连接。
所述第一导电层子电路至少包括第一三极管Q6B和第二三极管Q4A，处理器的通信端口P2通过至少一个第一电阻与第一三极管Q6B的基极连接，第一三极管Q6B的基极通过至少一个第二电阻接地，第一三极管Q6B的发射极接地；
第一三极管Q6B的集电极通过至少一个第三电阻R15与第二三极管Q4A的基极连接，第二三极管Q4A的基极通过至少一个第四电阻R11与第二三极管Q4A的发射极连接，第二三极管Q4A的发射极与电源输出端口VSON连接，第二三极管Q4A的集电极通过至少一个第五电阻R19与导电层连接，第二三极管Q4A的集电极通过至少一个第五电阻R19与第一二极管D2的负极连接，第一二极管D2的正极接地。
所述第二导电层子电路至少包括第二通信端口P1和第二接入端口；第二接入端口接地，第二通信端口P1与处理器连接。
所述第二导电层子电路至少包括第三三极管Q13，处理器的通信端口P1通过至少一个第六电阻R37与第三三极管Q13的基极连接，第三三极管Q13的集电极用于与导电层连接，第三三极管Q13的发射极接地。
在本实施例中，所述栅极电压驱动电路至少包括两路接入端口和两路通信端口；其中，至少一路接入端口连接电源端口VGON，至少一路接入端口接入负电压；两路通信端口连接处理器，用于分别触发上述两路接入端口的导通，以实现栅极电压驱动电路中各个接入端口连接的切换。所述栅极电压驱动电路的输出端与TFT栅极连接，通过切换接入端口的连接，调节输入至TFT栅极的电压。
在本实施例中，由于对板面区域进行了分区，所以每区的栅极电压驱动电路结构一致，以其中一组为例进行说明，如图5所示，栅极电压驱动电路至少包括第一栅极子电路和第二栅极子电路，且均与处理器连接。
在本实施例中，所述第一栅极子电路至少包括第三通信端口P3和第三接入端口；第三接入端口与电源输出端口VGON连接，第三通信端口P3与处理器连接。
所述第一栅极子电路至少包括第四三极管Q2A和第五三极管Q1A，处理器的通信端口P3通过至少一个第七电阻与第四三极管Q2A的基极连接，第四三极管Q2A的基极通过至少一个第八电阻接地，第四三极管Q2A的发射极接地；
第四三极管Q2A的集电极通过至少一个第九电阻R3与第五三极管Q1A的基极连接，第五三极管Q1A的基极通过至少一个第十电阻R2与第五三极管Q1A的发射极连接，第五三极管Q1A的发射极与电源输出端口VGON连接，第五三极管Q1A的集电极通过至少一个第十一电阻R5与TFT栅极连接。
在本实施例中，所述第二栅极子电路至少包括第四通信端口P4和第四接入端口；第四接入端口接入负电压，第四通信端口P4与处理器连接。
所述第二栅极子电路至少包括第六三极管Q3和第一光耦-光电晶体管U13，处理器的通信端口P4通过至少一个第十二电阻R7与第一光耦-光电晶体管U13的阴极连接，第一光耦-光电晶体管U13的阳极接入电源，第一光耦-光电晶体管U13的集电极接地，第一光耦-光电晶体管U13的发射极通过至少一个第十三电阻R12与第六三极管Q3的基极连接，第六三极管Q3的集电极与TFT栅极连接；第六三极管Q3的基极通过第十四电阻R9连接负电压，第六三极管Q3的发射极连接负电压；其中，所连负电压如图6所示。
在本实施例中，所述源极电压驱动电路至少包括三路接入端口和三路通信端口；其中，至少一路接入端口连接检测电压，至少一路接入端口连接电源端口VSON，至少一路接入端口接地；三路通信端口连接处理器，用于分别触发上述三路接入端口的导通，以实现源极电压驱动电路中各个接入端口连接的切换。所述源极电压驱动电路的输出端与TFT源极连接，通过切换接入端口的连接，调节输入至TFT源极的电压。
在本实施例中，由于对板面区域进行了分区，所以每区的源极电压驱动电路结构一致，以其中一组为例进行说明，如图7所示，源极电压驱动电路至少包括第一源极子电路、第二源极子电路和第三源极子电路，且均与处理器连接；其中，第一源极子电路和第二源极子电路用于给TFT源极提供电压，第三源极子电路用于将TFT源极接地。
在本实施例中，所述第一源极子电路至少包括第五通信端口P9和第五接入端口；第五接入端口接入检测电压，第五通信端口P9与处理器连接。
所述第一源极子电路至少包括第七三极管Q19A和第八三极管Q18A，处理器的通信端口P9通过至少一个第十五电阻与第七三极管Q19A的基极连接，第七三极管Q19A的基极通过至少一个第十六电阻接地，第七三极管Q19A的发射极接地；
第七三极管Q19A的集电极通过至少一个第十七电阻R51与第八三极管Q18A的基极连接，第八三极管Q18A的基极通过至少一个第十八电阻R49与第八三极管Q18A的发射极连接，第八三极管Q18A的发射极接入检测电压VCC，第八三极管Q18A的集电极通过至少一个第十九电阻R53与电流检测端ADS1连接，电流检测端ADS1通过切换开关连接处理器或直接与处理器连接；
第八三极管Q18A的集电极通过至少一个第十九电阻R53与第二二极管D16的正极连接，第二二极管D16的负极与TFT源极连接，第二二极管D16的负极连接第三二极管D10的负极，第三二极管D10的正极接地。
在本实施例中，所述第二源极子电路至少包括第六通信端口P10和第六接入端口；第六接入端口与电源输出端口VSON连接，第六通信端口P10与处理器连接。
所述第二源极子电路至少包括第九三极管Q19B和第十三极管Q18B，处理器的通信端口P10通过至少一个第二十电阻与第九三极管Q19B的基极连接，第九三极管Q19B的基极通过至少一个第二十一电阻接地，第九三极管Q19B的发射极接地；
第九三极管Q19B的集电极通过至少一个第二十二电阻R58与第十三极管Q18B的基极连接，第十三极管Q18B的基极通过至少一个第二十三电阻R56与第十三极管Q18B的发射极连接，第十三极管Q18B的发射极与电源输出端口VSON连接，第十三极管Q18B的集电极通过至少一个第二十四电阻R60与TFT栅极连接。
在本实施例中，所述第三源极子电路至少包括第七通信端口P11和第七接入端口；第七接入端口接地，第七通信端口P11与处理器连接。
所述第三源极子电路至少包括第十一三极管Q25，处理器的通信端口P11通过至少一个第二十五电阻R66与第十一三极管Q25的基极连接，第十一三极管Q25的集电极与TFT栅极连接，第十一三极管Q25的发射极接地。
可以理解的，对TFT源极、TFT栅极和导电层电压的控制可以采用其他任何能够实现的形式的电路结构，只要能够实现各个端口连接的切换即可，本领域技术人员可以根据具体工况进行电路设计或者选择，这里不再赘述。
实施例2
本实施例提供实施例1所述的带光电检测功能的液晶书写装置的工作方法，包括：对TFT源极施加检测电压，以检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以此确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域的位置；控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (10)
1.一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，包括：处理器，以及与处理器连接的检测单元和切换开关；
所述检测单元用于检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域；
所述处理器用于控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。
2.如权利要求1所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，所述处理器通过控制对TFT源极施加检测电压，以切换为检测状态。
3.如权利要求1所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，处于临界状态的TFT的电流或电压发生变化时，处理器控制切换至擦除状态以进行加电。
4.如权利要求3所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，在设定的擦除时间完成擦除动作后，检测到TFT的电流或电压发生变化，判断擦除件离开后，处理器控制切换至放电状态。
5.如权利要求1所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，将整个板面区域进行分区，对每部分依次进行处于临界状态的TFT的电流或电压的变化检测。
6.如权利要求5所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，分区后，分区后，若光擦除件照射在某一区域时，通过检测该区域下TFT源极的电流或电压变化，以确定擦除区域；
若光擦除件覆盖多个区域时，则所覆盖每个区域TFT经光照后的电流或电压变化都能检测到变化。
7.如权利要求1所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，所述切换开关采用高压切换开关。
8.如权利要求1所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，通过在基底层和导电层分别引出电极线，用以连接为基底层和导电层提供所需电压的升压电路。
9.如权利要求1所述的一种带光电检测功能的液晶书写装置，其特征在于，对TFT的电流或电压变化的检测持续进行，通过设定检测时间或通过设置按键方式，启动检测。
10.一种带光电检测功能的液晶书写装置的工作方法，其特征在于，包括：
对TFT源极施加检测电压，以检测处于临界状态的TFT的电流或电压是否发生变化，以此确定是否受到擦除件照射及受到照射的欲擦除区域的位置；
控制切换开关对欲擦除区域所在的TFT和导电层进行对应电压的切换，以实现擦除和/或放电。
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