JP3738837B2 - 交互ストライプ電極およびその製造方法 - Google Patents
交互ストライプ電極およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3738837B2 JP3738837B2 JP2002017941A JP2002017941A JP3738837B2 JP 3738837 B2 JP3738837 B2 JP 3738837B2 JP 2002017941 A JP2002017941 A JP 2002017941A JP 2002017941 A JP2002017941 A JP 2002017941A JP 3738837 B2 JP3738837 B2 JP 3738837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stripe electrode
- transparent conductive
- conductive film
- electrode
- stripe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、該電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極の製造方法および交互ストライプ電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、医療用放射線撮影等において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電体を有する放射線固体検出器（静電記録体）を感光体として用い、該検出器にＸ線を照射し、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を検出器内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム或いはライン光源で放射線画像情報が記録された検出器を走査することにより、前記検出器から放射線画像情報を読み取る方法が知られている（例えば、米国特許第４５３５４６８号等）。
【０００３】
本願出願人は、特開２０００−２８４０５６号公報において読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しを両立させることを可能ならしめる放射線固体検出器を提案している。この特開２０００−２８４０５６号公報に記載の放射線固体検出器は、記録用の放射線または放射線の励起により発せられる光に対して透過性を有する第１の電極層、記録用の放射線または前記光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部、読取用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取用の電磁波が照射される第２の電極層を、この順に有して成り、第２の電極層が、読取用の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、読取用の電磁波を遮光する第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなるものである。
【０００４】
上記放射線固体検出器においては、被写体を透過した放射線が上記放射線固体検出器の第１の電極層に照射され、第１の電極層を透過した放射線の照射により記録用光導電層において放射線の線量に応じた電荷対が発生し、このとき、第１の電極層に負の電圧、第２の電極層に正の電圧が印加されると、負の電荷が蓄電部に潜像電荷として蓄積され、放射線画像が静電潜像として記録される。また、このとき、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とを接続して記録を行うと潜像電荷は両電極に対応する位置の蓄電部に蓄積される。そして、上記放射線固体検出器の第２の電極層に読取用の電磁波が照射されると、この電磁波は第１ストライプ電極を透過して読取用光導電層に照射され、読取用光導電層において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は蓄電部に蓄積された負の電荷と結合し、負の電荷は第１ストライプ電極および第２ストライプ電極に帯電された正電荷と結合することによって潜像電荷の読出しが行なわれる。
【０００５】
上記放射線固体検出器では、上記のように記録によって蓄電部に蓄積せしめられた潜像電荷と逆極性の輸送電荷を第１ストライプ電極だけでなく第２ストライプ電極にも帯電させることが可能となるので、検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させることが可能となる。
【０００６】
ここで、上記のような放射線固体検出器を製造する場合、互いに異なる材料からなる上記第１ストライプ電極と上記第２ストライプ電極を交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極の製造が必要となり、その製造方法としてはフォトリソグラフィー法による製造方法が容易に考えられる。この場合、第１ストライプ電極用の第１マスクおよび第２ストライプ電極用の第２マスクの少なくとも２枚のマスクを用いることにより上記交互ストライプ電極を製造することが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記放射線固体検出器の大きさは４３ｃｍ×４３ｃｍと大面積であり、上記のようにフォトリソグラフィー法を利用した製造方法では大型で、高精度なマスク合わせが可能な露光装置が必要となる。さらに、低コスト化のために上記放射線固体検出器を一度に複数枚製造するような場合には、上記交互ストライプ電極を形成するためにさらに大型な露光装置が必要となる。また、このような多面取りを行なわず１枚取りで製造した場合には歩留まりが悪くコストが高くなるだけでなく、個々の放射線固体検出器の特性バラツキが大きくなるという欠点もある。
【０００８】
また、上記交互ストライプ電極を有する放射線固体検出器において上記のような潜像電荷の読み出しを行なう際には、第１ストライプ電極または第２ストライプ電極のいずれか一方に電流検出アンプなどを接続し、他方のストライプ電極の電位を基準電位として読み出しが行われるが、このとき他方のストライプ電極の各線状電極の基準電圧がバラツキをもつと読み出される電気信号にも影響が及ぶ。
【０００９】
さらに、上記のような基準電位のバラツキをなくすため交互ストライプ電極の第１のストライプ電極または第２ストライプ電極を共通電極とする場合には、各線状電極を接続する製造過程が新たに必要となる。
【００１０】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、上記交互ストライプ電極を製造する場合において、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能であり歩留りの向上、コストの低減を図ることができる交互ストライプ電極製造方法および上記基準電位にバラツキを生じることのない交互ストライプ電極を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法は、所定の電磁波に対して透過性を有する支持体の上面に、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成することを特徴とする。
【００１２】
ここで、上記「支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成する」とは、透明導電膜を支持体の上面および第２ストライプ電極の上面の全表面もしくは一部を除いた（例えば、第２ストライプ電極のコンタクト部）表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明導電膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１３】
また、上記「透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成する」とは、レジスト膜を透明導電膜の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしもレジスト膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１４】
本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法は、所定の電磁波を有する支持体の上面に、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成し、透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明絶縁膜および透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第１ストライプ電極を形成することを特徴とする。
【００１５】
ここで、上記「支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成する」とは、透明絶縁膜を支持体の上面および第２ストライプ電極の上面の全表面もしくは一部を除いた（例えば、第２ストライプ電極のコンタクト部）表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明絶縁膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１６】
また、上記「透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成する」とは、透明導電膜を透明絶縁膜の全表面もしくは一部を除いた表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明導電膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１７】
また、上記「透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成する」とは、レジスト膜を透明導電膜の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしもレジスト膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１８】
また、上記「透明絶縁膜」とは、上記所定の電磁波を透過するとともに、上記第２ストライプ電極と上記透明導電膜から形成される第１ストライプ電極とを電気的に絶縁するためのものである。
【００１９】
また、上記第１および第２の交互ストライプ電極製造方法においては、レジストパターンに熱処理を施した後、エッチングを行なうようにすることもできる。
【００２０】
ここで、上記「熱処理」はレジストパターンを熱により収縮させるための処理であり、この処理により後述するアンダーエッチングの処理をより効率良く施すことができる。
【００２１】
本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法は、所定の電磁波に対して透過性を有する支持体の上面に、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、支持体の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に第２ストライプ電極を形成し、透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンと第２ストライプ電極との間に間隔を設け、透明導電膜を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成することを特徴とする。
【００２２】
ここで、上記「支持体の上面に透明導電膜を一様に形成する」とは、透明導電膜を支持体の上面の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明導電膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一にする必要はない。
【００２３】
また、上記「透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し」とは、レジスト膜を透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしもレジスト膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００２４】
また、上記「間隔生成処理」とは、レジストパターンと第２ストライプ電極との間に間隔を設け、その間隔部分の透明導電膜の表面を露出させ、透明導電膜をエッチングすることが可能な状態にする処理であれば如何なる処理でもよく、例えば、上記熱処理とすることができる。
【００２５】
ここで、上記第１および第３の交互ストライプ電極製造方法において、上記「第２ストライプ電極と透明導電膜を分離する」とは、物理的に第２ストライプ電極と第１ストライプ電極を形成する透明導電膜とが分離した状態であり、また、電気的にも第２ストライプ電極と第１ストライプ電極を形成する透明導電膜とが絶縁されている状態にすることを意味する。
【００２６】
また、上記第１から第３の交互ストライプ電極製造方法において、上記「所定の電磁破」とは、上記第１ストライプ電極を透過する電磁波であるとともに上記レジスト膜を感光する電磁破である。
【００２７】
また、上記「所定の電磁波を透過する」とは、必ずしも全ての所定の電磁波を透過する必要はなく、上記レジスト膜を感光できる程度透過すればよい。
【００２８】
また、同様に、上記「所定の電磁波を遮光する」とは、必ずしも全ての所定の電磁波を遮光しなくてもよく、上記レジスト膜が感光されない程度に遮光すればよい。
【００２９】
また、上記「透明導電膜」とは、上記第１ストライプ電極を形成するためのものであり、上記所定の電磁波を透過するとともに導電性を有して電極として機能するものである。
【００３０】
また、上記「エッチング」は、アンダーエッチングとすることができる。
【００３１】
ここで、上記「アンダーエッチング」とは、例えば、図５に示すようにレジストパターン１８ａの縁からエッチング液が、レジストパターン１８ａの下へ回り込んで、横方向にも透明導電膜１６のエッチングが進む現象である。この現象により第２ストライプ電極の線状電極１２ａと第１ストライプ電極を形成する透明導電膜１６とが分離されることになる。
【００３２】
また、上記のようにアンダーエッチングを行なうような場合、例えば、透明導電膜としてＩＴＯ膜のような微結晶の材料を利用すると、透明導電膜全体においてアンダーエッチングの進行速度にばらつきがでやすく、エッチングが十分でない部分で第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間でショートしたり、また、エッチングの進行速度が速い部分では第１ストライプ電極や第２ストライプ電極が断線してしまったりして、大面積で特性が均一な交互ストライプ電極を作成することが困難である。
【００３３】
従って、透明導電膜は、完全アモルファスな材料により形成するようにすることが望ましい。
【００３４】
ここで、上記「完全アモルファス」とは、実質的に完全アモルファスであることを意味し、「完全アモルファスな材料」とは、例えば、ＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ：出光興産など）やスパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜などがあるが、完全アモルファスな組成であればその他の材料を使用してもよい。
【００３５】
また、上記アンダーエッチングを行なうような場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしないように、もしくは第１および第２ストライプ電極間で相互にノイズなどの悪影響をおよぼさない程度に間隔を形成する必要がある。一方、あまりアンダーエッチングの進行させると透明導電膜における小さなキズなどあった場合に、このようなキズも大きくすることになり断線などの弊害を生じてしまう。従って、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間には１μｍ以上７μｍ以下の間隔を形成することが好ましく、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔である。
【００３６】
本発明による交互ストライプ電極は、所定の電磁波を透過する支持体の上面に形成される所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極において、第１ストライプ電極の各線状電極の端部が接続されて共通電極になっていることを特徴とするものである。
【００３７】
【発明の効果】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）ショート欠陥のない高精度な交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能で歩留りの向上、コストの低減を図ることができる。
【００３８】
また、本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成し、透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明絶縁膜および透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極製造方法と同様の効果が得られるとともに、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との絶縁性をさらに向上することができる。
【００３９】
また、本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に第２ストライプ電極を形成し、透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンと第２ストライプ電極との間に間隔を設け、透明導電膜を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極およびその製造方法と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
また、透明導電膜として、完全アモルファスな材料、例えば、ＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ）：出光興産（株）など）を利用して形成した場合には、アンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができる。また、第１ストライプ電極のエッジがスムーズになり、電極エッジからの電荷注入を低減することができる。また、上記のようにアンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができるので、深いアンダーエッチング（例えば、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間を１０μｍの距離で分離する）も可能となる。
【００４１】
さらに、ＩＺＯではなく、スパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜を利用して透明導電膜を形成した場合には、アルカリにも強い第１ストライプ電極を作成することができる。
【００４２】
また、アンダーエッチングにより第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間に１μｍ以上７μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔を形成するようにした場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしたり、第１および第２ストライプ電極間でノイズなどの悪影響を及ぼすことを回避することができ、また、アンダーエッチングの過度の進行による断線などの弊害を回避することができる。
【００４３】
また、本発明による交互ストライプ電極によれば、第１ストライプ電極の各線状電極の端部が接続されていて共通電極となるようにしたので、特別にその接続のための工程を付加する必要がなく、製造コストの削減を図ることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の交互ストライプ電極製造方法の具体的な実施の形態を図面を参照して説明する。図１から図５は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第１の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図であり、図６は本実施の形態により製造された交互ストライプ電極を示す図である。
【００４５】
本実施の形態の交互ストライプ電極製造方法は、まず、ガラス基板１０上に多数の線状電極１２ａからなる第２ストライプ電極１２を形成する。その製造過程は一般的なフォトリソグラフィ法を利用するものであり、以下にその説明する。図１（１）に示すようにガラス基板１０の上面にＣｒ膜１３を略０．１μｍの厚さで蒸着により形成する。そして、そのＣｒ膜１３の上面全体にレジスト１４を塗布し（図１（２））、第２ストライプ電極１２の形状に応じたマスク１６を使用して紫外線を露光する（図１（３））し、現像、洗浄（リンス）処理を施してＣｒ膜１３の上面に第２ストライプ電極１２の形状に応じたレジストパターン１４ａを形成する（図１（４））。そして、Ｃｒ膜１３にエッチング処理を施し（図１（５））、レジストを除去することにより、第２ストライプ電極１２がガラス基板１０上に形成される（図１（６））。なお、上記のようにして形成される第２ストライプ電極１２の各線状電極１２ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極１２ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図２に示すように各線状電極１２ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部１２ｂが設けられるよう形成される。
【００４６】
次に、この第２ストライプ電極１２が形成されたガラス基板１０の上面に図３（Ａ）に示すように各線状電極１２ａのコンタクト部１２ｂを避けるようにして透明導電膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））１６を一様に形成する。図３（Ａ）においてコンタクト部１２ｂを除いて透明導電膜１６が形成された部分の断面図を図３（Ｂ）に示す。透明導電膜１６を形成する方法としては真空蒸着法やディップ法などがある。コンタクト部１２ｂを避けて透明導電膜１６を形成するには、真空蒸着法（ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱蒸着など）を用いる場合には、蒸着マスクを利用しコンタクト部１２ｂをマスクして形成すればよく、また、ガラス基板全面に透明導電膜１６を形成した後、コンタクト部１２ｂのみ透明導電膜１６をエッチングして除去するようにしてもよい。
【００４７】
そして、図４（１）に示すように透明導電膜１６の上面にネガレジスト１８を一様に塗布する。次に、図４（２）に示すようにガラス基板１０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板１０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極１２には遮光されて透明導電膜１６は透過してネガレジスト１８に露光される。感光されたネガレジスト１８に現像処理、洗浄処理が施されることにより第２ストライプ電極１２の形状に応じたレジストパターン１８ａが形成される（図４（３））。さらに、このレジストパターン１８ａに熱処理が施され、図４（４）に示すようにレジストパターン１８ａは収縮して円弧状に形成される。なお、このレジストパターン１８ａに施されれる熱処理は、後述するアンダーエッチングの効果をより得るために施されるものである。
【００４８】
次に、第２ストライプ電極１２の各線状電極１２ａと透明導電膜１６とが分離するまで透明導電膜１６のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものであり、アンダーエッチングとは、図５に示すようにレジストパターン１８ａがない部分の縁からエッチング液がレジストパターン１８ａの下へ回り込んで、横方向にもエッチングが進む現象である。このアンダーエッチングは一般的には集積回路の微細化に伴って生じる現象であり、集積回路の製造には寸法精度を悪化させるため好ましくない現象であるが、本実施の形態においては、第２ストライプ電極１２の線状電極１２ａと透明導電膜１６とを分離させるため積極的にこの現象を利用している。
【００４９】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより図６に示すように第２ストライプ電極１２と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極１６が交互に略平行に配列された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、図６に示すように第１ストライプ電極１６はその一端が接続され共通電極となって形成される。
【００５０】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体１０の上面に第２ストライプ電極１２を形成し、支持体１０の上面および第２ストライプ電極１２の上面に透明導電膜１６を一様に形成し、透明導電膜１６の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜１８を一様に形成し、所定の電磁波を支持体１０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極１２には遮光され透明導電膜１８は透過してレジスト膜１８が感光されることにより、第２ストライプ電極１２に応じたレジストパターン１８ａを形成し、レジストパターン１８ａに応じて透明導電膜１６をエッチングすることにより第２ストライプ電極１２と透明導電膜１６を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）ショート欠陥のない高精度な交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能で歩留りの向上、コストの低減を図ることができる。
【００５１】
次に、本発明の交互ストライプ電極製造方法の第２の実施の形態を図面を参照して説明する。図７から図１０は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第２の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図であり、図１１は本実施の形態により製造された交互ストライプ電極を示す図である。なお、第１の実施の形態と同様の処理についてはその詳細は省略して説明を行なう。
【００５２】
まず、第１の実施の形態における図１の（１）から（６）までに示した処理と同様の処理を施すことにより、ガラス基板５０上に多数の線状電極１２ａからなる第２ストライプ電極５２を形成する。なお、上記のようにして形成される第２ストライプ電極５２の各線状電極５２ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極１２ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図７に示すように各線状電極５２ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部５２ｂが設けられるよう形成される。
【００５３】
次に、この第２ストライプ電極５２が形成されたガラス基板１０の上面に図７（Ａ）に示すように各線状電極５２ａのコンタクト部５２ｂを避けるようにして透明絶縁膜（ＳｉＯ２）５４を一様に形成する。図７（Ａ）においてコンタクト部５２ｂを除いて透明絶縁膜５４が形成された部分の断面図を図７（Ｂ）に示す。透明絶縁膜５４を形成する方法としては真空蒸着法やディップ法などがある。コンタクト部５２ｂを避けて透明絶縁膜５４を形成するには、真空蒸着法（ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱蒸着など）を用いる場合には、蒸着マスクを利用しコンタクト部５２ｂをマスクして形成すればよく、また、ガラス基板全面に透明絶縁膜５４を形成した後、コンタクト部５２ｂのみ透明絶縁膜５４をエッチングして除去するようにしてもよい。
【００５４】
そして、上記のようにして形成された透明絶縁膜５４の表面に透明導電膜５６を一様に形成する（図８（Ａ）は斜視図、図８（Ｂ）は断面図である）。このとき、図８（Ａ）に示すように透明導電膜５６の一端と透明絶縁膜５４の一端は間隔ａを空けてずらして形成される。
【００５５】
次に、図９（１）に示すように透明導電膜５６の上面にネガレジスト５８を一様に塗布する。次に、図９（２）に示すようにガラス基板５０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板５０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極５２には遮光されて透明絶縁膜５４および透明導電膜５６は透過してネガレジスト５８に露光される。感光されたネガレジスト５８に現像処理、洗浄処理が施されることにより第２ストライプ電極５２の形状に応じたレジストパターン５８ａが形成される（図９（３））。さらに、このレジストパターン５８ａに熱処理が施され、図９（４）に示すようにレジストパターン５８ａは収縮して円弧状に形成される。なお、このレジストパターン５８ａに施されれる熱処理は、後述するアンダーエッチングの効果をより得るために施されるものである。
【００５６】
次に、透明導電膜５６が各線状電極に分離するまで透明導電膜５６のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものである（図１０）。
【００５７】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより図１１に示すように第２ストライプ電極と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極が交互に略平行に配列され、かつ第２ストライプ電極５２および第１ストライプ電極５６の各線状電極が透明絶縁膜５４により電気的に絶縁された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、図１１に示すように第１ストライプ電極５６はその一端が接続され共通電極となって形成される。
【００５８】
本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体５０の上面に第２ストライプ電極５２を形成し、支持体５０の上面および第２ストライプ電極５２の上面に透明絶縁膜５４を一様に形成し、透明絶縁膜５４の上面に透明導電膜５６を一様に形成し、透明導電膜５６の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜５８を一様に形成し、所定の電磁波を支持体５０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極５２には遮光され透明絶縁膜５４および透明導電膜５６は透過してレジスト膜５８が感光されることにより、第２ストライプ電極５２に応じたレジストパターン５８ａを形成し、レジストパターン５８ａに応じて透明導電膜５６をエッチングすることにより第１ストライプ電極５２を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極製造方法と同様の効果が得られるとともに、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との絶縁性をさらに向上することができる。
【００５９】
次に、本発明の交互ストライプ電極製造方法の第３の実施の形態を図面を参照して説明する。図１２から図１６は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第３の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図である。なお、第１の実施の形態と同様の処理についてはその詳細は省略して説明を行なう。
【００６０】
本実施の形態の交互ストライプ電極製造方法は、まず、ガラス基板２０上に透明導電膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））２２を形成する（図１２（１））。そして、第１の実施の形態における図１の（１）から（６）までに示した処理と同様の処理を施すことにより、透明導電膜２２の上面に第２ストライプ電極２４が形成される（図１２（２））。なお、第１の実施の形態と同様に、第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極２４ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図１３に示すように各線状電極２４ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部２４ｂが設けられるよう形成される。
【００６１】
次に、この第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａのコンタクト部２４ｂのみを露出し、それ以外を覆うようにテープ等でマスクをし、更に、コンタクト部２４ｂのＣｒパターンをマスクとして透明導電膜２２のエッチング処理を施すことにより、図１４に示すようにコンタクト部２４ｂの周辺の透明導電膜２２を除去する（なお、このとき第１の実施の形態に示したアンダーエッチングは行なわないようにエッチング処理を施す）。
【００６２】
そして、図１５（１）に示すように透明導電膜２２および第２ストライプ電極２４の上面にネガレジスト２６を一様に塗布する。次に、図１５（２）に示すようにガラス基板２０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板２０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極２４には遮光されて透明導電膜２２は透過してネガレジスト２６に露光される。ネガレジスト２６に現像処理、洗浄処理を施すことにより第２ストライプ電極２４の形状に応じたレジストパターン２６ａが形成される（図１５（３））。さらに、このレジストパターン２６ａに熱処理が施され、図１５（４）に示すようにレジストパターン２６ａは収縮して円弧状に形成され、レジストパターン２６ａと第２ストライプ電極２４との間に間隔が設けられることにより、透明導電膜２２が露出し、透明導電膜２２のエッチングが可能となる。
【００６３】
次に、第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａと透明導電膜２２とが分離するまで透明導電膜２２のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものである（図１６）。
【００６４】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより第２ストライプ電極と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極が交互に略平行に配列された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、本実施の形態により製造された交互ストライプ電極は断面は図１６に示すようになるが、上面図は第１の実施の形態と同様に図６に示すようになる。
【００６５】
本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体２０の上面に透明導電膜２２を一様に形成し、透明導電膜２２の上面に第２ストライプ電極２４を形成し、透明導電膜２２の上面および第２ストライプ電極２４の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜２６を一様に形成し、所定の電磁波を支持体２０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極２４には遮光され透明導電膜２２は透過してレジスト膜２６が感光されることにより、第２ストライプ電極２４に応じたレジストパターン２６ａを形成し、レジストパターン２６ａと第２ストライプ電極２４との間に間隔を設け、透明導電膜２２を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターン２６ａに応じて透明導電膜２２をエッチングすることにより第２ストライプ電極２４と透明導電膜２２を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
なお、上記第１から第３の実施の形態により製造される交互ストライプ電極の第２ストライプ電極の材料は、導電性を有するものであればよく、金、銀、白金等の単一金属や、酸化インジウム等の合金などでもよい。
【００６７】
また、透明導電膜のとしてはＩＴＯ膜の他にも、例えば、ネサ皮膜（ＳｎＯ２）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ ：出光興産（株）など））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができる。また、上記のようにＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ）：出光興産（株）など）のような完全アモルファスな材料を利用した場合には、アンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができる。また、上記のようにアンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができるので、深いアンダーエッチング（例えば、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間を１０μｍの距離で分離する）も可能となる。また、第１ストライプ電極のエッジがスムーズになり、電極エッジからの電荷注入を低減することができる。さらに、ＩＺＯではなく、例えば、スパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜を利用して透明導電膜を形成した場合には、アルカリにも強い第１ストライプ電極を作成することができる。
【００６８】
また、上記のようにアンダーエッチングを行う場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間に１μｍ以上７μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔を形成するようにすればよい。このような間隔で形成することにより、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしたり、第１および第２ストライプ電極間でノイズなどの悪影響を及ぼすことを回避することができ、また、アンダーエッチングの過度の進行による断線などの弊害を回避することができる。なお、上記間隔とは、第１の実施の形態においては図５に示す間隔Ａ、第２の実施の形態においては図１０に示す間隔Ｂ、第３の実施の形態にいては図１６に示す間隔Ｃのことをいう。
【００６９】
また、支持体としては有機ポリマー材料を使用することができ、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを使用することができる。
【００７０】
また、上記第１から第３の実施の形態により製造された交互ストライプ電極は、図１７に示すようにラインセンサ用の電極として使用することができる。図１７に示すラインセンサ４０は、本発明による交互ストライプ電極の上面に光導電層３２を形成したものである。なお、このラインセンサ４０の１画素ラインは図１７に示すように１本の第１ストライプ電極の線状電極と１本の第２ストライプ電極の線状電極から構成されているが、これに限らず、１画素ラインをそれぞれ複数の線状電極から構成するようにしてもよい。
【００７１】
このラインセンサ４０はガラス基板３０の下面からの光学像の入射により光導電層３２内で電荷対が発生する。交互ストライプ電極の第１ストライプ電極に所定の電圧を印加し、第２ストライプ電極に電流検出アンプ３８を接続することにより、光導電層３２内で発生した電荷対を画像信号として読み出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に第２ストライプ電極を形成する過程を示す図
【図２】図１の過程によりガラス基板上に形成された第２ストライプ電極を示す図
【図３】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板および第２ストライプ電極上に形成された透明導電膜を示す図
【図４】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図５】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された第２ストライプ電極と透明導電膜を示す図
【図６】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法により製造された交互ストライプ電極を示す図
【図７】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板および第２ストライプ電極上に形成された透明絶縁膜を示す図
【図８】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明絶縁膜上に形成された透明導電膜を示す図
【図９】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図１０】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された透明導電膜の各線状電極を示す図
【図１１】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法により製造された交互ストライプ電極を示す図
【図１２】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成された透明導電膜および透明導電膜上に形成された第２ストライプ電極を示す断面図
【図１３】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成された透明導電膜および透明導電膜上に形成された第２ストライプ電極を示す斜視図
【図１４】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成され、線状電極のコンタクト部について除去された透明導電膜を示す斜視図
【図１５】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図１６】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された第２ストライプ電極と透明導電膜を示す図
【図１７】本発明による交互ストライプ電極を利用したラインセンサを示す図
【符号の説明】
１０，２０，３０，５０ ガラス基板
１２，２４，３６，５２ 第２ストライプ電極
１２ａ，２４ａ，５２ａ 線状電極
１２ｂ，２４ｂ，５２ｂ コンタクト部
１３ Ｃｒ膜
１４ レジスト
１４ａ レジストパターン
１５ マスク
１６，２２，５６ 透明導電膜
１８，２６，５８ ネガレジスト
１８ａ，２６ａ，５８ａ レジストパターン
３４ 第１ストライプ電極
３８ 電流検出アンプ
４０ ラインセンサ
５４ 透明絶縁膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、該電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極の製造方法および交互ストライプ電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、医療用放射線撮影等において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電体を有する放射線固体検出器（静電記録体）を感光体として用い、該検出器にＸ線を照射し、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を検出器内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム或いはライン光源で放射線画像情報が記録された検出器を走査することにより、前記検出器から放射線画像情報を読み取る方法が知られている（例えば、米国特許第４５３５４６８号等）。
【０００３】
本願出願人は、特開２０００−２８４０５６号公報において読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しを両立させることを可能ならしめる放射線固体検出器を提案している。この特開２０００−２８４０５６号公報に記載の放射線固体検出器は、記録用の放射線または放射線の励起により発せられる光に対して透過性を有する第１の電極層、記録用の放射線または前記光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部、読取用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取用の電磁波が照射される第２の電極層を、この順に有して成り、第２の電極層が、読取用の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、読取用の電磁波を遮光する第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなるものである。
【０００４】
上記放射線固体検出器においては、被写体を透過した放射線が上記放射線固体検出器の第１の電極層に照射され、第１の電極層を透過した放射線の照射により記録用光導電層において放射線の線量に応じた電荷対が発生し、このとき、第１の電極層に負の電圧、第２の電極層に正の電圧が印加されると、負の電荷が蓄電部に潜像電荷として蓄積され、放射線画像が静電潜像として記録される。また、このとき、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とを接続して記録を行うと潜像電荷は両電極に対応する位置の蓄電部に蓄積される。そして、上記放射線固体検出器の第２の電極層に読取用の電磁波が照射されると、この電磁波は第１ストライプ電極を透過して読取用光導電層に照射され、読取用光導電層において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は蓄電部に蓄積された負の電荷と結合し、負の電荷は第１ストライプ電極および第２ストライプ電極に帯電された正電荷と結合することによって潜像電荷の読出しが行なわれる。
【０００５】
上記放射線固体検出器では、上記のように記録によって蓄電部に蓄積せしめられた潜像電荷と逆極性の輸送電荷を第１ストライプ電極だけでなく第２ストライプ電極にも帯電させることが可能となるので、検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させることが可能となる。
【０００６】
ここで、上記のような放射線固体検出器を製造する場合、互いに異なる材料からなる上記第１ストライプ電極と上記第２ストライプ電極を交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極の製造が必要となり、その製造方法としてはフォトリソグラフィー法による製造方法が容易に考えられる。この場合、第１ストライプ電極用の第１マスクおよび第２ストライプ電極用の第２マスクの少なくとも２枚のマスクを用いることにより上記交互ストライプ電極を製造することが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記放射線固体検出器の大きさは４３ｃｍ×４３ｃｍと大面積であり、上記のようにフォトリソグラフィー法を利用した製造方法では大型で、高精度なマスク合わせが可能な露光装置が必要となる。さらに、低コスト化のために上記放射線固体検出器を一度に複数枚製造するような場合には、上記交互ストライプ電極を形成するためにさらに大型な露光装置が必要となる。また、このような多面取りを行なわず１枚取りで製造した場合には歩留まりが悪くコストが高くなるだけでなく、個々の放射線固体検出器の特性バラツキが大きくなるという欠点もある。
【０００８】
また、上記交互ストライプ電極を有する放射線固体検出器において上記のような潜像電荷の読み出しを行なう際には、第１ストライプ電極または第２ストライプ電極のいずれか一方に電流検出アンプなどを接続し、他方のストライプ電極の電位を基準電位として読み出しが行われるが、このとき他方のストライプ電極の各線状電極の基準電圧がバラツキをもつと読み出される電気信号にも影響が及ぶ。
【０００９】
さらに、上記のような基準電位のバラツキをなくすため交互ストライプ電極の第１のストライプ電極または第２ストライプ電極を共通電極とする場合には、各線状電極を接続する製造過程が新たに必要となる。
【００１０】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、上記交互ストライプ電極を製造する場合において、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能であり歩留りの向上、コストの低減を図ることができる交互ストライプ電極製造方法および上記基準電位にバラツキを生じることのない交互ストライプ電極を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法は、所定の電磁波に対して透過性を有する支持体の上面に、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成することを特徴とする。
【００１２】
ここで、上記「支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成する」とは、透明導電膜を支持体の上面および第２ストライプ電極の上面の全表面もしくは一部を除いた（例えば、第２ストライプ電極のコンタクト部）表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明導電膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１３】
また、上記「透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成する」とは、レジスト膜を透明導電膜の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしもレジスト膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１４】
本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法は、所定の電磁波を有する支持体の上面に、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成し、透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明絶縁膜および透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第１ストライプ電極を形成することを特徴とする。
【００１５】
ここで、上記「支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成する」とは、透明絶縁膜を支持体の上面および第２ストライプ電極の上面の全表面もしくは一部を除いた（例えば、第２ストライプ電極のコンタクト部）表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明絶縁膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１６】
また、上記「透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成する」とは、透明導電膜を透明絶縁膜の全表面もしくは一部を除いた表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明導電膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１７】
また、上記「透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成する」とは、レジスト膜を透明導電膜の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしもレジスト膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００１８】
また、上記「透明絶縁膜」とは、上記所定の電磁波を透過するとともに、上記第２ストライプ電極と上記透明導電膜から形成される第１ストライプ電極とを電気的に絶縁するためのものである。
【００１９】
また、上記第１および第２の交互ストライプ電極製造方法においては、レジストパターンに熱処理を施した後、エッチングを行なうようにすることもできる。
【００２０】
ここで、上記「熱処理」はレジストパターンを熱により収縮させるための処理であり、この処理により後述するアンダーエッチングの処理をより効率良く施すことができる。
【００２１】
本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法は、所定の電磁波に対して透過性を有する支持体の上面に、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、支持体の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に第２ストライプ電極を形成し、透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンと第２ストライプ電極との間に間隔を設け、透明導電膜を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成することを特徴とする。
【００２２】
ここで、上記「支持体の上面に透明導電膜を一様に形成する」とは、透明導電膜を支持体の上面の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしも透明導電膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一にする必要はない。
【００２３】
また、上記「透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し」とは、レジスト膜を透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面の表面に実質的に隙間を空けることなく形成することを意味し、必ずしもレジスト膜の表面が平坦である必要はなく、膜厚も均一である必要はない。
【００２４】
また、上記「間隔生成処理」とは、レジストパターンと第２ストライプ電極との間に間隔を設け、その間隔部分の透明導電膜の表面を露出させ、透明導電膜をエッチングすることが可能な状態にする処理であれば如何なる処理でもよく、例えば、上記熱処理とすることができる。
【００２５】
ここで、上記第１および第３の交互ストライプ電極製造方法において、上記「第２ストライプ電極と透明導電膜を分離する」とは、物理的に第２ストライプ電極と第１ストライプ電極を形成する透明導電膜とが分離した状態であり、また、電気的にも第２ストライプ電極と第１ストライプ電極を形成する透明導電膜とが絶縁されている状態にすることを意味する。
【００２６】
また、上記第１から第３の交互ストライプ電極製造方法において、上記「所定の電磁破」とは、上記第１ストライプ電極を透過する電磁波であるとともに上記レジスト膜を感光する電磁破である。
【００２７】
また、上記「所定の電磁波を透過する」とは、必ずしも全ての所定の電磁波を透過する必要はなく、上記レジスト膜を感光できる程度透過すればよい。
【００２８】
また、同様に、上記「所定の電磁波を遮光する」とは、必ずしも全ての所定の電磁波を遮光しなくてもよく、上記レジスト膜が感光されない程度に遮光すればよい。
【００２９】
また、上記「透明導電膜」とは、上記第１ストライプ電極を形成するためのものであり、上記所定の電磁波を透過するとともに導電性を有して電極として機能するものである。
【００３０】
また、上記「エッチング」は、アンダーエッチングとすることができる。
【００３１】
ここで、上記「アンダーエッチング」とは、例えば、図５に示すようにレジストパターン１８ａの縁からエッチング液が、レジストパターン１８ａの下へ回り込んで、横方向にも透明導電膜１６のエッチングが進む現象である。この現象により第２ストライプ電極の線状電極１２ａと第１ストライプ電極を形成する透明導電膜１６とが分離されることになる。
【００３２】
また、上記のようにアンダーエッチングを行なうような場合、例えば、透明導電膜としてＩＴＯ膜のような微結晶の材料を利用すると、透明導電膜全体においてアンダーエッチングの進行速度にばらつきがでやすく、エッチングが十分でない部分で第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間でショートしたり、また、エッチングの進行速度が速い部分では第１ストライプ電極や第２ストライプ電極が断線してしまったりして、大面積で特性が均一な交互ストライプ電極を作成することが困難である。
【００３３】
従って、透明導電膜は、完全アモルファスな材料により形成するようにすることが望ましい。
【００３４】
ここで、上記「完全アモルファス」とは、実質的に完全アモルファスであることを意味し、「完全アモルファスな材料」とは、例えば、ＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ：出光興産など）やスパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜などがあるが、完全アモルファスな組成であればその他の材料を使用してもよい。
【００３５】
また、上記アンダーエッチングを行なうような場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしないように、もしくは第１および第２ストライプ電極間で相互にノイズなどの悪影響をおよぼさない程度に間隔を形成する必要がある。一方、あまりアンダーエッチングの進行させると透明導電膜における小さなキズなどあった場合に、このようなキズも大きくすることになり断線などの弊害を生じてしまう。従って、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間には１μｍ以上７μｍ以下の間隔を形成することが好ましく、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔である。
【００３６】
本発明による交互ストライプ電極は、所定の電磁波を透過する支持体の上面に形成される所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極において、第１ストライプ電極の各線状電極の端部が接続されて共通電極になっていることを特徴とするものである。
【００３７】
【発明の効果】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）ショート欠陥のない高精度な交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能で歩留りの向上、コストの低減を図ることができる。
【００３８】
また、本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体の上面に第２ストライプ電極を形成し、支持体の上面および第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成し、透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明絶縁膜および透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極製造方法と同様の効果が得られるとともに、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との絶縁性をさらに向上することができる。
【００３９】
また、本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体の上面に透明導電膜を一様に形成し、透明導電膜の上面に第２ストライプ電極を形成し、透明導電膜の上面および第２ストライプ電極の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、所定の電磁波を支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極には遮光され透明導電膜は透過してレジスト膜が感光されることにより、第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、レジストパターンと第２ストライプ電極との間に間隔を設け、透明導電膜を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターンに応じて透明導電膜をエッチングすることにより第２ストライプ電極と透明導電膜を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極およびその製造方法と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
また、透明導電膜として、完全アモルファスな材料、例えば、ＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ）：出光興産（株）など）を利用して形成した場合には、アンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができる。また、第１ストライプ電極のエッジがスムーズになり、電極エッジからの電荷注入を低減することができる。また、上記のようにアンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができるので、深いアンダーエッチング（例えば、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間を１０μｍの距離で分離する）も可能となる。
【００４１】
さらに、ＩＺＯではなく、スパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜を利用して透明導電膜を形成した場合には、アルカリにも強い第１ストライプ電極を作成することができる。
【００４２】
また、アンダーエッチングにより第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間に１μｍ以上７μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔を形成するようにした場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしたり、第１および第２ストライプ電極間でノイズなどの悪影響を及ぼすことを回避することができ、また、アンダーエッチングの過度の進行による断線などの弊害を回避することができる。
【００４３】
また、本発明による交互ストライプ電極によれば、第１ストライプ電極の各線状電極の端部が接続されていて共通電極となるようにしたので、特別にその接続のための工程を付加する必要がなく、製造コストの削減を図ることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の交互ストライプ電極製造方法の具体的な実施の形態を図面を参照して説明する。図１から図５は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第１の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図であり、図６は本実施の形態により製造された交互ストライプ電極を示す図である。
【００４５】
本実施の形態の交互ストライプ電極製造方法は、まず、ガラス基板１０上に多数の線状電極１２ａからなる第２ストライプ電極１２を形成する。その製造過程は一般的なフォトリソグラフィ法を利用するものであり、以下にその説明する。図１（１）に示すようにガラス基板１０の上面にＣｒ膜１３を略０．１μｍの厚さで蒸着により形成する。そして、そのＣｒ膜１３の上面全体にレジスト１４を塗布し（図１（２））、第２ストライプ電極１２の形状に応じたマスク１６を使用して紫外線を露光する（図１（３））し、現像、洗浄（リンス）処理を施してＣｒ膜１３の上面に第２ストライプ電極１２の形状に応じたレジストパターン１４ａを形成する（図１（４））。そして、Ｃｒ膜１３にエッチング処理を施し（図１（５））、レジストを除去することにより、第２ストライプ電極１２がガラス基板１０上に形成される（図１（６））。なお、上記のようにして形成される第２ストライプ電極１２の各線状電極１２ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極１２ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図２に示すように各線状電極１２ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部１２ｂが設けられるよう形成される。
【００４６】
次に、この第２ストライプ電極１２が形成されたガラス基板１０の上面に図３（Ａ）に示すように各線状電極１２ａのコンタクト部１２ｂを避けるようにして透明導電膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））１６を一様に形成する。図３（Ａ）においてコンタクト部１２ｂを除いて透明導電膜１６が形成された部分の断面図を図３（Ｂ）に示す。透明導電膜１６を形成する方法としては真空蒸着法やディップ法などがある。コンタクト部１２ｂを避けて透明導電膜１６を形成するには、真空蒸着法（ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱蒸着など）を用いる場合には、蒸着マスクを利用しコンタクト部１２ｂをマスクして形成すればよく、また、ガラス基板全面に透明導電膜１６を形成した後、コンタクト部１２ｂのみ透明導電膜１６をエッチングして除去するようにしてもよい。
【００４７】
そして、図４（１）に示すように透明導電膜１６の上面にネガレジスト１８を一様に塗布する。次に、図４（２）に示すようにガラス基板１０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板１０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極１２には遮光されて透明導電膜１６は透過してネガレジスト１８に露光される。感光されたネガレジスト１８に現像処理、洗浄処理が施されることにより第２ストライプ電極１２の形状に応じたレジストパターン１８ａが形成される（図４（３））。さらに、このレジストパターン１８ａに熱処理が施され、図４（４）に示すようにレジストパターン１８ａは収縮して円弧状に形成される。なお、このレジストパターン１８ａに施されれる熱処理は、後述するアンダーエッチングの効果をより得るために施されるものである。
【００４８】
次に、第２ストライプ電極１２の各線状電極１２ａと透明導電膜１６とが分離するまで透明導電膜１６のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものであり、アンダーエッチングとは、図５に示すようにレジストパターン１８ａがない部分の縁からエッチング液がレジストパターン１８ａの下へ回り込んで、横方向にもエッチングが進む現象である。このアンダーエッチングは一般的には集積回路の微細化に伴って生じる現象であり、集積回路の製造には寸法精度を悪化させるため好ましくない現象であるが、本実施の形態においては、第２ストライプ電極１２の線状電極１２ａと透明導電膜１６とを分離させるため積極的にこの現象を利用している。
【００４９】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより図６に示すように第２ストライプ電極１２と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極１６が交互に略平行に配列された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、図６に示すように第１ストライプ電極１６はその一端が接続され共通電極となって形成される。
【００５０】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体１０の上面に第２ストライプ電極１２を形成し、支持体１０の上面および第２ストライプ電極１２の上面に透明導電膜１６を一様に形成し、透明導電膜１６の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜１８を一様に形成し、所定の電磁波を支持体１０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極１２には遮光され透明導電膜１８は透過してレジスト膜１８が感光されることにより、第２ストライプ電極１２に応じたレジストパターン１８ａを形成し、レジストパターン１８ａに応じて透明導電膜１６をエッチングすることにより第２ストライプ電極１２と透明導電膜１６を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）ショート欠陥のない高精度な交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能で歩留りの向上、コストの低減を図ることができる。
【００５１】
次に、本発明の交互ストライプ電極製造方法の第２の実施の形態を図面を参照して説明する。図７から図１０は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第２の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図であり、図１１は本実施の形態により製造された交互ストライプ電極を示す図である。なお、第１の実施の形態と同様の処理についてはその詳細は省略して説明を行なう。
【００５２】
まず、第１の実施の形態における図１の（１）から（６）までに示した処理と同様の処理を施すことにより、ガラス基板５０上に多数の線状電極１２ａからなる第２ストライプ電極５２を形成する。なお、上記のようにして形成される第２ストライプ電極５２の各線状電極５２ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極１２ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図７に示すように各線状電極５２ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部５２ｂが設けられるよう形成される。
【００５３】
次に、この第２ストライプ電極５２が形成されたガラス基板１０の上面に図７（Ａ）に示すように各線状電極５２ａのコンタクト部５２ｂを避けるようにして透明絶縁膜（ＳｉＯ２）５４を一様に形成する。図７（Ａ）においてコンタクト部５２ｂを除いて透明絶縁膜５４が形成された部分の断面図を図７（Ｂ）に示す。透明絶縁膜５４を形成する方法としては真空蒸着法やディップ法などがある。コンタクト部５２ｂを避けて透明絶縁膜５４を形成するには、真空蒸着法（ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱蒸着など）を用いる場合には、蒸着マスクを利用しコンタクト部５２ｂをマスクして形成すればよく、また、ガラス基板全面に透明絶縁膜５４を形成した後、コンタクト部５２ｂのみ透明絶縁膜５４をエッチングして除去するようにしてもよい。
【００５４】
そして、上記のようにして形成された透明絶縁膜５４の表面に透明導電膜５６を一様に形成する（図８（Ａ）は斜視図、図８（Ｂ）は断面図である）。このとき、図８（Ａ）に示すように透明導電膜５６の一端と透明絶縁膜５４の一端は間隔ａを空けてずらして形成される。
【００５５】
次に、図９（１）に示すように透明導電膜５６の上面にネガレジスト５８を一様に塗布する。次に、図９（２）に示すようにガラス基板５０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板５０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極５２には遮光されて透明絶縁膜５４および透明導電膜５６は透過してネガレジスト５８に露光される。感光されたネガレジスト５８に現像処理、洗浄処理が施されることにより第２ストライプ電極５２の形状に応じたレジストパターン５８ａが形成される（図９（３））。さらに、このレジストパターン５８ａに熱処理が施され、図９（４）に示すようにレジストパターン５８ａは収縮して円弧状に形成される。なお、このレジストパターン５８ａに施されれる熱処理は、後述するアンダーエッチングの効果をより得るために施されるものである。
【００５６】
次に、透明導電膜５６が各線状電極に分離するまで透明導電膜５６のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものである（図１０）。
【００５７】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより図１１に示すように第２ストライプ電極と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極が交互に略平行に配列され、かつ第２ストライプ電極５２および第１ストライプ電極５６の各線状電極が透明絶縁膜５４により電気的に絶縁された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、図１１に示すように第１ストライプ電極５６はその一端が接続され共通電極となって形成される。
【００５８】
本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体５０の上面に第２ストライプ電極５２を形成し、支持体５０の上面および第２ストライプ電極５２の上面に透明絶縁膜５４を一様に形成し、透明絶縁膜５４の上面に透明導電膜５６を一様に形成し、透明導電膜５６の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜５８を一様に形成し、所定の電磁波を支持体５０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極５２には遮光され透明絶縁膜５４および透明導電膜５６は透過してレジスト膜５８が感光されることにより、第２ストライプ電極５２に応じたレジストパターン５８ａを形成し、レジストパターン５８ａに応じて透明導電膜５６をエッチングすることにより第１ストライプ電極５２を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極製造方法と同様の効果が得られるとともに、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との絶縁性をさらに向上することができる。
【００５９】
次に、本発明の交互ストライプ電極製造方法の第３の実施の形態を図面を参照して説明する。図１２から図１６は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第３の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図である。なお、第１の実施の形態と同様の処理についてはその詳細は省略して説明を行なう。
【００６０】
本実施の形態の交互ストライプ電極製造方法は、まず、ガラス基板２０上に透明導電膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））２２を形成する（図１２（１））。そして、第１の実施の形態における図１の（１）から（６）までに示した処理と同様の処理を施すことにより、透明導電膜２２の上面に第２ストライプ電極２４が形成される（図１２（２））。なお、第１の実施の形態と同様に、第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極２４ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図１３に示すように各線状電極２４ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部２４ｂが設けられるよう形成される。
【００６１】
次に、この第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａのコンタクト部２４ｂのみを露出し、それ以外を覆うようにテープ等でマスクをし、更に、コンタクト部２４ｂのＣｒパターンをマスクとして透明導電膜２２のエッチング処理を施すことにより、図１４に示すようにコンタクト部２４ｂの周辺の透明導電膜２２を除去する（なお、このとき第１の実施の形態に示したアンダーエッチングは行なわないようにエッチング処理を施す）。
【００６２】
そして、図１５（１）に示すように透明導電膜２２および第２ストライプ電極２４の上面にネガレジスト２６を一様に塗布する。次に、図１５（２）に示すようにガラス基板２０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板２０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極２４には遮光されて透明導電膜２２は透過してネガレジスト２６に露光される。ネガレジスト２６に現像処理、洗浄処理を施すことにより第２ストライプ電極２４の形状に応じたレジストパターン２６ａが形成される（図１５（３））。さらに、このレジストパターン２６ａに熱処理が施され、図１５（４）に示すようにレジストパターン２６ａは収縮して円弧状に形成され、レジストパターン２６ａと第２ストライプ電極２４との間に間隔が設けられることにより、透明導電膜２２が露出し、透明導電膜２２のエッチングが可能となる。
【００６３】
次に、第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａと透明導電膜２２とが分離するまで透明導電膜２２のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものである（図１６）。
【００６４】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより第２ストライプ電極と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極が交互に略平行に配列された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、本実施の形態により製造された交互ストライプ電極は断面は図１６に示すようになるが、上面図は第１の実施の形態と同様に図６に示すようになる。
【００６５】
本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体２０の上面に透明導電膜２２を一様に形成し、透明導電膜２２の上面に第２ストライプ電極２４を形成し、透明導電膜２２の上面および第２ストライプ電極２４の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜２６を一様に形成し、所定の電磁波を支持体２０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極２４には遮光され透明導電膜２２は透過してレジスト膜２６が感光されることにより、第２ストライプ電極２４に応じたレジストパターン２６ａを形成し、レジストパターン２６ａと第２ストライプ電極２４との間に間隔を設け、透明導電膜２２を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターン２６ａに応じて透明導電膜２２をエッチングすることにより第２ストライプ電極２４と透明導電膜２２を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
なお、上記第１から第３の実施の形態により製造される交互ストライプ電極の第２ストライプ電極の材料は、導電性を有するものであればよく、金、銀、白金等の単一金属や、酸化インジウム等の合金などでもよい。
【００６７】
また、透明導電膜のとしてはＩＴＯ膜の他にも、例えば、ネサ皮膜（ＳｎＯ２）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ ：出光興産（株）など））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができる。また、上記のようにＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ）：出光興産（株）など）のような完全アモルファスな材料を利用した場合には、アンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができる。また、上記のようにアンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができるので、深いアンダーエッチング（例えば、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間を１０μｍの距離で分離する）も可能となる。また、第１ストライプ電極のエッジがスムーズになり、電極エッジからの電荷注入を低減することができる。さらに、ＩＺＯではなく、例えば、スパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜を利用して透明導電膜を形成した場合には、アルカリにも強い第１ストライプ電極を作成することができる。
【００６８】
また、上記のようにアンダーエッチングを行う場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間に１μｍ以上７μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔を形成するようにすればよい。このような間隔で形成することにより、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしたり、第１および第２ストライプ電極間でノイズなどの悪影響を及ぼすことを回避することができ、また、アンダーエッチングの過度の進行による断線などの弊害を回避することができる。なお、上記間隔とは、第１の実施の形態においては図５に示す間隔Ａ、第２の実施の形態においては図１０に示す間隔Ｂ、第３の実施の形態にいては図１６に示す間隔Ｃのことをいう。
【００６９】
また、支持体としては有機ポリマー材料を使用することができ、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを使用することができる。
【００７０】
また、上記第１から第３の実施の形態により製造された交互ストライプ電極は、図１７に示すようにラインセンサ用の電極として使用することができる。図１７に示すラインセンサ４０は、本発明による交互ストライプ電極の上面に光導電層３２を形成したものである。なお、このラインセンサ４０の１画素ラインは図１７に示すように１本の第１ストライプ電極の線状電極と１本の第２ストライプ電極の線状電極から構成されているが、これに限らず、１画素ラインをそれぞれ複数の線状電極から構成するようにしてもよい。
【００７１】
このラインセンサ４０はガラス基板３０の下面からの光学像の入射により光導電層３２内で電荷対が発生する。交互ストライプ電極の第１ストライプ電極に所定の電圧を印加し、第２ストライプ電極に電流検出アンプ３８を接続することにより、光導電層３２内で発生した電荷対を画像信号として読み出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に第２ストライプ電極を形成する過程を示す図
【図２】図１の過程によりガラス基板上に形成された第２ストライプ電極を示す図
【図３】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板および第２ストライプ電極上に形成された透明導電膜を示す図
【図４】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図５】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された第２ストライプ電極と透明導電膜を示す図
【図６】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法により製造された交互ストライプ電極を示す図
【図７】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板および第２ストライプ電極上に形成された透明絶縁膜を示す図
【図８】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明絶縁膜上に形成された透明導電膜を示す図
【図９】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図１０】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された透明導電膜の各線状電極を示す図
【図１１】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法により製造された交互ストライプ電極を示す図
【図１２】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成された透明導電膜および透明導電膜上に形成された第２ストライプ電極を示す断面図
【図１３】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成された透明導電膜および透明導電膜上に形成された第２ストライプ電極を示す斜視図
【図１４】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成され、線状電極のコンタクト部について除去された透明導電膜を示す斜視図
【図１５】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図１６】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された第２ストライプ電極と透明導電膜を示す図
【図１７】本発明による交互ストライプ電極を利用したラインセンサを示す図
【符号の説明】
１０，２０，３０，５０ ガラス基板
１２，２４，３６，５２ 第２ストライプ電極
１２ａ，２４ａ，５２ａ 線状電極
１２ｂ，２４ｂ，５２ｂ コンタクト部
１３ Ｃｒ膜
１４ レジスト
１４ａ レジストパターン
１５ マスク
１６，２２，５６ 透明導電膜
１８，２６，５８ ネガレジスト
１８ａ，２６ａ，５８ａ レジストパターン
３４ 第１ストライプ電極
３８ 電流検出アンプ
４０ ラインセンサ
５４ 透明絶縁膜
Claims (4)
- 所定の電磁波を透過する支持体の上面に、前記所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、前記所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、前記第１ストライプ電極と前記第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、
前記支持体の上面に前記第２ストライプ電極を形成し、
前記支持体の上面および前記第２ストライプ電極の上面に透明導電膜を一様に形成し、
該透明導電膜の上面に前記所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、
前記所定の電磁波を前記支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が前記第２ストライプ電極には遮光され前記透明導電膜は透過して前記レジスト膜が感光されることにより、前記第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに応じて前記透明導電膜をエッチングすることにより前記第２ストライプ電極と前記透明導電膜を分離して前記第１ストライプ電極を形成することを特徴とする交互ストライプ電極製造方法。 - 所定の電磁波を透過する支持体の上面に、前記所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、前記所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、前記第１ストライプ電極と前記第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、
前記支持体の上面に前記第２ストライプ電極を形成し、
前記支持体の上面および前記第２ストライプ電極の上面に透明絶縁膜を一様に形成し、
該透明絶縁膜の上面に透明導電膜を一様に形成し、
該透明導電膜の上面に前記所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、
前記所定の電磁波を前記支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が前記第２ストライプ電極には遮光され前記透明絶縁膜および前記透明導電膜は透過して前記レジスト膜が感光されることにより、前記第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに応じて前記透明導電膜をエッチングすることにより前記第１ストライプ電極を形成することを特徴とする交互ストライプ電極製造方法。 - 所定の電磁波を透過する支持体の上面に、前記所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、前記所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、前記第１ストライプ電極と前記第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を形成する交互ストライプ電極の製造方法であって、
前記支持体の上面に透明導電膜を一様に形成し、
該透明導電膜の上面に前記第２ストライプ電極を形成し、
前記透明導電膜の上面および前記第２ストライプ電極の上面に前記所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜を一様に形成し、
前記所定の電磁波を前記支持体の下面から露光し、この所定の電磁波が前記第２ストライプ電極には遮光されて前記透明導電膜は透過して前記レジスト膜が感光されることにより、前記第２ストライプ電極に応じたレジストパターンを形成し、
該レジストパターンと前記第２ストライプ電極との間に間隔を設け、前記透明導電膜を露出させる間隔生成処理を施し、
前記レジストパターンに応じて前記透明導電膜をエッチングすることにより前記第２ストライプ電極と前記透明導電膜を分離して前記第１ストライプ電極を形成することを特徴とする交互ストライプ電極製造方法。 - 前記透明導電膜が、完全アモルファスな材料により形成されることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の交互ストライプ電極製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017941A JP3738837B2 (ja) | 2001-04-16 | 2002-01-28 | 交互ストライプ電極およびその製造方法 |
| US10/122,186 US6831291B2 (en) | 2001-04-16 | 2002-04-16 | Process for producing alternate striped electrode array in which transparent electrodes alternate with opaque electrodes, based on single mask designed for the opaque electrodes in self-aligned manner |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-116906 | 2001-04-16 | ||
| JP2001116906 | 2001-04-16 | ||
| JP2002017941A JP3738837B2 (ja) | 2001-04-16 | 2002-01-28 | 交互ストライプ電極およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005269575A Division JP2006093702A (ja) | 2001-04-16 | 2005-09-16 | 交互ストライプ電極および画像検出器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003005377A JP2003005377A (ja) | 2003-01-08 |
| JP2003005377A5 JP2003005377A5 (ja) | 2005-02-17 |
| JP3738837B2 true JP3738837B2 (ja) | 2006-01-25 |
Family
ID=26613640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002017941A Expired - Fee Related JP3738837B2 (ja) | 2001-04-16 | 2002-01-28 | 交互ストライプ電極およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831291B2 (ja) |
| JP (1) | JP3738837B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933191B2 (en) * | 2003-09-18 | 2005-08-23 | International Business Machines Corporation | Two-mask process for metal-insulator-metal capacitors and single mask process for thin film resistors |
| JP2006005057A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像記録媒体および画像表示媒体 |
| JP2006100548A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線固体検出器 |
| JP2006210438A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010027743A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Ebara Corp | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
| TWI414170B (zh) * | 2009-04-29 | 2013-11-01 | Unique Instr Co Ltd | A device with a 2D and 3D image display function mobile phone |
| JP5748350B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2015-07-15 | 富士フイルム株式会社 | 透明導電フィルム、その製造方法、フレキシブル有機電子デバイス、及び、有機薄膜太陽電池 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56117470A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-14 | Canon Inc | Signal detecting method |
| DE3236137A1 (de) * | 1982-09-29 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Bildaufnahmeeinrichtung |
| JPS61231754A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Nec Corp | 混成集積化一次元光センサ |
| US5187601A (en) * | 1988-03-07 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making a high contrast liquid crystal display including laser scribing opaque and transparent conductive strips simultaneously |
| JPH0961834A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| JP4040201B2 (ja) | 1999-03-30 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 放射線固体検出器、並びにそれを用いた放射線画像記録／読取方法および装置 |
| US20020110673A1 (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-15 | Ramin Heydarpour | Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same |
-
2002
- 2002-01-28 JP JP2002017941A patent/JP3738837B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-16 US US10/122,186 patent/US6831291B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020148989A1 (en) | 2002-10-17 |
| JP2003005377A (ja) | 2003-01-08 |
| US6831291B2 (en) | 2004-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4908289B2 (ja) | 画像処理装置、方法及びプログラム | |
| JP4040201B2 (ja) | 放射線固体検出器、並びにそれを用いた放射線画像記録／読取方法および装置 | |
| JP3738837B2 (ja) | 交互ストライプ電極およびその製造方法 | |
| JP4356854B2 (ja) | 画像信号読取システム及び画像検出器 | |
| JP2008177387A (ja) | 放射線画像検出装置 | |
| JP4091343B2 (ja) | 画像記録媒体 | |
| JP2006093702A (ja) | 交互ストライプ電極および画像検出器 | |
| JP4053469B2 (ja) | 静電潜像読取装置 | |
| JP2008198910A (ja) | 放射線画像検出装置およびその製造方法 | |
| JP2003188364A (ja) | 交互ストライプ電極およびその製造方法 | |
| JP3775585B2 (ja) | 画像記録媒体および製造方法 | |
| JP2008089491A (ja) | 放射線画像検出装置 | |
| JP2004186604A (ja) | 画像記録媒体 | |
| JP2003234457A (ja) | ストライプ電極製造方法 | |
| JP4091334B2 (ja) | 画像記録方法および装置並びに画像記録媒体 | |
| JP2007080927A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| JP2003209237A (ja) | 固体検出器 | |
| JP2007095721A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| JP4011237B2 (ja) | 放射線固体検出器並びに放射線画像情報読取方法および装置 | |
| JP3999470B2 (ja) | 放射線固体検出器、並びにそれを用いた放射線画像記録／読取方法および装置 | |
| JP2008047749A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| KR20070035449A (ko) | 방사선 화상 검출기 | |
| JP3775586B2 (ja) | 画像記録媒体製造方法及びその製造方法によって形成された画像記録媒体 | |
| JP4024460B2 (ja) | 放射線固体検出器 | |
| JP2005183670A (ja) | 放射線画像検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040309 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040309 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050916 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051025 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131111 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |