TW200908436A - Patch antenna for tag and RFID tag employing the patch antenna - Google Patents

Description

200908436 九、發明說明： C發明所屬之技術領域3 技術領域 本發明係有關於一種標籤用微帶天線及使用該天線之 5 RFID(射頻識別）用標籤，更詳而言之係有關於一種即使附 加於含有液體之物體或金屬，通訊距離仍不會惡化，且結 構簡便、便宜之標籤用微帶天線及使用該天線之RFID用標 籤。

【先前技術；J 1〇 背景技術 以往，實用化的RFID系統係從讀寫機發送大約iw的電 波’並於標籤側接受該信號，再利用電波將標籤内之資訊 送回讀寫機，以使讀寫機識別標籤。 標籤係由天線與連接於該天線之LSI晶片所構成，且自 15 身機内不具有電源，而以與來自讀寫機之通訊電波的共振 感應電力為電源，並起動LSI晶片的電路，以將記情體内之 ID或前次更新的資料發送至讀寫機。 前述RFID系統係使用UHF(超高頻）帶頻率（在EU為 865MHz、在US為915MHz、在JP為953MHz)的無線信號。 20 使用前述UHF帶頻率之RFID系統的通訊距離較長，因 此可期待今後各種領域的利用。 然而’當將標籤黏貼於，例如，電腦、汽車、容器、 鋼製的桌子等金屬或寶特瓶、人體等含有液體之物體時， 因電的導體之金屬或液體之特有的反射效果，而有標藏之 200908436 - 天線增益降低，且標籤之通信距離明顯惡化的問題，故期 望有解決前述問題之方法。 ' 到目前為止，已有在這樣的背景下，考慮與金屬或液 體對應之各種種類的標籤用天線，其中一部分已實用化。 5 例如，在作為習知技術之專利文獻1中揭示有一種結 構’其係將標籤配置成接地用導體配置於與隔著介電體之 微帶型天線相對的位置，且該接地用導體抵接於金屬或含 有液體之物體，而使微帶型天線不受位於接地用導體側之 物體的影響者。 10 然而，在前述專利文獻1之結構中，必須將LSI晶片連 接於隔著介電體配置於上下的微帶型天線與接地用導體。 而别述連接之方法包含有：將連接用配線配設成環繞至介 電體側面的方法；及將貫穿孔形成於介電體，並使連接用 配線穿過前述貫穿孔的方法，但無論任—方法皆需要麻須 15的製程。 、 另一方面，在作為不需要前述麻煩的製程之先前技術 的專利文獻2中揭示有一種方法，其係只需於介電體之表面 上進行處理，便可將LSI晶片連接於微帶型天線者。 “ ’前述判文獻1或2之標細天線係使用高頻基 2〇板或陶·泛等高價位的材料於黏貼有標籤用天線之介電體， 為了應付將來所没想之大量的需求，所期望的是製造價 2的更加域。此外，對於通訊雜之長距離化及使用可 能頻率之寬頻帶化的需求亦變強。 【專利文獻1】特開2〇06-157905號公報(第！圖〜第4圖、 6 200908436 - 第6圖〜第8圖） 【專利文獻2】US6 ’ 215 ’ 402Bl(Fig 3、Fig4A、4B) 【發明内容】 - 發明揭示 5 本發明之目的在於提供一種即使附加於含有液體之物 體或金屬，通訊距離仍不會惡化，且結構簡便、便宜之標 籤用微帶天線及使用該天線之RFID用標籤。 首先，第1發明之標籤用微帶天線包含有：沿著天線圖 形之邊緣的一部分形成於該邊緣附近的狹縫；及切除前述 10 邊緣之一部分的中間部分而形成之對於標籤用LSI之饋電 點，且前述邊緣之一部分的中間部係因前述狹縫形成而只 與前述天線圖形之本體分開前述狭缝之寬度者。 在前述標籤用微帶天線中，例如，前述邊緣之一部分 的中間部分與前述狹縫一起朝前述天線圖形之本體内側傾 15 斜形成，而前述饋電點形成於前述天線圖形之本體邊緣之 延長線的内側，又，前述邊緣之延長線與前述饋電點之間 形成有前述標蕺用LSI之安裝用記號的外側記號。 又，前述狹縫亦可為，例如，以前述饋電點為界之其 中一侧的長度較另一侧之長度長者。又，前述天線圖形之 20 本體的一邊亦可形成有，例如，切口部。 接著，第2發明RFID用標籤，包含有：前述第1發明之 標籤用微帶天線；連接於前述標籤用微帶天線之前述饋電 點之前述標籤用LSI;將前述標籤用天線與前述標籤用LSI 模製成卡狀之樹脂體；黏貼有前述卡狀之樹脂體的多用途 200908436 . 樹脂基板；及黏貼於為前述多用途樹脂基板之前述黏貼面 之相反面的外面之導體膜。 • 在前述RHD用標籤中，前述導體膜可由鋁帶構成。 又，可使用，例如，介質常數ει·為3.5，而介質損耗tan8為 5 0.01者於前述樹脂體。又，可使用介質常數εΓ為5.1，而介 質損耗tan5為0.0003者於前述多用途樹脂基板。 又，前述卡狀之樹脂體以，例如，黏貼於前述多用途 樹脂基板，且前述標籤用LSI之外部電極配置面的相反面朝 向前述黏貼面方向為佳。 10 又，前述標籤用微帶天線亦可構成天線圖形本體的一 邊透過導體與前述導體膜短路。 圖式簡單說明 第1圖係本發明第1實施型態之標籤用微帶天線及使用 該天線之RFID用標籤的平面圖。 15 第2圖係從第1圖之箭頭A方向所見之第1圖所示之 RFID用標籤的側視圖。 第3圖係本發明第2實施型態之標籤用微帶天線及使用 該天線之RFID用標籤的平面圖。 - 第4圖係從第3圖之箭頭B方向所見之第3圖所示之 - 20 RFID用標籤的側視圖。 第5圖係詳細顯示第2實施型態之標籤用微帶天線之饋 電點附近之結構的圖。 第6圖係說明第2圖或第4圖所示之RFID用標籤之層結 構的圖。 8 200908436 第7圖係顯示使用市售之電磁界模擬器模擬第2圖或第 4圖所不之RFID用標籤之通訊距離之結果的特性圖。 第8圖係顯示在頻帶範圍為900MHz〜1GHz之範圍中模 擬RFID用標籤之標籤用LSI的阻抗與天線圖形之阻抗之關 5 係的結果的圖。 第9圖係顯示在將作為第3實施型態之r F j 〇用標籤之 天線圖形的狹縫長度固定於一定長度，並使天線之全長L 改變時，L與共振頻率之關係的特性圖。 第10圖係顯示RFID用標籤之標蕺用LSI與標籤用微帶 10 天線之等效電路的圖。 第11圖係顯示在將作為第4實施型態之rFID用標籤之 天線圖开^的長度固定於一定長度，並使狹縫之長度s改變 時，S與標籤用LSI之電容之關係的特性圖❶ 第12圖係顯示標籤用微帶天線之形狀的圖，而該標籤 15用微帶天線係可在將第5實施型態之標籤用微帶天線之全 長維持於一定的情況下調整與標籤用[81整合之共振頻率 者。 C實施方式】 實施發明之最佳型態 20 (第1實施型態） 第1圖係本發明第1實施型態之標籤用微帶天線及使用 該天線之RFID用標籤的平面圖。又，第丨圖係顯示本發明之 標籤用微帶天線的基本形。 如第1圖所示，本例之RFID用標籤！包含有：樹脂基板 200908436 2a，开>成於刖述樹脂基板2a上之標籤用微帶天線3(以下，稱 為天線圖形）；及連接於前述標籤用微帶天線3之饋電點的 標籤用LSI4。 前述RFID用標籤丨之標籤用微帶天線3形成有狹縫5， 5且該狹縫5係沿著其邊緣（第1圖之4個邊中上邊的邊緣)的一 部分（第1圖之上邊的左邊之大約1/4左右）形成於其邊緣附 近者。 又，該標籤用微帶天線3形成有切除前述邊緣之一部分 6的中間部分而形成之饋電點’且前述邊緣之—部分6的中 1〇間部分係因前述狹縫5而只與前述天線圖形之本體分開狹 缝5之寬度者，而且該饋電點連接有標籤用lsi4。 由前述狹縫5形成之邊緣之一部分6的詳情留至後述， 而其係構造成進行作為標籤用微帶天線3之電感的動作，並 利用。亥电感取消安裝於饋電點之標籤用⑶斗的電容。 15 帛2圖係從第1圖之箭頭A方向所見之第i圖所示之 RFID用標籤的側視圖。 “如第2圖所示，前述RFID用標鐵i之上部係由將標藏用 微π天線3與連接於料標制微帶天線3之饋電點的標鐵 用LSI4模製成卡狀的樹脂體㉛所構成。 …利用Μ述樹脂體㉛將標籤用微帶天線3及標籤壯⑽ =製成卡狀的方法可與—般叫人方式姻的方式製 造’即’將樹脂基板2a(已形成有榡籤用微帶天線3，且饋 電點安裝有標籤用LS_持於卡狀之模具内的中空部 刀，並將業已溶化讀雜2b&卡狀之模㈣再進行 20 200908436 樹脂體2b係介電體樹脂，而前述樹脂基板以係藉 具與樹脂體2b形成一體，且難以從外觀辨別。 ％ 又，上部之模製成卡狀之樹脂㈣的下部黏貝占有 途樹脂基板7。為前述黏貼面之相反面的多用 用 之外面（第2圖之下面)黏貼有導體膜8。 ”、曰土被 前述樹脂體2b與多用途樹脂基板7之黏貼係使用錐 膠或適當的黏著劑。樹脂舰係使用，例如n⑼2 二甲酸乙二自旨），而多用途基板7係使用，例如， 10 ABS(丙稀骑-丁乙烯苯乙烯)樹脂等多用途材料。 題 又，導體膜8係使用例如附有黏著劑之鋁帶等。又，< 述導體膜8相對於標籤用微帶天線3形成有接地部。前 如第2圖所示，在該狀態下，卡狀的樹脂體办黏貼於多 用途樹脂基板7,且標籤用LSI4之外部電極配置面⑻圖之 15上面)的相反面(第2圖之下面)朝向黏貼面之方向⑽著劑9 之方向）。藉*，標籤用LSM之配置結構會成為對於衝撞等 之耐性強的結構。 (第2實施型態） 第3圖係本發明第2實施型態之標籤用微帶天線及使用 2〇 該天線之RHD用標籤的平面圖。 第4圖係從第3圖之箭頭B方向所見之第3圖所示之 RFID用標籤的側視圖。又，在第3圖及第4圖中，係將與第工 圖或第2圖相同的號碼標示於與第】圖或第2圖相同的結構 或具有功能的部分。 11 200908436 第3圖及第4圖所示，本例之灯则標藏ι〇之狹縫5 P邊緣之部分6(6a、仙)的形狀不同。即，在本 例’邊緣之一部分6的中間部分與狹縫5-起朝天線圖形3 體内側傾斜形成，且饋電點，即，標籤用之搭载 —乂成於天線㈣3之本體邊緣之延長線U的内侧，且只 相隔距離d。（亦可參照第4圖） 又，本例之狹縫5係以饋電點，即，標籤用LSI4之搭載 位置為界之其中一側（第3圖之右側）的長度較另一側（第3圖 之左側）之長度長者。X，關於第3圖所示之狹縫5之長度S 10及天線圖形3之長度L的關係留至後述。 第5圖係S細顯不第3圖及第4圖之饋電點附近之結構 的圖。 一般而言，將標籤用LSI4搭載於相對地侃有天線圖 形3之饋電部12a及12b之饋電點13，並將標鐵用lsm之外部 15電極，即，裡面的2個凸出連接於饋電部12a&12b，並且將 標籤用LSI4安裝於天_形3的製程係使用專用的安裝機。 雖然並未特別圖示專用的安裝機，但其係一面辨識隔 著饋電點13形成於饋電點内外附近之2個安裝用記號 14(14a、14b)，一面將標籤用LSI4安裝於饋電點13之正確位 20 置。 因此’天線圖形3之饋電點13内外必須事先形成安裝用 記號 14(14a、14b)。 通常’該等安裝用記號14係以與標籤用微帶天線3相同 的材質形成。即’當將標籤用微帶天線3形成於樹脂基板2& 12 200908436 - 上時’在設計上安裝用記號14包含於天線圖形之形狀中。 如前所述’由於饋電點13位於天線圖形3之邊緣之延長 ' 線11的内側’且只相隔距離d，因此形成於前述饋電點13内 外2處之安裝用記號H(i4a、14b)中的外側安裝用記號14b 5亦位於天線圖形3之邊緣之延長線11的内側，且形成於邊緣 之延長線11與饋電點13之間。 其中’若天線圖形3之饋電點π並非為位於天線圖形3 之本體邊緣之延長線11的内側，且只相隔距離(1之結構的 話’即，形成如第5圖之虛線所示之結構的話，由狹缝5形 10成之邊緣的一部分6’與搭載於前述切口部之標籤用lsi4,則 會沿著天線圖形3之邊緣的延長線丨丨配置。 這樣一來，形成於饋電點13内外2處之安裝用記號 M(14a、14b)中的外側安裝用記號14，便相對於天線圖形3配 置於標籤用LSM之外側，因此安裝用記號會突出樹脂基板 15 2&之切割線15的一半，或完全超出至切割線15外側。 無論安裝用記號14 b，突出樹脂基板2 a之切割線丨5或超 出至外侧，當利用切割線鋸沿著切割線15切下卡狀樹脂體 2b時’金屬屑會與樹脂基板2a之切屑一起產生。 又’在安裝用記號14b’突出樹脂基板2a之切割線15的 . 20情況下，當切下卡狀樹脂體2b時會切到記號部分14b，，因 此有可能會削減切割線鋸之刀刃的壽命。 然‘而，由於本例之包含安裝用記號14(i4a、14b)之天線 圖形3全體在預定的面積内，即，卡狀樹脂體2b之面積内， 因此在利用切割線鋸沿著切割線15切下卡狀樹脂體％時， 13 200908436 不會產生金屬屑。又，由於不會切到安裝用記號14部分， 因此不必擔心削減刀刃的壽命。 第6圖係說明第2圖或第4圖所示之RHD用標籤1或1〇 之層結構的圖。又’在同一圖中，係將與第i圖至第5圖相 5同的號碼標示於與第1圖至第5圖所示之部分相同的結構或 具有功能的部分。又，該圖中省略了標籤用LSI4的圖示。 如第6圖所示’本發明之RFID用標籤1或1〇之層結構的 第1層係業已鑄有天線圖形3且由如PET等構成之樹脂體 2b又’根據實際測罝’該樹脂體2b之厚度為1. 5mm，介 10質常數灯為3.5，而介質損耗tans為〇.〇1。 關於該形狀’天線圖形3係形成於與樹脂體2b之表面距 離0.75之處。 又，根據販賣目錄，以黏著劑9黏著於樹脂體2b下面的 多用途樹脂基板7之厚度為4.〇mm，介質常數灯為51，而介 15質損耗tan8為0.003。 另一方面，市售之陶瓷基板的介質常數灯非常高，為 20 30，且價格很高，係多用途基板7之倍左右。 由於在本例中係使用多用途基板，因此價格便宜且可 大量生產。如第6圖所示，在前述結構中，係將由紹帶等所 2〇構成之導體膜8之側附加於金屬、裝水之寶特瓶及人體等導 體16的表面。藉此，可實現不會因通訊距離而惡化的RFm 用標籤。 *第7圖係顯示使用三次元電磁界模擬器計算前述rfid 用標籤1及10之通訊距離之結果的特性圖。又，雖然rfid 14 200908436 用標籤1及10之饋電點附近的形狀不同，但如後所述，只要 狹縫之長度一樣’便可得到相同結果。 . 在第7圖中，橫軸係表示900MHz至1000MHz的頻率 - (1^112)，而縱軸係表示0.〇1«至3.5111之距離(111)。又，同圖所 5示之座標係表示使頻率變化每5MHz時可通訊的距離。 從第7圖所示之模擬通訊距離的結果可得知，在日本所 使用之頻帶(952MHz〜954MHZ)中，可得到大約如等實用上 充分的通訊距離，故可得知本發明之rFID用標籤的結構有 效0 10 第8圖係顯示利用相同的三次元電磁界模擬器模擬 RFID用標藏1或10之標籤用LSI4的阻抗與天線圖形3之阻抗 的關係在頻帶範圍為900MHz〜1 GHz之範圍之結果的圖。 又，該模擬係以50Ω為基準，並以「1」表示。 如第8圖之史密斯圖所示，天線圖形3之阻抗π的虛數 15 部分係以950MHz為起點，並於正2至正3.5之間變化成大略 圓形。相對於此，標籤用LSI4之阻抗(在本例中為負30-」·11〇Ω 前後)係隔著X軸19位於大致對稱的位置。 即，可取得天線圖形3與標籤用LSI4的整合。一般而 言，由於標籤用天線3之阻抗與標籤用LSI4之阻抗處於共軛 20 複數的關係，因此當前述兩者相對於史密斯圖之X軸位於對 稱的位置時，標籤用天線可對於標籤用LSI有效率的提供電 波能量。 以下所示之算式（1)及(2)係表示用於前述模擬之計算 通訊距離的方法。 15 200908436 【数1】

\ppprQPth ζ+ζ 【数2】β 在前述算式（1)及(2)中’ λ係波長，Pt係RW(讀寫機）之 發送功率’ Gt係RW之天線增益(gain) ’ q係整合係數，pth 係標籤用LSI之最小動作功率，Gr係標籤用天線之增益，Rc 係標籤用LSI之電阻，XC係標籤用LSI之電抗，Ra係標籤用 10 微帶天線之電阻，Xa係標籤用微帶天線之電抗。 又，計算條件係：標籤用LSI之最小動作功率Pth為

「Pth=-9dBm」，RW之天線增益(gain)Gt為「Gt=8dBi」，RW 之發送功率Pt為「Pt=26dBm」（此處亦考慮到電纜之耗損）， 此外，Zc=Rc+jXc，Za=Ra+jXa。又，j表示虛數。 15 (第3實施型態） 然而’在第1圖或第3圖所示之標籤用微帶天線3之結構 中（以下’參照代表的第3圖），藉由改變天線之全長l，可 使共振頻率改變。在該情況下，係將狹縫5之長度s固定於， 例如，S=23.5mm，並使L改變。 20 第9圖係顯示在將狹縫5之長度S固定於「S=23.5mm」， 並使天線之全長L改變時’ L與共振頻率之關係的特性圖。 在第9圖中，橫轴係表示70mm至84mm之標籤用微帶天 線3之全長L(mm)，而縱轴係表示840MHz至1000MHz之共 振頻率(MHz)。 16 200908436 如第9圖所示，共振頻率（MHz)係與標籤用微帶天線3 之全長L(mm)成反比且直線的變化。因此，可得知與曰本 所使用之頻帶（952MHz〜954MHz)對應之標籤用微帶天線3 的全長L(mm)只要為74mm即可。 5 又，從第9圖可得知，只要標籤用微帶天線3之全長 L(mm)大約為81.5mm，便可與EU所使用之865MHz對應。 相同地，從第9圖可得知，只要標籤用微帶天線3之全長 L(mm)大約為76.5mm，便可與US所使用之915MHz對應。 如第9圖所示，可得知共振頻率根據標籤用微帶天線3 10 之全長L(mm)從71mm變化成83mm，而從大約990MHz直線 的變化成850MHz。 因此，只要改變天線之全長L，本發明之標籤用微帶天 線3便可與寬頻帶對應。 (第4實施型態） 15 又’標籤用LSI4之内部電容的值因製造公司或商品編 號而有不同。本發明之標籤用微帶天線3不只可與寬頻帶對 應，亦可使由因狹縫5而產生之邊緣之一部分6與天線本體 形成環狀之交流電路發揮電感的作用，藉此可輕易地調整 與標籤用LSI4之整合。以下，針對前述情況進行說明。 2〇 第1〇圖係顯示前述RFID用標籤1及1〇(以下，使用第3 圖之RFID用標籤10為代表進行說明）之標籤用LSI4與標籤 用微帶天線3之等效電路的圖。又，同圖中，係將第3圖所 示之編號加上括號來表示與第3圖之結構對應的電路部分。 不只本例之標籤用LSI4，一般的LSI晶片於内部皆具有 17 200908436 並聯電阻Rc(大約200〜2000Ω)與並聯電容Cc(大約〇 2〜2pF)。 然而，眾所週知之用以算出相對於預定的共振頰率整 . 合前述L S1晶片與具有電感之天線之條件的公式係「f〇=丨/2 π ，LC」。 5 其中，當整合第3圖所示之RnD用標籤ι〇與標籤用微 ▼天線3時，只要第10圖所示之標籤用微帶天線3之並聯電 阻Ra與標籤用LSI4之並聯電阻RC為相同值，且標籤用微帶 天線3之並聯電感La處於前述公式所示之關係的話標籤用 微帶天線3之並聯電感La便會與標籤用LSI4之並聯電容Cc 10 互相抵銷。 當前述之標籤用微帶天線3之並聯電感La與標籤用 LSI4之並聯電容cc互相抵銷時，標籤用微帶天線3所接收之 電波的感應電力便會全部供給至標籤用LSI4。又，來自標 籤用LSI4之電力係全部供給至標籤用微帶天線3，並放射至 15 外部。 其中’藉由對標籤用微帶天線3之並聯電感La進行種種 變化’可發現與標籤用LSI4之並列電容Cc的整合性。 第11圖係顯示在將第3圖所示之標籤用微帶天線3之全 長L固定「L=73.0mm」，並使狹縫5之長度S改變時，S與當 20時和標籤用微帶天線3整合之標籤用LSI4之電容Cc的關係 的特性圖。 在第11圖中，橫軸係表示15mm至35mm之狹縫5的長度 S(mm) ’而縱軸係表示〇 8pF至2 〇pF之標籤用LSI4的電容 Cc(pF) ° 18 200908436 又«係連接表不模概範例之值之座標而成的特性 曲線，而該範例係將狹縫5之長度S(mm)依序增加5mm而成 為20mm、25mm、30mm、35mm者。 從第11圖可得知’在本發明第3圖所示之RFID用標籤1〇 5中’當將標籤用微帶天線3之全長L固定為「L=73.0mm」時， 藉由使狹縫5之長度5(111111)從17.5111111變成35111111，可與具有 2.0pF至0.85pF之電容的任一標籤用LSI4整合。 (第5實施型態） 然而’第3實施型態所說明之調整整合標籤用微帶天線 10 3與標籤用LSI4之共振頻率的方法並不限於改變標藏用微 帶天線之全長。 第12圖係顯示標籤用微帶天線之形狀的圖，而該標藏 用微帶天線係可在將第5實施型態之標籤用微帶天線之全 長維持於一定的情況下調整與標籤用LSI整合之共振頻率 15 者。 如第12圖所示，本例之標籤用微帶天線2〇於與形成有 第3圖所示之標籤用微帶天線3之狹縫5的邊緣相對的邊緣 側形成有切口部21。 經由模擬及實驗的結果發現：藉由改變前述切口部21 20 之深度C，可調整共振頻率。 即’只要在將標籤用微帶天線之全長L維持於一定的情 況下改變切口部21之深度C，便可得到與延長標籤用微帶天 線之全長L時相同的作用、功效。 又，在前述任一實施型態中，雖未特別圖示，但只要 19 200908436 - «天狀-邊形成透過適當的導體與接地部之 導體膜短路的結構，便可將標籤用微帶天線的全長減半。 . 找情況下，雖财效帶寬變窄，但其他功能與前述 各實施型態的情況相同。 5 如以上詳細說明，根據本發明，可提供即使附加於含 冑’夜體之物體或金屬’通訊距離仍^^惡化之厌师用標鐵。 又，當標籤用LSI之阻抗為「數1〇为數百Ω」〇為虛數） 冑’便可提供可輕易調整與標籤壯SI之整合的標籤用微帶 天線。 10 又，由於本發明未使用高頻用基板等高價的材料，而 使用市售之PET樹脂或市售之多用途樹脂基板作為介電 體，因此結構簡單並可低價的大量生產，藉此，可輕易應 付將來所設想之市場的大量需求。 又’由於本發明不需要如一般的微帶天線般，在連接 15標籤之表面與裡面時’於介電體基板鑿穿貫穿孔以導通標 籤之表面與裡面，因此可以簡單的製程進行生產。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明第1實施型態之標籤用微帶天線及使用 該天線之RFID用標籤的平面圖。 第2圖係從第1圖之箭頭a方向所見之第1圖所示之 RFID用標籤的側視圖。 第3圖係本發明第2實施型態之標籤用微帶天線及使用 該天線之RFID用標籤的平面圖。 第4圖係從第3圖之箭頭B方向所見之第3圖所示之 20 200908436 RFID用標籤的側視圖。 第5圖係詳細顯示第2實施型態之標籤用微帶天線之饋 電點附近之結構的圖。 第6圖係說明第2圖或第4圖所示之RFID用標籤之層結 5 構的圖。 第7圖係顯示使用市售之電磁界模擬器模擬第2圖或第 4圖所示之RFID用標籤之通訊距離之結果的特性圖。 第8圖係顯示在頻帶範圍為900MHz〜1 GHz之範圍中模 擬RHD用標籤之標籤用LSI的阻抗與天線圖形之阻抗之關 10 係的結果的圖。 第9圖係顯示在將作為第3實施型態之RFID用標籤之 天線圖形的狹缝長度固定於一定長度，並使天線之全長L 改變時，L與共振頻率之關係的特性圖。 第10圖係顯示RF1D用標籤之標籤用LSI與標籤用微帶 15 天線之等效電路的圖。 第11圖係顯示在將作為第4實施型態之R FID用標籤之 天線圖形的長度固定於一定長度，並使狹缝之長度S改變 時，S與標籤用LSI之電容之關係的特性圖。 - 第12圖係顯示標籤用微帶天線之形狀的圖，而該標籤 . 20 用微帶天線係可在將第5實施型態之標籤用微帶天線之全 長維持於一定的情況下調整與標籤用LSI整合之共振頻率 者。 【主要元件符號說明】 1... RFID用標戴 2a…樹月旨基板 21 200908436 2b...樹脂體 3.. .標籤用微帶天線 4,4’...標籤用 LSI 5.··狹缝 6,6,6b,6’…邊緣之一部分 7.. .多用途樹脂基板 8…導體膜 9.. .黏著劑 10.. . RFID用標籤 11.. .延長線 12a,12b.·.饋電部 13.. .饋電點 14,14a44b…安裝用記號 14b，14b’…外侧之安裝用記號 15.. .切割線 16.. .導體 17…天線圖形之阻抗 18…標觀用LSI之阻抗 19. "X軸 20.. .標籤用微帶天線 21.. .切口部 d...距離 L...全長 5.. .長度 C…深度

Ra...標籤用微帶天線之並聯電阻 Re...標籤用LSI之並聯電阻 La...標籤用微帶天線之並聯電感 Cc...標籤用LSI之並聯電容 22

Claims (1)

1. 200908436 十、申請專利範圍： 1. 一種標籤用微帶天線，包含有： 沿著天線圖形之邊緣的一部分形成於該邊緣附近 的狹縫；及 5 切除前述邊緣之一部分的中間部分而形成之對於 標籤用LSI之饋電點，且前述邊緣之一部分的中間部分 係因前述狹縫而只與前述天線圖形之本體分開前述狹 缝之寬度者。 2_如申請專利範圍第1項之標籤用微帶天線，其中前述邊 10 緣之一部分的中間部分與前述狹縫一起朝前述天線圖 形之本體内側傾斜形成， 而前述饋電點形成於前述天線圖形之本體邊緣之 延長線的内側， 又，前述邊緣之延長線與前述饋電點之間形成有前 15 述標籤用LSI之安裝用記號的外側記號。 3. 如申請專利範圍第1或2項之標籤用微帶天線，其中前述 狹縫係以前述饋電點為界之其中一側的長度較另一側 之長度長者。 4. 如申請專利範圍第1項之標籤用微帶天線，其中前述天 20 線圖形之本體的一邊形成有切口部。 5. —種RFID用標籤，包含有： 如申請專利範圍第1至4項中任一項之標籤用微帶 天線； 連接於前述標籤用微帶天線之前述饋電點之前述 23 200908436 標籤用LSI; 將前述標籤用天線與前述標籤用LSI模製成卡狀之 樹脂體； 黏貼有前述卡狀之樹脂體的多用途樹脂基板；及 5 黏貼於為前述多用途樹脂基板之前述黏貼面之相 反面的外面之導體膜。 6. 如申請專利範圍第5項之RFID用標籤，其中前述導體膜 由銘帶所構成。 7. 如申請專利範圍第5項之RFID用標籤，其中前述樹脂體 10 之介質常數ει*為3.5，而介質損耗tan5為0.01。 8. 如申請專利範圍第5項之RHD用標籤，其中前述多用途 樹脂基板之介質常數εΓ為5.1，而介質損耗tan5為0.0003。 9. 如申請專利範圍第5項之RFID用標籤，其中前述卡狀之 樹脂體黏貼於前述多用途樹脂基板，且前述標籤用LSI 15 之外部電極配置面的相反面朝向前述黏貼面方向。 10. 如申請專利範圍第5項之RFID用標籤，其中前述標籤用 微帶天線之天線圖形本體的一邊透過導體與前述導體 膜短路。 24