KR100960210B1

KR100960210B1 - Ｒｆｉｄ 태그 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR100960210B1
Application number: KR1020070073053A
Authority: KR
Inventors: 다까시 야마가조; 도루 마니와; 마나부 가이; 야스유끼 오이시; 요시야스 스기무라; 순지 바바
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤; 후지츠 프론테크 가부시키가이샤
Priority date: 2006-08-09
Filing date: 2007-07-20
Publication date: 2010-05-27
Also published as: CN101159035B; JP5057786B2; US20110284643A1; US8022878B2; US8462052B2; EP1887653B1; CN101159035A; KR20080013721A; US20080036673A1; TWI350484B; JP2008067342A; EP1887653A1; TW200816057A

Abstract

패치 안테나에 구멍을 뚫거나, 혹은, 패치 안테나에 DC적으로 급전할 필요가 없는 RFID 태그 및 그 제조 방법을 제공한다. 태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그에서, 그 RFID 태그는, LSI 칩이 탑재된 소정 선폭의 선 형상 안테나, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나, 선 형상 안테나와 패치 안테나 사이를 고주파 결합하는 고주파 결합부를 구비하고 있다. 고주파 결합부는, 예를 들면, 패치 안테나에 슬롯을 형성하고, 선 형상 안테나로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 슬롯과 교차하도록 적층 배치함으로써 형성되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해진다.

패치 안테나, SI 칩, 태그 안테나, 고주파 결합

Description

ＲＦＩＤ 태그 및 그 제조 방법{RFID TAG AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은, RFID 태그 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 태그 안테나로서 패치 안테나(평면 안테나)를 구비하고, 도전성 물체 혹은 비도전성 물체 혹은 액체를 포함하는 물체에 접착하여 사용하여도 주어진 특성을 발휘하는 RFID 태그 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 유통업계, 운송업계 등에서, 개개의 제품 정보를 관리하는 방법으로서, 제품 자체에, 혹은 제품의 상자에 바코드를 인쇄 혹은 접착하고, 이 바코드를 바코드 리더에 의해 판독하는 방법이 널리 이용되고 있다. 그러나, 이러한 바코드 처리 방법에서는, 바코드를 판독할 때, 바코드 리더를 바코드에 접촉시켜야만 하여, 판독 작업이 번거로웠다. 또한 종래의 바코드 처리 방법에서는, 바코드 자체에 새로운 정보를 추가 혹은 갱신할 수 없다는 문제가 있었다.

이 때문에, 최근, 바코드에 대신하여 물품 등에 RFID(Radio Frequency Identification) 태그를 붙여서, 물품의 정보를 무선(전자 결합)으로 비접촉으로 판독하는 것이 요구되고, 실용화되어 있다. RFID 태그는, IC 카드의 기능에 정보 의 무선 통신 기능을 추가한 것으로서, 정보 기록 가능한 불휘발성 메모리를 구비하고 있지만 전지(전원부)를 갖고 있지 않다. 이 때문에, 태그 판독 장치는 RFID 태그의 메모리로부터 정보를 비접촉으로 판독할 때, 전자파로 RFID 태그에 전력을 공급하고, 그 메모리로부터 정보를 판독하게 되어 있다. 이러한 RFID 태그에 따르면, 작업성의 대폭적인 향상을 도모할 수 있고, 더구나, RFID 태그와의 사이에서 인증 기능, 암호화 등의 기술을 이용함으로써, 우수한 시큐러티를 확보할 수 있다.

도 38은 RFID 태그의 설명도로서, 판독 장치(1)는 안테나(2)로부터 송신 데이터로 변조한 무선 신호(전자파)를 RFID 태그(3)에 송신한다. 무선 태그(3)의 안테나(3a)는 수신 신호를 정류 회로(3b)와 변복조 회로(3c)에 입력한다. 정류 회로(3b)는 무선 신호를 직류 전압으로 변환하여 변복조 회로(3c)와 논리 회로(3d)에 공급하여, 전원으로서 동작한다. 변복조 회로(3c)는 판독 장치(1)로부터 보내져 온 제어 데이터를 복조하고, 논리 회로(3d)에 입력한다. 논리 회로(3d)는 상기 제어 데이터(커맨드)에 따른 논리 처리를 행하여, 예를 들면 내장의 메모리에 기억되어 있는 정보를 판독하여 변복조 회로(3c)에 입력한다. 변복조 회로(3c)는 논리 회로로부터 입력된 정보를 이용하여 반송파를 변조하여 무선으로 안테나(3a)로부터 판독 장치(1)에 송신한다.

RFID 태그로서 여러 타입이 제안되어 있다. 그 하나로서 플라스틱이나 종이 등의 유전체 베이스 시트 상에 전파 통신용의 안테나 패턴과 IC칩(LSI)을 탑재한 것이 있다. 이러한 RFID 태그는 비도전성의 물체에 접착되면 통신 거리 등에 관하여 주어진 성능이 얻어진다. 그러나, 스틸 등의 금속에 접착되는 경우, 그 금속에 의해 RFID 태그의 통신용 전파가 저해되어 통신 거리의 저하 등의 문제점이 생긴다.

도 39는 이러한 문제점 발생의 설명도로서, 도 39의 (A)는 반파장의 다이폴 안테나 패턴을 구비한 RFID 태그를 비도전성 물체(도시하지 않음)에 접착한 경우의 설명도로서 리더 라이터의 안테나로부터 방사되는 전파에 의해 다이폴 안테나 DP에 IC칩에 필요한 전력(개방 전압 V)이 발생한다. 또한, 다이폴 안테나에 전류 I를 흘려서 리더 라이터의 안테나를 향하여 전자파를 송신할 수 있다.

그러나, 금속 물체에 다이폴 안테나 패턴을 구비한 RFID 태그를 접착한 경우, 금속 표면에서 전계의 접선 방향 성분이 경계 조건으로부터 0으로 되어, 주위 전계가 0으로 된다. 이 때문에, RFID 태그의 IC칩에 필요한 전력을 공급할 수 없다. 또한 태그 안테나로부터 리더 라이터의 안테나를 향하여 전자파를 송신(산란)할 수도 없다. 즉, 도 39의 (B)에 도시한 바와 같이, 금속 물체 MTL에 다이폴 안테나 패턴 DP를 구비한 RFID 태그를 접착한 경우, 다이폴 안테나 DP에 전류 I를 흘리면, 사상 원리에 의해 금속 물체 MTL에 역방향으로 전류가 흐르는 이미지 IMG가 발생한다. 이 이미지에 의해, 다이폴 안테나 전류 I에 의해 발생하는 전자계가 상쇄되어, RFID 태그의 IC칩에 필요한 전력을 공급할 수 없고, 더구나, 태그 안테나로부터 리더 라이터의 안테나를 향하여 전자파를 송신할 수도 없게 된다. 이상으로부터 금속 표면에 접착하여도 안테나 이득이 열화하지 않고, 전자파의 송수신이 가능한 태그 안테나를 구비한 RFID 태그가 요망된다.

따라서, 도 39의 (C)에 도시한 바와 같이, 금속 물체 MTL 표면으로부터 다이 폴 안테나 패턴 DP까지의 거리 D를 크게 하여 이미지의 영향을 저감하는 것이 고려되지만 RFID 태그의 두께가 커져서 사용 상의 문제가 생긴다. 또한, UHF대의 RFID 시스템은 다른 주파수대에 비해, 통신 거리가 길다고 하는 이점을 갖지만, UHF대의 다이폴형 태그 안테나는 통상 반파장(약 16㎝) 정도의 길이가 필요하다. 이 길이는 태그 안테나를 유전체에 접착하거나 절곡하거나 함으로써 확보하고, 또한 소형화하고 있지만, 협대역으로 되게 된다. 이상으로부터, RFID 태그의 소형화 및 소형화라도 안테나 이득이 열화하지 않고, 더구나, 대역이 매우 넓어지는 태그 안테나를 구비한 RFID 태그가 요망된다.

또한, 태그 안테나의 수신 전력을 LSI 칩에 효율적으로 공급하기 위해 태그 안테나와 LSI 칩의 임피던스가 매칭(정합)하고 있을 필요가 있다. 이 때문에, 임피던스 변환 회로가 필요해지지만, RFID 태그의 제조 코스트가 비싸게 된다. 이 때문에, 임피던스 변환 회로를 사용하지 않고 태그 LSI 칩과 태그 안테나의 정합을 취할 필요가 있다. 즉, 임피던스 변환 회로를 사용하지 않아도 LSI 칩과의 임피던스 정합이 취해지도록 한 태그 안테나를 구비한 RFID 태그가 요망된다.

종래의 다이폴 안테나를 구비한 RFID 태그는 상기한 바와 같이 금속에 접착하면 통신 거리가 열화한다는 문제가 있다. 이 때문에, UHF대에서도 몇몇의 금속 대응 태그 안테나가 개발되어 있지만(특허 문헌 1 참조), 모두 두께 4㎜ 이상, 길이 10㎝ 이상으로 큰 것뿐이었다.

이 때문에, 본원 출원인은, 금속 표면에 접착하여도 전자파의 송수신이 가능한 소형 안테나를 구비한 RFID 태그를 제안하고 있다(특허 문헌2 참조). 이 제안 된 RFID 태그(10)는, 도 40에 도시한 바와 같이, 직방체 형상의 유전체 부재(11)와, 이 유전체 부재(11)의 표면에 설치되어 루프 안테나를 형성하는 송수신용의 안테나 패턴(12)과, 이 안테나 패턴(12)에 칩 탑재 패드(13)를 통하여 전기적으로 접속된 IC칩(15)을 구비하고 있다. 이 루프 안테나 구성의 RFID 태그에 따르면 소형, 박형의 구조임에도 불구하고, 금속 표면에 접착하여도 전자파의 송수신이 가능하여 통신 거리를 길게 할 수 있고, 더구나, 넓은 대역에서 게인을 거의 일정하게 할 수 있으며, 또한, 임피던스 변환 회로가 없어도 정합을 취할 수 있다. 그러나, 루프 안테나 구성의 RFID 태그를 제조하기 위해서는, 측면 도금 가공 등의 복잡한 공정, 혹은, 절연 필름을 유전체 부재에 감아 붙이는 공정이 필요해져서, 제조 코스트가 비싸게 되거나, 혹은, 높은 감아 붙이기 위치 정밀도가 요구된다는 문제가 있다.

따라서, 최근, 패치 안테나를 RFID 태그의 태그 안테나로서 사용하는 것이 제안되어 있다. 이 패치 안테나 구성의 RFID 태그에 따르면, 루프 안테나 구성의 RFID 태그와 같이 측면 도금 가공이나 감아 붙이기 작업이 불필요해진다.

그러나, 패치 안테나를 RFID 태그의 안테나에 적용하기 위해서는, RFID 태그의 LSI 칩과 임피던스 매칭시켜야만 한다. 통상적으로, 패치 안테나에의 급전은, 50Ω 급전선과 정합이 취해지는 위치로부터 그 패치 안테나에 급전하면 되지만, LSI 칩의 임피던스는 50Ω으로부터 크게 상이한 값으로 되어, 임피던스 변환 회로가 필요하게 된다. 또한, 종래의 패치 안테나에서는, 급전을 위해 패치 안테나에 구멍을 뚫을 필요가 있어, 가공 코스트가 비싸게 된다는 문제가 있다.

임피던스 변환 회로가 불필요하고, 또한, 급전을 위한 구멍을 뚫을 필요가 없는 RFID 태그의 패치 안테나가 제안되어 있다(특허 문헌 3). 이 제안되어 있는 방법은 패치 안테나에 태그 LSI가 DC적으로 접속된 상태에서 급전하는 것으로서, 접속 선의 선폭이나 길이를 조정하여 임피던스 매칭을 행하는 것이지만, 급전부의 구조가 복잡해지기 쉽다고 하는 문제가 있다. 또한 낮은 주파수, 낮은 유전률의 기판을 상정한 경우, 정합 회로 패턴 및 4분의 1파장 변환기가 안테나 전체에 대하여 차지하는 비율이 커진다.

[특허 문헌1] 일본 특개 2002-298106호 공보

[특허 문헌2] 일본 특개 2006-53833

[특허 문헌3] US6215401

이상으로부터 본 발명의 목적은, 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는 RFID 태그 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 급전을 위해 패치 안테나에 구멍을 뚫을 필요가 없거나, 혹은, 패치 안테나에 DC적으로 접속할 필요가 없는 RFID 태그 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 임피던스 변환 회로가 불필요한 RFID 태그 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 고이득의 소형, 박형 구조의 RFID 태그 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

·RFID 태그

본 발명은 태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그로서, LSI 칩이 탑재된 급전용 패턴, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나, 상기 급전용 패턴과 상기 패치 안테나 사이를 고주파 결합하는 고주파 결합부를 구비하고 있다.

본 발명의 RFID 태그는, 또한, 한쪽의 측에 상기 급전용 패턴, 패치 안테나, 고주파 결합부가 형성되고, 다른쪽의 측에 그라운드로서의 도전 패턴이 형성된 유전체와, 그 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이를 유전체의 측면에서 단락하는 단락부를 구비하고 있다.

본 발명의 RFID 태그에서, 대표적인 급전용 패턴은 다이폴 안테나나 모노폴 안테나 및 루프 안테나이다.

상기 본 발명의 RFID 태그에서, 상기 패치 안테나에 슬롯이 형성되고, 상기 급전용 패턴으로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 슬롯과 교차하도록 적층 배치되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해진다.

상기 본 발명의 RFID 태그에서, 상기 패치 안테나에 절결(cutout section)이 형성되고, 선 형상 안테나로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 절결에 고주파적으로 결합되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해진다.

상기 본 발명의 RFID 태그에서, 상기 미소 다이폴 안테나의 중앙에 상기 LSI 칩이 탑재되고, 그 LSI 칩을 중심으로 상기 패치 안테나와 좌우 대칭으로 되도록 별도의 패치 안테나가 설치되고, 상기 패치 안테나와 상기 미소 다이폴 안테나의 일단의 위치 관계와, 그 별도의 패치 안테나와 상기 미소 다이폴 안테나의 타단의 위치 관계가 동일하다.

·RFID 태그의 제조 방법

본 발명은 태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그의 제조 방법이다.

이 RFID 태그의 제조 방법은, 양면 프린트 기판의 표면을 에칭함으로써, LSI 칩이 탑재되는 급전용 패턴과 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나를 각각 기판의 표면에 형성하고, 또한, 급전용 패턴과 태그 안테나 사이가 고주파 결합하도록 형성하는 스텝, 상기 프린트 기판 이면의 도전 패턴을 그라운드로 하는 스텝, 상기 LSI 칩을 상기 급전용 패턴에 실장하여 RFID 태그를 제조하는 스텝을 갖고 있다.

본 발명에 따르면, LSI 칩이 탑재된 급전용 패턴, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나, 상기 급전용 패턴과 상기 패치 안테나 사이를 고주파 결합하는 고주파 결합부를 구비하고, 급전용 패턴으로부터 고주파적으로 패치 안테나에 급전하기 위해서, 패치 안테나에 구멍을 뚫을 필요가 없기 때문에 RFID 태그를 간단히 가공할 수 있어, 가공 코스트를 내릴 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 패치 안테나를 태그 안테나로서 이용하고 있기 때문에, 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않기 때문에, 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

또한, 본 발명에 따르면, 패치 안테나의 이득은 루프 안테나 등에 비하여 크 고, 더구나, 두께나, 금속의 도전율, 유전체의 손실 등을 조정함으로써, 패치 안테나의 이득을 더욱 크게 할 수 있고, 사이즈를 소형으로 할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 급전용 패턴으로서의 다이폴 안테나나 모노폴 안테나에 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴을 접속하고, 그 패턴의 치수를 조정함으로써, 혹은 급전용 패턴의 길이, 슬롯 길이, 절결 길이 등을 조정함으로써, LSI 칩과 임피던스 매칭시키는 것이 가능하게 되어, 임피던스 변환 회로를 불필요하게 할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이를 단락하도록 했기 때문에, 패치 안테나의 사이즈를 절반으로 하여 RFID 태그를 소형화할 수 있다.

(A) 제1 실시예

도 1은 제1 실시예의 RFID 태그의 설명도로서, (A)는 유전층을 제거한 경우의 사시도, (B)는 유전층이 투명하다고 한 경우의 측면도, (C)는 패치 안테나와 미소 다이폴 안테나의 위치 관계를 도시하는 평면도이다. 측면도에서는 구성이 명확해지도록 각 부의 두께를 실제보다 두껍게 하여 나타내고 있다.

제1 실시예의 RFID 태그는, 절연 필름(31)(도 1의 (B)) 상에 인쇄 혹은 에칭에 의해 형성된 패치 안테나(32)와, 양면 프린트 기판(33)의 표면을 에칭함으로써 형성된 미소 다이폴 안테나(34)와, 프린트 기판 이면의 도전 패턴으로 형성된 그라운드(GND)(35)를 적층하여 구성되어 있다. 절연 필름(31)으로서, 가요성을 갖는 열가소성 플라스틱 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리염화비닐(PVC)을 이용할 수 있다. 파장 λ에 비해서 매우 짧은 길이의 다이폴 안테나를 미소 다이폴 안테나라고 한다. 다이폴 안테나는 선 형상 안테나에 속한다.

패치 안테나(32)에는 미소 다이폴 안테나(34)와 고주파 결합하기 위한 가늘고 긴 소정 치수의 슬롯(36)이 형성되어 있다. 미소 다이폴 안테나(34)는 소정 선폭의 직선 형상을 구비하고, 그 중앙부에 RFID 태그의 LSI 칩(37)이 칩 본딩 기술에 의해 실장되고, 그 미소 다이폴 안테나(34)의 좌우에 임피던스 조정용의 도전 패턴(병렬 인덕터)(38a, 38b)이 접속되어 있다. 미소 다이폴 안테나의 일단 직선부는 패치 안테나(32)에 형성한 슬롯(36)과 교차하도록 적층 배치되고, 그 미소 다이폴 안테나(34)로부터 패치 안테나(32)에 고주파적으로 급전하도록 되어 있다

병렬 인덕터(38a, 38b)는 미소 다이폴 안테나와 일체로 형성되어, 소정 선폭을 구비하고, 그 길이는 태그 안테나가 LSI 칩(37)에 임피던스 매칭하도록 조정되어 있다. 또한, 도 1은 2개의 병렬 인덕터(38a, 38b)를 접속한 예이지만 하나이어도 된다. 또한, 다이폴 안테나(34)의 하측 직선부를 절곡하여 전체의 사이즈를 작게 할 수 있다.

도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 패치 안테나의 한변의 사이즈 d를 λ/2로 하여, 소정 주파수에서 패치 안테나를 공진시키면, 즉, 전류 J를 패치 안테나 표면에서 왕복시키면, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이 Y축(수평) 방향으로 편파를 갖는 전파가 패치 안테나에 수직 방향(Z축 방향)으로 방사한다. 이 전파는 패치 안테나 의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제1 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

또한, 패치 안테나의 이득은 루프 안테나 등보다 높고, 더구나, 두께나 금속의 도전율, 유전체의 손실 등을 조정함으로써 이득을 크게 할 수 있기 때문에, 제1 실시예의 RFID 태그의 사이즈를 소형으로 할 수 있다.

또한, 제1 실시예의 RFID 태그에서는, LSI 칩이 탑재된 미소 다이폴 안테나와 패치 안테나 사이를 DC적으로 접속하지 않고, 고주파 결합하기만 해도 되기 때문에, 패치 안테나에 구멍을 뚫거나, 혹은, DC 접속이 필요하지 않기 때문에 REID 태그를 간단히 가공할 수 있어, 가공 코스트를 내릴 수 있다.

또한, 미소 다이폴 안테나에 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴을 접속하고, 그 패턴의 치수를 조정함으로써, 혹은, 다이폴 안테나의 길이, 슬롯 길이 등을 조정함으로써, 임피던스 변환 회로를 사용하지 않고 태그 안테나와 LSI 칩과의 임피던스 매칭을 취할 수 있다.

(B) 제2 실시예

(a) 구조

도 3의 (A)는 제2 실시예의 RFID 태그의 평면도이다. 제2 실시예의 RFID 태그에서는, 양면 프린트 기판(41)의 표면을 에칭함으로써, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(42)와 미소 다이폴 안테나(43)가 각각 형성되고, 기판의 이면의 도전 패턴(도시하지 않음)이 그라운드로서 사용된다. 패치 안테나(42)의 하부 중앙 에는 가늘고 긴 절결(cutout section)(44)이 형성되어 있다. 즉, 절결(44)이 패치 안테나(42)의 내부 방향을 향하여 직선적으로 형성되고, 미소 다이폴 안테나(43)의 일단 직선부(43a)가 그 절결 안에 설치되어 있다.

소정 선폭의 미소 다이폴 안테나(43)는 역L자 형상으로 절곡하여 직선부(43a, 43b)를 구비하고, 그 절곡 근방에 RFID 태그의 LSI 칩(45)이 칩 본딩 기술에 의해 실장되어 있다. 또한, 그 미소 다이폴 안테나(43)의 우측에는 임피던스 조정용의 도전 패턴(병렬 인덕터)(46)이 접속되어 있다. 병렬 인덕터(46)는 미소 다이폴 안테나와 일체로 형성되고, 소정 선폭을 구비하고, 그 길이 s2는 태그 안테나가 LSI 칩(37)에 임피던스 매칭하도록 조정된다.

미소 다이폴 안테나의 일단 직선부(43a)는 패치 안테나(42)에 형성한 가늘고 긴 절결(44)에 삽입되고, 그 절결을 통하여 미소 다이폴 안테나(43)와 패치 안테나(42) 사이가 고주파적으로 접속된다. 즉, 미소 다이폴 안테나(43)로부터 패치 안테나(42)에 고주파적으로 급전하게 되어 있다.

패치 안테나의 한변의 사이즈 d를 λ/2로 하고, 소정 주파수에서 패치 안테나를 공진시키면, 즉, 전류 J를 패치 안테나 표면에서 왕복시키면, 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 전파가 패치 안테나에 수직 방향으로 방사된다. 이 전파는 패치 안테나의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제2 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

도 3의 (B)는 기판 사이즈를 작게 하기 위한 패치 안테나의 단부에 사각형의 절결(47a, 47b)을 형성한 예로서, (a1+a2+a3+2×a4)의 전기장이 파장의 절반과 대략 동등해지도록 절결을 형성한다. 이와 같이 하면, 세로 사이즈의 치수를 2×a4만큼 짧게 할 수 있다. 단, a4를 지나치게 크게 하면 안테나 이득이 작아지기 때문에, 적절한 값으로 할 필요가 있다.

도 3의 (A), (B)의 제2 실시예에서, 패치 안테나(42)와 미소 다이폴 안테나(43)를 동일 유전체 표면에 형성하였지만, 적층하여 구성할 수도 있고, 각각의 제조 방법은 후술한다. 또한, 미소 다이폴 안테나(43)는 기판의 사이즈를 작게 하기 위해서 역L자 형상으로 절곡하여 형성하고 있지만, 사이즈를 중시하지 않으면 절곡될 필요는 없다.

도 4의 (A), (B)는 도 3의 RFID 태그의 실제의 치수 및 기판 특성을 나타내는 것으로서, 기판 사이즈는 78㎜×44㎜×1.2㎜이다. 또한, 미소 다이폴 안테나의 일단(43a)의 선폭은 2.0㎜, 타단(43b)의 선폭은 1.0㎜, 절결(44)과 미소 다이폴 안테나(43) 사이의 스페이스 간격은 0.5㎜, 병렬 인덕터(46)와 패치 안테나 선단부의 간격은 0.5㎜이다

도 4의 치수 및 기판 특성을 구비하는 제2 실시예의 RFID 태그에서, 패치 안테나에 가하는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 특성을 시뮬레이션하였다. 단, LSI 칩이 동작하기 위해 필요한 최소 파워를 -10.0O㏈m, 리더 라이터의 안테나에 공급되는 파워를 27.00㏈m, 리더 라이터 안테나 이득을 9.00㏈i로 하고 있다.

(b) 각종 특성

도 5는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 시뮬레이션 결과로서, (1) LSI 칩의 서셉턴스 Bcp, 저항 Rc, 리액턴스 Xc, (2) 태그 안테나의 저항 Ra, 리액턴스 Xa, 정합 계수 q, S 파라미터 S11, 이득, 및 (3) 리더 라이터의 안테나에 직선 편파 및 원 편파의 안테나를 각각 사용했을 때의 통신 거리를 나타내고 있다. 태그 안테나는, 패치 안테나와 미소 다이폴 안테나를 조합한 부분이다.

·정합 특성

도 6은 태그 안테나의 임피던스를 나타내는 스미스 차트로서, 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화되면 태그 안테나의 임피던스는 IPT로 나타낸 바와 같이 동그라미를 그리도록 변화한다. 그리고, 도 5의 특성 결과로부터 950∼953㎒ 부근에서의 태그 안테나의 임피던스가 LSI 칩(45)의 입력 임피던스에 거의 정합하는 값으로 된다.

LSI 칩과 태그 안테나로 구성되는 RFID 태그의 등가 회로는 도 7에 도시한 바와 같다. 즉, 등가 회로는 LSI 칩과 태그 안테나의 병렬 회로로 나타내어지고, LSI 칩은 저항 Rc와 컨덴서 Cc(리액턴스는 Xc)의 병렬 회로로 나타내어지고, 태그 안테나는 저항 Ra와 인덕턴스 La(리액턴스는 Xa)의 병렬 회로로 나타내어진다. 이 RFID 태그에서의 정합의 조건은 Rc=Ra, |Xc|=Xa로서, 도 5로부터 950∼953㎒ 부근에서 제2 실시예의 RFID 태그는 이 정합 조건을 충족시키고 있다.

·이득 특성 및 S11 특성

도 8은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 태그 안테나의 이 득을 나타내고 있어, 패치 안테나가 953㎒ 근방에서 공진하고 있고, 거기에서 높은 이득(게인)이 얻어진다.

도 9는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 S 파라미터 S11의 특성도이다. S 파라미터 S11은 LSI 칩과의 임피던스 매칭의 정도를 나타내고, 950∼953㎒ 부근에서 최소값을 나타내고 있다.

·통신 거리

도 10은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리를 나타내고, 리더 라이터의 안테나에 직선 편파의 안테나를 사용한 경우로서, 953㎒ 근방에서 최대로 되어 있다. RFID 태그의 통신 거리 r은 대략 이하의 식으로 주어진다.

여기에서, λ는 파장, pt는 리더 라이터 안테나에 가한 파워, Gt 및 Gr은 각각 태그 안테나 및 리더 라이터 안테나의 안테나 게인, Pth는 LSI 칩이 동작하기 위해 필요한 파워의 최소값이다. 또한, Zc 및, Za는 각각, LSI 칩과 태그 안테나의 복소 임피던스이다.

·정합 조정

병렬 인덕터(46)의 치수에 따라서는, 태그 안테나와 LSI 칩의 임피던스 매칭 을 취하지 않는 경우가 있다. 이러한 경우에는 미소 다이폴의 길이 S1 또는 병렬 인덕터(46)의 치수 s2 또는 s1과 s2의 양방을 조정한다. 치수 s2를 크게 하면, 도 11의 (A)의 스미스 차트 상에서 주파수를 변화시켰을 때의 임피던스 궤적 IPT가 그리는 원이 화살표 방향으로 이동함과 함께 약간 커진다. 이것은 도 7에 도시하는 등가 회로에서, 태그 안테나의 병렬 인덕턴스 La가 커진 것에 대응하여, 보다 큰 태그 LSI의 병렬 용량 Cc를 상쇄할 수 있는 것을 의미한다. 한편 치수 s1을 크게 하면 도 11의 (B)에 도시한 바와 같이 임피던스의 궤적은, 시계 방향 혹은 반시계 방향으로는 그다지 회전하지 않고, 원의 크기가 커지는 방향으로 변화된다. 이것은 도 7에 도시하는 등가 회로에서, 태그 안테나의 병렬 저항 Ra가 작아진 것에 대응하여, 보다 작은 태그 LSI의 병렬 저항 Ra를 상쇄할 수 있는 것을 의미한다. 따라서, 치수 s2는 또는 치수 s1 또는 s1과 s2의 양방을 조정하여 임피던스 궤적 IPT를 이동하여, 원하는 주파수에서 임피던스 매칭이 취해지도록 한다.

(c) 효과

제2 실시예에 따르면, 방사하는 전파는 패치 안테나의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제2 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

또한, 패치 안테나의 이득은 루프 안테나 등 보다 높고, 더구나, 두께나 금속의 도전율, 유전체의 손실 등을 조정함으로써 이득을 크게 할 수 있기 때문에, 제2 실시예의 RFID 태그의 사이즈를 소형으로 할 수 있다.

또한, 제2 실시예의 RFID 태그에서는, LSI 칩이 탑재된 미소 다이폴 안테나 와 패치 안테나 사이를 DC적으로 접속하지 않고, 고주파 결합하기만 해도 되기 때문에, 패치 안테나에 구멍을 뚫거나 할 필요가 없고, 더구나, DC 접속이 불필요하기 때문에 RFID 태그를 간단히 가공할 수가 있어, 가공 코스트를 내릴 수 있다.

또한, 미소 다이폴 안테나에 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴을 접속하고, 그 패턴의 치수를 조정함으로써, 혹은, 다이폴 안테나의 직선부(43b)의 길이 s0이나, 절결 길이 s1 등을 조정함으로써, 임피던스 변환 회로를 사용하지 않고 LSI 칩과 임피던스 매칭을 취할 수 있다.

(C) 제3 실시예

도 12는 제3 실시예의 RFID 태그의 평면도로서, 도 3의 (A)의 제2 실시예의 태그 안테나를 병렬로 접속한 구성을 갖고 있다.

태그 안테나로서 동작하는 2개의 패치 안테나(42, 42')와 미소 다이폴 안테나(43)는, 각각 양면 프린트 기판(41)의 표면을 에칭함으로써 형성되고, 도시하지 않았지만 기판의 이면의 도전 패턴이 그라운드로 되어 있다. 직선 형상의 미소 다이폴 안테나(43)의 중앙에는 LSI 칩(45)이 실장되고, 그 LSI 칩을 중심으로 패치 안테나(42)와 패치 안테나(42')가 좌우 대칭으로 되도록 형성되어 있다. 또한, 패치 안테나(42)와 미소 다이폴 안테나의 일단(43a)의 위치 관계와, 패치 안테나(42')와 미소 다이폴 안테나의 타단(43b)의 위치 관계는 완전히 동일하게 되어 있다. 또한, 병렬 인덕터(46a, 46b)가 미소 다이폴 안테나(43)의 상하에 대칭으로 접속되어 있다.

제3 실시예의 RFID 태그에 따르면, 태그 안테나의 이득을 크게 할 수 있어, 전파를 멀리까지 날리는 것이 가능하게 되지만, 사이즈가 배로 된다.

도 13은 제1 실시예의 태그 안테나를 병렬로 접속한 경우의 평면도로서, 도 12의 RFID 태그와 동등한 효과가 있다.

(D) 제4 실시예

(a) 구조

도 14의 (A), (B)는 제4 실시예의 RFID 태그의 평면도로서, (A)는 전체도, (B)는 점선으로 둘러싼 부분의 확대도이다. 제4 실시예의 RFID 태그에서는, 양면 프린트 기판(51)의 표면을 에칭함으로써, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(52)와 미소 모노폴 안테나(53)가 각각 형성되고, 기판의 이면의 도전 패턴(도시하지 않음)이 그라운드로서 사용된다. 파장 λ에 비해 매우 짧은 길이의 모노폴 안테나를 미소 모노폴 안테나라고 한다. 모노폴 안테나는 선 형상 안테나에 속한다.

패치 안테나(52)의 좌측단부에는 얕은 절결(52a)이 형성되고, 이 절결에 미소 모노폴 안테나(53)의 소정 선폭의 안테나부(53a)가 배치되어 있다. 그 절결을 통하여 미소 모노폴 안테나(53)와 패치 안테나(52) 사이가 고주파적으로 접속된다. 즉, 미소 모노폴 안테나(53)로부터 패치 안테나(52)에 고주파적으로 급전하게 되어 있다. 패치 안테나(52)의 우측 단부에는 기판 사이즈를 작게 하기 위해, (a1+a2+a3+2×a4)의 전기장이 λ/2로 대략 동등해지도록 절결(52b)이 형성되어 있다.

미소 모노폴 안테나(53)의 역L자의 안테나부(53a)의 선단에는 임피던스 조정 용의 루프 형상의 도전 패턴(병렬 인덕터)(53b)이 접속되고, 루프 중간부에 RFID 태그의 LSI 칩(54)이 칩 본딩 기술에 의해 실장되어 있다. 병렬 인덕터(53b)는 미소 모노폴 안테나와 일체로 형성되고, 소정 선폭을 구비하고, 그 길이 s2는 태그 안테나가 LSI 칩(54)과 임피던스 매칭하도록 조정된다.

패치 안테나(52)의 한변의 길이를 λ/2로 하고, 소정 주파수에서 그 패치 안테나를 공진시키면, 즉, 전류 J를 패치 안테나 표면에서 왕복시키면, 제1, 제2 실시예의 경우와 마찬가지로 전파가 패치 안테나에 수직 방향으로 방사한다. 이 전파는 패치 안테나의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제4 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

도 14의 제4 실시예에서는, 패치 안테나(52)와 미소 모노폴 안테나(53)를 동일 유전체 표면에 형성하였지만, 적층하여 구성할 수도 있고, 각각의 제조 방법은 후술한다.

도 15의 (A), (B)는 도 14의 RFID 태그의 실제의 치수 및 기판 특성을 나타내는 것으로서, 기판 사이즈는 78㎜×44㎜×1.2㎜이다. 또한, 미소 모노폴 안테나의 선폭은 1.0㎜, 절결(52a)과 미소 모노폴 안테나(53) 사이의 스페이스 간격은 0.5㎜ 이다.

(b) 각종 특성

도 15의 치수 및 기판 특성을 구비하는 제4 실시예의 RFID 태그에서, 패치 안테나에 가하는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 특성을 시 뮬레이션한다. 단, LSI 칩이 동작하기 위해 필요한 최소 파워를 -10.0O㏈m, 리더 라이터의 파워를 27.00㏈m, 이득을 9.00㏈i로 하고 있다.

도 16은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 측정 결과로서, (1) LSI 칩의 서셉턴스 Bcp, 저항 Rc, 리액턴스 Xc, (2) 태그 안테나의 저항 Ra, 리액턴스 Xa, 정합 계수 q, S 파라미터 S11, 이득, 및 (3) 리더 라이터의 안테나 직선 편파 및 원 편파의 안테나를 각각 사용했을 때의 통신 거리를 나타내고 있다.

·정합 특성

도 17은 태그 안테나의 임피던스를 나타내는 스미스 차트로서, 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하면 태그 안테나의 임피던스는 IPT로 나타낸 바와 같이 작은 동그라미를 그리도록 변화한다. 그리고, 도 16의 특성 결과로부터 953㎒ 부근에서의 태그 안테나의 임피던스가 LSI 칩(54)의 입력 임피던스에 거의 정합하는 값으로 된다.

·이득 특성 및 S11 특성

도 18은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 태그 안테나의 이득을 나타내고 있고, 패치 안테나가 953㎒ 근방에서 공진하고 있고, 거기에서 높은 이득(게인)이 얻어진다.

도 19는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 S 파라미터 S11의 특성도이다. S 파라미터 S11은 LSI 칩과의 임피던스 매칭의 정도를 나타내고, 953㎒ 부근에서 최소값을 나타내고, -20㏈ 이하로 되어 있다.

·통신 거리

도 20은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리를 나타내고, 리더 라이터의 안테나에 직선 편파의 안테나를 사용한 경우로서, 953㎒ 근방에서, 통신 거리가 최대로 되어 있다.

·정합 조정

병렬 인덕터(53b)의 치수에 따라서는 임피던스 매칭을 취하지 않은 경우가 있다. 이러한 경우에는 병렬 인덕터(53b)의 치수 s2를 조정한다. 치수 s2를 작게 하면, 도 21의 스미스 차트 상에서 주파수를 변화시켰을 때의 임피던스 궤적 IPT가 그리는 원이 반시계 방향으로 회전한다. 따라서, 치수 s2를 조정하여 임피던스 궤적 IPT의 원을 회전시켜 원하는 주파수에서 임피던스 매칭이 취해지도록 한다.

(c) 효과

제4 실시예에 따르면, 방사하는 전파는 패치 안테나의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제1 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

또한, 패치 안테나의 이득은 루프 안테나 등 보다 높고, 더구나, 두께나 금속의 도전율, 유전체의 손실 등을 조정함으로써 이득을 크게 할 수 있기 때문에, 제4 실시예의 RFID 태그의 사이즈를 소형으로 할 수 있다.

또한, 제4 실시예의 RFID 태그에서는, LSI 칩이 탑재된 미소 모노폴 안테나와 패치 안테나 사이를 DC적으로 접속하지 않고, 고주파 결합하기만 해도 되기 때문에, 패치 안테나에 구멍을 뚫거나 할 필요가 없고, 더구나, DC 접속이 불필요하 기 때문에, RFID 태그를 간단히 가공할 수 있어, 가공 코스트를 내릴 수 있다.

또한, 미소 모노폴 안테나에 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴을 접속하고, 그 패턴의 치수 s2를 조정함으로써, 혹은 모노폴 안테나의 직선부의 길이 s1이나 s3 등을 조정함으로써, 임피던스 변환 회로를 사용하지 않고 LSI 칩과 임피던스 매칭을 취할 수 있다.

(E) 제5 실시예

제4 실시예에서는 급전 패턴으로서 미소 모노폴 안테나(53)를 패치 안테나(52)의 얕은 절결에 배치하고, 미소 모노폴 안테나(53)와 패치 안테나(52) 사이를 고주파적으로 접속하고, 그 미소 모노폴 안테나로부터 패치 안테나(52)에 급전하는 경우였다. 그러나, 미소 모노폴 안테나(53) 대신에 소정 선폭의 루프 패턴을 배치하고, 그 루프 패턴으로부터 패치 안테나에 급전하도록 구성할 수도 있다.

(a) 구조

도 22는 제5 실시예의 RFID 태그의 평면도이다. 제5 실시예의 RFID 태그에서는, 양면 프린트 기판(61)의 표면을 에칭함으로써, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(62)와 급전 패턴으로서의 루프 패턴(63)이 각각 형성되고, 기판의 이면의 도전 패턴(도시하지 않음)이 그라운드로서 사용된다.

패치 안테나(62)의 좌측 단부에는 얕은 절결(62a)이 형성되고, 이 절결에 소정 선폭의 루프 패턴(63)이 배치되어 있다. 그 절결을 통하여 루프 패턴(63)과 패치 안테나(62) 사이가 고주파적으로 접속되고, 루프 패턴(63)으로부터 패치 안테나(62)에 고주파적으로 급전하도록 되어 있다. 루프 패턴 하단부에는 RFID 태그의 LSI 칩(64)이 칩 본딩 기술에 의해 실장되어 있다. 루프 패턴(63)의 길이 s2는 태그 안테나가 LSI 칩(64)과 임피던스 매칭하도록 조정된다.

패치 안테나(62)의 한변의 길이를 λ/2로 하고, 소정 주파수에서 그 패치 안테나를 공진시키면, 즉, 전류 J를 패치 안테나 표면에서 왕복시키면, 제1, 제2 실시예의 경우와 마찬가지로 전파가 패치 안테나에 수직 방향으로 방사한다. 이 전파는 패치 안테나의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제5 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

도 22의 제5 실시예에서는, 패치 안테나(62)와 루프 패턴(63)을 동일 유전체 표면에 형성하였지만, 적층하여 구성할 수 있고, 각각의 제조 방법은 후술한다.

도 23의 (A), (B)는 도 22의 RFID 태그의 실제의 치수 및 기판 특성을 나타내는 것이다. 또한, 루프 패턴(63)의 선폭은 1.0㎜, 절결(62a)과 루프 패턴(63) 사이의 스페이스 간격은 0.5㎜이다.

(b) 각종 특성

도 23의 치수 및 기판 특성을 구비하는 제5 실시예의 RFID 태그에서, 패치 안테나에 가하는 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 특성을 시뮬레이션하였다

·정합 특성

도 24는 태그 안테나의 임피던스를 나타내는 스미스 차트로서, 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하면 태그 안테나의 임피던스는 IPT로 나타낸 바와 같이 작은 동그라미를 그리도록 변화한다. 그리고, 953㎒ 부근에서의 태그 안테나의 임피던스가 LSI 칩(64)의 입력 임피던스에 거의 정합하는 값으로 된다.

·이득 특성 및 S11 특성

도 25는 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 태그 안테나의 이득을 나타내고 있고, 패치 안테나가 953㎒ 근방에서 공진하고 있고, 거기에서 높은 이득(게인)이 얻어진다.

도 26은 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 S 파라미터 S11의 특성도이다. S 파라미터 S11은 LSI 칩과의 임피던스 매칭의 정도를 나타내고, 953㎒ 부근에서 최소값을 나타내고, -20㏈ 이하로 되어 있다.

·통신 거리

도 27은 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리를 나타내고, 리더 라이터의 안테나에 직선 편파의 안테나를 사용한 경우에서, 953㎒ 근방에서 최대로 되어 있다. 단, 통신 거리는, LSI 칩이 동작하기 위해 필요한 최소 파워를 -10.00㏈m, LSI 칩의 병렬 저항 Rc를 800Ω, LSI 칩의 병렬 용량 Cc를 1.2㎊와, 리더 라이터의 파워를 27.00㏈m, 이득을 9.00㏈i로서 계산하고 있다.

·정합 조정

루프 패턴(63)의 치수에 따라서는 임피던스 매칭을 취하지 않은 경우가 있다. 이러한 경우에는 루프 패턴(63)의 치수 s2를 조정한다. 치수 s2를 작게 하면, 스미스 차트 상에서 주파수를 변화시켰을 때의 임피던스 궤적 IPT(도 24 참조)가 그리는 원이 반시계 방향으로 회전한다. 따라서, 치수 s2를 조정하여 임피던스 궤적 IPT의 원을 회전시켜 원하는 주파수에서 임피던스 매칭이 취해지도록 한다.

(c) 효과

제5 실시예에 따르면, 방사하는 전파는 패치 안테나의 그라운드측의 물자의 특성에 영향받지 않는다. 이 때문에, 제1 실시예의 RFID 태그를 금속이나 액체를 포함하는 물체에 접착하여도 통신 거리가 열화하지 않는다.

또한, 패치 안테나의 이득은 루프 안테나 등 보다 높고, 더구나, 두께나 금속의 도전율, 유전체의 손실 등을 조정함으로써 이득을 크게 할 수 있기 때문에, 제5 실시예의 RFID 태그의 사이즈를 소형으로 할 수 있다.

또한, 제5 실시예의 RFID 태그에서는, LSI 칩이 탑재된 루프 패턴과 패치 안테나 사이를 DC적으로 접속하지 않고, 고주파 결합하기만 해도 되기 때문에, 패치 안테나에 구멍을 뚫거나 할 필요가 없고, 더구나, DC 접속이 불필요하기 때문에 RFID 태그를 간단히 가공할 수 있어, 가공 코스트를 내릴 수 있다.

또한, 루프 패턴의 치수 s2를 조정함으로써, 혹은 s3 등을 조정함으로써, 임피던스 변환 회로를 사용하지 않고 LSI 칩과 임피던스 매칭을 취할 수 있다.

(F) 제6 실시예

제6 실시예는 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이를 단락함으로써 RFID 태그의 사이즈를 소형화하는 실시예이다.

(a) 구조

도 28은 제6 실시예의 RFID 태그의 설명도로서, (A)는 사시도, (B)는 (A)에서의 AA 화살 표시의 단면도, (C)는 (A)에서 B 화살 표시 방향으로부터 본 경우의 사시도이다.

제5 실시예의 RFID 태그(도 22)에서 패치 안테나(62)의 한변의 길이를 λ/2로 하여 소정 주파수에서 그 패치 안테나를 공진시키면, Y축 방향의 전계 E가 도 29에 도시한 바와 같이 변화하여, 중앙부에서 전계가 0으로 된다. 이것은, 중앙부에서 패치 안테나와 그라운드를 단락하여도 전계 분포가 변화되지 않고, 제5 실시예와 마찬가지로 전파를 패치 안테나와 수직한 방향으로 방사할 수 있는 것을 의미한다.

도 28의 제6 실시예의 RFID 태그는, 이러한 원리에 기초하여 패치 안테나(62)의 한변과 그라운드(65) 사이를 단락부(66)에 의해 기판(61)의 측면에서 단락하고, 이에 의해, 패치 안테나(62)의 사이즈를 제5 실시예의 RFID 태그에 비해 약 1/2로 하고 있다. 즉, Y축 방향의 길이를 λ/4로 하고 있다.

제6 실시예의 RFID 태그는, 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이가 단락되어 있는 점 및 사이즈가 상이한 점을 제외하면, 제5 실시예의 RFID 태그와 거의 마찬가지의 구성을 구비하고 있다. 양면 프린트 기판(61)의 표면을 에칭함으로써, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(62)와 급전 패턴으로서의 루프 패턴(63)이 각각 형성되고, 그 기판(61)의 이면의 도전 패턴(65)((B) 참조)이 그라운드로서 사용되고, 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이가 단락부(66)에 의해 기판 측면에서 단락되어 있다. 이 단락부(66)는 예를 들면 도금 가공에 의해 형성할 수 있다.

패치 안테나(62)의 단부에는 절결(62a)이 형성되고, 이 절결에 소정 선폭의 루프 패턴(63)이 배치되어 있다. 그 절결을 통하여 루프 패턴(63)과 패치 안테 나(62) 사이가 고주파적으로 접속되고, 루프 패턴(63)으로부터 패치 안테나(62)에 고주파적으로 급전하게 되어 있다. 루프 패턴(63)의 단부에는 RFID 태그의 LSI 칩(64)이 칩 본딩 기술에 의해 실장되어 있다. 루프 패턴(63)의 길이 s2는 태그 안테나가 LSI 칩(64)과 임피던스 매칭하도록 조정된다. 또한, 절입(67)의 깊이 s5를 조정함으로써 공진 주파수를 조정할 수 있다. 각종 조정은, 제1 내지 제5 실시예와 마찬가지의 방법으로 조정 가능하다. 예를 들면, 상면 패치 안테나(62)에 형성한 절입(67)의 깊이 s5를 바꿈으로써, 패치의 공진 주파수를 조정할 수 있다. 또한, 급전 패턴(63)의 길이 s2를 바꿈으로써, 태그 안테나의 입력 임피던스를 조정하는 것이 가능하다. 구체적인 예로서, 임피던스 및 통신 거리의 주파수 특성을 시뮬레이션한 결과를 각각 도 30, 도 31에 도시한다.

도 30은, 기판(유전체)의 비유전률을 8.0, 유전 손실을 0.002, 유전체의 크기를 30㎜×30㎜×2.5㎜로 한 RFID 태그를 무한 도체판 상에 놓았을 때의 임피던스를, 스미스 차트 상에 플롯하고 있다. 루프 패턴(63)의 치수 s2에 따라서는 임피던스 매칭을 취하지 않은 경우가 있는데, 그 경우에는 그 치수 s2를 조정한다. 치수 s2를 작게 하면, 스미스 차트 상에서 주파수를 변화시켰을 때의 임피던스 궤적 IPT가, 화살표 방향으로 반시계 방향으로 회전하기 때문에, 원하는 주파수에서 임피던스 매칭이 취해지도록 치수 s2를 조정한다.

도 31은 주파수를 900㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리를 나타낸다. 통신 거리의 산출에 있어서는, 탑재되는 태그 LSI 및 리더 라이터(RW) 안테나의 특성을 다음과 같이 가정하였다. 즉, 953㎒에서의 태그 LSI 임피던스를 32- j109[Ω], RW 안테나에의 공급 파워 0.5[W], RW 안테나 게인[9㏈i]라고 가정하였다. 이 통신 거리의 시뮬레이션 결과로부터 명확하게 알 수 있는 바와 같이, UHF대 RFID 태그로서의 주파수 대역(952-954㎒)에서 실용 상 충분한 비거리(약, 2.6m)가 얻어진다.

제6 실시예에 따르면, 제1∼제5 실시예의 이점 외에 RFID 태그의 사이즈를 반감할 수 있다고 하는 이점이 있다.

또한, 제6 실시예는, 패치 안테나와 그라운드를 단락하여 사이즈를 반감한다고 하는 원리를 제5 실시예의 RFID 태그에 적용한 예이지만, 그 원리를 제1∼제4 실시예의 RFID 태그에도 적용하여 사이즈를 반감할 수 있다.

(G) 변형예

제1∼제6 실시예의 태그 안테나는, 도 2에 도시한 바와 같이, Y축 방향으로 직선 편파하는 전파를 수평면(패치 안테나면)에 수직 방향으로 방사하는 것으로서, 당연히, Y축 방향으로 직선 편파하고, 또한, 패치 안테나면에 수직 방향으로부터 입사하는 전파를 가장 효율적으로 수신할 수 있다. 그러나, X축 방향으로 직선 편파하는 전파가 입사한 경우에는 수신할 수 없다. 따라서, 원 편파의 전파를 발사하고, 또한, 임의의 방향으로 직선 편파하는 전파가 입사하여도 수신할 수 있도록 한다.

도 32는 원 편파의 전파의 방사 및 수신이 가능한 패치 안테나의 구성예이다. 도 32의 (A)는 전류 J가 왕복하는 방향으로 비스듬하게 패치 안테나 PATT의 일부(71, 72)를 절단한 예, 도 32의 (B)는 전류 J가 왕복하는 방향으로 비스듬하게 패치 안테나 PATT에 슬롯(73)을 형성한 예이다.

(H) RFID 태그의 제조 방법

(a) 제1 제조 방법

도 33은 RFID 태그의 제1 제조 방법의 설명도로서, 제2 실시예의 RFID 태그의 제조에 적용한 예이지만, 제3, 제4 실시예의 RFID 태그의 제조에도 적용을 할 수 있다.

양면에 도전 패턴이 피착되어 있는 양면 프린트 기판(41)을 준비하고, 그 양면 프린트 기판(41)의 표면을 에칭함으로써, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(42)와, LSI 칩이 탑재되는 미소 다이폴 안테나(43)와, 병렬 인덕터(46)를 형성한다. 그러한 후, LSI 칩(45)을 칩 본딩에 의해 미소 다이폴 안테나(43) 상에 실장하여 RFID 태그를 작성한다. 또한, 양면 프린트 기판(41)의 이면의 도전 패턴을 태그 안테나의 그라운드 GND로서 사용한다.

(b) 제2 제조 방법

도 34는 RFID 태그의 제2 제조 방법의 설명도로서, 제2 실시예의 RFID 태그의 제조에 적용한 예이지만, 제3, 제4 실시예의 RFID 태그의 제조에도 적용을 할 수 있다.

PET 등의 절연 필름(41a) 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(42)와, LSI 칩이 탑재되는 미소 다이폴 안테나(43)와, 병렬 인덕터(46)를 형성하고, LSI 칩(45)을 칩 본딩에 의해 미소 다이폴 안테나(43) 상에 실장한다.

이어서, 편면에 도전 패턴이 피착되어 있는 편면 프린트 기판(41b)을 준비하고, 그 편면 프린트 기판(41b)의 도전 패턴이 형성되어 있지 않은 면에 상기 절연 필름(41a)을 접착제, 양면 테입 등으로 접착하여, RFID 태그를 작성한다.

또한, 편면 프린트 기판(41b)의 이면의 도전 패턴을 태그 안테나의 그라운드 GND로서 사용한다. 또한, 편면 프린트 기판(41b) 상에 오목부(48)를 형성하고, 그 오목부에 LSI 칩이 잘 맞도록 하면, 절연 필름(41a)가 요철하는 일은 없다.

(c) 제3 제조 방법

도 35는 RFID 태그의 제3 제조 방법의 설명도로서, 제2 실시예의 RFID 태그의 제조에 적용한 예이지만, 제3, 제4 실시예의 RFID 태그의 제조에도 적용을 할 수 있다.

PET 등의 절연 필름(41a) 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(42)와, LSI 칩이 탑재되는 미소 다이폴 안테나(43)와, 병렬 인덕터(46) 형성하고, LSI 칩(45)을 칩 본딩에 의해 미소 다이폴 안테나(43) 상에 실장한다.

이어서, PET 등의 유전체(41c)와 구리나 알루미늄 등의 도전 시트(41d)를 준비하고, 그 유전체(41c)의 한편에 상기 절연 필름(41a)을 접착제, 양면 테입 등으로 접착하고, 이어서, 유전체(41c)의 다른 면에 도전 시트(41d)를 접착하여 RFID 태그를 작성한다.

또한, 절연체(41c) 상에 오목부(48)를 형성하고, 그 오목부에 LSI 칩이 잘 맞도록 하면, 절연 필름(41a)가 요철하는 경우는 없다.

(d) 제4 제조 방법

도 36은 RFID 태그의 제4 제조 방법의 설명도로서, 제2 실시예의 RFID 태그의 제조에 적용한 예이지만, 제1, 제3, 제4 실시예의 RFID 태그의 제조에도 적용을 할 수 있다.

PET 등의 절연 필름(41a) 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, LSI 칩이 탑재되는 미소 다이폴 안테나(43)와, 병렬 인덕터(46)를 형성하고, LSI 칩(45)을 칩 본딩에 의해 미소 다이폴 안테나(43) 상에 실장한다.

또한, 양면에 도전 패턴이 피착되어 있는 양면 프린트 기판(41e)을 준비하고, 그 양면 프린트 기판(41e)의 표면을 에칭함으로써, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(42)를 형성하고, 양면 프린트 기판(41e)의 이면의 도전 패턴을 태그 안테나의 그라운드 GND로서 사용한다.

이어서, 양면 프린트 기판(41e)의 패치 안테나(42)가 형성되어 있는 면에 상기 절연 필름(41a)을 접착제, 양면 테입 등으로 접착하여 RFID 태그를 작성한다.

또한, 양면 프린트 기판(41e) 상에 오목부(48)를 형성하고, 그 오목부에 LSI 칩이 잘 맞도록 하면, 절연 필름(41a)이 요철하는 일은 없다.

이 제4 제조 방법에 따르면, 나라에 따라 사용하는 주파수 대역이 상이한 경우라도, 양면 프린트 기판으로서 1종류의 패치 안테나(42)가 형성된 양면 프린트 기판(41e)을 모든 나라에 공통으로 설치하기만 해도 된다.

(e) 제5 제조 방법

도 37은 RFID 태그의 제5 제조 방법의 설명도로서, 제2 실시예의 RFID 태그 의 제조에 적용한 예이지만, 제1, 제3, 제4 실시예의 RFID 태그의 제조에도 적용을 할 수 있다.

PET 등의 절연 필름(41a) 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나(42)를 형성한다.

또한, 양면에 도전 패턴이 피착되어 있는 양면 프린트 기판(41e)을 준비하고, 그 양면 프린트 기판(41e)의 표면을 에칭함으로써, LSI 칩이 탑재되는 미소 다이폴 안테나(43)와 병렬 인덕터(46)를 형성하고, LSI 칩(45)을 칩 본딩에 의해 미소 다이폴 안테나(43) 상에 실장한다. 단, 양면 프린트 기판(41e)의 이면의 도전 패턴을 태그 안테나의 그라운드 GND로서 사용한다.

이어서, 양면 프린트 기판(41e)의 미소 다이폴 안테나(43)가 형성되어 있는 면에 상기 절연 필름(41a)을 접착제, 양면 테입 등으로 접착하여 RFID 태그를 작성한다.

이 제5 제조 방법에 따르면, 나라에 따라 사용하는 주파수 대역이 상이한 경우라도, 절연 필름으로서 1종류의 패치 안테나(42)가 형성된 절연 필름(41a)을 모든 나라에 공통으로 설치하기만 해도 된다.

·부기

(부기 1)

태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그에 있어서,

LSI 칩이 탑재된 급전용 패턴과,

태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나와,

상기 급전용 패턴과 상기 패치 안테나 사이를 고주파 결합하는 고주파 결합부

를 구비한 것을 특징으로 하는 RFID 태그.

(부기 2)

한쪽의 측에 상기 급전용 패턴, 패치 안테나, 고주파 결합부가 형성되고, 다른쪽의 측에 그라운드로서의 도전 패턴이 형성된 유전체와,

상기 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이를 유전체의 측면에서 단락하는 단락부

를 구비한 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 RFID.

(부기 3)

상기 RFID 태그는, 급전용 패턴으로서 동작하는 선 형상 안테나 패턴을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 2에 기재된 RFID 태그.

(부기 4)

상기 RFID 태그는, 급전용 패턴으로서 동작하는 루프 패턴을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 2에 기재된 RFID 태그.

(부기 5)

상기 패치 안테나에 슬롯이 형성되고, 상기 선 형상 안테나로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 슬롯과 교차하도록 적층 배치되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해지는 것을 특징으로 하는 부기 3에 기재된 RFID 태그.

(부기 6)

상기 패치 안테나에 절결이 형성되고, 상기 선 형상 안테나로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 절결에 고주파적으로 결합되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해지는 것을 특징으로 하는 부기 3에 기재된 RFID 태그.

(부기 7)

상기 미소 다이폴 안테나의 중앙에 상기 LSI 칩이 탑재되고, 그 LSI 칩을 중심으로 상기 패치 안테나와 좌우 대칭으로 되도록 별도의 패치 안테나가 설치되고,

상기 패치 안테나와 상기 미소 다이폴 안테나의 일단의 위치 관계와, 그 별도의 패치 안테나와 상기 미소 다이폴 안테나의 타단의 위치 관계가 동일한

것을 특징으로 하는 부기 5 또는 6에 기재된 RFID 태그.

(부기 8)

상기 미소 다이폴 안테나에 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴이 접속되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 5 내지 7에 기재된 RFID 태그.

(부기 9)

상기 RFID 태그는, 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴을 더 구비하고,

상기 루프 패턴의 중간에 상기 LSI 칩이 탑재되고, 그 루프 패턴의 단부와 선 형상 안테나부의 단부를 접속하여 모노폴 안테나가 형성되고, 그 모노폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해지는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 2에 기재된 RFID 태그.

(부기 10)

태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그의 제조 방법에 있어서,

양면 프린트 기판의 표면을 에칭함으로써, LSI 칩이 탑재되는 급전용 패턴과 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나를 각각 기판의 표면에 형성하고, 또한, 그 급전용 패턴과 태그 안테나 사이가 고주파 결합하도록 형성하고,

상기 프린트 기판 이면의 도전 패턴을 그라운드로 하고,

상기 LSI 칩을 상기 급전용 패턴에 실장하여 RFID 태그를 제조하는

것을 특징으로 하는 RFID 태그의 제조 방법.

(부기 11)

절연 필름 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, LSI 칩이 탑재되는 급전용 패턴과 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나를 각각 형성하고, 또한, 급전용 패턴과 태그 안테나 사이가 고주파 결합하도록 형성하고,

상기 LSI 칩을 상기 급전용 패턴에 실장하고,

상기 절연 필름을 편면 프린트 기판 위에 접착하고, 그 프린트 기판 이면의 도전 패턴을 그라운드로 하는

것을 특징으로 하는 RFID 태그의 제조 방법.

(부기 12)

절연 필름 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, LSI 칩이 탑재되는 급전용 패턴을 형성하고,

상기 LSI 칩을 상기 급전용 패턴에 실장하고,

양면 프린트 기판의 표면을 에칭함으로써 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나를 형성하고, 또한, 프린트 기판 이면의 도전 패턴을 그라운드로 하고,

상기 절연 필름을 상기 프린트 기판의 표면에 접착함으로써 RFID 태그를 제조하는

것을 특징으로 하는 RFID 태그의 제조 방법.

(부기 13)

절연 필름 상에 인쇄에 의해, 혹은 에칭에 의해, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나를 형성하고,

양면 프린트 기판의 표면을 에칭함으로써, LSI 칩이 탑재되는 급전용 패턴을 형성하고, 또한, 프린트 기판 이면의 도전 패턴을 그라운드로 하고,

상기 LSI 칩을 상기 급전용 패턴에 실장하고,

것을 특징으로 하는 RFID 태그의 제조 방법.

도 1은 제1 실시예의 RFID 태그의 설명도.

도 2는 패치 안테나로부터 방사하는 전파의 설명도.

도 3은 제2 실시예의 RFID 태그의 평면도.

도 4는 제2 실시예의 RFID 태그의 실제의 치수 및 기판 특성.

도 5는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 시뮬레이션 결과.

도 6은 태그 안테나의 임피던스를 나타내는 스미스 차트.

도 7은 LSI 칩과 태그 안테나에서 구성되는 RFID 태그의 등가 회로.

도 8은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 태그 안테나의 이득 특성.

도 9는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 S 파라미터 S11의 특성도.

도 10은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리 특성.

도 11은 병렬 인덕터의 치수 s2를 조정하고, 스미스 차트 상에서 주파수를 변화시켰을 때의 임피던스 궤적 설명도.

도 12는 제3 실시예의 RFID 태그의 평면도.

도 13은 제1 실시예의 태그 안테나를 병렬에 접속한 경우의 평면도.

도 14는 제4 실시예의 RFID 태그의 평면도.

도 15는 제4 실시예의 RFID 태그의 실제의 치수 및 기판 특성.

도 16은 제4 실시예에서 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 각종 시뮬레이션 결과.

도 17은 태그 안테나의 임피던스를 나타내는 스미스 차트.

도 18은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 태그 안테나의 이득 특성.

도 19는 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 S 파라미터 S11의 특성도.

도 20은 주파수를 850㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리 특성.

도 21은 병렬 인덕터의 치수 s2를 조정하고, 스미스 차트 상에서 주파수를 변화시켰을 때의 임피던스 궤적 설명도.

도 22는 제5 실시예의 RFID 태그의 평면도.

도 23은 제5 실시예의 RFID 태그의 실제의 치수 및 기판 특성.

도 24는 태그 안테나의 임피던스를 나타내는 스미스 차트.

도 25는 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 태그 안테나의 이득 특성.

도 26은 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 S 파라미터 S11의 특성도.

도 27은 주파수를 840㎒로부터 980㎒까지 변화하였을 때의 통신 거리 특성.

도 28은 제6 실시예의 RFID 태그의 설명도.

도 29는 패치 안테나에서의 Y축 방향의 전계 E의 설명도.

도 30은 제6 실시예의 임피던스를 스미스 차트 상에 플롯한 임피던스 주파수 특성.

도 31은 통신 거리의 주파수 특성.

도 32는 원 편파의 전파의 방사 및 수신이 가능한 패치 안테나의 구성예.

도 33은 RFID 태그의 제1 제조 방법의 설명도.

도 34는 RFID 태그의 제2 제조 방법의 설명도.

도 35는 RFID 태그의 제3 제조 방법의 설명도.

도 36은 RFID 태그의 제4 제조 방법의 설명도.

도 37은 RFID 태그의 제5 제조 방법의 설명도.

도 38은 RFID 태그의 설명도.

도 39는 종래의 RFID 태그의 문제점 발생의 설명도.

도 40은 종래의 RFID 태그의 사시도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

31 : 절연 필름

32 : 패치 안테나

33 : 양면 프린트 기판

34 : 미소 다이폴 안테나

35 : 그라운드

36 : 슬롯

37 : LSI 칩

38a, 38b : 병렬 인덕터

Claims

태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그에 있어서,

LSI 칩이 탑재된 급전용 패턴과,

태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나와,

상기 급전용 패턴과 상기 패치 안테나 사이를 고주파 결합하는 고주파 결합부와,

한쪽의 면에 상기 급전용 패턴, 패치 안테나, 고주파 결합부가 형성되고, 다른 쪽의 면에 그라운드로서의 도전 패턴이 형성된 유전체

를 구비한 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그에 있어서,

LSI 칩이 탑재된 급전용 패턴과,

태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나와,

상기 급전용 패턴과 상기 패치 안테나 사이를 고주파 결합하는 고주파 결합부와,

한쪽의 면에 상기 급전용 패턴, 패치 안테나, 고주파 결합부가 형성되고, 다른 쪽의 면에 그라운드로서의 도전 패턴이 형성된 유전체와,

상기 패치 안테나의 한변과 그라운드 사이를 유전체의 측면에서 단락하는 단락부

를 구비한 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 RFID 태그는, 급전용 패턴으로서 동작하는 선 형상 안테나 패턴을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 RFID 태그는, 급전용 패턴으로서 동작하는 루프 패턴을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제3항에 있어서,

상기 패치 안테나에 슬롯이 형성되고, 상기 선 형상 안테나로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 슬롯과 교차하도록 적층 배치되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해지는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제3항에 있어서,

상기 패치 안테나에 절결(cutout section)이 형성되고, 상기 선 형상 안테나로서의 미소 다이폴 안테나의 일단이 그 절결에 고주파적으로 결합되고, 그 미소 다이폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해지는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제6항에 있어서,

상기 미소 다이폴 안테나의 중앙에 상기 LSI 칩이 탑재되고, 그 LSI 칩을 중심으로 상기 패치 안테나와 좌우 대칭이 되도록 별도의 패치 안테나가 설치되고,

상기 패치 안테나와 상기 미소 다이폴 안테나의 일단의 위치 관계와, 상기 별도의 패치 안테나와 상기 미소 다이폴 안테나의 타단의 위치 관계가 동일한 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제6항에 있어서,

상기 미소 다이폴 안테나에 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴이 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 RFID 태그는, 병렬 인덕터로서 동작하는 루프 패턴을 더 구비하고,

상기 루프 패턴의 중간에 상기 LSI 칩이 탑재되고, 그 루프 패턴의 단부와 선 형상 안테나부의 단부를 접속하여 모노폴 안테나가 형성되고, 그 모노폴 안테나로부터 패치 안테나에 급전이 행해지는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.
태그 안테나와 LSI 칩을 구비한 RFID 태그의 제조 방법에 있어서,

양면 프린트 기판의 표면을 에칭함으로써, LSI 칩이 탑재되는 급전용 패턴과 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나를 각각 기판의 표면에 형성하고, 또한, 그 급전용 패턴과 태그 안테나 사이가 고주파 결합하도록 형성하고,

상기 프린트 기판 이면의 도전 패턴을 그라운드로 하고,

상기 LSI 칩을 상기 급전용 패턴에 실장하여 RFID 태그를 제조하는

것을 특징으로 하는 RFID 태그의 제조 방법.