TW200907902A - Display device, driving method of display device, and electronic device - Google Patents
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Description
200907902 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示裝置 如_壯 农直,—顯不裝置之一種驅動方 法及一種電子裝置,且特定 、 σ係關於一種藉由以一矩陣
形式佈置包含一電光元件之偟I _ 像素形成之扁平型(平板型)顯 不裝置,該顯示裝置之一種 骑動方法及一種具有該顯示穿 置之電子裝置。 本發明含有在2007年6月15 a & α ^ * 乃^日向日本專利局申請之日本 專利申請案JP 2〇〇7-1587丨3的如 勺相關‘的物,該申請案之全 部内容以引用方式併入本文中。 【先前技術】 在用於產生影像顯示之顯示t y „ 衣直領域中,精由以一矩陳
形式佈置包含一發光元件之像I 1豕素(像素電路)形成之扁平型 顯示裝置最近已得以快速地擴展。一 '、 種使用一根據流過作 為一像素之發光元件之裝置之電 ^ ΛΑ $ + ;IL值改蜒光發射亮度之所 明的電k驅動型電光元件之扁 土 .·,、貝不衣置之開發及商章 化正在進行中’舉例而言,— 条 , 使用—利用—在一電場施加 作為一像素之發光元件之有機薄膜時發射光之現象之 有機EL(電致發光)元件之有機EL顯示裝置。 有機EL顯示裝置具有如下特 Λ/“ 有機 ELtl件可由 _1〇 V或更低的把加電壓驅動,且因此消耗低功 於該有機EL元件係一自發光元 ,由 故5亥有機EL顯示梦w 兵一藉由在包含一液晶單元之每— " .. 像素中控制該液晶覃亓 中來自-光源(背光燈)之光強度顯 … 衫像之液晶顯示裝 128885.doc 200907902 置相比較提供高影像可見度。此外,^ ,,卜,由於不要求一照明構 件(例如,背光燈或對液晶 杜、,±4兮士、 衷置必不可少的類似構 ..^在重罝及厚度上易於減小。 此外’由於該有機EL元件且 进产, /、有—極岗大約為幾微秒的回應 速度故在顯示一移動影像時不出現後像。 如同液晶顯示裝置一樣’有_ (被動)矩陣系統及—主動 S T㈣Μ 之驅動系姑 動矩陣糸統作為該有機EL顯示裝置 之驅動糸,、先。然而,雖然具— 别祐-壯間早結構’但一簡單矩陣 i颁不裝置亦提出(例如)— 裝置之問題,此乃因一電光元大且高解析度顯示 (亦即,像素數目)之增加而Γ 週期因掃描線數目 =,-藉由一主動元件控制流過一電光元件(例如, 、-,邑緣閘極場效應電晶體(通常_ ^ φ ^ 棱(、於一相同像素電路内 作為電先70件之TFT(薄膜電 千驻罢田 < 跽))之电机之主動矩陣型顯 不哀置取近已得以有效地開 俱^ ψ招 及主動矩陣型顯示裝置使 ' 旯一大且高解析度顯示裝詈,+7ζίϊΙ^> -個訊框週期期間繼續發射光。 “元件在 有機扯元件之^特性(電流㈣著 =逝而降格(所謂的長期降袼)。在使用I通道型 文中Γμ驅動一有機此元件之電晶體(此電晶體將在下 件連接 動電晶體。之像素電路中,該有機-元 之^特^ 體之源極側。因此,在該有機虹元件 ’寺“著時間的流逝而降格時,該驅 極-源極電屋Vgs改變。因此 " X旁铽ELtg件之光發射亮度 128885.doc 200907902 亦改變。 將對此進行更具體地描述。該驅動電晶體之源極電位係 由該驅動電晶體及該有機EL元件之一操作點確定。在該有 機EL元件之丨-v特性降格時,該驅動電晶體及該有機^匕元 件之操作點變化。因此,即使在相同電壓施加至該驅動電 晶體之閘極時,該,驅動電晶體之源極電位亦改變n 該驅動電晶體之閘極-源極電壓Vgs改變,且因而流過該驅 動電晶體之電流值改變。因此,流過該有機EL元件之電流 值亦改變,⑨而該有機EL元件之光發射亮度改變。 _此外’在-使用—多晶石夕TFT之像素電路中,除有機肛 7L件之I V特性之長期降格之外,出現—驅動電晶體之臨 限電壓Vth及-形成該驅動電晶體之通道之半導體薄膜之 移動率μ(此移動率將在下文中描述為該,,該驅動電晶體之 移動率)之長期改變,且由於製造過程變化而在每一像素 中存在臨限電壓Vth及移動率卜之一差(單個電晶體之特性 之間存在變化)。 ,在每:像素中驅動電晶體之臨限電壓⑽及移動率叫 同^,在母—像素中流過該驅動電晶體之電流值變化。因 此’即使在相同電屬# ^ 5 τ π ± 加至不同像素中之各個驅動電晶體 之閘極時,不同傻音φ ⑽素巾之各财機EL元狀間的光發射亮 度亦變化。因此,螢幕均勻度受損。 從而’為保持有機]gL元件之朵恭> ET -. . . r 之先I射売度即使在該有機 v η 現長期降格或驅動電晶體之臨限電壓
Vth或移動率μ出現長期改 支Τ亦恆疋,而不受該有機EL元 128885.doc 200907902 件之I_V特性之長期降格或該驅動雷a _ > $ %動電日日體之臨限電壓Vth或 動率μ之長期改變的影響 素電路中之每—去μ a採用一種構件’此構造給像 <母 者h供一補償續右撒口 τ - 帛1貝Π亥有機EL凡件之特性變化之 下“二:驅動電晶體之臨限伽h變化(此校正將在 r 乂 r抱述為”臨限值桉 )及杈正该驅動電晶之體移動率 μ麦化(此校正將在下文中产、π & # *下文中锸述為移動率校正”)之校正功能 …見日本專利特許公開案第2〇〇6_133542號)。 ^此’藉由給每—像素電路提供補償有機EL元件之特性 …功能及校正驅動電晶體之臨晴㈣及 化之校正功能,訪古她CT _ · 4乙凡件之光發射亮度即使在該有機 、卩特後出現長期降格或該驅動電晶體之臨限電 整Vth或移動率“出現長期改變時亦可保持恆定,而不受之 2 Ltl件之Ι-ν特性之長期降格或該驅動電晶體之臨限 電塗Vth或移動率μ之長期改變的影響。 【發明内容】 j臨限值校正操作時,實施一過程,其中藉由使得驅動
電晶體之源極雷彳# V <3 A yV CM 位V在刀別將該驅動電晶體之閘極電位
V g及源極電位V ς U1 & π A 疋至預疋電位之後充分上升並使得該 驅動電晶體之閘極_源極電壓Vgs收斂於該驅動電晶體之臨 限電C vth來檢測臨限電壓Vth,且臨限電壓佩保持於一 保持电谷中(稍後將對細節進行描述)。藉由使得驅動電晶 體n原極電壓Vgs收敛於臨限電壓州來檢測臨限電 壓Vth花費一定日# P3 , μ , f間例如,一約1H之時間(H係一水平掃 描週期)。 128885.doc 200907902 然而’最近’ m之週期(沿水平方向之掃描時間)往往隨 著顯示裝置之解析度變高而變短。在m之週期變短時,變 得難以分配充分的時間作A ^ t ]作為一臨限值校正週期來檢測臨限 電壓Vih。在不能保證—充 刀的日守間作為一臨限值校正週 期時,不能確實地校正备_你主丄 像素中驅動電晶體之臨限電壓
Vth之變化(抵消)。 因此’可能不能充分抑制泣 热*丄 、 卩制饥過母一像素中驅動電晶體之 電流值之變化,此變化係ώ立 係由母一像素中驅動電晶體之臨限 —變化引起。因而,如上所述,即使在相同電厂堅 施加至不同像素中之各個驅動電晶體之問極時,不同像素 中之各個有機EL元件之間的光發射亮度亦變化。從而,螢 幕均勻度受損。 因此,期望提供使得檢測該驅動電晶體之臨限電壓所花 費的檢測時間變短之-顯示裝置,該顯示裝置之—駆動方 法及-使用«示裝置之電子裝置且從而即使在
U 變短時亦可確實地校正I ^ ^ ^ 、仅止母—像素中臨限值之變化。 本實施例特徵在於在_ g _ 隹顯不裝置中採用一如下構造,今 顯示裝置包含:—像素陲。0 _ ^ 人 '、車歹丨早70,其猎由以一矩陣 置像素形成’該等像素包含 ^ δ 冤光兀件、一用於寫入—讳 訊信號之寫入雷晶栌、 m ^ 、 電曰曰^ —用於保持由該寫入電晶體寫入之 視彳§號之保持雷交、b 、 用於根據該保持電容中所保拉 之視訊信號驅動号雪' 件之驅動電晶體;一第— 路,其用於向一嗖詈於吁你才田電 。又置於该像素陣料元之每一像素列中 向驅動電晶體供應電流 w %玉源線選擇性地供應—第一電位 128885.doc -10. 200907902 及一低於該第一電位之第二電位;—第 + 於藉由驅動該像素陣列單元卞— 帚私電路,其用 按列單元選擇像素陣列單元 j甲罵八電晶體來 於向-設置於該像素陣列單元之每—行中之?路’其用 地供應視訊信號、一充當該視訊作號之 /線選擇性 電屢及,於該第-偏移電塵之第二偏:電:第—偏移 k擇第一偏移電屬且在—其中選擇 寫入電晶體設定在導電狀態。接著,自二之週期中將 位進行一改變。接著,選 一电位至第—電 + r 擇第一偏移電壓替代嗲笸-伯 電壓。其後,將寫入電— X弟一偏移 體°又疋在不導電狀態。 /、有上述構造之顯示裝置及一具 裝置中’第一掃描電 位:'”、不、置之電子 源極電位變為該第二電位。 電曰曰體之 中,、n摇+ A、 牡’、甲璉擇该第二電位之週期 、擇電路選擇第二偏移電 雷曰砂< 6 >、.. 且弟一知·描電路將寫入 號::;::!電狀態。從而,由寫入電晶體寫入來自信 第° :矛電麼’以使驅動電晶體之閘極電位變為該 移书邀。因此,初始化驅動電晶體之源極電位 極電位。 “曰/動電曰a體閘極電位初始化為第二偏移電壓使得驅動 電晶體之閘極源極電壓高於將閘極電位初始化為充當視 。\之參考之第一偏移電壓之情形。由於一對應於閘 極源極電壓之電流流過驅動電晶體,故該驅動電晶體之 源極電位以一快速的回應速度上升。其後,第一掃描電路 自第一電位改變為第—電位,藉此起動一用於檢測驅動電 128885.doc 200907902 晶體之臨限電壓之檢測週瑚。 在該檢測週期開始之後, 代第二偏移電此時擇弟偏移電塵替 而第低狡午 寫入電日日體處於導電狀態,且因 而弟一偏移電壓自作號结 且u 罜目彳口唬線寫入,以使驅動 位變為該第—偏蒋雷茂 电日日體之閘極電 i。驅動電晶體之間極 終收斂於該驅動電曰alfA夕π 源極電壓取 i勒电日日體之臨限電壓。 將寫入電晶體掃描電路 曰曰體D又疋在不導電狀態 極-源極電壓(此電動私曰曰體之閑 ^ ^ ^ 文於δ亥驅動電晶體之臨限電壓)由 6亥保持電容保持,且臨限電壓㈣結束。 根據本實施例,藉Α 不同於“. 由將驅動電晶體之閘極電位初始化為 同於充备視訊信號之—表 专之第一偏移電壓之篦-低孩 電壓來使得該驅動電晶俨偏移 θ體之源極電位以一快速的回應速度 測時間I使檢測驅動電晶體之臨限電壓所花費的檢 —―又丑°大此’即使在1Η之週期變短時亦可確實地校 正母一像素中臨限電壓# 口所 L之欠化且仉而如供一具有極佳影像 口口貝之顯示影像。 【實施方式】 例 將在下文中參照該等圖式詳細描述本發明之較佳實施 拓示—根據本發明之-實施例之主動 —51顯不裝置之一組態之系統組態圖。 _ 采用使用根據流過該裝置之電流值改變光發射 型電光元件之主動矩陣型有機職示裝置 之月形作為—實例進行以下描述,例如,—作為一像素 128885.doc 200907902 (像素電路)之發光元件之有機EL元件。 —圖中所示,根據本實施例之有機EL顯示裝置1 〇包含 稭由以-矩陣形式兩維地佈置像素(ρχ 中之每—者之驅動單二 «亥驅動單TL圍繞像素陣列單元3〇之周邊設置。用於驅動像 素2 〇之驅動單元包含(例如)—寫人掃描電路4 0,-電源掃 描電路50及—水平驅動電路60。 像素陣列早⑦3Q具有佈置用於—具有_列及η個行之 像素佈置之每一像素列之掃描線Μ]至M-m及電源線叫 至32-m ’且具有佈置用於該具有^個列及n個行之像素佈 置之每一像素行之信號線33-1至33_η。 一般而言’像素陣列單幻G形成於—透明絕緣基板(例 如’-玻璃基板或類似材料)上’且具有一平板結構。像 素陣歹j早兀30之像素2〇中之每一者可使用一非晶石夕丁ρ丁(薄 膜電晶體)或—低溫多晶石夕TFT形成。在使用一低溫多晶石夕 TFT叶’寫入掃描電路4〇、電源掃描電路⑽水平驅動電 路60亦可安裝於—1卜 (基板m上。…、像素陣料元3G之顯示面板 寫入掃描電路4G係由―與—時鐘脈衝_步有序地移位 (轉移)一起動脈衝sp之移位暫存器或類似器件形成。在一 視訊信號被寫入像素陣列單元3〇之像素2〇中之每一者時, 寫入掃描電路4〇順序地向掃描線叫至3^供應掃描信號 糊至WSm ’且從而按列單元有序地掃描像素20(線順序 掃描)。 128885.doc -13- 200907902 電源掃描電路50係由一 動脈衝sp之移㈣存里脈衝ek同步有序地移位起 40之線…/ 器件形成。肖寫入掃描電路 叫之綠順序掃描同步, ^ 电源知抗電路5〇向電源線32-1至32_ m供應在一第—雷 CCP與一低於第—電位Vccp之第二電 位之間改變之電源線電位Ds〖 至DSm,且從而控制將稍後 w-電晶體22之導電(接通)/不導電則狀 動電路6〇視適當情形選擇對應於自一信號電 源(未顯示)供應之亮 ^电 又貝汛之視訊信號之信號電壓Vsig(作 號電壓Vsig可在下令由館〇- u 文中間早地描述為"信號電壓”)、一第一 偏移電壓Vofs及一筑一乂β你$ r~ 弟一偏移笔壓v〇fs2中之一者,並接著 知列單π (例如’㉟由信號線33_丨至33·η)將該電壓寫入像 素陣列早tl 30之像素2Q。亦即,水平驅動電路晴用其中 視訊信號之信號電壓Vsig按列(線)單元寫入之線順序寫入 驅動形式。 在此情形下’第一偏移電壓v〇fs係一充當視訊信號之信 號電壓VSlg之-參考之參考電壓(例如,對應於黑色位 準)’且第二偏移電塵v〇fs2係一比第—偏移電麼Μ高— 預定電壓之電壓。將第二電位―設定為一低於第一偏移 电/£ Vofs之電位。舉例而言,讓Vth成為驅動電晶體Μ之 臨限電壓,將第二電位Vini設定為一低於v〇fs_Vth之電 位’或較佳地設定為一充分低於V〇fs_Vth之電位。 (像素電路) 圖2係一顯示一像素(像素電路)20之組態之一具體實例 128885,doc -14- 200907902 之電路圖。 如圖2中所示,像素2〇具有一根據流過裝置之電流值改 變光發射亮度之電流驅動型電光元件,例如,—作為—發 光το件之有機EL元件21。除有機EL元件21之外,像素 具有一具有一驅動電晶體2 2、一寫入電晶體2 3及—保持電 容24之像素組態,亦即,一由兩個電晶體(τ〇及—個電容 元件(C)組成之2Tr/lC像素組態。 电令 在此組態之像素20中,- N通道型TFT用作驅動電晶體 22及寫入電晶體23。然而’在此情形下,驅動電晶體。及 寫入電晶體23之導電類型之一組合僅係一實例,且驅動電 晶體22及寫人電晶體23並不僅限於該等導電類型租人。 有機EL元件21具有—連接至—佈置成為所有像㈣所共 用之共用電源線34之陰極電極。驅動電晶體22具有一連接 至有機EL元件21之陽極電極之源電極,其具有—連接至一 電源線32(電源線32_丨至32_m)之汲電極。 寫入電晶體23具有一連接至一掃描_(掃描線⑴至 心)之間電極,具有—個連接至—信號線33(信號線叫 至33-n)之電極(源電極/汲電極)’且具有另—個連接至驅 動電晶體22之閘電極之電極(汲電極/源電極)。 保持電容24具有一個連接至驅動電晶體22之閉電極之端 子,且具有另一個連接至驅動電晶 _ 勒电日日體22之源電極(有機 凡件2 1之陽極電極)之端子。 有機EL元件21平行之方切接、更也—輔助電容可以與 ^ 方式連接以補償有機EL元件21之電 谷不足。 128885.doc 200907902 在像素組態之像素财,寫人電晶體加應於一 自寫入掃描電路4〇經由掃描線31施加至閑電極之掃描_號 W改變為導電狀態。從而,寫入電晶體23對對應於Μ “之視訊信號之信號電壓Vsig、第—偏移電壓VOW或 第二偏移電塵Vofs2進行取樣,此電㈣透過信號線則 水平驅動電路60供應,並接著將該電壓寫人像㈣内部。 寫入電《(亦即,信號電壓Vsig、偏移電^v〇fsi或偏移
電塵Vofs2)施加至驅動電晶體22之閘電極,並保持於保持 電容24中。在電源線32(電源線32]至32_叫之電位ds為第 一電位Vccp時,給驅動電晶體22供應來自電源線^之電 流,且給有機EL元件21供應一具有一對應於保持電容以中 所保持之信號電壓Vsig之電壓值之電流值之驅動電流。因 此,驅動電晶體22藉由該電流驅動有機EL元件以以使得有 機EL元件21發射光。 (像素結構) 圖3係像素20之截面結構之一實例之一截面圖。如圖3中 所示’像素20具有-如下結構:在_其上形成驅動電晶體 22之像素電路、寫入電晶體23及類似器件之玻璃基板2〇1 上有序地形成有一絕緣膜2〇2、一絕緣平坦膜2〇3及一窗形 絕緣膜204,且在窗形絕緣臈2〇4之一凹入部分2〇4A中具有 有機EL元件21。 有機EL元件21包含:一陽極電極205 ,其由金屬或類似 材料製成且形成於窗形絕緣膜2〇4之凹入部分2〇4A之底部 邛刀中,一有機層(一電子傳送層、一發光層及一電洞傳 128885.doc 16 200907902 送層/電洞注入層)206,其形成於陽極電極205上;及一陰 極電極207,其由一透明導電膜或類似材料製成並以一為 所有像素所共用之方式形成於有機層2〇6上。 有機EL元件2 1中之有機層206係藉由在陽極電極205上順 序地沈積一電洞傳送層/電洞注入層2〇6丨、一發光層 2062、—電子傳送層2063及一電子注入層(未顯示)形成。 在圖2中之驅動電晶體22之電流驅動情形下,一電流自驅 動電阳體22流過陽極電極2〇5到達有機層206。從而,在電 子及電洞在有機層2 〇 6内之發光層2 〇 6 2中彼此重新組合時 發射光。 如圖3中所不,在於其上形成像素電路之玻璃基板201上 之像素單元中形成有機EL·元件2 1之後,在絕緣膜202、 、’ε、、象平坦膜2〇3及窗形絕緣膜2〇4插入於有機EL元件2 1與玻 离基板20 1之間的情形下,藉由一黏合劑2丨〇使一密封基板 2〇9與一插入於有機£1^元件21與密封基板2〇9之間的鈍化膜 2〇8接。,且岔封基板209密封有機EL元件21。從而,形成 顯示面板70。 (有機EL顯示裝置之基本電路操作) 為促進理解’下文將根據圖4之定時波形圖參照圖5 Α至 操作說明性圖开 、+、士
圓“返在一其中根據本實施例之有機EL 二’、凌置1 〇中遥擇性地寫入像素之參考電壓固定在 "爲移电壓Vofsl(v0fs=v〇fsl)之情形下之電路基本操 作。 順便地,在圖5A 5 ατλ , 至6D之操作說明性圖示中,寫入電晶 128885.doc 200907902 體23用-開關符號表示以簡化該 ELfr ^91 a ”另外,由於有機 兀件21具有一寄生電容cei,; 4 μ 了 土电合ie丨故在该等圖示中亦 生電容Cel。 τ I顯不寄 圆4之疋時波形圖沿 干屯,旧不一個H(h為一此 平掃描週期)中掃描線31(31 ' 夕π m + 、 主31 m)之電位(掃描信號)ws
電源線32(32-1至32-m)之電位K 曰舻电位DS之改k及驅動電 曰曰體22之閉極電位Vg及源極電位%之改變。 <發射週期> 有機EL元件21在圖4之 發光狀態(發射週期)。在 位DS為第—電位vccp, 態。 定時圖中之時間tl之前之前處於 此發射週期期間,電源線32之電 且寫入電晶體23處於不導電狀 此時,由於驅動電晶體22經設定以在一飽和區域中操 I:如圖5AM示’一對應於驅動電晶體22之閘極-源極 弘壓VgS之驅動電流(汲極-源極電流”心自電源線”透過驅 G 、%日曰體22供應至有機EL元件21。因此,有機EL元件21 以一對應於驅動電流Ids之電流值之 <臨限值校正預備週期> “ 一新的線順序掃描場在時間tl開始。如圖5B中所示,電 源線32之電位Ds自第一電位(在下文中描述為"高電位”) “ cp改欠為充分低於信號線33之偏移電壓之第二 電位(在下文中描述為”低電位”)Vini。 讓Vel成為有機£1^元件21之臨限電壓且vath成為共用電 源線3 4之儀* /λ· *_ __ 电位’在低黾位乂丨以為Vini<Vel+Vcath時,驅動 128885.doc 200907902 電晶體22之源極電位Vs變得大致等於低電位⑽,且因此 有機EL元件2 1被设定在反偏壓狀態且猝總。 在:-時間t2 ’掃描線31之電位ws自一低電位側轉變 —问电位側。因此’如圖5C中所示,將寫入電晶體U設 疋在導電狀態。此日寺’由於一偏移電壓v〇fs係自水平驅動 电路60供應至信號線33,故驅動電晶體22之閘極電位%變
為偏移電壓Vofs。驅動電晶體22之源極電位%為電位 ,其充分低於偏移電壓v〇fs ^ +此時,驅動電晶體22之閘極_源極電壓、為V他々w。 若V〇fS_Vini不高於驅動電晶體22之臨限電壓Vth,則可能 不能實施將於稍後進行描述之臨限值校正操作。因而,需 要將一電位關係設定成使得v〇fs_Vini>Vth。因此,固定 (確定)並分別將驅動電晶體22之閘極€位%及驅動電晶體 之源極私位Vs初始化為偏移電壓乂也及低電位之操 作係限值彳父正預備操作^ <臨限值校正週期> 如圖5D中所示,在電源線32之電位ds在下一時間^自 低電位Vini改變為高電位―寺,驅動電晶體以源極電 位Vs開始上升。最終,驅動電晶體22之閑極_源極電壓μ 收斂於驅動電晶體22之臨限電壓Vth,且對應於臨限電壓 Vth之電壓保持於保持電容24中。 處於便利’將檢測臨限電壓vth並保持對應於保持電容 24中之限電壓Vth之電壓之週期稱為臨限值校正週期。 順便地,在臨限值校正週期中,為使電流僅流至保持電容 128885.doc -19· 200907902 24側且不流至有機扯元件21側,將共用電源線w之電位 Vcath設定成使得有機EIv元件21處於斷開狀態。 “ 在下一時間t4,掃描線31之電位ws轉變至低電位側。 因此,如圖6A中所示,寫入電晶體23設定在不導電狀熊。 -此時,驅動電晶體22之閘電極處於浮動狀態。然而,由於 閘極-源極電壓Vgs等於驅動電晶體22之臨限電壓V比,故 驅動電晶體22處於斷開狀態。因而,汲極_源極電流丨如不 流過驅動電晶體22。 Γ' <寫入週期/移動率校正週期> 在下一時間t5,如圖6B中所示,信號線33之電位自偏移 電壓Vofs改變為一視訊信號之信號電壓Vsig。接著,掃描 線31之電位WS轉變至高電位側。從而,如圖叱中所示田 寫入電晶體23設定在導電狀態,取樣視訊信號之信號電壓 Vsig,並將信號電壓Vsig寫入像素2〇内部。 因此,藉由寫入電晶體23寫入信號電壓vsig,驅動電晶 〇 體22之閘極電位Vg變為信號電壓Vsig。在驅動電晶體22由 視號之信號電壓Vsig驅動時,驅動電晶體22之臨限電 壓vth由對應於臨限電壓Vth之電壓、對應於保持於保持電 合24中之臨限電壓Vth之電壓抵消,藉此進行臨限值校 正稍後將對臨限值校正原理進行描述。 此W ’由於有機EL元件2丨首先處於斷開狀態(高阻抗狀 態)’故一根據視訊信號之信號電壓Vsig自電源線32流過 驅動電晶體22之電流(汲極-源極電流Ids)流入有機EL元件 21之寄生電容Cel中,且因此開始寄生電容Cel之充電。 128885.doc •20- 200907902 藉由充電寄生電容Cel, a + 电谷Ce】,驅動電晶體22之源極 著時間之流逝而上升。此昧 ^ ^ ,k 幵此時,已校正驅動電晶體22之臨限 電塵Vth之一變化,且驅動電曰# ^> μ % & 切电日日體22之汲極-源極電流Ids相 依於驅動電晶體22之移動率μ。 在驅動電晶體22之源極電位%最終上升至—電位㈣ vthwv時,驅動電晶體22之閘極_源極電塵、變為 Vofs + Vth-Δν。亦即’源極電位%之上升0用於自保持電 容24中所保持之電壓(Vsig_VQfs + vth)減去,或將保持電容 24之電何放電,以便施加負回饋。因而,源極電位%之上 升ΔΥ係負回饋之回讀量。 因此,藉由將流過驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids負 回饋至驅動電晶體22之閉極輸人(㈣,問極_源極電壓 Vgs),進行移動率校正’此移動率校正抵消驅動電晶體u 之汲極_源極電流1 d s對驅動電晶體2 2之移動率μ之相依性, 亦即,校正每一像素中移動率4之變化。 更具體而言,隨著視訊信號之信號電壓Vsig變高,汲 極-源極電流Ids增加,且因此負回饋之回饋量(校正量) 之絕對值增加。因而,根據光發射亮度之位準進行移動率 杈正。另外’在使得視訊信號之信號電壓Vsig恆定時,負 :饋之回饋量ΔΥ之絕對值隨著驅動電晶體22之移動率p變 阿而增加。因而,可消除每一像素中移動率μ之變化。稍 後將對移動率校正原理進行描述。 <發射週期> 在下—時間t7 掃描線3 1之電位W S轉變至低電位側。 128885.doc 21 200907902 因此’如圖6D中所示’寫入電晶體。設 驅動雷。曰驶〇 〇 4t 个导免狀態0 狀態。豆甲电1脫離#號線33,且s此設定在浮動 電晶體22之閘電極處於浮動狀態時,驅動 2之源極電位vs改變,驅動電晶 體 一與源極電位Vs之改變聯鎖(跟隨 μ 社♦— 处乃式改變’此乃因保 持电谷24係連接在驅動電晶俨 ’、 电日日體22之閘極與源極之間。此係 由保持電容24自舉操作。 係 驅動電晶體22之閘電極設定在浮動狀態,且同時 電晶體22之汲極·源極電流⑷開始流過有機el_2i。從 而,有機EL元件21之陽極電位根據驅動電晶體22之没極 源極電流Ids上升。 有機ELS件2i之陽極電位之上升正是驅動電晶體η之源 極電位Vs之上升。在驅動電晶體22之源極電位%上升時, 由於保持電容24之自舉操作,驅動電晶㈣之閘極電位Vg 亦以一與驅動電晶體22之源極電位Vs聯鎖之方式上升。 此時,假設自舉增益為一(理想值),閘極電位々之上升 量等於源極電位Vs之上升量。因此,驅動電晶體22之閘 極·源極電壓Vgs在發射週期期間在Vsig_v〇fs+Vth-Av保持 恒定。接著’在時間t8 ’信號線33之電位自視訊信號之信 號電壓Vsig改變為偏移電壓v〇fs。 (臨限值校正原理) 以下將描述對驅動電晶體22之臨限值之校正原理。驅動 電晶體22起一恆定電流源極之作用’此乃因驅動電晶體u I28885.doc -22- 200907902 係設計成在飽和區域中操作。因此,由以下方程式給定 之恆定汲極-源極電流(驅動電流)Ids係自驅動電晶體u供 應至有機EL元件21。 八
Ids=(l/2)xp(w/L)Cox(Vgs-Vth)2 ··,(〇 其中,W為驅動電晶體22之通道寬度,[為其通道長度, 且Cox為每單位面積之閘極電容。 圖7顯示驅動電晶體22之汲極_源極電流ids對閘極·源極 電壓Vgs之一特性。 f 如該特性圖中所示,在-其中不校正每—像素中之驅動 電晶體22之臨限電壓Vth之變化之情形下,在臨限電壓v让 為Vthl時,對應於閘極-源極電壓Vgs之汲極-源極電流Ids 為 Ids 1。 另一方面’在臨限電壓Vth為Vth2(Vth2>Vthl)時,對應 於相同閘極-源極電壓Vgs之汲極-源極電流此為 ( Ids 1)亦即,在驅動電晶體22之臨限電塵vth變 U 化時,即使閘極-源極電壓Vgs恆定,汲極_源極電流Ids亦 變化。 另一方面,在具有上述組態之像素(像素電路)20中,如 上所述,在光發射期間驅動電晶體22之閘極-源極電壓Vgs 為Vsig-V〇fs + Vth_AV,且因此在在方程式(1)中替代Vsig_ Vofs + Vth-Δν時,汲極_源極電流〗心被表達為
Ids=( 1/2)xp(w/L)Cox(Vsig-Vofs-AV)2 ...(2) 亦即,抵消驅動電晶體22之臨限電壓Vth項,且自驅動 电日日體22仏應至有機EL元件2丨之汲極-源極電流不相依 I28885.doc -23 - 200907902 於驅動電晶體22之臨限雷懕门, 丨民电壓Vth。因此,即使在每一 中之驅動電晶體22之臨 ” 電[th由於驅動電晶體22之製 k過%邊化及驅動電曰 源極電流_不變化之:期改變而變化時,汲極-度可保持怪定。 因而,有機EL元件21之光發射亮 (移動率校正原理) 接著將描述對驅動雷a种” 4十 , 動电日日體22之移動率之校正原理。圖8 ,.,、頁示一其中一包含—具 有相對问移動率μ之驅動電晶體22 之像素Α及一包含一且右;{;日料把汾*十 匕占具有相對低移動率μ之驅動電晶體22之 像素Β彼此相比較之狀態中之特性曲線。在驅動電晶體22 係由-多晶矽溥臈電晶體或類似器件形成時,像素(例 如’像素Α與像素Β)之間的移動率μ不可避免地變化。 在像素Α與像素Β之間的移動率μ變化之狀態中’在將處 於相同位準之視訊信號之信號電壓Vsig寫入像素八及8兩: 時,且在不對移動率μ進行校正時,在—在具有高移動^ 之像素Α中流動之没極_源極電流咖,與一在具有低移動率 μ之像素时&動之没極_源極電流Ids2l之間出現一極大的 差。因此,在像素之間之汲極_源極電流Ids由於每—像素 中之移動率μ之變化而出現一極大的差時,螢幕均勻度受 損0 如由上述作為一電晶體特性方程式之方程式(1)清楚, 移動率μ越高,汲極-源極電流Ids越大。因此,移動率^越 高,負回饋之回饋量AV越大。如圖8中所示,具有高移動 率μ之像素Α之回饋量Δνΐ大於具有低移動率μ之像素β之回 128885.doc -24- 200907902 饋量AV2。 + ^應地移動率校正操作將驅動電晶體22之⑨極-源極 S負回饋至視訊信號之信號電壓Vsig側。從而,所施 負回鎮著移動率μ變高而增加。因此,可抑制每— 像素中移動率μ之變化。 旦’、體而5,在在具有高移動率μ之像素Α中施加具有回饋 之杈正日守,汲極_源極電流丨如大地自丨如1,下降為 Id S 1 〇 Ά — -r- .
’由於具有低移動率μ之像素B之回饋量 、頗】故汲極_源極電流Ids自Ids2,下降為Ids2,此下降 二 匕大因此,像素A之汲極_源極電流Idsl及像素B 之汲極·源極電流1ds2變得彼此大致相等。因此,校正每— 像素中移動率μ之變化。 目......以上,在存在移動率Ρ不同之像素Α及像素Β時, :::移動率μ之像素Α之回饋量州大於具有低移動率μ :素3之回饋量ΔΥ2亦即,—像素增加回饋量Δγ,且因 、加一:極-源極電流1ds隨著移動率μ變高而減小之量。 因此,藉由將驅動電晶體22 、 源極電流1ds負回饋 視。iUa 5虎之信號電壓Vsi側 s j便移動率μ不同之像素之 及極-源極電流Ids之電 私"L值均勻。因此,可校正每一像素 中之移動率μ之變化。 μ 參照圖9Α、9Β及9C,下文將枢掳曰$ 士 辛(德去干, 將根據疋否在圖2中所示之像 素(像素電路)20中進行臨限值 號m中 仅土及移動率校正對視訊信 就之k琥電位(取樣電位)^4與驅動電 雷、、A T d 體2 2之〉及極-源極 电机Ids之間的關係進行描述。 128885.doc -25- 200907902 圖9A圖解說明—其中既不進行臨限卿 率校正之情形。圖9B圖解說明— 二、不進仃移動 僅進行臨限值校正之情形 :+進仃移動率校正且
值校正及移動率校正兩者之;\解^明~其中進行臨限 進行臨限值校正亦不進行移二如圖9Α中所示’在既不 中臨限電壓Vth及移動率口 像素AD 極-源極電靖出現一極大的差。在像素之間之汲
另一方面,在僅進行臨限值校正時,如圖9B中所示 ^限值校正可將汲極·源極電流此之變化減小至某種程 度,但像素A與B之間由傻去Δ B D & 门由像素A及B中移動率卜之變化所引起 之汲極-源極電流Ids之差保持不變。 如圖9C中所示’進行臨限值校正及移動率校正兩者可實 際上消除像素之間由於像素AB中臨限電壓州及移 動率μ之變化所引起之汲極-源極電流Ids之差。因此,有機 ELtg件21之亮度在任一濃淡度不出現變化,從而可獲得一 具有極佳影像品質之顯示影像。 此外,圖2中所示之像素2〇除臨限值校正功能及移動率 校正功能之外亦具有上述自舉功能。從而,可獲得以下作 用及效應。 即使在有機EL元件21之I-V特性隨著時間的流逝而改 變’且驅動電晶體2 2之源極電位v s相應地改變時,保持電 容24之自舉操作使驅動電晶體22之閘極-源極電壓vgs保持 恆定,以使流過有機EL元件21之電流不改變。因而,有機 E L元件21之光發射亮度亦保持怪定。因此,即使在有機 128885.doc -26- 200907902 ELtg件21之I-ν特性隨著時間之流逝而改變時,亦可達成 無伴隨有機EL元件21u_v特性之長期改變之亮度降格之 影像顯示。 (在1Η週期變短時的問題) - 取近’隨著顯示裝置具有更高解析度及更大量像素,1Η • ㉟期已往往變短。在如上所述1Η週期變短時,難以分配— 充刀日守間核測作為臨限值校正週期之臨限電壓V讣。在不 f'㉟保證一充分時間作為臨限值校正週期時,不能確實地校 正母一像素中.驅動電晶體之臨限電屢Vth之變化(抵消卜 [本實施例之特性部分] 攸而,替代固定在將視訊信號之信號電壓Vsig寫入充當 該視訊信號之信號電壓Vsig之一參考之第一偏移電; 杨1之前寫入之參考電壓vofs,本實施例特徵在於將表 考:壓Vofs設定為一不同於第一偏移電壓㈣之第二偏 移电〒VofS2 ’具體而言,第二偏移電壓v〇fs2高於第一偏 (J 移^*【V〇fSl ’且從而在臨限值校正預備週期中之初始化 細作期間將驅動電晶體22之閘極電位%初始化為第二偏移 電C V〇fS2,且在臨限值校正週期中在驅動電晶體22之間 極:源極電塵Vgs收敛於臨限電壓vth之前將參考電壓V(Js 自第二偏移電壓V°fs2改變為第-偏移電壓Vofsl。 (水平驅動電路) 、為實現此操作,如±料,水平驅動電路峨適 選擇對應於自作穿雷调(去n y 就电源(未顯不)供應之亮度資訊之視 號之信號電麼Vsi2、笛° 8第一偏移電壓v〇fs及第二偏移電壓 I28885.doc -27- 200907902
VofS2中之一者,且接著按列單元(例如,經由信號線 33(33-1至33·η)將該電藶寫人像素陣列單元3()之像素2〇。 圖10係一顯示水平驅動雷,女a Λ + e At & 勒电路60之組態之一實例之電路 圖。在圖H)卜三個信號傳輸線61、62及63沿像素陣列單 疋3〇中之像素2G之-水平方向(列方向)之佈置被佈置在顯 面板70上”別自提供於顯示面板7〇外部上之信號電源 (未顯不)供應視訊信號之信號電壓Vsig、第一偏移電壓 v〇fs及第二偏移電MGfs2給該等信號傳輸線61、似 63 ° 選擇開關64、65及66連接在各自信號傳輸糾、62及63 與像素陣列單元30之信號線33(33-1334)之間。選擇開 關64、65及66係(例如)由—基於一⑽⑽傳輸問極之類比 開關形成。選擇開關64、65及66分別選擇視訊信號之信號 电壓Vsig、第一偏移電壓¥〇&及第二偏移電壓2。 遥擇視汛乜唬之信號電壓Vsig之選擇開關64經受經由控 制線67-1及67-2自一定時產生器電路(未顯示)供應之開關 控制信號TEST及xTEST之開/關控制。 選擇第一偏移電壓Vofsl之選擇開關65經受經由控制線 68- 1及68-2自該定時產生器電路供應之開關控制信號 G0FS1及xGOFSl之開/關控制。 選擇第二偏移電壓v〇fs2之選擇開關66經受經由控制線 69- 1及69-2自該定時產生器電路供應之開關控制信號 G0FS2及XGOFS2之開/關控制。 圖11連同掃描線電位(掃描信號)ws之改變、電源線電位 128885.doc 200907902 DS之改變及驅動曰 電日日體22之閘極電位Vg及源極電位%之 二—起顯示開關控制信號頂T、GOFS 1及G0FS2之間之 疋時關係。 在時間U之前’具有上述組態之水平驅動電路60中之開 關控制信號G〇FS2設定在活動狀態(高電位),在此時間掃 描線電位WS轉變至高電位側且從而在臨限值校正預備週 月(至|3)中將寫入電晶體23設定在導電狀態。從而,第
-偏移電壓VQfs2自信號傳輸線63經由選擇開關供應至 信號線33。 接著,在時間t2,掃描線電位ws轉變至高電位側以將 寫入电日日體23设定在導電狀態,藉此信號線%之電位(亦 即,第二偏移電壓v〇fs2)由寫入電晶體23取樣,且接著寫 入像素20内部。從而,在臨限值校正預備週期中之初始化 操作/月間,驅動電晶體22之閘極電位Vg初始化為高於第— 偏移電壓Vofsl之第二偏移電壓v〇fs2。 丨員便地’至於驅動電晶體2 2之源極電位v s,如上所述, 電源線黾位DS在時間tl自南電位Vccp改變為低電位vinj, 乂使驅動電Ba體2 2,之源極電位v s處於一被初始化為低電 位Vini之狀態。 口此’藉由將驅動電晶體22之閘極電位Vg初始化為高於 第偏移電壓Vofsl之第二偏移電壓Vofs2,驅動電晶體22 之閘極-源極電壓Vgs變為Vofs2-Vini。一對應於閘極-源極 電壓Vgs之電流流過驅動電晶體22,藉此源極電位^上 升0 128885.doc -29- 200907902 此時,驅動電晶體22之源極電位Vs比在將閘極電位vg 初始化為第一偏移電壓Vofsl之情形(由圖n中之虛線表示) 中上升地更快。具體而言,在驅動電晶體22之閘極電位 初始化為第一偏移電壓v〇fs丨時,閘極-源極電壓vgs變為
Vofsl-Vini,然而在驅動電晶體22之閘極電位以初始化為 第二偏移電壓Vofs2時,閘極一源極電壓Vgs變為v〇fs2_
Vim。在後一情形下,—大於前一情形之電流流過驅動電 晶體22,且因此源極電位Vs之上升之回應速度變得更 快。 接著,在時間tl2,在臨限值校正週期㈦至Μ)開始之 後,開關控制信號G0FS2設定在不活動狀態(低電位),且 開關控制信號GOFS1同時設定在活動狀態。從@,替代第 二偏移電壓vGfs2,低於第二偏移電壓杨2之第—偏移電 壓自信號傳輸線62經由選擇開關65供應至信號線 33 〇 G 此時’寫入電晶體23處於導電狀態,從而由選擇開關65 供應至信號線33之第一偏移電壓v〇fsl經由寫入電晶體23 寫二像素2G内部。從而’驅動電晶體22之閘極電位Vg固定 在苐一偏移電壓Vofsl。 ^著在驅動電a曰體22之閘極電位Vg固定在第一偏移電 仙之情形下,源極電位%繼續上升。最終,驅動電 晶體22之閘極-源極電麗%收斂於驅動電晶體η之臨限電 2 Vth,且對應於臨限電壓川之電壓保持於保容^ 中。 I28885.doc -30- 200907902 在臨限值校正週期結束之後且開關控制信號g〇fs丨在時 間tl3設定在不活動狀態之操作係基本上與上述電路基本 操作相同。順便地,在開關控制信號TEST在時間〇設定在 活動狀態,且接著在時間18設定在不活動狀態。從而,在 週期t5至t8期間’視訊信號之信號電壓Vsig經由選擇開關 64供應至信號線3 3。 (本實施例之作用及效應)
如上所述,實施驅動以將參考電壓Vofs設定為第二偏移 電壓Vofs2,且從而在在其中選擇低電位vini之臨限值校 正預備週期中寫入電晶體23處於導電狀態期間之初始化操 :期間將艇動電晶體2 2之閘極電位V g初始化為第二偏移電 £ V〇fS2 ’且接著在臨限值校正週期中驅動電晶體22之閘 極,極電® ¥收敛於臨限電壓vth之前將參考電壓v〇fs 自第一偏移电壓VGfs2改變為第—偏移電壓Vofs 1。因而, 可獲得以下作用及效應。 ,藉由將驅動電晶體22之閘極電位Vg初始化為不同於充告 視訊信號之信號Φ^ w k彳。唬電壓Vsi0 —參考之第一偏移電壓 之第二偏移電壓v〇fs2, …一 J ° 间於弟一偏移電壓 〇 S之弟—偏移電壓V〇fs2,驅動電晶體22之源極電位Vs 以一比將間極電位々初始化為第-偏移電壓V〇fs之情形快 的回庳i亲许μ也 ^ ^ ^ :&升。因而,可使使駆動電晶體22之閘極.源 極電壓V g s收斂於 原 動电日日體22之^限電壓vth所花費 此ί"月屯下,驅動電晶體22之源極電位%上升時的回應 128885.doc -31 - 200907902 速度係由第二偏移電壓v〇fs2之電塵值(絕對幻確定。因 此,第二偏移電^vofs2之電麗值越高,源極電位vs之上 回應速度越快’且因此可使得使驅動電晶體之閘 極源極电屋Vg收敛於駆動電晶體22之臨限電麼vth所花費 的時間變短的更多。 、 能夠使間極-源極電遂Vgs收敛於臨限電壓Μ所花費的 時間變短意味著可使得其間實施檢測臨限電壓川及將臨 限電塵vth保持於保持電容24中之操作之臨限值校正週期 (t3至t4)變短。亦即,可以一比將驅動電晶體^之閉極電 位々初始化為第-偏移„VGfs之情形短的時間檢測臨限 電壓Vth。 因此,由於能夠減小進行臨限值校正(臨限值檢測)所花 費的時間,即使在顯示裝置隨著該顯示裝置之解析度變得 更高而具有更大量之像素,且使得相應地…週期變短時, 可在該1H週期内確實地檢測驅動電晶體22之臨限電壓 Vth。從而’可確實地校正每一像素中驅動電晶似之臨 限電壓Vth之變化,且從而獲得一具有極佳影像品質之顯 示影像。 [修改實例] 在岫述實施例中,已藉由採用一其中本發明施用於具有 具有2Tr/lC像素組態之像素20之有機EL顯示裝置1〇之情形 作為實例進行描述,該2Tr/1C像素組態包含:用於驅動^ 機EL元件21之驅動電晶體22、用於寫入視訊信號之信號電 壓Vsig之寫入電晶體23、及用於保持視訊信號之信號電屋 128885.doc •32- 200907902
Vsig(此電壓係由寫 一 電晶體23寫入)之保持電容24 ,此顯 不裝置在向電位V 斑 曰減、 P與低電位Vini之間改變供應至驅動電 日日體2 2之 >及電極之雷 轉電位D s,且此顯示裝置選擇性地 自L ?虎線3 3寫入參考雷段、,^ 包& V〇fs。然而,本發明並不僅 此應用實例。 个值限於 具體而言,本發明可類似地施用於具有如下像素組態之 有機EL顯示裝置,該像一 、 冢素、、且也進一步包含一在有機EL元 件2 1之電流驅動之俞^目、立
曰 ⑴現適當情形設定在導電狀態之開關電 ' 下私作·將驅動電晶體22之閘極電位Vg& 源極㈣始化為參考電廢杨及低電位vini,其後檢 測驅動電晶體22之臨限電壓vth,並冑所檢測之臨限電壓 Vth保持於保持電容24中。 另外,在前述實施例中,已藉由採用一其中本發明施用 於一使用有機心件作為像素電路默-電光㈣之有機 EL顯示裝置之情形作為-實例進行描述 '然而,本發明並 不僅限於此應用實例。一般而言,本發明可施用於使用一 根據流過該裝置之電流值改變光發射亮度之電流驅動型電 光元件(發光元件)之顯示裝置。 [應用實例] 根據本發明之上述實施例之顯示裝置(例如)可施用於圖 12至16G中所示之各種電子裝置之顯示裝置,例如,所有 至其顯示一視訊信號輸入或於其中所產生之視訊信號作為 一影像或視訊之領域中之電子裝置,諸如(例如),數位相 機、筆記本型個人電腦、可攜式終端裝置(例如,可攜式 128885.doc -33- 200907902 電話及類似裝置)及視訊相機。 因此,藉由使用根據本發明之 為所有領域中之電子穿置之窺_这貫知例之顯示裝置作 κ罨子I置之顯不裝置,如 描述清楚,根據本發明之前述 貫&例之 夠在各種雷子^實知例之顯示裝置提供-能 约在各種電子裝置中進行極佳影像顯示之優點 據本發明之前述實施例之顯示 艮 中驅動電晶體之臨限電壓vth之變7崔貫地奴正每一像素 一::地,根據本發明之前述實施例之顯示裝置包含一以 在封杈組形式之顯示裝置。舉例而言 物(例如’-透明玻璃或類似物)附 :由將-配對 形成之顯示模組與一以— 斤 應。此透明配對物可且有^色。·.且形式之顯示裝置相對 及…", 有,慮色…保護性膜或類似物 及一如上^之遮光膜。順便地,該顯示模組可具有 像素陣列單疋外部地輸入或輸出一 ° \ 彳° 5虎及類似物之電路部 为,一FPC(擾性印刷電路)或類似電路。 下文將描述施用本實施例之電子裝置之具體實例。 始圖12係一施用本實施例之電視機之外觀之-透視圖。根 據本應用實例之電視機包含一由一前面板〗〇2
璃⑻及類似器件組成之視訊顯示營幕部分⑻,且係IS 根據本發明之前述實施例之顯示裳置作為視訊顯 分101進行製作。 ,圖i3A及13B係一施用本實施例之數位相機之外觀之透 視圖。圖13A係該數位相機當自前側觀察時之一透視圖且 圖13B係該數位相機當自背側觀察時之-透視圖。根據本 12S885.doc • 34 *- 200907902 應用實例之數位相機包含一用於閃光之發光部分⑴… 顯示部分112、—菜單開關⑴、-快門按紐114及類似器 件。亥數位相機係使用根據本發明之前述實施例之顯示裝 置作為顯示部分1 12進行製作。 圖1 4係施用本只施例之筆記本型個人電腦之外觀之— 透視圖。根據本應用實例之筆記本型個人電腦包含一經摔 作以輸人字符及類似物之鍵盤122、—用於顯示—影像之
頌不邛刀123及一主要單元121甲之類似物。該筆記本型個 人電腦係、使用根據本發明之前述實施例之顯示裝置作為顯 示部分123進行。 圖1 5係一施用本實施例之視訊相機之外觀之一透視圖。 根據本應用實例之視訊相機包含一主要單元131、一用於 在面超如之側表面中拍攝一對象之透鏡13 2、一在拍攝 晝面時開始/停止之開關133、一顯示部分134及類似器 件。該視訊相機係使用根據本發明之前述實施例之顯示裝 置作為顯示部分13 4進行製作。 圖 16A、16B、16C、16D、16E、16F 及 16G 係一顯示一 可攜式終端端子裝置之外觀之圖示,例如,一施用本實施 例之可攜式電話。圖1 6A係該可攜式電話處於打開狀態之 一正視圖’圖16B係該可攜式電話處於打開狀態之—側視 圖,圖16C係該可攜式電話處於關閉狀態之一正視圖,圖 16D係一左側視圖’圖丨6E係一右側視圖,圖1 係—俯視 圖,且圖16G係一仰視圖。根據本應用實例之可攜式電話 包含一上側外殼141、一下側外般142、一轉合部分(在此 128885.doc -35- 200907902 二二-鉸鏈)143、一顯示器144、—子顯示器145、—晝 據明—相機147及類似器件。該可攜式電話係使用根 述實施例之顯示裝置作為顯示器144及子顯 不态145進行製作。 熟習此項技術者應理解, 出各種修改、u 了 及其他因素而作 咕直μ 子,,且更,只要其歸屬於隨附申 °月專利範圍或其等效範圍之範疇内即可。 f 【圖式簡單說明】 施例之有機 圖1係—示意性地顯示—根據本發明之一實 EL顯示裝置之—組態之系統組態圖; ^ 組態之具體實例之電 圖2係一顯示一像素(像素電路)之 路圖; 圖3係該像素之截面結構之—實例之—截面圖; 圖4係一幫助解釋一根據 賞轭例之有機EL顯 不裝置之基本電路操作之定時波形圖; 圖从、15(:及51)係幫助解釋該基本電路操作之圖示 (1), (2); 圖6A、6B、6C及6D係幫助解釋該基板電路操作 之圖示 圖7係一幫助解釋—由驅動電晶體之臨限電麼V t h之吞 引起之問題之特性圖; 4 圖8係一幫助解釋-由驅動電晶體之移動率… 之問題之特性圖; 圖从、9B及9C係根據是否進行臨限值校正及 變化 變化引起 移動率校 128885.doc -36- 200907902 正幫助解釋一視汛信號之信號電壓Vs κ、店代十士 w %動電晶體之沒 極-源極電流Ids之間的關係之特性圖; 圖10係一顯示一水平驅動電路 ^ 、心之—實例之電路 圖, 圖11係一幫助解釋一根據本發 一壯Φ a ^ 知月之實知例之有機EL顯 不4·置之一,、體電路操作之定時波形圖; 圖12係一施用本實施例之電視機之外觀之_透視圖. t C, 圖13A及削係—施用本實施例之數位相機之外觀之透 視圖’圖13A係該數位相機當自前側觀察時之—透視圖, 且圖13B係該數位相機當自背側觀察時之一透視圖.〇 圖1 4係一施用本實施你丨之箏# 士并丨& , 4員她例之聿5己本型個人電腦之外觀之一 透視圖; 及 圖15係一施用本實施例之視訊相機之外觀之一透視圖; _、16B、16C、㈣、⑽、⑽及16〇係顯 用本實施例之可攜式電話之外觀之圖心圏Μ係 式電話處於打開狀態之一正視圖,圖16B係該可攜式電‘ 處於打開狀態之-側視圖,目16C係該可攜式電話處於們 閉狀態之-正視圖,圖則系一左側視圖,圖】6E係—: 側視圖,圖16F係一俯視圖’且圖16G係一仰視圖。 【主要元件符號說明】 10 有機EL顯示裝置 20 像素 30 像素陣列單元 128885.doc -37- 200907902
40 寫入掃描電路 50 電源掃描電路 60 水平驅動電路 70 顯示面板 31-1 掃描線 3 1 -m 掃描線 3 2-m 電源線 32-m 電源線 33-1 信號線 33-2 信號線 33-n 信號線 21 有機EL元件 22 驅動電晶體 23 寫入電晶體 24 保持電容 3 1 掃描線 32 電源線 33 信號線 34 共用電源線 201 玻璃基板 202 絕緣膜 203 絕緣平坦膜 204 窗形絕緣膜 205 陽極電極 128885.doc -38- 200907902
206 有機層 207 陰極電極 208 鈍化膜 209 密封基板 210 黏合劑 204A 凹入部分 2061 電洞傳送層/電洞注入層 2062 發光層 2063 電子傳送層 61 信號傳輸線 62 信號傳輸線 63 信號傳輸線 64 選擇開關 65 選擇開關 66 選擇開關 67-1 控制線 67-2 控制線 68-1 控制線 68-2 控制線 69-1 控制線 69-2 控制線 101 視訊顯示螢幕部分 102 前面板 103 過濾玻璃 128885.doc -39- 200907902 111 114 112 113 121 122 123 131 132 133 134 141 142 144 143 145 146 147 用於閃光之發光部分 快門按鈕 顯示部分 菜單開關 主要單元 鍵盤 一用於顯示一影像之顯示部分 主要單元 用於在一面超前之側表面中拍攝一對 象之透鏡 在拍攝晝面時開始/停止之開關 顯示部分 上側外殼 下側外殼 顯示器 耦合部分 子顯示器 畫面燈 相機 128885.doc -40 -
Claims (1)
- 200907902 -、申請專利範圍: 一種顯示巢置,其包括: 一像素陣列單元,复一 成,該等像素包含:矩陣形式佈置像素而形 寫入電晶體、一伴 兀件、一寫入一視訊信泸之 保持由該寫入雷曰_ h 號之保持電容’及一根據保持::曰體所寫入之該视訊信 信號驅動該電光 & ; °亥保持電容中之該视$ 一笛4凡件之驅動電晶體; 見成 C 一弟—掃描電路,豆唑 位及-低於該第—電位之第二=:性地供應1 —電 線設置於該像”料元之每料,該電源 該驅動電晶體; 像素列中並供應電流給 一第二掃描電路,其經組 位之週期中將#宜^ 〜^在一其中選擇該第二電 自該體設定在-導電狀態,並在: 設定,之改變之後將該“電晶體 -疋在一不導電狀態,同時藉由 日日體 每-像素列巾之 =”列單元之 列單元之該等像素;及體“列早-選擇該像素陣 -選擇電路,其經組態以選擇性地供應該視訊信號、 -充當該視訊信號之—參考之第_偏移電屢及—不同於 ㈣-偏移電塵之第二偏移錢給—設置於該像素陣列 早=之每一行中之信號線,且經組態以至少在其中選擇 該第二電位之該週期中該寫入電晶體處於該導電狀態時 選擇該第二偏移電壓,並經組態以在自該第二電位:該 第一電位之該改變之後且在該寫入電晶體被設定在該不/ 128885.doc 200907902 ^電狀態之前選擇該第一偏移 μ。 移电壓以替代該第二偏移電 2.如請求項1之顯示裝置, 其中’在一自該第二電位5兮切 士 至5亥弟一電位之該改變之定 吋忒寫入電晶體轉變至該不$ 自 ^ ^ ^ 卜等电狀態之定時之週期中 貫施—使該驅動電晶體之一闡炻 恭曰 閣極、源極電壓收斂於該驅動 %日日體之一臨限電壓並將 ^ ^ 將忒L限電壓保持於該保持電容 中之刼作。 3.如請求項2之顯示裝置, 其中在該驅動電晶體之兮„ μ $極-源極電壓收斂於該驅動 電日日體之該臨限電壓之前, p、 J肩遠擇電路選擇該第一偏移 電壓以替代該第二偏移電壓。 4. 一種一顯示裝置之驅動方法,該顯示裝置包含 一像素陣列單元’其藉由以—矩陣形式佈置像素而形 成,2像素包含:―電光元件、—寫入—視訊信號之 寫入黾晶體、_伴括+ λ $ w伴柱士 一 晶體所寫入之該視訊信 咸之保持電容,及一奸播 根據保持於該保持電容中之該視訊 信號驅動該電光元件之驅動電晶體, 第掃心電路,其經組態以選擇性地供應一第一兩 位及一低於該第一電位第- 电 电诅之弟一電位給一電源線,該 線設置於該像辛陣列罝 ’、 ^陣列早%之母—像素財並 該驅動電晶體, ι’σ ―,一 路’其經組.態以藉由驅動該像素陣列單 70之母冑素歹7 _之該寫入電晶體來按列單元選擇性地 128885.doc 200907902 供應7料料k料像素,及 選擇電路,装έ t 令私▲ 、,,且恕以選擇性地供庫哕相a 一充虽該視訊信號之—夂 ^ 仏應忒硯矾信號、 該第—偏移電屬之第 帛㉟移電摩及-不同於 乐一偏移電饜认—机 單兀之每—行中之信號線,、° 。又:该像素陣列 該驅動方法包括. 在—其令選擇該第二 電麼並將該寫入電晶體期中,選擇該第二偏移 接著,自該第二體^在-導電狀態; 自-亥第-電位改變至該第_電位; 接者,選擇該第一 壓;及 偏移電塵以替代該第二偏移電 隨後’將該寫入 5. 一種且有 日日體设定在—不導電狀態。 種具有—顯示裝置之電子裝置, 其中該顯示裝置包含 一像素陣列單元,复 成’該等像素包含:二」一矩陣形式佈置像素而形 寫入電晶體、1 f光(件、—寫人-視訊信號之 號之保持電容:由該寫入電晶體所寫入之該視訊信 信號驅動該電光元#根據保持於該保持電容中之該視訊 ^ 疋凡件之驅動電晶體, ”田电路’其經組態以 位及一低於該第一㈣地仏應弟-電 線設置於該像素陣歹:。…Γ:位給一電源線’讀電源 該驅動電晶體,早7"之母-像素列中並供應電流給 一第二㈣電路’其經組態以在—其中選擇該第二電 128885.doc 200907902 位之週期中將該寫入電晶體設定在一導電狀態,並在一 自該第二電位至該第一電位之改變之後使得該寫入電晶 體進行轉變至一不導電狀態,同時藉由驅動該像素陣列 單元之每一像素列中之該寫入電晶體來按列單元選擇該 像素陣列單元之該等像素,及 一選擇電路,其經組態以選擇性地供應該視訊信號、 一充當該視訊信號之一參考之第一偏移電壓及一不同於 該第一偏移電壓之第二偏移電壓給一設置於該像素陣列 單元之每一行中之信號線,且經組態以至少在其中選擇 該第二電位之該週期中該寫入電晶體處於該導電狀態時 選擇該第二偏移電壓,並經組態以在自該第二電位至該 第一電位之該改變之後且在該寫入電晶體被設定在該不 導電狀態之前選擇該第一偏移電壓以替代該第二偏移電 壓。 L 128885.doc
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