CN101325023A - 显示设备、显示设备的驱动方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示设备、显示设备的驱动方法和电子设备。该显示设备包括像素阵列单元、第一扫描电路、第二扫描电路和选择电路。

Description

显示设备、显示设备的驱动方法和电子设备
技术领域
本发明涉及显示设备、显示设备的驱动方法和电子设备，尤其涉及通过以矩阵形式排列包括电光元件的像素形成的平面型(平板型)显示设备、该显示设备的驱动方法和具有该显示设备的电子设备。
背景技术
在用于进行图像显示的显示设备的领域中，近来通过以矩阵形式排列包括发光元件的各像素(像素电路)形成的平面型显示设备已经快速流行。使用所谓电流驱动型电光元件的平面型显示设备(例如，使用有机EL(电致发光)元件的有机EL显示设备)的发展和商用已经在进行，该电流驱动型电光元件作为像素的发光元件根据流过设备的电流值改变发光亮度，该有机EL(电致发光)元件作为像素的发光元件，利用当电场施加到有机薄膜时发出光的现象。
有机EL显示设备具有下面的特征。有机EL元件可由10V或者更低的应用电压驱动，因此消耗低功率。此外，因为有机EL元件是自发光元件，所以与通过控制来自在包括液晶单元的每个像素中的液晶单元中的光源(背光)的光强度来显示图像的液晶显示设备相比，有机EL显示设备提供高图像可见度。此外，因为不需要对液晶显示设备必需的如背光等的发光体，所以可以在重量和厚度上容易地减小有机EL显示设备。而且，因为有机EL元件具有大约几μ秒的非常高的响应速度，所以显示运动图像时不产生残像(afterimage)。
与液晶显示设备一样，有机EL显示设备可采用简单(无源)矩阵系统和有源矩阵系统作为有机EL显示设备的驱动系统。但是，在具有简单的结构的同时，简单矩阵型显示设备存在例如难以实现大的和高分辨率显示设备的问题，因为电光元件的发光时段由扫描线的数目(即像素数)的增加减小。
因此由有源元件控制流过电光元件的电流的有源矩阵型显示设备，例如在与电光元件相同的像素电路中提供的绝缘栅极场效应晶体管(典型地是TET(薄膜晶体管))，近来已经被积极地开发。因为电光元件在一帧时段内持续发光，所以有源矩阵型显示设备使得容易实现大的和高分辨率显示设备。
众所周知，有机EL元件的I-V特性(电流-电压特性)随着时间的经过而劣化(所谓的长期劣化)。在使用N沟道型TFT作为驱动有机EL元件的晶体管(该晶体管下文将称为“驱动晶体管”)的像素电路中，有机EL元件连接至驱动晶体管的源极。因此，当有机EL元件的I-V特性随着时间的经过劣化时，驱动晶体管的栅极至源极电压Vgs改变。结果，有机EL元件的发光亮度也改变。
这将更具体地描述。驱动晶体管的源极电势由该有机EL元件和该驱动晶体管的操作点确定。当有机EL元件的I-V特性劣化时，有机EL元件和驱动晶体管的操作点改变。因此，即使当同样的电压施加至驱动晶体管的栅极时，驱动晶体管的源极电势也改变。从而，驱动晶体管的栅极至源极电压Vgs改变，因此流过驱动晶体管的电流值改变。结果，流过有机EL元件的电流值也改变，使得有机EL元件的发光亮度改变。
而且，在使用多晶硅TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I-V特性的长期劣化，驱动晶体管的阈值电势Vth和形成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率(mobility)μ(该迁移率将在下文称为“驱动晶体管的迁移率”)发生长期改变，并且存在由于制造工艺的变化(在各个晶体管的特性间存在变化)而造成的每个像素中的迁移率μ和阈值电压Vth的差异。
当驱动晶体管的迁移率μ和阈值电压Vth在每个像素中不同时，流过驱动晶体管的电流值在每个像素中变化。因此，即使当同样的电压施加于不同像素中的各个驱动晶体管的栅极时，发光亮度在不同像素中的各个有机EL元件间也变化。结果，屏幕一致性(uniformity)被破坏。
于是，为了在即使当有机EL元件的I-V特性中发生长期劣化或者驱动晶体管的迁移率μ或者阈值电压Vth中发生长期改变时、也保持有机EL元件的发光亮度恒定，而不受到有机EL元件的I-V特性中的长期劣化或者驱动晶体管的阈值电压Vth或迁移率μ的长期改变的影响，采用这样的构造，该构造为每个像素电路提供补偿有机EL元件的特性的变化的功能、以及校正驱动晶体管的阈值电压Vth的变化(该校正下面将描述为“阈值校正”)、以及校正驱动晶体管的迁移率μ的变化(该校正下面将描述为“迁移率校正”)的校正功能(例如，参见日本专利未审公开No.2006-133542)。
通过因此为每个像素电路提供补偿有机EL元件的特性的变化的功能、以及校正驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ的变化的校正功能，即使当有机EL元件的I-V特性发生长期劣化或者驱动晶体管的迁移率μ或者阈值电压Vth发生长期改变时，也可保持有机EL元件的发光亮度恒定，而不受到有机EL元件的I-V特性的长期劣化或者驱动晶体管的迁移率μ或阈值电压Vth的长期改变的影响。
发明内容
在阈值校正的操作时，执行这样的处理，其中通过在将驱动晶体管的栅极电势Vg和源极电势Vs分别固定到预定电势后、使得驱动晶体管的源极电势Vs充分增长，并且使得驱动晶体管的栅极至源极电压Vgs会聚在驱动晶体管的阈值电压Vth来检测阈值电压Vth，并且阈值电压Vth保持在保持电容(细节将在下文描述)。为了通过使得驱动晶体管的栅极至源极电压Vgs会聚在阈值电压Vth来检测阈值电压Vth花费一定时间，例如大约1H(H是水平扫描时段)的时间。
然而，近来，随着显示设备的分辨率变得更高，1H的时段(水平方向的扫描时间)趋于缩短。当1H的时段缩短时，变得难以分配足够的时间来检测作为阈值校正时段的阈值电压Vth。当没有足够的时间被保证为阈值校正时段时，不能确保校正(取消)每个像素中驱动晶体管的阈值电压Vth的变化。
结果，在每个像素中流过驱动晶体管的电流值的变化可能没有足够地抑制，该变化由每个像素中驱动晶体管的阈值电压Vth的变化导致。因此，如上所述，即使当相同的电压施加到不同像素中的各个驱动晶体管的栅极时，发光亮度在不同像素中的各个有机EL元件之间也变化。由此，屏幕一致性被损害。
因此期望提供一种显示设备、显示设备的驱动方法、以及使用显示设备的电子设备，其缩短检测驱动晶体管的阈值电压所花费的检测时间，由此即使当1H的时段被缩短时也可以确保校正每个像素中的阈值电压的变化。
本实施例特征在于在显示设备中采用如下的构造，该显示设备包括：通过以矩阵的形式排列像素形成的像素矩阵单元，该像素包括电光元件、用于写入视频信号的写入晶体管、用于保持由写入晶体管写入的视频信号的保持电容、以及用于基于保持电容中保持的视频信号驱动电光元件的驱动晶体管；第一扫描电路，用于选择性地提供第一电势和低于第一电势的第二电势给放置在像素阵列单元的每个像素行中并提供电流给驱动晶体管的电源线；第二扫描电路，用于通过驱动像素阵列单元的每个像素行中的写入晶体管以行为单元选择像素阵列单元的像素；以及选择电路，用于选择性提供视频信号、用作视频信号的基准的第一偏置电压、以及与第一偏置电压不同的第二偏置电压给在像素阵列单元的每列中放置的信号线。
在选择第二电势的时段选择第二偏置电压并设置写入晶体管在导通状态。接下来，从第二电势改变到第一电势。接下来，替代第二偏置电压选择第一偏置电压。因此，写入晶体管设置在非导通状态。
在上述构造的显示设备和具有该显示设备的电子设备中，第一扫描电路选择第二电势，由此驱动晶体管的源极电势变为第二电势。在选择第二电势的时段，选择电路选择第二偏置电压，并且第二扫描电路将写入晶体管设置为导通状态。来自信号线的第二偏置电压由此由写入晶体管写入，使得驱动晶体管的栅极电势变为第二偏置电压。驱动晶体管的源极电势和栅极电势因此被初始化。
将驱动晶体管的栅极电势初始化为第二偏置电压使得驱动晶体管的栅极至源极电压高于在将栅极电势初始化为用作视频信号的基准的第一偏置电压的情形。因此对应于栅极至源极电压的电流流过驱动晶体管，所以驱动晶体管的源极电势以快响应速度升高。此后，第一扫描电路从第二电势改变到第一电势，由此开始用于检测驱动晶体管的阈值电压的检测时段。
在检测时段开始时，选择电路选择第一偏置电压来代替第二偏置电压。此时，写入晶体管在导通状态，因此第一偏置电压从信号线写入，使得驱动晶体管的栅极电势变为第一偏置电压。驱动晶体管的栅极至源极电压最终会聚在驱动晶体管的阈值电压。然后，第二扫描电路将写入晶体管设置在非导通状态，由此驱动晶体管的栅极至源极电压由保持电容保持，该电压已经会聚在驱动晶体管的阈值电压，并且阈值电压检测时段结束。
根据本实施例，通过将驱动晶体管的栅极电势初始化为与用作视频信号的基准的第一偏置电压不同的第二偏置电压，使得驱动晶体管的源极电势以快响应速度上升。因此，检测驱动晶体管的阈值电压所花费的检测时间可以被缩短。因此即时1H的时段变得更短也可以确保校正每个像素中的阈值电压的变化，由此提供良好的图像质量的显示图像。
附图说明
图1是根据本发明实施例、示意性地示出有机EL显示设备的配置的系统配置图；
图2是示出像素(像素电路)的配置的具体示例的电路图；
图3是像素的剖面结构的示例的剖面图；
图4是根据本发明实施例、有助于解释有机EL显示设备的基本电路操作的时序波形图；
图5A、5B、5C和5D是有助于解释基本电路操作的图(1)；
图6A、6B、6C和6D是有助于解释基本电路操作的图(2)；
图7是有助于解释由驱动晶体管的阈值电压Vth的变化导致的问题的特性图；
图8是有助于解释由驱动晶体管的迁移率μ的变化导致的问题的特性图；
图9A、9B和9C是有助于解释根据是否进行阈值校正和迁移率校正、在视频信号的信号电压Vsig和驱动晶体管的漏极至源极电流Ids之间的关系的特性图；
图10是示出水平驱动电路的配置的示例的电路图；
图11是根据本发明实施例、有助于解释有机EL显示设备的具体电路操作的时序波形图；
图12是应用本实施例的电视机的外观的透视图；
图13A和13B是应用本实施例的数字相机的外观的透视图，图13A是如从前侧所见的数字相机的透视图，而图13B是如从后侧所见的数字相机的透视图；
图14是应用本实施例的笔记本个人计算机的外观的透视图；
图15是应用本实施例的视频相机的外观的透视图；以及
图16A、16B、16C、16D、16E、16F和16G是示出应用本实施例的便携式电话的外观的图，图16A是打开状态下便携式电话的前视图，图16B是关闭状态下便携式电话的侧视图，图16C是关闭状态下便携式电话的前视图，图16D是左视图，图16E是右视图，图16F是俯视图，图16G是仰视图。
具体实施方式
以下，通过参照附图详细描述本发明的优选实施例。
图1是根据本发明实施例、示意性地示出有源矩阵型显示设备的配置的系统配置图。
下面将通过以使用根据流过设备的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件(例如，作为像素(像素电路)的发光元件的有机EL元件)的有源矩阵型有机EL显示设备的情形为例做出描述。
如图1中所示，根据本实施例的有机EL显示设备包括：通过以矩阵的形式二维排列像素(PXLC)20而形成的像素阵列单元30、和用于驱动像素20的每个的驱动单元，该驱动单元放置在像素阵列单元30的外围。用于驱动像素20的驱动单元包括例如写入扫描电路40、电源扫描电路50和水平驱动电路60。
像素阵列单元30具有为m行和n列的像素排列的每个像素行排列的扫描线31-1至31-m、以及为m行和n列的像素排列的每个像素列排列的信号线33-1至33-n。
通常，像素阵列单元30在如玻璃衬底等的透明绝缘衬底上形成，并具有平板结构。像素阵列单元30的每个像素20可利用无定型硅TFT(薄膜晶体管)或者低温多晶硅TFT形成。当使用低温多晶硅TFT时，写入扫描电路40、电源扫描电路50和水平驱动电路60也可安装在显示面板(衬底)70上，在该显示面板上形成像素阵列单元30。
写入扫描电路40由移位寄存器等形成，该移位寄存器以与时钟脉冲ck同步的顺序移位(转移)起始脉冲sp。当将视频信号写至像素阵列单元30的每个像素20时，写入扫描电路40顺序地向扫描线31-1至31-m提供扫描信号WS 1至WSm，从而以行单元的顺序(线序扫描)扫描像素20。
电源扫描电路50由移位寄存器等形成，该移位寄存器以与时钟脉冲ck同步的顺序转移位起始脉冲sp。与写扫描单元40的线序扫描同步，电源扫描电路50向电源线32-1至32-m提供在第一电压Vccp和比第一电压Vccp低的第二电压Vini间改变的电源线电势DS1至DSm，从而控制要在后面描述(见图2)的驱动晶体管22的导通(开)/非导通(关)。合适时，水平驱动电路60选择对应于从信号提供源(未示出)提供的亮度信息的视频信号的信号电压Vsig(信号电压Vsig下面可简单地描述为“信号电压”)、第一偏置电压Vofs和第二偏置电压Vofs2之一，然后，例如通过信号线33-1至33-n以行为单元向像素阵列单元30的像素20中写入电压。即，水平驱动电路60采用线序写入的驱动形式，其中以行(线)为单元写入视频信号的信号电压Vsig。
在此情形中，第一偏置电压Vofs是用作视频信号的信号电压Vsig的基准的基准电压(例如对应于黑电平)，并且第二偏置电压Vofs2是比第一偏置电压Vofs高预定电压的电压。第二电势Vini设置为比第一偏置电压Vofs低的电势。例如，设Vth是驱动晶体管22的阈值电压，则将第二电势Vini设置为比Vofs-Vth低的电势，或者优选地设置为比Vofs-Vth足够低的电势。
(像素电路)
图2是示出像素(像素电路)20的配置的具体示例的电路图。
如图2中所示，像素20具有根据流过设备的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件，例如，作为发光元件的有机EL元件。像素20是除了有机EL元件21之外具有驱动晶体管22、写入晶体管23和保持电容24的像素配置，即，由两个晶体管(Tr)和一个电容元件(C)组成的2Tr/1C像素配置。
在具有这样配置的像素20中，N沟道型TFT用作驱动晶体管22和写入晶体管23。但是，在此情形中，驱动晶体管22和写入晶体管23的导通类型的组合仅仅是一个例子，并且驱动晶体管22和写入晶体管23不限于这些导通类型的组合。
有机EL元件21具有连接至公共电源线34的阴极电极，该公共电源线34被排列以由所有像素20共用。驱动晶体管22具有连接至有机EL元件21的阳极电极的源极，并且具有连接至电源线32(电源线32-1至32-m)的漏极电极。
写入晶体管23具有连接至扫描线31(扫描线31-1至31-m)的栅极电极，具有连接至信号线33(信号线33-1至33-n)的一个电极(源极电极/漏极电极)，并且具有连接至驱动晶体管22的栅极电极的另一个电极(漏极电极/源极电极)。
保持电容24具有连接至驱动晶体管22的栅极电极的一个端子，并且具有连接至驱动晶体管22的源极电极(有机EL元件21的阳极电极)的另一个端子。附带地，辅助电容可并联连接至有机EL元件21以补偿有机EL元件21的电容的不足。
在2Tr/1C像素配置的像素20中，响应于通过扫描线31从写入扫描电路40施加到栅极电极的扫描信号WS，写入晶体管23改变为导通状态。从而写入晶体管23采样对应于亮度信息的视频信号的信号电压Vsig、第一偏置电压Vofs1或者第二偏置电压Vofs2，该电压通过信号线33从水平驱动电路60提供，然后将该电压写至像素20的内部。
写入电压，即信号电压Vsig、偏置电压Vofs1或者偏置电压Vofs2被施加到驱动晶体管22的栅极电极，并被保持在保持电容24中。当电源线32(电源线32-1至32-m)的电势DS为第一电势Vccp时，从电源线32向驱动晶体管22提供电流，并为有机EL元件21提供驱动电流，该驱动电流具有对应于保持在保持电容24中的信号电压Vsig的电压值的电流值。因此，驱动晶体管22通过电流驱动有机EL元件21以使有机EL元件21发光。
(像素结构)
图3是像素20的截面结构的示例的剖视图。如图3中所示，像素20具有这样的结构，其具有在玻璃衬底201上按顺序形成的绝缘膜202、绝缘平整(planarizing)膜203和窗口绝缘膜204，在该玻璃衬底201上形成驱动晶体管22和写入晶体管23等的像素电路，并且在窗口绝缘膜204的凹部204A中具有有机EL元件21。
有机EL元件21包括：在窗口绝缘膜204的凹部204A的底部中形成的、由金属等组成的阳极电极205；在阳极电极205上形成的有机层(电子传输层、发光层和空穴传输层/空穴注入层)206；以及由透明传导膜等组成的、并以所有像素共同的方式在有机层206上形成的阴极电极207。
通过顺序地在阳极电极205上沉淀空穴传输层/空穴注入层2061、发光层2062、电子传输层2063和电子注入层(未示出)来形成有机EL元件21中的有机层206。在图2中的驱动晶体管22的电流驱动下，电流通过阳极电极205从驱动晶体管22流向有机层206。从而当电子和空穴在有机层206内的发光层2062中彼此重新组合时发光。
如图3所示，在形成像素电路的玻璃衬底201上的像素单元中形成有机EL元件21后，用在有机EL元件21和玻璃衬底201间插入的绝缘膜202，绝缘平整膜203和窗口绝缘膜204，封装衬底209由粘合剂210与在有机EL元件21和封装衬底209间插入的钝化(passivation)膜208粘合，并且封装衬底209封装有机EL元件21。从而形成显示面板70。
(有机EL显示设备的基本电路操作)
为了便于理解，将基于图4的时序波形图，参照图5A至6D的操作示例图在下面描述：根据本发明实施例将选择性地写至像素20的基准电压Vofs固定为有机EL显示设备10中的第一偏置电压Vofs1(Vofs＝Vofs1)的情形中的基本电路操作。
附带地，在图5A至6D的操作示例图中，为了简化附图，写入晶体管23由开关符号表达。此外，因为有机EL元件21具有寄生电容Cel，所以寄生电容Cel也在图中示出。
图4的时序波形图示出沿着公共时间轴的一个H(H是水平扫描时段)扫描线31(31-1至31-m)的电势(扫描信号)WS的变化、电源线32(32-1至32-m)的电势DS的变化、以及驱动晶体管22的源极电势Vs和栅极电势Vg的变化。
<发光时段>
有机EL元件21处于图4的时序图中的时间t1之前的发光状态(发光时段)。在此发光时段期间，电源线32的电势DS为第一电势Vccp，写入晶体管23处于非导通状态。
此时，如图5A所示，因为驱动晶体管22设置为在饱和区域操作，所以通过驱动晶体管22从电源线32向有机EL元件21提供对应于驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs的驱动电流(漏极至源极电流)Ids。因此有机EL元件21以对应于驱动电流Ids的电流值的亮度发光。
<阈值校正准备时段>
线序扫描的新阶段在时间t1开始。如图5B所示，电源线32的电势DS从第一电势(下文描述为“高电势”)Vccp改变为比信号线33的偏置电压Vofs-Vth足够低的第二电势(下文描述为“低电势”)Vini。
设Vel为有机EL元件21的阈值电压、并且Vcath为公共电源线34的电势，当低电势Vini为Vini＜Vel+Vcath时，驱动晶体管22的源极电势Vs变得基本上等于低电势Vini，因此有机EL元件21设置为反偏(reverse-biased)状态并且熄灭。
在接下来的时间t2，扫描线31的电势WS从低电势侧转变为高电势侧。因此，如图5C所示，写入晶体管23设置为导通状态。此时，因为从水平驱动电路60向信号线33提供偏置电压Vofs，所以驱动晶体管22的栅极电势Vg变为偏置电压Vofs。驱动晶体管22的源极电势Vs为足够低于偏置电压Vofs的电势Vini。
此时，驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs为Vofs-Vini。如果Vofs-Vini不比驱动晶体管22的阈值电压Vth高，那么不能执行稍后要描述的阈值校正操作。因此，需要设置电势关系使得Vofs-Vini＞Vth。因此，阈值校正准备操作是分别将驱动晶体管22的栅极电势Vg以及驱动晶体管22的源极电势Vs固定(确定)并初始化为偏置电压Vofs和低电势Vini的操作。
<阈值校正时段>
如图5D中所示，当在接下来的t3时间，电源线32的电势DS从低电势Vini改变为高电势Vccp时，驱动晶体管22的源极电势Vs开始上升。最终，驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs会聚在驱动晶体管22的阈值电压Vth，并且对应于阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中。
为了方便，检测阈值电压Vth并将对应于阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中的时段称作阈值校正时段。附带地，在阈值校正时段中，为了让电流仅流向保持电容24的一侧而不流向有机EL元件21的一侧，设置公共电源线34的电势Vcath使得有机EL元件21处于截止状态。
在接下来的时间t4，扫描线31的电势WS转变至低电势侧。因此，如图6A所示，写入晶体管23设置为非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极电极处于浮置状态。但是，因为栅极至源极电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，所以驱动晶体管22处于截止状态。因此，漏极至源极电流Ids不流经驱动晶体管22。
<写入时段/迁移率校正时段>
在接下来的时间t5，如图6B所示，信号线33的电势从偏置电压Vofs改变为视频信号的信号电压Vsig。然后，扫描线31的电势WS转变至高电势侧。从而，如图6C所示，写入晶体管23设置为导通状态，对视频信号的信号电压Vsig进行采样，并向像素20的内部写入信号电压Vsig。
作为通过写入晶体管23写入信号电压Vsig的结果，驱动晶体管22的栅极电势Vg变为信号电压Vsig。当驱动晶体管22由视频信号的信号电压Vsig驱动时，驱动晶体管22的阈值电压Vth由对应于阈值电压Vth的电压消除，该对应于阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中，从而进行阈值校正。稍后将描述阈值校正的原则。
此时，因为有机EL元件21首先处于截止状态(高阻抗状态)，所以根据视频信号的信号电压Vsig从电源线32流过驱动晶体管22的电流(漏极至源极Ids)，流入有机EL元件21的寄生电容Cel，因此开始对寄生电容Cel充电。
通过对寄生电容Cel充电，驱动晶体管22的源极电势Vs随着时间经过上升。此时，已经校正驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化，并且驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids依赖于驱动晶体管22的迁移率μ。
当驱动晶体管22的源极电势Vs最终上升至电势Vofs-Vth+ΔV时，驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs变为Vsig-Vofs+Vth-ΔV。即，源极电势Vs中的增量ΔV表现为要从保持在保持电容24中的电压(Vsig-Vofs+Vth)中减去，或者对保持电容24的充电进行放电，使得负反馈被应用。因此，源极电势Vs中的增量ΔV是负反馈的反馈量。
通过这样对经过驱动晶体管22流向驱动晶体管22的栅极输入的漏极至源极电流Ids(即，栅极至源极电压Vgs)进行负反馈，进行迁移率校正，该迁移率校正消除驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids对驱动晶体管22的迁移率μ的依赖性，即，校正每个像素中的迁移率μ的变化。
更具体地，当视频信号的信号电压Vsig变得更高时，漏极至源极电流Ids增大，因此负反馈的反馈量(校正量)ΔV的绝对值增加。因此，根据发光亮度水平进行迁移率校正。此外，当使得视频信号的信号电压Vsig恒定时，随着驱动晶体管22的迁移率μ变得更高，负反馈的反馈量ΔV的绝对值增加。因此可移除每个像素中的迁移率μ的变化。稍后将描述迁移率校正的原则。
<发光时段>
在接下来的时间t7，扫描线31的电势WS转变至低电势侧。因此，如图6D中所示，写入晶体管23设置为非导通状态。驱动晶体管22的栅极电极从信号线33断开连接，因此设置为浮置状态。
当驱动晶体管22的栅极电极处于浮置状态、并且驱动晶体管22的源极电势Vs改变时，驱动晶体管22的栅极电势Vg也以与源极电势Vs的改变互锁(跟随)的方式改变，因为保持电容24在驱动晶体管22的栅极和源极间连接。这是由保持电容执行的自举操作。
驱动晶体管22的栅极电极设置为浮置状态，同时，驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids开始流经有机EL元件21。从而，有机EL元件21的阳极电极根据驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids上升。
有机EL元件21的阳极电极电势的上升正是驱动晶体管22的源极电势Vs的上升。当驱动晶体管22的源极电势Vs上升时，由于保持电容24的自举操作，驱动晶体管22的栅极电势Vg也以与驱动晶体管22的源极电势Vs互锁的方式上升。
此时，假定自举增益为1(理想值)，那么栅极电势Vg的上升量等于源极电势Vs的上升量。因此，在发光时段期间，驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs保持恒定在Vsig-Vofs+Vth-ΔV。然后，在时间t8，信号线33的电势从视频信号的信号电压Vsig改变为偏置电压Vofs。
<阈值校正的原则>
下面将描述驱动晶体管22的阈值校正的原则。因为驱动晶体管被设计为在饱和区域操作，所以驱动晶体管22作为恒流源操作。因此，从驱动晶体管22向有机EL元件21提供由下面的等式(1)给出的恒定漏极至源极电流(驱动电流)Ids。
Ids＝(1/2)×μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2...(1)
其中，W为驱动晶体管22的沟道宽度，L为其沟道长度，Cox为每单位区域的栅极电容。
图7示出驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids相对于栅极至源极电压Vgs的特性。
如特性图中所示，在没有校正每个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化的情形中，当阈值电压Vth为Vth1时，对应于栅极至源极电压Vgs的漏极至源极电流Ids为Ids1。
另一方面，当阈值电压Vth为Vth2(Vth2＞Vth1)时，对应于同样的栅极至源极电压Vgs的漏极至源极电流Ids是Ids2(Ids2＜Ids1)。即，当驱动晶体管22的阈值电压Vth改变时，尽管栅极至源极电压Vgs恒定，漏极至源极电流Ids也变化。
另一方面，在上述配置的像素(像素电路)20中，在发光时段期间驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-ΔV，如上所述，因此，当等式(1)中的Vsig-Vofs+Vth-ΔV被代替时，漏极至源极电流Ids表示为
Ids＝(1/2)×μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)2...(2)
即，驱动晶体管22的阈值电压Vth的项被消除，并且从驱动晶体管22向有机EL元件21提供的漏极至源极电流Ids不依赖于驱动晶体管22的阈值电压Vth。结果，即使由于制造驱动晶体管的工艺的变化以及驱动晶体管22的长期改变、每个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth改变，漏极至源极电流Ids也不改变。因此，可保持有机EL元件21的发光亮度恒定。
(迁移率校正的原则)
接下来将描述驱动晶体管22的迁移率校正的原则。图8示出包括具有相对高的迁移率μ的驱动晶体管22的像素A、和包括具有相对低的迁移率μ的驱动晶体管22的像素B互相比较的状态下的特性曲线。当由多晶硅薄膜晶体管等形成驱动晶体管22时，迁移率μ不可避免地在如像素A和像素B的像素间改变。
在迁移率μ在像素A和像素B之间改变的状态下，当处于同一水平的视频信号的信号电压Vsig被写入像素A和像素B时，并且当没有对迁移率μ做出校正时，在具有高迁移率μ的像素A中流动的漏极至源极电流Ids1’、和在具有低迁移率μ的像素B中流动的漏极至源极电流Ids2’之间出现很大差异。当由于每个像素中迁移率μ的变化、各像素间的漏极至源极电流Ids由此产生大的差异时，屏幕一致性被破坏。
从上述作为晶体管特性等式的等式(1)中可以清楚，迁移率μ越高，漏极至源极电流Ids越大。因此，迁移率μ越高，负反馈的反馈量ΔV越大。如图8所示，具有高迁移率μ的像素A的反馈量ΔV1比具有低迁移率μ的像素B的反馈量ΔV2大。
因此，迁移率校正操作将驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids负反馈至视频信号的信号电压Vsig侧。从而，施加的负反馈随着迁移率μ变高而增大。因此，可抑制每个像素中的迁移率μ的变化。
特定地，当负反馈量ΔV1的校正施加到具有高迁移率μ的像素A时，漏极至源极电流Ids从Ids1’极大下降至Ids1。另一方面，因为具有低迁移率μ的像素B的反馈量ΔV2小，所以漏极至源极电流Ids从Ids2’下降至Ids2，该下降不是很大。结果，像素A的漏极至源极电流Ids1和像素B的漏极至源极电流Ids2变得基本上相等。因此校正每个像素中的迁移率μ的变化。
综上所述，当存在在迁移率μ上不同的像素A和像素B时，具有高迁移率μ的像素A的反馈量ΔV1大于具有低迁移率μ的像素B的反馈量ΔV2。即，像素增加反馈量ΔV，因此随着迁移率μ变得更高，增加漏极至源极电流Ids减小的量。
因此，通过将驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids负反馈至视频信号的信号电压Vsig侧，在迁移率μ上不同的各像素的漏极至源极电流Ids的电流值是一致的。结果，可校正每个像素中的迁移率μ的变化。
参考图9A、9B和9C，将根据图2所示的像素(像素电路)20中是否进行阈值校正和迁移率校正做出下面的描述，该描述包括视频信号的信号电势(采样电势)Vsig和驱动晶体管22的漏极至源极电流Ids之间的关系。
图9A图示了既未进行迁移率校正也未进行阈值校正的情形。图9B图示了仅进行阈值校正而未进行迁移率校正的情形。图9C图示了进行阈值校正和迁移率校正两者的情形。如图9A所示，当既未进行迁移率校正也未进行阈值校正时，由于像素A和像素B中的阈值电压Vth和迁移率μ的变化而导致像素A和像素B之间的漏极至源极电流Ids出现大的不同。
另一方面，如图9B所示，当仅进行阈值校正时，阈值校正可在某种程度上减小漏极至源极电流Ids的变化，但是由于像素A和像素B中迁移率μ的变化而导致的像素A和像素B之间的漏极至源极电流Ids的不同保留。
如图9C所示，进行阈值校正和迁移率校正两者可有效地消除由于像素A和像素B中的阈值电压Vth和迁移率μ的变化而导致的、像素A和像素B之间的漏极至源极电流Ids的不同。因此，任何等级都没有发生有机EL元件21的亮度变化，使得可获得具有良好图像质量的显示图像。
此外，图2中所示的像素20除了阈值校正功能和迁移率校正功能外具有上述自举功能。从而可获得下面的行动和效果。
即使当有机EL元件21的I-V特性随着时间的经过改变、并且驱动晶体管22的源极电势Vs相应地改变时，保持电容24的自举操作保持驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs恒定，使得流过有机EL元件21的电流不改变。因此，有机EL元件21的发光亮度也保持恒定。因此，即使当有机EL元件21的I-V特性随着时间的经过改变时，也可实现没有伴随有机EL元件21的I-V特性的长期改变的亮度劣化的图像显示。
(当1H时段变得更短时的问题)
近来，随着显示设备具有更高的分辨率和更大数量的像素，1H时段已经趋于变得更短。当1h时段变得更短时，如上所述，难以分配足够的时间作为阈值校正时段来检测阈值电压Vth。当不能保证有足够的时间作为阈值校正时段时，不能确保校正(消除)每个像素中的驱动晶体管的阈值电压Vth。
(本实施例的特性部分)
因此，代替将在写入视频信号的信号电压Vsig之前写入的基准电压Vofs固定为用作视频信号的信号电压Vsig的基准的第一偏置电压Vofs1，本发明的特征在于，通过将基准电压Vofs设置为不同于第一偏置电压Vofs1的第二偏置电压Vofs2，具体地为比第一偏置电压Vofs1高的第二偏置电压Vofs2，从而在阈值校正准备时段的初始化操作期间，将驱动晶体管22的栅极电势Vg初始化为第二偏置电压Vofs2，并且在阈值校正时段内，在驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs会聚在阈值电压Vth之前，将该基准电压Vofs从第二偏置电压Vofs2改变为第一偏置电压Vofs1。
(水平驱动电路)
如上所述，为了实现这样的操作，水平驱动电路60适当地选择对应于从信号供应源(未示出)提供的亮度信息的视频信号的信号电压Vsig、第一偏置电压Vofs和第二偏置电压Vofs2之一，然后例如通过信号线33(33-1至33-n)以行为单元向像素阵列单元30的各像素20写入该电压。
图10是示出水平驱动电路60的配置的示例的电路图。在图10中，沿着像素阵列单元30中的各像素20的水平方向(行方向)的排列，三条信号传输线61、62和63排列在显示面板70上。三条信号传输线61、62和63分别从显示面板70的外部上提供的信号供应源(未示出)中提供有视频信号的信号电压Vsig、第一偏置电压Vofs和第二偏置电压Vofs2。
选择开关64、65和66分别连接在信号传输线61、62和63以及像素阵列单元30的信号线33(33-1至33-n)间。例如，由基于CMOS传输栅极的模拟开关形成选择开关64、65和66。选择开关64、65和66分别选择视频信号的信号电压Vsig、第一偏置电压Vofs和第二偏置电压Vofs2。
选择视频信号的信号电压Vsig的选择开关64经历由通过控制线67-1和67-2从定时发生器电路(未示出)提供的、开关控制信号TEST和xTEST的开/关控制。
选择第一偏置电压Vofs1的选择开关65经历由通过控制线68-1和68-2从定时发生器电路提供的、开关控制信号GOFS1和xGOFS1的开/关控制。
选择第二偏置电压Vofs2的选择开关66经历由通过控制线69-1和69-2从定时发生器电路提供的、开关控制信号GOFS2和xGOFS2的开/关控制。
图11示出开关控制信号TEST、GOFS1和GOFS2、以及扫描线电势(扫描信号)WS的变化、电源线电势DS的变化和驱动晶体管22的栅极电势Vg及源极电势Vs的变化之间的时序关系。
在阈值校正准备时段内(t1至t3)，在扫描线电势WS转变至高电势侧的时间t2之前，上述配置的水平驱动电路60中的开关控制信号GOFS2设置为活动状态(高电势)，从而写入晶体管23设置为导通状态。因此通过选择开关66，从信号传输线63中向信号线33提供第二偏置电压Vofs2。
然后，在时间t2，扫描线电势WS转变至高电势侧以将写入晶体管23设置为导通状态，从而信号线33的电势，即第二偏置电压Vofs2，由写入晶体管23采样并随后写入像素20的内部。从而，在阈值校正准备时段内的初始化操作期间，将驱动晶体管22的栅极电势Vg初始化为比第一偏置电压Vofs1高的第二偏置电压Vofs2。
附带地，如上所述，对驱动晶体管22的源极电势Vs而言，在时间t1，电源线电势DS从高电势Vccp改变为低电势Vini，使得驱动晶体管22的源极电势Vs处于正被初始化为低电势Vini的状态。
因此通过将驱动晶体管22的栅极电势Vg初始化为比第一偏置电压Vofs1高的第二偏置电压Vofs2，驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs变为Vofs2-Vini。对应于栅极至源极电压Vgs的电流流经驱动晶体管22，从而源极电势Vs上升。
此时，驱动晶体管22的源极电势Vs比在将栅极电势Vg初始化为第一偏置电压Vofs1(由图11中的点线表示)的情形中上升得更快。具体地，当驱动晶体管22的栅极电势Vg被初始化为第一偏置电压Vofs1时，栅极至源极电压Vgs变为Vofs1-Vini，而当驱动晶体管22的栅极电势Vg被初始化为第二偏置电压Vofs2时，栅极至源极电压Vgs变为Vofs2-Vini。在后面的情形中，比前面的情形中更大的电流流经驱动晶体管22，因此，源极电势Vs的上升的响应速度变得更快。
接下来，在阈值校正时段(t3至t4)开始之后的时间t12，开关控制信号GOFS2被设置为不活动状态(低电势)，并且开关控制信号GOFS1被同步地设置为活动状态。从而，代替第二偏置电压Vofs2，从信号传输线62通过选择开关65向信号线33提供比第二偏置电压Vofs2小的第一偏置电压Vofs1。
此时，写入晶体管23处于导通状态，使得由选择开关65向信号线33提供的第一偏置电压Vofs1通过写入晶体管23写入像素20的内部。从而，将驱动晶体管22的栅极电势Vg固定在第一偏置电压Vofs1。
然后，在驱动晶体管22的栅极电势Vg被固定为第一偏置电压Vofs1的情况下，源极电势Vs继续上升。最终，驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs会聚在驱动晶体管22的阈值电压Vth，并且对应于阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中。
在阈值校正时段结束以及在时间t13将开关控制信号GOFS1设置为不活动状态之后的操作基本上与上述基本电路操作相同。附带地，在时间t5，开关控制信号TEST设置为活动状态，然后在时间t8设置为不活动状态。从而，在时段t5至t8期间，通过选择开关64向信号线33提供视频信号的信号电压Vsig。
(本实施例的行动与效果)
如上所述，执行驱动使得基准电压Vofs设置为第二偏置电压Vofs2，从而在选择低电势Vini的阈值校正准备时段内，在其间写入晶体管23处于导通状态的初始化操作期间，将驱动晶体管22的栅极电势Vg初始化为第二偏置电压Vofs2，然后在阈值校正时段内，在驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs会聚在阈值电压Vth之前，基准电压Vofs从第二偏置电压Vofs2改变为第一偏置电压Vofs1。因此，可获得下面的行动和效果。
通过将驱动晶体管22的栅极电势Vg初始化为不同于用作视频信号的信号电压Vsig的基准的第一偏置电压Vofs1的第二偏置电压Vofs2，具体地为比第一偏置电压Vofs1高的第二偏置电压Vofs2，驱动晶体管22的源极电势Vs以比在将栅极电势Vg初始化为第一偏置电压Vofs的情形更快的响应速度上升。因此，可缩短将驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs会聚在驱动晶体管22的阈值电压Vth所花费的时间。
在此情形中，当驱动晶体管22的源极电势Vs上升时的响应速度由第二偏置电压Vofs2的电压值(绝对值)确定。因此，第二偏置电压Vofs2的电压值越高，源极电势Vs的上升的响应速度越快，因此将驱动晶体管22的栅极至源极电压Vgs会聚在驱动晶体管22的阈值电压Vth所花费的时间可被缩短得越多。
能够缩短将栅极至源极电压Vgs会聚在阈值电压Vth所花费的时间意味着阈值校正时段(t3至t4)可以被缩短，在该阈值校正时段期间，执行检测阈值电压Vth和将阈值电压Vth保持在保持电容24中的操作。即，阈值电压Vth可以在比将驱动晶体管22的栅极电势Vg初始化为第一偏置电压Vofs的情形更短的时间被检测。
因此通过能够减少阈值校正(阈值检测)所花费的时间，即使随着显示设备的分辨率变得更高、显示设备具有更大数量的像素、并且1H时段相应地被缩短时，驱动晶体管22的阈值电压Vth也可在1H时段内确保被检测到。从而可能确保校正每个像素中的驱动晶体管22的阈值电压的变化，并且获得具有良好图像质量的显示图像。
(修改的示例)
在前面的实施例中，已经通过举出其中本发明应用于有机EL显示设备10的情形的例子做出描述，该有机EL显示设备10具有2Tr/1C像素配置的像素20，包括用于驱动有机EL元件21的驱动晶体管22、用于写入视频信号的信号电压Vsig的写入晶体管23、以及用于保持由写入晶体管23写入其电压的视频信号的信号电压Vsig的保持电容24，该显示设备在高电势Vccp和低电势Vini之间改变向驱动晶体管22的漏极电极提供的电源线电势DS，并且该显示设备选择性地从信号线33写入基准电压Vofs。但是，本发明不限于此应用示例。
特定地，本发明可类似地应用于进一步包括开关晶体管的像素配置的有机EL显示设备，该开关晶体管在有机EL元件21的电流驱动之前，合适地设置为导通状态，从而执行将驱动晶体管22的栅极电势Vg和源极电势Vs初始化为基准电压Vofs和低电势Vini的操作，其后检测驱动晶体管22的阈值电压Vth，并将检测到的阈值电压Vth保持在保持电容24中。
此外，在前面的实施例中，已经通过以其中本发明应用于使用有机EL元件作为像素电路20的电光元件的有机EL显示设备的情形作为示例来描述。但是，本发明不限于此应用示例。本发明可应用于通常使用根据流经设备的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件(发光元件)的显示设备。
(应用示例)
根据上述本发明的实施例的显示设备例如可应用于具有各种图12至16G中所示的各种电子设备的显示设备，例如显示向其输入的视频信号或者其中生成的视频信号作为图像或视频的所有领域的电子设备，如例如数字相机、笔记本个人计算机、如便携式电话等的便携式终端设备、和视频相机。
通过这样使用根据本发明前面的实施例的显示设备作为所有领域中的电子设备的显示设备，如从前面实施例的描述可以清楚的，根据本发明的前述实施例的显示设备提供了能够在各种电子设备中进行良好的图像显示的优点，因为根据本发明的前述实施例的显示设备能够确保校正每个像素中的驱动晶体管的阈值电压Vth的变化。
附带地，根据本发明的前面的实施例的显示设备包括封装模块形式的显示设备。例如，通过将如透明玻璃等的计数器部分附加至像素阵列单元30所形成的显示模块对应于封装模块形式的显示设备。可向此透明计数器部分提供如上所述的滤色器、保护膜等以及光屏蔽膜。附带地，可向显示模块提供用于在外部向像素阵列单元输入或者输出信号等的电路部分、FPC(柔性印刷电路)等。
下面将描述应用本实施例的电子设备的具体示例。
图12是应用本实施例的电视机的外观的透视图。根据本应用示例的电视机包括由前面板102和滤光玻璃103等组成的视频显示屏部分101，并且使用根据本发明前面的实施例的显示设备作为视频显示屏部分101来构造。
图13A和13B是应用本发明的数字相机的外观的透视图。图13A是如从前端看到的数字相机的透视图，图13B是如从后端看到的数字相机的透视图。根据本应用示例的数字相机包括用于闪光的发光部分111、显示部分112、菜单开关113和快门按钮114等。使用根据本发明前面的实施例的显示设备作为显示部分112来构造该数字相机。
图14是应用本实施例的笔记本个人计算机的外观的透视图。根据本应用示例的笔记本个人计算机在主单元121中包括操作以输入字符等的键盘122、用于显示图像的显示部分123等。使用根据本发明前面的实施例的显示设备作为显示部分123来构造该笔记本个人计算机。
图15是应用本实施例的视频相机的外观的透视图。根据本应用示例的视频相机包括主单元131、用于在面向前方的侧表面中拍摄被摄体的镜头132、拍摄画面时的开始/停止开关133、和显示部分134等。使用根据本发明前面的实施例的显示设备作为显示部分134来构造该视频相机。
图16A、16B、16C、16D、16E、16F和16G是示出例如应用本实施例的便携式电话的便携式终端设备的外观的图。图16A是处于打开状态下的便携式电话的前视图，图16B是处于打开状态下的便携式电话的侧视图，图16C是处于关闭状态下的便携式电话的前视图，图16D是左视图，图16E是右视图，图16F是俯视图，图16G是仰视图。根据本应用示例的便携式电话包括上侧套141、下侧套142、耦合部分(此情形中的铰链部分)143、显示器144、子显示器145、画面灯146、相机147等。使用根据本发明前面的实施例的显示设备作为显示器144和子显示器145来构造该便携式电话。
本领域技术人员应当了解，各种修改、组合、子组合和变化可依赖于设计需要和其他因素发生，只要它们在权利要求或者其等同物的范围之内。
相关申请的交叉引用
本发明包含涉及于2007年6月15日向日本专利局提交的、日本专利申请JP 2007-158713的主题，该申请全部内容在此通过引用并入。

Claims (5)

1.一种显示设备，包括：
通过以矩阵形式排列各像素形成的像素阵列单元，所述各像素包括电光元件、写入视频信号的写入晶体管、保持由所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容、和基于保持在所述保持电容中的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体管；
第一扫描电路，配置以选择性地向电源线提供第一电势和比所述第一电势低的第二电势，该电源线放置在所述像素阵列单元的每个像素行中并向所述驱动晶体管提供电流；
第二扫描电路，配置以在选择所述第二电势的时段内将所述写入晶体管设置为导通状态，并在从所述第二电势改变为所述第一电势后将所述写入晶体管设置为非导通状态，同时通过在所述像素阵列单元的每个像素行中驱动所述写入晶体管，以行为单元选择所述像素阵列单元的像素；以及
选择电路，配置以向放置在所述像素阵列单元的每列中的信号线选择性地提供所述视频信号、作为所述视频信号的基准的第一偏置电压、和不同于所述第一偏置电压的第二偏置电压，并且配置以至少当在选择所述第二电势的时段内所述写入晶体管处于导通状态时、选择所述第二偏置电压，并且配置以在从所述第二电势改变为所述第一电势之后和所述写入晶体管设置为非导通状态之前、选择所述第一偏置电压来代替所述第二偏置电压。
2.如权利要求1所述的显示设备，
其中，在从所述第二电势改变为所述第一电势的定时至所述写入晶体管转变至非导通状态的定时的时段内，执行使得所述驱动晶体管的栅极至源极电压会聚在所述驱动晶体管的阈值电压、以及在所述保持电容中保持所述阈值电压的操作。
3.如权利要求2所述的显示设备，
其中，所述选择电路在所述驱动晶体管的栅极至源极电压会聚在所述驱动晶体管的阈值电压之前，选择所述第一偏置电压来代替所述第二偏置电压。
4.一种显示设备的驱动方法，所述显示设备包括：
通过以矩阵形式排列各像素形成的像素阵列单元，所述各像素包括电光元件、写入视频信号的写入晶体管、保持由所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容、和基于保持在所述保持电容中的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体管；
第一扫描电路，配置以选择性地向电源线提供第一电势和比第一电势低的第二电势，该电源线放置在所述像素阵列单元的每个像素行中并向所述驱动晶体管提供电流；
第二扫描电路，配置以通过驱动所述像素阵列单元的每个像素行中的所述写入晶体管来以行为单位选择性地提供所述像素阵列单元的各像素；以及
选择电路，配置以向放置在所述像素阵列单元的每列中的信号线选择性地提供所述视频信号、作为所述视频信号的基准的第一偏置电压、和不同于所述第一偏置电压的第二偏置电压，
所述驱动方法包括：
在选择所述第二电势的时段内，选择所述第二偏置电压并将所述写入晶体管设置为导通状态；
接下来从所述第二电势改变为所述第一电势；
接下来选择所述第一偏置电压来代替所述第二偏置电压；以及
然后将所述写入晶体管设置为非导通状态。
5.一种具有显示设备的电子设备，
其中所述显示设备包括
通过以矩阵形式排列各像素形成的像素阵列单元，所述各像素包括电光元件、写入视频信号的写入晶体管、保持由所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容、和基于保持在所述保持电容中的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体管；
第一扫描电路，配置以选择性地向电源线提供第一电势和比所述第一电势低的第二电势，该电源线放置在所述像素阵列单元的每个像素行中并向所述驱动晶体管提供电流；
第二扫描电路，配置以在选择所述第二电势的时段内将所述写入晶体管设置为导通状态，并在从所述第二电势改变为所述第一电势后使得所述写入晶体管转变为非导通状态，同时通过在所述像素阵列单元的每个像素行中驱动所述写入晶体管，以行为单元选择所述像素阵列单位的像素；以及
选择电路，配置以向放置在所述像素阵列单元的每列中的信号线选择性地提供所述视频信号、作为所述视频信号的基准的第一偏置电压、和不同于所述第一偏置电压的第二偏置电压，并且配置以至少当在选择所述第二电势的时段内、当所述写入晶体管处于导通状态时选择所述第二偏置电压，并且配置以在从所述第二电势改变为所述第一电势之后和所述写入晶体管转变到非导通状态之前选择所述第一偏置电压来代替所述第二偏置电压。
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