TW200839859A - Method to remove circuit patterns from a wafer - Google Patents

Description

Π Ο 200839859 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發日_貫施方絲關於騎處理過的晶圓的再使 宰化=更特1的是’有關於—種利用粒子從晶圓移除圖 案化〜構部不會從晶圓移除大量矽的改良製程。 【先前技術】 ^需耗資大筆金錢在用於監控生產操作的石夕晶圓 ^為了降低這個費用，可以_、再彻或回收此監控 1。問題是晶圓上的電路圖案(晶圓產品或監控晶^ 於曰°慧財產，不應送到供應商重工或販售。 -讎除__畴財妓延 洛(諸如 hf、hn〇3、H2〇2、s、p、hc1#_‘= ，魏學浴製程的確能移除所有薄漠，卻經常同時移除= :大量_ ’因為被移除的物f與料有相似性。^ 者，這種非均勻的薄膜覆蓋性將產生非 _ = 由濕化學浴製程得到的晶圓具有高應力晶格，並J:在= 循環後容易破裂。而且，這種處理費用因 t 化學藥品費用及用過後之化學藥品處置費用而增加4、 用來移義案化結構㈣—方法錢 程。此製程結合了特殊濕化學物及乾姓刻法將二夕:： (一次一層)。這種處理方法雖減少爾的損壞:；= Γ

Cj 200839859 特殊工具而費用高。再者，這鶴理方法耗時、耗工且井 及到研磨(lapping)及碾磨(grinding)。此外，層層處理合ς 壞晶格而使晶圓破裂並且需要處理後的研磨。 曰 【發明内容】 鑑於上述_題，本發日狀—實施顺供—種從石夕晶 圓移除圖案化結構方法。這種晶圓通常是製造控制晶圓 (=u=|ng e_Gl wafe) ’而不是包含可用晶片㈣ ^^a0(production wafer) 〇 . 片（wafer chlps)。本方法使用一種粒子嘴擊工具固持包含 圖案化結構的製造控制晶圓。 、 本方法料粒子畅目#化結構，以錄子以一預 速度接觸_化結構並移除_化結構。這鍊子係利 某^賴H，如-__>mp職杨如_)導 «上圖案化結構係實質地移除後， ，引粒子朝向晶圓的製程，以停止導引粒子。粒子導 引^停止後’晶圓可立即作為—再利用晶圓㈣咖 wafer) ’且可在無須_外的拋光、研磨或 Z二形成結構及層。即使還餘留—些或部份結構再= 構疋不規則的’並且不會顯露出任何絲存在 茶0 本製程_包括選擇尺寸等於或小於3微米的粒 Π u 200839859 子。舉例來說，這錄子包括了氧触、氧 或塑膠。藉著維持粒子尺一 丁八丁在寺於或小於3微米的鉻囹， 2使喷擊結果產生實質光滑的晶圓表面，因此省略後續需 ^=圓的程序二再者，以這種製程產生的晶圓不會具 有问應力晶格及如前所述之因濕製程而造成易碎的性質。 本發明實關的這纽其讀料參相 及所附圖式使闡釋將更容易體合及 &、田边 H π , 又今勿菔曰及明瞭。然而，應瞭解的 疋，本發明之較佳實施例所闡述及各種特定的細節，係用 以，=明並非用以作為限制。凡其它未脫離本發明所揭 狀等纽㈣料’均縣含在下述之 【實施方式】 本發明之實施方式及其各簡徵和伽將以非 =的實施例參考_及下列詳盡的_說明提供充分解 釋。要注意的是在圖式的特徵不一定照比例緣出。已样知 的元件及處理技術也將省略，使本發明之實施方式不至於 被不必要的混淆不清。此中所舉用的例子只是用來幫助瞭 解本發明之實施例可能使_方法及更進—步促使孰此 技藝者能實行於本發明的實施方式。所以，這些範例不應 被解釋而成為限制本發明實施方式的範圍。 … 本發明之-實施例提供一種從石夕晶圓移除圖案化级 構的方法。這種方法使用—餘子具嗎包含圖^ 8 200839859 化結構的晶圓，如圖1項目100。這種晶圓先前係作為一 種製造控制晶圓’且經先前製程後並未分割成晶圓晶片。 在粒子喷擊晶圓前，本方法選擇尺寸大小等於或小於 3微米的粒子(項目1〇2)。例如，這些粒子可包括氧化铭、 氧化石夕、#及/或歸。藉著維持粒子大小在等於或小於3 微米的範ϋ 使噴擊結果產生實縣滑的晶圓表面，藉 此省略後續需要研磨晶圓的程序。再者，以這種製程產^ 的晶圓不會具有高應力的晶格及如上所述之因濕製程而 造成晶圓易碎的性質。 、本方法導引粒子朝向圖案化結構(項目1〇4)，使粒子 以足夠的默速度接觸(撞擊、飾等)圖無結構以移除 圖^化、、、口構。可使用某種南速儀器，如一麵縮氣流，而 將這些粒子導向晶圓以喷擊晶圓。 當所有圖案化結構實質地從晶圓上移除後，則控制導 引^子朝向晶圓的製程，以停止導引粒子(項目1〇6)。粒 子，引製程停止後，晶圓可立即作為一再利用晶圓，且可 ^額外的研磨下在再關上形成結構及層。即使餘 召些或部份結構，這些結構是不規則的，並且不會顯霖 出任何先前存在的圖案。 11 囷2為粒子嘴擊工具(particle blasting tool) 200的概 9 200839859 要圖，此工具包括一個夾頭(chuck)用以固持晶圓2〇6。藉 由壓縮裝置202產生粒子流208，使得粒子流208以高^ 導向晶圓206，因此可將於其上的圖案化結構移除。 因此，如上所討論，在實施方式中，粒子喷擊係應用 於具圖案的晶圓表面。這些粒子在壓力下將作用於晶圓表、 面以移除圖案及少量的矽。壓力、期間(durati〇n)等參數可 以根據被移除的物質及所需時間而改變。 上述特定實施例之討論將充分地揭示本發明的一般 性質，使其他人可利用現有的知識很快地修正及/或改良 適於其他各種不同的應用，此類特定實施例沒有違背一般 性的觀念，因此，此類修飾及改變應該於實施例所揭露之 等效範圍及意義内被理解。應該瞭解的是，在此所使用的 這些措辭或術语乃是為了敘述說明之用而非限制之意。因 此’本發明的實施例乃以較佳的實施方式之觀點描述，熟 此技藝者當了解，本發明之實施例可在下述申請專利範圍 之精神及範圍内得以修正實行。 【圖式簡單說明】 本發明之實施例藉由結合上述詳細說明與其伴隨圖 式能得到最好的了解： 圖1為說明本發明之一實施例之流程圖；以及 圖2為一粒子噴擊工具的概要圖。 10 200839859 Γ

【主要元件符號說明】 200粒子喷擊工具 202壓縮儀器 206晶圓 208粒子

Claims (1)

1. 200839859 卜、申請專利範圍： 1. 一種财晶®移除_化結構的方法，财法包括： 使用粒子喷擊工具固持包含圖案化結構的- 圓 晶 、導引粒子朝向該圖案化結構，以使該等粒子以一預定 迷度接觸韻案化結構並且移除該圖案化結構；以及 當由該晶圓實質地移除所有該圖案化結構時，控制該 荨粒子的該導引以停止導引該等粒子， 在轉粒子的轉料止之後，該晶圓可立即 晶 :’且可在無額外㈣研磨下在該再利用 圓上形成結構及層。 2· 3. U 圍第1項所述之方法，其中該粒子包含氧化 鋁、乳化矽、鈽及一塑膠中之至少其一。述之方法，其中該等粒子的該導 寸更已仏擇斜粒子以具有等於或小於3微米的一尺 4.-種财晶_除_储構的方法， 製程後並未分割成晶圓甽；•控制晶圓’並且在先前 導引粒子朝向該圖案化結構，使該 度接觸侧案化結频且移除軸案储構；及速 12 200839859 λ當從該晶圓實質地移除所有該圖案化結構時，控制該 等粒子的該導弓丨以停止導引該等粒子， 其中’在該等粒子的該導引停止之後，該晶圓可立即 作為一再利用晶圓，且可在無額外的研磨下在該再利用晶 圓上形成結構及層。 5·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該粒子包含氧化 鋁、氧化矽、鈽及一塑膠中之至少其一。 6·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該粒子的該導引 更包含選擇該等粒子使具有等於或小於3微米的一尺寸。 13