JP3317814B2 - サンドブラスト装置 - Google Patents
サンドブラスト装置Info
- Publication number
- JP3317814B2 JP3317814B2 JP10473395A JP10473395A JP3317814B2 JP 3317814 B2 JP3317814 B2 JP 3317814B2 JP 10473395 A JP10473395 A JP 10473395A JP 10473395 A JP10473395 A JP 10473395A JP 3317814 B2 JP3317814 B2 JP 3317814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- wafer
- back surface
- fine particles
- sandblasting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はサンドブラスト装置、
エキストリンシックゲッタリングＥＧとしてウェーハ裏
面にサンドブラストダメージＢＳＤを付与するためのサ
ンドブラスト装置のノズル開口形状などの改良に関す
る。
エキストリンシックゲッタリングＥＧとしてウェーハ裏
面にサンドブラストダメージＢＳＤを付与するためのサ
ンドブラスト装置のノズル開口形状などの改良に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高温熱処理を伴うデバイス製造プロセス
においては、シリコンウェーハは様々な不純物に汚染さ
れる。ゲッタリングでは、この不純物、特に遷移金属を
ウェーハ表面から除去する。ゲッタリングの一つとして
外部ゲッタリングＥＧがある。ＥＧでは例えばウェーハ
裏面に機械的ダメージ層（ゲッタリングシンク）を形成
し、このＥＧシンクに金属不純物を吸収する。このＥＧ
シンクの導入には、数〜数十μｍの粒径のＳｉＯ2で、
ウェーハ裏面をサンドブラスティングする方法がある。
このようにしてシリコンウェーハ裏面に導入された機械
的ダメージＢＳＤは、その裏面に均一に微小なひずみを
分布・形成し、不純物の捕獲中心として作用する。例え
ば、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として作用す
る。
においては、シリコンウェーハは様々な不純物に汚染さ
れる。ゲッタリングでは、この不純物、特に遷移金属を
ウェーハ表面から除去する。ゲッタリングの一つとして
外部ゲッタリングＥＧがある。ＥＧでは例えばウェーハ
裏面に機械的ダメージ層（ゲッタリングシンク）を形成
し、このＥＧシンクに金属不純物を吸収する。このＥＧ
シンクの導入には、数〜数十μｍの粒径のＳｉＯ2で、
ウェーハ裏面をサンドブラスティングする方法がある。
このようにしてシリコンウェーハ裏面に導入された機械
的ダメージＢＳＤは、その裏面に均一に微小なひずみを
分布・形成し、不純物の捕獲中心として作用する。例え
ば、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として作用す
る。
【０００３】従来のサンドブラスト装置では、図４に示
すように、その開口断面が円形の１本の円筒状ノズルを
用いてウェーハ裏面にＳｉＯ2粒子を衝突させていた。
したがって、ウェーハをノズルの下方において一方向に
送り、かつ、このノズルをウェーハの送り方向に対して
直角方向に揺動させていた。
すように、その開口断面が円形の１本の円筒状ノズルを
用いてウェーハ裏面にＳｉＯ2粒子を衝突させていた。
したがって、ウェーハをノズルの下方において一方向に
送り、かつ、このノズルをウェーハの送り方向に対して
直角方向に揺動させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のサンドブラスト装置では、ノズル開口が円形
で、かつ、ウェーハ裏面に対してきわめて小さいため、
ウェーハ裏面全面に均一に粒子を衝突させることが困難
であった。特に、円形開口から射出された微小粒子は円
状に拡散してしまうため、衝突した裏面の小エリアでも
その強さ・密度にばらつきがあるからである。また、ノ
ズルをスイングさせると裏面においてはノズル直下と離
れた位置では、衝突のエネルギも変わり、衝突粒子の密
度もかわるため、裏面全面について到底均一なダメージ
を与えることができない（ダメージムラが生じる）とい
う不具合があった。また、裏面の同じ場所を何回もたた
くことが多くなり、時間がかかり、しかも、パーティク
ルが付着したり、多量の発塵が生じるという課題もあっ
た。
うな従来のサンドブラスト装置では、ノズル開口が円形
で、かつ、ウェーハ裏面に対してきわめて小さいため、
ウェーハ裏面全面に均一に粒子を衝突させることが困難
であった。特に、円形開口から射出された微小粒子は円
状に拡散してしまうため、衝突した裏面の小エリアでも
その強さ・密度にばらつきがあるからである。また、ノ
ズルをスイングさせると裏面においてはノズル直下と離
れた位置では、衝突のエネルギも変わり、衝突粒子の密
度もかわるため、裏面全面について到底均一なダメージ
を与えることができない（ダメージムラが生じる）とい
う不具合があった。また、裏面の同じ場所を何回もたた
くことが多くなり、時間がかかり、しかも、パーティク
ルが付着したり、多量の発塵が生じるという課題もあっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板の一面にノズルより射出した微小粒子を
衝突させてゲッタリングシンクを形成するサンドブラス
ト装置において、上記ノズルの開口断面を、その一辺が
上記半導体基板の直径よりも長い矩形としたサンドブラ
スト装置である。
は、半導体基板の一面にノズルより射出した微小粒子を
衝突させてゲッタリングシンクを形成するサンドブラス
ト装置において、上記ノズルの開口断面を、その一辺が
上記半導体基板の直径よりも長い矩形としたサンドブラ
スト装置である。
【０００５】請求項２に記載の発明は、上記ノズルは、
その微小粒子の射出角度を上記半導体基板に対して可変
とした請求項１に記載のサンドブラスト装置である。
その微小粒子の射出角度を上記半導体基板に対して可変
とした請求項１に記載のサンドブラスト装置である。
【０００６】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、ノズルより射
出された微小粒子は少なくともウェーハ面の矩形エリア
に対して均一な密度・速度で衝突することとなる。この
とき、ウェーハ裏面の径よりも長い辺の矩形開口ノズル
を使用しているため、ウェーハを一方向に送るのみで、
ノズルをスイングさせる必要がない。よって、微小粒子
の密度・強さが均一となり、サンドブラストダメージを
全面に均一に形成することができる。同時に、その全面
へのダメージ形成を効率よく行うことができる。
出された微小粒子は少なくともウェーハ面の矩形エリア
に対して均一な密度・速度で衝突することとなる。この
とき、ウェーハ裏面の径よりも長い辺の矩形開口ノズル
を使用しているため、ウェーハを一方向に送るのみで、
ノズルをスイングさせる必要がない。よって、微小粒子
の密度・強さが均一となり、サンドブラストダメージを
全面に均一に形成することができる。同時に、その全面
へのダメージ形成を効率よく行うことができる。
【０００７】請求項２に記載した発明では、例えばノズ
ルを半導体基板に対して一定の角度に固定し、半導体基
板を所定の速度で走行させる。この走行速度を変更する
ことにより、または、ノズルからの射出圧力を可変とす
ることにより、微小粒子の衝突時のエネルギを可変とす
ることができる。デバイス仕様に応じてサンドブラスト
ダメージの深さなどを簡易に調整可能とすることができ
る。また、粒子の面への衝突の角度を鋭角（例えば６０
°）とすることで、微小粒子の排出を簡単に行うことが
できる。また、パーティクルの付着・発塵を少なくする
角度で照射することも可能となる。
ルを半導体基板に対して一定の角度に固定し、半導体基
板を所定の速度で走行させる。この走行速度を変更する
ことにより、または、ノズルからの射出圧力を可変とす
ることにより、微小粒子の衝突時のエネルギを可変とす
ることができる。デバイス仕様に応じてサンドブラスト
ダメージの深さなどを簡易に調整可能とすることができ
る。また、粒子の面への衝突の角度を鋭角（例えば６０
°）とすることで、微小粒子の排出を簡単に行うことが
できる。また、パーティクルの付着・発塵を少なくする
角度で照射することも可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明に係るサンドブラスト装置の
一実施例を図１〜図３を参照して説明する。これらの図
に示すように、サンドブラスト装置は、シリコンウェー
ハ１１を載置するステージ１２と、このステージ１２の
上方に設けられたノズル１３と、を有している。ステー
ジ１２はその平面内で一方向に走行可能に構成してあ
る。
一実施例を図１〜図３を参照して説明する。これらの図
に示すように、サンドブラスト装置は、シリコンウェー
ハ１１を載置するステージ１２と、このステージ１２の
上方に設けられたノズル１３と、を有している。ステー
ジ１２はその平面内で一方向に走行可能に構成してあ
る。
【０００９】一方、ノズル１３は、ステージ１２に対し
て上下動自在かつ上記走行方向に揺動自在に設けられて
いる。また、ノズル１３は、載置されるウェーハ１１の
直径よりも長い長辺と短辺とからなる矩形開口１３Ａを
有している。ノズル１３には数〜数十μｍの粒径のＳｉ
Ｏ2の微粒子が供給され、矩形開口１３Ａより射出され
る構成である。例えば圧縮空気によって所定の速度で開
口１３Ａより吹き出す構成である。
て上下動自在かつ上記走行方向に揺動自在に設けられて
いる。また、ノズル１３は、載置されるウェーハ１１の
直径よりも長い長辺と短辺とからなる矩形開口１３Ａを
有している。ノズル１３には数〜数十μｍの粒径のＳｉ
Ｏ2の微粒子が供給され、矩形開口１３Ａより射出され
る構成である。例えば圧縮空気によって所定の速度で開
口１３Ａより吹き出す構成である。
【００１０】そして、図３に示すように、このノズル１
３はウェーハ１１の裏面に対して所定の角度θを有して
微粒子を射出可能に構成されている。
３はウェーハ１１の裏面に対して所定の角度θを有して
微粒子を射出可能に構成されている。
【００１１】したがって、上記構成に係るサンドブラス
ト装置にあっては、ウェーハ１１をその裏面を上にして
ステージ１２に載置して所定速度で走行させ、ノズル１
３より微粒子をこの裏面に照射する。これによりウェー
ハ裏面には全面に均一なダメージが形成される。この場
合、ノズル１３を首振りさせることはなく、所定角度で
固定してある。
ト装置にあっては、ウェーハ１１をその裏面を上にして
ステージ１２に載置して所定速度で走行させ、ノズル１
３より微粒子をこの裏面に照射する。これによりウェー
ハ裏面には全面に均一なダメージが形成される。この場
合、ノズル１３を首振りさせることはなく、所定角度で
固定してある。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、ウェーハ面上をノズ
ルが横方向に往復動することがなく、全面にムラなく均
一なダメージを形成することができる。同時に、最適な
速度でダメージを形成することができ、その処理速度も
高まる。また、パーティクルの付着・発塵を防止するこ
とができる。さらに、このダメージ密度・濃度もコント
ロールしやすくなっている。
ルが横方向に往復動することがなく、全面にムラなく均
一なダメージを形成することができる。同時に、最適な
速度でダメージを形成することができ、その処理速度も
高まる。また、パーティクルの付着・発塵を防止するこ
とができる。さらに、このダメージ密度・濃度もコント
ロールしやすくなっている。
【図１】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す正面図である。
の概略を示す正面図である。
【図２】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す平面図である。
の概略を示す平面図である。
【図３】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す側面図である。
の概略を示す側面図である。
【図４】従来のサンドブラスト装置の概略を示す模式図
である。
である。
１１ シリコンウェーハ、 １３ ノズル、 １３Ａ 矩形開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/322 H01L 21/304 601
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一面にノズルより射出した
微小粒子を衝突させてゲッタリングシンクを形成するサ
ンドブラスト装置において、 上記ノズルの開口断面を、その一辺が上記半導体基板の
直径よりも長い矩形としたサンドブラスト装置。 - 【請求項２】 上記ノズルは、その微小粒子の射出角度
を上記半導体基板に対して可変とした請求項１に記載の
サンドブラスト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473395A JP3317814B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | サンドブラスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473395A JP3317814B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | サンドブラスト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279514A JPH08279514A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3317814B2 true JP3317814B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=14388705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10473395A Expired - Fee Related JP3317814B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | サンドブラスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317814B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8034718B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Method to recover patterned semiconductor wafers for rework |
| US7666689B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Method to remove circuit patterns from a wafer |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP10473395A patent/JP3317814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08279514A (ja) | 1996-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5372652A (en) | Aerosol cleaning method | |
| JP2004188451A (ja) | レーザ加工方法および装置 | |
| JP3317814B2 (ja) | サンドブラスト装置 | |
| US20020096195A1 (en) | Method and apparatus for critical flow particle removal | |
| JP2012200673A (ja) | 保護膜塗布装置 | |
| TW201811478A (zh) | 雷射加工裝置及雷射加工排屑裝置 | |
| JPH10135160A (ja) | 半導体デバイスの形成方法 | |
| JPH05326471A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JP2004128079A (ja) | Ｓｏｉウェハーのための多段局所ドライエッチング方法 | |
| JPH10308398A (ja) | サンドブラスト装置 | |
| JP2530013B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001170786A (ja) | 非金属材料基板の加工方法及びその装置 | |
| JP4075745B2 (ja) | 複合構造物作製装置 | |
| CN114102441A (zh) | 以金属玻璃粒子束切割的方法 | |
| JPS5932056B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI855009B (zh) | 基板清洗方法、處理容器清洗方法及基板處理裝置 | |
| JP2002164264A (ja) | ソフトレーザーマーク印字方法及び装置 | |
| JPH10154322A (ja) | ディスクのバリ除去方法及び装置、並びにディスク | |
| JP2881362B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3702775B2 (ja) | 砥粒の分級方法およびその装置 | |
| JP7358193B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JPH06320425A (ja) | 硬脆質薄板の端面加工方法 | |
| KR0160168B1 (ko) | 기판의 표면상의 원하지 않은 입자를 제거하는 방법 | |
| JPH08144040A (ja) | 真空処理方法およびその装置 | |
| TW202031374A (zh) | 基板清洗方法、處理容器清洗方法及基板處理裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020603 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090614 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110614 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120614 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130614 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |