JPH10308398A - サンドブラスト装置 - Google Patents
サンドブラスト装置Info
- Publication number
- JPH10308398A JPH10308398A JP2053396A JP2053396A JPH10308398A JP H10308398 A JPH10308398 A JP H10308398A JP 2053396 A JP2053396 A JP 2053396A JP 2053396 A JP2053396 A JP 2053396A JP H10308398 A JPH10308398 A JP H10308398A
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- JP
- Japan
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- wafer
- back surface
- damage
- slit
- nozzle
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハの裏面全面に均一にサンドブラスト
ダメージを与える。短時間にこのダメージを加える。そ
の際、発塵を抑え、パーティクルの付着を抑止する。ま
た、粒子の消費量を低減する。 【解決手段】 シリコンウェーハ１１をベルトに搭載
し、ウォータパン１２の下方に搬送する。複数のノズル
１４より所定速度でホーニングパウダーを射出する。ス
リット１３を通過したパウダーのみがウェーハ１１裏面
に衝突する。ウェーハ１１裏面の矩形エリアにシャロウ
ピットが形成される。ウェーハ１１を一定距離だけ走行
させ、同様にピットを矩形エリアに形成する。これを繰
り返し、ウェーハ１１裏面全面に一定のダメージを形成
する。ダメージ層はゲッタリングシンクとなる。ウォー
タパン１２内のホーニングパウダーは回収・再使用され
る。
ダメージを与える。短時間にこのダメージを加える。そ
の際、発塵を抑え、パーティクルの付着を抑止する。ま
た、粒子の消費量を低減する。 【解決手段】 シリコンウェーハ１１をベルトに搭載
し、ウォータパン１２の下方に搬送する。複数のノズル
１４より所定速度でホーニングパウダーを射出する。ス
リット１３を通過したパウダーのみがウェーハ１１裏面
に衝突する。ウェーハ１１裏面の矩形エリアにシャロウ
ピットが形成される。ウェーハ１１を一定距離だけ走行
させ、同様にピットを矩形エリアに形成する。これを繰
り返し、ウェーハ１１裏面全面に一定のダメージを形成
する。ダメージ層はゲッタリングシンクとなる。ウォー
タパン１２内のホーニングパウダーは回収・再使用され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はサンドブラスト装
置、詳しくはエキストリンシックゲッタリングＥＧとし
てウェーハ裏面にサンドブラストダメージＢＳＤを付与
するためのサンドブラスト装置の改良に関する。
置、詳しくはエキストリンシックゲッタリングＥＧとし
てウェーハ裏面にサンドブラストダメージＢＳＤを付与
するためのサンドブラスト装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】高温熱処理を伴うデバイス製造プロセス
においては、シリコンウェーハは様々な不純物により汚
染される。ゲッタリングでは、この不純物、特に遷移金
属をウェーハ表面から除去する。ゲッタリングの一つと
して外部ゲッタリングＥＧがある。ＥＧでは例えばウェ
ーハ裏面に機械的ダメージ層（ゲッタリングシンク）を
形成し、このＥＧシンクに金属不純物を吸収する。この
ＥＧシンクの導入には、数〜数十μｍの粒径のＳｉＯ2
で、ウェーハ裏面をサンドブラスティングする方法があ
る。このようにしてシリコンウェーハ裏面に導入された
機械的ダメージＢＳＤは、その裏面に均一に微小なひず
みを分布・形成し、不純物の捕獲中心として作用する。
例えば、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として作用
する。
においては、シリコンウェーハは様々な不純物により汚
染される。ゲッタリングでは、この不純物、特に遷移金
属をウェーハ表面から除去する。ゲッタリングの一つと
して外部ゲッタリングＥＧがある。ＥＧでは例えばウェ
ーハ裏面に機械的ダメージ層（ゲッタリングシンク）を
形成し、このＥＧシンクに金属不純物を吸収する。この
ＥＧシンクの導入には、数〜数十μｍの粒径のＳｉＯ2
で、ウェーハ裏面をサンドブラスティングする方法があ
る。このようにしてシリコンウェーハ裏面に導入された
機械的ダメージＢＳＤは、その裏面に均一に微小なひず
みを分布・形成し、不純物の捕獲中心として作用する。
例えば、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として作用
する。
【０００３】従来のサンドブラスト装置では、図３・図
４に示すように、その開口断面が円形の１本の円筒状ノ
ズル３１を用いてウェーハＷの裏面にＳｉＯ2粒子を衝
突させていた。したがって、ノズル３１の下方において
ウェーハＷを一方向Ｙに送り、かつ、このノズル３１を
この送り方向Ｙに対して直交する方向Ｘに揺動させてい
た。
４に示すように、その開口断面が円形の１本の円筒状ノ
ズル３１を用いてウェーハＷの裏面にＳｉＯ2粒子を衝
突させていた。したがって、ノズル３１の下方において
ウェーハＷを一方向Ｙに送り、かつ、このノズル３１を
この送り方向Ｙに対して直交する方向Ｘに揺動させてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のサンドブラスト装置では、ノズル開口が円形
で、かつ、ウェーハ裏面の面積に対してきわめて小さい
ため、ウェーハ裏面全面に均一に粒子を衝突させること
が困難であった。特に、円形開口から射出された微小粒
子は円形に拡散してしまうため（図３のａ）、衝突した
裏面の小エリアでもその強さ・密度にばらつき（図３の
ｂ）があるからである。また、ノズルをスイングさせる
と裏面においてはノズル直下と離れた位置では、衝突の
エネルギも変わり、衝突粒子の密度も変わるため、裏面
全面について到底均一なダメージを与えることができな
い（ダメージムラが生じる）という不具合があった。ま
た、裏面の同じ場所を何回もたたくことが多くなり、時
間がかかるという問題も生じていた。さらに、ウェーハ
自体にパーティクルが付着したり、多量の発塵が生じる
という課題もあった。すなわち、上記コーン状ノズルを
スイングさせて微小粒子（ホーニングパウダー）を吹き
付けるため、処理面のダメージは図３のｂのようにガウ
ソン分布を示すこととなり、同じ部分を２度打ち、３度
打ちしてしまっていた。この結果、規定密度のダメージ
を与えるためには、必要量以上の微小粒子をウェーハに
衝突させることになる。よって、この方法によれば、ウ
ェーハ裏面の打痕やクラック、パウダーの突き刺さり
が、非常に大きくなるため、結果的にパーティクルの発
生量がかなり多くなってしまうという課題があったもの
である。さらに、この衝突させた粒子は回収していなか
ったため、粒子の消費量が増えていた。
うな従来のサンドブラスト装置では、ノズル開口が円形
で、かつ、ウェーハ裏面の面積に対してきわめて小さい
ため、ウェーハ裏面全面に均一に粒子を衝突させること
が困難であった。特に、円形開口から射出された微小粒
子は円形に拡散してしまうため（図３のａ）、衝突した
裏面の小エリアでもその強さ・密度にばらつき（図３の
ｂ）があるからである。また、ノズルをスイングさせる
と裏面においてはノズル直下と離れた位置では、衝突の
エネルギも変わり、衝突粒子の密度も変わるため、裏面
全面について到底均一なダメージを与えることができな
い（ダメージムラが生じる）という不具合があった。ま
た、裏面の同じ場所を何回もたたくことが多くなり、時
間がかかるという問題も生じていた。さらに、ウェーハ
自体にパーティクルが付着したり、多量の発塵が生じる
という課題もあった。すなわち、上記コーン状ノズルを
スイングさせて微小粒子（ホーニングパウダー）を吹き
付けるため、処理面のダメージは図３のｂのようにガウ
ソン分布を示すこととなり、同じ部分を２度打ち、３度
打ちしてしまっていた。この結果、規定密度のダメージ
を与えるためには、必要量以上の微小粒子をウェーハに
衝突させることになる。よって、この方法によれば、ウ
ェーハ裏面の打痕やクラック、パウダーの突き刺さり
が、非常に大きくなるため、結果的にパーティクルの発
生量がかなり多くなってしまうという課題があったもの
である。さらに、この衝突させた粒子は回収していなか
ったため、粒子の消費量が増えていた。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明は、ウェーハの裏面全
面に均一にダメージを与えることを、その目的としてい
る。また、この発明は、短時間にサンドブラストダメー
ジを加えることを、その目的としている。また、この発
明は、発塵を抑え、パーティクルの付着を抑止すること
を、その目的としている。さらに、この発明は、粒子の
消費量を低減することを、その目的としている。
面に均一にダメージを与えることを、その目的としてい
る。また、この発明は、短時間にサンドブラストダメー
ジを加えることを、その目的としている。また、この発
明は、発塵を抑え、パーティクルの付着を抑止すること
を、その目的としている。さらに、この発明は、粒子の
消費量を低減することを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、半導体ウェーハの一面にノズルより射出した微
小粒子を衝突させてゲッタリングシンクを形成するサン
ドブラスト装置において、上記半導体ウェーハとノズル
との間に粒子遮蔽材を配設するとともに、この粒子遮蔽
材に矩形のスリットを形成し、このスリットの長辺を上
記半導体ウェーハの直径よりも大きくしたサンドブラス
ト装置である。
よれば、半導体ウェーハの一面にノズルより射出した微
小粒子を衝突させてゲッタリングシンクを形成するサン
ドブラスト装置において、上記半導体ウェーハとノズル
との間に粒子遮蔽材を配設するとともに、この粒子遮蔽
材に矩形のスリットを形成し、このスリットの長辺を上
記半導体ウェーハの直径よりも大きくしたサンドブラス
ト装置である。
【０００７】請求項２に記載の発明は、上記ノズルはス
リットの長辺に沿って複数配設された請求項１に記載の
サンドブラスト装置である。
リットの長辺に沿って複数配設された請求項１に記載の
サンドブラスト装置である。
【０００８】請求項３に記載の発明は、上記ノズルはス
リット長辺に沿って揺動自在に設けられた請求項１に記
載のサンドブラスト装置である。
リット長辺に沿って揺動自在に設けられた請求項１に記
載のサンドブラスト装置である。
【０００９】請求項４に記載の発明は、上記粒子遮蔽材
は、上記ノズルから射出された微小粒子を捕獲する捕獲
手段を備えた請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載
のサンドブラスト装置である。
は、上記ノズルから射出された微小粒子を捕獲する捕獲
手段を備えた請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載
のサンドブラスト装置である。
【００１０】
【作用】請求項１に記載の発明では、ノズルから射出さ
れた微小粒子は、粒子遮蔽材の矩形のスリットを通って
半導体ウェーハの一面（デバイス形成時には裏面となる
面）に衝突する。この結果、必要量の微小粒子が、半導
体ウェーハの一面において一定の矩形エリアに一定の速
度（一定の運動エネルギを有して）で衝突する。よっ
て、ダメージの強さとシャロウピットの密度とを精度よ
くコントロールすることができる。
れた微小粒子は、粒子遮蔽材の矩形のスリットを通って
半導体ウェーハの一面（デバイス形成時には裏面となる
面）に衝突する。この結果、必要量の微小粒子が、半導
体ウェーハの一面において一定の矩形エリアに一定の速
度（一定の運動エネルギを有して）で衝突する。よっ
て、ダメージの強さとシャロウピットの密度とを精度よ
くコントロールすることができる。
【００１１】請求項２・請求項３に記載の発明では、ノ
ズルから射出された微小粒子の内でスリットを通り抜け
た微小粒子だけを半導体ウェーハの一面に衝突させるた
め、必要量の微小粒子を半導体ウェーハに衝突させるこ
とができる。また、半導体ウェーハの一面にて同じ位置
に重複して微小粒子を衝突させることがなく、半導体ウ
ェーハ全面に対して均一なダメージ（ＭＳＰ：マイクロ
シャロウピット）を形成することができる。
ズルから射出された微小粒子の内でスリットを通り抜け
た微小粒子だけを半導体ウェーハの一面に衝突させるた
め、必要量の微小粒子を半導体ウェーハに衝突させるこ
とができる。また、半導体ウェーハの一面にて同じ位置
に重複して微小粒子を衝突させることがなく、半導体ウ
ェーハ全面に対して均一なダメージ（ＭＳＰ：マイクロ
シャロウピット）を形成することができる。
【００１２】請求項４に記載の発明によれば、スリット
を通り抜けた微小粒子以外の微小粒子は、捕獲手段によ
り回収することができ、再使用することができる。ま
た、捕獲手段として、例えばスリットの脇に、水とクッ
ション剤が入った回収槽を用いると、微小粒子の形状を
損壊させることなく、回収することができる。すなわ
ち、再使用においても微小粒子の粒径と、その衝突させ
る密度とを維持することができる。つまり、通常ウェー
ハに衝突した微小粒子は、破損されて小さくなるため、
そのまま再使用するとその粒度分布に差を生じるが、こ
のような捕獲手段によれば、ホーニングパウダーの粒度
分布と密度の変化とを少なくすることができる。また、
換言すると、必要な数の粒子だけを半導体ウェーハの一
面に当てて発塵量を減らすことができ、ダメージ強さと
その密度を精度よくコントロールすることができる。つ
まり、発塵の少ないサンドブラストウェーハを作製する
ことができる。
を通り抜けた微小粒子以外の微小粒子は、捕獲手段によ
り回収することができ、再使用することができる。ま
た、捕獲手段として、例えばスリットの脇に、水とクッ
ション剤が入った回収槽を用いると、微小粒子の形状を
損壊させることなく、回収することができる。すなわ
ち、再使用においても微小粒子の粒径と、その衝突させ
る密度とを維持することができる。つまり、通常ウェー
ハに衝突した微小粒子は、破損されて小さくなるため、
そのまま再使用するとその粒度分布に差を生じるが、こ
のような捕獲手段によれば、ホーニングパウダーの粒度
分布と密度の変化とを少なくすることができる。また、
換言すると、必要な数の粒子だけを半導体ウェーハの一
面に当てて発塵量を減らすことができ、ダメージ強さと
その密度を精度よくコントロールすることができる。つ
まり、発塵の少ないサンドブラストウェーハを作製する
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例に係る
サンドブラスト装置を図１および図２を参照して説明す
る。これらの図において、１１はシリコンウェーハであ
って、このシリコンウェーハ１１は水平な状態で一方向
に走行可能に設けられている。なお、走行させるための
手段としては、シリコンウェーハ１１をその上に載置し
て搬送することができるベルト機構等を用いることがで
きる。このシリコンウェーハ１１の上方には、粒子遮蔽
部材であるウォータパン１２が水平な状態で配設されて
いる。ウォータパン１２は搬送されるシリコンウェーハ
１１よりも大きい面積の浅い皿状に形成され、その中央
部には所定幅の矩形のスリット１３が設けられている。
スリット１３の長辺の長さはシリコンウェーハ１１の直
径よりも大きく形成されており、かつ、このスリット１
３はシリコンウェーハ１１の走行方向とは直交する方向
に沿って延びて配設されている。そして、このウォータ
パン１２内には水とクッション剤とが満たされている。
サンドブラスト装置を図１および図２を参照して説明す
る。これらの図において、１１はシリコンウェーハであ
って、このシリコンウェーハ１１は水平な状態で一方向
に走行可能に設けられている。なお、走行させるための
手段としては、シリコンウェーハ１１をその上に載置し
て搬送することができるベルト機構等を用いることがで
きる。このシリコンウェーハ１１の上方には、粒子遮蔽
部材であるウォータパン１２が水平な状態で配設されて
いる。ウォータパン１２は搬送されるシリコンウェーハ
１１よりも大きい面積の浅い皿状に形成され、その中央
部には所定幅の矩形のスリット１３が設けられている。
スリット１３の長辺の長さはシリコンウェーハ１１の直
径よりも大きく形成されており、かつ、このスリット１
３はシリコンウェーハ１１の走行方向とは直交する方向
に沿って延びて配設されている。そして、このウォータ
パン１２内には水とクッション剤とが満たされている。
【００１４】さらに、ウォータパン１２の上方で、上記
スリット１３の直上には複数のノズル１４が等間隔で固
定・列設されている。各ノズル１４は円形開口から下方
に向けてホーニングパウダー（例えば直径数十μｍの球
形のＳｉＯ2粒子）を射出可能である。また、複数のノ
ズル１４に代えて単一のノズルを設け、この単一のノズ
ルをスリット１３の延びる方向に揺動（スイング）可能
に設けてもよい。
スリット１３の直上には複数のノズル１４が等間隔で固
定・列設されている。各ノズル１４は円形開口から下方
に向けてホーニングパウダー（例えば直径数十μｍの球
形のＳｉＯ2粒子）を射出可能である。また、複数のノ
ズル１４に代えて単一のノズルを設け、この単一のノズ
ルをスリット１３の延びる方向に揺動（スイング）可能
に設けてもよい。
【００１５】このウォータパン１２の下方であって、走
行するシリコンウェーハ１１のさらに下方には、パウダ
ー（スラリー）を回収するためのパウダー回収箱１５が
配設されている。これらのウォータパン１２およびパウ
ダー回収箱１５はいずれもシリコンウェーハ１１よりも
広く形成されており、シリコンウェーハ１１に向かって
射出されたホーニングパウダー（スラリー）を回収する
ことを可能としている。特に、ウォータパン１２で回収
されたパウダーは射出時の粒径と同一であるため、この
まま再使用に供される。
行するシリコンウェーハ１１のさらに下方には、パウダ
ー（スラリー）を回収するためのパウダー回収箱１５が
配設されている。これらのウォータパン１２およびパウ
ダー回収箱１５はいずれもシリコンウェーハ１１よりも
広く形成されており、シリコンウェーハ１１に向かって
射出されたホーニングパウダー（スラリー）を回収する
ことを可能としている。特に、ウォータパン１２で回収
されたパウダーは射出時の粒径と同一であるため、この
まま再使用に供される。
【００１６】この装置にあっては、裏面を上に向けてベ
ルトに搭載されたシリコンウェーハ１１がウォータパン
１２の下方に停止すると、複数のノズル１４より所定の
速度でホーニングパウダーが射出される。多数の微小粒
子であるホーニングパウダーの内、スリット１３を通過
したホーニングパウダーのみがシリコンウェーハ１１の
裏面に矩形状に衝突する。この結果、シリコンウェーハ
１１裏面の一部である矩形エリアにシャロウピット（凹
部）が形成されることとなる。次いで、シリコンウェー
ハ１１を一定距離だけ走行させ、同様にホーニングパウ
ダーでピットを矩形エリアに形成する。このノズル１４
からの射出を繰り返すことにより、シリコンウェーハ１
１の裏面全面に一定のダメージを形成し、ゲッタリング
シンクとして機能させるものである。なお、ウォータパ
ン１２内には例えばゴム・スポンジなどのクッションの
みを敷設しておいてもよい。これは、ホーニングパウダ
ーの回収を行うためには好適なものである。
ルトに搭載されたシリコンウェーハ１１がウォータパン
１２の下方に停止すると、複数のノズル１４より所定の
速度でホーニングパウダーが射出される。多数の微小粒
子であるホーニングパウダーの内、スリット１３を通過
したホーニングパウダーのみがシリコンウェーハ１１の
裏面に矩形状に衝突する。この結果、シリコンウェーハ
１１裏面の一部である矩形エリアにシャロウピット（凹
部）が形成されることとなる。次いで、シリコンウェー
ハ１１を一定距離だけ走行させ、同様にホーニングパウ
ダーでピットを矩形エリアに形成する。このノズル１４
からの射出を繰り返すことにより、シリコンウェーハ１
１の裏面全面に一定のダメージを形成し、ゲッタリング
シンクとして機能させるものである。なお、ウォータパ
ン１２内には例えばゴム・スポンジなどのクッションの
みを敷設しておいてもよい。これは、ホーニングパウダ
ーの回収を行うためには好適なものである。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、半導体ウェーハの一
面上を単一ノズルが横方向に往復動することがなく、そ
の全面にムラなく均一なダメージを形成することができ
る。同時に、最適な速度でダメージを形成することがで
き、その処理速度も高まる。また、半導体ウェーハへの
パーティクルの付着・発塵を防止することができる。さ
らに、このダメージ密度・濃度もコントロールしやすく
なっている。また、ホーニングパウダーの回収・再利用
を可能としている。
面上を単一ノズルが横方向に往復動することがなく、そ
の全面にムラなく均一なダメージを形成することができ
る。同時に、最適な速度でダメージを形成することがで
き、その処理速度も高まる。また、半導体ウェーハへの
パーティクルの付着・発塵を防止することができる。さ
らに、このダメージ密度・濃度もコントロールしやすく
なっている。また、ホーニングパウダーの回収・再利用
を可能としている。
【図１】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す斜視図である。
の概略を示す斜視図である。
【図２】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す正面断面図である。
の概略を示す正面断面図である。
【図３】従来のサンドブラスト装置の概略を示す模式図
である。
である。
【図４】従来のサンドブラスト装置の概略を示す模式図
である。
である。
１１ シリコンウェーハ、 １２ ウォータパン（粒子遮蔽材、捕獲手段）、 １３ スリット、 １４ ノズル。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの一面にノズルより射出
した微小粒子を衝突させてゲッタリングシンクを形成す
るサンドブラスト装置において、 上記半導体ウェーハとノズルとの間に粒子遮蔽材を配設
するとともに、 この粒子遮蔽材に矩形のスリットを形成し、このスリッ
トの長辺を上記半導体ウェーハの直径よりも大きくした
サンドブラスト装置。 - 【請求項２】 上記ノズルはスリットの長辺に沿って複
数配設された請求項１に記載のサンドブラスト装置。 - 【請求項３】 上記ノズルはスリット長辺に沿って揺動
自在に設けられた請求項１に記載のサンドブラスト装
置。 - 【請求項４】 上記粒子遮蔽材は、上記ノズルから射出
された微小粒子を捕獲する捕獲手段を備えた請求項１〜
請求項３のいずれか１項に記載のサンドブラスト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053396A JPH10308398A (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | サンドブラスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053396A JPH10308398A (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | サンドブラスト装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308398A true JPH10308398A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=12029800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2053396A Withdrawn JPH10308398A (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | サンドブラスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308398A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002200564A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Showa Denko Kk | 金属製ワークの表面加工方法および表面加工装置 |
| US7666689B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Method to remove circuit patterns from a wafer |
| US8034718B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Method to recover patterned semiconductor wafers for rework |
-
1996
- 1996-01-10 JP JP2053396A patent/JPH10308398A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002200564A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Showa Denko Kk | 金属製ワークの表面加工方法および表面加工装置 |
| US7666689B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Method to remove circuit patterns from a wafer |
| US8034718B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Method to recover patterned semiconductor wafers for rework |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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